JP2015503182A - 導電性構造体およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

本明細書は、基材、導電性パターン、およびＣｕＯｘ（０＜ｘ≰１）を含む暗色化パターンを含む導電性構造体およびその製造方法を提供する。前記導電性構造体は、導電性パターンの導電度に影響を及ぼさずに導電性パターンによる反射を防ぐことができ、吸光度を向上することによって導電性パターンの隠蔽性を向上させることができる。したがって、前記導電性構造体を利用して視認性が改善されたディスプレイパネルを開発することができる。【選択図】図１

Description

本出願は、２０１２年４月１８日に韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２０１２−００４０１０４号の出願日の利益を主張し、その内容すべては本明細書に含まれる。

本明細書は、導電性構造体およびその製造方法に関する。

一般的に、タッチスクリーンパネルは、信号の検出方式によって次のように分類することができる。すなわち、直流電圧を印加した状態で圧力によって押された位置を電流または電圧値の変化を通じて感知する抵抗膜方式（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｔｙｐｅ）や、交流電圧を印加した状態でキャパシタンスカップリング（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）を利用する静電容量方式（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｔｙｐｅ）、磁界を印加した状態で選択された位置を電圧の変化として感知する電子誘導方式（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ｔｙｐｅ）などがある。

最近では、大面積のタッチスクリーンパネルに対する必要の増加に伴い、電極の抵抗を減らしながらも視認性に優れた大型タッチスクリーンパネルを実現することができる技術開発が求められている。

当技術分野では、上述したような多様な方式のタッチスクリーンパネルの性能向上のための技術開発が求められている。

本発明の一実施形態は、
基材、前記基材上に備えられた導電性パターン、および前記導電性パターンの少なくとも一面に備えられ、ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化パターンを含む導電性構造体であって、
前記導電性パターンの線幅は１０μｍ以下であり、
前記暗色化パターンの厚さは２０〜６０ｎｍであり、
前記導電性構造体の可視光線領域における平均屈折率は２以上３以下であり、可視光線領域における平均消滅係数（ｋ）は０．２以上１．５以下であることを特徴とする導電性構造体を提供する。

また、本発明の一実施形態は、
基材上に線幅が１０μｍ以下の導電性パターンを形成するステップ、および
前記導電性パターンの形成の以前、以後、または以前と以後すべてで、ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化パターンを２０〜６０ｎｍの厚さで形成するステップを含む導電性構造体の製造方法であって、
前記導電性構造体の可視光線領域における平均屈折率は２以上３以下であり、可視光線領域における平均消滅係数（ｋ）は０．２以上１．５以下であることを特徴とする導電性構造体の製造方法を提供する。

また、本発明の一実施形態は、
基材上に導電性層を形成するステップ、
前記導電性層の形成の以前、以後、または以前と以後すべてで、ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を２０〜６０ｎｍの厚さで形成するステップ、
前記導電性層および暗色化層をそれぞれまたは同時にパターニングして線幅が１０μｍ以下である導電性パターンおよび暗色化パターンを形成するステップを含む導電性構造体の製造方法であって、
前記導電性構造体の可視光線領域における平均屈折率は２以上３以下であり、可視光線領域における平均消滅係数（ｋ）は０．２以上１．５以下であることを特徴とする導電性構造体の製造方法を提供する。

本発明の一実施形態は、前記導電性構造体を含むタッチスクリーンパネルを提供する。

本発明の一実施形態は、前記導電性構造体を含むディスプレイ装置を提供する。

本発明の一実施形態は、前記導電性構造体を含む太陽電池を提供する。

本発明の一実施形態に係る導電性構造体は、導電性パターンの導電度に影響を及ぼすことなく導電性パターンによる反射を防ぐことができ、吸光度を向上させることによって導電性パターンの隠蔽性を向上させることができる。さらに、本発明の一実施形態に係る導電性構造体を利用することで、視認性が改善されたタッチスクリーンパネルおよびこれを含むディスプレイ装置および太陽電池を開発することができる。

それぞれ本発明の一実施形態であって、暗色化パターンを含む導電性構造体の積層構造を例示した図である。 それぞれ本発明の一実施形態であって、暗色化パターンを含む導電性構造体の積層構造を例示した図である。 それぞれ本発明の一実施形態であって、暗色化パターンを含む導電性構造体の積層構造を例示した図である。 波長による実施例１〜４および比較例１〜５の全反射率の測定値を示した図である。 波長による比較例６〜１０の全反射率の測定値を示した図である。 エリプソメータ（Ｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｅｒ）で測定した実施例１光学定数平均屈折率（ｎ）および平均消滅係数（ｋ）を示した図である。 実施例１および２のＣＩＥ Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊色座標値と色を示した図である。

以下、本発明をより詳細に説明する。

本明細書において、ディスプレイ装置とは、ＴＶやコンピュータ用モニタなどを通称するものであって、画像を形成するディスプレイ素子およびディスプレイ素子を支持するケースを含む。

前記ディスプレイ素子としては、プラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ、ＰＤＰ）、液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、電気泳動ディスプレイ（Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ）、および陰極選管（Ｃａｔｈｏｄｅ−Ｒａｙ Ｔｕｂｅ、ＣＲＴ）、ＯＬＥＤディスプレイなどを例示することができる。ディスプレイ素子には、画像を実現するためのＲＧＢ画素パターンおよび追加の光学フィルタが備えられることができる。

一方、ディスプレイ装置に関し、スマートフォンおよびタブレットＰＣ、ＩＰＴＶなどの普及が加速化するに伴い、キーボードやリモコンなどの別途の入力装置がなくても、人間の手が直接に入力装置となるタッチ機能に対する必要性が次第に大きくなっている。さらに、特定のポイント認識だけではなく、筆記が可能な多重認識（ｍｕｌｔｉ−ｔｏｕｃｈ）機能も求められている。

現在、常用化している大部分のタッチスクリーンパネル（ＴＳＰ、ｔｏｕｃｈ ｓｃｒｅｅｎ ｐａｎｅｌ）は透明導電性ＩＴＯ薄膜を基盤としているが、大面積のタッチスクリーンパネルに適用するとき、ＩＴＯ透明電極自体の比較的高い面抵抗（最低１５０Ω／□、Ｎｉｔｔｏ ｄｅｎｋｏ社 ＥＬＥＣＲＹＳＴＡ製品）によるＲＣ遅延によってタッチ認識速度が遅くなり、これを克服するために追加で補償チップ（ｃｈｉｐ）を取り入れなければならないなどの問題点がある。

本発明者は、前記透明ＩＴＯ薄膜を金属微細パターンを代替するための技術を研究した。これにより、本発明者は、タッチスクリーンパネルの電極用途として、高い電気導電度をもつ金属薄膜であるＡｇ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、ＭｏＴｉ／Ｃｕなどを利用する場合には、特定模様の微細電極パターンを実現しようとするときに、高い反射度によって視認性の側面にてパターンが人間の目に認知され易くなるという問題点と共に、外部光に対する高い反射度およびヘイズ（Ｈａｚｅ）値などによってグレア現象が起こり得ることを明らかにした。さらに、製造工程の際に高価のターゲット（ｔａｒｇｅｔ）値が所要されたり、工程が複雑である場合が多いことを明からかにした。

これにより、本発明の一実施形態は、従来のＩＴＯ基盤の透明導電性薄膜層を使用したタッチスクリーンパネルと差別化することができ、金属微細パターン電極の隠蔽性および外部光に対する反射および回折特性が改善されたタッチスクリーンパネルに適用することができる導電性構造体を提供しようとする。

