JP6021030B2 - 構造体、タッチパネル及びディスプレイ - Google Patents

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Description

本出願は２０１０年１０月１９日に韓国特許庁に提出された韓国特許出願第１０−２０１０−０１０２１０９号の出願日の利益を主張し、その内容の全ては本明細書に含まれる。
本発明は、タッチパネルおよびその製造方法に関する。具体的には、本発明は、導電性パターンを含むタッチパネルおよびその製造方法に関する。より具体的には、本発明は、導電性パターンを用いてタッチパネルを構成するにおいて、導電性パターンの隠蔽性が向上したタッチパネルおよびその製造方法に関する。
一般的に静電容量式タッチパネルはＩＴＯを基にした導電性膜を用いているが、このようなＩＴＯは、大面積タッチパネルへの適用時に自体的なＲＣ遅延によって認識速度が低いという問題点のために大面積に適用し難いということと共に、これを蒸着したフィルム（Ｆｉｌｍ）を用いてタッチスクリーン製作する場合、ＩＴＯ膜の曲げ（ｂｅｎｄｉｎｇ）によるクラック（ｃｒａｃｋ）などのためにその取り扱いが容易でないという短所を有している。この中、特にＲＣ遅延による大型化の問題点を克服するために追加の補償チップ（ｃｈｉｐ）を導入する試みが行われているが、これは、価格が上昇するという問題点がある。このような問題点を克服するために、多くの業者が金属パターンを用いてＩＴＯ導電性膜を代替するための技術を開発している最中である。しかし、このような技術は、一般的な単一金属を用いる場合、金属自体の高い反射率のために視認性の側面でパターンが人の目によく認知されるという問題点と共に、外部光に対し高い反射率およびヘイズ（Ｈａｚｅ）値などによって眩しさなどが発生し得るという短所を有している。
本発明は、従来のＩＴＯを基にした導電性膜を用いたタッチパネルとは差別化される、有効画面部に備えられた導電性パターンを含むタッチパネルにおいて、導電性パターンの視認性および外部光に対する反射特性を改善することをその目的とする。
前記目的を達成するために、本発明は、基材と、前記基材の少なくとも一面に備えられた導電層、および前記導電層の少なくとも一面に備えられた吸光層を含む構造体を提供する。
また、本発明は、基材；前記基材の少なくとも一面に備えられた導電性パターン；および前記導電性パターンの少なくとも一面に備えられ、前記導電性パターンに対応する領域のうち少なくとも一部に備えられた吸光性パターンを含む構造体を含むタッチパネルを提供する。
また、本発明は、前記タッチパネルおよびディスプレイモジュールを含むディスプレイを提供する。
また、本発明は、透明基材；前記透明基材の少なくとも一面に備えられ、金属、金属合金、金属酸化物、金属窒化物、および金属酸窒化物のうち少なくとも１つを含む導電層；および前記導電層の少なくとも一面に備えられた吸光層を含み、前記吸光層が前記導電層と透明基材との間に備えられ、前記透明基材側において測定した全反射率が１５％以下であることを特徴とする構造体を提供する。
また、本発明は、透明基材；前記透明基材の少なくとも一面に備えられ、アルミニウム、銀、銅、モリブデン、ネオジムおよびニッケルなどからなる金属群から選択される１種以上の金属、前記金属群から選択される２種以上の金属の合金、前記金属群から選択される１種以上の金属を含む酸化物、前記金属群から選択される１種以上の金属を含む窒化物、および前記金属群から選択される１種以上の金属を含む酸窒化物からなる群から選択される少なくとも１つを含む導電性パターン；および前記導電性パターンの少なくとも一面に備えられ、前記導電性パターンに対応する領域のうち少なくとも一部に備えられた吸光性パターンを含む構造体を含むタッチパネルを提供する。
本発明では、有効画面部に備えられた導電性パターンを含むタッチパネルにおいて、使用者が見る側に吸光性パターンを導入することにより、導電性パターンの導電度に影響を及ぼすことなく導電性パターンによる反射を防止し、吸光度を向上させることによって導電性パターンの隠蔽性を向上させることができる。また、前記のような吸光性パターンの導入により、タッチパネルのコントラスト特性をより向上させることができる。
本発明によるタッチパネルに含まれる基材、導電性パターンおよび吸光性パターンの積層構造を例示する図である。 本発明によるタッチパネルに含まれる基材、導電性パターンおよび吸光性パターンの積層構造を例示する図である。 本発明によるタッチパネルに含まれる基材、導電性パターンおよび吸光性パターンの積層構造を例示する図である。 本発明の一実施状態によるタッチパネルにおける光の経路を例示する図である。 本発明の一実施状態によるタッチパネルにおける吸光性パターンと導電性パターンの線幅の関係を例示する図である。 本発明によるタッチパネルが２以上の積層体を有する場合の積層構造を例示する図である。 本発明によるタッチパネルが２以上の積層体を有する場合の積層構造を例示する図である。 実験例１による積層体を示す図である。 実験例６により反射率を測定するための積層体を示す図である。 実験例７により反射率を測定するための積層体を示す図である。 実験例１、実験例５および実験例７において測定された反射率を示すグラフである。 実験例１の構造体の顕微鏡反射光測定の結果を示す図である。 実験例１の構造体の太陽光回折反射パターンの結果を示す図である。 実験例５の構造体の顕微鏡反射光測定の結果を示す図である。 実験例５の構造体の太陽光回折反射パターンの結果を示す図である。 本発明の一具体例による構造体の吸光層の色度（ｃｏｌｏｒｉｔｙ）および全反射率を示す図である。 本発明の一具体例による構造体の吸光層の色度（ｃｏｌｏｒｉｔｙ）および全反射率を示す図である。 本発明の一具体例による構造体の吸光層の色度（ｃｏｌｏｒｉｔｙ）および全反射率を示す図である。
本発明による構造体は、基材と、前記基材の少なくとも一面に備えられた導電層、および前記導電層の少なくとも一面に備えられた吸光層を含むことを特徴とする。
本発明において、前記吸光層は吸光性を有する層を意味するものであり、吸光層だけでなく、黒化層、暗色化層などの用語で表現されてもよい。
本発明による構造体において、前記吸光層の前記導電層と接する面の反対面方向において測定した全反射率が１５％以下であってもよく、１０％以下であってもよく、５％以下であってもよく、３％以下であってもよい。
本発明において、前記全反射率は、測定しようとする面の反対面を黒層（ｐｅｒｆｅｃｔ ｂｌａｃｋ）で処理した後、測定しようとする面に９０度で入射した５５０ｎｍの光の反射率を意味する。
本発明による構造体において、前記吸光層が前記導電層と基材の間に備えられ、前記基材側において測定した全反射率が１５％以下であってもよく、１０％以下であってもよく、５％以下であってもよく、３％以下であってもよい。
本発明による構造体において、前記導電層が基材と接する面の反対面に前記吸光層が備えられ、前記吸光層側において測定した全反射率が１５％以下であってもよく、１０％以下であってもよく、５％以下であってもよく、３％以下であってもよい。
本発明による構造体において、前記吸光層の測定しようとする面に９０度で入射した光の全反射率を測定して下記の図１６〜１８に示す。
下記の図１６および図１８に示すように、５５０ｎｍの光に対する全反射率が１５％以下、好ましくは１０％以下、より好ましくは５％以下、さらに好ましくは３％以下である場合に、吸光層の役割を充分に果たすことができるということが分かる。
本発明による構造体の２０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値が３５０以下であってもよく、３００以下であってもよい。また、本発明による構造体の６０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値が３００以下であってもよく、２５０以下であってもよい。
下記の図１６による本発明の構造体の２０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値は７６であり、６０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値は１１２であった。また、下記の図１７による本発明の構造体の２０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値は２３７であり、６０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値は１９７であった。また、下記の図１８による本発明の構造体の２０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値は１０であり、６０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値は６４であった。
