CN114094000B - 显示面板及其制造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 41
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 192
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 54
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 claims description 39
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 36
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 36
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 26
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims description 15
- 239000011247 coating layer Substances 0.000 claims description 9
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 6
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims 2
- 101100455666 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) LUC7 gene Proteins 0.000 description 9
- 101100073174 Schizosaccharomyces pombe (strain 972 / ATCC 24843) jhd1 gene Proteins 0.000 description 9
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 3
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
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- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/0412—Digitisers structurally integrated in a display
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
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- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
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- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
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- H01L2933/0058—Processes relating to semiconductor body packages relating to optical field-shaping elements
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
一种显示面板及其制造方法,显示面板包括像素电路基板、平坦层、多个接合垫、多个发光元件、多个辅助电极以及反射结构层。像素电路基板具有多条信号线。平坦层覆盖这些信号线。这些接合垫设置于平坦层上,并且电性连接这些信号线。这些发光元件电性接合至这些接合垫。这些辅助电极设置在这些接合垫之间。反射结构层设置在这些发光元件之间,且重叠于这些辅助电极和这些接合垫的至少一部分。
Description
技术领域
本发明涉及一种电子装置及其制造方法,且特别涉及一种显示面板及其制造方法。
背景技术
发光二极管(light emitting diode,LED)显示面板包括主动元件基板及被转置于主动元件基板上的多个发光二极管元件。继承发光二极管的特性,发光二极管显示面板因具有省电、高效率、高亮度及反应时间快等优点,有望成为下一世代显示面板的主流。
为了增加发光二极管显示面板的光能利用率,一种在多个发光二极管元件之间设置反射式挡墙(bank)的方法被提出,其中反射式挡墙大多是选用有机树脂材料并搭配半导体工艺来制作。因此,这类反射式挡墙在可见光波段的反射率并不高(例如:低于50%),且会增加显示面板的工艺工序数。
发明内容
本发明提供一种显示面板,其光能利用率较佳。
本发明提供一种显示面板的制造方法,能以较简易的方式制作出反射率较佳的反射结构层。