本発明の一実施形態に係る導電性構造体は、基材、前記基材上に備えられた導電性パターン、および前記導電性パターンの少なくとも一面に備えられ、ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化パターンを含む導電性構造体であって、前記導電性パターンの線幅は１０μｍ以下であり、前記暗色化パターンの厚さは２０〜６０ｎｍであり、前記導電性構造体の可視光線領域における平均屈折率は２以上３以下であり、可視光線領域における平均消滅係数（ｋ）は０．２以上１．５以下であることを特徴とする。

ここで、前記暗色化パターンは、導電性パターンのいずれか一面にのみ備えられてもよく、導電性パターンの両面すべてに備えらえてもよい。

本発明の一実施形態に係る導電性構造体は、基材、前記基材上に２０〜６０ｎｍの厚さで備えられ、ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化パターン、および前記暗色化パターン上に備えられ、線幅が１０μｍ以下である導電性パターンを含むことができる。

本発明の一実施形態に係る導電性構造体は、基材、前記基材上に２０〜６０ｎｍの厚さで備えられ、ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化パターン、前記暗色化パターン上に備えられ、線幅が１０μｍ以下である導電性パターン、および前記導電性パターン上に２０〜６０ｎｍの厚さで備えられ、ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化パターンを含むことができる。

本発明者は、有効画面部に備えられた導電性金属微細パターンを含むタッチスクリーンパネルにおいて、前記導電性金属微細パターンの視認性に前記パターン層による光反射および回折特性が重要な影響を及ぼすという事実を明かにし、これを改善しようとした。具体的に、既存のＩＴＯを基盤としたタッチスクリーンパネルでは、ＩＴＯ自体の高い透過度によって導電性パターンの反射度による問題があまり大きく現れなかったが、有効画面部内に備えられた導電性金属微細パターンを含むタッチスクリーンパネルでは、前記導電性金属微細パターンの反射度および暗色化の特性が重要であることを明かにした。

本発明の一実施形態に係るタッチスクリーンパネルにおいて、導電性金属微細パターンの反射度を低めて吸光度特性を改善するために、暗色化パターンを取り入れることができる。前記暗色化パターンは、タッチスクリーンパネル内の導電性パターンの少なくとも一面に備えられることにより、前記導電性パターンの高い反射度による視認性低下の問題を大きく改善させることができる。

具体的に、前記暗色化パターンは吸光性をもつため、導電性パターン自体に入射する光と導電性パターンから反射する光の量を減少させることにより、導電性パターンによる反射度を低めることができる。また、前記暗色化パターンは、導電性パターンに比べて低い反射度をもつ。これにより、使用者が直接に導電性パターンを眺める場合に比べて光の反射度を低めることができるため、導電性パターンの視認性を大きく改善させることができる。

本明細書において、前記暗色化パターンは吸光性をもつため、導電性パターン自体に入射する光と導電性パターンから反射する光の量を減少させることができる層を意味するものであり、暗色化パターンは、吸光性パターン、黒化パターン、黒化性パターンなどの用語で表現されてもよい。

本発明の一実施形態において、前記導電性構造体は、面抵抗が１Ω／□以上３００Ω／□以下であってもよく、具体的に１Ω／□以上１００Ω／□以下であってもよく、より具体的に１Ω／□以上５０Ω／□以下であってもよく、さらに具体的に１Ω／□以上２０Ω／□以下であってもよい。

導電性構造体の面抵抗が１Ω／□以上３００Ω／□以下であれば、従来のＩＴＯ透明電極を代替することができる効果がある。導電性構造体の面抵抗が１Ω／□以上１００Ω／□以下の場合、または１Ω／□以上５０Ω／□以下の場合、特に１Ω／□以上２０Ω／□以下の場合には、従来のＩＴＯ透明電極を使用するときよりも面抵抗が相当低くなるため、信号印加時にＲＣ遅延が短くなってタッチ認識速度を著しく改善することができ、これに基づいて１０インチ以上の大面積タッチスクリーンへの適用が容易になるという長所がある。

前記導電性構造体において、パターン化する以前の導電性層または暗色化層の面抵抗は０Ω／□超過２Ω／□以下、具体的に０Ω／□超過０．７Ω／□以下であることができる。前記面抵抗が２Ω／□以下であれば、特に０．７Ω／□以下であれば、パターニング前の導電性層または暗色化層の面抵抗が低いほど微細パターニング設計および製造工程が容易となり、パターニング後の導電性構造体の面抵抗が低くなり、電極の反応速度を速める効果がある。前記面抵抗は、導電性層または暗色化層の厚さに応じて調節されてもよい。

本発明の一実施形態に係る導電性構造体は、可視光線領域における平均消滅係数（Ｅｘｔｉｎｃｔｉｏｎ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）ｋが０．２〜１．５、具体的には０．４〜１．０であってもよい。前記平均消滅係数ｋが０．２以上であれば、暗色化を可能にする効果がある。前記平均消滅係数ｋは吸収係数（Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）とも呼ばれ、特定の波長で導電性構造体が光をどれほど強く吸収するかを定義することができる尺度であり、導電性構造体の透過度を決定する要素である。例えば、透明な誘電体（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）物質の場合、ｋ＜０．２とｋ値が極めて小さい。しかし、物質内部に金属成分が増加するほどｋ値が増加するようになる。もし、金属成分がさらに多くなれば、透過がほぼ起こらずに大部分が表面反射だけ起こる金属となり、消滅係数ｋは１．５超過となり、暗色化パターンの形成には好ましくない。

本発明の一実施形態において、前記導電性構造体は、可視光線領域における平均屈折率が２〜３であることができる。

本明細書において、前記可視光線領域は、３６０〜８２０ｎｍの波長をもつ領域を意味する。

本発明の一実施形態において、前記暗色化パターンの厚さは２０ｎｍ〜６０ｎｍ、具体的に２５ｎｍ〜５０ｎｍ、さらに具体的に３０ｎｍ〜５０ｎｍであることができる。前記暗色化パターンは、使用する材料および製造工程に応じて好ましい厚さが異なるが、エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）特性を考慮すれば、厚さが２０ｎｍ未満であれば工程調節が困難になることがあり、６０ｎｍ超過であれば生産速度の側面において不利になることがある。具体的に、厚さが２５ｎｍ以上５０ｎｍ以下の場合、さらに具体的に３０ｎｍ〜５０ｎｍの場合には、工程調節が容易となり、生産速度が改善され、製造工程でさらに有利になり得る。この場合、反射率がさらに減少して暗色化パターンがさらに適切に形成されるため、さらに有利になるという効果がある。

本発明の一実施形態において、前記暗色化パターンの全反射率（ｔｏｔａｌ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ）は２０％以下であってもよく、具体的に１５％以下であってもよく、より具体的に１０％以下であってもよく、さらに具体的に５％以下であってもよく、３％以下であってもよい。前記全反射率が小さいほど、効果がさらに良い。

前記全反射率の測定は、前記暗色化パターンが前記導電性パターンと接する面の反対面方向で測定することができる。この方向で測定したとき、全反射率は２０％以下であってもよく、具体的に１５％以下であってもよく、より具体的に１０％以下であってもよく、さらに具体的に５％以下であってもよく、３％以下であってもよい。前記反射率が小さいほど、効果がさらに良い。

また、前記暗色化パターンが前記導電性パターンと基材の間に備えられ、前記基材側で測定することもできる。前記基材側で全反射率を測定したとき、全反射率は２０％以下であってもよく、具体的に１５％以下であってもよく、より具体的に１０％以下であってもよく、さらに具体的に５％以下であってもよく、３％以下であってもよい。前記全反射率が小さいほど、効果がさらに良い。

本明細書において、前記全反射率とは、測定しようとする面の反対面を黒い層（ｐｅｒｆｅｃｔ ｂｌａｃｋ）で処理した後、測定しようとする面に９０゜で入射した波長３００〜８００ｎｍ、具体的に３８０〜７８０ｎｍ、より具体的に５５０ｎｍの光に対する反射率を意味する。