本発明による構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が１〜４０であってもよい。より具体的には、前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が３０〜４０であってもよく、２５〜３０であってもよく、１６〜２５であってもよく、５〜１６であってもよく、１〜５であってもよい。
下記の図１６による本発明の構造体の吸光層の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が２５〜３０であり、下記の図１８による本発明の構造体の吸光層の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が５〜１２であった。
本発明による構造体は、前記基材、導電層および吸光層が各々別個の層として積層される構造だけでなく、前記導電層および吸光層がスパッタリングなどのような蒸着工程によって順次蒸着された多層構造を意味する。本発明による構造体は、積層体、多層構造体などの用語としても表現されてもよい。
また、本発明によるタッチパネルは、基材と、前記基材の少なくとも一面に備えられた導電性パターン、および前記導電性パターンの少なくとも一面に備えられ、前記導電性パターンに対応する領域のうち少なくとも一部に備えられた吸光性パターンを含む構造体を含むことを特徴とする。
本発明では、有効画面部に備えられた導電性パターンを含むタッチパネルにおいて、前記導電性パターンの視認性に前記導電性パターンによる光反射が主要な影響を及ぼすという事実を見出し、これを改善しようとした。具体的には、従来のＩＴＯを基にしたタッチパネルでは、ＩＴＯ自体の高い透過度のために導電性パターンの反射率による問題がそれほど大きく現れなかったが、有効画面部内に備えられた導電性パターンを含むタッチパネルでは、前記導電性パターンの反射率および吸光性が重要であるということを見出した。
そこで、本発明では、タッチパネルにおいて、導電性パターンの反射率を下げて隠蔽性を向上させるために、吸光性パターンを導入することを特徴とする。本発明において、前記吸光性パターンは、タッチパネルにおいて、使用者が見る側、必要な場合、両側に備えられることにより、前記導電性パターンの高い反射率による隠蔽性を向上させることができる。具体的には、前記吸光性パターンは吸光性を有するため、導電性パターン自体に入射される光と導電性パターンから反射される光の量を減少させることにより、導電性パターンによる反射率を下げることができる。また、前記吸光性パターンは、導電性パターンに比べて低い反射率を有することが好ましい。これにより、使用者が導電性パターンを直接見る場合に比べて光の反射率を下げることができるため、導電性パターンの視認性を大幅に下げることができる。
本発明によるタッチパネルにおいて、前記吸光性パターンは、前記導電性パターンの両面のうちディスプレイモジュールが取り付けられる面に対向する面に備えられることができる。また、前記吸光性パターンは、前記導電性パターンの両面に備えられることができる。
前記吸光性パターンを構成する材料と導電性パターンを構成する材料とからなる全面層の全反射率は小さいほど好ましく、１５％以下であってもよく、１０％以下であってもよく、５％以下であってもよく、３％以下であってもよい。Ａｇ、ＡｕまたはＡｌのように高い全反射率を有する物質は、本発明における吸光性パターンに好適ではない物質と言える。このような全反射率は小さいほど好ましいが、物質選択の観点から全面層における全反射率が０．１％以上である材料を用いることができる。
本発明によるタッチパネルにおいて、前記吸光性パターンは前記導電性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含み、前記吸光性パターンの第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率Ｒｔは、下記数学式１で計算することができる。
［数学式１］
全反射率Ｒｔ＝タッチ強化ガラスの反射率（表面がフィルムである場合は、フィルムの反射率）＋閉鎖率×吸光性パターンの反射率
また、前記タッチパネルの構成が、構造体の２種がラミネートされた場合は、構造体の全反射率Ｒｔは、下記数学式２で計算することができる。
［数学式２］
全反射率Ｒｔ＝タッチ強化ガラスの反射率（表面がフィルムである場合は、フィルムの反射率）＋閉鎖率×吸光性パターンの反射率×２
したがって、吸光性パターンがある場合とない場合の差は吸光性パターンの反射率に依存し、このような観点から、前記吸光性パターンがないことを除いて同様の構成を有する構造体の全反射率Ｒ０に比べ、１０〜２０％減少したものであってもよく、２０〜３０％減少したものであってもよく、３０〜４０％減少したものであってもよく、４０〜５０％減少したものであってもよく、５０〜７０％減少したものであってもよい。すなわち、前記数学式１および２において、閉鎖率範囲を１〜１０％範囲で変化させて反射率範囲を１〜３０％まで変化させる場合、最大７０％の反射率の減少効果を示すことができ、最小１０％の反射率の減少効果を示すことができる。
本発明によるタッチパネルにおいて、前記吸光性パターンは前記導電性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含み、前記吸光性パターンの第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率Ｒｔは、前記基材の全反射率Ｒ０との差が４０％以下であってもよく、３０％以下であってもよく、２０％以下であってもよく、１０％以下であってもよい。
本発明によるタッチパネルにおいて、前記タッチパネルは前記構造体の一側に備えられた基板をさらに含み、前記構造体が備えられた基板の全反射率を前記基板側において測定した時、前記基板の全反射率との差が９０％以下であってもよく、７０％以下であってもよく、３０％以下であってもよく、１０％以下であってもよい。
ここで、前記全反射率は、吸光性パターンを含むタッチセンサ自体の全反射率を意味する。
本明細書において、全反射率は、入射光を１００％にした時、光が入射した対象層または積層体によって反射された反射光のうち波長５５０ｎｍの値を基準に測定した値が好ましく、これは、５５０ｎｍの波長の全反射率が通常の全体的な全反射率と大きくは違わないためである。例えば、基材上に前記吸光性パターンを構成する材料を蒸着法、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）法、電子ビーム（ｅ−ｂｅａｍ）蒸着法などの方法を利用して全面吸光層を形成した後、空気側から入射された可視光線の反射率（５５０ｎｍ）を測定することができる。この時、前記基材の背面、すなわち前記吸光層が形成されない面に全面黒化処理を実施することにより、基材の背面における反射を除去することができる。前記基材としては透明基板を用いることができるが、特に限定されず、例えば、ガラス、プラスチック基板、プラスチックフィルムなどを用いることができる。
本発明によるタッチパネルにおいて、前記構造体の２０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値は３５０以下であってもよく、３００以下であってもよい。また、本発明による構造体の６０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値は３００以下であってもよく、２５０以下であってもよい。
本発明によるタッチパネルにおいて、前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が１〜４０であってもよい。より具体的には、前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が３０〜４０であってもよく、２５〜３０であってもよく、１６〜２５であってもよく、５〜１６であってもよく、１〜５であってもよい。
本発明によるタッチパネルにおいて、前記構造体のヘイズ値は５％以下であってもよく、３％以下であってもよく、１．５％以下であってもよい。
本発明によるタッチパネルにおいて、前記吸光性パターンは前記導電性パターンと基材との間に備えられてもよく、前記吸光性パターンは前記導電性パターンの基材側の反対面に備えられてもよい。また、前記吸光性パターンは、前記導電性パターンと基材との間、および前記導電性パターンの基材側の反対面に全て備えられてもよい。
前記吸光性パターンを構成する材料からなる全面層の吸光度は特に限定されないが、５％以上であってもよく、１５％以上であってもよく、２０％以上であってもよい。
