JP6070896B2 - 表示装置基板、表示装置基板の製造方法、及び、これを用いた表示装置 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims description 296
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 178
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 176
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 137
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 137
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims description 109
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 57
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 48
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 48
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 40
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 38
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 37
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 claims description 35
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 31
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 30
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 25
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 24
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 19
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 15
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 13
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000004040 coloring Methods 0.000 claims description 11
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 claims description 11
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 10
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 9
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 9
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 claims description 8
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N tellanylidenegermanium Chemical compound [Te]=[Ge] JBQYATWDVHIOAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims description 2
- 229910003455 mixed metal oxide Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 459
- 239000010408 film Substances 0.000 description 108
- 239000000463 material Substances 0.000 description 32
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 32
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 30
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 27
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 14
- 230000002829 reductive effect Effects 0.000 description 12
- 239000002585 base Substances 0.000 description 10
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 10
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 10
- 239000012860 organic pigment Substances 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 7
- 230000008859 change Effects 0.000 description 7
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 7
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 7
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 7
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 5
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 5
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 4
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 4
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 4
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000011161 development Methods 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 229910007541 Zn O Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 3
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 description 3
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 3
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241001269524 Dura Species 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000005354 aluminosilicate glass Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 239000006059 cover glass Substances 0.000 description 2
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 2
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 2
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 2
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 2
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000298 Cellophane Polymers 0.000 description 1
- 229910000570 Cupronickel Inorganic materials 0.000 description 1
- -1 IGZO Chemical compound 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010034972 Photosensitivity reaction Diseases 0.000 description 1
- ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N Potassium Chemical compound [K] ZLMJMSJWJFRBEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWXLRKWPEIAGAT-UHFFFAOYSA-N [Mg].[Cu] Chemical compound [Mg].[Cu] OWXLRKWPEIAGAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011575 calcium Substances 0.000 description 1
- 150000001721 carbon Chemical class 0.000 description 1
- 229910021393 carbon nanotube Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002041 carbon nanotube Substances 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910001430 chromium ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 1
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N copper(II) sulfide Chemical compound [S-2].[Cu+2] OMZSGWSJDCOLKM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 210000002858 crystal cell Anatomy 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 230000036211 photosensitivity Effects 0.000 description 1
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 1
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011591 potassium Substances 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 150000004763 sulfides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000001360 synchronised effect Effects 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
