TWI757181B - 顯示面板及其製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種顯示面板包括畫素電路基板、平坦層、多個接合墊、多個發光元件、多個輔助電極以及反射結構層。畫素電路基板具有多條訊號線。平坦層覆蓋這些訊號線。這些接合墊設置於平坦層上，並且電性連接這些訊號線。這些發光元件電性接合至這些接合墊。這些輔助電極設置在這些接合墊之間。反射結構層設置在這些發光元件之間，且重疊於這些輔助電極和這些接合墊的至少一部分。一種顯示面板的製造方法亦被提出。

Description

顯示面板及其製造方法
本發明是有關於一種電子裝置及其製造方法，且特別是有關於一種顯示面板及其製造方法。
發光二極體（light emitting diode，LED）顯示面板包括主動元件基板及被轉置於主動元件基板上的多個發光二極體元件。繼承發光二極體的特性，發光二極體顯示面板因具有省電、高效率、高亮度及反應時間快等優點，有望成為下一世代顯示面板的主流。
為了增加發光二極體顯示面板的光能利用率，一種在多個發光二極體元件之間設置反射式擋牆（bank）的方法被提出，其中反射式擋牆大多是選用有機樹脂材料並搭配半導體製程來製作。因此，這類反射式擋牆在可見光波段的反射率並不高（例如：低於50%），且會增加顯示面板的製程工序數。
本發明提供一種顯示面板，其光能利用率較佳。
本發明提供一種顯示面板的製造方法，能以較簡易的方式製作出反射率較佳的反射結構層。
本發明的顯示面板，包括畫素電路基板、平坦層、多個接合墊、多個發光元件、多個輔助電極以及反射結構層。畫素電路基板具有多條訊號線。平坦層覆蓋這些訊號線。這些接合墊設置於平坦層上，並且電性連接這些訊號線。這些發光元件電性接合至這些接合墊。這些輔助電極設置在這些接合墊之間。反射結構層設置在這些發光元件之間，且重疊於這些輔助電極和這些接合墊的至少一部分。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括披覆層，覆蓋多個發光元件、反射結構層、多個接合墊和多個輔助電極。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的反射結構層電性連接多個輔助電極和多個接合墊的至少一部分。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的反射結構層具有朝向每一個發光元件的反射面。反射面與多個接合墊各自的接合面之間的夾角或反射面與多個輔助電極各自的表面之間的夾角介於65度至70度之間。反射結構層在接合面的法線方向上具有結構高度。每一個發光元件在接合面的法線方向上具有元件高度，且結構高度與元件高度的比值介於2至3之間。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的反射結構層包括高反射率材料層和低反射率材料層，且高反射率材料層位於多個輔助電極和多個接合墊的至少一部分與低反射率材料層之間。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的反射結構層包括多個第一反射圖案。這些第一反射圖案和多個發光元件沿著第一方向交替排列。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的多個發光元件包括多個第一發光元件、多個第二發光元件和多個第三發光元件。顯示面板具有多個顯示畫素區。每一個顯示畫素區內設有這些第一發光元件的其中一者、這些第二發光元件的其中一者和這些第三發光元件的其中一者。反射結構層更包括多個第二反射圖案。這些顯示畫素區與這些第二反射圖案沿著第二方向交替排列，且第二方向相交於第一方向。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的反射結構層更包括多個第二反射圖案。這些第二反射圖案和多個發光元件沿著第二方向交替排列，且第二方向相交於第一方向。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括電鍍電極，設置於平坦層上，且電性連接多個輔助電極。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的反射結構層重疊於多個輔助電極和多個接合墊。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板更包括多個感測電極，設置在多個輔助電極與畫素電路基板之間。反射結構層電性連接多個輔助電極，且這些感測電極分別重疊於這些輔助電極。