また、前記吸光性パターンを構成する材料からなる全面層の光透過率は、特に限定されるものではない。
前記吸光性パターンは、蒸着法、例えば、スパッタリング法、ＣＶＤ（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法、熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）法、電子ビーム（ｅ−ｂｅａｍ）蒸着法などの方法を利用して吸光層を形成した後、これをパターン化することによって形成することができる。特に、スパッタリング法を利用する場合は、吸光性パターンのフレキシブル（ｆｌｅｘｉｂｌｅ）特性に優れる。前記熱蒸着（ｔｈｅｒｍａｌ ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）法および電子ビーム（ｅ−ｂｅａｍ）蒸着法は、単純に粒子が積もるが、スパッタリング法は、衝突によって粒子が核を形成し、核が成長して曲がっても機械的物性に優れるという特徴がある。また、前記スパッタリング法を利用する場合は、前記吸光性パターンと他の層の界面接着力に優れる。上記のように蒸着法を利用することにより、粘着層または接着層を用いることなく基材または導電性パターンに吸光性パターンを直接形成することができ、所望の厚さおよびパターン形状を実現することができる。
本発明によるタッチパネルは、基材と、前記基材の少なくとも一面上に備えられた導電性パターン、および前記導電性パターンの少なくとも一面に備えられ、前記導電性パターンに対応する領域に備えられた吸光性パターンを含む構造体をさらに含むことができる。
ここで、前記２個の積層体の間には、絶縁層が備えられることができる。また、前記２個の積層体は、互いに反対方向または同じ方向に配置されてもよい。前記基材の両面に、各々、前記導電性パターンおよび吸光性パターンが備えられてもよい。
本発明によるタッチパネルに含まれる積層体の例を図１〜図３に例示する。図１〜図３は、基材、導電性パターンおよび吸光性パターンの積層順を例示するためのものであり、前記導電性パターンおよび前記吸光性パターンは、実際には全面層ではなくパターン形態を有する。
図１によれば、前記吸光性パターンが前記基材と前記導電性パターンとの間に配置された場合を例示するものである。これは、使用者が基材側からタッチパネルを見る場合、導電性パターンによる全反射率を大幅に減少させることができる。図２によれば、前記吸光性パターンが前記導電性パターンの基材側の反対面に配置された場合を例示するものである。これは、使用者が基材側の反対面からタッチパネルを見る場合、導電性パターンによる全反射率を大幅に減少させることができる。図３によれば、前記吸光性パターンが前記基材と前記導電性パターンとの間、および前記導電性パターンの基材側の反対面に全て配置された場合を例示するものである。これは、使用者がタッチパネルを基材側から見る場合とその反対側から見る場合のいずれも導電性パターンによる全反射率を大幅に減少させることができる。
図４に吸光性パターンに入射した光の経路を例示する。吸光性パターンに入射した光の一部は空気層と吸光性パターンの界面から反射し、光の一部は吸光性パターンに吸収され、光の一部は吸光性パターンと基材の界面から反射し、光の一部は吸光性パターンを透過することができる。
本発明において、前記吸光性パターンは、前記導電性パターンと同時にまたは別途にパターン化されることはできるが、各々のパターンを形成するための層は別途に形成される。このようにパターンを形成することにより、吸光層パターン自体の効果を最適化および最大化し、且つ、静電容量式タッチパネルに求められる微細な導電性パターンを実現することができる。静電容量式タッチパネルにおいて、微細な導電性パターンを実現することができない場合、抵抗などのタッチパネルに求められる物性を達成することができない。
本発明において、前記吸光性パターンと前記導電性パターンは別途のパターン層が積層構造をなすという点で、吸光物質の少なくとも一部が導電性パターン内に陥没または分散している構造や単一層の導電層が表面処理によって表面側の一部が物理的または化学的に変形がなされた構造とは差別される。
また、本発明によるタッチパネルにおいて、前記吸光性パターンは、接着層または粘着層を介在することなく、前記基材上に直接または前記導電性パターン上に直接備えられる。接着層または粘着層は、耐久性や光学物性に影響を及ぼし得る。また、本発明によるタッチパネルに含まれる積層体は接着層または粘着層を用いる場合と比較する時、製造方法が全く相違する。さらに、接着層や粘着層を用いる場合に比べ、本発明では、基材または導電性パターンと吸光性パターンの界面特性に優れる。
本発明において、前記吸光性パターンの厚さは、前述した全反射率を有するのであれば、特に限定されない。但し、製造工程中の導電性パターンとのエッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）特性を考慮する場合、１０ｎｍ〜４００ｎｍの間から選択することが好ましいが、用いる材料および製造工程に応じて好ましい厚さは異なってもよく、本発明の範囲が前記数値範囲によって限定されるものではない。
前記吸光性パターンは単一層からなってもよく、２層以上の複数層からなってもよい。
前記吸光性パターンは無彩色系列の色を帯びることが好ましいが、特にこれに限定されるものではない。この時、無彩色系列の色とは、物体の表面に入射する光が選択吸収されず、各成分の波長に対して均一に反射吸収される時に表れる色を意味する。
前記吸光性パターンの材料として、好ましくは、全面層を形成した時に前述した全反射率を有する材料であれば、特に制限されることなく用いることができる。例えば、カラーフィルターにおいてブラックマトリックス材料として用いられるものなどを用いることができる。また、前記吸光性パターンの材料としては、反射防止機能が与えられた吸光性材料を用いることもできる。
例えば、前記吸光性パターンは、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕなどを用いて、当業者が設定した蒸着条件などに応じて形成した酸化物膜、窒化物膜、酸化物−窒化物膜、炭化物膜または金属膜およびこれらの組み合わせであってもよい。本発明者は、Ｍｏ、ＡｌまたはＣｕを用いる場合において、酸化物の場合に比べて窒化物の場合が、本発明で言及した吸光性パターンにより好適な光学的特性を有することを確認した。
具体的な例として、前記吸光性パターンは、ＮｉおよびＭｏを同時に含むことができる。前記吸光性パターンは、Ｎｉ５０〜９８原子％およびＭｏ２〜５０原子％を含むことができ、その他の金属、例えば、Ｆｅ、Ｔａ、Ｔｉなどの原子を０．０１〜１０原子％さらに含むことができる。ここで、前記吸光性パターンは、必要な場合、窒素０．０１〜３０原子％または酸素および炭素４原子％以下をさらに含むこともできる。
また１つの具体的な例として、前記吸光性パターンは、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＭｇＦ２およびＳｉＮｘ（ｘは１以上の整数）から選択される誘電性物質およびＦｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｕおよびＡｇのうちから選択される金属を含むことができ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、Ａｌ、Ｃｕ、ＡｕおよびＡｇのうちから選択される２種以上の金属の合金をさらに含むことができる。前記誘電性物質は外部光が入射される方向から遠くなるほど次第に減少するように分布しており、前記金属および合金成分はその逆に分布していることが好ましい。この時、前記誘電性物質の含量は２０〜５０重量％、前記金属の含量は５０〜８０重量％であることが好ましい。前記吸光性パターンが合金をさらに含む場合、前記吸光性パターンは、誘電性物質１０〜３０重量％、金属５０〜８０重量％および合金５〜４０重量％を含むことが好ましい。
また１つの具体的な例として、前記吸光性パターンは、ニッケルとバナジウムの合金、ニッケルとバナジウムの酸化物、窒化物または酸窒化物のうちいずれか１つ以上を含む薄膜からなることができる。この時、バナジウムは２６〜５２原子％で含まれることが好ましく、ニッケルに対するバナジウムの原子比は２６／７４〜５２／４８であることが好ましい。
また１つの具体的な例として、前記吸光性パターンは２以上の元素を有し、１つの元素組成比率が外光が入射する方向に応じて１００オングストローム当たり最大約２０％ずつ増加する遷移層を含むことができる。この時、１つの元素はクロム、タングステン、タンタル、チタン、鉄、ニッケルまたはモリブデンのような金属元素であってもよく、金属元素以外の元素は酸素、窒素または炭素であってもよい。
