WO2017065184A1 - 積層体基板、積層体基板の製造方法、導電性基板、及び導電性基板の製造方法 - Google Patents

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寛人 渡邉
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住友金属鉱山株式会社
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    • H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports

Definitions

  • the present invention relates to a laminate substrate, a laminate substrate manufacturing method, a conductive substrate, and a conductive substrate manufacturing method.
  • Patent Document 1 a transparent conductive film for a touch panel in which an ITO (indium-tin oxide) film is formed as a transparent conductive film on a polymer film has been conventionally used.
  • ITO indium-tin oxide
  • a display with a touch panel has been increased in screen size, and in response to this, a conductive substrate such as a transparent conductive film for a touch panel is required to have a large area.
  • ITO has a high electric resistance value, there is a problem that it cannot cope with an increase in the area of the conductive substrate.
  • Patent Documents 2 and 3 it is considered to use a thin metal wire obtained by processing a metal foil such as copper instead of the ITO film.
  • a metal foil such as copper
  • copper has a metallic luster
  • a laminate substrate in which a blackened layer made of a black material is formed together with a copper layer made of a metal foil such as copper has been studied.
  • a conductive substrate having a wiring pattern of fine metal wires from such a laminate substrate after forming a copper layer and a blackened layer having optical characteristics such as required reflectance, the copper layer and the black layer are formed. It is necessary to form a desired pattern by etching the crystallization layer.
  • an object of the present invention is to provide a laminate substrate including a copper layer and a blackened layer that can be simultaneously etched.
  • the present invention A transparent substrate; A laminate formed on at least one surface side of the transparent substrate, The laminate is A blackening layer containing oxygen, copper and nickel; A copper layer, A laminated substrate in which the film thickness of the blackened layer is 15 nm or more, and O / Ni which is a material amount ratio of oxygen atoms and nickel atoms contained in the blackened layer satisfies the following formula (1): provide.
  • substrate which concerns on embodiment of this invention Sectional drawing of the laminated body board
  • Sectional drawing in the AA 'line of FIG. Explanatory drawing of a roll-to-roll sputtering apparatus.
  • the laminate substrate of the present embodiment can include a transparent substrate and a laminate formed on at least one surface side of the transparent substrate. And a laminated body can have the blackening layer containing oxygen, copper, and nickel, and a copper layer.
  • the film thickness of the blackened layer is 15 nm or more, and it is preferable that O / Ni, which is the material amount ratio between oxygen atoms and nickel atoms contained in the blackened layer, satisfies the following formula (1).
  • substrate in this embodiment is a board
  • a conductive substrate is a substrate formed by etching a copper layer or a blackened layer into a thin metal wire.
  • the transparent substrate is not particularly limited, and an insulating film that transmits visible light, a glass substrate, or the like can be preferably used.
  • insulator film that transmits visible light for example, a polyamide film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene naphthalate film, a cycloolefin film, a polyimide film, a polycarbonate film, or a resin film can be preferably used. .
  • the thickness of the transparent base material is not particularly limited, and can be arbitrarily selected according to the strength required when the conductive substrate is used, the light transmittance, and the like.
  • the thickness of the transparent substrate can be, for example, 10 ⁇ m or more and 250 ⁇ m or less. In particular, when used for touch panel applications, it is preferably 20 ⁇ m or more and 200 ⁇ m or less, more preferably 20 ⁇ m or more and 120 ⁇ m or less. In the case of use for touch panel applications, for example, particularly in applications where it is required to reduce the thickness of the entire display, the thickness of the transparent substrate is preferably 20 ⁇ m or more and 100 ⁇ m or less.
  • the copper layer is not particularly limited, but it is preferable not to dispose an adhesive between the copper layer and the transparent substrate or between the copper layer and the blackening layer in order not to reduce the light transmittance. That is, the copper layer is preferably formed directly on the upper surface of another member.
  • a dry plating method such as a sputtering method, an ion plating method or a vapor deposition method.
  • a wet plating method after dry plating it is preferable to use a wet plating method after dry plating. That is, for example, a copper thin film layer can be formed by a dry plating method on a transparent substrate or a blackened layer, and the copper plating layer can be formed by a wet plating method using the copper thin film layer as a power feeding layer.
  • a copper layer can be comprised with a copper thin film layer and a copper plating layer.
  • the copper layer can be formed directly on the transparent substrate or the blackened layer without using an adhesive by forming the copper layer only by the dry plating method or by combining the dry plating method and the wet plating method as described above. preferable.
  • the film thickness of the copper layer is not particularly limited, and when the copper layer is used as a wiring, it can be arbitrarily selected according to the magnitude of the current supplied to the wiring, the wiring width, and the like.
  • the thickness of the copper layer is preferably 80 nm or more, more preferably 100 nm or more, and even more preferably 150 nm or more so that sufficient current can be supplied.
  • the upper limit value of the thickness of the copper layer is not particularly limited, but if the copper layer becomes thick, side etching occurs because etching takes time when performing etching to form a wiring, and the resist peels off during the etching. Etc. are likely to occur.
  • the film thickness of the copper layer is preferably 5000 nm or less, more preferably 3000 nm or less, and even more preferably 1200 nm or less.
  • the sum total of the thickness of a copper thin film layer and the thickness of a copper plating layer is the said range.
  • the blackening layer can contain oxygen, copper, and nickel.
  • the copper layer of the wiring has a metallic luster, so that the copper reflects light, for example, when used as a wiring board for a touch panel There was a problem that the visibility of the display was lowered. Therefore, a method of providing a blackened layer has been studied.
  • the blackening layer has a low reflectivity because the reflection of light on the surface of the copper layer is suppressed, and the copper layer and the blackening layer are formed on the transparent substrate and then the wiring is processed. It is required to achieve both the etching property capable of simultaneously etching the blackened layer into a desired shape.
  • the inventors of the present invention examined a blackened layer containing oxygen, copper, and nickel, and examined a blackened layer that can achieve both low reflectance and etching properties.
  • a blackened layer may not have sufficient reactivity with the etching solution, that is, etching property, depending on the ratio between the number of atoms of the metal constituting the blackened layer and the number of atoms of oxygen.
  • the film thickness of the blackening layer containing oxygen, copper, and nickel is 15 nm or more, and the mass ratio (O / Ni) of oxygen atoms and nickel atoms contained in the blackening layer is as follows: When satisfying the formula (1), it has been found that the blackened layer can achieve both low reflectance and etching property.
  • the blackened layer containing oxygen, copper, and nickel of the laminate substrate of the present embodiment can be formed by, for example, a dry plating method.
  • a blackening layer containing oxygen, copper, and nickel is formed in a dry plating method using a nickel-copper alloy in an atmosphere in which oxygen is added to an inert gas such as argon gas, Nickel is preferentially oxidized.
  • the O / Ni ratio in the formula (1) is less than 0.1, nickel is not sufficiently oxidized, and the reflectance of the Ni—Cu—O film formed as the blackening layer may be increased.
  • the O / Ni ratio in the above formula (1) is larger than 0.8, the oxidation of nickel proceeds, and the Ni—Cu—O film formed as a blackened layer becomes transparent and the transmittance may be increased. There is. For this reason, when such a Ni—Cu—O film and a copper layer are laminated, reflection from the copper layer of the light transmitted through the Ni—Cu—O film may increase, resulting in an increase in reflectance. . Furthermore, if the O / Ni ratio in the above formula (1) is larger than 0.8, the etching property may be lowered.
  • the O / Ni ratio in the blackened layer containing oxygen, copper, and nickel is 0.1 or more and 0.8 or less as described above, the low reflectance of the blackened layer is low. And etching properties are preferable.
  • the O / Ni ratio of the blackened layer is more preferably 0.2 or more and 0.7 or less.
  • each atom contained in the blackened layer is not particularly limited, and may include, for example, nickel-copper oxide having a chemically non-stoichiometric ratio, and a part of nickel and copper may be oxide (undefined). It may also be included as an atom that is not included).
  • composition of oxygen, nickel, and copper contained in the blackened layer can be known by XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy).
  • the ratio of copper and nickel in the blackened layer of the laminate substrate of the present embodiment is not particularly limited, but the ratio of copper in the blackened layer to the total of copper and nickel in the blackened layer Is preferably 20% or more and 80% or less by mass ratio.
  • the ratio of the copper in the blackened layer to the total of copper and nickel in the blackened layer is 20% (mass%) or more by mass ratio, thereby particularly improving the etching property of the blackened layer. It is because it can do. However, if the ratio of copper in the blackened layer to the total of copper and nickel in the blackened layer exceeds 80% (mass%) by mass ratio, the reflectivity of the blackened layer increases, When the conductive substrate is used, the visibility of the display may be lowered, so 80% or less is preferable.
  • the ratio of copper in the blackened layer to the total of copper and nickel in the blackened layer is more preferably 30% to 50% in terms of mass ratio.
  • the ratio of copper to nickel in the blackening layer is equal to the ratio of copper to nickel in the sputtering target. Can be approximately equal. For this reason, when forming a blackening layer into a film by sputtering method, the ratio of copper and nickel in a blackening layer can also be changed with the composition of a sputtering target.
  • the film formation method of the blackening layer is not particularly limited, and can be formed by any method, for example, can be suitably formed by a dry plating method.
  • a nickel-copper alloy sputtering target is used, and a blackened layer containing oxygen, copper, and nickel is relatively easily oxidized while oxidizing the nickel-copper alloy from the sputtering target. Can be formed.
  • the blackening layer is preferably formed by a sputtering method.
  • the nickel-copper alloy target When forming the blackened layer of the laminate substrate of this embodiment by sputtering, the nickel-copper alloy target may be used to form the film by sputtering while supplying an inert gas and oxygen gas into the chamber. It can.
  • an inert gas for example, argon gas can be used.
  • a mixed gas in which an inert gas and an oxygen gas are mixed in advance can be supplied into the chamber.
  • an inert gas and an oxygen gas can be supplied into the chamber, respectively, and the partial pressure of each gas can be adjusted.
  • the ratio of the inert gas and oxygen gas supplied into the chamber Is not limited.
  • the number of oxygen molecules incident on the deposition surface ( ⁇ (O 2 )) and the number of nickel atoms deposited on the deposition surface ( ⁇ (Ni)) are It is preferable to satisfy the formula (2). That is, it is preferable to adjust the inert gas partial pressure and the oxygen partial pressure so as to satisfy the following expression (2).
  • the blackening layer suppresses the reflection of the light in a copper layer surface, and can reduce the reflectance of a laminated body board
  • ⁇ (O 2 ) / ⁇ (Ni) is preferably 2 or more and 10 or less, and more preferably 4 or more and 8 or less.
  • the film formation surface of the blackened layer described above means the outermost surface portion when the blackened layer is formed, and if the blackened layer is started to be formed, the lower layer on which the blackened layer is formed, that is, Means the surface of a transparent substrate or the surface of a copper layer. In addition, after the start of film formation of the blackened layer, it means the outermost surface of the blackened layer being formed.
  • ⁇ (O 2 ) which is the number of O 2 molecules incident on the film formation surface of the blackened layer, can be obtained by the following formula (3).
  • ⁇ (O 2 ) p / (2 ⁇ mkT) 0.5 [pieces / (m 2 s)] (3)
  • the parameters are as follows: p: partial pressure of oxygen [Pa], m: mass of oxygen molecule [kg], k: Boltzmann constant (1.38 ⁇ 10 ⁇ 23 [J / K]), T: It means temperature (K).
  • the number of nickel atoms ( ⁇ (Ni)) deposited on the film-forming surface of the blackened layer can be calculated from the mass of nickel deposited on the unit area and the film formation time. Specifically, it can be calculated by the following equation (4).
  • the thickness of the blackened layer is not particularly limited, but is preferably 15 nm or more, for example, 20 nm More preferably.
  • the blackened layer is black as described above and has a function of suppressing light reflection by the copper layer. However, when the thickness of the blackened layer is thin, a sufficient black color cannot be obtained. In some cases, the reflection of light due to can not be sufficiently suppressed. On the other hand, it is preferable to set the thickness of the blackened layer in the above range because the reflection of the copper layer can be more reliably suppressed.
  • the upper limit of the thickness of the blackening layer is not particularly limited, but even if it is thicker than necessary, the time required for film formation and the time required for etching when forming the wiring are increased, resulting in an increase in cost. Will be invited.
  • the thickness of the blackened layer is preferably 60 nm or less, and more preferably 50 nm or less.
  • the laminate substrate of this embodiment includes a transparent base material, a copper layer, and a blackening layer.
  • positioning a copper layer and a blackening layer on a transparent base material is not specifically limited. Further, a plurality of copper layers and blackening layers can be formed.
  • the blackening layer is disposed on the surface of the copper layer on which the reflection of light is particularly desired to be suppressed.
  • FIGS. 1A, 1B, 2A, and 2B show examples of cross-sectional views in a plane parallel to the lamination direction of the transparent base material, the copper layer, and the blackening layer of the laminate substrate of this embodiment.
  • the copper layer 12 and the blackening layer 13 can be laminated one layer at a time on the one surface 11a side of the transparent base material 11.
  • copper layers 12A and 12B and black layers are formed on one surface 11a side and the other surface (the other surface) 11b side of the transparent base material 11, respectively.
  • the layers 13A and 13B can be stacked one by one in that order.