本発明の一実施形態において、前記導電性構造体は、暗色化パターンの全反射率が２０％以下であってもよく、具体的に１５％以下であってもよく、より具体的に１０％以下であってもよく、さらに具体的に６％以下であってもよい。前記全反射率が小さいほど、効果がさらに良い。

本明細書において、全反射率とは、入射光を１００％としたとき、光が入射した対象パターン層または導電性構造体によって反射した反射光のうちの３００〜６８０ｎｍ、具体的に４５０〜６５０ｎｍ、より具体的に５５０ｎｍの波長値を基準として測定した値とすることができる。

本発明の一実施形態に係る導電性構造体において、前記暗色化パターンは、前記導電性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含むことができる。前記暗色化パターンの第２面側で前記導電性構造体の全反射率を測定したとき、前記導電性構造体の全反射率（Ｒｔ）は下記の数式１で計算することができる。
［数１］
全反射率（Ｒｔ）＝基材の反射率＋閉鎖率×暗色化パターンの反射率

また、前記導電性構造体の構成が、導電性構造体２種がラミネーションされた場合には、導電性構造体の全反射率（Ｒｔ）は下記の数式２で計算することができる。
［数２］
全反射率（Ｒｔ）＝基材の反射率＋閉鎖率×暗色化パターンの反射率×２

前記数式１および２において、基材の反射率はタッチ強化ガラスの反射率であることができ、表面がフィルムである場合にはフィルムの反射率であることができる。

また、前記閉鎖率は、導電性構造体の平面を基準として導電性パターンによって覆われる領域が占める面積の割合、すなわち、（１−開口率）で示すことができる。

したがって、暗色化パターンがある場合とない場合の差は、暗色化パターンの反射率に依存するようになる。このような観点において、本発明の一実施形態に係る導電性構造体の全反射率（Ｒｔ）は、前記暗色化パターンがないことを除いては、同じ構成をもつ導電性構造体の全反射率（Ｒ０）に比べて１０〜２０％が減少したものであってもよく、２０〜３０％が減少したものであってもよく、３０〜４０％が減少したものであってもよく、４０〜５０％が減少したものであってもよく、５０〜７０％が減少したものであってもよい。すなわち、前記数式１および２で閉鎖率範囲を１〜１０％範囲で変化させながら全反射率範囲を１〜３０％まで変化させる場合、最大で７０％の全反射率減少効果を示すことができ、最小で１０％の全反射率減少効果を示すことができる。

本発明の一実施形態に係る導電性構造体において、前記暗色化パターンは、前記導電性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含み、前記暗色化パターンの第２面側で前記導電性構造体の全反射率を測定したとき、前記導電性構造体の全反射率（Ｒｔ）は、前記基材の全反射率（Ｒ０）との差が４０％以下であってもよく、３０％以下であってもよく、２０％以下であってもよく、１０％以下であってもよい。

本発明の一実施形態において、前記導電性構造体は、ＣＩＥ（国際照明委員会：Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌｅ ｄｅ ｌ'Ｅｃｌａｉｒａｇｅ）Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊色座標基準で明度値（Ｌ^＊）が５０以下であってもよく、より具体的には２０以下であってもよい。明度値が低いほど全反射率が低くなり、有利な効果がある。

本発明の一実施形態において、前記導電性構造体内にはピンホールがほぼなく、前記ピンホールが存在したとしても、その直径が３μｍ以下であってもよく、より具体的に１μｍ以下であってもよい。前記導電性構造体内でピンホール直径が３μｍ以下である場合には、断線の発生を防ぐことができる。また、前記導電性構造体内でピンホールがほぼなくて数が極めて少ない場合には、断線の発生を防ぐことができる。

本発明の一実施形態において、前記暗色化パターンは、前記導電性パターンと同時または別途でパターン化されることができる。

本発明の一実施形態において、前記暗色化パターンと前記導電性パターンは、同時または別途のパターニング工程によって積層構造を形成することができる。このような点において、吸光物質の少なくとも一部が導電性パターン内に陥没または分散している構造や単一層の導電性パターンが、追加の表面処理によって表面側一部が物理的または化学的に変形した構造とは差別される。

また、本発明の一実施形態に係る導電性構造体において、前記暗色化パターンは接着層または粘着層を介在せず、直接に前記基材上にまたは直接に前記導電性パターン上に備えられることができる。前記接着層または粘着層は、耐久性や光学物性に影響を及ぼすことができる。また、本発明の一実施形態に係る導電性構造体は、接着層または粘着層を利用する場合と比べるとき、製造方法がまったく異なる。さらに、接着層や粘着層を利用する場合に比べ、本発明の一実施形態では、基材または導電性パターンと暗色化パターンの界面特性が優れている。

本発明の一実施形態において、前記暗色化パターンは単一層でなされてもよく、２層以上の複数層でなされてもよい。

本発明の一実施形態において、前記暗色化パターンは、無彩色系列の色相を帯びることが好ましい。このとき、無彩色系列の色相とは、物体の表面に入射する光が選択吸収されず、各成分の波長に対して均一に反射吸収されるときに現われる色を意味する。

本発明の一実施形態において、前記暗色化パターンは、誘電性物質および金属のうちの少なくとも１つをさらに含むことができる。前記誘電性物質としては、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＭｇＦ_２、ＳｉＮｘ（ｘは１以上の整数）などを挙げることができるが、これにのみ限定されることはない。前記金属としては、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌ、Ａｕ、Ａｇなどを挙げることができるが、これにのみ限定されることはない。本発明の一実施形態よれば、前記暗色化パターンは、誘電性物質のうちの１種以上と金属のうちの１種以上をさらに含むことができる。

本発明の一実施形態において、前記誘電性物質は、外部光が入射する方向から遠くなるほど漸次的に減少するように分布されており、前記金属はその反対に分布されていることが好ましい。このとき、前記誘電性物質の含量は２０〜５０重量％であることができ、前記金属の含量は５０〜８０重量％であることができる。

本発明の一実施形態において、前記暗色化パターンは、前記導電性パターンのいずれか一面にのみ備えられてもよく、両面すべてに備えられてもよい。ここで、前記暗色化パターンは、前記導電性パターンと同じ形状のパターンをもつことができる。ただし、前記暗色化パターンのパターン規模が前記導電性パターンと完全に同じである必要はなく、暗色化パターンの線幅が導電性パターンの線幅に比べて狭いか広い場合も、本発明の範囲に含まれる。
本発明の一実施形態において、前記暗色化パターンは、前記導電性パターンの線幅に比べて小さいか大きい線幅をもつパターン形態であることができる。例えば、前記暗色化パターンは、前記導電性パターンが備えられた面積の８０％〜１２０％の面積をもつことができる。

本発明の一実施形態において、前記暗色化パターンは、導電性パターンの線幅と同じか大きい線幅をもつパターン形態であることが好ましい。

前記暗色化パターンが前記導電性パターンの線幅よりもさらに大きい線幅をもつパターン形状である場合、使用者が眺めるときに暗色化パターンが導電性パターンを隠す効果をさらに大きく付与することができるため、導電性パターン自体の光沢や反射による効果を効率的に遮断できるという長所がある。しかし、前記暗色化パターンの線幅が前記導電性パターンの線幅と同じであっても、本発明が目的とする効果を達成することができる。

本発明の一実施形態に係る導電性構造体において、前記基材としては透明基板を使用することができるが、特に限定されることはなく、例えば、ガラス、プラスチック基板、プラスチックフィルムなどを使用することができる。

本発明の一実施形態において、前記導電性パターンの厚さは特に限定されることはないが、０．０１μｍ〜１０μｍであることが、導電性層の導電度およびパターン形成工程の経済性の側面においてより優れた効果を現すことができる。

