TWI776654B - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents

Abstract

一種顯示裝置，包括基板、驅動電路層、絕緣層、多個接墊結構、多個發光元件、第一吸光圖案層及第二吸光圖案層。驅動電路層設置於基板上。絕緣層設置於驅動電路層上。多個接墊結構設置於絕緣層上且電性連接至驅動電路層。每一接墊結構包括第一接墊組及第二接墊組。多個發光元件設置於多個接墊結構上且分別電性連接至多個接墊結構。第一吸光圖案層設置於多個接墊結構的多個第二接墊組上。第二吸光圖案層設置於絕緣層上。第一接墊組包括於結構上分離的多個第一接墊。第一接墊具有背向基板的頂面。第二吸光圖案層具有背向基板的頂面。第一接墊之頂面與基板的距離大於第二吸光圖案層之頂面與基板的距離。此外，上述顯示裝置的製造方法也被提出。

Description

顯示裝置及其製造方法

本發明是有關於一種光電裝置及其製造方法，且特別是有關於一種顯示裝置及其製造方法。

隨著顯示技術的精進，面板產業的發展不再只是追求大尺寸及高產能利用率，而是朝向呈現更高水準的面板畫質為目標。目前面板發展的趨勢逐漸由背光發光轉為主動式發光，主因是主動式發光面板具有輕薄、可撓、廣色域、廣視角、高對比、高解析度等優點，可呈現絕佳的面板畫質且適於更多元化的產品應用。在各種主動式發光顯示器中，微型發光二極體顯示器還具有局部調光（local dimming）、高亮度、更長的使用壽命等有機發光二極體顯示器沒有的優點，因此也成為未來面板產業的主要發展技術。

微型發光二極體顯示器除了驅動電路層的金屬線路會反光外，因巨量（Mass transfer）的技術不易，目前在基板上會預先設置修補接墊。然而，一般來說，修補接墊的材料為金屬，金屬具有高反射率，當預留的修補接墊的面積越大時，微型發光二極體顯示面板的整體反射率越高，且外觀上會產生因金屬反射所致的碎亮點。

本發明提供一種顯示裝置，具有低反射率。

本發明提供一種顯示裝置的製造方法，能製造出具有低反射率的顯示裝置。

本發明的顯示裝置，包括基板、驅動電路層、絕緣層、多個接墊結構、多個發光元件、第一吸光圖案層及第二吸光圖案層。基板具有多個第一區、多個第二區及第三區，其中多個第一區與多個第二區對應設置，且第三區設置於多個第一區及多個第二區外。驅動電路層設置於基板上。絕緣層設置於驅動電路層上。多個接墊結構設置於絕緣層上，且電性連接至驅動電路層。每一接墊結構包括位於基板之多個第一區上的第一接墊組及位於基板之多個第二區上的第二接墊組。多個發光元件設置於多個接墊結構上，且分別電性連接至多個接墊結構。第一吸光圖案層設置於多個接墊結構的多個第二接墊組上。第二吸光圖案層設置於絕緣層上，且位於基板的第三區。每一接墊結構的第一接墊組包括於結構上分離的多個第一接墊。第一接墊具有背向基板的頂面，第二吸光圖案層具有背向基板的頂面，且第一接墊之頂面與基板的距離大於第二吸光圖案層之頂面與基板的距離。

本發明的顯示裝置的製造方法，包括下列步驟：提供背板，其中背板包括基板、設置於基板上的驅動電路層、設置於驅動電路層上的絕緣層和設置於絕緣層上且電性連接至驅動電路層的多個接墊結構，基板具有多個第一區、多個第二區及第三區，第一區與第二區對應設置，第三區設置於第一區及第二區外，每一接墊結構包括位於基板之第一區上的第一接墊組及位於基板之第二區上的第二接墊組；形成第一吸光圖案層，以覆蓋多個接墊結構的多個第二接墊組，且暴露多個接墊結構的多個第一接墊組及絕緣層；形成第二吸光圖案層，以覆蓋絕緣層，其中第二吸光圖案層暴露多個接墊結構的多個第一接墊組、多個接墊結構的多個第二接墊組及第一吸光圖案層；以及轉置多個發光元件於多個接墊結構的多個第一接墊組上，且令多個發光元件電性連接至多個接墊結構的多個第一接墊組。