  • the order in which the copper layer 12 (12A, 12B) and the blackening layer 13 (13A, 13B) are stacked is not limited to the example of FIGS. 1A and 1B, and the blackening layer 13 is formed from the transparent substrate 11 side. (13A, 13B) and copper layer 12 (12A, 12B) may be laminated in this order.
  • the laminated body substrate of the present embodiment may be configured such that, for example, a plurality of blackening layers are provided on one surface side of the transparent base material 11.
  • the first blackened layer 131, the copper layer 12, and the second blackened layer 132 are formed on one surface 11a side of the transparent base material 11. They can be stacked in that order.
  • the first blackened layer is formed on one surface 11a side and the other surface (the other surface) 11b side of the transparent base material 11, respectively.
  • 131A, 131B, copper layers 12A, 12B, and second blackening layers 132A, 132B can be stacked in that order.
  • the layers laminated on the upper and lower sides of the transparent substrate 11 are symmetrical with the transparent substrate 11 as a symmetry plane.
  • the configuration on the one surface 11a side of the transparent base material 11 is a form in which a copper layer 12 and a blackening layer 13 are laminated in that order, similarly to the configuration of FIG.
  • the layers stacked above and below may be asymmetrical.
  • the laminate substrate of the present embodiment has been described.
  • the copper layer and the blackened layer are provided on the transparent base material. Reflection can be suppressed.
  • the degree of light reflection of the laminated substrate of the present embodiment is not particularly limited.
  • the laminated substrate of the present embodiment has a light reflectance (positive) of a blackened layer having a wavelength of 400 nm to 700 nm.
  • the average (reflectance) is preferably 40% or less.
  • the average reflectance of light having a wavelength of 400 nm to 700 nm in the blackened layer of the laminate substrate of the present embodiment is more preferably 30% or less, and particularly preferably 20% or less.
  • the reflectance of the blackened layer of the laminate substrate can be measured by irradiating the blackened layer with light. That is, measurement can be performed from the blackened layer side of the copper layer and the blackened layer included in the multilayer substrate.
  • the blackened layer 13 is irradiated with light. Measurement can be performed by irradiating the surface A in the figure with light.
  • the arrangement of the copper layer 12 and the blackened layer 13 is changed, and when the blackened layer 13 and the copper layer 12 are laminated in this order on one surface 11a of the transparent substrate 11, the blackened layer 13
  • the reflectance can be measured by irradiating the blackened layer with light from the surface 11b side of the transparent substrate 11 so that light can be irradiated.
  • the average of the reflectance of light means the average value of the measurement results when measuring the reflectance of the same sample by changing the wavelength within the range of 400 nm to 700 nm.
  • the width for changing the wavelength is not particularly limited. For example, it is preferable to measure the light in the wavelength range by changing the wavelength every 10 nm, and changing the wavelength every 1 nm to change the wavelength in the wavelength range. More preferably, the measurement is performed on light.
  • the laminate substrate of the present embodiment can have a configuration in which a copper layer and a blackening layer are arranged on a transparent substrate as described above. And it can be set as an electroconductive board
  • substrate of this embodiment can be equipped with a transparent base material and the metal fine wire formed in the at least one surface side of the transparent base material.
  • a metal fine wire can be made into the laminated body provided with the blackened wiring layer containing oxygen, copper, and nickel, and the copper wiring layer.
  • the film thickness of the blackened wiring layer can be 15 nm or more.
  • O / Ni which is a substance amount ratio of the oxygen atom and nickel atom which a blackening wiring layer contains satisfy
  • the conductive substrate of this embodiment can be preferably used as a conductive substrate for a touch panel, for example.
  • the conductive substrate can be configured to have, for example, a mesh-like wiring pattern.
  • a conductive substrate provided with a mesh-like wiring pattern can be obtained by etching the copper layer and the blackened layer of the multilayer substrate of the present embodiment described so far.
  • a mesh-like wiring pattern can be formed by two layers of fine metal wires.
  • FIG. FIG. 3 shows a view of the conductive substrate 30 having a mesh-like wiring pattern as viewed from the upper surface side in the stacking direction of the copper wiring layer and the blackened wiring layer.
  • the conductive substrate 30 shown in FIG. 3 has a transparent substrate 11, a plurality of copper wiring layers 31A parallel to the Y-axis direction in the drawing, and a copper wiring layer 31B parallel to the X-axis direction.
  • the copper wiring layers 31A and 31B are formed by etching a copper layer, and a black wiring layer (not shown) is formed on the upper surface and / or the lower surface of the copper wiring layers 31A and 31B.
  • the blackened wiring layer can be formed by etching the blackened layer and is etched to have the same shape (pattern) as the copper wiring layers 31A and 31B.
  • the arrangement of the transparent substrate 11 and the copper wiring layers 31A and 31B is not particularly limited.
  • positioning with the transparent base material 11 and a copper wiring layer is shown to FIG. 4A and FIG. 4B.
  • 4A and 4B are cross-sectional views taken along line AA ′ of FIG.
  • copper wiring layers 31 ⁇ / b> A and 31 ⁇ / b> B may be disposed on the upper and lower surfaces of the transparent substrate 11, respectively.
  • blackened wiring layers 32A and 32B etched in the same shape as the copper wiring layers 31A and 31B are respectively formed on the upper surface of the copper wiring layer 31A and the lower surface of the copper wiring layer 31B. Has been placed.
  • a pair of transparent base materials 11 is used, copper wiring layers 31A and 31B are arranged on the upper and lower surfaces with one transparent base material 11 interposed therebetween, and one copper wiring layer 31B. May be disposed between the transparent substrates 11. Also in this case, blackened wiring layers 32A and 32B etched in the same shape as the copper wiring layer are arranged on the upper surfaces of the copper wiring layers 31A and 31B.
  • the arrangement of the blackened wiring layer and the copper wiring layer is not limited. For this reason, the arrangement of the blackened wiring layers 32A and 32B and the copper wiring layers 31A and 31B can be reversed in either case of FIG. 4A or FIG. 4B. Further, for example, a plurality of blackened wiring layers can be provided.
  • the blackened wiring layer is disposed on the surface of the copper wiring layer where it is desired to suppress light reflection.
  • the positions of the blackened wiring layers 32A and 32B and the copper wiring layers 31A and 31B are preferable to reverse the position.
  • a blackened wiring layer may be further provided between the copper wiring layers 31A and 31B and the transparent substrate 11.
  • the conductive substrate having the mesh-like wiring pattern shown in FIGS. 3 and 4A includes, for example, copper layers 12A and 12B and blackening layers 13A and 13B on both surfaces of the transparent base material 11 as shown in FIG. 1B. It can be formed from a laminated substrate.
  • the laminated substrate of FIG. 1B is used as an example.
  • the copper layer 12A and the blackened layer 13A on the one surface 11a side of the transparent base material 11 are parallel to the Y-axis direction in FIG. 1B.
  • Etching is performed so that a plurality of linear patterns are arranged at predetermined intervals along the X-axis direction.
  • the X-axis direction in FIG. 1B means a direction parallel to the width direction of each layer in FIG. 1B.
  • the Y-axis direction in FIG. 1B means a direction perpendicular to the paper surface.
  • a plurality of linear patterns parallel to the X-axis direction in FIG. 1B are arranged at predetermined intervals along the Y-axis direction on the copper layer 12B and the blackening layer 13B on the other surface 11b side of the transparent substrate 11. Etching is performed so as to be spaced apart.
  • a conductive substrate having the mesh-like wiring pattern shown in FIGS. 3 and 4A can be formed. Note that the etching of both surfaces of the transparent substrate 11 can be performed simultaneously. That is, the etching of the copper layers 12A and 12B and the blackening layers 13A and 13B may be performed simultaneously.
  • the laminated body substrate of FIG. 2B is used instead of the laminated substrate of FIG. 1B. be able to.
  • the conductive substrate can be manufactured by performing etching in the same manner as described above, including the first blackening layers 131A and 131B of the multilayer substrate in FIG. 2B.
  • the conductive substrate having the mesh-like wiring pattern shown in FIG. 3 can be formed by using two conductive substrates shown in FIG. 1A or FIG. 2A.
  • the case of using the laminate substrate of FIG. 1A will be described as an example.
  • Etching is performed so that the patterns are arranged at predetermined intervals along the Y-axis direction.
  • the conductive substrate provided with the mesh-like wiring pattern by bonding the two conductive substrates so that the linear patterns formed on each conductive substrate intersect with each other by the etching process, and can do.
  • the surface to be bonded when the two conductive substrates are bonded is not particularly limited.
  • the surfaces 11b in FIG. 1A on which the copper layer 12 or the like of the transparent base material 11 is not laminated can be bonded together to have the same configuration as the conductive substrate shown in FIG. 4A.
  • the surface A in FIG. 1A in which the copper layer 12 or the like of one etched laminate substrate is laminated, and the surface 11b in FIG. 1A in which the copper layer 12 or the like of the other etched laminate substrate is not laminated can also be pasted.
  • the configuration is the same as that of the conductive substrate shown in FIG. 4B.
  • the blackening layer is disposed on the surface of the copper layer surface where light reflection is particularly desired to be suppressed.
  • the positions of the blackened wiring layers 32A and 32B and the positions of the copper wiring layers 31A and 31B are preferably arranged in reverse.
  • a laminate substrate in which the arrangement of the copper layer 12 and the blackened layer 13 in FIG. 1A is reversed is used. Such a conductive substrate can be manufactured.
  • a blackened wiring layer may be further provided between the copper wiring layers 31A and 31B and the transparent substrate 11.
  • the conductive substrate when the conductive substrate is manufactured, the conductive substrate can be manufactured by using the stacked substrate 20A shown in FIG. 2A instead of the stacked substrate 10A shown in FIG. 1A.
  • substrate which has the mesh-shaped wiring pattern shown to FIG. 3, FIG. 4A, and FIG. 4B and the distance between metal fine wires are not specifically limited, For example, it flows on a metal fine wire It can be selected according to the amount of current.
  • the width of the fine metal wire is preferably 20 ⁇ m or less in consideration of visibility.
  • the conductive substrate of this embodiment can be manufactured by etching the copper layer and the blackened layer of the above-described laminate substrate in accordance with a desired wiring pattern. For this reason, the copper wiring layer and the blackened wiring layer of the conductive substrate of the present embodiment can have the same characteristics as the copper layer and the blackened layer of the laminated substrate described above, respectively.
  • the ratio of copper in the blackened wiring layer to the total of copper and nickel in the blackened wiring layer is preferably 20% or more and 80% or less in terms of mass ratio, and is 30% or more and 50% or less. More preferably.
  • the average reflectance of light with a wavelength of 400 nm to 700 nm in the blackened wiring layer is preferably 40% or less, more preferably 30% or less, and particularly preferably 20% or less. This is because the conductive substrate of the present embodiment has an average reflectance of light having a wavelength of 400 nm to 700 nm of the blackened wiring layer of 40% or less, for example, even when used as a conductive substrate for a touch panel. This is because a drop in visibility can be particularly suppressed.
  • the reflectivity indicates the reflectivity on the surface on the light incident side of the blackened wiring layer disposed on the outermost surface when the transparent base material is removed from the conductive substrate. For this reason, the reflectance of the blackened wiring layer of the conductive substrate is measured by irradiating the blackened wiring layer of the fine metal wire remaining after etching the blackened layer or the like of the multilayer substrate. be able to.
  • the specific method for measuring the reflectivity can be performed in the same manner as when measuring the reflectivity of the blackened layer of the laminate substrate, and thus the description thereof is omitted here.
  • the thickness of the copper wiring layer, the blackened wiring layer, and the like can have the same characteristics as the copper layer and the blackened layer of the laminated substrate described above.
  • FIG. 3 FIG. 4A, and FIG. 4B, the example in which the mesh-like wiring pattern is formed by combining the linear thin metal wires has been shown.
  • the metal thin wire to be formed can have an arbitrary shape.
  • the shape of the fine metal wires constituting the mesh-like wiring pattern can be changed to various shapes such as jagged lines (zigzag straight lines) so that moire (interference fringes) does not occur between the images on the display. .
  • a conductive substrate having a mesh-like wiring pattern composed of two layers of fine metal wires can be preferably used as a conductive substrate for a projected capacitive touch panel, for example.
  • Manufacturing method of laminate substrate, manufacturing method of conductive substrate Next, the structural example of the manufacturing method of the laminated substrate of this embodiment and the manufacturing method of an electroconductive board
  • the above-mentioned laminated substrate can be manufactured by the manufacturing method of the laminated substrate of this embodiment, and the above-mentioned conductive substrate can be manufactured by the manufacturing method of the conductive substrate of this embodiment.
  • the above-mentioned laminated substrate can be manufactured by the manufacturing method of the laminated substrate of this embodiment.
  • the manufacturing method of the laminated body substrate of this embodiment can have the blackening layer formation process which forms a blackening layer into a film by the dry-type plating method, for example, sputtering method.
  • the blackening layer forming step when forming the blackening layer, the number of oxygen molecules ( ⁇ (O 2 )) incident on the surface of the blackening layer to be deposited and the copper atoms deposited on the blackening layer It is preferable that the number ( ⁇ (Ni)) satisfies the following expression (2).
  • a blackening layer containing oxygen, copper and nickel can be formed on at least one surface side of the transparent substrate.
  • a blackening layer can be formed by a film forming means for depositing nickel-copper oxide having a chemically non-stoichiometric ratio.
  • the film forming means for depositing a chemically non-stoichiometric nickel-copper alloy oxide in the blackening layer forming step is not particularly limited, but is preferably a dry plating method, and particularly a sputtering film forming means (sputtering). Method).