また１つの具体的な例として、前記吸光性パターンは、第１酸化クロム層、金属層、第２酸化クロム層およびクロムミラーを含むことができ、この時、クロムの代わりに、タングステン、バナジウム、鉄、クロム、モリブデンおよびニオビウムのうちから選択された金属を含むことができる。前記金属層は１０〜３０ｎｍの厚さ、前記第１酸化クロム層は３５〜４１ｎｍの厚さ、前記第２酸化クロム層は３７〜４２ｎｍの厚さを有することが好ましい。
また１つの具体的な例として、前記吸光性パターンとしては、アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）層、クロム酸化物（Ｃｒ２Ｏ３）層およびクロム（Ｃｒ）層の積層構造を用いることができる。ここで、前記アルミナ層は反射特性の改善および光拡散の防止特性を有し、前記クロム酸化物層は鏡面反射率を減少させてコントラスト特性を向上させることができる。
また１つの具体的な例として、前記吸光性パターンとしては、窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）およびＡｌからなる積層構造を用いることができる。ここで、前記窒化アルミニウム（ＡｌＮｘ）層は、全体層の反射率を減少させてコントラスト特性を向上させることができる。
本発明において、前記吸光性パターンは、基材と導電性パターンとの間に備えられることが好ましいが、タッチパネルの構成において、使用者が見る面が基材面でない他の面を通して見る場合、使用者と最も隣接した面に配置されることがより好ましい。
本発明において、前記吸光性パターンは、前記導電性パターンに対応する領域に備えられる。ここで、導電性パターンに対応する領域とは、前記導電性パターンと同一形状のパターンを有することを意味する。但し、吸光性パターンのパターン規模が前記導電性パターンと完全に同一である必要はなく、吸光性パターンの線幅が導電性パターンの線幅に比べて狭いか広い場合でも本発明の範囲に含まれる。例えば、前記吸光性パターンは、前記導電性パターンが備えられた面積の５０％〜１５０％の面積を有することが好ましい。
前記吸光性パターンは、前記導電性パターンの線幅と等しいか大きい線幅を有するパターン形態を有することが好ましい。
前記吸光性パターンが前記導電性パターンの線幅より大きい線幅を有するパターン形状を有する場合、使用者が見る時、吸光性パターンが導電性パターンを遮る効果をより大幅に与えることができるため、導電性パターン自体の光沢や反射による効果を効率的に遮断できるという長所がある。しかし、前記吸光性パターンの線幅が前記導電性パターンの線幅と等しくても本発明が目的とする効果を達成することができる。前記吸光性パターンの線幅は、導電性パターンの線幅より、下記数学式３による値だけさらに大きい幅を有することが好ましい。
［数学式３］
Ｔｃｏｎ×ｔａｎｇｅｎｔΘ３×２
前記数学式３において、
Ｔｃｏｎは、導電性パターンの厚さであり、
Θ３は、タッチパネルの使用者の視角が位置したところから入射した光が前記導電性パターンおよび前記吸光性パターンのコーナーを通過する時、光が基材表面に対する法線となす角である。
例えば、図１のような積層構造において、前記数学式３による計算式は図５に示す。Θ３は、タッチパネルの使用者の視角と基材がなす角Θ１が基材の屈折率および前記吸光性パターンと導電性パターンが配置された領域の媒質、例えば、タッチパネルの粘着剤の屈折率によってスネルの法則に応じて変化された角である。
一例として、見る人がΘ３の値が約８０度の角をなすように前記積層体を見ると仮定し、導電性パターンの厚さが約２００ｎｍであると仮定すれば、吸光性パターンが導電性パターンに対比し、線幅が側面を基準にする時に約２．２４μｍ（２００ｎｍ×ｔａｎ（８０）×２）だけ大きいことが好ましい。しかし、前述したように、吸光性パターンが導電性パターンと等しい線幅を有する場合でも本発明で目的とする効果を達成することができる。前述した吸光層と導電層の構造を形成するために、当業者に応じ、エッチング条件あるいは蒸着厚さなどを異にすることによってこれを適用することができる。
本発明において、前記基材の材料は本発明による積層体を適用しようとする分野に応じて適切に選択されることができ、好ましい例としてはガラスまたは無機材料基板、プラスチック基板またはフィルムなどが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
前記導電性パターンの材料は特に限定されないが、金属であることが好ましい。前記導電性パターンの材料は、導電度に優れ、エッチング（ｅｔｃｈｉｎｇ）が容易な材料であるほど好ましい。但し、一般的に導電度に優れる材料は反射率が高いという短所がある。しかし、本発明では、前記吸光性パターンを用いることにより、反射率の高い材料を用いて導電性パターンを形成することができる。本発明では、全反射率が７０％〜８０％以上である材料を用いる場合でも、前記吸光性パターンを通じて反射率を下げ、導電性パターンの視認性を下げ、コントラスト特性を維持または向上させることができる。
前記導電性パターンの材料の具体的な例としては、金、銀、アルミニウム、銅、ネオジム、モリブデン、ニッケルまたはこれらの合金を含む単一膜または多層膜が好ましい。ここで、前記導電性パターンの厚さは特に限定されないが、０．０１〜１０μｍであることが導電性パターンの導電度および形成工程の経済性の側面で好ましい。
本発明の一実施例により、吸光層材料と導電層材料とからなる積層材を１つの材料とみなして測定した比抵抗値は１×１０６オーム・ｃｍ〜３０×１０６オーム・ｃｍの間であることが好ましく、７×１０６オーム・ｃｍ以下であることがより好ましい。
前記導電性パターンの形成方法としては特に限定されず、導電性パターンを印刷方法によって直接形成してもよく、導電層を形成した後にこれをパターン化する方法を利用してもよい。
前記導電性パターンを印刷方法によって形成する場合、導電性材料のインクあるいはペーストを用いることができ、前記ペーストは、導電性材料の他に、バインダー樹脂、溶媒またはガラスフリットなどをさらに含むこともできる。
導電層を形成した後にこれをパターン化する場合、エッチングレジスト（Ｅｔｃｈｉｎｇ ｒｅｓｉｓｔ）特性を有する材料を用いることができる。
前記導電層は、蒸着、スパッタリング、湿式コーティング、蒸発、電解メッキまたは無電解メッキ、金属箔のラミネーションなどの方法によって形成することができる。前記導電層の形成方法として、有機金属、ナノ金属またはこれらの複合体溶液を基板上にコーティングした後、焼成および／または乾燥によって導電度を与える方法を利用することもできる。前記有機金属としては有機銀を用いることができ、前記ナノ金属としてはナノ銀粒子などを用いることができる。
前記導電層のパターン化は、エッチングレジストパターンを用いた方法を利用することができる。エッチングレジストパターンは、印刷法、フォトリソグラフィ法、フォトグラフィ法、マスクを用いた方法またはレーザー転写、例えば、熱転写イメージング（ｔｈｅｒｍａｌ ｔｒａｎｓｆｅｒ ｉｍａｇｉｎｇ）などを利用して形成することができ、印刷法またはフォトリソグラフィ法がより好ましい。前記エッチングレジストパターンを用いて前記導電性パターンをエッチングし、前記エッチングレジストパターンは除去することができる。
本発明において、前記導電性パターンは、線幅が１０μｍ以下、好ましくは０．１〜１０μｍ、より好ましくは０．２〜８μｍ、さらに好ましくは５μｍ以下であることが良い。前記導電性パターンの厚さは１０μｍ以下、好ましくは２μｍ以下、より好ましくは１０〜３００ｎｍであることが良い。
前記導電性パターンの開口率は、８５％〜９９．５％であることが好ましい。
前記導電性パターンは、規則的なパターンであってもよく、不規則的なパターンであってもよい。
規則的なパターンとしては、メッシュパターンなど当技術分野のパターン形態が用いられることができる。不規則なパターンとしては特に限定されないが、ボロノイ図をなす図形の境界線形態であってもよい。本発明において、不規則なパターンと吸光性パターンを共に用いる場合、不規則なパターンによって、指向性のある照明による反射光の回折パターンを除去することもでき、吸光性パターンによって、光の散乱による影響を最小化することができるため、視認性における問題点を最小化することができる。
前記導電性パターンのピッチは６００μｍ以下であることが好ましく、２７０μｍ以下がより好ましいが、これは、当業者が所望する透過度および導電度に応じて調整することができる。
本発明において、前記基材、前記導電性パターンおよび前記吸光性パターンを含む構造体は、面抵抗が１〜２５０オーム／スクエアであることが好ましい。このような範囲内であることがタッチパネルの作動に有利である。
本発明において、前記吸光性パターンと前記導電性パターンはその側面が正テーパー角を有してもよいが、導電性パターンの基材側の反対面上に位置する吸光性パターンまたは導電性パターンは逆テーパー角を有してもよい。