現將詳細地參考本發明的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。

應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，“連接”可以指物理及/或電性連接。再者，“電性連接”或“耦合”可以是二元件間存在其它元件。

本文使用的“約”、“近似”、或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或±30％、±20％、±10％、±5％內。再者，本文使用的“約”、“近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。

除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。

圖1A至圖1F為本發明一實施例之顯示裝置10的製造流程的立體示意圖。

圖2A至圖2F為本發明一實施例之顯示裝置10的製造流程的剖面示意圖。圖2A至圖2F分別對應圖1A至圖1F的線段I-I’。

圖3A至圖3F為本發明一實施例之顯示裝置10的製造流程的剖面示意圖。圖3A至圖3F分別對應圖1A至圖1F的線段II-II’。

以下配合圖1A至圖1F、圖2A至圖2F、圖3A至圖3F舉例說明本發明一實施例之顯示裝置10的製造方法。

請參照圖1A、圖2A及圖3A，首先，提供一背板BP。背板BP包括基板110。基板110具有多個第一區110a、多個第二區110b及一第三區110c，其中多個第一區110a與多個第二區110b對應設置，且第三區110c設置於多個第一區110a及多個第二區110b外。舉例而言，在本實施例中，基板110的材質可為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料（例如：晶圓、陶瓷等）、或是其它可適用的材料。

背板BP更包括設置於基板110上的驅動電路層120、設置於驅動電路層120上的絕緣層130以及設置於絕緣層130上的多個接墊結構140。每一接墊結構140包括位於基板110之多個第一區110a上的第一接墊組141和位於基板110之多個第二區110b上的第二接墊組142。第一接墊組141包括於結構上分離的多個第一接墊141a、141b，分別位於基板110的多個第一區110a。第二接墊組142包括於結構上分離的多個第二接墊142a、142b，分別位於基板110的多個第二區110b。

第一接墊組141的多個第一接墊141a、141b用以在首次轉置工序中與發光元件LED（可參考圖1C）電性連接。第一接墊組141之多個第一接墊141a、141b所在的多個第一區110a又可稱發光元件接墊區。第二接墊組142的多個第二接墊142a、142b用以在修補工序中與修補用的發光元件LED’（可參考圖1E）電性連接。第二接墊組142之多個第二接墊142a、142b所在的多個第二區110b又可稱修補接墊區。第三區110c未與多個第一接墊141a、141b及多個第二接墊142a、142b重疊，第三區110c上設有絕緣層130的至少一部分，而第三區110c又可稱絕緣層區。

圖4為本發明一實施例的驅動電路層120的示意圖。請參照圖1A、圖2A及圖3A，多個接墊結構140電性連接至驅動電路層120。請參照圖1A、圖2A、圖3A及圖4，舉例而言，在本實施例中，驅動電路層120可包括多條資料線DL、一掃描線GL、至少一電源線PL、至少一共通線CL及多個子畫素驅動電路PC，其中多個接墊結構140分別電性連接至多個子畫素驅動電路PC。

具體而言，在本實施例中，每一子畫素驅動電路PC可包括第一電晶體T1、第二電晶體T2及電容C，其中第一電晶體T1的第一端T1a電性連接至對應的一資料線DL，第一電晶體T1的控制端T1c電性連接至掃描線GL，第一電晶體T1的第二端T1b電性連接至第二電晶體T2的控制端T2c，第二電晶體T2的第一端T2a電性連接至對應的一電源線PL，電容C電性連接於第一電晶體T1的第二端T1b及第二電晶體T2的第一端T2a，第二電晶體T2的第二端T2b電性連接至對應之一接墊結構140的第一接墊141a及第二接墊142a，且接墊結構140的另一第一接墊141b及另一第二接墊142b電性連接至對應的一共通線CL。