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Description
一方で、近年、タッチパネルを用いずに、タッチセンシング機能を液晶セル内、あるいは表示装置に持たせる“インセル”と呼称されるタッチセンシング技術の開発が進んでいる。
さらに、特許文献1は、遮光性金属膜の表面の光反射が、表示装置としたときにアレイ基板に具備されるトランジスタのチャネル層に入射し、トランジスタの誤動作となる可能性を考慮した技術を開示していない。
本発明の第3の目的は、安定した電気的実装が可能な表示装置基板を提供することである。
また、本発明によれば、高解像度で、かつ、高速なタッチ入力に応えられる表示装置、およびこれに用いる表示装置基板、カラーフィルタを具備する表示装置基板を提供することができる。
また、本発明によれば、安定した電気的実装が可能な表示装置基板を提供することができる。
以下に説明する各実施形態では、特徴的な部分について説明し、例えば通常の表示装置の構成要素と差異のない部分については説明を省略する。また、それぞれ実施形態は、本発明の表示装置基板、あるいは、これを具備する液晶表示装置の例として説明するが、本発明の表示装置基板は有機EL表示装置のような他の表示装置に適用可能である。
(黒色層)
黒色層4は、例えば、黒色の色材を分散させた着色樹脂で構成されている。銅の酸化物や銅合金の酸化物では十分な黒の色や低い反射率が得られないが、本実施形態に関わる黒色配線6表面での可視光の反射率は7%以下に抑えられ、かつ、後述する金属層2を挟持する構成であるため、高い遮光性が同時に得られる。
また、黒色配線6を、およそ屈折率1.5の透明樹脂層9で覆う構成とすることで、透明樹脂との界面での反射率は、可視光の波長の範囲内で、3%以下の低反射とすることができる。たとえば、透明樹脂との界面での反射率を、光の波長430nm、540nm、620nmでの反射率を含み、可視域400nm以上700nm以下で、0.1%以上3%以下の範囲内の低反射率にすることができる。
金属層2を形成する金属は、銅あるいは銅合金である。銅の薄膜や銅合金の薄膜を用いる場合、金属層2の膜厚を100nm以上、あるいは150nm以上とすると、金属層2は、可視光をほとんど透過しなくなる。したがって、本実施形態に関わる表示装置基板において、黒色配線6は、金属層2の膜厚が例えば100nm以上300nm以下程度であれば十分な遮光性を得ることができる。
第1の導電性金属酸化物層1は、例えば、インジウムを含む導電性の金属酸化物で形成される。第2の導電性金属酸化物層3は、例えば、酸化インジウムと酸化亜鉛と酸化錫との混合酸化物(複合酸化物)である。
さらに、第1の導電性金属酸化物層1と第2の導電性金属酸化物層3を形成する混合酸化物中の酸化亜鉛と酸化錫の量は、インジウムの原子比で0.01以上0.08未満の範囲内であることが好ましい。
図3は、本実施形態に関わる表示装置基板の模式平面図であり、赤画素R、緑画素G、青画素Bなどの画素と、これら画素を区分し、かつ、長辺の方向に配設された黒色配線6の一例を示す図である。
なお、タッチセンシングの駆動電圧を印加する駆動電極の役割は、黒色配線6とタッチ金属配線42のいずれでも良く、その役割を入れ替えることができる。
図5は、一実施形態の表示装置基板における黒色配線の端子部の線A−A´における部分断面図である。
矩形表示領域19とその周辺の一部は、透明樹脂層9で覆われている。黒色配線6が矩形表示領域19の外まで延びた端には端子部5が形成されている。
図6は、図7のアレイ基板35と表示装置基板100とを、液晶層30を介して対向した状態で貼り合わせたときの、D−D´方向の断面図でもある。なお、D−D´断面では、タッチ金属配線42は厳密には図示されないが、図6では、紙面奥にタッチ金属配線42があるものとして、破線でその位置を示した。また、図6では、偏光板、位相差版、配向膜、バックライトユニット、トランジスタであるアクティブ素子につながるゲート線やソース線などの図示を省略している。
アレイ基板35は、透明基板25と、絶縁層21、22、23と、共通電極32と、画素電極36と、タッチ金属配線42と、を有している。
図8は、本実施形態の表示装置のアクティブ素子として、酸化物半導体(In−Ga−Zn−O系の混合酸化物)で形成されたチャネル層49を具備するトランジスタ46の構成を示している。トランジスタ46は、薄膜トランジスタである。このトランジスタ46に電気的に連携される金属配線(ゲート線41及びソース線40)、さらにゲート線41上に複数層の絶縁層21、22、23を介し、かつ、ゲート線と平行に走るタッチ金属配線42などを示している。
ゲート電極GEは、透明基板25上に形成されている。ゲート電極GEは、ゲート線41と同じ層に配置され、対応するゲート線41と電気的に接続している(あるいは一体に形成されている)。ゲート電極GEは、絶縁層21に覆われている。
ソース電極SEは、絶縁層21上のチャネル層49上に配置している。ソース電極SEは、ソース線40と同じ層に配置され、対応するソース線40と電気的に接続している(あるいは一体に形成されている)。ソース電極SEは、絶縁層22に覆われている。
ドレイン電極DEは、絶縁層21上のチャネル層49上に配置している。ドレイン電極DEは、ソース線40およびソース電極SEと同じ層に配置され、絶縁層22、23を貫通するコンタクトホール47を介して、画素電極36と電気的に接続している。
平面視において、重なる位置にあるタッチ金属配線42とゲート線41とは、図9では、紙面に対し垂直方向(X方向)に延線され、互いに平行に走っている。なお、黒色配線6は、実際は紙面の奥に位置し、断面図として図示されないものであるが、説明のため破線で示し、静電容量C1が形成されることを模式的に示している。