本发明的显示面板,包括像素电路基板、平坦层、多个接合垫、多个发光元件、多个辅助电极以及反射结构层。像素电路基板具有多条信号线。平坦层覆盖这些信号线。这些接合垫设置于平坦层上,并且电性连接这些信号线。这些发光元件电性接合至这些接合垫。这些辅助电极设置在这些接合垫之间。反射结构层设置在这些发光元件之间,且重叠于这些辅助电极和这些接合垫的至少一部分。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板还包括披覆层,覆盖多个发光元件、反射结构层、多个接合垫和多个辅助电极。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的反射结构层电性连接多个辅助电极和多个接合垫的至少一部分。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的反射结构层具有朝向每一个发光元件的反射面。反射面与多个接合垫各自的接合面之间的夹角或反射面与多个辅助电极各自的表面之间的夹角介于65度至70度之间。反射结构层在接合面的法线方向上具有结构高度。每一个发光元件在接合面的法线方向上具有元件高度,且结构高度与元件高度的比值介于2至3之间。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的反射结构层包括高反射率材料层和低反射率材料层,且高反射率材料层位于多个辅助电极和多个接合垫的至少一部分与低反射率材料层之间。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的反射结构层包括多个第一反射图案。这些第一反射图案和多个发光元件沿着第一方向交替排列。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的多个发光元件包括多个第一发光元件、多个第二发光元件和多个第三发光元件。显示面板具有多个显示像素区。每一个显示像素区内设有这些第一发光元件的其中一者、这些第二发光元件的其中一者和这些第三发光元件的其中一者。反射结构层还包括多个第二反射图案。这些显示像素区与这些第二反射图案沿着第二方向交替排列,且第二方向相交于第一方向。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的反射结构层还包括多个第二反射图案。这些第二反射图案和多个发光元件沿着第二方向交替排列,且第二方向相交于第一方向。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板还包括电镀电极,设置于平坦层上,且电性连接多个辅助电极。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的反射结构层重叠于多个辅助电极和多个接合垫。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板还包括多个感测电极,设置在多个辅助电极与像素电路基板之间。反射结构层电性连接多个辅助电极,且这些感测电极分别重叠于这些辅助电极。
本发明的显示面板的制造方法,包括于像素电路基板上形成平坦层、于平坦层上形成导电层、形成披覆层以及进行电镀工艺以形成反射结构层于披覆层的多个开口内。导电层包括多个接合垫、多个辅助电极和第一电镀电极。第一电镀电极与这些辅助电极电性连接。披覆层的这些开口分别重叠于这些辅助电极和这些接合垫的至少一部分。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的制造方法还包括在形成披覆层之前,进行接合步骤以将多个发光元件电性接合至多个接合垫上。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的制造方法的像素电路基板具有多条信号线和第二电镀电极,且多个接合垫贯穿平坦层与这些信号线电性连接。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的制造方法的电镀工艺包括于第一电镀电极和第二电镀电极施加电位。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的制造方法在电镀工艺完成后,进行切割工艺以移除第二电镀电极。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的制造方法的切割工艺还包括移除第一电镀电极。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的制造方法还包括在电镀工艺完成后,移除披覆层。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的制造方法还包括在披覆层的移除步骤完成后,进行接合步骤以将多个发光元件电性接合至多个接合垫上。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的制造方法的电镀工艺的步骤包括形成高反射率材料层以及形成低反射率材料层。高反射率材料层位于导电层和低反射率材料层之间。
在本发明的一实施例中,上述的显示面板的制造方法还包括在导电层的形成步骤前,于像素电路基板上形成多个感测电极。这些感测电极分别重叠于多个辅助电极。
基于上述,在本发明一实施例的显示面板及其制造方法中,反射结构层是经由电镀工艺而形成在多个接合垫或位于这些接合垫之间的多个辅助电极上。此反射结构层能将电性接合至这些接合垫的多个发光元件以大角度出射的光线反射回显示面板的可视角范围内,从而增加显示面板的光能利用率。此外,反射结构层采电镀工艺来制作,除了可简化工艺步骤外,所形成的反射结构层在可见光波段的反射率也较高。
附图说明
图1是本发明的第一实施例的显示面板的俯视示意图。
图2A及图2B是图1的显示面板的剖视示意图。
图3是图1的显示面板的制造方法的流程图。
图4A至图6是图1的显示面板的制造流程的示意图。