舉例而言，在本實施例中，多個子畫素驅動電路PC包括第一子畫素驅動電路PC1、第二子畫素驅動電路PC2及第三子畫素驅動電路PC3；多個接墊結構140可包括第一接墊結構140-1、第二接墊結構140-2及第三接墊結構140-3；分別位於第一區110a及第二區110b（即，分別位於發光元件接墊區及修補接墊區）的第一接墊結構140-1的第一接墊141a及第二接墊142a電性連接至第一子畫素驅動電路PC1的第二電晶體T2的第二端T2b，且分別位於第一區110a及第二區110b（即，分別位於發光元件接墊區及修補接墊區）的第一接墊結構140-1的另一第一接墊141b及另一第二接墊142b則電性連接至對應的共通線CL；分別位於第一區110a及第二區110b（即，分別位於發光元件接墊區及修補接墊區）的第二接墊結構140-2的第一接墊141a及第二接墊142a電性連接至第二子畫素驅動電路PC2的第二電晶體T2的第二端T2b，且分別位於第一區110a及第二區110b（即，分別位於發光元件接墊區及修補接墊區）的第二接墊結構140-2的另一第一接墊141b及另一第二接墊142b電性連接至對應的共通線CL；分別位於第一區110a及第二區110b（即，分別位於發光元件接墊區及修補接墊區）的第三接墊結構140-3的第一接墊141a及第二接墊142a電性連接至第三子畫素驅動電路PC3的第二電晶體T2的第二端T2b，且分別位於第一區110a及第二區110b（即，分別位於發光元件接墊區及修補接墊區）的第三接墊結構140-3的另一第一接墊141b及另一第二接墊142b電性連接至對應的共通線CL。

請參照圖1A、圖2A及圖3A，接著，形成第一吸光圖案層150，以覆蓋多個接墊結構140的多個第二接墊組142，且暴露多個接墊結構140的多個第一接墊組141及絕緣層130。詳細而言，在本實施例中，可形成整面的第一吸光材料層（未繪示）；接著，再移除多個第一接墊組141及位於第三區110c之絕緣層130上的部分第一吸光材料層，以形成第一吸光圖案層150，其中第一吸光圖案層150設置於多個接墊結構140的多個第二接墊組142上，第一吸光圖案層150包括多個第一吸光圖案152，多個第一吸光圖案152於結構上分離且分別覆蓋多個接墊結構140的多個第二接墊142a、142b，第一吸光圖案層150未覆蓋第一區110a（即，發光元件接墊區）上的多個第一接墊141a、141b及位於第三區110c上絕緣層130。

第一吸光圖案層150具有降低反射的作用。在本實施例中，第一吸光圖案層150的材質可為金屬氧化物、金屬氮化物、金屬氮氧化物、或其它可適用的材料。舉例而言，在本實施例中，第一吸光圖案層150的材質可為MoTaO _x，但本發明不以此為限。

請參照圖1B、圖2B及圖3B，接著，形成第二吸光圖案層160，以覆蓋絕緣層130，其中第二吸光圖案層160暴露多個接墊結構140的多個第一接墊組141、多個接墊結構140的多個第二接墊組142及第一吸光圖案層150。詳細而言，在本實施例中，可先形成整面的第二吸光材料層（未繪示）；之後，再移除多個接墊結構140之多個第一接墊141a、141b及多個第二接墊142a、142b上的部分第二吸光材料層，以形成第二吸光圖案層160。在本實施例中，第二吸光圖案層160可為黑色吸收塗層，但本發明不以此為限。

在本實施例中，第二吸光圖案層160具有分別重疊於多個第一接墊141a、141b及多個第二接墊142a、142b的多個第一開口161及多個第二開口162。換言之，在本實施例中，第二吸光圖案層160與多個第一接墊141a、141b及多個第二接墊142a、142b可為互補圖案，但本發明不以此為限。

請參照圖1B、圖2B及圖3B，第二吸光圖案層160設置於絕緣層130上，且位於基板110的第三區110c。

請參照圖2B，在本實施例中，第一接墊141a、141b具有背向基板110的頂面141s，第二吸光圖案層160具有背向基板110的一頂面160s，且第一接墊141a、141b之頂面141s與基板110的距離D1大於第二吸光圖案層160之頂面160s與基板110的距離d。換言之，第一接墊141a、141b高出第二吸光圖案層160，以利與發光元件LED（可參考圖2C）接合。

請參照圖3B，在本實施例中，第二接墊142a、142b具有背向基板110的頂面142s，第二吸光圖案層160具有背向基板110的一頂面160s，且第二接墊142a、142b之頂面142s與基板110的距離D2大於第二吸光圖案層160之頂面160s與基板110的距離d。換言之，第二接墊142a、142b高出第二吸光圖案層160，以利與發光元件LED’（可參考圖3E）接合。