上述のように黒色配線6は、第1の導電性金属酸化物層1と金属層2と第2の導電性金属酸化物層3と黒色層4とを積層した4層構成の導電性配線である。本実施形態および以下に説明する実施形態において、黒色配線6は、静電容量方式のタッチセンシングでのタッチ電極として用いることができる。タッチ電極とは、タッチセンシングに用いる駆動電極および検出電極の総称である。なお、本発明の記載において、駆動電極、検出電極をそれぞれ駆動配線、検出配線、あるいは黒色配線、タッチ金属配線や透明導電膜配線と記載することがある。
なお、以下の説明において、上述の実施形態と同様の構成については、同一の符号を付して説明を省略する。
図11は、図10に示す表示装置基板を具備する、表示装置の部分断面である。なお、図11では、表示装置の偏光板、位相差版、配向膜、バックライトユニット、アクティブ素子であるトランジスタにつながるゲート線やソース線などの図示を省略している。
カラーフィルタ層上には、透明樹脂層9が積層している。
図12は、第3の実施形態に関わる表示装置基板200の部分断面図である。
本実施形態が第2の実施形態と異なっている点は、表示装置基板200の透明樹脂層9上に透明導電膜配線7を形成した構造であり、アレイ基板45が共通電極を備えていない点である。
フローティングパターンは、スイッチング素子により、検出電極や駆動電極に切り替えて高精細なタッチセンシングを行っても良い。あるいは、フローティングパターンは、グランド(筐体に接地)と電気的に接続するように切り替えることもできる。タッチセンシングのS/N比改善のため、タッチセンシングの信号検出時にTFTなどアクティブ素子の信号配線を一時、グランド(筐体など)に接地しても良い。
また、駆動電極に印加する電圧(交流信号)として、印加する交流信号の電圧幅(振幅)を小さくすることで液晶表示への影響を軽減できる。
図15は、本発明の一実施形態に関わる表示装置基板のそれぞれの製造工程を示す部分断面図である。
・第1の導電性金属酸化物層; In:Zn:Sn ⇒ 90:8:2
・第2の導電性金属酸化物層; In:Zn:Sn ⇒ 91:7:2
・金属層 ; Cu:Mg ⇒ 99.5 : 0.5
第1の導電性金属酸化物層1と第2の導電性金属酸化物層3とに含まれるインジウム(In)の量は、80at%より多く含有させる必要がある。インジウム(In)の量は、80at%より多い方が好ましい。インジウム(In)の量は、90at%より多い方がさらに好ましい。インジウム(In)の量は、90at%より多い方が好ましい。インジウム(In)の量は、80at%より少ないと形成する導電性金属酸化物層の比抵抗が大きくなり好ましくない。亜鉛(Zn)の量は、20at%を超えると導電性金属酸化物(混合酸化物)の耐アルカリ性が低下するので好ましくない。
以上のように、本実施形態に関わる表示装置基板の製造方法では、フォトマスクを用いる工程は1回で済み、マスク費用の削減と、工程削減のメリットがある。
図16は、第4の実施形態に関わる表示装置基板の部分断面図である。
本実施形態の表示装置基板では、上述の第1の実施形態の表示装置基板100の導電性金属酸化物層1と金属層2との界面に黒色酸化物層8を挿入している。なお、本実施形態の表示装置基板は、上述の複数の実施態様の変形例として提供することができる。
図17は、第5の実施形態に関わる表示装置基板の部分断面図である。
本実施形態の表示装置基板は、例えば図1に示す表示装置基板の透明基板15と第1の導電性金属酸化物層1との間に、第2の黒色層18を配置している。本実施形態の表示装置基板は、上述の複数の実施態様の変形例として提供することができる。
図18のoに示すように、透明基板15上に第2の黒色層18を、塗布、硬膜する。硬膜は、光を併用しても良いが、たとえば、250℃の熱処理で硬膜させることが簡便である。第2の黒色層18の材料は、第1の実施形態の黒色層4と同じ材料でよい。本実施形態では、第2の黒色層18の膜厚は、約0.5μmとした。
図18のdに示す黒色配線パターン4aの膜厚は、1.1μmであり、ハーフトーンマスクの40%透過率部分の端子部5に相当する端子部パターン4bの膜厚は0.5μmである。図18のdに示す黒色配線パターン4aのパターン間に露出した第2の黒色層18の膜厚は0.5μmである。この状態の表示装置基板に対してドライエッチング量を0.6μmと設定することで、端子部5に相当する端子部パターン4bと黒色配線パターン4aのパターン間に露出する第2の黒色層18とをドライエッチング工程により完全に除去できる。図18のeに示す表示装置基板は、このドライエッチング工程を経た表示装置基板である。
図19は、第6の実施形態に関わる表示装置基板を説明するための図であって、黒色配線6と、カラーフィルタ層の赤画素R、緑画素G、青画素Bとが異なる面に配設されている表示装置基板の部分断面図である。
アレイ基板35および液晶層30の構成は、タッチ金属配線37の構成以外は上述の第1の実施形態の表示装置と同様である。タッチ金属配線37は、たとえば、図示されていないトランジスタ(アクティブ素子)のゲート電極あるいはソース電極(又はドレイン電極)と同じ金属配線の製造工程で同時に形成できる。
黒色配線6とタッチ金属配線37はタッチセンシング駆動において、検出電極と駆動電極の役割を入れ替えて用いても良い。
本実施形態の表示装置基板、表示装置、および、表示装置基板の製造方法によれば、上述の実施形態と同様の効果を得ることができる。
図21は、第7の実施形態に関わる表示装置基板を説明するための図であって、黒色配線6と、カラーフィルタ層の赤画素R、緑画素G、青画素Bとが異なる面に配設されている表示装置基板の部分断面図である。
すなわち、上述の複数の実施形態によれば、低抵抗でアルカリ耐性のある黒色配線であって、無アルカリガラスである基板と密着性の高い状態、かつ、バックライトなど表示装置の光源からの光の再反射を低減するタッチセンシング用配線を具備する表示装置基板を提供することができる。
また、上述の複数の実施形態によれば、安定した電気的実装が可能な表示装置基板を提供することができる。
例えば、上述の複数の実施形態に関わる表示装置は、種々の応用が可能である。上述の複数の実施形態の表示装置が対象とできる電子機器として、携帯電話、携帯型ゲーム機器、携帯情報端末、パーソナルコンピュータ、電子書籍、ビデオカメラ、デジタルスチルカメラ、ヘッドマウントディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置(カーオーディオ、デジタルオーディオプレイヤー等)、複写機、ファクシミリ、プリンター、プリンター複合機、自動販売機、現金自動預け入れ払い機(ATM)、個人認証機器、光通信機器などが挙げられる。上記の各実施形態は、自由に組み合わせて用いることができる。