本發明的顯示面板的製造方法，包括於畫素電路基板上形成平坦層、於平坦層上形成導電層、形成披覆層以及進行電鍍製程以形成反射結構層於披覆層的多個開口內。導電層包括多個接合墊、多個輔助電極和第一電鍍電極。第一電鍍電極與這些輔助電極電性連接。披覆層的這些開口分別重疊於這些輔助電極和這些接合墊的至少一部分。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法更包括在形成披覆層之前，進行接合步驟以將多個發光元件電性接合至多個接合墊上。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法的畫素電路基板具有多條訊號線和第二電鍍電極，且多個接合墊貫穿平坦層與這些訊號線電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法的電鍍製程包括於第一電鍍電極和第二電鍍電極施加電位。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法在電鍍製程完成後，進行切割製程以移除第二電鍍電極。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法的切割製程更包括移除第一電鍍電極。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法更包括在電鍍製程完成後，移除披覆層。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法更包括在披覆層的移除步驟完成後，進行接合步驟以將多個發光元件電性接合至多個接合墊上。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法的電鍍製程的步驟包括形成高反射率材料層以及形成低反射率材料層。高反射率材料層位於導電層和低反射率材料層之間。
在本發明的一實施例中，上述的顯示面板的製造方法更包括在導電層的形成步驟前，於畫素電路基板上形成多個感測電極。這些感測電極分別重疊於多個輔助電極。
基於上述，在本發明一實施例的顯示面板及其製造方法中，反射結構層是經由電鍍製程而形成在多個接合墊或位於這些接合墊之間的多個輔助電極上。此反射結構層能將電性接合至這些接合墊的多個發光元件以大角度出射的光線反射回顯示面板的可視角範圍內，從而增加顯示面板的光能利用率。此外，反射結構層採電鍍製程來製作，除了可簡化製程步驟外，所形成的反射結構層在可見光波段的反射率也較高。
本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或例如±30%、±20%、±15%、±10%、±5%內。再者，本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」可依量測性質、切割性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。
在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」可為二元件間存在其它元件。
現將詳細地參考本發明的示範性實施方式，示範性實施方式的實例說明於所附圖式中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1是本發明的第一實施例的顯示面板的俯視示意圖。圖2A及圖2B是圖1的顯示面板的剖視示意圖。圖2A對應圖1的剖線A-A’。圖2B對應圖1的剖線B-B’。圖3是圖1的顯示面板的製造方法的流程圖。圖4A至圖6是圖1的顯示面板的製造流程的示意圖。圖4A至圖4E對應圖6的剖線C-C’。圖5A至圖5E對應圖6的剖線D-D’。為清楚呈現起見，圖1省略了圖2A及圖2B的平坦層140和披覆層200的繪示；圖6省略了圖4E及圖5E的平坦層140和披覆層200的繪示。