請參照圖1C、圖2C及圖3C，接著，轉置多個發光元件LED於多個接墊結構140的多個第一接墊組141上，且令多個發光元件LED電性連接至多個接墊結構140的多個第一接墊組141。發光元件LED包括第一型半導體層（未繪示）、第二型半導體層（未繪示）、設置於第一型半導體層與第二型半導體層之間的主動層（未繪示）、與第一型半導體電性連接的第一電極（未繪示）和與第二型半導體電性連接的第二電極（未繪示），其中發光元件LED的第一電極及第二電極可分別與對應之一第一接墊組141的第一接墊141a及第一接墊141b電性連接。

舉例而言，在本實施例中，多個發光元件LED可包括用以發出第一色光的第一發光元件LED1、用以發出第二色光的第二發光元件LED2及用以發出第三色光的第三發光元件LED3；第一發光元件LED1被轉置於第一接墊結構140-1的多個第一接墊141a、141b上，且第一發光元件LED1的第一電極及第二電極分別與第一接墊結構140-1的第一接墊141a及第一接墊141b電性連接；第二發光元件LED2被轉置於第二接墊結構140-2的多個第一接墊141a、141b上，且第二發光元件LED2的第一電極及第二電極分別與第二接墊結構140-2的第一接墊141a及第一接墊141b電性連接；第三發光元件LED3被轉置於第三接墊結構140-3的多個第一接墊141a、141b上，且第三發光元件LED3的第一電極及第二電極分別與第三接墊結構140-3的第一接墊141a及第一接墊141b電性連接。

在本實施例中，第一發光元件LED1、第二發光元件LED2及第三發光元件LED3例如是分別用以發出紅光、綠光及藍光的多個微型發光二極體（micro-LEDs），但本發明不以此為限。

請參照圖1C、圖2C及圖3C，接著，進行一檢測工序，以發現多個發光元件LED中損壞的發光元件LED，其中損壞的發光元件LED設置於第一接墊組141上，且第二接墊組142對應於第一接墊組141。請參照圖1C、圖1D、圖1E、圖2C、圖2D、圖2E、圖3C、圖3D及圖3E，接著，移除第一吸光圖案層150的多個第一吸光圖案152，以暴露所述第二接墊組142；然後，轉置修補用的發光元件LED’於所述第二接墊組142上，且令修補用的發光元件LED’電性連接至所述第二接墊組142。

請參照圖1C、圖2C及圖3C，舉例而言，在本實施例中，進行檢測工序時，發現第二發光元件LED2損壞，其中損壞的第二發光元件LED2設置於第二接墊結構140-2的第一接墊組141上。請參照圖1C、圖1D、圖2C、圖2D、圖3C及圖3D，接著，移除第二接墊結構140-2之多個第二接墊142a、142b上的多個第一吸光圖案152，以暴露第二接墊結構140-2的多個第二接墊142a、142b。請參照圖1E、圖2E及圖3E，然後，轉置修補用的發光元件LED’於第二接墊結構140-2的第二接墊組142上，且令修補用的發光元件LED’電性連接至第二接墊結構140-2的多個第二接墊142a、142b，其中修補用的發光元件LED’與損壞的發光元件LED是用以發出同一種色光的發光元件（例如但不限於：用以發出第二色光的第二發光元件LED2）。

舉例而言，在本實施例中，可使用蝕刻液或雷射去除損壞之發光元件LED所在之接墊結構140的多個第二接墊142a、142b上的多個第一吸光圖案152，但本發明不以此為限。

請參照圖1D、圖1E、圖2D、圖2E、圖3D及圖3E，此外，在本實施例中，還可選擇性地將損壞的發光元件LED（例如但不限於：圖1D的第二發光元件LED2）移除，但本發明不以此為限。

請參照圖1F、圖2F及圖3F，接著，在本實施例中，可選擇性地形成覆晶膠層170，以覆蓋多個發光元件LED、LED’、第一吸光圖案層150及第二吸光圖案層160。覆晶膠層170可選用透明膠或具有適當穿透率的吸光膠。舉例而言，在本實施例中，覆晶膠層170可選擇性地為吸光膠（例如但不限於：黑膠）。然後，在本實施例中，可選擇性地於覆晶膠層170上形成表面處理膜180，於此便完成顯示裝置10。表面處理膜180具有降低界面反射的作用。舉例而言，在本實施例中，表面處理膜180可以是抗反射膜或抗眩膜，但本發明不以此為限。