Claims (15)
- 無アルカリガラスである透明基板と、
前記透明基板上において、複数の画素間に配置され、第1の導電性金属酸化物層と、前記第1の導電性金属酸化物層上に配置された金属層と、前記金属層上に配置された第2の導電性金属酸化物層と、前記第2の導電性金属酸化物層上に配置された黒色層と、を含む黒色配線と、を備え、
前記黒色配線は第1方向に延び、前記第1方向と略直交する第2方向に所定の間隔を置いて複数の前記黒色配線が配置され、
前記黒色配線は、前記複数の画素を含む表示領域の外まで延びた端部において前記第2の導電性金属酸化物層が露出した端子部を備えた引回し配線を含み、
前記金属層は銅あるいは銅合金で形成され、
前記黒色層はカーボンを主たる色材とし、
前記第1および第2の導電性金属酸化物層は、酸化インジウムと酸化亜鉛と酸化錫との混合酸化物で形成され、
前記第1の導電性金属酸化物層、前記金属層、前記第2の導電性金属酸化物層、および、前記黒色層は、等しい線幅である、表示装置基板。 - 前記混合酸化物に含まれるインジウム(In)と亜鉛(Zn)と錫(Sn)のIn/(In+Zn+Sn)で示される原子比は、0.8より大きく、かつ、Zn/Snの原子比は1より大きい請求項1に記載の表示装置基板。
- 前記黒色層に含まれるカーボンの含有量が4質量%以上50質量%以下の範囲内にある請求項1に記載の表示装置基板。
- 前記第1の導電性金属酸化物層と前記金属層との界面に、金属を酸化させた黒色酸化物層を更に具備したことを特徴とする請求項1に記載の表示装置基板。
- 前記透明基板と前記第1の導電性金属酸化物層との界面に、第2の黒色層を更に具備し、
前記第2の黒色層は前記黒色配線と等しい線幅である請求項1に記載の表示装置基板。 - 少なくとも前記表示領域を覆うように、前記黒色配線上に透明樹脂層を積層した、請求項1に記載の表示装置基板。
- 前記黒色配線の上層において、前記複数の画素のそれぞれに配置された赤色の着色層、青色の着色層、および緑色の着色層を含むカラーフィルタ層と、前記カラーフィルタ層上に前記表示領域を覆うように透明樹脂層を積層した、請求項1に記載の表示装置基板。
- 無アルカリガラスである透明基板上に複数の画素を備える表示領域に、前記複数の画素を区分し、前記表示領域外に延びた端部に端子部を有する黒色配線を具備した表示装置基板の製造方法であって、
無アルカリガラスである透明基板上に第1の導電性金属酸化物層と、銅層あるいは銅合金層からなる金属層と、第2の導電性金属酸化物層を形成する成膜工程と、
少なくとも、カーボンとアルカリ可溶なアクリル樹脂を含む黒色感光液を前記第2の導電性金属酸化物層上に塗布し、乾燥させて黒色膜とする塗布工程と、
前記黒色配線の第1パターンと、前記第1パターンと光透過率の異なる前記端子部の第2パターンとを具備するハーフトーンマスクを介して露光し、アルカリ現像液を用いて透明基板上の前記黒色膜を選択的に除去するとともに、前記黒色配線のパターンとして厚い黒色膜を残し、前記端子部のパターンとして薄い黒色膜を形成する黒色膜のパターン形成工程と、
ウエットエッチングの手法にて、前記第1の導電性金属酸化物層と、前記銅層あるいは銅合金層からなる金属層と、前記第2の導電性金属酸化物層との3層の黒色膜で覆われていない部分を除去するウエットエッチング工程と、
ドライエッチングの手法にて、前記黒色配線のパターンとして厚い黒色膜の表面の一部を膜厚方向に除去するとともに、前記端子部のパターンとして薄い黒色膜を除去して前記端子部の第2の導電酸化物層の表面を露出させるドライエッチング工程と、を備え、
前記透明基板上に第1の導電性金属酸化物層と、銅層あるいは銅合金層からなる金属層と、第2の導電性金属酸化物層と、カーボンを主たる色材とする黒色層とを、この順で、それぞれ等しい線幅にて積層した黒色配線を形成する、表示装置基板の製造方法。 - 請求項1乃至請求項7のいずれか1項に記載の表示装置基板と、前記表示装置基板と対向して固定されたアレイ基板と、前記表示装置基板と前記アレイ基板との間に配置された液晶層と、を備えた表示装置であって、
前記アレイ基板は、平面視において、複数の画素の隣接位置および前記黒色配線と重なる位置に配置されたアクティブ素子と、前記アクティブ素子と電気的に接続した金属配線と、前記黒色配線と交差する方向に延びたタッチ金属配線と、具備した表示装置。 - 前記アクティブ素子が、ガリウム、インジウム、亜鉛、錫、ゲルマニウム、マグネシウム、アルミニウムの2種以上の混合金属酸化物で形成されるチャネル層を具備するトランジスタである請求項9に記載の表示装置。
- 前記アレイ基板は前記チャネル層を覆う遮光パターンを更に備え、
前記タッチ金属配線と前記遮光パターンとは同じ層に配置されている請求項10に記載の表示装置。 - 前記液晶層の配向が、前記アレイ基板の面に平行である請求項9に記載の表示装置。
- 請求項6あるいは請求項7に記載の表示装置基板と、アレイ基板とを向かい合うように、液晶層を介して貼り合わせた表示装置であって、
前記表示装置基板は、前記透明樹脂層上に、平面視において、前記黒色配線と交差する複数の透明導電膜配線を更に備え、
前記アレイ基板は、平面視において、複数の画素の隣接位置および前記黒色配線と重なる位置にアクティブ素子を具備した、表示装置。 - 前記アクティブ素子が、ガリウム、インジウム、亜鉛、錫、ゲルマニウム、マグネシウム、アルミニウムの2種以上の混合金属酸化物で形成されるチャネル層を具備するトランジスタである請求項13に記載の表示装置。
- 前記液晶層の配向が、前記アレイ基板の面に垂直である請求項13に記載の表示装置。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014247206 | 2014-12-05 | ||
JP2014247206 | 2014-12-05 | ||