本発明の一実施形態において、前記導電性パターンの材料は、比抵抗１×１０^６Ωｃｍ〜３０×１０^６Ωｃｍの物質が適切であり、好ましくは１×１０^６Ωｃｍ〜７×１０^６Ωｃｍであってもよい。

本発明の一実施形態に係る導電性構造体において、前記導電性パターンの材料は、金属、金属合金、金属酸化物、金属窒化物などを１種以上含むことが好ましい。前記導電性パターンの材料は、電気導電度に優れ、エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）が容易な金属材料であればあるほど良い。ただし、一般的に、電気導電度が優れた材料は反射度が高いという短所がある。しかし、本発明では、前記暗色化パターンを使用することにより、反射度が高い材料を利用して導電性パターンを形成することができる。本発明では、反射度が７０〜８０％以上の材料を利用する場合にも、前記暗色化パターンを追加することによって反射度を低め、導電性パターンの隠蔽性を向上させることができ、コントラスト特性を維持または向上させることができる。

本発明の一実施形態において、前記導電性パターンの材料の具体的な例としては、銅、アルミニウム、銀、ネオジウム、モリブデン、ニッケル、これらの合金、これらの酸化物、これらの窒化物などを１種以上含む単一膜または多層膜であることができ、より好ましくは銅であってもよい。

導電性パターンが銅を含む場合、暗色化パターンがＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含むため一括エッチングが可能となり、生産工程において効率が高く、費用が節減されて経済的であるという長所がある。また、銅は比抵抗値が１．７×１０^−６ｃｍであるため、比抵抗値が２．８×１０^−６ｃｍであるＡｌよりも有利である。そのため、０Ω／□超過２Ω／□以下、好ましくは０Ω／□超過０．７Ω／□以下の面抵抗値を満たすため、導電性パターンの厚さをＡｌよりも薄く形成することができるという長所がある。前記面抵抗は導電性パターンの厚さに応じて調節することができる。例えば、面抵抗が０．６〜０．７Ω／□を満たすために、Ａｌの場合は８０〜９０ｎｍを形成しなければならないが、Ｃｕの場合は５５〜６５ｎｍを形成しなければならないため、パターンの厚さをさらに薄く形成することができて経済的である。また、実験例６を参照すれば、ＣｕがＡｌよりもスパッタリング工程において２．５倍程度の優れた収率をもつため、理論的に４〜５倍の蒸着速度の向上を期待することができる。したがって、Ｃｕを含む導電性パターンは、生産工程において効率が高くて経済的であるため、優れた長所がある。

本発明の一実施形態において、前記導電性パターンの線幅は０μｍ超過１０μｍ以下であってもよく、具体的に０．１μｍ以上１０μｍ以下であってもよく、より具体的に０．２μｍ以上〜８μｍ以下であってもよく、さらに具体的に０．５μｍ以上〜５μｍ以下であってもよい。

本発明の一実施形態において、前記導電性パターンの開口率、すなわちパターンによって覆われない面積の割合は７０％以上であってもよく、８５％以上であってもよく、９５％以上であってもよい。また、前記導電性パターンの開口率は９０〜９９．９％であることができるが、これにのみ限定されることはない。

本発明の一実施形態において、前記導電性パターンは規則的パターンであってもよく、不規則的なパターンであってもよい。

前記規則的なパターンとしてはメッシュパターンなど、当技術分野のパターン形態を使用することができる。前記不規則パターンとしては特に限定されることはないが、ボロノイダイアグラムをなす図形の境界線形態であることもできる。本発明で不規則パターンと暗色化パターンを共に使用する場合、不規則パターンによって指向性がある照明による反射光の回折パターンを除去することもでき、暗色化パターンによって光の散乱による影響を最小化することができ、視認性における問題点を最小化することができる。

本発明の一実施形態において、前記導電性パターンは、連続して連結した閉鎖図形の枠構造を含み、前記導電性パターンは任意の単位面積（１ｃｍ×１ｃｍ）内で同じ形態の閉鎖図形が存在しないため、前記閉鎖図形の頂点個数は前記閉鎖図形と同じ個数の四角形の頂点個数と異なるようになる。

前記閉鎖図形の頂点個数は、前記閉鎖図形と同じ個数の四角形の頂点個数と異なる。より具体的に、前記閉鎖図形の頂点個数は、前記閉鎖図形と同じ個数の四角形の頂点個数と比べたときにさらに多いことがあり、１．９〜２．１倍さらに多いこともあるが、これにのみ限定されることはない。

本発明の一実施形態において、前記閉鎖図形は互いに連続して連結したものであって、例えば、前記閉鎖図形が多角形である場合には、互いに隣接する閉鎖図形が少なくとも１つの辺を共有する形態であることができる。

本発明の一実施形態において、前記導電性パターンは連続して連結した閉鎖図形の枠構造を含み、前記導電性パターンは、任意の単位面積（１ｃｍ×１ｃｍ）内で同じ形態の閉鎖図形が存在せず、前記閉鎖図形の頂点個数は、前記閉鎖図形それぞれの重さ中心の間の最短距離を連結して形成した多角形の頂点の個数と異なるようになる。

前記閉鎖図形の頂点個数は、前記閉鎖図形それぞれの重さ中心の間の最短距離を連結して形成した多角形の頂点の個数と異なる。より具体的に、前記閉鎖図形の頂点個数は、前記閉鎖図形それぞれの重さ中心の間の最短距離を連結して形成した多角形の頂点の個数と比べたときにさらに多いことがあり、１．９〜２．１倍さらに多いことがあるが、これにのみ限定されることはない。

本発明の一実施形態において、前記導電性パターンは連続して連結した閉鎖図形の枠構造を含み、前記導電性パターンは、任意の単位面積（１ｃｍ×１ｃｍ）内で同じ形態の閉鎖図形が存在せず、前記閉鎖図形は下記数式３の値が５０以上である導電性基板を提供する。
［数３］
（頂点間の距離の標準偏差／頂点間の距離の平均）×１００

本発明の一実施形態において、前記導電性パターンの一面に光源から出た直進光を照射して透過型回折パターンのイメージを得たとき、前記イメージは下記数式４の値が２１未満である導電性基板を提供する。
［数４］
（角度領域による透過型回折パターンの強度の標準偏差／角度領域による透過型回折パターンの平均強度）×１００

前記数式４において、角度領域は、透過型回折パターンのイメージ中心から０〜３６０度をそれぞれ１０度ずつ区分した領域を意味する。

前記透過型回折パターンのイメージを得たとき、前記イメージは、数式４の値が２１未満であってもよく、１５以下であってもよく、１０以下であってもよい。

本発明の一実施形態において、前記導電性パターンは連続して連結した閉鎖図形の枠構造を含み、前記閉鎖図形の枠構造は、直線、曲線、ジグザグ、これらの組み合わせなど多様に変形することができる。

本発明の一実施形態において、前記導電性パターンは、単位面積内で互いに同じ閉鎖図形が存在しないこともある。

本発明の一実施形態において、前記導電性パターンは連続して連結した閉鎖図形の枠構造を含み、前記閉鎖図形の枠を構成する線を任意の直線に対してなす角を０〜１８０度で１０度単位に区分したとき、それぞれの角度範囲に属する線の個数に対して下記数式５の値が２１未満であってもよく、１５以下であってもよく、１０以下であってもよい。
［数５］
（角度範囲に該当する線の個数の標準偏差／角度範囲に該当する線の個数の平均）×１００

本発明の一実施形態において、前記導電性パターンにおいて、前記数式３〜５の値は電気導電性パターンの単位面積内で計算されることができる。前記単位面積は電気導電性パターンが形成される面積であることができ、例えば３．５ｃｍ×３．５ｃｍなどであることができるが、これにのみ限定されることはない。