請參照圖1、圖2A及圖2B，顯示面板10包括畫素電路基板100、多個接合墊和多個發光元件LED。這些接合墊設置於畫素電路基板100上，且電性連接畫素電路基板100。這些發光元件LED電性接合至這些接合墊。在本實施例中，發光元件LED具有磊晶結構層ES以及位於磊晶結構層ES同一側並且與其電性連接的第一電極E1和第二電極E2。亦即，本實施例的發光元件LED可以是覆晶式發光二極體（flip-chip type LED）。另一方面，本實施例的發光元件LED可以是微型發光二極體（micro-LED）、次毫米發光二極體（mini-LED）、或其他不同尺寸等級的發光二極體。
顯示面板10的多個接合墊可區分為多個接合墊組，這些接合墊組各自包括第一接合墊BP1和第二接合墊BP2。舉例來說，在本實施例中，每一個接合墊用以電性接合兩個發光元件LED。也就是說，本實施例的任一個發光元件LED會與另一個發光元件LED共用接合墊，但不以此為限。在其他實施例中，每一個發光元件LED與接合墊組的對應也可以是一對一的關係。
在本實施例中，畫素電路基板100可包括基板110、畫素電路層120和多條訊號線。畫素電路層120設置在基板110上，且這些訊號線設置在畫素電路層120上。舉例來說，畫素電路基板100的這些訊號線可包括多條第一訊號線SL1和多條第二訊號線SL2。這些第一訊號線SL1和這些第二訊號線SL2沿著方向Y交替排列並且在方向X上延伸。方向X實質上可垂直於方向Y。在本實施例中，畫素電路層120與多個接合墊之間還設有平坦層140，且平坦層140覆蓋這些訊號線。基於導電性的考量，這些訊號線一般是使用金屬材料製成。
特別注意的是，每一個第一接合墊BP1貫穿平坦層140以電性連接對應的一條第一訊號線SL1，而每一個第二接合墊BP2貫穿平坦層140以電性連接對應的一條第二訊號線SL2。舉例來說，第一訊號線SL1和第二訊號線SL2可分別電性耦接至一系統高電壓源（OVDD）和一系統低電壓源（OVSS）。因此，發光元件LED的第一電極E1和第二電極E2可分別是P電極和N電極。亦即，發光元件LED的第一電極E1和第二電極E2可分別電性連接磊晶結構層ES的P型半導體層和N型半導體層，但不以此為限。
進一步而言，顯示面板10更包括多個輔助電極AE和反射結構層250。這些輔助電極AE設置在多個接合墊（或多個發光元件LED）之間。在本實施例中，這些輔助電極AE和電性連接至同一條訊號線（例如第一訊號線SL1或第二訊號線SL2）的多個接合墊（例如多個第一接合墊BP1或多個第二接合墊BP2）可沿著方向X交替排列，且這些輔助電極AE在方向Y上延伸。舉例而言，這些輔助電極AE和多個接合墊可選擇性地屬於同一膜層；亦即，這些輔助電極AE和這些接合墊的材質可選擇性地相同，但不以此為限。在其他實施例中，輔助電極和接合墊也可屬於不同的膜層。
基於導電性的考量，輔助電極AE和接合墊一般是使用金屬材料製成，但不以此為限。在其他實施例中，輔助電極AE和接合墊也可使用金屬氧化物（例如：銦鋅氧化物或銦錫氧化物）、或其他合適的導電材料。
在本實施例中，反射結構層250設置在多個發光元件LED之間，且沿著接合墊的接合面BPs的法線方向（例如方向Z）重疊於多個輔助電極AE和多個接合墊，但不以此為限。舉例來說，反射結構層250可具有彼此分離的多個第一反射圖案251和多個第二反射圖案252。這些第一反射圖案251和這些發光元件LED沿著方向X交替排列，而這些第二反射圖案252和這些發光元件LED沿著方向Y交替排列。
承接上述，反射結構層250具有朝向每一個發光元件LED的反射面250r，且此反射面250r與多個接合墊各自的接合面BPs之間的夾角θ以及此反射面250r和/或多個輔助電極AE各自的表面AEs之間的夾角θ’（如圖15所示）可介於65度至70度之間。另一方面，反射結構層250和發光元件LED在接合面BPs的法線方向（例如方向Z）上分別具有結構高度H1和元件高度H2，且結構高度H1與元件高度H2的比值介於2至3之間。據此，可將發光元件LED以較大角度出射的光線更有效率地反射回顯示面板10的可視角範圍內，從而提升顯示面板10在可視角範圍內的整體出光量。
特別注意的是，反射結構層250的材質可包括銅、銀、鋁、鉬、或其他具有高反射率的金屬材料。在本實施例中，反射結構層250例如是選用銅金屬製作而成，因此其在可見光波段（例如波長範圍400nm至700nm）的反射率明顯高於50%，有助於進一步提升顯示面板10的光能利用率。