本発明によるタッチパネルは、前述した基材、導電性パターンおよび吸光性パターンを含む構造体の他に追加の構造体をさらに含むことができる。この場合、図６のように２個の構造体が互いに同じ方向に配置されてもよく、図７のように２個の構造体が互いに反対方向に配置されてもよい。図６および図７は、同一構造の構造体を２つ含む場合を例示したが、本発明のタッチパネルに含まれる構造体は同一構造である必要はなく、いずれか１つ、好ましくは使用者に最も近い側の構造体だけが前述した基材、導電性パターンおよび吸光性パターンを含むものであってもよく、さらに含まれる構造体は吸光性パターンを含まなくてもよい。また、２つ以上の構造体内の層の積層構造が互いに相違してもよい。２つ以上の構造体が含まれる場合、これらの間には絶縁層が備えられることができる。この時、絶縁層は、粘着層の機能がさらに与えられてもよい。
また、本発明によるタッチパネルにおいて、前記基材の両面に各々導電性パターンおよび吸光性パターンが備えられることができる。
本発明による導電性パターンおよび吸光性パターンを含む構造体で構成されたタッチパネルの全反射率は１０％以下であってもよく、７％以下であってもよく、５％以下であってもよく、２％以下であってもよい。
ここで、タッチパネルの全反射率は吸光性パターンが備えられた側から入射した光の全反射率を意味し、基材と空気層の界面における反射率は除いた値である。吸光性パターンを構成する材料の選択に応じた反射率の調節だけでなく、導電性パターンと吸光性パターンの界面における反射率、導電性パターンの厚さ、パターンの形態などの調節を通じて構造体全体の全反射率がさらに調節されることができる。
本発明によるタッチパネルは、前記構造体上に前記導電性パターンが形成された有効画面部の他に電極部またはパッド部をさらに含むことができ、この時、有効画面部と電極部／パッド部は同一の導電体で構成されることができる。
本発明によるタッチパネルは、保護フィルム、偏光フィルム、反射防止フィルム、防幻フィルム、耐指紋性フィルム、低反射フィルムなどのフィルムを１種以上さらに含むことができる。
また、本発明は、タッチパネルの製造方法を提供する。
本発明の一実施状態によれば、本発明は、基材上に導電性パターンを形成するステップ、および前記導電性パターンの形成前、後または前と後の全てに吸光性パターンを形成するステップを含むタッチパネルの製造方法を提供する。
本発明のまた１つの実施状態によれば、基材上に導電性パターン形成用導電層を形成するステップと、前記導電層の形成前、後または前と後の全てに吸光性パターン形成用吸光層を蒸着するステップ、および前記導電層および前記吸光層を各々または同時にパターニングするステップを含む静電容量式タッチパネルの製造方法を提供する。
前記製造方法では、前述した各層の材料および形成方法が利用されてもよい。
また、本発明による構造体は、透明基材と、前記透明基材の少なくとも一面に備えられ、金属、金属合金、金属酸化物、金属窒化物、および金属酸窒化物のうち少なくとも１つを含む導電層、および前記導電層の少なくとも一面に備えられた吸光層を含み、前記吸光層が前記導電層と透明基材との間に備えられ、前記透明基材側において測定した全反射率が１５％以下であることを特徴とする。
また、本発明によるタッチパネルは、透明基材と、前記透明基材の少なくとも一面に備えられ、アルミニウム、銀、銅、モリブデン、ネオジムおよびニッケルからなる金属群から選択される１種以上の金属、前記金属群から選択される２種以上の金属の合金、前記金属群から選択される１種以上の金属を含む酸化物、前記金属群から選択される１種以上の金属を含む窒化物、および前記金属群から選択される１種以上の金属を含む酸窒化物からなる群から選択される少なくとも１つを含む導電性パターン、および前記導電性パターンの少なくとも一面に備えられ、前記導電性パターンに対応する領域のうち少なくとも一部に備えられた吸光性パターンを含む構造体を含むことを特徴とする。
また、本発明は、前記タッチパネルおよびディスプレイモジュールを含むディスプレイを提供する。
［項目１］
基材と、
前記基材の少なくとも一面に備えられた導電層；および
前記導電層の少なくとも一面に備えられた吸光層
を含む構造体。
［項目２］
前記吸光層の前記導電層と接する面の反対面方向において測定した全反射率が１５％以下であることを特徴とする、項目１に記載の構造体。
［項目３］
前記吸光層の前記導電層と接する面の反対面方向において測定した全反射率が１０％以下であることを特徴とする、項目１または２に記載の構造体。
［項目４］
前記吸光層の前記導電層と接する面の反対面方向において測定した全反射率が５％以下であることを特徴とする、項目１から３の何れか１項に記載の構造体。
［項目５］
前記吸光層の前記導電層と接する面の反対面方向において測定した全反射率が３％以下であることを特徴とする、項目１から４の何れか１項に記載の構造体。
［項目６］
前記吸光層が前記導電層と基材との間に備えられ、前記基材側において測定した全反射率が１５％以下であることを特徴とする、項目１から５の何れか１項に記載の構造体。
［項目７］
前記吸光層が前記導電層と基材との間に備えられ、前記基材側において測定した全反射率が１０％以下であることを特徴とする、項目１から６の何れか１項に記載の構造体。
［項目８］
前記吸光層が前記導電層と基材との間に備えられ、前記基材側において測定した全反射率が５％以下であることを特徴とする、項目１から７の何れか１項に記載の構造体。
［項目９］
前記吸光層が前記導電層と基材との間に備えられ、前記基材側において測定した全反射率が３％以下であることを特徴とする、項目１から８の何れか１項に記載の構造体。
［項目１０］
前記導電層が基材と接する面の反対面に前記吸光層が備えられ、前記吸光層側において測定した全反射率が１５％以下であることを特徴とする、項目１から９の何れか１項に記載の構造体。
［項目１１］
前記導電層が前記基材と接する面の反対面に前記吸光層が備えられ、前記吸光層側において測定した全反射率が１０％以下であることを特徴とする、項目１から１０の何れか１項に記載の構造体。
［項目１２］
前記導電層が前記基材と接する面の反対面に前記吸光層が備えられ、前記吸光層側において測定した全反射率が５％以下であることを特徴とする、項目１から１１の何れか１項に記載の構造体。
［項目１３］
前記導電層が前記基材と接する面の反対面に前記吸光層が備えられ、前記吸光層側において測定した全反射率が３％以下であることを特徴とする、項目１から１２の何れか１項に記載の構造体。
［項目１４］
前記構造体の２０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値が３５０以下であることを特徴とする、項目１から１３の何れか１項に記載の構造体。
［項目１５］
前記構造体の２０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値が３００以下であることを特徴とする、項目１から１４の何れか１項に記載の構造体。
［項目１６］
前記構造体の６０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値が３００以下であることを特徴とする、項目１から１５の何れか１項に記載の構造体。
［項目１７］
前記構造体の６０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値が２５０以下であることを特徴とする、項目１から１６の何れか１項に記載の構造体。
［項目１８］
前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が３０〜４０であることを特徴とする、項目１から１７の何れか１項に記載の構造体。
［項目１９］
前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が２５〜３０であることを特徴とする、項目１から１８の何れか１項に記載の構造体。
［項目２０］
前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が１６〜２５であることを特徴とする、項目１から１９の何れか１項に記載の構造体。
［項目２１］
前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が５〜１６であることを特徴とする、項目１から２０の何れか１項に記載の構造体。
［項目２２］
前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が１〜５であることを特徴とする、項目１から２１の何れか１項に記載の構造体。
［項目２３］