值得一提的是，由於顯示裝置10之至少一部分的第二區110b（即，修補接墊區）上設有第一吸光圖案層150，且顯示裝置10之至少一部分的第三區110c（即，絕緣層區）上設有第二吸光圖案層160，因此顯示裝置10的反射率能大幅下降，且外觀上的碎亮點問題也隨之改善。

請參照圖1F、圖2F及圖3F，在本實施例中，顯示裝置10的一畫素區（例如：圖1F所示的區域）經修補，因此所述畫素區之至少一第二接墊組142的多個第二接墊142a、142b上未設有第一吸光圖案層150。舉例而言，在本實施例中，於經修補的一畫素區內，第一吸光圖案層150的多個第一吸光圖案152覆蓋第一接墊結構140-1的多個第二接墊142a、142b及第三接墊結構140-3的多個第二接墊142a、142b，但未覆蓋第二接墊結構140-2的多個第二接墊142a、142b；此外，第一吸光圖案層150也未覆蓋第一接墊結構140-1的第一接墊組141的多個第一接墊141a、141b、第二接墊結構140-2的第一接墊組141的多個第一接墊141a、141b及第三接墊結構140-3的第一接墊組141的多個第一接墊141a、141b；第一發光元件LED1設置於第一接墊結構140-1的第一接墊組141上，第二發光元件LED2設置於第二接墊結構140-2的第二接墊組142b上，且第三發光元件LED3設置於第三接墊結構140-3的第一接墊組141上。

請參照圖3F，在本實施例中，第二接墊142a或142b與一第一吸光圖案152堆疊成一堆疊結構S。圖5示出本發明一實施例的一第一吸光圖案152的厚度與堆疊結構S的反射率的關係。在圖5的實施例中，第二接墊142a、142b的材質為鈦（Ti），第一吸光圖案152的材質為MoTaO _x，第二接墊142a、142b的厚度T142（標示於圖3F）落在40nm到60nm的範圍，第一吸光圖案152的厚度T152（標示於圖3F）落在166nm到186nm的範圍，而堆疊結構S的反射率可小於或等於2 %。

圖6示出本發明另一實施例的一第一吸光圖案152的厚度與堆疊結構S的反射率的關係。在圖6的實施例中，第二接墊142a、142b的材質為銅（Cu），第一吸光圖案152的材質為MoTaO _x，第二接墊142a、142b的厚度T142（標示於圖3F）落在60nm到1000nm的範圍，第一吸光圖案152的厚度T152（標示於圖3F）落在165nm到195nm的範圍，而堆疊結構S的反射率d可小於或等於2 %。

圖7示出覆晶膠層170的穿透率與一比較例及本發明多個實施例一～四的顯示裝置的反射率的關係。

圖7之實施例一的顯示裝置的構造如圖1F、圖2F及圖3F所示，圖7之實施例一的顯示裝置包括第一吸光圖案層150及第二吸光圖案層160，且圖7之實施例一的顯示裝置的第二接墊142a、142b及第一吸光圖案152的材質分別為鈦（Ti）及MoTaO _x。

圖7之實施例二的顯示裝置的構造如圖1F、圖2F及圖3F所示，圖7之實施例二的顯示裝置包括第一吸光圖案層150及第二吸光圖案層160，且圖7之實施例二的顯示裝置的第二接墊142a、142b及第一吸光圖案152的材質分別為銅（Cu）及MoTaO _x。

圖7之實施例三的顯示裝置的構造類似於圖1F、圖2F及圖3F的顯示裝置10的構造，兩者的差異在於：圖7之實施例三的顯示裝置包括第二吸光圖案層160但不包括第一吸光圖案層150，且圖7之實施例三的顯示裝置的第二接墊142a、142b及第一吸光圖案152的材質分別為鈦（Ti）及MoTaO _x。

圖7之實施例四的顯示裝置的構造類似於圖1F、圖2F及圖3F的顯示裝置10的構造，兩者的差異在於：圖7之實施例四的顯示裝置包括第二吸光圖案層160但不包括第一吸光圖案層150，且圖7之實施例四的顯示裝置的第二接墊142a、142b及第一吸光圖案152的材質分別為銅（Cu）及MoTaO _x。