在本實施例中，顯示面板10還可選擇性地包括披覆層200。此披覆層200覆蓋多個發光元件LED、反射結構層250、多個接合墊和多個輔助電極AE。披覆層200的材料例如包括無機絕緣材料（例如氧化矽或氮化矽）、有機絕緣材料（例如有機樹酯）、或其他合適的透光絕緣材料。
由於反射結構層250的材質為金屬材料，因此可採用較為簡易的電鍍製程來製作，有助於簡化顯示面板10的製程工序數。以下將針對顯示面板10的製造方法進行示例性地說明。
請參照圖3、圖4A及圖5A，首先，於基板110上製作畫素電路層120和多條訊號線以形成畫素電路基板100，其中這些訊號線包括多條第一訊號線SL1和多條第二訊號線SL2。接著，於畫素電路基板100上形成平坦層140（圖3的步驟S101），其中平坦層140具有沿著方向Z重疊於多條訊號線的多個接觸孔140a，如圖4B及圖5B所示。
於平坦層140上形成導電層（圖3的步驟S102），如圖4C及圖5C所示。此導電層可包括多個第一接合墊BP1、多個第二接合墊BP2、多個輔助電極AE、電鍍電極EPE1和電鍍電極EPE2。這些接合墊分別經由多個接觸孔140a與多條訊號線電性連接。特別注意的是，這些輔助電極AE與電鍍電極EPE1電性連接，這些第一接合墊BP1和這些第二接合墊BP2分別經由多條第一訊號線SL1和多條第二訊號線SL2與電鍍電極EPE2電性連接（如圖6所示）。
請參照圖3、圖4D及圖5D，在導電層的形成步驟完成後，進行一接合步驟以將多個發光元件LED電性接合至導電層的這些接合墊上（步驟S103）。在發光元件LED的接合步驟完成後，形成具有多個開口200a的披覆層200（步驟S104）。披覆層200的這些開口200a沿著方向Z分別重疊於多個輔助電極AE、多個第一接合墊BP1和多個第二接合墊BP2。在本實施例中，發光元件LED例如是微型發光二極體，因此披覆層200沿著方向Z的高度至少要大於10μm方能產生足夠高度的反射結構層250，但不以此為限。
請參照圖3、圖4E及圖5E，進行一電鍍製程以形成反射結構層250於披覆層200的多個開口200a內（步驟S105）。舉例來說，電鍍製程的步驟可包括將多個輔助電極AE和多個接合墊浸入電鍍液中，並且於電鍍電極EPE1和電鍍電極EPE2施加一電位，使這些輔助電極AE和這些接合墊具有該電位以經由電解反應形成反射結構層250。特別注意的是，由於反射結構層250是採用電鍍製程來製作，因此反射結構層250的多個第一反射圖案251電性連接多個輔助電極AE，而多個第二反射圖案252電性連接多個接合墊。
在反射結構層250的電鍍製程完成後，進行一切割製程以移除電鍍電極（步驟S106）。請同時參照圖6，在本實施例中，切割製程的步驟可包括：沿著切割線CL1進行切割以移除電鍍電極EPE1以及沿著切割線CL2進行切割以移除電鍍電極EPE2。然而，本發明不限於此，在其他實施例中，切割製程也可僅包含電鍍電極EPE2的移除步驟。透過電鍍電極的移除，可確保顯示面板的驅動電性不受電鍍線路的影響。
於此便完成圖1的顯示面板10的製作。顯示面板10包括畫素電路基板100、平坦層140、多個第一接合墊BP1、多個第二接合墊BP2、多個發光元件LED、多個輔助電極AE和反射結構層250。畫素電路基板100具有多條第一訊號線SL1和多條第二訊號線SL2，且平坦層140覆蓋這些訊號線。這些接合墊設置在平坦層140上，並且電性連接這些訊號線。這些發光元件LED電性接合至這些接合墊。這些輔助電極AE設置在這些接合墊之間。反射結構層250設置在這些發光元件LED之間，且沿著方向Z重疊於這些輔助電極AE和這些接合墊。
設置在這些發光元件LED之間的反射結構層250，能將這些發光元件LED以大角度出射的光線反射回顯示面板10的可視角範圍內，進而產生聚光的效果並且增加顯示面板10的光能利用率。另一方面，利用電鍍製程形成反射結構層250，除了可簡化顯示面板10的製程步驟外，所形成的反射結構層250在可見光波段可具有較高的反射率，有助於進一步提升顯示面板10的光能利用率。
以下將列舉另一些實施例以詳細說明本揭露，其中相同的構件將標示相同的符號，並且省略相同技術內容的說明，省略部分請參考前述實施例，以下不再贅述。