前記頂点とは、電気導電性パターンの閉鎖図形の枠を構成する線が互いに交差する点を意味するものと定義することにする。

このようにパターンを形成することにより、タッチスクリーンに求められる微細な電気導電性パターンを実現することができる。タッチスクリーンにおいて微細な電気導電性パターンを実現することができない場合、抵抗などのタッチスクリーンに求められる物性を達成することができない。
従来の金属メッシュパターンを利用したタッチスクリーンでは、基本的にモアレ（Ｍｏｉｒｅ）という現象を回避するための解決方案（Ｓｏｌｕｔｉｏｎ）を提供できないため、本発明では電気導電性パターンとして不規則パターンを適用した。このとき、モアレ（ｍｏｉｒｅ）現象がディスプレイに関係なくまったく現われない閾値を確認するために、不規則度別のモアレ（Ｍｏｉｒｅ）発生可否の確認および反射型回折現象の確認を通じてこれを定量化しようとした。

本発明の一実施形態において、前記導電性パターンは連続して連結した閉鎖図形の枠構造を含み、前記閉鎖図形の頂点個数は、前記閉鎖図形と同じ個数の四角形の頂点個数とは異なることを特徴とする。

本発明の一実施形態において、前記導電性パターンは連続して連結した閉鎖図形の枠構造を含み、前記閉鎖図形の頂点個数は、前記閉鎖図形それぞれの重さ中心の間の最短距離を連結して形成した多角形の頂点の個数とは異なることを特徴とする。

本発明の一実施形態において、前記導電性パターンは連続して連結した閉鎖図形の枠構造を含み、前記閉鎖図形は前記数式３の値が５０以上であることを特徴とする。

本発明の一実施形態において、前記導電性パターンは、規則的に配列した単位ユニットセル内にそれぞれ任意のいくつかの点を配置した後、それぞれのいくつかの点が他のいくつかの点からの距離に比べて最も近い点と連結してなされた閉鎖図形の枠構造の形態であることができる。

このとき、前記規則的に配列した単位ユニットセル内に任意のいくつかの点を配置する方式に不規則度を取り入れる場合に、本発明に係る電気導電性パターンが形成されることができる。例えば、前記不規則度を０で付与する場合には、単位ユニットセルが正四角形であれば電気導電性パターンが正四角形メッシュ構造で形成され、単位ユニットセルが正六角形であれば電気導電性パターンがハニカム（ｈｏｎｅｙｃｏｍｂ）構造で形成されるようになる。すなわち、本発明に係る導電性パターンでは、前記不規則度が０ではないパターンを意味する。

本発明に係る不規則パターン形態の導電性パターンにより、パターンをなす線のチッピング効果（Ｔｉｐｐｉｎｇ ｅｆｆｅｃｔ）などを抑制することができ、ディスプレイから均一な透過率を得るようにすると同時に単位面積に対する線密度を同じように維持し、均一な導電度を確保できるようになる。

本発明の一実施形態において、前記導電性パターンは、単位面積（３．５ｃｍ×３．５ｃｍ）内で閉鎖図形の頂点の数が６、０００個以上であってもよく、７、０００個以上であってもよく、１５、０００個以上であってもよく、２４５、０００個以下であってもよいが、これは当業者が所望する透過度および導電度によって調整することができる。

本発明の一実施形態において、前記導電性パターンの線幅は１０μｍ以下であり、前記電気導電性パターンは３．５ｃｍ×３．５ｃｍの面積内で閉鎖図形の頂点の数が６、０００〜２４５、０００個であることができる。また、前記導電性パターンの線幅は７μｍ以下であり、前記導電性パターンは３．５ｃｍ×３．５ｃｍの面積内で閉鎖図形の頂点の数が７、０００〜６２、０００個であることができる。また、前記導電性パターンの線幅は５μｍ以下であり、前記導電性パターンは３．５ｃｍ×３．５ｃｍの面積内で閉鎖図形の頂点の数が１５、０００〜６２、０００個であることができる。

前記単位面積内のパターンを構成する図形のうちの少なくとも１つは、残りの図形と異なる形態をもつことができる。

本発明の一実施形態において、前記暗色化パターンと前記導電性パターンはその側面が順テーパ角をもつことができるが、導電性パターンの基材側の反対面上に位置する暗色化パターンまたは導電性パターンは逆テーパ角をもつこともできる。

本発明の一実施形態に係る導電性構造体の例を下記図１〜図３に例示した。図１〜図３は、基材、導電性パターン、および暗色化パターンの積層順を例示するためのものであり、前記導電性パターンおよび前記暗色化パターンは、実際にタッチスクリーンパネルなどの微細透明電極用途として適用するとき、全面層ではなくパターン形態であることができる。

図１によれば、前記暗色化パターン２００が前記基材１００と前記導電性パターン３００の間に配置された場合を例示した。これは、使用者が基材側からタッチスクリーンパネルを眺める場合、導電性パターンによる反射度を大きく減少させることができる。

図２によれば、前記暗色化パターン２００が前記導電性パターン３００上に配置された場合を例示した。これは、使用者が基材側の反対面からタッチスクリーンパネルを眺める場合、導電性パターンによる反射度を大きく減少させることができる。

図３によれば、前記暗色化パターン（２００、２２０）が前記基材１００と前記導電性パターン３００の間と、前記導電性パターン３００上にすべて配置された場合を例示した。これは、使用者がタッチスクリーンパネルを基材側から眺める場合とその反対側から眺める場合すべて、導電性層による反射度を大きく減少させることができる。

本発明の一実施形態に係る導電性構造体の構造は、暗色化パターンが導電性パターンの少なくとも一面に備えられたものであることができる。

本発明の一実施形態に係る導電性構造体の構造は、基材、暗色化パターン、導電性パターン、および暗色化パターンが順に積層された構造であることができる。また、前記導電性構造体は、最外郭の暗色化パターン上に追加の導電性パターンおよび暗色化パターンを含むことができる。

すなわち、本発明の一実施形態に係る導電性構造体の構造は、基材／暗色化パターン／導電性パターンの構造、基材／導電性パターン／暗色化パターンの構造、基材／暗色化パターン／導電性パターン／暗色化パターンの構造、基材／導電性パターン／暗色化パターン／導電性パターンの構造、基材／暗色化パターン／導電性パターン／暗色化パターン／導電性パターン／暗色化パターンの構造、基材／暗色化パターン／導電性パターン／暗色化パターン／導電性パターン／暗色化パターン／導電性パターン／暗色化パターンの構造などであることができる。

本発明の一実施形態に係る導電性構造体の製造方法は、基材上に線幅が１０μｍ以下の導電性パターンを形成するステップ、および前記導電性パターンの形成以前、以後、または以前と以後すべてで、ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化パターンを２０〜６０ｎｍの厚さで形成するステップを含む導電性構造体の製造方法であって、前記導電性構造体の可視光線領域における平均屈折率は２以上３以下であり、可視光線領域における平均消滅係数（ｋ）は０．２以上１．５以下であることを特徴とする。

本発明の一実施形態に係る導電性構造体の製造方法は、基材上に導電性層を形成するステップ、前記導電性層の形成以前、以後、または以前と以後すべてで、ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を２０〜６０ｎｍの厚さで形成するステップ、前記導電性層および暗色化層をそれぞれまたは同時にパターニングして線幅が１０μｍ以下の導電性パターンおよび暗色化パターンを形成するステップを含む導電性構造体の製造方法であって、前記導電性構造体の可視光線領域における平均屈折率は２以上３以下であり、可視光線領域における平均消滅係数（ｋ）は０．２以上１．５以下であることを特徴とする。

本発明の一実施形態において、前記導電性構造体の製造方法は、基材上に暗色化層を形成し、前記暗色化層を形成した後に導電性層を形成し、前記導電性層を形成した後に暗色化層を形成することができ、前記暗色化層および導電性層をそれぞれまたは同時にパターニングすることを含むことができる。