  • the blackening layer forming step of the laminate substrate manufacturing method of the present embodiment when the blackening layer is formed by a dry plating method, for example, a sputtering method, a nickel-copper alloy target is used, and an inert gas, And it can form into a film, supplying oxygen gas.
  • a dry plating method for example, a sputtering method
  • a nickel-copper alloy target is used, and an inert gas
  • oxygen gas for example, argon gas can be used.
  • the blackening layer is formed by dry plating, for example, sputtering, while supplying an inert gas and an oxygen gas into the chamber, the ratio of the inert gas and the oxygen gas supplied into the chamber is limited. Is not to be done.
  • the blackening layer is formed, the number of oxygen molecules incident on the deposition surface ( ⁇ (O 2 )) and the number of nickel atoms deposited on the deposition surface ( ⁇ (Ni)) are It is preferable that the above equation (2) is satisfied.
  • the blackened layer can be sufficiently blackened, and the reflectance of the blackened layer of the multilayer substrate can be particularly reduced. This is because the visibility of the display when used as a substrate can be increased.
  • the oxidation of nickel contained in the blackened layer can be prevented from proceeding excessively, so that the nickel oxide becomes transparent and blackened.
  • An increase in the transmittance of the layer can be suppressed.
  • the blackening layer suppresses reflection of the light in the copper layer surface, and can reduce the reflectance of a laminated body board
  • the etching property of the blackened layer can be particularly improved, and the copper layer and the blackened layer can be more reliably simultaneously etched.
  • ⁇ (O 2 ) / ⁇ (Ni) is preferably 2 or more and 10 or less, and more preferably 4 or more and 8 or less.
  • the film can be suitably formed using a roll-to-roll sputtering apparatus 50 shown in FIG.
  • the blackening layer forming process will be described below by taking as an example the case where a roll-to-roll sputtering apparatus is used.
  • FIG. 5 shows a configuration example of the roll-to-roll sputtering apparatus 50.
  • the roll-to-roll sputtering apparatus 50 includes a housing 51 that houses most of the components.
  • the shape of the housing 51 is shown as a rectangular parallelepiped shape, but the shape of the housing 51 is not particularly limited, and may be any shape depending on the device accommodated therein, the installation location, the pressure resistance performance, and the like. It can be.
  • the shape of the housing 51 can be a cylindrical shape.
  • the inside of the casing 51 can be depressurized to 1 Pa or less, more preferably 10 ⁇ 3 Pa or less, more preferably 10 ⁇ 4 Pa or less. More preferably, it can be done. Note that it is not necessary that the entire inside of the casing 51 can be depressurized to the above pressure, and only the lower region 51a and the region 51b in the figure in which the can roll 53 (described later) in which sputtering is performed can be depressurized to the above pressure. It can also be configured.
  • an unwinding roll 52 In the casing 51, an unwinding roll 52, a can roll 53, sputtering cathodes 54a to 54d, a front feed roll 55a, a rear feed roll 55b, tension rolls 56a and 56b, which supply a substrate for forming a blackening layer, A winding roll 57 can be arranged.
  • guide rolls 58a to 58h, a heater 59, and the like can be optionally provided on the transport path of the base material on which the blackening layer is formed.
  • the unwinding roll 52, the can roll 53, the front feed roll 55a, and the winding roll 57 can be provided with power by a servo motor.
  • the unwinding roll 52 and the winding roll 57 are configured so that the tension balance of the substrate on which the blackened layer is formed is maintained by torque control using a powder clutch or the like.
  • the structure of the can roll 53 is not particularly limited, for example, the surface thereof is finished with hard chrome plating, and a coolant or a heating medium supplied from the outside of the housing 51 circulates inside the can roll 53 so that the temperature can be adjusted to a constant temperature. It is preferable that it is comprised.
  • the tension rolls 56a and 56b have, for example, a surface finished with hard chrome plating and provided with a tension sensor.
  • the front feed roll 55a, the rear feed roll 55b, and the guide rolls 58a to 58h are preferably finished with hard chrome plating.
  • the sputtering cathodes 54a to 54d are preferably magnetron cathode type and are arranged to face the can roll 53.
  • the size of the sputtering cathodes 54a to 54d is not particularly limited, but the width dimension of the substrate on which the blackening layer of the sputtering cathodes 54a to 54d is formed is wider than the width of the substrate on which the opposing blackening layer is formed. It is preferable.
  • the base material on which the blackening layer is formed is transported through a roll-to-roll sputtering apparatus 50, which is a roll-to-roll vacuum film forming apparatus, and blackened by the sputtering cathodes 54a to 54d facing the can roll 53. A layer is deposited.
  • a nickel-copper alloy target is mounted on the sputtering cathodes 54a to 54d, and the inside of the casing 51 in which the base material for forming the blackening layer is set on the unwinding roll 52 is vacuum pumps 60a, 60b, and in some cases, further vacuumed. Vacuum exhaust is performed using the pump 60c.
  • layers having different compositions specifically, for example, a blackened layer and a copper thin film layer are continuously formed on the substrate.
  • a blackening layer and the copper thin film layer are continuously formed, for example, a nickel-copper alloy target is set on the sputtering cathodes 54a and 54b, and a copper target is set on the sputtering cathodes 54c and 54d. It can also be left.
  • an inert gas that is a sputtering gas, such as argon, and oxygen gas are introduced into the casing 51 by the gas supply means 61a.
  • the structure of the gas supply means 61a is not particularly limited, it can have a gas storage tank (not shown). Then, mass flow controllers (MFC) 611a and 611b and valves 612a and 612b are provided for each gas type between the gas storage tank and the casing 51 so that the supply amount of each gas into the casing 51 can be controlled. Can be configured.
  • FIG. 5 shows an example in which two sets of mass flow controllers and valves are provided, the number to be installed is not particularly limited, and the number to be installed can be selected according to the number of gas types to be used.
  • the ⁇ (O 2 ) / ⁇ (Ni) falls within a predetermined range as described above by the mass flow controllers 611a, 611b, etc. It is preferable to adjust the oxygen partial pressure so as to be satisfied.
  • the flow rate of the sputtering gas and the opening of the pressure adjusting valve 62a provided between the vacuum pump 60b and the housing 51 are adjusted. It is preferable to form a film while holding the inside of the housing at, for example, 0.13 Pa or more and 1.3 Pa or less.
  • various members can be arranged in the roll-to-roll sputtering apparatus 50 as necessary.
  • pressure gauges 63a and 63b for measuring the pressure in the casing 51, vent valves 64a and 64b, and the like can be provided.
  • the blackened layer and the copper thin film layer can be continuously formed on the substrate.
  • the atmosphere can be controlled differently in the region 51a on the sputtering cathode 54a, 54b side and the region 51b on the sputtering cathode 54c, 54d side. It is preferable to configure. Specifically, for example, it is preferable to provide a partition wall 65 so that different atmospheres can be controlled in the two regions. In this case, in addition to the gas supply means 61a, the gas supply means 61b can be provided.
  • the gas supply unit 61b can be configured in the same manner as the gas supply unit 61a, and can include, for example, a mass flow controller 611c and a valve 612c.
  • FIG. 5 shows an example in which one set of the mass flow controller 611c and the valve 612c is provided. Can do.
  • a vacuum pump 60c and a pressure adjusting valve 62b can be provided on the region 51b side, and the flow rate of the sputtering gas from the gas supply means 61b and the opening degree of the pressure adjusting valve 62b are set in the region 51b.
  • the pressure can be controlled.
  • the partition wall 65, the gas supply unit 61b, the vacuum pump 60c, and the pressure adjustment valve 62b, and the region 51a and the region 51b are provided. It can be controlled to have the same atmosphere.
  • substrate of this embodiment can have the following processes other than a blackening layer formation process.
  • a transparent base material preparation step for preparing a transparent base material for preparing a transparent base material.
  • the order of lamination when the copper layer and the blackened layer are arranged on the transparent base material is not particularly limited. Further, a plurality of copper layers and blackening layers can be formed. For this reason, the order of performing the copper layer forming step and the blackened layer forming step and the number of times of performing are not particularly limited, and any number of times according to the structure of the laminate substrate to be formed, Can be implemented at the timing.
  • the transparent substrate preparation step for preparing a transparent substrate is a step of preparing a transparent substrate composed of, for example, an insulating film that transmits visible light, a glass substrate, or the like, and the specific operations are particularly limited. It is not a thing. For example, in order to use for each process in a latter process, it can cut
  • the copper layer is preferably formed using a dry plating method. Moreover, when making a copper layer thicker, it is preferable to use a wet-plating method after dry-type plating.
  • the copper layer forming step can include a step of forming a copper thin film layer by, for example, a dry plating method.
  • the copper layer forming step may include a step of forming a copper thin film layer by a dry plating method and a step of forming a copper plating layer by a wet plating method using the copper thin film layer as a power feeding layer. .
  • the copper layer can be formed directly on the transparent substrate or the blackened layer without using an adhesive by forming the copper layer only by the dry plating method or by combining the dry plating method and the wet plating method as described above. preferable.
  • the dry plating method is not particularly limited, but for example, a sputtering method, an ion plating method, a vapor deposition method, or the like can be preferably used.
  • a sputtering method an ion plating method, a vapor deposition method, or the like
  • the dry plating method used for forming the copper thin film layer it is more preferable to use the sputtering method because the film thickness can be easily controlled. That is, the film forming means for depositing copper in the copper layer forming step is preferably a sputtering film forming means (sputtering method).
  • the copper thin film layer can be suitably formed using, for example, the roll-to-roll sputtering apparatus 50 described above. Since the configuration of the roll-to-roll sputtering apparatus has already been described, the description thereof is omitted here.
  • the conditions in the step of forming the copper plating layer by the wet plating method are not particularly limited, and various conditions according to ordinary methods may be adopted.
  • a copper plating layer can be formed by supplying a base material on which a copper thin film layer is formed in a plating tank containing a copper plating solution and controlling the current density and the conveyance speed of the base material.
  • the thickness of a copper layer is 80 nm or more like the above-mentioned laminated substrate, and it is more preferable that it is 100 nm or more. Preferably, it is 150 nm or more. Further, the upper limit value of the thickness of the copper layer is not particularly limited, but is preferably 5000 nm or less, more preferably 3000 nm or less, and further preferably 1200 nm or less.
  • the thickness of the blackened layer is not particularly limited, but is preferably 15 nm or more, for example, 20 nm or more. It is more preferable.
  • the upper limit of the thickness of the blackened layer is not particularly limited, but is preferably 60 nm or less, and more preferably 50 nm or less.
  • the average reflectance of light having a wavelength of 400 nm to 700 nm is preferably 40% or less, more preferably 30% or less. preferable. In particular, it is more preferably 20% or less.
  • substrate provided with the metal fine wire can be produced from the laminated body board
  • the copper substrate and the blackened layer are etched from the laminated substrate obtained by the method for manufacturing the laminated substrate according to the present embodiment to obtain a conductive substrate, in addition to the above-described steps, the copper layer and the blackened substrate are obtained. It is possible to have a wiring processing step of wiring the layers. That is, the method for manufacturing a conductive substrate according to this embodiment can include a wiring processing step for wiring processing the multilayer substrate obtained by the method for manufacturing a multilayer substrate according to this embodiment.
  • a resist having an opening corresponding to a portion to be removed by etching can be formed on the outermost surface of the multilayer substrate.
  • a resist can be formed on the exposed surface A of the blackening layer 13 disposed on the laminate substrate.
  • a method for forming a resist having an opening corresponding to a portion to be removed by etching is not particularly limited.
  • the resist can be formed by a photolithography method.
  • the copper layer 12 and the blackened layer 13 can be etched by supplying an etching solution from the upper surface of the resist.
  • a resist having openings of predetermined shapes is formed on the surface A and the surface B of the laminate substrate, respectively. Then, the copper layer and the blackened layer formed on both surfaces of the transparent substrate 11 may be etched simultaneously.
  • the copper layer and the blackened layer formed on both surfaces of the transparent base material 11 can be etched one by one. That is, for example, after the copper layer 12A and the blackened layer 13A are etched, the copper layer 12B and the blackened layer 13B can be etched.
  • the etching solution used in the wiring processing step is not particularly limited, and is generally copper.
  • An etchant used for etching the layer can be preferably used.
  • the etching solution for example, a mixed aqueous solution of ferric chloride and hydrochloric acid can be used more preferably.
  • the contents of ferric chloride and hydrochloric acid in the etching solution are not particularly limited.
  • ferric chloride is preferably contained in a proportion of 5 wt% to 50 wt%, and preferably 10 wt%. More preferably, it is contained in a proportion of 30% by weight or less.
  • the etching solution preferably contains hydrochloric acid in a proportion of 1 wt% or more and 50 wt% or less, and more preferably contains 1 wt% or more and 20 wt% or less. The remainder can be water.
  • the etching solution can be used at room temperature, but it can also be used by heating in order to increase the reactivity. For example, it can be used by heating to 40 ° C. or more and 50 ° C. or less.
  • the fine metal wire obtained by the above-described wiring processing step can be, for example, a mesh-like wiring pattern, and since the specific form is as described above, the description is omitted here.
  • substrate which has a copper layer and a blackening layer in the one surface side of the transparent base material 11 shown to FIG. 1A or FIG. 2A.
  • it can further have the process of bonding an electroconductive board
  • the method of bonding the two conductive substrates is not particularly limited, and for example, the bonding can be performed using an adhesive or the like.