圖7是本發明的第二實施例的顯示面板的俯視示意圖。請參照圖7，本實施例的顯示面板10A與圖1的顯示面板10的差異在於：反射結構層的配置方式不同。具體而言，顯示面板10A的反射結構層250A的多個第一反射圖案251與多個發光元件LED的排列方式不同於圖1的顯示面板10。
舉例來說，在本實施例中，顯示面板10A具有多個顯示畫素區PA，且多個發光元件LED包括多個第一發光元件LED1、多個第二發光元件LED2和多個第三發光元件LED3。每一個顯示畫素區PA內都設有一個第一發光元件LED1、一個第二發光元件LED2和一個第三發光元件LED3。此處的第一發光元件LED1、第二發光元件LED2和第三發光元件LED3分別用以發出不同顏色的光線，例如紅光、綠光和藍光，但不以此為限。
特別注意的是，反射結構層250A的多個第一反射圖案251和這些顯示畫素區PA是沿著方向X交替排列。亦即，本實施例的反射結構層250A並非設置在每一個發光元件LED的四周。相應地，多個輔助電極AE與這些顯示畫素區PA也是沿著方向X交替排列。需說明的是，在本實施例中，每一個顯示畫素區PA內所設置的發光元件LED數量是以三個為例進行示範性地說明，並不表示本發明以圖式揭示內容為限制。在其他實施例中，每一個顯示畫素區PA內設置的發光元件LED數量可根據實際的應用需求而調整。
圖8是本發明的第三實施例的顯示面板的俯視示意圖。圖9是本發明的第四實施例的顯示面板的俯視示意圖。請參照圖8，本實施例的顯示面板10B與圖7的顯示面板10A的差異在於：顯示面板10B的反射結構層250B僅設置在每一個發光元件LED沿著方向Y的相對兩側。亦即，反射結構層250B僅具有多個第二反射圖案252。然而，本發明不限於此。在其他實施例中，顯示面板10B’的反射結構層250B’也可僅具有在方向Y上延伸的多個第一反射圖案251B。這些第一反射圖案251B和多個顯示畫素區PA沿著方向X交替排列，且每一個第一反射圖案251都橫跨多條第一訊號線SL1和多條第二訊號線SL2，如圖9所示。
圖10是本發明的第五實施例的顯示面板的俯視示意圖。請參照圖10，本實施例的顯示面板20與圖1的顯示面板10的差異在於：發光元件和反射結構層的配置方式不同。在本實施例中，顯示面板20的發光元件LED與接合墊組（即第一接合墊BP1和第二接合墊BP2的組合）的對應為一對一的關係。亦即，多個發光元件LED並不共用接合墊。
因此，反射結構層250C的多個第二反射圖案252C和多個接合墊組是沿著方向Y交替排列，且第二反射圖案252C在方向X上延伸於多個接合墊組之間。更具體地說，這些第二反射圖案252C沿著方向Z並不重疊於多個接合墊。另一方面，反射結構層250C的每一個第一反射圖案251C在方向Y上延伸並且橫跨多條第一訊號線SL1和多條第二訊號線SL2。特別注意的是，反射結構層250C的這些第一反射圖案251C和這些第二反射圖案252C彼此相交並形成多個開口區OP，且每一個開口區OP內設有一個發光元件LED。
另一方面，為了製作出上述的反射結構層250C，顯示面板20的多個輔助電極AE-A包括彼此相交的多個第一延伸段AE1和多個第二延伸段AE2。這些第一延伸段AE1沿著方向Y排列並且在方向X上延伸，而這些第二延伸段AE2沿著方向X排列並且在方向Y上延伸。特別注意的是，由於本實施例的反射結構層250C僅形成在這些輔助電極AE-A上，即使不切除電鍍電極EPE1也不會影響到顯示面板20的操作電性。因此，本實施例的顯示面板20還可選擇性地保留電鍍製程中所使用的電鍍電極EPE1。也因此，在顯示面板20的製造方法中，並未包含前述實施例的切割製程（即圖3的步驟S106），有助於進一步簡化顯示面板20的製程工序數。
圖11是本發明的第六實施例的顯示面板的俯視示意圖。請參照圖11，本實施例的顯示面板20A與圖10的顯示面板20的差異在於：反射結構層的配置方式不同。具體而言，顯示面板20A的反射結構層250D的多個第一反射圖案251D與多個發光元件LED的排列方式不同於圖10的顯示面板20。
舉例來說，在本實施例中，顯示面板20A具有多個顯示畫素區PA，且多個發光元件LED包括多個第一發光元件LED1、多個第二發光元件LED2和多個第三發光元件LED3。每一個顯示畫素區PA內都設有一個第一發光元件LED1、一個第二發光元件LED2和一個第三發光元件LED3。此處的第一發光元件LED1、第二發光元件LED2和第三發光元件LED3分別用以發出不同顏色的光線，例如紅光、綠光和藍光，但不以此為限。