前記導電性構造体の製造方法において、パターン化する前の導電性層または暗色化層の面抵抗は、０Ω／□超過２Ω／□以下、好ましくは０Ω／□超過０．７Ω／□以下であることができる。前記面抵抗が２Ω／□以下であれば、特に０．７Ω／□以下であれば、パターニング前の導電性層または暗色化層の面抵抗が低いほど微細パターニング設計および製造工程が容易になり、パターニング後の導電性構造体の面抵抗が低くなり、電極の反応速度を速くする効果がある。

本発明の一実施形態において、前記暗色化パターンまたは暗色化層を形成するステップにおいて、暗色化パターンまたは暗色化層の形成は当技術分野に周知の方法を利用することができる。例えば、蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、湿式コーティング、蒸発、電解メッキまたは無電解メッキ、金属箔のラミネーションなどの方法によって形成することができ、具体的にはスパッタリング方法によって形成することができる。

例えば、Ｃｕを含む導電性層とＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を形成する場合、スパッタリングガス（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ ｇａｓ）として不活性気体、例えばＡｒのような気体を使用する場合、ＣｕＯ単一物質スパッタリングターゲット（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ ｔａｒｇｅｔ）を使用することによって得られる長所がある。例えば、ＡｌＯｘＮｙのようにＡｌ金属ターゲットを使用して反応性スパッタリング（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法を利用すれば、Ｏ_２とＮ_２のような反応性ガスの分圧調節をしなければならない。しかし、本発明はＣｕＯのような単一物質ターゲットを使用するため、反応性ガスの分圧調節が必要なく工程調節が比較的容易であり、最終導電性構造体の形成でもＣｕエッチング液を利用して一括エッチングが可能であるという長所をもつ。

本発明の一実施形態において、前記導電性パターンの形成方法としては特に限定されることはないが、導電性パターンを直接印刷方法によって形成することもでき、導電性層を形成した後にこれをパターン化する方法を利用することができる。

本発明の一実施形態において、前記導電性パターンを印刷方法によって形成する場合、導電性材料のインクまたはペーストを利用することができ、前記ペーストは、導電性材料の他にもバインダ樹脂、溶媒、ガラスフリットなどをさらに含むこともできる。

導電性層を形成した後にこれをパターン化する場合、エッチングレジスト（Ｅｔｃｈｉｎｇ ｒｅｓｉｓｔ）特性をもつ材料を利用することができる。

本発明の一実施形態において、前記導電性層は、蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、湿式コーティング、蒸発、電解メッキまたは無電解メッキ、金属箔のラミネーションなどの方法によって形成することができる。前記導電性層の形成方法として、有機金属、ナノ金属、またはこれらの複合体溶液を基板上にコーティングした後、焼成および／または乾燥によって導電度を付与する方法を利用することもできる。前記有機金属としては有機銀を使用することができ、前記ナノ金属としてはナノ銀粒子などを使用することができる。

本発明の一実施形態において、前記導電性層のパターン化は、エッチングレジストパターンを利用した方法を利用することができる。エッチングレジストパターンは、印刷法、フォトリソグラフィ法、フォトグラフィ法、マスクを利用した方法またはレーザ転写、例えば、熱転写イメージング（ｔｈｅｒｍａｌ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｉｍａｇｉｎｇ）などを利用して形成することができ、印刷法またはフォトリソグラフィ法がより好ましいが、これにのみ限定されることはない。前記エッチングレジストパターンを利用して前記導電性薄膜層をエッチングしてパターニングし、前記エッチングレジストパターンはストリップ（ｓｔｒｉｐ）工程によって容易に取り除くことができる。

本発明の一実施形態は、前記導電性構造体を含むタッチスクリーンパネルを提供する。例えば、静電容量式タッチスクリーンパネルにおいて、前記本発明の一実施形態に係る導電性構造体は、タッチ感応式電極基板として使用されることができる。

本発明の一実施形態は、前記タッチスクリーンパネルを含むディスプレイ装置を提供する。

本発明の一実施形態に係るタッチスクリーンパネルは、上述した基材、導電性パターン、および暗色化パターンを含む導電性構造体の他に追加の構造体をさらに含むことができる。この場合、２つの構造体が互いに同じ方向に配置されてもよく、２つの構造体が互いに反対方向に配置されてもよい。本発明のタッチスクリーンパネルに含まれることができる２つ以上の構造体が同じ構造である必要はなく、いずれか１つ、好ましくは使用者に最も近い側の構造体だけが上述した基材、導電性パターン、および暗色化パターンを含むだけであってもよく、さらに含まれる構造体はパターン化された暗色化層を含まなくてもよい。また、２つ以上の構造体内の層積層構造が互いに異なることもできる。２つ以上の構造体が含まれる場合、これらの間には絶縁層が備えられることができる。このとき、絶縁層は、粘着層の機能がさらに付与されることもできる。

本発明の一実施形態に係るタッチスクリーンパネルは、下部基材、上部基材、および前記下部基材の上部基材に接する面、および前記上部基材の下部基材に接する面のいずれか一面または両面に備えられた電極層を含むことができる。前記電極層はそれぞれ、Ｘ軸位置検出およびＹ軸位置検出機能を行うことができる。

このとき、前記下部基材および前記下部基材の上部基材に接する面に備えられた電極層、および前記上部基材および前記上部基材の下部基材に接する面に備えられた電極層のうちの１つまたは２つすべてが、上述した本発明の一実施形態に係る導電性構造体であることができる。前記電極層のいずれか１つだけが本発明に係る導電性構造体である場合、残りの他の１つは当技術分野に周知の導電性パターンをもつことができる。

前記上部基材と前記下部基材すべての一面に電極層が備えられて２層の電極層が形成される場合、前記電極層の間隔を一定に維持し、接続が起こらないように前記下部基材と上部基材の間に絶縁層またはスペーサが備えられることができる。前記絶縁層は、粘着剤またはＵＶあるいは熱硬化性樹脂を含むことができる。前記タッチスクリーンパネルは、上述した導電性構造体中の導電性パターンと連結した接地部をさらに含むことができる。例えば、前記接地部は、前記基材の導電性パターンが形成された面の端部に形成されることができる。また、前記導電性構造体を含む積層材の少なくとも一面には、反射防止フィルム、偏光フィルム、耐指紋フィルムのうちの少なくとも１つが備えられることができる。設計仕様によっては、上述した機能性フィルム以外にも、他の種類の機能性フィルムをさらに含むこともできる。上述したようなタッチスクリーンパネルは、ＯＬＥＤディスプレイパネル（ＯＬＥＤ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ、ＰＤＰ）、液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、および陰極選管（Ｃａｔｈｏｄｅ ＲａｙＴｕｂｅ、ＣＲＴ）、ＰＤＰのようなディスプレイ装置に適用されることができる。

本発明の一実施形態に係るタッチスクリーンパネルにおいて、前記基材の両面にはそれぞれ、導電性パターンおよび暗色化パターンが備えられることができる。

本発明の一実施形態に係るタッチスクリーンパネルは、前記導電性構造体上に電極部またはパッド部をさらに含むことができる。このとき、有効画面部と電極部およびパッド部は、同じ導電体で構成されることができる。

本発明の一実施形態に係るタッチスクリーンパネルにおいて、前記暗色化パターンは、使用者が眺める側に備えられることができる。

本発明の一実施形態は、前記導電性構造体を含むディスプレイ装置を提供する。前記ディスプレイ装置において、カラーフィルタ基板または薄膜トランジスタ基板などに本発明の一実施形態に係る導電性構造体が使用されることができる。