  • the etching treatment of the copper layer and the blackened layer is performed. It can be performed simultaneously and a desired fine metal wire can be formed easily.
  • the blackened layer containing oxygen, copper, and nickel, the film thickness, and the amount of oxygen atoms in the blackened layer and the material amount ratio of nickel atoms within a predetermined range is black,
  • the blackened wiring layer is formed by etching, reflection of light by the copper wiring layer can be suppressed.
  • substrate is used as the electroconductive board
  • the measurement was performed by installing a reflectance measurement unit in an ultraviolet-visible spectrophotometer (manufactured by Shimadzu Corporation, model: UV-2550).
  • a laminate substrate having the structure of FIG. 2A was produced.
  • the reflectance was measured at an incident angle of 5 ° with respect to the surface A exposed to the outside of the second blackening layer 132 in FIG. 2A.
  • the light receiving angle was 5 °, and irradiation was performed with light having a wavelength in the range of 400 nm to 700 nm.
  • the light irradiated to the laminated substrate was measured by changing the wavelength every 1 nm within a range of 400 nm to 700 nm, and the average of the measurement results was taken as the average reflectance of the laminated substrate.
  • a transparent substrate made of polyethylene terephthalate resin (PET) having a width of 500 mm and a thickness of 100 ⁇ m was set in the roll-to-roll sputtering apparatus 50 shown in FIG. Further, a Ni-40 mass% Cu target for forming a blackened layer was attached to the sputtering cathodes 54a and 54b, and a copper target for forming a copper layer was attached to the sputtering cathodes 54c and 54d, respectively.
  • PET polyethylene terephthalate resin
  • the heater 59 of the roll-to-roll sputtering apparatus 50 was heated to 100 ° C., the transparent base material was heated, and water contained in the base material was removed.
  • the inside of the casing 51 is evacuated to 1 ⁇ 10 ⁇ 4 Pa, and then argon gas is supplied at 360 sccm by the gas supply means 61 a into the region 51 a on the sputtering cathode 54 a and 54 b side partitioned by the partition wall 65 in the casing 51.
  • Oxygen gas was introduced at 40 sccm.
  • the pressure in the region 51a was adjusted to 0.4 Pa by adjusting the gas supply means 61a and the opening degree of the pressure adjusting valve 62a provided between the vacuum pump 60b and the casing 51. At this time, the oxygen partial pressure in the region 51a was 0.04 Pa.
  • the oxygen partial pressure in the region 51a when the blackened layer is formed is shown in Table 1 as the O 2 partial pressure when the blackened layer is formed.
  • argon gas was introduced into the region 51b on the side of the sputtering cathodes 54c and 54d in the casing 51 by the gas supply means 61b at 400 sccm. Further, the gas supply means 61b and the opening degree of the pressure adjustment valve 62b provided between the vacuum pump 60c and the casing 51 were adjusted to adjust the pressure in the region 51b to 0.4 Pa. .
  • the copper layer is a layer having a total thickness of 200 nm as a result of the above two film formations.
  • the reflectance of the second blackened layer of the manufactured laminate substrate is set so that the exposed surface A of the second blackened layer 132, that is, the surface of the second blackened layer 132 not facing the copper layer 12.
  • the reflectance of the second blackened layer of the manufactured laminate substrate was 25%.
  • Example 2 to Example 7 In Examples 2 to 4, ⁇ (O 2 ) / ⁇ (Ni) in forming the first and second blackened layers, and nickel and copper in the blackened layer forming target A laminate substrate was prepared in the same manner as in Example 1 except that the content ratio was changed to the ratio and content ratio shown in Table 1, and used for evaluation.
  • the nickel and copper in the blackening layer formation target A laminate substrate was prepared in the same manner as in Example 1 except that the content ratio was the ratio and content ratio shown in Table 1, and the film thickness of the first and second blackening layers was 30 nm. Provided.
  • Comparative Examples 1 to 4 were the same as in Example 1 except that ⁇ (O 2 ) / ⁇ (Ni) was changed when forming the first and second blackening layers. A substrate was prepared and used for evaluation.
  • Example 4 For Comparative Example 4, a laminate substrate was prepared and evaluated in the same manner as in Example 1 except that the film thickness of the first and second blackening layers was 10 nm.
  • the thickness of the blackened layer is 15 nm or more, and the O / Ni ratio, which is the substance amount ratio between oxygen atoms and nickel atoms contained in the blackened layer, is 0.1 or more and 0.
  • the results of evaluation of etching property were good for Examples 1 to 7 below 0.8.
  • the reflectance of the blackened layer was 40% or less, and it was confirmed that the blackened layer could function as a blackened layer that suppresses reflection of light on the surface of the copper layer. Therefore, it was confirmed that a laminate substrate provided with a copper layer and a blackened layer that can be simultaneously etched was obtained.
  • the thickness of the blackened layer is less than 15 nm, the reflectivity of the blackened layer is as high as 42%, and it has a sufficient function as a blackened layer that suppresses reflection of light on the surface of the copper layer. I confirmed that I did not.
  • the laminated body substrate, the manufacturing method of the laminated body substrate, the conductive substrate, and the manufacturing method of the conductive substrate have been described in the above embodiments and examples, the present invention is not limited to the above embodiments and examples. . Various modifications and changes are possible within the scope of the gist of the present invention described in the claims.

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Abstract

透明基材と、前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、前記積層体が、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層と、銅層とを有し、前記黒化層の膜厚が１５ｎｍ以上であり、前記黒化層が含有する酸素原子と、ニッケル原子との物質量比であるＯ／Ｎｉが、以下の（１）式を満たす積層体基板を提供する。 ０．１≦Ｏ／Ｎｉ≦０．８ ・・・（１）

Description

積層体基板、積層体基板の製造方法、導電性基板、及び導電性基板の製造方法
　本発明は、積層体基板、積層体基板の製造方法、導電性基板、及び導電性基板の製造方法に関する。
　特許文献１に開示されているように、高分子フィルム上に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム－スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが従来から用いられている。
　ところで、近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高いため、導電性基板の大面積化に対応できないという問題があった。
　このため、例えば特許文献２、３に開示されているようにＩＴＯ膜にかえて銅等の金属箔を加工した金属細線を用いることが検討されている。しかし、例えば金属細線に銅を用いた場合、銅は金属光沢を有しているため、反射によりディスプレイの視認性が低下するという問題がある。
　そこで、銅等の金属箔により構成される銅層と共に、黒色の材料により構成される黒化層を形成した積層体基板が検討されている。係る積層体基板から、金属細線の配線パターンを有する導電性基板とするためには、銅層と、要求される反射率などの光学特性を備える黒化層とを形成した後に、銅層と黒化層とをエッチングして所望のパターンを形成する必要がある。
　しかしながら、エッチング液に対する反応性が銅層と黒化層とで異なるという問題があった。すなわち、銅層と黒化層とを同時にエッチングしようとすると、いずれかの層が目的の形状にエッチングできないという問題であった。また、銅層のエッチングと黒化層のエッチングとを別の工程で実施する場合、工程数が増加するという問題があった。
日本国特開２００３－１５１３５８号公報 日本国特開２０１１－０１８１９４号公報 日本国特開２０１３－０６９２６１号公報
　上記従来技術の問題に鑑み、本発明は同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた積層体基板を提供することを目的とする。
　上記課題を解決するため本発明は、
　透明基材と、
　前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、
　前記積層体が、
　酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層と、
　銅層とを有し、
　前記黒化層の膜厚が１５ｎｍ以上であり、前記黒化層が含有する酸素原子と、ニッケル原子との物質量比であるＯ／Ｎｉが、以下の（１）式を満たす積層体基板を提供する。
　　０．１≦Ｏ／Ｎｉ≦０．８　・・・（１）
　本発明によれば、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた積層体基板を提供することができる。