特別注意的是，反射結構層250D的多個第一反射圖案251D和這些顯示畫素區PA是沿著方向X交替排列。亦即，本實施例的反射結構層250D並非設置在每一個發光元件LED的四周。相應地，多個輔助電極AE-B的多個第二延伸段AE2B與這些顯示畫素區PA也是沿著方向X交替排列。需說明的是，在本實施例中，每一個顯示畫素區PA內所設置的發光元件LED數量是以三個為例進行示範性地說明，並不表示本發明以圖式揭示內容為限制。在其他實施例中，每一個顯示畫素區PA內設置的發光元件LED數量可根據實際的應用需求而調整。
圖12是本發明的第七實施例的顯示面板的俯視示意圖。圖13是本發明的第八實施例的顯示面板的俯視示意圖。請參照圖12，本實施例的顯示面板20B與圖10的顯示面板20的差異在於：顯示面板20B的反射結構層250E僅具有在方向X上延伸的多個第二反射圖案252E，且多個輔助電極AE-C所連接的電鍍電極EPE1A是設置在顯示面板20B沿著方向X的一側。
然而，本發明不限於此，在其他實施例中，顯示面板20C的反射結構層250F也可僅具有在方向Y上延伸的多個第一反射圖案251F，且這些第一反射圖案251F和多個顯示畫素區PA沿著方向X交替排列。相應地，多個輔助電極AE-D和這些顯示畫素區PA也是沿著方向X交替排列，且保留的電鍍電極EPE1是位在顯示面板20C沿著方向Y的一側。
圖14是本發明的第九實施例的顯示面板的俯視示意圖。圖15是圖14的顯示面板的剖視示意圖。圖15對應圖14的剖線E-E’。圖16是圖14的顯示面板的製造方法的流程圖。圖17A至圖17C是圖15的顯示面板的製造流程的剖視示意圖。為清楚呈現起見，圖14省略了圖15的平坦層140的繪示。
請參照圖14及圖15，本實施例的顯示面板30與圖1的顯示面板10的差異在於：本實施例的顯示面板30不具有顯示面板10的披覆層200（如圖2A所示），且顯示面板30的製造方法也不同於顯示面板10的製造方法。
以下將針對顯示面板30與顯示面板10的製造方法差異進行說明。請參照圖16及圖17A，不同於前述實施例，顯示面板30的製造方法在導電層的形成步驟完成後，隨即進行披覆層200的形成步驟（步驟S104）。請參照圖16及圖17B，接著，進行一電鍍製程以形成反射結構層250（步驟S105）。特別注意的是，為了進行多個發光元件LED的接合步驟，本實施例在反射結構層250的電鍍製程完成後，需進行披覆層200的移除步驟（步驟S107）。
請參照圖16及圖17C，在披覆層200的移除步驟完成後，進行多個發光元件LED的接合步驟以及電鍍電極（例如電鍍電極EPE1和/或電鍍電極EPE2）的切割製程。在本實施例中，多個發光元件LED的接合步驟（步驟S103A）是在電鍍電極的切割製程（步驟S106A）完成後才進行，但不以此為限。在其他實施例中，這些發光元件LED的接合步驟也可先於電鍍電極的切割製程。
由於顯示面板30的製造方法的多數步驟相似於前述實施例的顯示面板10，因此詳述的說明請參見前述實施例的相關段落，於此便不再贅述。
圖18A及圖18B是本發明的第十實施例的顯示面板的製造流程的剖視示意圖。請參照圖18A及圖18B，本實施例的顯示面板40與圖2A的顯示面板10的差異在於：反射結構層的組成不同。在本實施例中，顯示面板40的反射結構層250G包括高反射率材料層250L1和低反射率材料層250L2，且高反射率材料層250L1位於低反射率材料層250L2與接合墊（例如第一接合墊BP1或第二接合墊BP2）之間。
在本實施例中，高反射率材料層250L1的材料可包括具有高反射率的金屬材料（例如：銅、銀、鋁、鉬、鎳、或鉻），而低反射率材料層250L2的材料可包括具有低反射率的黑化金屬材料（例如黑化鉻或黑化鎳）或有機光阻材料。特別說明的是，若低反射率材料層250L2選用黑化金屬材料製作，則本實施例的反射結構層250G的電鍍製程除了高反射率材料層250L1的電鍍步驟外（如圖18A所示），還可包括低反射率材料層250L2的電鍍步驟（如圖18B所示），但不以此為限。在另一實施例中，低反射率材料層250L2也可採用微影蝕刻製程來製作。