本発明の一実施形態は、前記導電性構造体を含む太陽電池を提供する。例えば、太陽電池は、アノード電極、カソード電極、光活性層、正孔輸送層および／または電子輸送層を含むことができるが、本発明の一実施形態に係る導電性構造体は、前記アノード電極および／またはカソード電極として使用されることができる。

前記導電性構造体は、ディスプレイ装置または太陽電池において従来のＩＴＯを代替することができ、フレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）可能の用途として活用することができる。また、ＣＮＴ、導電性高分子、グラフェン（Ｇｒａｐｈｅｎｅ）などと共に次世代透明電極として活用することができる。

以下、実施例、比較例、および実験例を通じて本発明をさらに詳細に説明する。しかし、以下の実施例、比較例、および実験例は本発明を例示するためのものであり、これによって本発明の範囲が限定されることはない。

＜実施例１＞
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材上にＣｕ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用して直流電源スパッタリング（ＤＣ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法によって導電性層として厚さ６０ｎｍであるＣｕ層を形成し、ＣｕＯ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用して無線周波数スパッタリング（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ：ＲＦ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法で厚さ３５ｎｍであるＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を形成して実施例１の導電性構造体を製造した。

＜実施例２＞
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材上にＣｕ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用して直流電源スパッタリング（ＤＣ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法によって導電性層として厚さ６０ｎｍであるＣｕ層を形成し、ＣｕＯ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用してＲＦスパッタリング方法で厚さ５０ｎｍであるＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を形成して実施例２の導電性構造体を製造した。

＜実施例３＞
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材上にＣｕ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用して直流電源スパッタリング（ＤＣ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法によって導電性層として厚さ６０ｎｍであるＣｕ層を形成し、ＣｕＯ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用してＲＦスパッタリング方法で厚さ６０ｎｍであるＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を形成して実施例３の導電性構造体を製造した。

＜実施例４＞
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材上にＡｌ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用して直流電源スパッタリング（ＤＣ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法によって導電性層として厚さ８０ｎｍであるＡｌ層を形成し、ＣｕＯ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用してＲＦスパッタリング方法で厚さ５０ｎｍであるＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を形成して実施例４の導電性構造体を製造した。

＜比較例１＞
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材上にＣｕ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用して直流電源スパッタリング（ＤＣ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法によって導電性層として厚さ６０ｎｍであるＣｕ層を形成して比較例１の導電性構造体を製造した。

＜比較例２＞
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材上にＡｌ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用して直流電源スパッタリング（ＤＣ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法によって導電性層として厚さ８０ｎｍであるＡｌを形成して比較例２の導電性構造体を製造した。

＜比較例３＞
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材上にＣｕ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用して直流電源スパッタリング（ＤＣ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法によって導電性層として厚さ６０ｎｍであるＣｕ層を形成し、ＣｕＯ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用してＲＦスパッタリング方法で厚さ１０ｎｍであるＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を形成して比較例３の導電性構造体を製造した。

＜比較例４＞
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材上にＣｕ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用して直流電源スパッタリング（ＤＣ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法によって導電性層として厚さ６０ｎｍであるＣｕ層を形成し、ＣｕＯ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用してＲＦスパッタリング方法で厚さ８０ｎｍであるＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を形成して比較例４の導電性構造体を製造した。

＜比較例５＞
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材上にＣｕ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用して直流電源スパッタリング（ＤＣ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法によって導電性層として厚さ６０ｎｍであるＣｕ層を形成し、ＣｕＯ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用してＲＦスパッタリング方法で厚さ１００ｎｍであるＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を形成して比較例５の導電性構造体を製造した。

＜比較例６＞
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材上にＣｕ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用して直流電源スパッタリング（ＤＣ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法によって導電性層として厚さ６０ｎｍであるＣｕ層を形成し、ＣｕＯ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用してＲＦスパッタリング方法で厚さ１０ｎｍであるＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を形成して比較例６の導電性構造体を製造した。

＜比較例７＞
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材上にＣｕ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用して直流電源スパッタリング（ＤＣ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法によって導電性層として厚さ６０ｎｍであるＣｕ層を形成し、ＣｕＯ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用して無線周波数スパッタリング（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ：ＲＦ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法で厚さ３０ｎｍであるＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を形成して比較例７の導電性構造体を製造した。

＜比較例８＞
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材上にＣｕ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用して直流電源スパッタリング（ＤＣ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法によって導電性層として厚さ６０ｎｍであるＣｕ層を形成し、ＣｕＯ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用してＲＦスパッタリング方法で厚さ５０ｎｍであるＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を形成して比較例８の導電性構造体を製造した。

＜比較例９＞
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材上にＣｕ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用して直流電源スパッタリング（ＤＣ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法によって導電性層として厚さ６０ｎｍであるＣｕ層を形成し、ＣｕＯ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用してＲＦスパッタリング方法で厚さ６０ｎｍであるＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を形成して比較例９の導電性構造体を製造した。

＜比較例１０＞
ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）基材上にＣｕ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用して直流電源スパッタリング（ＤＣ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法によって導電性層として厚さ６０ｎｍであるＣｕ層を形成し、ＣｕＯ単一ターゲット（ｔａｒｇｅｔ）を利用してＲＦスパッタリング方法で厚さ８０ｎｍであるＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を形成して比較例９の導電性構造体を製造した。

＜実験例１＞
前記実施例１〜４および比較例１〜５の導電性構造体の波長による全反射率をＳｏｌｉｄｓｐｅｃ ３７００（ＵＶ−Ｖｉｓ ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ、Ｓｈｉｍａｄｚｕ社）を使用してシミュレーションし、その結果を下記図４に示した。また、前記実施例１〜４および比較例１〜５の導電性構造体の可視光線領域の平均反射率を下記表１に示した。

前記表１の結果のように、本願発明のように暗色化パターンの厚さが２０〜６０ｎｍの範囲である導電性構造体が前記暗色化パターンの厚さ範囲を逸脱する場合よりも反射率特性が低いため、導電性パターンの隠蔽性を向上させることができることが分かる。

＜実験例２＞
実施例１〜４の導電性構造体の光学定数平均屈折率（ｎ）および平均消滅係数（ｋ）をエリプソメータ（Ｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｅｒ）で測定して図６に示した。より具体的には、実施例１〜４の可視光線領域における平均屈折率は２．４５であり、平均消滅係数は０．８であった。

＜実験例３＞
比較例６〜１０の導電性構造体の光学定数平均屈折率（ｎ）および平均消滅係数（ｋ）をエリプソメータ（Ｅｌｌｉｐｓｏｍｅｔｅｒ）で測定した。より具体的には、比較例６〜１０の可視光線領域における平均屈折率は２．４５であり、平均消滅係数は１．８であった。

＜実験例４＞
前記比較例６〜１０の導電性構造体の波長による全反射率をＳｏｌｉｄｓｐｅｃ ３７００（ＵＶ−Ｖｉｓ ｓｐｅｃｔｒｏｐｈｏｔｏｍｅｔｅｒ、Ｓｈｉｍａｄｚｕ社）を使用してシミュレーションし、その結果を下記図５に示した。また、前記実施例１〜４および比較例６〜１０の導電性構造体の可視光線領域の平均反射率を下記表２に示した。

前記表２の結果のように、前記暗色化パターンの厚さが２０〜６０ｎｍであり、導電性構造体の可視光線領域における平均屈折率は２以上３以下であり、可視光線領域における平均消滅係数（ｋ）は０．２以上１．５以下である導電性構造体の反射率特性が低いため、導電性パターンの隠蔽性を向上させることができることが分かる。

＜実験例５＞
実施例１および２のＣＩＥ Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊色座標値と色を測定して表２および図７に示した。

＜実験例６＞
蒸着条件を同じようにし、Ａｌで導電性層を形成するときとＣｕで導電性層を形成するときの蒸着速度を比較した。蒸着基準は、ＤＣ１５０Ｗ、３ｍ Ｔｏｒｒ ３'ｃｉｒｃｌｅ ｔａｒｇｅｔであった。