本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。 本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。 本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。 本発明の実施形態に係る積層体基板の断面図。 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線パターンを備えた導電性基板の上面図。 図３のＡ－Ａ´線における断面図。 図３のＡ－Ａ´線における断面図。 ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の説明図。
　以下、本発明の積層体基板、積層体基板の製造方法、導電性基板、及び導電性基板の製造方法の一実施形態について説明する。
（積層体基板、導電性基板）
　本実施形態の積層体基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備えることができる。そして、積層体は、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層と、銅層とを有することができる。また、黒化層の膜厚は１５ｎｍ以上であり、黒化層が含有する酸素原子と、ニッケル原子との物質量比であるＯ／Ｎｉが、以下の（１）式を満たすことが好ましい。
　　０．１≦Ｏ／Ｎｉ≦０．８　・・・（１）
　なお、本実施形態における積層体基板とは、銅層等をエッチングする前の透明基材の表面に銅層や黒化層の積層体を有する基板である。導電性基板とは銅層や黒化層をエッチングして金属細線とした基板である。
　ここでまず、本実施形態の積層体基板に含まれる各部材について以下に説明する。
　透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等を好ましく用いることができる。
　可視光を透過する絶縁体フィルムとしては例えば、ポリアミド系フィルム、ポリエチレンテレフタレート系フィルム、ポリエチレンナフタレート系フィルム、シクロオレフィン系フィルム、ポリイミド系フィルム、ポリカーボネート系フィルム等の樹脂フィルム等を好ましく用いることができる。
　透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２５０μｍ以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、２０μｍ以上２００μｍｍ以下であることが好ましく、より好ましくは２０μｍ以上１２０μｍ以下である。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上１００μｍ以下であることが好ましい。
　次に銅層について説明する。
　銅層についても特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、銅層と透明基材との間、または、銅層と黒化層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち銅層は、他の部材の上面に直接形成されていることが好ましい。
　他の部材の上面に銅層を直接形成するため、スパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等の乾式めっき法を用いて銅層を形成することが好ましい。
　また銅層をより厚くする場合には、乾式めっき後に湿式めっき法を用いることが好ましい。すなわち、例えば透明基材または黒化層上に、乾式めっき法により銅薄膜層を形成し、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成することができる。この場合、銅薄膜層と、銅めっき層とで銅層を構成することができる。
　上述のように乾式めっき法のみ、又は乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて銅層を形成することにより透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できるため好ましい。
　銅層の膜厚は特に限定されるものではなく、銅層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。特に十分に電流を供給できるように銅層の膜厚は８０ｎｍ以上であることが好ましく、１００ｎｍ以上であることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。銅層の膜厚の上限値は特に限定されないが、銅層が厚くなると、配線を形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ、エッチングの途中でレジストが剥離する等の問題を生じ易くなる。このため、銅層の膜厚は５０００ｎｍ以下が好ましく、３０００ｎｍ以下であることがより好ましく、１２００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層とを有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。
　次に、黒化層について説明する。本実施形態の積層体基板で黒化層は、酸素と、銅と、ニッケルとを含有できる。
　黒化層を備えずに、銅層のみを形成して配線加工した金属細線は、配線の銅層が金属光沢を有するため、銅が光を反射し、例えばタッチパネル用の配線基板として用いた場合、ディスプレイの視認性が低下するという問題があった。そこで、黒化層を設ける方法が検討されている。
　黒化層は、銅層表面での光の反射を抑制するため、また透明基材上に銅層、及び黒化層を形成した後に配線加工するため、反射率が低いことと、銅層と黒化層とを同時に所望の形状にエッチングできるエッチング性とを両立することが求められている。
　本発明の発明者らは、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層について検討を行い、低反射率と、エッチング性とを両立できる黒化層となるよう検討を行った。ところが、係る黒化層は、黒化層を構成する金属の原子数と、酸素の原子数との比によってはエッチング液に対する反応性、すなわちエッチング性が十分ではない場合があった。
　そして、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層の膜厚が１５ｎｍ以上であり、かつ黒化層に含まれる酸素原子と、ニッケル原子との物質量比（Ｏ／Ｎｉ）が以下の（１）式を満たす場合、黒化層は、低反射率と、エッチング性とを両立できることを見いだした。
　０．１≦Ｏ／Ｎｉ≦０．８・・・（１）
　本実施形態の積層体基板の、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層は、例えば乾式めっき法により成膜することができる。そして、乾式めっき法で、ニッケル－銅合金を用いて、アルゴンガスなどの不活性ガスに酸素を添加した雰囲気下で酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層を成膜する場合、ニッケルが優先的に酸化される。
　しかし、上記（１）式のＯ／Ｎｉ比が０．１未満の場合、ニッケルの酸化が不十分となり黒化層として成膜したＮｉ－Ｃｕ－Ｏ膜の反射率が高くなる場合がある。
　また、上記（１）式のＯ／Ｎｉ比が０．８より大きいと、ニッケルの酸化が進み、黒化層として成膜したＮｉ－Ｃｕ－Ｏ膜が透明になり、透過率が高くなる恐れがある。このため、係るＮｉ－Ｃｕ－Ｏ膜と銅層とを積層した場合、Ｎｉ－Ｃｕ－Ｏ膜を透過した光の、銅層からの反射が大きくなり結果的に反射率が増加する場合がある。さらには、上記（１）式のＯ／Ｎｉ比が０．８より大きくなると、エッチング性が低下する恐れがある。
　これに対して、上述の様に、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層中のＯ／Ｎｉ比が０．１以上０．８以下の場合、該黒化層の低反射率と、エッチング性とを両立できるため好ましい。特に黒化層のＯ／Ｎｉ比は０．２以上０．７以下がより好ましい。
　なお、黒化層に含まれる各原子の状態は特に限定されるものではなく、例えば化学的に不定比のニッケル－銅酸化物を含むことができ、ニッケルと銅の一部は酸化物（不定比の酸化物も含む）とはなっていない原子として含まれていてもよい。
　また、黒化層に含まれる酸素、ニッケル、銅の組成はＸＰＳ（Ｘ－ｒａｙ　Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ　Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ）により知ることができる。
　本実施形態の積層体基板の黒化層中の銅とニッケルとの比率は特に限定されるものではないが、黒化層中の銅の、黒化層中の銅とニッケルとの合計に対する割合は、質量比で２０％以上８０％以下であることが好ましい。
　これは、黒化層中の銅の、黒化層中の銅とニッケルとの合計に対する割合を質量比で２０％（質量％）以上とすることで、黒化層のエッチング性を特に高めることができるためである。ただし、黒化層中の銅の、黒化層中の銅とニッケルとの合計に対する割合が質量比で８０％（質量％）を超えると、黒化層の反射率が高くなり、タッチパネル用の導電性基板とした場合に、ディスプレイの視認性が低下する恐れがあるため、８０％以下が好ましい。
　黒化層中の銅の、黒化層中の銅とニッケルとの合計に対する割合は、質量比で３０％以上５０％以下であることがより好ましい。
　なお、黒化層をスパッタリング法により成膜する場合であってニッケル－銅合金のスパッタリングターゲットを用いる場合、黒化層中の銅とニッケルとの比率は、スパッタリングターゲット中の銅とニッケルの比率と概ね等しくすることができる。このため、黒化層をスパッタリング法により成膜する場合、黒化層中の銅とニッケルとの比率は、スパッタリングターゲットの組成により代えることもできる。
　黒化層の成膜方法は特に限定されるものではなく、任意の方法により成膜することができ、例えば乾式めっき法により好適に成膜することができる。特に、スパッタリング法によれば、ニッケル－銅合金のスパッタリングターゲットを用い、該スパッタリングターゲットからのニッケル－銅合金を酸化しつつ、比較的容易に酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層を成膜できる。このため、黒化層はスパッタリング法により成膜することが好ましい。
　本実施形態の積層体基板の黒化層をスパッタリング法により成膜する場合、ニッケル－銅合金ターゲットを用い、チャンバー内に不活性ガス、及び酸素ガスを供給しながらスパッタリング法により成膜することができる。なお、不活性ガスとしては、例えばアルゴンガスを用いることができる。
　黒化層をスパッタリング法により成膜する場合、予め不活性ガスと酸素ガスとを混合した混合ガスをチャンバー内に供給することもできる。また、不活性ガスと、酸素ガスとをそれぞれチャンバー内に供給し、各ガスの分圧を調整することもできる。特に、黒化層に供給する酸素の量を調整できるように、不活性ガスと、酸素ガスとをチャンバー内に同時に供給し、チャンバー内の酸素分圧を調整することが好ましい。
　上述のように不活性ガスと酸素ガスとをチャンバー内に供給しながら乾式めっき法、例えばスパッタリング法により黒化層を成膜する際、チャンバー内に供給する不活性ガスと、酸素ガスとの比は限定されるものではない。ただし、黒化層を成膜する際、被成膜表面に入射する酸素分子数（Γ（Ｏ２））と、被成膜表面に堆積するニッケルの原子数（Γ（Ｎｉ））とが、（２）式を満たすことが好ましい。すなわち、以下の（２）式を充足するように不活性ガス分圧および酸素分圧を調整することが好ましい。
　　２≦Γ（Ｏ２）／Γ（Ｎｉ）≦１０・・・（２）
　これは、Γ（Ｏ２）／Γ（Ｎｉ）が２以上の場合、黒化層を十分に黒化することができ、積層体基板の黒化層の反射率を特に低減できることから、導電性基板とした際のディスプレイの視認性を特に高めることができるためである。
　また、Γ（Ｏ２）／Γ（Ｎｉ）が１０以下の場合、黒化層に含まれるニッケルの酸化が過度に進むことを抑制することができるため、ニッケル酸化物が透明になって黒化層の透過率が上がることを抑制できる。このため、黒化層と銅層とを積層した積層体基板において、銅層表面での光の反射を黒化層が抑制し、積層体基板の反射率を低減できる。さらには、黒化層のエッチング性を特に高めることができ、銅層と黒化層とをより確実に同時にエッチング処理することができる。
　従って、黒化層を成膜する際には、上述のように、Γ（Ｏ２）／Γ（Ｎｉ）は２以上１０以下が好ましく、４以上８以下がより好ましい。
　なお、被成膜表面に入射したＯ２分子のすべてが、Ｎｉ原子と反応するのではなく、被成膜表面に入射した一部のＯ２分子がＮｉ原子と反応する。このため、Ｏ２分子とＮｉ原子との反応の確率を考慮すると、被成膜表面に入射するＯ２分子数（Γ（Ｏ２））と被成膜表面に堆積する原子数（Γ（Ｎｉ））との関係は、（２）式を満たすことが望ましい。
　上述した黒化層の被成膜表面とは、黒化層を成膜する際の最表面部分を意味し、黒化層の成膜開始時であれば黒化層を成膜する下層、すなわち、透明基材の表面または銅層の表面を意味する。また、黒化層の成膜開始後であれば成膜中の黒化層の最表面を意味する。
　上述の（２）式のうち、黒化層の被成膜表面に入射するＯ２分子数であるΓ（Ｏ２）は、以下の（３）式で求めることができる。
　Γ（Ｏ２）＝ｐ／（２πｍｋＴ）０．５　　［個／（ｍ２ｓ）］　・・・（３）
　（３）式中各パラメータは、ｐ：酸素の分圧［Ｐａ］、ｍ：酸素分子の質量［ｋｇ］、ｋ：ボルツマン定数（１．３８×１０－２３［Ｊ／Ｋ］）、Ｔ：温度（Ｋ）を意味している。
　上述の（１）式のうち黒化層の被成膜表面に堆積するニッケルの原子数（Γ（Ｎｉ））は、単位面積に堆積したニッケルの質量と成膜時間から算出することができる。具体的には以下の（４）式により算出することができる。
　Γ（Ｎｉ）＝Ｗ・Ｎａ／（Ｍ・Ａ・ｔ）　　［個／（ｍ２ｓ）］　・・・（４）
　Ｗ：Ｎｉの質量　Ｎａ：アボガドロ数　Ｍ：Ｎｉの原子量　Ａ：成膜面積　ｔ：成膜時間
　黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば１５ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上であることがより好ましい。黒化層は、上述のように黒色をしており、銅層による光の反射を抑制する機能を有するが、黒化層の厚さが薄い場合には、十分な黒色が得られず銅層による光の反射を十分に抑制できない場合がある。これに対して、黒化層の厚さを上記範囲とすることにより、銅層の反射をより確実に抑制できるため好ましい。
　黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、黒化層の厚さは６０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。
　次に、本実施形態の積層体基板の構成例について説明する。
　上述のように、本実施形態の積層体基板は透明基材と、銅層と、黒化層と、を備えている。この際、銅層と、黒化層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、黒化層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。なお、銅層表面での光の反射の抑制のため、銅層の表面のうち光の反射を特に抑制したい面に黒化層が配置されていることが好ましい。特に黒化層が銅層の表面に形成された積層構造を有することがより好ましい、すなわち、銅層は黒化層に挟まれた構造を有していることがより好ましい。
　本実施形態の積層体基板の具体的な構成例について、図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂを用いて以下に説明する。図１Ａ、図１Ｂ、図２Ａ、図２Ｂは、本実施形態の積層体基板の、透明基材、銅層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。
　例えば、図１Ａに示した積層体基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に銅層１２と、黒化層１３と、を一層ずつその順に積層することができる。また、図１Ｂに示した積層体基板１０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を一層ずつその順に積層することができる。なお、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）、及び、黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）を積層する順は、図１Ａ、図１Ｂの例に限定されず、透明基材１１側から黒化層１３（１３Ａ、１３Ｂ）、銅層１２（１２Ａ、１２Ｂ）の順に積層することもできる。
　また、本実施形態の積層体基板は、例えば黒化層を透明基材１１の１つの面側に複数層設けた構成とすることもできる。例えば図２Ａに示した積層体基板２０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側に、第１の黒化層１３１と、銅層１２と、第２の黒化層１３２と、をその順に積層することができる。
　この場合も透明基材１１の両面に銅層、第１の黒化層、第２の黒化層を積層した構成とすることができる。具体的には図２Ｂに示した積層体基板２０Ｂのように、透明基材１１の一方の面１１ａ側と、もう一方の面（他方の面）１１ｂ側と、にそれぞれ第１の黒化層１３１Ａ、１３１Ｂと、銅層１２Ａ、１２Ｂと、第２の黒化層１３２Ａ、１３２Ｂと、をその順に積層できる。