值得一提的是，透過低反射率材料層250L2的設置，可降低反射結構層250G對於外部環境光的反射率，進而改善顯示面板40的暗態表現及顯示對比。
圖19是本發明的第十一實施例的顯示面板的俯視示意圖。請參照圖19，本實施例的顯示面板50與圖2A及圖2B的顯示面板10的差異在於：顯示面板50更包括多個感測電極TE，且這些感測電極TE設置在多個輔助電極AE和畫素電路基板100之間。特別注意的是，由於反射結構層250具有導電性，透過這些感測電極TE分別重疊於反射結構層250的多個第一反射圖案251和多個輔助電極AE，可形成多個用於感測手指FG觸碰位置的感測電容。
從另一觀點來說，本實施例的顯示面板50的製造方法還可選擇性地包括：於導電層的形成步驟前，於畫素電路基板100上形成多個感測電極TE。為了使這些感測電極TE電性絕緣於畫素電路基板100的多條第一訊號線SL1與多條第二訊號線SL2以及導電層的多個接合墊，這些感測電極TE與畫素電路基板100之間還設有絕緣層141，而這些感測電極TE與導電層之間還設有絕緣層142。
綜上所述，在本發明一實施例的顯示面板及其製造方法中，反射結構層是經由電鍍製程而形成在多個接合墊或位於這些接合墊之間的多個輔助電極上。此反射結構層能將電性接合至這些接合墊的多個發光元件以大角度出射的光線反射回顯示面板的可視角範圍內，從而增加顯示面板的光能利用率。此外，反射結構層採電鍍製程來製作，除了可簡化製程步驟外，所形成的反射結構層在可見光波段的反射率也較高。
10、10A、10B、10B’、20、20A、20B、20C、30、40、50:顯示面板 100:畫素電路基板 110:基板 120:畫素電路層 140:平坦層 140a:接觸孔 200:披覆層 200a:開口 250、250A、250B、250B’、250C、250D、250E、250F、250G:反射結構層 250L1:高反射率材料層 250L2:低反射率材料層 250r:反射面 251、251B、251C、251D、251F、252、252C、252E:反射圖案 AE、AE-A、AE-B、AE-C、AE-D:輔助電極 AE1、AE2、AE2B:延伸段 AEs:表面 BP1、BP2:接合墊 BPs:接合面 CL1、CL2:切割線 E1、E2:電極 EPE1、EPE1A、EPE2:電鍍電極 ES:磊晶結構層 FG:手指 H1:結構高度 H2:元件高度 LED、LED1、LED2、LED3:發光元件 OP:開口區 PA:顯示畫素區 SL1、SL2:訊號線 S101、S102、S103、S103A、S104、S105、S106、S106A、S107:步驟 TE:感測電極 X、Y、Z:方向 A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’:剖線 θ、θ’:夾角
圖1是本發明的第一實施例的顯示面板的俯視示意圖。 圖2A及圖2B是圖1的顯示面板的剖視示意圖。 圖3是圖1的顯示面板的製造方法的流程圖。 圖4A至圖6是圖1的顯示面板的製造流程的示意圖。 圖7是本發明的第二實施例的顯示面板的俯視示意圖。 圖8是本發明的第三實施例的顯示面板的俯視示意圖。 圖9是本發明的第四實施例的顯示面板的俯視示意圖。 圖10是本發明的第五實施例的顯示面板的俯視示意圖。 圖11是本發明的第六實施例的顯示面板的俯視示意圖。 圖12是本發明的第七實施例的顯示面板的俯視示意圖。 圖13是本發明的第八實施例的顯示面板的俯視示意圖。 圖14是本發明的第九實施例的顯示面板的俯視示意圖。 圖15是圖14的顯示面板的剖視示意圖。 圖16是圖14的顯示面板的製造方法的流程圖。 圖17A至圖17C是圖15的顯示面板的製造流程的剖視示意圖。 圖18A及圖18B是本發明的第十實施例的顯示面板的製造流程的剖視示意圖。 圖19是本發明的第十一實施例的顯示面板的俯視示意圖。
10:顯示面板
100:畫素電路基板
110:基板
120:畫素電路層
140:平坦層
200:披覆層
250:反射結構層
250r:反射面
BP1、BP2:接合墊
BPs:接合面
E1、E2:電極
ES:磊晶結構層
H1:結構高度
H2:元件高度
LED:發光元件
SL1、SL2:訊號線
X、Y、Z:方向
A-A’:剖線
θ:夾角

Claims (21)