图7是本发明的第二实施例的显示面板的俯视示意图。
图8是本发明的第三实施例的显示面板的俯视示意图。
图9是本发明的第四实施例的显示面板的俯视示意图。
图10是本发明的第五实施例的显示面板的俯视示意图。
图11是本发明的第六实施例的显示面板的俯视示意图。
图12是本发明的第七实施例的显示面板的俯视示意图。
图13是本发明的第八实施例的显示面板的俯视示意图。
图14是本发明的第九实施例的显示面板的俯视示意图。
图15是图14的显示面板的剖视示意图。
图16是图14的显示面板的制造方法的流程图。
图17A至图17C是图15的显示面板的制造流程的剖视示意图。
图18A及图18B是本发明的第十实施例的显示面板的制造流程的剖视示意图。
图19是本发明的第十一实施例的显示面板的俯视示意图。
附图标记说明:
10、10A、10B、10B’、20、20A、20B、20C、30、40、50:显示面板100:像素电路基板
110:基板
120:像素电路层
140:平坦层
140a:接触孔
200:披覆层
200a:开口
250、250A、250B、250B’、250C、250D、250E、250F、250G:反射结构层
250L1:高反射率材料层
250L2:低反射率材料层
250r:反射面
251、251B、251C、251D、251F、252、252C、252E:反射图案
AE、AE-A、AE-B、AE-C、AE-D:辅助电极
AE1、AE2、AE2B:延伸段
AEs:表面
BP1、BP2:接合垫
BPs:接合面
CL1、CL2:切割线
E1、E2:电极
EPE1、EPE1A、EPE2:电镀电极
ES:外延结构层
FG:手指
H1:结构高度
H2:元件高度
LED、LED1、LED2、LED3:发光元件
OP:开口区
PA:显示像素区
SL1、SL2:信号线
S101、S102、S103、S103A、S104、S105、S106、S106A、S107:步骤
TE:感测电极
X、Y、Z:方向
A-A’、B-B’、C-C’、D-D’、E-E’:剖线
θ、θ’:夹角
具体实施方式
本文使用的“约”、“近似”、“本质上”、或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值,考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即,测量系统的限制)。例如,“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内,或例如±30%、±20%、±15%、±10%、±5%内。再者,本文使用的“约”、“近似”、“本质上”、或“实质上”可依测量性质、切割性质或其它性质,来选择较可接受的偏差范围或标准偏差,而可不用一个标准偏差适用全部性质。
在附图中,为了清楚起见,放大了层、膜、面板、区域等的厚度。应当理解,当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”或“连接到”另一元件时,其可以直接在另一元件上或与另一元件连接,或者中间元件可以也存在。相反,当元件被称为“直接在另一元件上”或“直接连接到”另一元件时,不存在中间元件。如本文所使用的,“连接”可以指物理及/或电性连接。再者,“电性连接”可为二元件间存在其它元件。
现将详细地参考本发明的示范性实施方式,示范性实施方式的实例说明于说明书附图中。只要有可能,相同元件符号在附图和描述中用来表示相同或相似部分。
图1是本发明的第一实施例的显示面板的俯视示意图。图2A及图2B是图1的显示面板的剖视示意图。图2A对应图1的剖线A-A’。图2B对应图1的剖线B-B’。图3是图1的显示面板的制造方法的流程图。图4A至图6是图1的显示面板的制造流程的示意图。图4A至图4E对应图6的剖线C-C’。图5A至图5E对应图6的剖线D-D’。为清楚呈现起见,图1省略了图2A及图2B的平坦层140和披覆层200的示出;图6省略了图4E及图5E的平坦层140和披覆层200的示出。
请参照图1、图2A及图2B,显示面板10包括像素电路基板100、多个接合垫和多个发光元件LED。这些接合垫设置于像素电路基板100上,且电性连接像素电路基板100。这些发光元件LED电性接合至这些接合垫。在本实施例中,发光元件LED具有外延结构层ES以及位于外延结构层ES同一侧并且与其电性连接的第一电极E1和第二电极E2。亦即,本实施例的发光元件LED可以是覆晶式发光二极管(flip-chip type LED)。另一方面,本实施例的发光元件LED可以是微型发光二极管(micro-LED)、次毫米发光二极管(mini-LED)、或其他不同尺寸等级的发光二极管。
显示面板10的多个接合垫可区分为多个接合垫组,这些接合垫组各自包括第一接合垫BP1和第二接合垫BP2。举例来说,在本实施例中,每一个接合垫用以电性接合两个发光元件LED。也就是说,本实施例的任一个发光元件LED会与另一个发光元件LED共用接合垫,但不以此为限。在其他实施例中,每一个发光元件LED与接合垫组的对应也可以是一对一的关系。
在本实施例中,像素电路基板100可包括基板110、像素电路层120和多条信号线。像素电路层120设置在基板110上,且这些信号线设置在像素电路层120上。举例来说,像素电路基板100的这些信号线可包括多条第一信号线SL1和多条第二信号线SL2。这些第一信号线SL1和这些第二信号线SL2沿着方向Y交替排列并且在方向X上延伸。方向X实质上可垂直于方向Y。在本实施例中,像素电路层120与多个接合垫之间还设有平坦层140,且平坦层140覆盖这些信号线。基于导电性的考量,这些信号线一般是使用金属材料制成。