前記表４の結果を見れば、Ｃｕに導電性層を形成する場合が蒸着速度の面において有利であるため、生産工程面において効率的であることが分かる。Ｃｕの場合がＡｌの場合よりも最大で４〜５倍の生産性向上が可能であるという利点がある。Ｃｕは比抵抗がＡｌよりも１．５〜２倍優れており、同一面抵抗を得るために必要な厚さがＡｌに比べて１．５〜２倍薄くなる。そして、前記実験例４で得た蒸着速度を見れば、ＣｕがＡｌよりも２．５倍優れている。したがって、ＣｕはＡｌよりも最大で４〜５倍の生産性向上が可能となり、速い速度で相対的に薄い厚さを形成することができるという長所がある。

さらに、Ａｌを含む導電性層の上にＡｌＮｘ（０＜ｘ＜１）で暗色化層を形成するときと、Ｃｕを含む導電性層の上にＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）で暗色化層を形成するときの蒸着速度を比較した。蒸着速度は一定時間に蒸着された厚さを時間で割って計算した。ＡｌＮｘ蒸着基準はＤＣ１００Ｗであり、反応性スパッタリング方法を利用し、ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）の蒸着基準はＲＦ１００Ｗであった。

前記表５の結果を見れば、ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を形成する場合が蒸着速度の面において有利であるため、生産工程面において効率的であることが分かる。

本発明の一実施形態に係る導電性構造体およびこれを含むタッチスクリーンパネルは、導電性層の少なくとも一面にＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を取り入れることにより、導電性層の導電度に影響を及ぼさずに導電性層による反射を防ぐことができ、吸光度を向上することによって導電性層の隠蔽性を向上させることができる。

また、上述したような暗色化層の導入によってタッチスクリーンパネルのコントラスト特性をさらに向上させることができる。また、前記ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層の製造工程には制限がなく、微細電極パターニングのためのエッチング工程でも汎用アルミニウムエッチング液で一括エッチングが可能であるという長所がある。

また、本発明では、上述した導電性層および暗色化層を一括エッチングし、線幅が１０μｍ以下の導電性パターンを含む導電性構造体を製造することができる。

本発明が属した分野において通常の知識をもつ者であれば、前記内容に基づいて本発明の範疇内で多様な応用および変形を行うことが可能であろう。

以上、本発明の特定部分を詳しく記述したが、当業界において通常の知識をもつ者においてこのような具体的な技術は好ましい実施形態に過ぎず、これによって本発明の範囲が制限されることがないことは明白である。したがって、本発明の実質的な範囲は、添付の特許請求の範囲とその等価物によって定義されるべきである。

１００ ・・・基材
２００ ・・・暗色化パターン
２２０ ・・・暗色化パターン
３００ ・・・導電性パターン

Claims (23)

1. 基材、前記基材上に備えられた導電性パターン、および前記導電性パターンの少なくとも一面に備えられ、ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化パターンを含む導電性構造体であって、
   前記導電性パターンの線幅は１０μｍ以下であり、
   前記暗色化パターンの厚さは２０〜６０ｎｍであり、
   前記導電性構造体の可視光線領域における平均屈折率は２以上３以下であり、可視光線領域における平均消滅係数（ｋ）は０．２以上１．５以下であることを特徴とする、導電性構造体。
2. 前記暗色化パターンが前記導電性パターンと接する面の反対面方向で測定した全反射率が２０％以下であることを特徴とする、請求項１に記載の導電性構造体。
3. 前記暗色化パターンが前記導電性パターンと基材の間に備えられ、前記基材側で測定した全反射率が２０％以下であることを特徴とする、請求項１に記載の導電性構造体。
4. 前記導電性構造体の面抵抗は１Ω／□以上３００Ω／□以下であることを特徴とする、請求項１に記載の導電性構造体。
5. 前記導電性構造体の可視光線領域における平均消滅係数（ｋ）は０．４以上１．０以下であることを特徴とする、請求項１に記載の導電性構造体。
6. 前記導電性構造体は、ＣＩＥ Ｌ^＊ａ^＊ｂ^＊色座標を基準に明度値（Ｌ^＊）が５０以下であることを特徴とする、請求項１に記載の導電性構造体。
7. 前記暗色化パターンは、誘電性物質および金属からなる群から選択される１つ以上をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載の導電性構造体。
8. 前記誘電性物質は、ＳｉＯ、ＳｉＯ_２、ＭｇＦ_２、およびＳｉＮｘ（ｘは１以上の整数）からなる群から選択されることを特徴とする、請求項７に記載の導電性構造体。
9. 前記金属は、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌ、Ａｕ、およびＡｇからなる群から選択されることを特徴とする、請求項７に記載の導電性構造体。
10. 前記導電性パターンの厚さは０．０１〜１０μｍであることを特徴とする、請求項１に記載の導電性構造体。
11. 前記導電性パターンは、金属、金属合金、金属酸化物、および金属窒化物からなる群から選択される１つ以上の物質を含み、
    前記物質は比抵抗が１×１０^６Ωｃｍ〜３０×１０^６Ωｃｍであることを特徴とする、請求項１に記載の導電性構造体。
12. 前記導電性パターンは、銅、アルミニウム、銀、ネオジウム、モリブデン、ニッケル、これらの合金、これらの酸化物、およびこれらの窒化物からなる群から選択される１つ以上を含むことを特徴とする、請求項１に記載の導電性構造体。
13. 前記暗色化パターンは前記導電性パターンの両面に備えられることを特徴とする、請求項１に記載の導電性構造体。
14. 前記暗色化パターンの線幅は前記導電性パターンの線幅と同じか大きいことを特徴とする、請求項１に記載の導電性構造体。
15. 前記暗色化パターンは前記導電性パターンの面積の８０％〜１２０％の面積をもつことを特徴とする、請求項１に記載の導電性構造体。
16. 請求項１〜１５のいずれか一項に記載の導電性構造体を含む、タッチスクリーンパネル。
17. 請求項１〜１５のいずれか一項に記載の導電性構造体を含む、ディスプレイ装置。
18. 請求項１〜１５のいずれか一項に記載の導電性構造体を含む、太陽電池。
19. 基材上に線幅が１０μｍ以下である導電性パターンを形成するステップ、および
    前記導電性パターンの形成の以前、以後、または以前と以後すべてで、ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化パターンを２０〜６０ｎｍの厚さで形成するステップを含む導電性構造体の製造方法であって、
    前記導電性構造体の可視光線領域における平均屈折率は２以上３以下であり、可視光線領域における平均消滅係数（ｋ）は０．２以上１．５以下であることを特徴とする、導電性構造体の製造方法。
20. 基材上に導電性層を形成するステップ、
    前記導電性層の形成の以前、以後、または以前と以後すべてで、ＣｕＯｘ（０＜ｘ≦１）を含む暗色化層を２０〜６０ｎｍの厚さで形成するステップ、
    前記導電性層および暗色化層をそれぞれまたは同時にパターニングして線幅が１０μｍ以下である導電性パターンおよび暗色化パターンを形成するステップを含む導電性構造体の製造方法であって、
    前記導電性構造体の可視光線領域における平均屈折率は２以上３以下であり、可視光線領域における平均消滅係数（ｋ）は０．２以上１．５以下であることを特徴とする、導電性構造体の製造方法。
21. 前記導電性層または暗色化層の面抵抗は０Ω／□超過２Ω／□以下であることを特徴とする、請求項２０に記載の導電性構造体の製造方法。
22. 前記暗色化パターンはスパッタリング方法を利用して形成することを特徴とする、請求項１９に記載の導電性構造体の製造方法。
23. 前記暗色化層はスパッタリング方法を利用して形成することを特徴とする、請求項２０に記載の導電性構造体の製造方法。

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