  1. 一種顯示面板，包括： 一畫素電路基板，具有多條訊號線； 一平坦層，覆蓋該些訊號線； 多個接合墊，設置於該平坦層上，並且電性連接該些訊號線； 多個發光元件，電性接合至該些接合墊； 多個輔助電極，設置在該些接合墊之間；以及 一反射結構層，設置在該些發光元件之間，且重疊於該些輔助電極和該些接合墊的至少一部分。
  2. 如請求項1所述的顯示面板，更包括： 一披覆層，覆蓋該些發光元件、該反射結構層、該些接合墊以及該些輔助電極。
  3. 如請求項1所述的顯示面板，其中該反射結構層電性連接該些輔助電極和該些接合墊的該至少一部分。
  4. 如請求項1所述的顯示面板，其中該反射結構層具有朝向每一該些發光元件的一反射面，該反射面與該些接合墊各自的一接合面之間的夾角或該反射面與該些輔助電極各自的一表面之間的夾角介於65度至70度之間，該反射結構層在該接合面的法線方向上具有一結構高度，每一該些發光元件在該接合面的法線方向上具有一元件高度，且該結構高度與該元件高度的比值介於2至3之間。
  5. 如請求項1所述的顯示面板，其中該反射結構層包括一高反射率材料層和一低反射率材料層，且該高反射率材料層位於該些輔助電極和該些接合墊的該至少一部分與該低反射率材料層之間。
  6. 如請求項1所述的顯示面板，其中該反射結構層包括多個第一反射圖案，該些第一反射圖案和該些發光元件沿著一第一方向交替排列。
  7. 如請求項6所述的顯示面板，其中該些發光元件包括多個第一發光元件、多個第二發光元件和多個第三發光元件，該顯示面板具有多個顯示畫素區，每一該些顯示畫素區內設有該些第一發光元件的其中一者、該些第二發光元件的其中一者和該些第三發光元件的其中一者，該反射結構層更包括多個第二反射圖案，該些顯示畫素區與該些第二反射圖案沿著一第二方向交替排列，且該第二方向相交於該第一方向。
  8. 如請求項6所述的顯示面板，其中該反射結構層更包括多個第二反射圖案，該些第二反射圖案和該些發光元件沿著一第二方向交替排列，且該第二方向相交於該第一方向。
  9. 如請求項1所述的顯示面板，更包括： 一電鍍電極，設置於該平坦層上，且電性連接該些輔助電極。
  10. 如請求項1所述的顯示面板，其中該反射結構層重疊於該些輔助電極和該些接合墊。
  11. 如請求項1所述的顯示面板，更包括： 多個感測電極，設置在該些輔助電極與該畫素電路基板之間，其中該反射結構層電性連接該些輔助電極，且該些感測電極分別重疊於該些輔助電極。
  12. 一種顯示面板的製造方法，包括： 於一畫素電路基板上形成一平坦層； 於該平坦層上形成一導電層，該導電層包括多個接合墊、多個輔助電極和一第一電鍍電極，該第一電鍍電極與該些輔助電極電性連接； 形成一披覆層，該披覆層具有多個開口，且該些開口分別重疊於該些輔助電極和該些接合墊的至少一部分；以及 進行一電鍍製程以形成一反射結構層於該披覆層的該些開口內。
  13. 如請求項12所述的顯示面板的製造方法，更包括： 在形成該披覆層之前，進行一接合步驟以將多個發光元件電性接合至該些接合墊上。
  14. 如請求項12所述的顯示面板的製造方法，其中該畫素電路基板具有多條訊號線和一第二電鍍電極，且該些接合墊貫穿該平坦層與該些訊號線電性連接。
  15. 如請求項14所述的顯示面板的製造方法，其中該電鍍製程包括： 於該第一電鍍電極和該第二電鍍電極施加一電位。
  16. 如請求項14所述的顯示面板的製造方法，其中在該電鍍製程完成後，進行一切割製程以移除該第二電鍍電極。
  17. 如請求項16所述的顯示面板的製造方法，其中該切割製程更包括移除該第一電鍍電極。
  18. 如請求項12所述的顯示面板的製造方法，更包括： 在電鍍製程完成後，移除該披覆層。
  19. 如請求項18所述的顯示面板的製造方法，更包括： 在該披覆層的移除步驟完成後，進行一接合步驟以將多個發光元件電性接合至該些接合墊上。
  20. 如請求項12所述的顯示面板的製造方法，其中該電鍍製程的步驟包括： 形成一高反射率材料層；以及 形成一低反射率材料層，其中該高反射率材料層位於該導電層和該低反射率材料層之間。
  21. 如請求項12所述的顯示面板的製造方法，更包括： 在該導電層的形成步驟前，於該畫素電路基板上形成多個感測電極，其中該些感測電極分別重疊於該些輔助電極。
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