前記吸光層は、誘電性物質、金属、金属の合金、金属の酸化物、金属の窒化物、金属の酸窒化物および金属の炭化物からなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする、項目１から２２の何れか１項に記載の構造体。
［項目２４］
前記金属は、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、ＡｕおよびＡｇからなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする、項目２３に記載の構造体。
［項目２５］
基材；
前記基材の少なくとも一面に備えられた導電性パターン；および
前記導電性パターンの少なくとも一面に備えられ、前記導電性パターンに対応する領域のうち少なくとも一部に備えられた吸光性パターン
を含む構造体を含むタッチパネル。
［項目２６］
前記吸光性パターンは、前記導電性パターンの両面のうちディスプレイモジュールが取り付けられる面に対向する面に備えられることを特徴とする、項目２５に記載のタッチパネル。
［項目２７］
前記吸光性パターンは、前記導電性パターンの両面に備えられることを特徴とする、項目２５または２６に記載のタッチパネル。
［項目２８］
前記吸光性パターンは前記導電性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含み、前記吸光性パターンの第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率Ｒｔは、前記吸光性パターンがないことを除いて同一の構成を有する構造体の全反射率Ｒ０に比べて１０〜２０％減少することを特徴とする、項目２５から２７の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目２９］
前記吸光性パターンは前記導電性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含み、前記吸光性パターンの第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率Ｒｔは、前記吸光性パターンがないことを除いて同一の構成を有する構造体の全反射率Ｒ０に比べて２０〜３０％減少することを特徴とする、項目２５から２８の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目３０］
前記吸光性パターンは前記導電性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含み、前記吸光性パターンの第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率Ｒｔは、前記吸光性パターンがないことを除いて同一の構成を有する構造体の全反射率Ｒ０に比べて３０〜４０％減少することを特徴とする、項目２５から２９の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目３１］
前記吸光性パターンは前記導電性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含み、前記吸光性パターンの第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率Ｒｔは、前記吸光性パターンがないことを除いて同一の構成を有する構造体の全反射率Ｒ０に比べて４０〜５０％減少することを特徴とする、項目２５から３０の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目３２］
前記吸光性パターンは前記導電性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含み、前記吸光性パターンの第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率Ｒｔは、前記吸光性パターンがないことを除いて同一の構成を有する構造体の全反射率Ｒ０に比べて５０〜７０％減少することを特徴とする、項目２５から３１の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目３３］
前記吸光性パターンは前記導電性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含み、前記吸光性パターンの第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率Ｒｔは、前記基材の全反射率Ｒ０との差が４０％以下であることを特徴とする、項目２５から３２の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目３４］
前記吸光性パターンは前記導電性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含み、前記吸光性パターンの第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率Ｒｔは、前記基材の全反射率Ｒ０との差が３０％以下であることを特徴とする、項目２５から３３の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目３５］
前記吸光性パターンは前記導電性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含み、前記吸光性パターンの第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率Ｒｔは、前記基材の全反射率Ｒ０との差が２０％以下であることを特徴とする、項目２５から３４の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目３６］
前記吸光性パターンは前記導電性パターンと接する第１面および前記第１面に対向する第２面を含み、前記吸光性パターンの第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率Ｒｔは、前記基材の全反射率Ｒ０との差が１０％以下であることを特徴とする、項目２５から３５の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目３７］
前記タッチパネルは前記構造体の一側に備えられた基板をさらに含み、前記構造体が備えられた基板の全反射率を前記基板側において測定した時、前記基板の全反射率との差が９０％以下であることを特徴とする、項目２５から３６の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目３８］
前記タッチパネルは前記構造体の一側に備えられた基板をさらに含み、前記構造体が備えられた基板の全反射率を前記基板側において測定した時、前記基板の全反射率との差が７０％以下であることを特徴とする、項目２５から３７の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目３９］
前記タッチパネルは前記構造体の一側に備えられた基板をさらに含み、前記構造体が備えられた基板の全反射率を前記基板側において測定した時、前記基板の全反射率との差が３０％以下であることを特徴とする、項目２５から３８の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目４０］
前記タッチパネルは前記構造体の一側に備えられた基板をさらに含み、前記構造体が備えられた基板の全反射率を前記基板側において測定した時、前記基板の全反射率との差が１０％以下であることを特徴とする、項目２５から３９の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目４１］
前記構造体の２０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値が３５０以下であることを特徴とする、項目２５から４０の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目４２］
前記構造体の２０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値が３００以下であることを特徴とする、項目２５から４１の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目４３］
前記構造体の６０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値が３００以下であることを特徴とする、項目２５から４２の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目４４］