　なお、図１Ｂ、図２Ｂにおいて、透明基材の両面に銅層と、黒化層と、を積層した場合において、透明基材１１を対称面として透明基材１１の上下に積層した層が対称になるように配置した例を示したが、係る形態に限定されるものではない。例えば、図２Ｂにおいて、透明基材１１の一方の面１１ａ側の構成を図１Ａの構成と同様に、銅層１２と、黒化層１３と、をその順に積層した形態とし、透明基材１１の上下に積層した層を非対称な構成としてもよい。
　ここまで、本実施形態の積層体基板について説明してきたが、本実施形態の積層体基板においては、透明基材上に銅層と、黒化層とを設けているため、銅層による光の反射を抑制することができる。
　本実施形態の積層体基板の光の反射の程度については特に限定されるものではないが、例えば本実施形態の積層体基板は、黒化層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率（正反射率）の平均が４０％以下であることが好ましい。特に、本実施形態の積層体基板の、黒化層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均は３０％以下であることがより好ましく、２０％以下であることが特に好ましい。これは、本実施形態の積層体基板の、黒化層表面での波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均が４０％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。
　積層体基板の、黒化層の反射率は、黒化層に対して光を照射するようにして測定を行うことができる。すなわち、積層体基板に含まれる銅層及び黒化層のうち、黒化層側から測定を行うことができる。
　具体的には例えば図１Ａに示した積層体基板１０Ａのように、透明基材１１の一方の面１１ａに銅層１２、黒化層１３の順に積層した場合、黒化層１３に光を照射できるように、図中の表面Ａに対して光を照射して測定できる。
　また、図１Ａの場合と銅層１２と黒化層１３との配置を換え、透明基材１１の一方の面１１ａに黒化層１３、銅層１２の順に積層した場合、黒化層１３に光を照射できるように、透明基材１１の面１１ｂ側から黒化層に対して光を照射し、反射率を測定できる。
　なお、光の反射率の平均とは、同じ試料について、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲内で波長を変化させて反射率の測定を行った際の測定結果の平均値を意味している。測定の際、波長を変化させる幅は特に限定されないが、例えば、１０ｎｍ毎に波長を変化させて上記波長範囲の光について測定を行うことが好ましく、１ｎｍ毎に波長を変化させて上記波長範囲の光について測定を行うことがより好ましい。
　本実施形態の積層体基板はここまで説明したように、透明基材上に銅層、及び黒化層を配置した構成を有することができる。そして、透明基材上に配置した銅層、及び黒化層を所望の配線パターンに応じてエッチングして金属細線、すなわち配線とすることで導電性基板とすることができる。
　このため、本実施形態の導電性基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面側に形成された金属細線とを備えることができる。そして、金属細線は、酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化配線層と、銅配線層とを備えた積層体とすることができる。　
　また、黒化配線層の膜厚は１５ｎｍ以上とすることができる。そして、黒化配線層が含有する酸素原子と、ニッケル原子との物質量比であるＯ／Ｎｉが、以下の（１）式を満たすことが好ましい。
　　０．１≦Ｏ／Ｎｉ≦０．８　・・・（１）
　本実施形態の導電性基板は、例えばタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。この場合、導電性基板は例えばメッシュ状の配線パターンを備えた構成とすることができる。
　メッシュ状の配線パターンを備えた導電性基板は、ここまで説明した本実施形態の積層体基板の銅層及び黒化層をエッチングすることにより得ることができる。
　例えば、二層の金属細線によりメッシュ状の配線パターンとすることができる。具体的な構成例を図３に示す。図３はメッシュ状の配線パターンを備えた導電性基板３０を銅配線層、黒化配線層の積層方向の上面側から見た図を示している。図３に示した導電性基板３０は、透明基材１１と、図中Ｙ軸方向に平行な複数の銅配線層３１Ａと、Ｘ軸方向に平行な銅配線層３１Ｂとを有している。なお、銅配線層３１Ａ、３１Ｂは銅層をエッチングして形成されており、該銅配線層３１Ａ、３１Ｂの上面および／または下面には図示しない黒化配線層が形成されている。黒化配線層は黒化層をエッチングして形成することができ、銅配線層３１Ａ、３１Ｂと同じ形状（パターン）となるようにエッチングされている。
　透明基材１１と銅配線層３１Ａ、３１Ｂとの配置は特に限定されない。透明基材１１と銅配線層との配置の構成例を図４Ａ、図４Ｂに示す。図４Ａ、図４Ｂは図３のＡ－Ａ´線での断面図に当たる。
　まず、図４Ａに示したように、透明基材１１の上下面にそれぞれ銅配線層３１Ａ、３１Ｂが配置されていてもよい。なお、図４Ａに示した例の場合、銅配線層３１Ａの上面、及び銅配線層３１Ｂの下面には、銅配線層３１Ａ、３１Ｂと同じ形状にエッチングされた黒化配線層３２Ａ、３２Ｂがそれぞれ配置されている。
　また、図４Ｂに示したように、１組の透明基材１１を用い、一方の透明基材１１を挟んで上下面に銅配線層３１Ａ、３１Ｂを配置し、かつ、一方の銅配線層３１Ｂは透明基材１１間に配置されてもよい。この場合も、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの上面には銅配線層と同じ形状にエッチングされた黒化配線層３２Ａ、３２Ｂが配置されている。
　なお、黒化配線層と、銅配線層との配置は限定されるものではない。このため、図４Ａ、図４Ｂいずれの場合でも黒化配線層３２Ａ、３２Ｂと、銅配線層３１Ａ、３１Ｂとの配置は上下を逆にすることもできる。また、例えば黒化配線層を複数層設けることもできる。
　ただし、黒化配線層は銅配線層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。このため、図４Ｂに示した導電性基板において、例えば、図中下面側から光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化配線層３２Ａ、３２Ｂの位置と、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの位置とを逆にすることが好ましい。また、黒化配線層３２Ａ、３２Ｂに加えて、銅配線層３１Ａ、３１Ｂと透明基材１１との間に黒化配線層をさらに設けてもよい。
　図３及び図４Ａに示したメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板は例えば、図１Ｂのように透明基材１１の両面に銅層１２Ａ、１２Ｂと、黒化層１３Ａ、１３Ｂと、を備えた積層体基板から形成することができる。
　図１Ｂの積層体基板を用いて形成した場合を例に説明すると、まず、透明基材１１の一方の面１１ａ側の銅層１２Ａ及び黒化層１３Ａを、図１Ｂ中Ｙ軸方向に平行な複数の線状のパターンが、Ｘ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。なお、図１Ｂ中のＸ軸方向とは図１Ｂ中の各層の幅方向と平行な方向を意味している。また、図１Ｂ中のＹ軸方向とは、紙面と垂直な方向を意味している。
　そして、透明基材１１のもう一方の面１１ｂ側の銅層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂを図１Ｂ中Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが、Ｙ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。
　以上の操作により図３、図４Ａに示したメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板を形成することができる。なお、透明基材１１の両面のエッチングは同時に行うこともできる。すなわち、銅層１２Ａ、１２Ｂ、黒化層１３Ａ、１３Ｂのエッチングは同時に行ってもよい。
　また、図４Ａにおいて、銅配線層３１Ａ、３１Ｂと、透明基材１１との間に黒化配線層をさらに設ける場合には、図１Ｂの積層体基板に替えて図２Ｂの積層体基板を用いることができる。この場合、図２Ｂの積層体基板の第１の黒化層１３１Ａ、１３１Ｂを含めて、上述の場合と同様にエッチングを行うことで、導電性基板を作製できる。
　図３に示したメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板は、図１Ａまたは図２Ａに示した導電性基板を２枚用いることにより形成することもできる。図１Ａの積層体基板を用いた場合を例に説明すると、図１Ａに示した積層体基板２枚についてそれぞれ、銅層１２及び黒化層１３を、Ｘ軸方向と平行な複数の線状のパターンが、Ｙ軸方向に沿って所定の間隔をあけて配置されるようにエッチングを行う。そして、上記エッチング処理により各導電性基板に形成した線状のパターンが互いに交差するように向きをあわせて２枚の導電性基板を貼り合せることによりメッシュ状の配線パターンを備えた導電性基板とすることができる。
　２枚の導電性基板を貼り合せる際に貼り合せる面は特に限定されるものではない。例えば透明基材１１の銅層１２等が積層されていない図１Ａにおける面１１ｂ同士を貼り合せ、図４Ａに示した導電性基板と同様の構成とすることができる。
　また、例えば一方のエッチングした積層体基板の銅層１２等が積層された図１Ａにおける表面Ａと、他方のエッチングした積層体基板の銅層１２等が積層されていない図１Ａにおける面１１ｂとを貼り合せることもできる。この場合、図４Ｂに示した導電性基板と同様の構成となる。
　なお、黒化層は銅層表面のうち光の反射を特に抑制したい面に配置されていることが好ましい。
　このため、図４Ｂに示した導電性基板において、図中下面側から光の反射を抑制する必要がある場合には、黒化配線層３２Ａ、３２Ｂの位置と、銅配線層３１Ａ、３１Ｂの位置とを逆に配置することが好ましい。この場合、導電性基板を作製する際、図１Ａに示した積層体基板１０Ａに替えて、図１Ａにおける銅層１２と、黒化層１３との配置を逆にした積層体基板を用いることで、係る導電性基板を作製できる。
　また、黒化配線層３２Ａ、３２Ｂに加えて、銅配線層３１Ａ、３１Ｂと透明基材１１との間に黒化配線層をさらに設けてもよい。この場合、導電性基板を作製する際、図１Ａに示した積層体基板１０Ａに替えて、図２Ａに示した積層体基板２０Ａを用いることで、係る導電性基板を作製できる。
　なお、図３、図４Ａ、図４Ｂに示したメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板における金属細線の幅や、金属細線間の距離は特に限定されるものではなく、例えば、金属細線に流す電流量等に応じて選択することができる。ディスプレイのタッチパネル用の導電性基板とする場合、視認性を考慮すると金属細線の幅は２０μｍ以下が望ましい。
　ここまで説明したように、本実施形態の導電性基板は、既述の積層体基板の銅層、及び黒化層を所望の配線パターンに応じてエッチングすることで作製できる。このため、本実施形態の導電性基板の銅配線層、及び黒化配線層は、それぞれ既述の積層体基板の銅層、及び黒化層と同様の特性を有することができる。
　そこで、例えば、黒化配線層中の銅の、黒化配線層中の銅とニッケルとの合計に対する割合は質量比で２０％以上８０％以下であることが好ましく、３０％以上５０％以下であることがより好ましい。
　また、黒化配線層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均が４０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましく、２０％以下であることが特に好ましい。これは、本実施形態の導電性基板の、黒化配線層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均が４０％以下の場合、例えばタッチパネル用の導電性基板として用いた場合でもディスプレイの視認性の低下を特に抑制できるためである。
　反射率は導電性基板のうち透明基材を除いた場合に最表面に配置されている黒化配線層の、光が入射する側の表面における反射率を示している。このため、導電性基板の黒化配線層の反射率は、積層体基板の黒化層等をエッチングした後に残存した金属細線の黒化配線層に対して光を照射するようにして測定を行うことができる。
　反射率の具体的な測定方法については、積層体基板の黒化層の反射率を測定する場合と同様にして行うことができるため、ここでは説明を省略する。
　また、その他、例えば銅配線層や、黒化配線層の厚さ等も、既述の積層体基板の銅層、及び黒化層と同様の特性を有することができる。
　なお、ここまで図３、図４Ａ、図４Ｂにおいては、直線形状の金属細線を組み合わせてメッシュ状の配線パターンを形成した例を示したが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する金属細線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する金属細線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。
　このように２層の金属細線から構成されるメッシュ状の配線パターンを有する導電性基板は、例えば投影型静電容量方式のタッチパネル用の導電性基板として好ましく用いることができる。
（積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法）
　次に本実施形態の積層体基板の製造方法、及び導電性基板の製造方法の構成例について説明する。
　なお、本実施形態の積層体基板の製造方法により、既述の積層体基板を、また本実施形態の導電性基板の製造方法により、既述の導電性基板を製造することができる。このため、以下に説明する点以外については、既述の積層体基板、及び導電性基板の場合と同様に構成することができるため、説明を一部省略する。
　本実施形態の積層体基板の製造方法は、黒化層を乾式めっき法、例えばスパッタリング法で成膜する黒化層形成工程を有することができる。そして、黒化層形成工程において、黒化層を成膜する際、黒化層の被成膜表面に入射する酸素分子数（Γ（Ｏ２））と、黒化層に堆積する銅の原子数（Γ（Ｎｉ））とが、以下の（２）式を満たすことが好ましい。
　　２≦Γ（Ｏ２）／Γ（Ｎｉ）≦１０　・・・（２）
　黒化層形成工程では、透明基材の少なくとも一方の面側に酸素と銅とニッケルとを含有する黒化層を形成できる。そして、黒化層形成工程では、例えば化学的に不定比のニッケル－銅酸化物を堆積する成膜手段により黒化層を成膜する工程とすることができる。黒化層形成工程における化学的に不定比のニッケル－銅合金酸化物を堆積する成膜手段は特に限定されるものではないが、乾式めっき法であることが好ましく、特にスパッタリング成膜手段（スパッタリング法）であることが好ましい。
　本実施形態の積層体基板の製造方法の黒化層形成工程において、黒化層を乾式めっき法、例えばスパッタリング法により成膜する場合、ニッケル－銅合金ターゲットを用い、チャンバー内に不活性ガス、及び酸素ガスを供給しながら成膜することができる。なお、不活性ガスとしては、例えばアルゴンガスを用いることができる。
　そして、不活性ガスと酸素ガスとをチャンバー内に供給しながら乾式めっき法、例えばスパッタリング法により黒化層を成膜する際、チャンバー内に供給する不活性ガスと、酸素ガスとの比は限定されるものではない。ただし、黒化層を成膜する際、被成膜表面に入射する酸素分子数（Γ（Ｏ２））と、被成膜表面に堆積するニッケルの原子数（Γ（Ｎｉ））とが、上述の（２）式を満たすことが好ましい。
　これは、Γ（Ｏ２）／Γ（Ｎｉ）が２以上の場合、黒化層を十分に黒化することができ、積層体基板の黒化層の反射率を特に低減できることから、導電性基板とした際のディスプレイの視認性を高めることができるためである。
　また、Γ（Ｏ２）／Γ（Ｎｉ）が１０以下の場合、黒化層に含まれるニッケルの酸化が過度に進むことを抑制することができるため、ニッケル酸化物が透明になって黒化層の透過率が上がることを抑制できる。このため、黒化層と銅層を積層した積層体基板において、銅層表面での光の反射を黒化層が抑制し、積層体基板の反射率を低減できる。さらには、黒化層のエッチング性を特に高めることができ、銅層と黒化層とをより確実に同時にエッチング処理することができる。
　このため、黒化層を成膜する際には、上述のように、Γ（Ｏ２）／Γ（Ｎｉ）は２以上１０以下が好ましく、４以上８以下がより好ましい。
　黒化層を乾式めっき法より成膜する場合、例えば図５に示すロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて好適に成膜することができる。
以下にロール・ツー・ロールスパッタリング装置を用いた場合を例に黒化層形成工程を説明する。