比較例的顯示裝置的構造類似於圖1F、圖2F及圖3F的顯示裝置10的構造，兩者的差異在於：比較例的顯示裝置不包括第一吸光圖案層150及第二吸光圖案層160。

由圖7可知，在覆晶膠層170的穿透率為100%的情況下，圖7之實施例一的顯示裝置的反射率約2.0%，相較於比較例的顯示裝置的反射率，大幅降低41.2%左右；在覆晶膠層170的穿透率為100%的情況下，圖7之實施例二的顯示裝置的反射率約2.2%，相較於比較例的顯示裝置的反射率，大幅降低47.6%左右；在覆晶膠層170的穿透率為100%的情況下，圖7之實施例三的顯示裝置的反射率約3.4%，圖7之實施例四的顯示裝置的反射率約4.2%。綜合以上數據可知，利用第一吸光圖案層150及第二吸光圖案層160，可在覆晶膠層170的穿透率約100%而不損失發光元件LED的出光效率的情況下，使本發明一實施例的顯示裝置的反射率降至2%左右的目標值。

在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重述。

圖8為本發明一實施例之顯示裝置10A的立體示意圖。

圖9為本發明一實施例之顯示裝置10A的剖面示意圖。圖9的對應圖8的線段III-III’。

圖10為本發明一實施例之顯示裝置10A的剖面示意圖。圖10的對應圖8的線段IV-IV’。

圖8、圖9及圖10的顯示裝置10A與圖1F、圖2F及圖3F的顯示裝置10類似，兩者的差異在於：本實施例之顯示裝置10A的一畫素區（例如圖8所示的區域）未經修補，而在未經修補的一畫素區內，第一吸光圖案層150的多個第一吸光圖案152覆蓋第一接墊結構140-1的多個第二接墊142a、142b、第二接墊結構140-2的多個第二接墊142a、142b及第三接墊結構140-3的多個第二接墊142a、142b，且第一發光元件LED1、第二發光元件LED2及第三發光元件LED3分別設置於第一接墊結構140-1、第二接墊結構140-2及第三接墊結構140-3的多個第一接墊組141 的多個第一接墊141a、141b上。

圖11為本發明一實施例之顯示裝置10B的立體示意圖。

圖12為本發明一實施例之顯示裝置10B的剖面示意圖。圖12的對應圖11的線段V-V’。

圖13為本發明一實施例之顯示裝置10B的剖面示意圖。圖13的對應圖11的線段VI-VI’。

圖11、圖12及圖13的顯示裝置10B與圖1F、圖2F及圖3F的顯示裝置10類似，兩者的差異在於：如圖13所示，本實施例之的顯示裝置10B的第一吸光圖案152更覆蓋位於第二吸光圖案層160以上的第二接墊142a、142b的部分側壁，且第一吸光圖案152可接觸於第二吸光圖案層160。

圖14為本發明一實施例之顯示裝置10C的立體示意圖。

圖15為本發明一實施例之顯示裝置10C的剖面示意圖。圖15的對應圖14的線段VII-VII’。

圖16為本發明一實施例之顯示裝置10C的剖面示意圖。圖16的對應圖14的線段VIII-VIII’。

圖14、圖15及圖16的顯示裝置10C與圖11、圖12及圖13的顯示裝置10B類似，兩者的差異在於：本實施例之的顯示裝置10B的第一吸光圖案152覆蓋位於絕緣層130以上的第二接墊142a、142b的部分側壁，且第一吸光圖案152可接觸於第二吸光圖案層160及絕緣層130。

10、10A、10B、10C:顯示裝置 110:基板 110a:第一區 110b:第二區 110c:第三區 120:驅動電路層 130:絕緣層 140:接墊結構 140-1:第一接墊結構 140-2:第二接墊結構 140-3:第三接墊結構 141:第一接墊組 141a、141b:第一接墊 141s、142s、160s:頂面 142:第二接墊組 142a、142b:第二接墊 150:第一吸光圖案層 152:第一吸光圖案 160:第二吸光圖案層 161:第一開口 162:第二開口 170:覆晶膠層 180:表面處理膜 BP:背板 C:電容 CL:共通線 DL:資料線 D1、D2、d:距離 GL:掃描線 LED、LED’:發光元件 LED1:第一發光元件 LED2:第二發光元件 LED3:第三發光元件 PC:子畫素驅動電路 PC1:第一子畫素驅動電路 PC2:第二子畫素驅動電路 PC3:第三子畫素驅動電路 PL:電源線 S:堆疊結構 T1:第一電晶體 T1a、T2a:第一端 T1b、T2b:第二端 T1c、T2c:控制端 T2:第二電晶體 T142、T152:厚度 I-I’、II-II’、III-III’、IV-IV’、V-V’、VI-VI’、VII-VII’、VIII-VIII’:線段