PCT/JP2015/080546 WO2016088488A1 (ja) | 2014-12-05 | 2015-10-29 | 表示装置基板、表示装置基板の製造方法、及び、これを用いた表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6070896B2 true JP6070896B2 (ja) | 2017-02-01 |
JPWO2016088488A1 JPWO2016088488A1 (ja) | 2017-04-27 |
Family
ID=56091443
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2016510337A Active JP6070896B2 (ja) | 2014-12-05 | 2015-10-29 | 表示装置基板、表示装置基板の製造方法、及び、これを用いた表示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6070896B2 (ja) |
KR (1) | KR101935187B1 (ja) |
CN (1) | CN107077807B (ja) |
TW (1) | TWI663586B (ja) |
WO (1) | WO2016088488A1 (ja) |
Families Citing this family (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6565517B2 (ja) * | 2015-09-09 | 2019-08-28 | 凸版印刷株式会社 | 配線基板、半導体装置、および液晶表示装置 |
JP6978232B2 (ja) * | 2017-06-12 | 2021-12-08 | 東京応化工業株式会社 | 積層体、及び積層体の製造方法 |
CN107703685B (zh) * | 2016-08-08 | 2022-03-18 | 东京应化工业株式会社 | 层叠体和层叠体的制造方法 |
JP6756541B2 (ja) * | 2016-08-08 | 2020-09-16 | 東京応化工業株式会社 | 基板の製造方法 |
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-
2015
- 2015-10-29 JP JP2016510337A patent/JP6070896B2/ja active Active
- 2015-10-29 CN CN201580057277.0A patent/CN107077807B/zh active Active
- 2015-10-29 WO PCT/JP2015/080546 patent/WO2016088488A1/ja active Application Filing
- 2015-10-29 KR KR1020177010547A patent/KR101935187B1/ko active IP Right Grant
- 2015-12-02 TW TW104140259A patent/TWI663586B/zh active
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010072584A (ja) * | 2008-09-22 | 2010-04-02 | Dainippon Printing Co Ltd | 表示装置用基板、および、表示装置 |
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JP2012220670A (ja) * | 2011-04-07 | 2012-11-12 | Toppan Printing Co Ltd | タッチパネル電極付きカラーフィルタとその製造方法 |
WO2013018495A1 (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-07 | シャープ株式会社 | タッチパネル基板及び表示パネル |
WO2013138458A1 (en) * | 2012-03-15 | 2013-09-19 | Corning Incorporated | Touch screen assemblies for electronic devices |
WO2013141056A1 (ja) * | 2012-03-22 | 2013-09-26 | シャープ株式会社 | カラーフィルター一体型タッチパネル |
JP2013246289A (ja) * | 2012-05-25 | 2013-12-09 | Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd | 液晶表示装置 |
JP2013174900A (ja) * | 2013-04-18 | 2013-09-05 | Toppan Printing Co Ltd | タッチパネル電極付カラーフィルタ基板の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPWO2016088488A1 (ja) | 2017-04-27 |
KR20170066443A (ko) | 2017-06-14 |
TW201631564A (zh) | 2016-09-01 |
CN107077807B (zh) | 2019-11-08 |
CN107077807A (zh) | 2017-08-18 |
KR101935187B1 (ko) | 2019-03-18 |
TWI663586B (zh) | 2019-06-21 |
WO2016088488A1 (ja) | 2016-06-09 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161206 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161219 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
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R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |