JP5991636B2 - 伝導性構造体およびその製造方法｛ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅｓｔｒｕｃｔｕｒｅｂｏｄｙａｎｄｍｅｔｈｏｄｆｏｒｍａｎｕｆａｃｔｕｒｉｎｇｔｈｅｓａｍｅ｝ - Google Patents

Description

本明細書は伝導性構造体およびその製造方法に関する。本出願は２０１２年８月３１日に韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２０１２−００９６５２５号の出願日の利益を主張し、その内容の全ては本明細書に含まれる。

一般的に、タッチスクリーンパネルは、信号の検出方式に応じて次のように分類することができる。すなわち、直流電圧を印加した状態で圧力によって押された位置を電流または電圧値の変化を通じて検知する抵抗膜方式（ｒｅｓｉｓｔｉｖｅ ｔｙｐｅ）と、交流電圧を印加した状態で容量結合（ｃａｐａｃｉｔａｎｃｅ ｃｏｕｐｌｉｎｇ）を用いる静電容量方式（ｃａｐａｃｉｔｉｖｅ ｔｙｐｅ）と、磁界を印加した状態で選択された位置を電圧の変化として検知する電磁誘導方式（ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ｔｙｐｅ）などがある。

最近、大面積のタッチスクリーンパネルに対する必要が増加するに伴い、電極の抵抗を減らし、且つ視認性に優れた大型タッチスクリーンパネルを実現できる技術の開発が必要であった。

当技術分野においては、前記様々な方式のタッチスクリーンパネルの性能向上のための技術の開発が求められている。

本出願の一実現例は、基材、伝導性層、少なくとも１つの中間層、および暗色化層を含む伝導性構造体を提供する。

本出願の一実現例は、伝導性層上に少なくとも１つの中間層を形成するステップ、前記中間層上に暗色化層を形成するステップ、および前記伝導性層または暗色化層と基材をラミネーションするステップを含む伝導性構造体の製造方法を提供する。

本出願の一実現例は、基材上に伝導性層を形成するステップ、前記伝導性層上に少なくとも１つの中間層を形成するステップ、および前記中間層上に暗色化層を形成するステップを含む伝導性構造体の製造方法を提供する。

本出願の一実現例は、基材上にパターン化された伝導性層を形成するステップ、前記パターン化された伝導性層上に少なくとも１つのパターン化された中間層を形成するステップ、および前記パターン化された中間層上にパターン化された暗色化層を形成するステップを含む伝導性構造体の製造方法を提供する。

本出願の一実現例は前記伝導性構造体を含むタッチスクリーンパネルを提供する。

本出願の一実現例は前記伝導性構造体を含むディスプレイ装置を提供する。

本出願の一実現例は前記伝導性構造体を含む太陽電池を提供する。

本出願の一実現例による伝導性構造体は、伝導性層の伝導度に影響を及ぼすことなく伝導性層による反射を防止することができ、吸光度を向上させることによって伝導性層の隠蔽性を向上させることができる。また、本出願の一実現例による伝導性構造体を用いて、視認性が改善されたタッチスクリーンパネルおよびそれを含むディスプレイ装置および太陽電池を開発することができる。

本出願の一実現例として中間層と暗色化層を含む伝導性構造体の積層構造を例示した図である。 本出願の一実現例として中間層と暗色化層を含む伝導性構造体の積層構造を例示した図である。 本出願の一実現例として中間層と暗色化層を含む伝導性構造体の積層構造を例示した図である。 実験例１により伝導性層上に備えられた中間層の厚さに応じた可視光線領域波長の反射率を示すものである。 実験例２により伝導性層上に備えられた中間層の厚さに応じた可視光線領域波長の反射率を示すものである。 実施例１〜４の可視光線領域波長の反射率を示すものである。 比較例１と実施例４、５、６の可視光線領域波長の反射率を示すものである。 比較例１〜４の可視光線領域波長の反射率を示すものである。 実施例３と実施例７の可視光線領域波長の反射率を示すものである。 比較例１と比較例５の可視光線領域波長の反射率を示すものである。 実験例３による暗色化層であるＣｕ黒化層、中間層および伝導性層であるＣｕ電極層に応じた原子百分率（Ａｔｏｍｉｃ ｐｅｒｃｅｎｔ）を示すものである。 実施例８〜１２の可視光線領域波長の反射率を示すものである。

以下、本出願をより詳細に説明する。
本明細書において、ディスプレイ装置とはＴＶやコンピュータ用モニターなどをひっくるめて言う言葉であって、画像を形成するディスプレイ素子およびディスプレイ素子を支持するケースを含む。

前記ディスプレイ素子としては、プラズマディスプレイパネル（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ、ＰＤＰ）、液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）、電気泳動ディスプレイ（Ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ）および陰極線管（Ｃａｔｈｏｄｅ−Ｒａｙ Ｔｕｂｅ、ＣＲＴ）、ＯＬＥＤディスプレイなどが挙げられる。ディスプレイ素子には、画像実現のためのＲＧＢ画素パターンおよび追加の光学フィルタが備えられても良い。

一方、ディスプレイ装置と関連し、スマートフォンおよびタブレットＰＣ、ＩＰＴＶなどの普及が加速化するにつれ、キーボードやリモコンなど別途の入力装置無しで人の手が直接入力装置となるタッチ機能に対する必要性が益々大きくなっている。また、特定ポイントの認識だけでなく、筆記が可能なマルチタッチ（ｍｕｌｔｉ−ｔｏｕｃｈ）機能も求められている。

現在、商用化された大半のタッチスクリーンパネル（ＴＳＰ、ｔｏｕｃｈ ｓｃｒｅｅｎ ｐａｎｅｌ）は透明伝導性ＩＴＯ薄膜をベースにしているが、大面積のタッチスクリーンパネルの適用時、ＩＴＯ透明電極自体の比較的に高いシート抵抗（最低１５０Ω／□、Ｎｉｔｔｏ ｄｅｎｋｏ社のＥＬＥＣＲＹＳＴＡ製品）によるＲＣ遅延のためにタッチ認識速度が遅くなり、それを克服するための追加の補償チップ（ｃｈｉｐ）を導入しなければならないなどの問題点がある。

本出願の発明者らは、前記透明ＩＴＯ薄膜を金属微細パターンに代替するための技術を研究した。そこで、本出願の発明者らは、タッチスクリーンパネルの電極用途として、高い電気伝導度を有する金属薄膜であるＡｇ、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏ、ＭｏＴｉ／Ｃｕなどを用いる場合は、特定形状の微細電極パターンを実現しようとする時、高い反射率によって視認性の面でパターンが人の目によく認知されるという問題点と共に外部光に対する高い反射率およびヘイズ（Ｈａｚｅ）値などによって眩しさなどが生じ得るということを明らかにした。また、製造工程時、高価のターゲット（ｔａｒｇｅｔ）値がかかるか、工程が複雑な場合が多いことを明らかにした。

そこで、本出願の一実現例は、従来のＩＴＯに基づいた透明伝導性薄膜層を用いたタッチスクリーンパネルと差別化することができ、金属微細パターン電極の隠蔽性および外部光に対する反射および回折特性が改善されたタッチスクリーンパネルに適用できる伝導性構造体を提供しようとする。

本出願の一実現例による伝導性構造体は、基材、伝導性層、少なくとも１つの中間層、および暗色化層を含む伝導性構造体を提供する。ここで、前記暗色化層は伝導性層のいずれか１つの面にのみ備えられても良く、伝導性層の両面の全てに備えられても良い。

本明細書において、暗色化層はパターン化された暗色化層であっても良く、または暗色化パターン層であっても良い。また、本明細書において、伝導性層はパターン化された伝導性層であっても良く、または伝導性パターン層であっても良い。また、本明細書において、中間層はパターン化された中間層であっても良い。

本出願の一実現例による伝導性構造体は、伝導性層と暗色化層との間に少なくとも１つの中間層を含む。前記中間層は１層であっても良く、２層以上であっても良い。前記中間層は、伝導性層の反射率を一次的に低減するようにする役割をする。このため、最終伝導性構造体が全波長領域で均一に２０％以下、１５％以下、１０％以下の優れた反射率を得ることができるようにする効果がある。中間層が含まれていない伝導性構造体は、６００ｎｍ以上の可視光線波長領域においては２０％以上の反射率が測定される。中間層を含むことにより、６００ｎｍ以上の可視光線波長領域で中間層が含まれていない場合に比べて反射率を７０％以上低減できるという効果がある。または中間層を含む伝導性構造体は、５００ｎｍ以下の可視光線波長領域で伝導性層の反射率を一次的に低減するようにすることもできる。

本出願の一実現例において、前記伝導性層は基材と暗色化層との間に備えられ、前記少なくとも１つの中間層は伝導性層と暗色化層との間に備えられたものであっても良い。

本出願の一実現例において、前記暗色化層は基材と伝導性層との間に備えられ、前記少なくとも１つの中間層は伝導性層と暗色化層との間に備えられたものであっても良い。

本出願の一実現例による伝導性構造体は、基材、前記基材上に備えられる伝導性層、前記伝導性層上に備えられる少なくとも１つの中間層、および前記中間層上に備えられる暗色化層を含むことができる。

本出願の一実現例による伝導性構造体は、基材、前記基材上に備えられる暗色化層、前記暗色化層上に備えられる少なくとも１つの中間層、および前記暗色化層上に備えられる伝導性層を含むことができる。

本出願の一実現例による伝導性構造体は、基材、前記基材上に備えられる暗色化層、前記暗色化層上に備えられる少なくとも１つの中間層、前記中間層上に備えられる伝導性層、前記伝導層上に備えられる少なくとも１つの中間層、および前記中間層上に備えられる暗色化層を含むことができる。

本出願の一実現例において、前記伝導性層、中間層または暗色化層はパターン化されたものであっても良い。前記伝導性層はパターン化された伝導性層であっても良く、前記暗色化層はパターン化された暗色化層であっても良く、前記中間層はパターン化された中間層であっても良い。パターンの形状は後述する。

本出願の発明者らは、有効画面部に備えられた伝導性金属微細パターンを含むタッチスクリーンパネルにおいて、前記伝導性金属微細パターンの視認性に前記パターン層による光反射および回折特性が主要な影響を及ぼすという事実を明らかにし、それを改善しようとした。具体的には、既存のＩＴＯに基づいたタッチスクリーンパネルでは、ＩＴＯ自体の高い透過度により、伝導性パターンの反射率による問題がそれほど大きく現れなかったが、有効画面部内に備えられた伝導性金属微細パターンを含むタッチスクリーンパネルでは、前記伝導性金属微細パターンの反射率および暗色化特性が重要であるということを明らかにした。

本出願の一実現例によるタッチスクリーンパネルにおいて、伝導性金属微細パターンの反射率を下げ、吸光度特性を改善するために、暗色化層を導入することができる。前記暗色化層はタッチスクリーンパネル内の伝導性層の少なくとも一面に備えられることにより、前記伝導性層の高い反射率による視認性低下の問題を大幅に改善させることができる。

具体的には、前記暗色化層は吸光性を有するため、伝導性層自体へ入射する光と伝導性層から反射する光の量を減少させることによって伝導性層による反射率を下げることができる。また、前記暗色化層は伝導性層に比べて低い反射率を有することができる。これにより、使用者が直接伝導性層を見る場合に比べて光の反射率を下げることができるため、伝導性層の視認性を大幅に改善させることができる。

本明細書において、前記暗色化層は吸光性を有するために伝導性層自体へ入射する光と伝導性層から反射する光の量を減少できる層を意味するものであり、暗色化層はパターン化された暗色化層であっても良く、暗色化層は吸光性層、黒化層、黒化性層などの用語で表現され、パターン化された暗色化層はパターン化された吸光性層、パターン化された黒化層、パターン化された黒化性層などの用語で表現される。

本出願の一実現例において、前記パターン化された伝導性層およびパターン化された暗色化層を含む伝導性構造体はシート抵抗が１Ω／□以上３００Ω／□以下であっても良く、具体的には１Ω／□以上１００Ω／□以下であっても良く、より具体的には１Ω／□以上５０Ω／□以下であっても良く、さらに具体的には１Ω／□以上２０Ω／□以下であっても良い。

伝導性構造体のシート抵抗が１Ω／□以上３００Ω／□以下であれば、従来のＩＴＯ透明電極を代替できるという効果がある。伝導性構造体のシート抵抗が１Ω／□以上１００Ω／□以下である場合、または１Ω／□以上５０Ω／□以下である場合、特に１Ω／□以上２０Ω／□以下である場合は、従来のＩＴＯ透明電極の使用時よりシート抵抗が相当に低いため、信号印加時にＲＣ遅延が短くなってタッチ認識速度を顕著に改善することができ、これに基づいて１０インチ以上の大面積のタッチスクリーンの適用が容易であるという長所がある。

前記伝導性構造体において、パターン化する前の伝導性層または暗色化層のシート抵抗は０Ω／□超過１０Ω／□以下、０Ω／□超過２Ω／□以下、具体的には０Ω／□超過０．７Ω／□以下であっても良い。前記シート抵抗が２Ω／□以下であれば、特に０．７Ω／□以下であれば、パターニング前の伝導性層または暗色化層のシート抵抗が低いほど、微細パターニングの設計および製造工程が容易に行われ、パターニング後の伝導性構造体のシート抵抗が下がって電極の反応速度を迅速にする効果がある。前記シート抵抗は、伝導性層または暗色化層の厚さに応じて調節されることができる。

前記伝導性構造体において、パターン化する前の中間層の表面で測定したシート抵抗は０Ω／□超過１０Ω／□以下、具体的には０Ω／□超過５Ω／□以下、より具体的には０Ω／□超過１Ω／□以下であっても良い。すなわち、伝導性層の一面に中間層が備えられてもシート抵抗の変化がない。下記の実験例１での表１より、伝導性層のシート抵抗と伝導性層の上部に中間層が備えられた時のシート抵抗の変化がほぼなく、伝導性層である電極のシート抵抗の損失がないことを確認することができる。

本出願の一実現例による伝導性構造体は、暗色化層の消滅係数（Ｅｘｔｉｎｃｔｉｏｎ ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）ｋが０．２以上２．５以下、具体的には０．２以上１．２以下、より具体的には０．４以上１以下であっても良い。

前記消滅係数ｋが０．２以上であれば、暗色化を可能にする効果がある。前記消滅係数ｋは吸収係数（Ａｂｓｏｒｐｔｉｏｎ Ｃｏｅｆｆｉｃｉｅｎｔ）ともいい、特定波長において伝導性構造体が光をどれほど強く吸収するかを定義できる尺度であり、伝導性構造体の透過度を決定する要素である。例えば、透明な誘電体（ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）物質の場合、ｋ＜０．２としてｋ値が非常に小さい。しかし、物質内部に金属成分が増加するほどｋ値が増加する。仮に金属成分がより多くなれば、透過がほほ起こらず、大部分が表面反射だけ起こる金属となり、消滅係数ｋは２．５超過となって暗色化層の形成には好ましくない。

前記消滅係数が０．４以上１以下である場合は、反射率がより減少して、暗色化層の暗色化度がより増加するという効果がある。この場合、伝導性層の隠蔽性がより向上し、タッチスクリーンパネルに適用時に視認性がより改善される。

本出願の一実現例において、前記伝導性構造体は屈折率ｎが０超過３以下であっても良い。

下記反射率に関する説明において、暗色化層はパターン化された暗色化層であっても良く、伝導性層はパターン化された伝導性層であっても良く、中間層はパターン化された中間層であっても良い。

本出願の一実現例による伝導性構造体は全反射率が２０％以下であっても良く、具体的には１５％以下であっても良く、より具体的には１０％以下であっても良く、さらに具体的には７％以下であっても良く、３％以下であっても良い。前記反射率は小さいほど効果がさらに良い。

本出願の一実現例において、前記全反射率は測定しようとする面の反対面を黒い層（ｐｅｒｆｅｃｔ ｂｌａｃｋ）で処理した後、測定しようとする面に９０°で入射した波長３００〜８００ｎｍ、具体的には３８０〜７８０ｎｍの光に対する反射率を意味することができる。

本出願の一実現例による伝導性構造体において、中間層が含まれていない場合、６００ｎｍ以下の可視光線領域での全反射率は２０％以下であるが、６００ｎｍ以上の可視光線領域での全反射率を測定すれば２０％以上である。しかし、中間層を含む伝導性構造体は３００〜８００ｎｍの可視光線の全領域での全反射率が２０％以下であっても良く、具体的には１５％以下であっても良く、より具体的には１０％以下であっても良く、さらに具体的には７％以下であっても良く、３％以下であっても良い。

前記反射率は、前記伝導性層が基材と暗色化層との間に備えられ、中間層が伝導性層と暗色化層との間に備えられた時、前記暗色化層が前記中間層と接する面の反対面方向から測定したものであっても良い。具体的には、前記暗色化層は前記中間層と接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含む時、２面の方向から測定したものであっても良い。この方向から測定した時、全反射率は２０％以下であっても良く、具体的には１５％以下であっても良く、より具体的には１０％以下であっても良く、さらに具体的には７％以下であっても良く、３％以下であっても良い。前記全反射率は小さいほど効果がさらに良い。

また、前記反射率は、前記暗色化層が前記伝導性層と基材との間に備えられ、前記中間層が伝導性層と暗色化層との間に備えられた時、基材側から測定したものであっても良い。前記基材側から全反射率を測定した時、全反射率は２０％以下であっても良く、具体的には１５％以下であっても良く、より具体的には１０％以下であっても良く、さらに具体的には７％以下であっても良く、３％以下であっても良い。前記全反射率は小さいほど効果がさらに良い。

本明細書において、全反射率は、入射光を１００％とした時、光が入射した対象パターン層または伝導性構造体によって反射された反射光中３００〜８００ｎｍ、具体的には３８０〜７８０ｎｍの波長値を基準に測定した値であっても良い。

本出願の一実現例による伝導性構造体において、前記暗色化層は、前記伝導性層と接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含むことができる。この時、前記暗色化層の第２面側から前記伝導性構造体の全反射率を測定した時、前記伝導性構造体の全反射率（Ｒｔ）は下記数学式１で計算されることができる。

［数学式１］
全反射率（Ｒｔ）＝基材の反射率＋閉鎖率×暗色化層の反射率

また、前記伝導性構造体の構成が伝導性構造体の２種がラミネーションされた場合は、伝導性構造体の全反射率（Ｒｔ）は下記数学式２で計算されることができる。

［数学式２］
全反射率（Ｒｔ）＝基材の反射率＋閉鎖率×暗色化層の反射率×２

前記数学式１および２において、基材の全反射率はタッチ強化ガラスの反射率であっても良く、表面がフィルムである場合はフィルムの反射率であっても良い。

また、前記閉鎖率は、伝導性構造体の平面を基準に伝導性パターンによって覆われる領域が占める面積比率、すなわち（１−開口率）で表すことができる。

したがって、パターン化された暗色化層がある場合とない場合との差は、パターン化された暗色化層の反射率によって依存する。このような観点から、本出願の一実現例による伝導性構造体の全反射率（Ｒｔ）は、前記パターン化された暗色化層がないことを除いては同一の構成を有する伝導性構造体の全反射率（Ｒ_０）に比べて１０〜２０％減少したものであっても良く、２０〜３０％減少したものであっても良く、３０〜４０％減少したものであっても良く、４０〜５０％減少したものであっても良く、５０〜７０％減少したものであっても良い。すなわち、前記数学式１および２において、閉鎖率の範囲を１〜１０％の範囲に変化させながら全反射率の範囲を１〜３０％まで変化させる場合、最大７０％の反射率の減少効果を示すことができ、最小１０％の全反射率の減少効果を示すことができる。

本出願の一実現例による伝導性構造体において、前記パターン化された暗色化層は前記伝導性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含み、前記暗色化パターンの第２面側から前記伝導性構造体の全反射率を測定した時、前記伝導性構造体の全反射率（Ｒｔ）は前記基材の反射率（Ｒ_０）との差が４０％以下であっても良く、３０％以下であっても良く、２０％以下であっても良く、１０％以下であっても良い。

本出願の一実現例において、前記伝導性構造体は、ＣＩＥ（国際照明委員会：Ｃｏｍｍｉｓｓｉｏｎ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌｅ ｄｅ ｌ'Ｅｃｌａｉｒａｇｅ）Ｌ＊ａ＊ｂ＊色座標を基準に明度値（Ｌ＊）が５０以下であっても良く、より具体的には４０以下であっても良い。明度値が低いほど反射率が低くなって有利な効果がある。

本出願の一実現例において、前記伝導性構造体内にはピンホールがほぼなく、前記ピンホールが存在するとしてもその直径が３μｍ以下であり、より具体的には１μｍ以下である。前記伝導性構造体内でピンホールの直径が３μｍ以下である場合は断線の発生を防止することができる。また、前記伝導性構造体内でピンホールがほぼなくて個数が非常に少ない場合は断線の発生を防止することができる。

本出願の一実現例において、前記暗色化層は前記伝導性層の少なくともいずれか１つの面に備えられることができる。具体的には、前記伝導性層のいずれか１つの面にのみ備えられても良く、両面の全てに備えられても良い。この時、伝導性層と暗色化層との間には少なくとも１つの中間層が備えられることができる。

本出願の一実現例において、前記中間層または暗色化層は、前記伝導性層と同時にまたは別途にパターン化されることができる。

本出願の一実現例において、前記パターン化された中間層、パターン化された暗色化層と前記パターン化された伝導性層は同時にまたは別途のパターニング工程によって積層構造を形成することができる。このようなことから、吸光物質の少なくとも一部が伝導性パターン内に陥没または分散している構造や単一層の伝導性パターンが追加表面処理によって表面側の一部が物理的または化学的な変形がなされた構造とは差別される。

また、本出願の一実現例による伝導性構造体において、前記暗色化層は、接着層または粘着層を介在せず、直接前記基材上にまたは中間層を間に置いて直接伝導性層上に備えられることができる。前記接着層または粘着層は耐久性や光学物性に影響を及ぼし得る。また、本出願の一実現例による伝導性構造体は、接着層または粘着層を用いる場合と比較する時に製造方法が全く異なる。さらに、接着層や粘着層を用いる場合に比べ、本出願の一実現例においては基材または伝導性層と暗色化層の界面特性に優れる。

本出願の一実現例において、前記暗色化層は単一層からなっても良く、２層以上の複数層からなっても良い。

本出願の一実現例において、前記暗色化層は無彩色系の色を帯びることが好ましい。この時、無彩色系の色とは、物体の表面に入射する光が選択吸収されず、各成分の波長に対して均一に反射吸収される時に現れる色を意味する。

本出願の一実現例において、前記暗色化層の材料は特に制限されることなく用いられることができる。例えば、カラーフィルタでのブラックマトリクス材料として用いられるものなどを用いることができる。また、反射防止機能が与えられた材料を用いることもできる。

例えば、前記暗色化層は、金属の酸化物、金属の窒化物、金属の酸窒化物および金属の炭化物からなる群から選択される１つまたは２つ以上を含んで用いることができる。前記金属の酸化物、窒化物、酸窒化物または炭化物は、当業者が設定した蒸着条件などによって形成することができる。前記金属は、ニッケル（Ｎｉ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される１つまたは２つ以上であっても良い。具体的には、前記暗色化層は、銅の酸化物、銅の窒化物、銅の酸窒化物、アルミニウムの酸化物、アルミニウムの窒化物またはアルミニウムの酸窒化物を含むことができる。

本出願の一実現例において、前記中間層は、金属の酸化物、金属の窒化物、金属の酸窒化物および金属の炭化物からなる群から選択される１つまたは２つ以上を含んで用いることができる。前記金属の酸化物、窒化物、酸窒化物または炭化物は、当業者が設定した蒸着条件などによって形成することができる。前記金属は、ニッケル（Ｎｉ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）および銅（Ｃｕ）からなる群から選択される１つまたは２つ以上であっても良い。具体的には、前記暗色化層は、銅の酸化物、銅の窒化物、銅の酸窒化物、アルミニウムの酸化物、アルミニウムの窒化物またはアルミニウムの酸窒化物を含むことができる。

本出願の一実現例において、前記中間層または暗色化層は、誘電性物質および金属のうち少なくとも１つを含むことができる。前記金属は金属または金属の合金であっても良い。前記誘電性物質としてはＴｉＯ_２−ｘ、ＳｉＯ_２−ｘ、ＭｇＦ_２−ｘおよびＳｉＮ_{１．３−ｘ}（−１≦ｘ≦１）などが挙げられるが、これらのみに限定されるものではない。前記金属としては鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）および銀（Ａｇ）のうちから選択される金属を含むことができ、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、チタン（Ｔｉ）、バナジウム（Ｖ）、アルミニウム（Ａｌ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）および銀（Ａｇ）のうちから選択される２以上の金属の合金であっても良いが、これらのみに限定されるものではない。

本出願の一実現例によれば、前記中間層または暗色化層は金属の酸化物、金属の窒化物、金属の酸窒化物および金属の炭化物からなる群から選択される１つまたは２つ以上を含み、前記誘電性物質および金属のうち少なくとも１つをさらに含むことができる。

本出願の一実現例において、前記誘電性物質は外部光が入射する方向から遠くなるほど次第に減少するように分布しており、前記金属および合金成分はその逆に分布していることが好ましい。この時、前記誘電性物質の含量は２０〜５０重量％、前記金属の含量は５０〜８０重量％であっても良い。前記暗色化層が合金をさらに含む場合、前記暗色化層は、誘電性物質１０〜３０重量％、金属５０〜８０重量％および合金５〜４０重量％を含むことができる。

また１つの具体的な例として、前記中間層または暗色化層は、ニッケルとバナジウムの合金、ニッケルとバナジウムの酸化物、窒化物または酸窒化物のうちいずれか１つ以上を含むことができる。この時、バナジウムは２６〜５２原子％で含まれることが好ましく、ニッケルに対するバナジウムの原子比は２６／７４〜５２／４８であることが好ましい。

また１つの具体的な例として、前記中間層または暗色化層は２以上の元素を有し、１つの元素組成比率が外光が入射する方向に応じて１００オングストローム当たりに最大約２０％ずつ増加する遷移層を含むことができる。この時、１つの元素はニッケル（Ｎｉ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、鉄（Ｆｅ）、クロム（Ｃｒ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、または銅（Ｃｕ）のような金属元素であっても良く、金属元素以外の元素は酸素、窒素または炭素であっても良い。

また１つの具体的な例として、前記中間層または暗色化層は第１酸化クロム層、金属層、第２酸化クロム層およびクロムミラーを含むことができ、この時クロムの代わりに、ニッケル（Ｎｉ）、バナジウム（Ｖ）、タングステン（Ｗ）、タンタル（Ｔａ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニオブ（Ｎｂ）、チタン（Ｔｉ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、アルミニウム（Ａｌ）および銅（Ｃｕ）のうちから選択された金属を含むことができる。前記金属層は１０〜３０ｎｍの厚さ、前記第１酸化クロム層は３５〜４１ｎｍの厚さ、前記第２酸化クロム層は３７〜４２ｎｍの厚さを有することが好ましい。

また１つの具体的な例として、前記中間層または暗色化層は、アルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）層、クロム酸化物（Ｃｒ_２Ｏ_３）層およびクロム（Ｃｒ）層の積層構造を用いることができる。ここで、前記アルミナ層は反射特性の改善および光拡散の防止特性を有し、前記クロム酸化物層は鏡面反射率を減少させてコントラスト特性を向上させることができる。

本出願の一実現例において、前記中間層の全体組成のうち金属の原子百分率が暗色化層の全体組成のうち金属の原子百分率より多い時、具体的には１倍超過２倍以下である時に伝導性層に対する１次反射率の低減効果が最も優れており、特に６００ｎｍ以上の可視光線波長領域での１次反射率の低減効果が優れる。このため、伝導性層、中間層および暗色化層を含む伝導性構造体の反射率を３００〜８００ｎｍ可視光線の全体波長領域で均一に２０％以下に下げるようにする効果がある。

本出願の一実現例において、前記伝導性層の材料は比抵抗１×１０^−６Ω・ｃｍ〜３０×１０^−６Ω・ｃｍの物質が好適であり、好ましくは１×１０^−６Ω・ｃｍ〜７×１０^−６Ω・ｃｍであっても良い。

本出願の一実現例による伝導性構造体において、前記伝導性層の材料は、金属、金属合金、金属酸化物および金属窒化物からなる群から選択される１つまたは２つ以上を含むことが好ましい。前記伝導性層の材料は、電気伝導度に優れ、エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）が容易な金属材料であるほど好ましい。但し、一般的に電気伝導度に優れた材料は反射率が高いという短所がある。しかし、本出願においては、前記暗色化層を用いることにより、反射率の高い材料を用いて伝導性層を形成することができる。本出願においては、反射率７０〜８０％以上の材料を用いる場合にも、前記暗色化層を追加することによって反射率を下げ、伝導性層の隠蔽性を向上させることができ、コントラスト特性を維持または向上させることができる。

本出願の一実現例において、前記伝導性層の材料の具体的な例としては、銅（Ｃｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、ネオジム（Ｎｄ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、その酸化物およびその窒化物からなる群から選択される１つまたは２つ以上を含むことができる。例えば、前記金属のうちから選択される２つ以上の合金であっても良い。より具体的には、モリブデン、アルミニウムまたは銅を含むことができる。前記伝導性層は単一膜または多層膜であっても良い。

本出願の一実現例において、前記伝導性層、中間層および暗色化層は同一の金属を含むことができる。同一の金属を含む場合、同一のエッチャントを用いて工程作業が可能であるので工程上の利点があり、生産速度面にも有利であるので製造過程で有利な効果がある。

本出願の一実現例において、中間層が２層以上である場合、基材、伝導性層、第１中間層、第２中間層および暗色化層の順、または伝導性層、第１中間層、第２中間層、暗色化層および基材の順に備えられることができる。この時、伝導性層に隣接した第１中間層における金属の比率が暗色化層に隣接した第２中間層における金属の比率より大きくても良い。

本出願の一実現例において、前記中間層は、金属の比率が厚さ方向に勾配を有して含まれることができる。この時、勾配は、暗色化層に隣接するほど金属の比率が大きくなり、伝導性層に隣接するほど金属の比率が小さくなるように形成されることができる。または、その逆に伝導性層に隣接するほど金属の比率が大きくなり、暗色化層に隣接するほど金属の比率が小さくなることができる。

また、中間層が２層以上である場合にも金属の比率が厚さ方向に勾配を有して含まれることができる。この時、伝導性層に隣接した第１中間層における金属の比率は伝導性層に隣接するほど金属の比率が大きくなり、暗色化層に隣接するほど金属の比率が小さくなる勾配を形成することができ、暗色化層に隣接した第２中間層における金属の比率も伝導性層に隣接するほど金属の比率が大きくなり、暗色化層に隣接するほど金属の比率が小さくなる勾配を形成することができる。また、伝導性層に隣接した第１中間層における金属の比率が暗色化層に隣接した第２中間層における金属の比率より大きくても良い。

本出願の一実現例において、前記伝導性層は銅を含み、前記中間層および暗色化層は銅の酸化物、銅の窒化物または銅の酸窒化物を含むことができる。

本出願の一実現例による伝導性構造体において、伝導性層は銅を含み、中間層および暗色化層は銅の酸化物を含み、前記中間層の全体組成のうち銅の原子百分率は暗色化層の全体組成のうち銅の原子百分率より１．０１倍〜１．６２倍であっても良い。

より具体的には、前記伝導性層は銅を含み、前記中間層は銅：酸素の原子百分率（Ａｏｍｉｃ ｐｅｒｃｅｎｔ）の比が９５：５〜９７：３である銅の酸化物を含み、前記暗色化層は銅：酸素の原子百分率比が６０：３９〜９４：６である銅の酸化物を含むことができる。中間層と暗色化層がいずれも銅酸化物である場合、前記範囲の原子百分率比を有すれば、伝導性層に対する１次反射率の低減効果が最も優れ、特に６００ｎｍ以上の可視光線波長領域での１次反射率の低減効果が優れる。このため、伝導性層、中間層および暗色化層を含む伝導性構造体の反射率を３００〜８００ｎｍ可視光線の全体波長領域で均一に２０％以下に下げるようにする効果がある。

本出願の一実現例による伝導性構造体において、伝導性層は銅を含み、中間層および暗色化層は銅の酸化物を含む時、前記中間層は厚さ方向に暗色化層に隣接するほど銅の原子百分率の比率が小さくなる勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有し、前記中間層において銅：酸素の平均原子百分率（Ａｏｍｉｃ ｐｅｒｃｅｎｔ）比が９５：５〜９７：３であっても良い。この時、勾配の範囲は伝導性層の銅比率〜暗色化層の銅比率の範囲で存在することができる。

本出願の一実現例において、前記伝導性層はアルミニウムを含み、前記中間層および暗色化層はアルミニウムの酸化物、アルミニウムの窒化物またはアルミニウムの酸窒化物を含むことができる。具体的には、前記伝導性層はアルミニウムを含み、前記中間層は全体組成のうち窒素の原子百分率（Ａｏｍｉｃ ｐｅｒｃｅｎｔ）が０％超過２０％未満であるアルミニウムの酸窒化物を含み、前記暗色化層は全体組成のうち窒素の原子百分率（Ａｏｍｉｃ ｐｅｒｃｅｎｔ）が２０％以上４５％以下であるアルミニウムの酸窒化物を含むことができる。

例えば、伝導性層が銅を含む場合、中間層と暗色化層がＣｕＯｘ（ｘはＣｕ１原子に対するＯの原子数の比、０＜ｘ）を含めば、一括エッチングが可能となり、生産工程において、効率が高く、費用が節減され、経済的な長所がある。また、銅は比抵抗値が１．７×１０^−６Ω・ｃｍであるため、比抵抗値が２．８×１０^−６Ω・ｃｍであるＡｌより有利である。したがって、０Ω／□超過２Ω／□以下、好ましくは０Ω／□超過０．７Ω／□以下のシート抵抗値を満たすために伝導性層の厚さをＡｌよりも薄く形成できるという長所がある。前記シート抵抗は伝導性層の厚さに応じて調節されることができる。例えば、シート抵抗が０．６〜０．７Ω／□を満たすために、Ａｌの場合は８０〜９０ｎｍを形成しなければならないが、Ｃｕの場合は５５〜６５ｎｍを形成しなければならないため、層の厚さをさらに薄く形成できるので経済的である。また、ＣｕがＡｌよりスパッタリング工程で２．５倍程度の優れた収率を有するため、理論的に４〜５倍の蒸着速度の向上が期待できる。したがって、Ｃｕを含む伝導性層は、生産工程において、効率が高く、経済的であるために優れた長所がある。

本出願の一実現例において、前記中間層の厚さは５ｎｍ〜５０ｎｍであっても良い。前記中間層は、エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）特性を考慮すれば、厚さが５ｎｍ以上であれば、工程調節が比較的に容易であり、５０ｎｍ以下であれば、生産速度の面で比較的に有利である。

中間層が銅の酸化物を含む場合、前記中間層の厚さは具体的には８ｎｍ〜３０ｎｍであっても良く、より具体的には１５ｎｍ〜２５ｎｍであっても良い。８ｎｍ〜３０ｎｍ範囲の厚さである時、６００ｎｍ以上の可視光線波長領域で伝導性層の反射率において２０％〜６０％の１次反射率の低減効果があるため、伝導性層、中間層および暗色化層を含む伝導性構造体の反射率を３００〜８００ｎｍ可視光線の全体波長領域で均一に２０％以下に下げるようにする効果がある。また、１５ｎｍ〜２５ｎｍ範囲の厚さである時、６００ｎｍ以上の可視光線波長領域で伝導性層の反射率において５０〜６０％の１次反射率の低減効果があってより優れた効果があるため、伝導性層、中間層および暗色化層を含む伝導性構造体の反射率を３００〜８００ｎｍ可視光線の全体波長領域で均一に１５％以下に下げるようにする効果がある。

中間層がアルミニウムの酸窒化物を含む場合、前記中間層の厚さは具体的には１０ｎｍ〜４０ｎｍであっても良く、より具体的には２０ｎｍ〜３０ｎｍであっても良い。１０ｎｍ〜４０ｎｍの厚さである時、５００ｎｍ以下の可視光線波長領域で伝導性層の反射率において１０％〜４０％の１次反射率の低減効果があるため、伝導性層、中間層および暗色化層を含む伝導性構造体の反射率を３００〜８００ｎｍ可視光線の全体波長領域で均一に２０％以下に下げるようにする効果がある。また、２０ｎｍ〜３０ｎｍ範囲の厚さである時、５００ｎｍ以下の可視光線波長領域で伝導性層の反射率において３０〜４０％の１次反射率の低減効果があってより優れた効果があるため、伝導性層、中間層および暗色化層を含む伝導性構造体の反射率を３００〜８００ｎｍ可視光線の全体波長領域でより反射率を下げるようにする効果がある。

本出願の一実現例において、前記暗色化層の厚さは２０ｎｍ〜１５０ｎｍであっても良い。具体的には２０ｎｍ〜１００ｎｍ、より具体的には４０ｎｍ〜８０ｎｍまたは４０ｎｍ〜６０ｎｍであっても良い。前記暗色化層は用いる材料の屈折率および製造工程に応じて好ましい厚さが異なるが、エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）特性を考慮すれば、厚さが２０ｎｍ以上であれば工程調節が比較的に容易であり、１５０ｎｍ以下であれば生産速度の面で比較的に有利である。前記厚さ範囲で、工程の調節が容易であり、生産速度が改善されるため、製造工程でより有利である。２０ｎｍ〜１００ｎｍ範囲においては、３００〜８００ｎｍの全体可視光線波長領域内で平均反射率が１５％〜２０％以下であっても良い。４０ｎｍ〜８０ｎｍまたは４０ｎｍ〜６０ｎｍ範囲においては、３００〜８００ｎｍの全体可視光線波長領域内で平均反射率が１０〜１５％以下であることができるため、暗色化層の形成により有利である。

本出願の一実現例において、前記伝導性層の厚さは特に限定されないが、０．０１μｍ〜１０μｍであることが伝導性層の伝導度およびパターン形成工程の経済性の面により優れた効果を示すことができる。

本出願の一実現例において、前記暗色化層は中間層を間に置いて前記伝導性層のいずれか１つの面にのみ備えられても良く、両面の全てに備えられても良い。ここで、前記暗色化層は前記伝導性層と同一形状のパターンを有することができる。但し、前記パターン化された暗色化層のパターン規模が前記パターン化された伝導性層と完全に同一である必要はなく、パターン化された暗色化層の線幅がパターン化された伝導性層の線幅に比べて狭いか広い場合も本出願の範囲に含まれる。具体的には、前記パターン化された暗色化層におけるパターンの線幅は、前記パターン化された伝導性層におけるパターンの線幅の８０％〜１２０％であっても良い。

本出願の一実現例において、前記パターン化された暗色化層は、前記パターン化された伝導性層の線幅に比べて小さいか大きい線幅を有するパターン形状を有することができる。例えば、前記パターン化された暗色化層は、前記パターン化された伝導性層が備えられた面積の８０％〜１２０％の面積を有することができる。

本出願の一実現例において、前記暗色化層のパターンは、伝導性層のパターンの線幅と同一であるか大きい線幅を有するパターン形状であることが好ましい。

前記パターン化された暗色化層が前記パターン化された伝導性層の線幅より大きい線幅を有するパターン形状を有する場合、使用者が見る時、パターン化された暗色化層がパターン化された伝導性層を遮る効果をより大きく付与することができるため、パターン化された伝導性層自体の光沢や反射による効果を効率的に遮断できるという長所がある。しかし、前記パターン化された暗色化層の線幅が前記パターン化された伝導性層の線幅と同一であっても本出願が目的とする効果を達成することができる。

前記中間層も前記伝導性層と同一形状のパターンを有することができる。但し、前記パターン化された中間層のパターン規模が前記パターン化された伝導性層と完全に同一である必要はなく、パターン化された中間層の線幅がパターン化された伝導性層の線幅に比べて狭いか広い場合も本出願の範囲に含まれる。具体的には、前記パターン化された暗色化層におけるパターンの線幅は、前記パターン化された伝導性層におけるパターンの線幅の８０％〜１２０％であっても良い。

本出願の一実現例において、前記パターン化された中間層は、前記パターン化された伝導性層の線幅に比べて小さいか大きい線幅を有するパターン形状を有することができる。例えば、前記パターン化された中間層は、前記パターン化された伝導性層が備えられた面積の８０％〜１２０％の面積を有することができる。

本出願の一実現例において、前記中間層のパターンは、伝導性層のパターンの線幅と同一であるか大きい線幅を有するパターン形状であることが好ましい。

前記パターン化された中間層が前記パターン化された伝導性層の線幅より大きい線幅を有するパターン形状を有する場合、使用者が見る時、パターン化された中間層がパターン化された伝導性層を遮る効果をより大きく付与することができるため、パターン化された伝導性層自体の光沢や反射による効果を効率的に遮断できるという長所がある。しかし、前記パターン化された中間層の線幅が前記パターン化された伝導性層の線幅と同一であっても本出願が目的とする効果を達成することができる。

本出願の一実現例による伝導性構造体において、前記基材としては透明基板を用いることができるが、特に限定されず、例えば、ガラス、プラスチック基板、プラスチックフィルムなどを用いることができる。

本出願の一実現例において、前記パターン化された伝導性層におけるパターンの線幅は０μｍ超過１０μｍ以下であっても良く、具体的には０．１μｍ以上１０μｍ以下であっても良く、より具体的には０．２μｍ以上８μｍ以下であっても良く、さらに具体的には０．５μｍ以上５μｍ以下であっても良い。

本出願の一実現例において、前記パターン化された伝導性層の開口率、すなわちパターンによって覆われない面積比率は７０％以上であっても良く、８５％以上であっても良く、９５％以上であっても良い。また、前記パターン化された伝導性層の開口率は９０〜９９．９％であっても良いが、これのみに限定されるものではない。

本出願の一実現例において、前記パターン化された伝導性層のパターンは規則的なパターンであっても良く、不規則的なパターンであっても良い。

前記規則的なパターンとしてはメッシュパターンなど当技術分野のパターン形状が用いられることができる。前記不規則的なパターンとしては特に限定されないが、ボロノイ図をなす図形の境界線の形態であっても良い。本出願において、不規則的なパターンとパターン化された暗色化層を共に用いる場合、不規則的なパターンによって指向性のある照明による反射光の回折パターンを除去することもでき、パターン化された暗色化層によって光の散乱による影響を最小化することができるため、視認性における問題点を最小化することができる。

本出願の一実現例による伝導性構造体の例を図１〜図３に例示する。図１〜図３は基材、伝導性層および暗色化層の積層順を例示するためのものであり、前記伝導性層および前記暗色化層は実際にタッチスクリーンパネルなどの微細透明電極の用途として適用する時、全面層ではなくパターン形状であっても良い。

図１によれば、基材１００、暗色化層２００、中間層４００、伝導性層３００の順に配置された場合を例示したものである。これは、使用者が基材側からタッチスクリーンパネルを見る場合に伝導性層による反射率を大幅に減少させることができる。

図２によれば、基材１００、伝導性層３００、中間層４００、暗色化層２００の順に配置された場合を例示したものである。これは、使用者が基材側の反対面からタッチスクリーンパネルを見る場合に伝導性層による反射率を大幅に減少させることができる。

図３によれば、前記暗色化層２００，２２０が前記基材１００と前記伝導性層３００との間と、前記伝導性層３００上にいずれも配置された場合であり、中間層４００，４２０が暗色化層と伝導性層との間に配置された場合を例示したものである。これは、使用者がタッチスクリーンパネルを基材側から見る場合とその反対側から見る場合にいずれも伝導性層による反射率を大幅に減少させることができる。

図１〜図３の説明において、伝導性層はパターン化された伝導性層であっても良く、暗色化層はパターン化された暗色化層であっても良く、中間層はパターン化された中間層であっても良い。

本出願の一実現例による伝導性構造体の構造は、暗色化層が伝導性層の少なくとも一面に備えられたものであっても良い。

本出願の一実現例による伝導性構造体の構造は、基材、暗色化層、伝導性層および暗色化層が順次積層された構造であっても良い。また、前記伝導性構造体は、最外郭の暗色化層上に追加の伝導性層および暗色化層を含むことができる。この構成に少なくとも１つの中間層がさらに含まれることができる。下記構造の例示中に中間層は１層であっても良く、２層以上であっても良い。

すなわち、本出願の一実現例による伝導性構造体の構造は、基材／暗色化層／中間層／伝導性層の構造、基材／伝導性層／中間層／暗色化層の構造、基材／暗色化層／中間層／伝導性層／中間層／暗色化層の構造、基材／伝導性層／中間層／暗色化層／中間層／伝導性層の構造、基材／暗色化層／中間層／伝導性層／中間層／暗色化層／中間層／伝導性層／中間層／暗色化層の構造、基材／暗色化層／中間層／伝導性層／中間層／暗色化層／中間層／伝導性層／中間層／暗色化層／中間層／伝導性層／中間層／暗色化層の構造などであっても良い。前記構造において、中間層は１層の場合だけでなく２層以上の場合を含むことができる。例えば、基材／暗色化層／中間層／伝導性層の構造の場合、基材／暗色化層／第１中間層／第２中間層／伝導性層の構造、基材／暗色化層／第１中間層／第２中間層／第３中間層／伝導性層の構造なども含むことができる。

前記説明において、伝導性層はパターン化された伝導性層であっても良く、暗色化層はパターン化された暗色化層であっても良く、中間層はパターン化された中間層であっても良い。

本出願の一実現例による伝導性構造体の製造方法は、伝導性層上に中間層を形成するステップ、前記中間層上に暗色化層を形成するステップ、および前記伝導性層または暗色化層と基材をラミネーションするステップを含むことができる。前記製造方法は、伝導性層および暗色化層を各々または同時にパターニングするステップをさらに含むことができる。

本出願の一実現例による伝導性構造体の製造方法は、基材上に伝導性層を形成するステップ、前記伝導性層上に少なくとも１つの中間層を形成するステップ、および前記中間層上に暗色化層を形成するステップを含むことができる。前記製造方法は、伝導性層、中間層および暗色化層を各々または同時にパターニングするステップをさらに含むことができる。具体的には、伝導性層を形成した後に伝導性層をパターニングし、中間層を形成した後に中間層をパターニングし、暗色化層を形成した後に暗色化層をパターニングすることができる。また、具体的には、暗色化層を形成するステップ後に伝導性層、中間層および暗色化層を同時にパターニングすることもできる。

本出願の一実現例による伝導性構造体の製造方法は、基材上に暗色化層を形成するステップ、前記暗色化層上に少なくとも１つの中間層を形成するステップ、および前記中間層上に伝導性層を形成するステップを含むことができる。前記製造方法は、暗色化層、中間層および伝導性層を各々または同時にパターニングするステップをさらに含むことができる。具体的には、暗色化層を形成した後に暗色化層をパターニングし、中間層を形成した後に中間層をパターニングし、伝導性層を形成した後に伝導性層をパターニングすることができる。また、具体的には、伝導性層を形成するステップ後に伝導性層、中間層および暗色化層を同時にパターニングすることもできる。

本出願の一実現例において、前記伝導性構造体の製造方法は、基材上に暗色化層を形成するステップ、前記暗色化層上に少なくとも１つの中間層を形成するステップ、前記中間層上に伝導性層を形成するステップ、前記伝導性層上に少なくとも１つの中間層を形成するステップ、および前記中間層上に暗色化層を形成するステップを含むことができる。前記製造方法は、暗色化層、中間層および伝導性層を各々または同時にパターニングすることを含むことができる。

前記伝導性構造体の製造方法において、中間層、パターン化する前の伝導性層または暗色化層のシート抵抗は０Ω／□超過２Ω／□以下、好ましくは０Ω／□超過０．７Ω／□以下であっても良い。前記シート抵抗が２Ω／□以下であれば、特に０．７Ω／□以下であれば、パターニング前の伝導性層または暗色化層のシート抵抗が低いほど、微細パターニングの設計および製造工程が容易に行われ、パターニング後の伝導性構造体のシート抵抗が下がって電極の反応速度を迅速にする効果がある。

本出願の一実現例による伝導性構造体の製造方法は、基材上にパターン化された伝導性層を形成するステップ、前記パターン化された伝導性層上に少なくとも１つのパターン化された中間層を形成するステップ、および前記パターン化された中間層上にパターン化された暗色化層を形成するステップを含むことができる。

本出願の一実現例による伝導性構造体の製造方法は、基材上にパターン化された暗色化層を形成するステップ、前記パターン化された暗色化層上に少なくとも１つのパターン化された中間層を形成するステップ、および前記パターン化された中間層上にパターン化された伝導性層を形成するステップを含むことができる。

本出願の一実現例において、前記伝導性構造体の製造方法は、基材上にパターン化された暗色化層を形成するステップ、前記パターン化された暗色化層上に少なくとも１つのパターン化された中間層を形成するステップ、前記パターン化された中間層上にパターン化された伝導性層を形成するステップ、前記パターン化された伝導性層上に少なくとも１つのパターン化された中間層を形成するステップ、および前記パターン化された中間層上にパターン化された暗色化層を形成するステップを含むことができる。

前記伝導性構造体の製造方法において、伝導性構造体、伝導性層、中間層、暗色化層に関する説明は上述した通りである。

本出願の一実現例において、前記パターン化された中間層を形成するステップ、中間層を形成するステップ、パターン化された暗色化層を形成するステップ、または暗色化層を形成するステップにおいて、パターン化された中間層、中間層、パターン化された暗色化層または暗色化層の形成は当技術分野で周知の方法を利用することができる。例えば、蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、湿式コーティング、蒸発、電解メッキまたは無電解メッキ、金属箔のラミネーションなどの方法によって形成することができ、具体的にはスパッタリング法によって形成することができる。

例えば、中間層と暗色化層の形成時にＡｌＯｘＮｙ（ｘおよびｙはＡｌ１原子に対する各々のＯおよびＮの原子数の比）のようにＡｌ金属ターゲットを用いて反応性スパッタリング（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法を利用すれば、Ｏ_２および／またはＮ_２のような反応性ガスの分圧調節で工程を行うことができる。

例えば、Ｃｕを含む伝導性層と銅の酸化物であるＣｕＯｘ（ｘはＣｕ１原子に対するＯの原子数の比）を含む中間層と暗色化層を形成する場合、スパッタリングガス（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ ｇａｓ）として不活性気体、例えば、Ａｒのような気体を用いる場合、銅の酸化物単一物質スパッタリングターゲット（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ ｔａｒｇｅｔ）を用いることによって得るという長所がある。そこで、銅の酸化物単一物質ターゲットを用いるため、反応性ガスの分圧調節が必要ないので工程調節が比較的に容易であり、最終伝導性構造体の形成においてもＣｕエッチャントを用いて一括エッチングが可能であるという長所を有する。または、Ｃｕを含む伝導性層と銅の酸化物を含む中間層と暗色化層を形成する場合にも、Ｃｕ金属ターゲットを用いて反応性スパッタリング（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）方法を利用すれば、Ｏ_２のような反応性ガスの分圧調節で工程を行うこともできる。

本出願の一実現例において、前記パターン化された伝導性層の形成方法は特に限定されず、パターン化された伝導性層を直接印刷方法によって形成することもでき、伝導性層を形成した後にこれをパターン化する方法を利用することができる。

本出願の一実現例において、前記パターン化された伝導性層を印刷方法によって形成する場合、伝導性材料のインクまたはペーストを用いることができ、前記ペーストは伝導性材料以外にバインダー樹脂、溶媒、ガラスフリットなどをさらに含むこともできる。

伝導性層を形成した後にこれをパターン化する場合、エッチングレジスト（Ｅｔｃｈｉｎｇ ｒｅｓｉｓｔ）特性を有する材料を用いることができる。

本出願の一実現例において、前記伝導性層は、蒸着（ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）、スパッタリング（ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）、湿式コーティング、蒸発、電解メッキまたは無電解メッキ、金属箔のラミネーションなどの方法によって形成することができる。前記伝導性層の形成方法として、有機金属、ナノ金属またはこれらの複合体溶液を基板上にコーティングした後、焼成および／または乾燥によって伝導度を与える方法を利用することもできる。前記有機金属としては有機銀を用いることができ、前記ナノ金属としてはナノ銀粒子などを用いることができる。

本出願の一実現例において、前記伝導性層のパターン化は、エッチングレジストパターンを用いた方法を利用することができる。エッチングレジストパターンは、印刷法、フォトリソグラフィ法、フォトグラフィ法、マスクを用いた方法またはレーザー転写、例えば、熱転写イメージング（ｔｈｅｒｍａｌ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｉｍａｇｉｎｇ）などを用いて形成することができ、印刷法またはフォトリソグラフィ法がより好ましいが、これらのみに限定されるものではない。前記エッチングレジストパターンを用いて前記伝導性薄膜層をエッチングしてパターニングし、前記エッチングレジストパターンはストリップ（ｓｔｒｉｐ）工程によって容易に除去することができる。

本出願の一実現例は前記伝導性構造体を含むタッチスクリーンパネルを提供する。例えば、静電容量式タッチスクリーンパネルにおいて、前記本出願の一実現例による伝導性構造体はタッチセンサー式の電極基板として用いられることができる。

本出願の一実現例は前記タッチスクリーンパネルを含むディスプレイ装置を提供する。

本出願の一実現例によるタッチスクリーンパネルは、前述した基材、パターン化された伝導性層およびパターン化された暗色化層を含む伝導性構造体以外に追加の構造体をさらに含むことができる。この場合、２個の構造体が互いに同じ方向に配置されても良く、２個の構造体が互いに反対方向に配置されても良い。本出願のタッチスクリーンパネルに含まれる２個以上の構造体は同一の構造である必要はなく、いずれか１つ、好ましくは使用者に最も近い側の構造体だけが前述した基材、パターン化された伝導性層およびパターン化された暗色化層を含むものであっても良く、追加で含まれる構造体はパターン化された暗色化層を含まなくても良い。また、２個以上の構造体内の層積層構造が互いに異なっても良い。２個以上の構造体が含まれる場合、これらの間には絶縁層が備えられることができる。この時、絶縁層は粘着層の機能がさらに付与されることもできる。

本出願の一実現例によるタッチスクリーンパネルは、下部基材；上部基材；および前記下部基材の上部基材に接する面および前記上部基材の下部基材に接する面のうちいずれか１つの面または両面に備えられた電極層を含むことができる。前記電極層は、各々、Ｘ軸位置検出およびＹ軸位置検出機能を行うことができる。

この時、前記下部基材および前記下部基材の上部基材に接する面に備えられた電極層；および前記上部基材および前記上部基材の下部基材に接する面に備えられた電極層のうちの１つまたは２つの全てが前述した本出願の一実現例による伝導性構造体であっても良い。前記電極層のうちいずれか１つだけが本出願による伝導性構造体である場合、残りの他の１つは当技術分野で周知の伝導性パターンを有しても良い。

前記上部基材と前記下部基材の全ての一面に電極層が備えられて２層の電極層が形成される場合、前記電極層の間隔を一定に維持し、接続が生じないように前記下部基材と上部基材との間に絶縁層またはスペーサが備えられることができる。前記絶縁層は、粘着剤またはＵＶあるいは熱硬化性樹脂を含むことができる。前記タッチスクリーンパネルは、前述した伝導性構造体中の伝導性層のパターンと連結された接地部をさらに含むことができる。例えば、前記接地部は、前記基材の伝導性層のパターンが形成された面の縁部に形成されることができる。また、前記伝導性構造体を含む積層材の少なくとも一面には、反射防止フィルム、偏光フィルムおよび耐指紋フィルムのうち少なくとも１つが備えられることができる。設計仕様に応じ、前述した機能性フィルム以外に他種類の機能性フィルムをさらに含むこともできる。前記のようなタッチスクリーンパネルは、ＯＬＥＤディスプレイパネル（ＯＬＥＤ Ｄｉｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）、液晶ディスプレイ（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ、ＬＣＤ）および陰極線管（Ｃａｔｈｏｄｅ−Ｒａｙ Ｔｕｂｅ、ＣＲＴ）、ＰＤＰのようなディスプレイ装置に適用されることができる。

本出願の一実現例によるタッチスクリーンパネルにおいて、前記基材の両面に各々パターン化された伝導性層およびパターン化された暗色化層が備えられることができる。

本出願の一実現例によるタッチスクリーンパネルは前記伝導性構造体上に電極部またはパッド部をさらに含むことができ、この時、有効画面部と電極部およびパッド部は同一の伝導体で構成されることができる。

本出願の一実現例によるタッチスクリーンパネルにおいて、前記パターン化された暗色化層は使用者が見る側に備えられることができる。

本出願の一実現例は前記伝導性構造体を含むディスプレイ装置を提供する。前記ディスプレイ装置において、カラーフィルタ基板または薄膜トランジスタ基板などに本出願の一実現例による伝導性構造体が用いられることができる。

本出願の一実現例は前記伝導性構造体を含む太陽電池を提供する。例えば、太陽電池はアノード電極、カソード電極、光活性層、正孔輸送層および／または電子輸送層を含むことができ、本出願の一実現例による伝導性構造体は前記アノード電極および／またはカソード電極として用いられることができる。

前記伝導性構造体はディスプレイ装置または太陽電池において従来のＩＴＯを代替することができ、フレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）可能な用途として活用することができる。また、ＣＮＴ、伝導性高分子、グラフェン（Ｇｒａｐｈｅｎｅ）などと共に次世代透明電極として活用することができる。

以下、実施例、比較例および実験例を通じて本出願をより詳細に説明する。但し、以下の実施例は本出願を例示するためのものであって、これらによって本出願の範囲が限定されるものではない。

＜実験例１＞
伝導性層である厚さ１００ｎｍのＣｕ電極上に反応性スパッタリング法（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）によってＣｕＯｘ（０＜ｘ、ＣｕとＯの原子百分率比は９５：５）の厚さを異ならせて中間層を蒸着した後、中間層表面でのシート抵抗を測定した。この時、シート抵抗値は下記表１に示す。

前記表１から、伝導性層である銅電極のシート抵抗値と中間層を蒸着した後の中間層表面のシート抵抗値の差がなく、中間層が下部電極のシート抵抗値を損失させないことを確認することができた。

また、中間層の厚さに応じた可視光線領域波長の反射率を図４に示す。

＜実験例２＞
伝導性層である厚さ８０ｎｍのＡｌ電極上に反応性スパッタリング法（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）によってＡｌＯｘＮｙ（０＜ｘ、０＜ｙ＜０．３）の厚さを異ならせて中間層を蒸着した。この中間層の厚さに応じた３００ｎｍ〜８００ｎｍ可視光線領域波長の反射率を図５に示す。中間層を含むことで５００ｎｍ以下の短波長領域での波長において反射率が減少したことを確認することができた。

＜実施例１〜４＞
伝導性層である厚さ１００ｎｍのＣｕ電極上に反応性スパッタリング法（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）によってＣｕＯｘ（０＜ｘ、ＣｕとＯの原子百分率比は９５：５）を１５ｎｍ厚さで中間層を蒸着した後、中間層上にＣｕＯｘ（０＜ｘ、ＣｕとＯの原子百分率比は６０：４０）を厚さ４３ｎｍ（実施例１）、５４ｎｍ（実施例２）、５４ｎｍ（実施例３）、７５ｎｍ（実施例４）で暗色化層を蒸着して伝導性構造体を製造した。実施例１〜４の可視光線領域波長の反射率を測定して図６に示す。図６から、実施例１〜４は３００〜８００ｎｍ可視光線の全体波長領域で平均反射率が２０％以下であることを確認することができる。

＜実施例５〜６＞
伝導性層である厚さ１００ｎｍのＣｕ電極上に反応性スパッタリング法（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）によってＣｕＯｘ（０＜ｘ、ＣｕとＯの原子百分率比は９５：５）を厚さ８ｎｍ（実施例５）、２５ｎｍ（実施例６）で中間層を蒸着した後、中間層上にＣｕＯｘ（０＜ｘ、ＣｕとＯの原子百分率比は６０：４０）を６５ｎｍ厚さで暗色化層を蒸着して伝導性構造体を製造した。実施例５、６の可視光線領域波長の反射率を測定し、実施例４、比較例１と共に図７に示す。図７から、実施例５〜６は３００〜８００ｎｍ可視光線の全体波長領域で平均反射率が２０％以下であることを確認することができる。比較例１と実施例４〜６を比較してみれば、中間層を含む伝導性構造体は６００ｎｍ以上の長波長領域での反射率が顕著に減少したことを確認することができる。

＜比較例１〜４＞
伝導性層である厚さ１００ｎｍのＣｕ電極上に反応性スパッタリング法（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）によって伝導性層上にＣｕＯｘ（０＜ｘ、ＣｕとＯの原子百分率比は６０：４０）を厚さ６５ｎｍ（比較例１）、４３ｎｍ（比較例２）、５４ｎｍ（比較例３）、７５ｎｍ（比較例４）で暗色化層を蒸着して伝導性構造体を製造した。比較例１〜４の可視光線領域波長の反射率を測定して図８に示す。

＜実施例７＞
実施例３の伝導性構造体をガラス基材と光学透明接着剤（Ｏｐｔｉｃａｌ ｃｌｅａｒ ａｄｈｅｓｉｖｅ：ＯＣＡ）でラミネーションして実施例７の伝導性構造体を製造した。実施例３と実施例７の可視光線領域波長の反射率を図９に示す。

図９から、基材をラミネーションした後、長波長である赤色領域の反射率が多少上昇したが、６００ｎｍ以下の波長領域では反射率が多少減少して平均１０％程度の反射率が確認された。したがって、この伝導性構造体をタッチスクリーンパネル、ディスプレイ装置または太陽電池などに適用した時に優れた視認性を有することができる。

＜比較例５＞
比較例１の伝導性構造体をガラス基材と光学透明接着剤（Ｏｐｔｉｃａｌ ｃｌｅａｒ ａｄｈｅｓｉｖｅ：ＯＣＡ）でラミネーションして比較例５の伝導性構造体を製造した。比較例１と比較例５の可視光線領域波長の反射率を図１０に示す。

図１０から、基材をラミネーションした後、スペクトルが短波長である青色領域の強度が減少し、長波長である赤色領域の強度が増加し、その結果、赤色を帯びたサンプルが観察された。

＜実験例３＞エッチング時間に応じた元素成分比の分析
下記表２は、Ｘ線光電子分光法（Ｘ−ｒａｙ Ｐｈｏｔｏｅｌｅｃｔｒｏｎ Ｓｐｅｃｔｒｏｓｃｏｐｙ：ＸＰＳ）によって測定した暗色化層、中間層および伝導性層であるＣｕ電極層の組成比率プロファイル（ｄｅｐｔｈ ｐｒｏｆｉｌｅ）として、エッチング時間に応じた各層の原子百分率（Ａｔｏｍｉｃ ｐｅｒｃｅｎｔ）成分比を示すものである。下記表２から、暗色化層は銅：酸素の原子百分率比が６０：３９〜９４：６であり、中間層は銅：酸素の原子百分率（Ａｏｍｉｃ ｐｅｒｃｅｎｔ）比が９５：５〜９７：３であることを確認することができる。また、暗色化層、中間層および伝導性層に応じた原子百分率（Ａｔｏｍｉｃ ｐｅｒｃｅｎｔ）を図１１に示す。

＜実施例８〜１２＞
伝導性層である厚さ８０ｎｍのＡｌ電極上に反応性スパッタリング法（ｒｅａｃｔｉｖｅ ｓｐｕｔｔｅｒｉｎｇ）によってＡｌＯｘＮｙ（０＜ｘ、０＜ｙ＜０．３）を３０ｎｍ厚さで中間層を蒸着した後、中間層上にＡｌＯｘＮｙ（０＜ｘ、０．３≦ｙ＜１）を厚さ４０ｎｍ（実施例８）、５０ｎｍ（実施例９）、６０ｎｍ（実施例１０）、７０ｎｍ（実施例１１）、８０ｎｍ（実施例１２）で暗色化層を蒸着して伝導性構造体を製造した。

実施例８〜１２の可視光線領域波長の反射率を測定して図１２に示す。図１２から、実施例８〜１２は３００〜８００ｎｍ可視光線の全体波長領域で平均反射率が２０％以下であることを確認することができ、実施例８〜１０は３００〜８００ｎｍ可視光線の全体波長領域で平均反射率１０％以下であることを確認することができる。

本出願が属した分野で通常の知識を有した者であれば、上記内容に基づいて本出願の範疇内で様々な応用および変形を行うことができるであろう。

以上、本出願の特定部分を詳細に記述したが、当業界の通常の知識を有する者にとってこのような具体的な記述は単に好ましい実現例に過ぎず、それに本出願の範囲が制限されないことは明らかである。したがって、本出願の実質的な範囲は添付された請求項とその等価物によって定義されるといえる。

１００ ・・・基材
２００、２２０ ・・・暗色化層
３００ ・・・伝導性層
４００、４２０ ・・・中間層

Claims (35)

1. 基材、
   伝導性層、
   少なくとも１つの中間層、および
   暗色化層を含み、
   （ｉ）前記伝導性層は銅を含み、
   前記中間層および前記暗色化層は銅の酸化物を含み、
   前記中間層の全体組成のうち銅の原子百分率は前記暗色化層の全体組成のうち銅の原子百分率より１．０１倍〜１．６２倍である、
   または、
   （ｉｉ）前記伝導性層はアルミニウムを含み、
   前記中間層は全体組成のうち窒素の原子百分率（Ａｏｍｉｃ ｐｅｒｃｅｎｔ）が０％超過２０％未満であるアルミニウムの酸窒化物を含み、
   前記暗色化層は全体組成のうち窒素の原子百分率（Ａｏｍｉｃ ｐｅｒｃｅｎｔ）が２０％以上４５％以下であるアルミニウムの酸窒化物を含む
   伝導性構造体。
2. 前記伝導性層は前記基材と前記暗色化層との間に備えられ、
   前記少なくとも１つの中間層は前記伝導性層と前記暗色化層との間に備えられる請求項１に記載の伝導性構造体。
3. 前記暗色化層は前記基材と前記伝導性層との間に備えられ、
   前記少なくとも１つの中間層は前記伝導性層と前記暗色化層との間に備えられる請求項１に記載の伝導性構造体。
4. 前記伝導性構造体の全反射率が２０％以下である請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の伝導性構造体。
5. 前記伝導性構造体の全反射率が１５％以下である請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の伝導性構造体。
6. 前記伝導性構造体の全反射率が１０％以下である請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の伝導性構造体。
7. 前記伝導性層、前記中間層または前記暗色化層のシート抵抗は０Ω／□超過１０Ω／□以下である請求項１から請求項６のいずれか一項に記載の伝導性構造体。
8. 前記暗色化層の消滅係数ｋは０．２以上２．５以下である請求項１から請求項７のいずれか一項に記載の伝導性構造体。
9. 前記中間層および前記暗色化層は各々独立して金属の酸化物、金属の窒化物、金属の酸窒化物および金属の炭化物からなる群から選択される１つまたは２つ以上を含み、
   前記中間層の全体組成のうち金属の原子百分率は前記暗色化層の全体組成のうち金属の原子百分率より１倍超過２倍以下である請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の伝導性構造体。
10. 前記金属は、Ｎｉ、Ｖ、Ｗ、Ｔａ、Ｍｏ、Ｎｂ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｃｒ、Ｃｏ、ＡｌおよびＣｕからなる群から選択される１つまたは２つ以上である請求項９に記載の伝導性構造体。
11. 前記中間層または前記暗色化層は、誘電性物質および金属のうち少なくとも１つを含む請求項１から請求項１０のいずれか一項に記載の伝導性構造体。
12. 前記誘電性物質はＴｉＯ_２−ｘ、ＳｉＯ_２−ｘ、ＭｇＦ_２−ｘおよびＳｉＮ_{１．３−ｘ}（−１≦ｘ≦１）からなる群から選択されるものであり、
    前記金属はＦｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌ、Ｍｏ、Ｃｕ、ＡｕおよびＡｇからなる群から選択される１つまたは２つ以上の合金である請求項１１に記載の伝導性構造体。
13. 前記伝導性層は金属、金属合金、金属酸化物および金属窒化物からなる群から選択される１つ以上の物質を含み、
    前記物質は比抵抗が１×１０^−６Ω・ｃｍ〜３０×１０^−６Ω・ｃｍである請求項１から請求項１２のいずれか一項に記載の伝導性構造体。
14. 前記伝導性層は、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ｎｄ、Ｍｏ、Ｎｉ、その酸化物およびその窒化物からなる群から選択される１つまたは２つ以上を含む請求項１から請求項１３のいずれか一項に記載の伝導性構造体。
15. 前記暗色化層、前記中間層および前記伝導性層は同一の金属を含む請求項１から請求項１４のいずれか一項に記載の伝導性構造体。
16. 前記伝導性層は銅を含み、
    前記中間層は銅：酸素の原子百分率（Ａｏｍｉｃ ｐｅｒｃｅｎｔ）比が９５：５〜９７：３である銅の酸化物を含み、
    前記暗色化層は銅：酸素の原子百分率比が６０：３９〜９４：６である銅の酸化物を含む請求項１から請求項１５のいずれか一項に記載の伝導性構造体。
17. 前記伝導性層は銅を含み、
    前記中間層および前記暗色化層は銅の酸化物を含み、
    前記中間層の全体組成のうち銅の原子百分率は厚さ方向に前記暗色化層に隣接するほど小さくなる勾配（ｇｒａｄｉｅｎｔ）を有し、
    前記中間層において銅：酸素の平均原子百分率（Ａｏｍｉｃ ｐｅｒｃｅｎｔ）比が９５：５〜９７：３であり、
    前記暗色化層において銅：酸素の原子百分率比が６０：３９〜９４：６である請求項１から請求項１６のいずれか一項に記載の伝導性構造体。
18. 前記中間層の厚さは５ｎｍ〜５０ｎｍである請求項１から請求項１７のいずれか一項に記載の伝導性構造体。
19. 前記暗色化層の厚さは２０ｎｍ〜１５０ｎｍである請求項１から請求項１８のいずれか一項に記載の伝導性構造体。
20. 前記伝導性層の厚さは０．０１μｍ〜１０μｍである請求項１から請求項１９のいずれか一項に記載の伝導性構造体。
21. 前記暗色化層が前記伝導性層の少なくとも一面に備えられる請求項１から請求項２０のいずれか一項に記載の伝導性構造体。
22. 前記伝導性層、前記中間層または前記暗色化層はパターン化される請求項１から請求項２１のいずれか一項に記載の伝導性構造体。
23. 前記伝導性構造体は、シート抵抗が１Ω／□〜３００Ω／□である請求項２２に記載の伝導性構造体。
24. 前記伝導性層、前記中間層および前記暗色化層はパターン化されたものであり、
    前記パターン化された伝導性層におけるパターンの線幅は１０μｍ以下である請求項１から請求項２３のいずれか一項に記載の伝導性構造体。
25. 前記伝導性層、前記中間層および前記暗色化層はパターン化されたものであり、
    前記パターン化された中間層におけるパターンの線幅および前記パターン化された暗色化層におけるパターンの線幅は、各々、前記パターン化された伝導性層におけるパターンの線幅と同一であるか大きい請求項１から請求項２４のいずれか一項に記載の伝導性構造体。
26. 前記伝導性層、前記中間層および前記暗色化層はパターン化されたものであり、
    前記パターン化された中間層および前記パターン化された暗色化層は、各々、前記パターン化された伝導性層が備えられた面積の８０％〜１２０％の面積を有する請求項１から請求項２５のいずれか一項に記載の伝導性構造体。
27. 請求項１から請求項２６のいずれか一項に記載の伝導性構造体を含むタッチスクリーンパネル。
28. 請求項１から請求項２６のいずれか一項に記載の伝導性構造体を含むディスプレイ装置。
29. 請求項１から請求項２６のいずれか一項に記載の伝導性構造体を含む太陽電池。
30. 伝導性層上に少なくとも１つの中間層を形成するステップ、
    前記中間層上に暗色化層を形成するステップ、および
    前記伝導性層または前記暗色化層と基材をラミネーションするステップを含み、
    （ｉ）前記伝導性層は銅を含み、
    前記中間層および前記暗色化層は銅の酸化物を含み、
    前記中間層の全体組成のうち銅の原子百分率は前記暗色化層の全体組成のうち銅の原子百分率より１．０１倍〜１．６２倍である、
    または、
    （ｉｉ）前記伝導性層はアルミニウムを含み、
    前記中間層は全体組成のうち窒素の原子百分率（Ａｏｍｉｃ ｐｅｒｃｅｎｔ）が０％超過２０％未満であるアルミニウムの酸窒化物を含み、
    前記暗色化層は全体組成のうち窒素の原子百分率（Ａｏｍｉｃ ｐｅｒｃｅｎｔ）が２０％以上４５％以下であるアルミニウムの酸窒化物を含む
    伝導性構造体の製造方法。
31. 基材上に伝導性層を形成するステップ、
    前記伝導性層上に少なくとも１つの中間層を形成するステップ、および
    前記中間層上に暗色化層を形成するステップを含み、
    （ｉ）前記伝導性層は銅を含み、
    前記中間層および前記暗色化層は銅の酸化物を含み、
    前記中間層の全体組成のうち銅の原子百分率は前記暗色化層の全体組成のうち銅の原子百分率より１．０１倍〜１．６２倍である、
    または、
    （ｉｉ）前記伝導性層はアルミニウムを含み、
    前記中間層は全体組成のうち窒素の原子百分率（Ａｏｍｉｃ ｐｅｒｃｅｎｔ）が０％超過２０％未満であるアルミニウムの酸窒化物を含み、
    前記暗色化層は全体組成のうち窒素の原子百分率（Ａｏｍｉｃ ｐｅｒｃｅｎｔ）が２０％以上４５％以下であるアルミニウムの酸窒化物を含む
    伝導性構造体の製造方法。
32. 前記伝導性層、前記中間層および前記暗色化層を各々または同時にパターニングするステップをさらに含む請求項３０または請求項３１に記載の伝導性構造体の製造方法。
33. 前記中間層または前記暗色化層の形成は、反応性スパッタリング法を利用する請求項３０から請求項３２のいずれか一項に記載の伝導性構造体の製造方法。
34. 基材上にパターン化された伝導性層を形成するステップ、
    前記パターン化された伝導性層上に少なくとも１つのパターン化された中間層を形成するステップ、および
    前記パターン化された中間層上にパターン化された暗色化層を形成するステップを含み、
    （ｉ）前記伝導性層は銅を含み、
    前記中間層および前記暗色化層は銅の酸化物を含み、
    前記中間層の全体組成のうち銅の原子百分率は前記暗色化層の全体組成のうち銅の原子百分率より１．０１倍〜１．６２倍である、
    または、
    （ｉｉ）前記伝導性層はアルミニウムを含み、
    前記中間層は全体組成のうち窒素の原子百分率（Ａｏｍｉｃ ｐｅｒｃｅｎｔ）が０％超過２０％未満であるアルミニウムの酸窒化物を含み、
    前記暗色化層は全体組成のうち窒素の原子百分率（Ａｏｍｉｃ ｐｅｒｃｅｎｔ）が２０％以上４５％以下であるアルミニウムの酸窒化物を含む
    伝導性構造体の製造方法。
35. 前記パターン化された中間層または前記パターン化された暗色化層の形成は、反応性スパッタリング法を利用する請求項３４に記載の伝導性構造体の製造方法。