圖1A至圖1F為本發明一實施例之顯示裝置10的製造流程的立體示意圖。 圖2A至圖2F為本發明一實施例之顯示裝置10的製造流程的剖面示意圖。 圖3A至圖3F為本發明一實施例之顯示裝置10的製造流程的剖面示意圖。 圖4為本發明一實施例的驅動電路層120的示意圖。 圖5示出本發明一實施例的一第一吸光圖案152的厚度與堆疊結構S的反射率的關係。 圖6示出本發明另一實施例的一第一吸光圖案152的厚度與堆疊結構S的反射率的關係。 圖7示出覆晶膠層170的穿透率與一比較例及本發明多個實施例一～四的顯示裝置的反射率的關係。 圖8為本發明一實施例之顯示裝置10A的立體示意圖。 圖9為本發明一實施例之顯示裝置10A的剖面示意圖。 圖10為本發明一實施例之顯示裝置10A的剖面示意圖。 圖11為本發明一實施例之顯示裝置10B的立體示意圖。 圖12為本發明一實施例之顯示裝置10B的剖面示意圖。 圖13為本發明一實施例之顯示裝置10B的剖面示意圖。 圖14為本發明一實施例之顯示裝置10C的立體示意圖。 圖15為本發明一實施例之顯示裝置10C的剖面示意圖。 圖16為本發明一實施例之顯示裝置10C的剖面示意圖。

10:顯示裝置

110:基板

110a:第一區

110b:第二區

110c:第三區

120:驅動電路層

130:絕緣層

140:接墊結構

140-1:第一接墊結構

140-2:第二接墊結構

140-3:第三接墊結構

141:第一接墊組

141a、141b:第一接墊

142:第二接墊組

142a、142b:第二接墊

150:第一吸光圖案層

152:第一吸光圖案

160:第二吸光圖案層

170:覆晶膠層

180:表面處理膜

BP:背板

LED、LED’:發光元件

LED1:第一發光元件

LED2:第二發光元件

LED3:第三發光元件

I-I’、II-II’:線段

Claims (14)