前記構造体の６０度光沢（ｇｌｏｓｓ）値が２５０以下であることを特徴とする、項目２５から４３の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目４５］
前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が３０〜４０であることを特徴とする、項目２５から４４の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目４６］
前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が２５〜３０であることを特徴とする、項目２５から４５の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目４７］
前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が１６〜２５であることを特徴とする、項目２５から４６の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目４８］
前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が５〜１６であることを特徴とする、項目２５から４７の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目４９］
前記構造体の色範囲は、ＣＩＥ色座標を基準に、Ｌ値が１〜５であることを特徴とする、項目２５から４８の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目５０］
前記構造体のヘイズ値は５％以下であることを特徴とする、項目２５から４９の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目５１］
前記構造体のヘイズ値は３％以下であることを特徴とする、項目２５から５０の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目５２］
前記構造体のヘイズ値は１．５％以下であることを特徴とする、項目２５から５１の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目５３］
前記吸光性パターンは、前記導電性パターンと前記基材との間に備えられることを特徴とする、項目２５から５２の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目５４］
前記吸光性パターンは、前記導電性パターンの前記基材側の反対面に備えられることを特徴とする、項目２５から５２の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目５５］
前記吸光性パターンは、前記導電性パターンと前記基材との間、および前記導電性パターンの前記基材側の反対面に全て備えられることを特徴とする、項目２５から５２の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目５６］
基材と、前記基材の少なくとも一面上に備えられた導電性パターン、および前記導電性パターンの少なくとも一面に備えられ、前記導電性パターンに対応する領域に備えられた吸光性パターンを含む積層体をさらに含むことを特徴とする、項目２５から５５の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目５７］
２個の前記積層体の間に絶縁層が備えられることを特徴とする、項目５６に記載のタッチパネル。
［項目５８］
２個の前記積層体は、互いに反対方向または同じ方向に配置されることを特徴とする、項目５６または５７に記載のタッチパネル。
［項目５９］
前記基材の両面に、各々、前記導電性パターンおよび吸光性パターンが備えられることを特徴とする、項目２５から５８の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目６０］
前記導電性パターンは、不規則なパターン形態を有することを特徴とする、項目２５から５９の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目６１］
前記導電性パターンは、ボロノイ図をなす図形の境界線形態であることを特徴とする、項目６０に記載のタッチパネル。
［項目６２］
前記吸光性パターンは、前記導電性パターンの線幅と等しいか大きい線幅を有するパターン形態を有することを特徴とする、項目２５から６１の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目６３］
前記導電性パターンの線幅は１０μｍ以下、厚さは２μｍ以下、およびピッチは６００μｍ以下であることを特徴とする、項目２５から６２の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目６４］
前記吸光性パターンは、蒸着法によって形成されることを特徴とする、項目２５から６３の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目６５］
前記吸光性パターンおよび前記導電性パターンは、蒸着法によって形成されることを特徴とする、項目２５から６４の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目６６］
前記積層体の導電性パターンのうち電気的に接続された導電性パターンの面抵抗が０．５〜２００オーム／スクエアであることを特徴とする、項目５６に記載のタッチパネル。
［項目６７］
前記吸光性パターンは、誘電性物質、金属、金属の合金、金属の酸化物、金属の窒化物、金属の酸窒化物および金属の炭化物からなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする、項目２５から６６の何れか１項に記載のタッチパネル。
［項目６８］
前記金属は、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ、Ｃｕ、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｖ、ＡｕおよびＡｇからなる群から選択される１種以上を含むことを特徴とする、項目６７に記載のタッチパネル。
［項目６９］
項目２５から６８の何れか１項に記載のタッチパネルおよびディスプレイモジュールを含むディスプレイ。
［項目７０］
透明基材；
前記透明基材の少なくとも一面に備えられ、金属、金属合金、金属酸化物、金属窒化物および金属酸窒化物のうち少なくとも１つを含む導電層；および
前記導電層の少なくとも一面に備えられた吸光層を含み、
前記吸光層が前記導電層と透明基材との間に備えられ、
前記透明基材側において測定した全反射率が１５％以下であることを特徴とする構造体。
［項目７１］
透明基材；
前記透明基材の少なくとも一面に備えられ、アルミニウム、銀、銅、ネオジムおよびニッケルからなる金属群から選択される１種以上の金属、前記金属群から選択される２種以上の金属の合金、前記金属群から選択される１種以上の金属を含む酸化物、前記金属群から選択される１種以上の金属を含む窒化物、および前記金属群から選択される１種以上の金属を含む酸窒化物からなる群から選択される少なくとも１つを含む導電性パターン；および
前記導電性パターンの少なくとも一面に備えられ、前記導電性パターンに対応する領域のうち少なくとも一部に備えられた吸光性パターン
を含む構造体を含むタッチパネル。
以下、実施例によって本発明をより詳細に説明する。但し、以下の実施例は本発明を例示するためのものであり、これによって本発明の範囲が限定されるものではない。
＜実験例１＞
基材上にＭｏ系酸窒化物を用いて形成した吸光層を形成した後、その上にＣｕを用いて導電層を形成した。次に、全反射率測定のために前記導電層の上面に全面黒化処理を実施し、前記基材から可視光線を入射させて全反射率（Ｓｐｅｃｕｌａｒ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ／５５０ｎｍ）を測定した。この時、反射率は６．１％であった。実験例１による積層体を図８に図示する。
＜実験例２＞
基材上にＡｌ系酸窒化物を用いて形成した吸光層を形成した後、その上にＡｌを用いて導電層を形成した。次に、全反射率測定のために前記導電層の上面に全面黒化処理を実施し、前記基材から可視光線を入射させて全反射率（Ｓｐｅｃｕｌａｒ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ／５５０ｎｍ）を測定した。この時、反射率は２．１％であった。
＜実験例３＞