　図５はロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の一構成例を示している。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０は、その構成部品のほとんどを収納した筐体５１を備えている。図５において筐体５１の形状は直方体形状として示しているが、筐体５１の形状は特に限定されるものではなく、内部に収容する装置や、設置場所、耐圧性能等に応じて任意の形状とすることができる。例えば筐体５１の形状は円筒形状とすることもできる。ただし、成膜開始時に成膜に関係ない残留ガスを除去するため、筐体５１内部は１Ｐａ以下まで減圧できることが好ましく、１０－３Ｐａ以下まで減圧できることがより好ましく、１０－４Ｐａ以下まで減圧できることがさらに好ましい。なお、筐体５１内部全てが上記圧力まで減圧できる必要はなく、スパッタリングを行う、後述するキャンロール５３が配置された図中下側の領域５１ａ、及び領域５１ｂのみが上記圧力まで減圧できるように構成することもできる。
　筐体５１内には、黒化層を成膜する基材を供給する巻出ロール５２、キャンロール５３、スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄ、前フィードロール５５ａ、後フィードロール５５ｂ、テンションロール５６ａ、５６ｂ、巻取ロール５７を配置することができる。
　また、黒化層を成膜する基材の搬送経路上には、上記各ロール以外に任意にガイドロール５８ａ～５８ｈや、ヒーター５９等を設けることもできる。
　巻出ロール５２、キャンロール５３、前フィードロール５５ａ、巻取ロール５７にはサーボモータによる動力を備えることができる。巻出ロール５２、巻取ロール５７は、パウダークラッチ等によるトルク制御によって黒化層を成膜する基材の張力バランスが保たれるようになっている。
　キャンロール５３の構成についても特に限定されないが、例えばその表面が硬質クロムめっきで仕上げられ、その内部には筐体５１の外部から供給される冷媒や温媒が循環し、一定の温度に調整できるように構成されていることが好ましい。
　テンションロール５６ａ、５６ｂは例えば、表面が硬質クロムめっきで仕上げられ張力センサーが備えられていることが好ましい。また、前フィードロール５５ａや、後フィードロール５５ｂ、ガイドロール５８ａ～５８ｈについても表面が硬質クロムめっきで仕上げられていることが好ましい。
　スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄは、マグネトロンカソード式でキャンロール５３に対向して配置することが好ましい。スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄのサイズは特に限定されないが、スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄの黒化層を成膜する基材の巾方向の寸法は、対向する黒化層を成膜する基材の巾より広いことが好ましい。
　黒化層を成膜する基材は、ロール・ツー・ロール真空成膜装置であるロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０内を搬送されて、キャンロール５３に対向するスパッタリングカソード５４ａ～５４ｄで黒化層が成膜される。
　ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて黒化層を成膜する場合の手順について説明する。
　まず、ニッケル－銅合金ターゲットをスパッタリングカソード５４ａ～５４ｄに装着し、黒化層を成膜する基材を巻出ロール５２にセットした筐体５１内を真空ポンプ６０ａ、６０ｂ、場合によってはさらに真空ポンプ６０ｃを用いて真空排気する。
　なお、巻出ロール５２から、巻取ロール５７まで基材を搬送する過程で、基材上に組成の異なる層、具体的には例えば黒化層と、銅薄膜層とを連続して成膜することもできる。このように、黒化層と、銅薄膜層とを連続して成膜する場合には、例えばスパッタリングカソード５４ａ、５４ｂにニッケル－銅合金ターゲットを、スパッタリングカソード５４ｃ、５４ｄに銅ターゲットをセットしておくこともできる。
　そしてその後、スパッタリングガスである不活性ガス、例えばアルゴン等と、酸素ガスとを気体供給手段６１ａにより筐体５１内に導入する。
　気体供給手段６１ａの構成は特に限定されないが、図示しない気体貯蔵タンクを有することができる。そして、気体貯蔵タンクと筐体５１との間に、ガス種ごとにマスフローコントローラー（ＭＦＣ）６１１ａ、６１１ｂ、及びバルブ６１２ａ、６１２ｂを設け、各ガスの筐体５１内への供給量を制御できるように構成できる。図５ではマスフローコントローラーと、バルブとを２組設けた例を示しているが、設置する数は特に限定されず、用いるガス種の数に応じて設置する数を選択することができる。
　気体供給手段６１ａにより不活性ガスと、酸素ガスとを筐体内に導入する際には、マスフローコントローラー６１１ａ、６１１ｂ等により、上述のようにΓ（Ｏ２）／Γ（Ｎｉ）が所定の範囲を充足するように、酸素分圧を調整することが好ましい。
　気体供給手段６１ａによりスパッタリングガスを筐体５１内に供給した際、スパッタリングガスの流量と、真空ポンプ６０ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブ６２ａの開度と、を調整して筐体内を例えば０．１３Ｐａ以上１．３Ｐａ以下に保持し、成膜することが好ましい。
　この状態で、巻出ロール５２から基材を例えば毎分１ｍ以上２０ｍ以下の速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給してスパッタリング放電を行う。これにより基材上に所望の黒化層を連続成膜することができる。
　ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０には上述した以外にも必要に応じて各種部材を配置できる。例えば筐体５１内の圧力を測定するための圧力計６３ａ、６３ｂや、ベントバルブ６４ａ、６４ｂ等を設けることもできる。
　なお、上述の様に、巻出ロール５２から、巻取ロール５７まで基材を搬送する過程で、基材上に黒化層と、銅薄膜層とを連続して成膜することもできる。基材上に黒化層と銅薄膜層とを連続して成膜する場合、スパッタリングカソード５４ａ、５４ｂ側の領域５１ａと、スパッタリングカソード５４ｃ、５４ｄ側の領域５１ｂとで異なる雰囲気に制御できるように構成することが好ましい。具体的には例えば隔壁６５を設け、２つの領域で異なる雰囲気に制御できるように構成することが好ましい。この場合、気体供給手段６１ａに加えて、気体供給手段６１ｂを設けることができる。気体供給手段６１ｂを設ける場合、気体供給手段６１ｂについても気体供給手段６１ａの場合と同様に構成することができ、例えばマスフローコントローラー６１１ｃ、及びバルブ６１２ｃを有することができる。図５では、マスフローコントローラー６１１ｃと、バルブ６１２ｃとを１組設けた例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、供給するガス種の数に応じて設置する数を選択することができる。
　また、領域５１ｂ側に真空ポンプ６０ｃと、圧力調整バルブ６２ｂとを設けておくこともでき、気体供給手段６１ｂからのスパッタリングガスの流量と、圧力調整バルブ６２ｂの開度とにより、領域５１ｂ内の圧力を制御できる。
　筐体内に異なる雰囲気の領域を形成する必要がない場合には、上述した隔壁６５、気体供給手段６１ｂ、真空ポンプ６０ｃ、及び圧力調整バルブ６２ｂを設ける必要はなく、領域５１ａと、領域５１ｂとを同一の雰囲気となるように制御できる。
　また、本実施形態の積層体基板の製造方法は、黒化層形成工程以外に、以下の工程を有することができる。
　透明基材を準備する透明基材準備工程。　
　透明基材の少なくとも一方の面側に銅を堆積する成膜手段により銅層を形成する銅層形成工程。
　上述のように、本実施形態の積層体基板においては、銅層と、黒化層と、を透明基材上に配置する際の積層の順番は特に限定されるものではない。また、銅層と、黒化層と、はそれぞれ複数層形成することもできる。このため、上記銅層形成工程と、黒化層形成工程と、を実施する順番や、実施する回数については特に限定されるものではなく、形成する積層体基板の構造に合わせて任意の回数、タイミングで実施することができる。
　透明基材を準備する透明基材準備工程は、例えば可視光を透過する絶縁体フィルムや、ガラス基板等により構成された透明基材を準備する工程であり、具体的な操作は特に限定されるものではない。例えば後段の工程での各工程に供するため必要に応じて任意のサイズに切断等を行うことができる。
　次に銅層形成工程について説明する。
　銅層は既述のように、乾式めっき法を用いて銅層を形成することが好ましい。また銅層をより厚くする場合には、乾式めっき後に湿式めっき法を用いることが好ましい。
　このため、銅層形成工程は、例えば乾式めっき法により銅薄膜層を形成する工程を有することができる。また、銅層形成工程は、乾式めっき法により銅薄膜層を形成する工程と、該銅薄膜層を給電層として、湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程と、を有していてもよい。
　上述のように乾式めっき法のみ、又は乾式めっき法と湿式めっき法とを組み合わせて銅層を形成することにより透明基材または黒化層上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できるため好ましい。
　乾式めっき法としては特に限定されるものではないが、例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。特に、銅薄膜層の形成に用いる乾式めっき法としては、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。すなわち、銅層形成工程における銅を堆積させる成膜手段はスパッタリング成膜手段（スパッタリング法）であることが好ましい。
　銅薄膜層は、例えば上述のロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０を用いて好適に成膜することができる。ロール・ツー・ロールスパッタリング装置の構成については既述のため、ここでは説明を省略する。
　湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程における条件、すなわち、電気めっき処理の条件は、特に限定されるものではなく、常法による諸条件を採用すればよい。例えば、銅めっき液を入れためっき槽に銅薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、銅めっき層を形成できる。
　そして、ここで説明した積層体基板の製造方法により得られる積層体基板は、既述の積層体基板と同様に、銅層は厚さが８０ｎｍ以上であることが好ましく１００ｎｍ以上であることがより好ましく、１５０ｎｍ以上とすることがさらに好ましい。また、銅層の厚さの上限値は特に限定されないが、５０００ｎｍ以下であることが好ましく、３０００ｎｍ以下であることがより好ましく、１２００ｎｍ以下であることがさらに好ましい。
　また、ここで説明した積層体基板の製造方法により得られる積層体基板においても、黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば１５ｎｍ以上であることが好ましく、２０ｎｍ以上とすることがより好ましい。黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、６０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。
　さらに、ここで説明した積層体基板の製造方法により得られる積層体基板は、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均は４０％以下であることが好ましく、３０％以下であることがより好ましい。特に２０％以下であることがより好ましい。
　そして、ここで説明した積層体基板の製造方法により得られる積層体基板から、金属細線を備えた導電性基板を作製することができる。本実施形態の積層体基板の製造方法により得られた積層体基板から、銅層、及び黒化層をエッチングして導電性基板とする場合、上述の工程に加えて、銅層と、黒化層とを配線加工する配線加工工程を有することができる。すなわち、本実施形態の導電性基板の製造方法は、本実施形態の積層体基板の製造方法で得られた積層体基板を配線加工する配線加工工程を有することができる。
　係る配線加工工程を行う場合、例えばまず、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストを、積層体基板の最表面に形成することができる。
　図１Ａに示した積層体基板から導電性基板を作製する場合、積層体基板に配置した黒化層１３の露出した表面Ａ上にレジストを形成することができる。なお、エッチングにより除去する部分に対応した開口部を有するレジストの形成方法は特に限定されないが、例えばフォトリソグラフィー法により形成することができる。
　次いで、レジスト上面からエッチング液を供給することにより、銅層１２、黒化層１３のエッチングを実施することができる。
　なお、図１Ｂのように透明基材１１の両面に銅層、黒化層を配置した場合には、積層体基板の表面Ａ及び表面Ｂ上にそれぞれ所定の形状の開口部を有するレジストを形成し、透明基材１１の両面に形成した銅層、黒化層を同時にエッチングしてもよい。
　また、透明基材１１の両面に形成された銅層及び黒化層について、一方の側ずつエッチング処理を行うこともできる。すなわち、例えば、銅層１２Ａ及び黒化層１３Ａのエッチングを行った後に、銅層１２Ｂ及び黒化層１３Ｂのエッチングを行うこともできる。
　本実施形態の積層体基板に含まれる黒化層は銅層と同様のエッチング液への反応性を示すことから、配線加工工程において用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、一般的に銅層のエッチングに用いられるエッチング液を好ましく用いることができる。エッチング液としては例えば、塩化第二鉄と、塩酸と、の混合水溶液をより好ましく用いることができる。エッチング液中の塩化第二鉄と、塩酸との含有量は特に限定されるものではないが例えば、塩化第二鉄を５重量％以上５０重量％以下の割合で含むことが好ましく、１０重量％以上３０重量％以下の割合で含むことがより好ましい。また、エッチング液は例えば、塩酸を１重量％以上５０重量％以下の割合で含むことが好ましく、１重量％以上２０重量％以下の割合で含むことがより好ましい。なお、残部については水とすることができる。
　エッチング液は室温で用いることもできるが、反応性を高めるため加温して用いることもでき、例えば４０℃以上５０℃以下に加熱して用いることもできる。
　上述した配線加工工程により得られる金属細線は、例えばメッシュ状の配線パターンとすることができ、具体的な形態については、既述のとおりであるため、ここでは説明を省略する。
　なお、図１Ａまたは図２Ａに示した透明基材１１の一方の面側に銅層、及び黒化層を有する積層体基板について配線加工工程でエッチングを行い、得られた２枚の導電性基板を貼り合せてメッシュ状の配線パターンを備えた導電性基板とすることもできる。この場合には、導電性基板を貼り合せる工程をさらに有することができる。
　導電性基板を貼り合せる工程において、２枚の導電性基板を貼り合せる方法は特に限定されるものではなく、例えば接着剤等を用いて接着することができる。
　以上に本実施形態の積層体基板の製造方法、及び導電性基板の製造方法について説明した。
　係る積層体基板の製造方法により得られる積層体基板によれば、銅層と黒化層とがエッチング液に対してほぼ同じ反応性を示すことから、銅層と黒化層とのエッチング処理を同時に行うことができ、容易に所望の金属細線を形成することができる。
　また、酸素と、銅と、ニッケルとを含有し、膜厚、及び黒化層中の酸素原子と、ニッケル原子との物質量比が所定の範囲内である黒化層は黒色であるため、エッチングにより黒化配線層とした場合、銅配線層による光の反射を抑制することができる。このため、得られた導電性基板を例えばタッチパネル用の導電性基板とした場合に、視認性の低下を抑制することができる。
　以下に、本発明の実施例及び比較例によって本発明をさらに詳細に説明するが、本発明は、これらの実施例によって、なんら限定されるものではない。
（評価方法）
（１）反射率
　以下の各実施例、比較例において作製した積層体基板について反射率の測定を行った。
　測定は、紫外可視分光光度計（株式会社　島津製作所製　型式：ＵＶ－２５５０）に反射率測定ユニットを設置して行った。
　各実施例、比較例で図２Ａの構造を有する積層体基板を作製したが、反射率の測定は図２Ａにおける第２の黒化層１３２の外部に露出した表面Ａに対して入射角５°、受光角５°として、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲の光を照射して実施した。なお、積層体基板に照射した光は、４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の範囲内で、１ｎｍ毎に波長を変化させて測定を行い、測定結果の平均を該積層体基板の反射率の平均とした。
（２）黒化層の酸素、ニッケル、銅の原子の比率
　以下の各実施例、比較例に作製した積層体基板について、第２の黒化層の酸素、ニッケル、銅の原子の比率をＸＰＳ（アルバック・ファイ社製　型式：Ｖｅｒｓａ　ＰｒｏｂｅＩＩ）により測定した。
（３）エッチング性
　以下の各実施例、比較例において作製した積層体基板について、塩化第二鉄１０重量％と、塩酸１０重量％と、残部が水と、からなるエッチング液に１分間浸漬し、エッチング性を評価した。透明基材上に残渣が残らなかった積層体基板については、エッチング性が良好であると判定した。
（試料の作製条件）
　以下に各実施例、比較例における積層体基板の製造条件を示す。
［実施例１］
　図２Ａに示した構造を有する積層体基板２０Ａを作製した。
　まず、幅５００ｍｍ、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材を図５に示したロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０にセットした。また、スパッタリングカソード５４ａ及び５４ｂに黒化層成膜用のＮｉ－４０質量％Ｃｕターゲットを、スパッタリングカソード５４ｃ及び５４ｄに銅層成膜用の銅ターゲットを、それぞれ取り付けた。
　次にロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０のヒーター５９を１００℃に加熱し、透明基材を加熱し、基材中に含まれる水分を除去した。
　続いて筐体５１内を１×１０－４Ｐａまで排気した後、筐体５１内の隔壁６５で仕切られた、スパッタリングカソード５４ａおよび５４ｂ側の領域５１ａに、気体供給手段６１ａによりアルゴンガスを３６０ｓｃｃｍ、酸素ガスを４０ｓｃｃｍで導入した。また、気体供給手段６１ａと、真空ポンプ６０ｂと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブ６２ａの開度とを調整して領域５１ａ内の圧力が０．４Ｐａになるように調整した。この際、領域５１ａ内の酸素分圧は０．０４Ｐａであった。なお、黒化層成膜時の領域５１ａ内の酸素分圧を、表１中では黒化層成膜時のＯ２分圧として示している。
　同様に、筐体５１内のスパッタリングカソード５４ｃおよび５４ｄ側の領域５１ｂに、気体供給手段６１ｂによりアルゴンガスを４００ｓｃｃｍで導入した。また、気体供給手段６１ｂと、真空ポンプ６０ｃと筐体５１との間に設けられた圧力調整バルブ６２ｂの開度とを調整して、領域５１ｂ内の圧力が０．４Ｐａになるように調整した。
　そして、透明基材を巻出ロール５２から毎分２ｍの速さで搬送しながら、スパッタリングカソード５４ａ～５４ｄに接続したスパッタリング用直流電源より電力を供給し、スパッタリング放電を行い、基材上に黒化層、及び銅層を連続成膜した。係る操作により透明基材上に厚さ２０ｎｍの第１の黒化層１３１と、厚さ１００ｎｍの銅層とを形成した。
　続いて、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の搬送を逆転し、巻取ロール５７から巻出ロール５２へと、透明基材上に第１の黒化層、及び銅層が積層された基材を搬送した。これにより、上述の場合と同様の条件で、厚さ１００ｎｍの銅層と、厚さ２０ｎｍの第２の黒化層１３２とを形成した。
　銅層は上記２回の成膜により合計で２００ｎｍの厚さの層となっている。
　なお、第１の黒化層１３１、及び第２の黒化層１３２を成膜したときのΓ（Ｏ２）／Γ（Ｎｉ）は５．８であった。
　作製した積層体基板の第２の黒化層の反射率を、第２の黒化層１３２の露出している表面Ａ、すなわち第２の黒化層１３２の銅層１２と対向していない面に対して光を照射して、波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均を測定した。その結果、作製した積層体基板の第２の黒化層の反射率の平均は２５％であった。
　また、第２の黒化層の酸素、ニッケル、銅の原子の比率について、ＸＰＳにより評価を行い、第２の黒化層中のＯ／Ｎｉ比を算出したところ、第２の黒化層のＯ／Ｎｉ比は、０．３４であった。なお、上述の様に、第１の黒化層と、第２の黒化層とは、同じ条件で成膜しているため、両黒化層は同じ組成となっている。
［実施例２～実施例７］
　実施例２～実施例４については、第１、第２の黒化層を成膜する際のΓ（Ｏ２）／Γ（Ｎｉ）、及び黒化層成膜用ターゲット中のニッケルと銅との含有率を、表１に示した比、含有率とした点以外は実施例１と同様にして積層体基板を作製し、評価に供した。
　実施例５～実施例７については、第１、第２の黒化層を成膜する際のΓ（Ｏ２）／Γ（Ｎｉ）、黒化層成膜用ターゲット中のニッケルと銅との含有率を、表１に示した比、含有率とし、第１、第２の黒化層の膜厚を３０ｎｍとした点以外は実施例１と同様にして積層体基板を作製し、評価に供した。
　なお、第１の黒化層、第２の黒化層を成膜する際のΓ（Ｏ２）／Γ（Ｎｉ）を表１に示した所定の比とするために、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の気体供給手段６１ａから黒化層を成膜する領域５１ａに供給する酸素供給量も変更している。このため、黒化層成膜時のＯ２分圧も変化している。
　評価結果を表１に示す。
［比較例１～比較例４］
　比較例１～比較例３については、第１、第２の黒化層を成膜する際のΓ（Ｏ２）／Γ（Ｎｉ）を変更した点以外は実施例１と同様にして積層体基板を作製し、評価に供した。
　比較例４については、第１、第２の黒化層の膜厚を１０ｎｍとした点以外は実施例１と同様にして積層体基板を作製し、評価に供した。
　なお、第１の黒化層、第２の黒化層を成膜する際のΓ（Ｏ２）／Γ（Ｎｉ）を表１に示した所定の比とするために、ロール・ツー・ロールスパッタリング装置５０の気体供給手段６１ａから黒化層を成膜する領域５１ａに供給する酸素供給量も変更している。このため、黒化層成膜時のＯ２分圧も変化している。
　特に、比較例１については、第１の黒化層、第２の黒化層を成膜する際、領域５１ａに酸素を供給せず、アルゴンのみを供給した。
　評価結果を表１に示す。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000001
　表１に示した結果によると、黒化層の膜厚が１５ｎｍ以上であり、黒化層が含有する酸素原子と、ニッケル原子との物質量比であるＯ／Ｎｉ比が０．１以上０．８以下の実施例１～実施例７については、エッチング性の評価結果が良好であった。さらに、黒化層の反射率が４０％以下であり、銅層表面での光の反射を抑制する黒化層として機能できていることを確認できた。従って、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた積層体基板が得られていることを確認できた。
　これに対して、黒化層が含有する酸素原子と、ニッケル原子との物質量比であるＯ／Ｎｉ比が０．１未満の比較例１、２については、黒化層の反射率が４０％を超え、銅層表面での光の反射を抑制する黒化層として十分な機能を有しないことが確認できた。
　また、黒化層が含有する酸素原子と、ニッケル原子との物質量比であるＯ／Ｎｉ比が０．８を超えた比較例３については、エッチング性の評価を行ったところ、残渣が確認された。すなわち、同時にエッチング処理を行うことができる銅層と、黒化層と、を備えた積層体基板とすることができていないことを確認できた。
　比較例４については、黒化層の膜厚が１５ｎｍ未満のため、黒化層の反射率が４２％と高く、銅層表面での光の反射を抑制する黒化層として十分な機能を有しないことが確認できた。
　以上に積層体基板、積層体基板の製造方法、導電性基板、及び導電性基板の製造方法を、実施形態および実施例等で説明したが、本発明は上記実施形態および実施例等に限定されない。特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。
　本出願は、２０１５年１０月１６日に日本国特許庁に出願された特願２０１５－２０４６４２号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１５－２０４６４２号の全内容を本国際出願に援用する。
１０Ａ、１０Ｂ、２０Ａ、２０Ｂ　　　　　　　　　　　　　　積層体基板
１１　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　透明基材
１２、１２Ａ、１２Ｂ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　銅層
１３、１３Ａ、１３Ｂ、１３１、１３２、１３１Ａ、１３１Ｂ、１３２Ａ、１３２Ｂ
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　黒化層
３０　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　導電性基板
３１Ａ、３１Ｂ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　銅配線層
３２Ａ、３２Ｂ　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　黒化配線層

Claims (9)

  1. 　透明基材と、
    　前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された積層体とを備え、
    　前記積層体が、
    　酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化層と、
    　銅層とを有し、
    　前記黒化層の膜厚が１５ｎｍ以上であり、前記黒化層が含有する酸素原子と、ニッケル原子との物質量比であるＯ／Ｎｉが、以下の（１）式を満たす積層体基板。
    　　０．１≦Ｏ／Ｎｉ≦０．８　・・・（１）
  2. 　前記黒化層中の銅の、前記黒化層中の銅とニッケルとの合計に対する割合が質量比で２０％以上８０％以下である請求項１に記載の積層体基板。
  3. 　前記銅層の膜厚が８０ｎｍ以上５０００ｎｍ以下である請求項１または２に記載の積層体基板。
  4. 　前記黒化層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均が４０％以下である請求項１から３のいずれか一項に記載の積層体基板。
  5. 　請求項１から４のいずれか一項に記載の積層体基板の製造方法であって、
    　前記黒化層を乾式めっき法で成膜する黒化層形成工程を有し、
    　前記黒化層形成工程において、前記黒化層を成膜する際、前記黒化層の被成膜表面に入射する酸素分子数（Γ（Ｏ２））と、前記黒化層に堆積する銅の原子数（Γ（Ｎｉ））とが、以下の（２）式を満たす積層体基板の製造方法。
    　　２≦Γ（Ｏ２）／Γ（Ｎｉ）≦１０　・・・（２）
  6. 　透明基材と、
    　前記透明基材の少なくとも一方の面側に形成された金属細線とを備え、
    　前記金属細線が、
    　酸素と、銅と、ニッケルとを含有する黒化配線層と、
    　銅配線層とを備えた積層体であり
    　前記黒化配線層の膜厚が１５ｎｍ以上であり、前記黒化配線層が含有する酸素原子と、ニッケル原子との物質量比であるＯ／Ｎｉが、以下の（１）式を満たす導電性基板。
    　　０．１≦Ｏ／Ｎｉ≦０．８　・・・（１）
  7. 　前記黒化配線層中の銅の、前記黒化配線層中の銅とニッケルとの合計に対する割合が質量比で２０％以上８０％以下である請求項６に記載の導電性基板。
  8. 　前記黒化配線層の波長４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下の光の反射率の平均が４０％以下である請求項６または７に記載の導電性基板。
  9. 　請求項５に記載の積層体基板の製造方法で得られた積層体基板を配線加工する配線加工工程を有する、導電性基板の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024004404A1 (ja) * 2022-07-01 2024-01-04 日東電工株式会社 導電性フィルム
WO2024004405A1 (ja) * 2022-07-01 2024-01-04 日東電工株式会社 導電性フィルム

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7568399B2 (ja) * 2017-05-29 2024-10-16 住友金属鉱山株式会社 透明導電性基板の製造方法、透明導電性基板
JP7266955B2 (ja) * 2021-05-20 2023-05-01 Ｎｉｓｓｈａ株式会社 導電シート、タッチセンサ及びタッチセンサの製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001127485A (ja) * 1999-10-25 2001-05-11 Nisshinbo Ind Inc 透視性電磁波シールド材及びその製造方法
JP2005268688A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Bridgestone Corp 光透過性電磁波シールド材及びその製造方法並びにこの電磁波シールド材を有するディスプレイ用前面フィルタ
JP2008300393A (ja) * 2007-05-29 2008-12-11 Dainippon Printing Co Ltd ディスプレイ用電磁波遮蔽フィルタ、複合フィルタ、及びその製造方法
JP2015069440A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 大日本印刷株式会社 タッチパネルセンサおよびタッチパネルモジュール
JP2015103223A (ja) * 2013-11-28 2015-06-04 グンゼ株式会社 導電性基板、タッチパネル及び電磁波シールド

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4086132B2 (ja) 2001-11-16 2008-05-14 株式会社ブリヂストン 透明導電性フィルムおよびタッチパネル
JP5256880B2 (ja) * 2008-06-24 2013-08-07 凸版印刷株式会社 プラズマディスプレイ前面板用黒色化シールドメッシュおよびその製造方法
JP2010098196A (ja) * 2008-10-17 2010-04-30 Hitachi Cable Ltd 配線構造及び配線構造の製造方法
JP5361579B2 (ja) 2009-07-09 2013-12-04 信越ポリマー株式会社 大型ディスプレイ用のセンサパネル及びその製造方法
JP2013069261A (ja) 2011-09-08 2013-04-18 Dainippon Printing Co Ltd タッチパネル用電極基材、及びタッチパネル、並びに画像表示装置
JP5885993B2 (ja) * 2011-10-17 2016-03-16 関東化學株式会社 エッチング液組成物およびエッチング方法
JP6228846B2 (ja) * 2011-11-28 2017-11-08 日東電工株式会社 透明導電性フィルムの製造方法
CN103582304B (zh) * 2012-07-30 2016-08-03 富葵精密组件(深圳)有限公司 透明印刷电路板及其制作方法
KR101421702B1 (ko) * 2012-09-27 2014-07-22 엘에스엠트론 주식회사 연성회로 동장 적층판과 이를 이용한 인쇄회로 기판 및 그 제조 방법
KR101580372B1 (ko) * 2013-05-10 2015-12-28 삼성전기주식회사 터치센서
CN104749830A (zh) * 2013-12-27 2015-07-01 介面光电股份有限公司 电极结构及带有该电极结构的触控面板装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001127485A (ja) * 1999-10-25 2001-05-11 Nisshinbo Ind Inc 透視性電磁波シールド材及びその製造方法
JP2005268688A (ja) * 2004-03-22 2005-09-29 Bridgestone Corp 光透過性電磁波シールド材及びその製造方法並びにこの電磁波シールド材を有するディスプレイ用前面フィルタ
JP2008300393A (ja) * 2007-05-29 2008-12-11 Dainippon Printing Co Ltd ディスプレイ用電磁波遮蔽フィルタ、複合フィルタ、及びその製造方法
JP2015069440A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 大日本印刷株式会社 タッチパネルセンサおよびタッチパネルモジュール
JP2015103223A (ja) * 2013-11-28 2015-06-04 グンゼ株式会社 導電性基板、タッチパネル及び電磁波シールド

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2024004404A1 (ja) * 2022-07-01 2024-01-04 日東電工株式会社 導電性フィルム
WO2024004405A1 (ja) * 2022-07-01 2024-01-04 日東電工株式会社 導電性フィルム

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