1. 一種顯示裝置，包括： 一基板，具有多個第一區、多個第二區及一第三區，其中該些第一區與該些第二區對應設置，且該第三區設置於該些第一區及該些第二區外； 一驅動電路層，設置於該基板上； 一絕緣層，設置於該驅動電路層上； 多個接墊結構，設置於該絕緣層上，且電性連接至該驅動電路層，其中每一接墊結構包括： 一第一接墊組，位於該基板的該些第一區上；以及 一第二接墊組，位於該基板的該些第二區上； 多個發光元件，設置於該些接墊結構上，且分別電性連接至該些接墊結構； 一第一吸光圖案層，設置於該些接墊結構的多個第二接墊組上；以及 一第二吸光圖案層，設置於該絕緣層上，且位於該基板的該第三區，其中每一該接墊結構的該第一接墊組包括於結構上分離的多個第一接墊，一該第一接墊具有背向該基板的一頂面，該第二吸光圖案層具有背向該基板的一頂面，且該第一接墊之該頂面與該基板的一距離大於該第二吸光圖案層之該頂面與該基板的一距離。
2. 如請求項1所述的顯示裝置，其中每一該接墊結構的該第二接墊組包括於結構上分離的多個第二接墊；該第二吸光圖案層具有分別重疊於該些第一接墊及該些第二接墊的多個第一開口及多個第二開口。
3. 如請求項2所述的顯示裝置，其中該第二吸光圖案層與該些第一接墊及該些第二接墊為互補圖案。
4. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該些接墊結構包括一第一接墊結構及一第二接墊結構；該些發光元件包括一第一發光元件及一第二發光元件；該第一發光元件設置於該第一接墊結構的該第一接墊組上；該第二發光元件設置於該第二接墊結構的該第一接墊組上；該第一吸光圖案層覆蓋該第一接墊結構的該第二接墊組及該第二接墊結構的該第二接墊組，且未覆蓋該第一接墊結構的該第一接墊組及該第二接墊結構的該第一接墊組。
5. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該些接墊結構包括一第一接墊結構及一第二接墊結構；該些發光元件包括一第一發光元件及一第二發光元件；該第一發光元件設置於該第一接墊結構的該第一接墊組上；該第二發光元件設置於該第二接墊結構的該第二接墊組上；該第一吸光圖案層覆蓋該第一接墊結構的該第二接墊組，且未覆蓋該第一接墊結構的該第一接墊組、該第二接墊結構的該第一接墊組及該第二接墊結構的該第二接墊組。
6. 如請求項1所述的顯示裝置，更包括： 一覆晶膠層，覆蓋該些發光元件、該第一吸光圖案層及該第二吸光圖案層，其中該覆晶膠層為吸光膠。
7. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該第二接墊組包括於結構上分離的多個第二接墊；該第一吸光圖案層包括分別覆蓋該些第二接墊的多個第一吸光圖案；該些第二接墊的一者與該些第一吸光圖案的一者堆疊成一堆疊結構，該些第二接墊之該者的厚度落在40nm到60nm的範圍，該些第一吸光圖案之該者的厚度落在166nm到186nm的範圍，且該堆疊結構的反射率小於或等於2 %。
8. 如請求項1所述的顯示裝置，其中該第二接墊組包括於結構上分離的多個第二接墊；該第一吸光圖案層包括分別覆蓋該些第二接墊的多個第一吸光圖案；該些第二接墊的一者與該些第一吸光圖案的一者堆疊成一堆疊結構，該些第二接墊之該者的厚度落在60nm到1000nm的範圍，該些第一吸光圖案之該者的厚度落在165nm到195nm的範圍，且該堆疊結構的反射率小於或等於2 %。
9. 一種顯示裝置的製造方法，包括： 提供一背板，其中該背板包括一基板、設置於該基板上的一驅動電路層、設置於該驅動電路層上的一絕緣層和設置於該絕緣層上且電性連接至該驅動電路層的多個接墊結構，該基板具有多個第一區、多個第二區及一第三區，該些第一區與該些第二區對應設置，該第三區設置於該些第一區及該些第二區外，每一接墊結構包括位於該基板之該些第一區上的一第一接墊組及位於該基板之該些第二區上的一第二接墊組； 形成一第一吸光圖案層，以覆蓋該些接墊結構的多個第二接墊組，且暴露該些接墊結構的多個第一接墊組及該絕緣層； 形成一第二吸光圖案層，以覆蓋該絕緣層，其中該第二吸光圖案層暴露該些接墊結構的該些第一接墊組、該些接墊結構的該些第二接墊組及該第一吸光圖案層；以及 轉置多個發光元件於該些接墊結構的該些第一接墊組上，且令該些發光元件電性連接至該些接墊結構的該些第一接墊組。
10. 如請求項9所述的顯示裝置的製造方法，更包括： 進行一檢測工序，以發現該些發光元件中損壞的一發光元件，其中損壞的該發光元件設置於一該第一接墊組上，且一該第二接墊組對應於該第一接墊組； 移除該第一吸光圖案層的多個第一吸光圖案，以暴露該第二接墊組；以及 轉置修補用的一發光元件於該第二接墊組上，且令修補用的該發光元件電性連接至該第二接墊組。
11. 如請求項9所述的顯示裝置的製造方法，更包括： 形成一覆晶膠層，以覆蓋該些發光元件、該第一吸光圖案層及該第二吸光圖案層，其中該覆晶膠層為吸光膠。
12. 如請求項9所述的顯示裝置的製造方法，其中每一該接墊結構的該第一接墊組包括於結構上分離的多個第一接墊；每一該接墊結構的該第二接墊組包括於結構上分離的多個第二接墊；該第二吸光圖案層具有分別重疊於該些第一接墊及該些第二接墊的多個第一開口及多個第二開口。
13. 如請求項12所述的顯示裝置的製造方法，其中該第二吸光圖案層與該些第一接墊及該些第二接墊為互補圖案。
14. 如請求項9所述的顯示裝置的製造方法，其中每一該接墊結構的該第一接墊組包括於結構上分離的多個第一接墊，一該第一接墊具有背向該基板的一頂面，該第二吸光圖案層具有背向該基板的一頂面，且該第一接墊之該頂面與該基板的一距離大於該第二吸光圖案層之該頂面與該基板的一距離。

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