基材上にＣｕ系酸窒化物を用いて形成した吸光層を形成した後、その上にＣｕを用いて導電層を形成した。次に、全反射率測定のために前記導電層の上面に全面黒化処理を実施し、前記基材から可視光線を入射させて全反射率（Ｓｐｅｃｕｌａｒ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ／５５０ｎｍ）を測定した。この時、反射率は６％であった。
＜実験例４＞
基材上にＡｌ系酸窒化物を用いて形成した吸光層を形成した後、その上にＣｕを用いて導電層を形成した。次に、全反射率測定のために前記導電層の上面に全面黒化処理を実施し、前記基材から可視光線を入射させて全反射率（Ｓｐｅｃｕｌａｒ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ／５５０ｎｍ）を測定した。この時、反射率は３．１％であった。
＜実験例５＞
吸光層を形成しないことを除いては、前記実験例１と同様に実施した。この時、基材の背面に全面黒化処理を実施し、前記導電層側に可視光線を入射させて全反射率（Ｓｐｅｃｕｌａｒ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ／５５０ｎｍ）を測定した。この時、反射率は４９．９％であった。
＜実験例６＞
前記実験例１のように製造された構造体において、使用者が、吸光層側でない、導電層側を見る場合の全反射率を測定した。このために、基材の背面に全面黒化処理を実施し、前記導電層側に可視光線を入射させて全反射率（Ｓｐｅｃｕｌａｒ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ／５５０ｎｍ）を測定した。この時、全反射率は４９．９％であった。実験例６による全反射率の測定方法を図９に図示する。
＜実験例７＞
前記実験例１で用いられたものと同じ基材単独の全反射率を測定した。前記基材単独の全反射率は、基材の一面に全面黒化処理を実施し、その反対面に可視光線を入射させて全反射率（Ｓｐｅｃｕｌａｒ ｒｅｆｌｅｃｔｉｏｎ／５５０ｎｍ）を測定した。基材単独の全反射率は４．５％であった。実験例７による反射率の測定方法を図１０に図示する。
実験例１、実験例５および実験例７で製造された構造体の全反射率を図１１に図示する。
上記のように、本発明では、有効画面部に備えられた導電性パターンを含むタッチパネルにおいて、使用者が見る側に吸光性パターンを導入することにより、導電性パターンの導電度に影響を及ぼすことなく導電性パターンによる反射を防止し、吸光度を向上することによって導電性パターンの隠蔽性を向上させることができる。また、前記のような吸光性パターンの導入により、タッチパネルのコントラスト特性をより向上させることができる。
また、前記実験例１の構造体の顕微鏡反射光測定の結果を下記の図１２に示し、太陽光回折反射パターンを観察して下記の図１３に示す。また、前記実験例５の構造体の顕微鏡反射光測定の結果を下記の図１４に示し、太陽光回折反射パターンを観察して下記の図１５に示す。
また、前記実験例２の構造体の吸光層の色度（ｃｏｌｏｒｉｔｙ）および全反射率を下記の図１８に示し、前記実験例３の構造体の吸光層の色度（ｃｏｌｏｒｉｔｙ）および全反射率を下記の図１６に示す。また、前記実験例４の構造体の吸光層の色度（ｃｏｌｏｒｉｔｙ）および全反射率は下記の図１８と類似するように表れた。
下記の図１２〜１８の結果のように、本発明のように吸光性パターンを含むタッチパネルは、顕微鏡を通じて反射モードで測定する時、吸光性パターンによって線が暗く見えることを確認することができ、点光源の反射イメージでは、回折光の強度がさらに弱化して表れることを確認することができる。

Claims (20)

  1. 基材と、
    前記基材の少なくとも一面に備えられた導電層と、
    前記導電層と前記基材との間に備えられた吸光層と
    を含み、
    前記吸光層の厚さが１０ｎｍから４００ｎｍであり、
    前記基材側において測定した全反射率が１０％以下であり、
    前記導電層は、金属及び金属の合金からなる群から選択される少なくとも１つを含み、
    前記吸光層は、金属の酸化物、金属の窒化物、金属の酸窒化物からなる群から選択される１つ又は複数を含む
    構造体。
  2. 前記基材側において測定した全反射率が５％以下である
    請求項１に記載の構造体。
  3. 前記基材側において測定した全反射率が３％以下である
    請求項１又は２に記載の構造体。
  4. 前記構造体の２０度グロス値が３５０以下である
    請求項１から３の何れか１項に記載の構造体。
  5. 前記構造体の６０度グロス値が３００以下である
    請求項１から４の何れか１項に記載の構造体。
  6. 前記金属又は前記金属の合金は、アルミニウム、銀、銅、ネオジム及びニッケルからなる群から選択される１つ又は複数を含む
    請求項１から５の何れか１項に記載の構造体。
  7. 前記金属の酸化物、前記金属の窒化物又は前記金属の酸窒化物は、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕからなる群から選択される１つ又は複数を含む
    請求項１から６の何れか１項に記載の構造体。
  8. 基材と、
    前記基材の少なくとも一面に備えられた導電性パターンと、
    前記導電性パターンと前記基材との間に備えられ、前記導電性パターンに対応する領域のうち少なくとも一部に備えられた吸光性パターンと
    を含む構造体を含み、
    前記吸光性パターンの厚さが１０ｎｍから４００ｎｍであり、
    前記吸光性パターンは、前記導電性パターンと接する第１面と前記第１面に対向する第２面とを含み、前記吸光性パターンの前記第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率（Ｒｔ）は、前記吸光性パターンがないことを除いて同一の構成を有する構造体の全反射率（Ｒ０）に比べて、５０〜７０％減少し、
    前記導電性パターンは、金属及び金属の合金からなる群から選択される少なくとも１つを含み、
    前記吸光性パターンは、金属の酸化物、金属の窒化物、金属の酸窒化物からなる群から選択される１つ又は複数を含む
    タッチパネル。
  9. 前記吸光性パターンは、前記導電性パターンと接する第１面と前記第１面に対向する第２面とを含み、前記吸光性パターンの前記第２面側において前記構造体の全反射率を測定した時、前記構造体の全反射率（Ｒｔ）と前記基材の全反射率（Ｒ０）との間の差が４０％以下である
    請求項８に記載のタッチパネル。
  10. 前記タッチパネルは、前記構造体の一側に備えられた追加の基材をさらに含み、前記構造体に備えられた前記追加の基材の全反射率を前記追加の基材側において測定した時、前記構造体の全反射率と前記追加の基材の全反射率との間の差が９０％以下である
    請求項８又は９に記載のタッチパネル。
  11. 前記金属又は前記金属の合金は、アルミニウム、銀、銅、ネオジム及びニッケルからなる群から選択される１つ又は複数を含む
    請求項８から１０の何れか１項に記載のタッチパネル。
  12. 前記金属の酸化物、前記金属の窒化物、又は前記金属の酸窒化物は、Ｎｉ、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｃｒ、Ａｌ及びＣｕからなる群から選択される１つ又は複数を含む
    請求項８から１１の何れか１項に記載のタッチパネル。
  13. 基材と、前記基材の少なくとも一面上に備えられた導電性パターンと、前記導電性パターンの少なくとも一面に備えられ、前記導電性パターンに対応する領域に備えられた吸光性パターンとを含む積層体をさらに含む
    請求項８から１２の何れか１項に記載のタッチパネル。
  14. ２個の前記積層体の間に絶縁層が備えられる
    請求項１３に記載のタッチパネル。
  15. ２個の前記積層体が、反対方向又は同じ方向に配置される
    請求項１３又は１４に記載のタッチパネル。
  16. 前記導電性パターンは、不規則なパターン形態を有する
    請求項８から１５の何れか１項に記載のタッチパネル。
  17. 前記導電性パターンは、ボロノイ図をなす図形の境界線形態である
    請求項１６に記載のタッチパネル。
  18. 前記吸光性パターンは、前記導電性パターンの線幅と等しいか大きい線幅を有するパターン形態を有する
    請求項８から１７の何れか１項に記載のタッチパネル。
  19. 前記導電性パターンの線幅は１０μｍ以下、厚さは２μｍ以下、ピッチは６００μｍ以下である
    請求項８から１８の何れか１項に記載のタッチパネル。
  20. 請求項８から１９の何れか１項に記載のタッチパネルと、
    ディスプレイモジュールと
    を含むディスプレイ。
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