特别注意的是,每一个第一接合垫BP1贯穿平坦层140以电性连接对应的一条第一信号线SL1,而每一个第二接合垫BP2贯穿平坦层140以电性连接对应的一条第二信号线SL2。举例来说,第一信号线SL1和第二信号线SL2可分别电性耦接至一系统高电压源(OVDD)和一系统低电压源(OVSS)。因此,发光元件LED的第一电极E1和第二电极E2可分别是P电极和N电极。亦即,发光元件LED的第一电极E1和第二电极E2可分别电性连接外延结构层ES的P型半导体层和N型半导体层,但不以此为限。
进一步而言,显示面板10还包括多个辅助电极AE和反射结构层250。这些辅助电极AE设置在多个接合垫(或多个发光元件LED)之间。在本实施例中,这些辅助电极AE和电性连接至同一条信号线(例如第一信号线SL1或第二信号线SL2)的多个接合垫(例如多个第一接合垫BP1或多个第二接合垫BP2)可沿着方向X交替排列,且这些辅助电极AE在方向Y上延伸。举例而言,这些辅助电极AE和多个接合垫可选择性地属于同一膜层;亦即,这些辅助电极AE和这些接合垫的材质可选择性地相同,但不以此为限。在其他实施例中,辅助电极和接合垫也可属于不同的膜层。
基于导电性的考量,辅助电极AE和接合垫一般是使用金属材料制成,但不以此为限。在其他实施例中,辅助电极AE和接合垫也可使用金属氧化物(例如:铟锌氧化物或铟锡氧化物)、或其他合适的导电材料。
在本实施例中,反射结构层250设置在多个发光元件LED之间,且沿着接合垫的接合面BPs的法线方向(例如方向Z)重叠于多个辅助电极AE和多个接合垫,但不以此为限。举例来说,反射结构层250可具有彼此分离的多个第一反射图案251和多个第二反射图案252。这些第一反射图案251和这些发光元件LED沿着方向X交替排列,而这些第二反射图案252和这些发光元件LED沿着方向Y交替排列。
承接上述,反射结构层250具有朝向每一个发光元件LED的反射面250r,且此反射面250r与多个接合垫各自的接合面BPs之间的夹角θ以及此反射面250r和/或多个辅助电极AE各自的表面AEs之间的夹角θ’(如图15所示)可介于65度至70度之间。另一方面,反射结构层250和发光元件LED在接合面BPs的法线方向(例如方向Z)上分别具有结构高度H1和元件高度H2,且结构高度H1与元件高度H2的比值介于2至3之间。据此,可将发光元件LED以较大角度出射的光线更有效率地反射回显示面板10的可视角范围内,从而提升显示面板10在可视角范围内的整体出光量。
特别注意的是,反射结构层250的材质可包括铜、银、铝、钼、或其他具有高反射率的金属材料。在本实施例中,反射结构层250例如是选用铜金属制作而成,因此其在可见光波段(例如波长范围400nm至700nm)的反射率明显高于50%,有助于进一步提升显示面板10的光能利用率。
在本实施例中,显示面板10还可选择性地包括披覆层200。此披覆层200覆盖多个发光元件LED、反射结构层250、多个接合垫和多个辅助电极AE。披覆层200的材料例如包括无机绝缘材料(例如氧化硅或氮化硅)、有机绝缘材料(例如有机树酯)、或其他合适的透光绝缘材料。
由于反射结构层250的材质为金属材料,因此可采用较为简易的电镀工艺来制作,有助于简化显示面板10的工艺工序数。以下将针对显示面板10的制造方法进行示例性地说明。
请参照图3、图4A及图5A,首先,于基板110上制作像素电路层120和多条信号线以形成像素电路基板100,其中这些信号线包括多条第一信号线SL1和多条第二信号线SL2。接着,于像素电路基板100上形成平坦层140(图3的步骤S101),其中平坦层140具有沿着方向Z重叠于多条信号线的多个接触孔140a,如图4B及图5B所示。
于平坦层140上形成导电层(图3的步骤S102),如图4C及图5C所示。此导电层可包括多个第一接合垫BP1、多个第二接合垫BP2、多个辅助电极AE、电镀电极EPE1和电镀电极EPE2。这些接合垫分别经由多个接触孔140a与多条信号线电性连接。特别注意的是,这些辅助电极AE与电镀电极EPE1电性连接,这些第一接合垫BP1和这些第二接合垫BP2分别经由多条第一信号线SL1和多条第二信号线SL2与电镀电极EPE2电性连接(如图6所示)。
请参照图3、图4D及图5D,在导电层的形成步骤完成后,进行一接合步骤以将多个发光元件LED电性接合至导电层的这些接合垫上(步骤S103)。在发光元件LED的接合步骤完成后,形成具有多个开口200a的披覆层200(步骤S104)。披覆层200的这些开口200a沿着方向Z分别重叠于多个辅助电极AE、多个第一接合垫BP1和多个第二接合垫BP2。在本实施例中,发光元件LED例如是微型发光二极管,因此披覆层200沿着方向Z的高度至少要大于10μm方能产生足够高度的反射结构层250,但不以此为限。
请参照图3、图4E及图5E,进行一电镀工艺以形成反射结构层250于披覆层200的多个开口200a内(步骤S105)。举例来说,电镀工艺的步骤可包括将多个辅助电极AE和多个接合垫浸入电镀液中,并且于电镀电极EPE1和电镀电极EPE2施加一电位,使这些辅助电极AE和这些接合垫具有该电位以经由电解反应形成反射结构层250。特别注意的是,由于反射结构层250是采用电镀工艺来制作,因此反射结构层250的多个第一反射图案251电性连接多个辅助电极AE,而多个第二反射图案252电性连接多个接合垫。
在反射结构层250的电镀工艺完成后,进行一切割工艺以移除电镀电极(步骤S106)。请同时参照图6,在本实施例中,切割工艺的步骤可包括:沿着切割线CL1进行切割以移除电镀电极EPE1以及沿着切割线CL2进行切割以移除电镀电极EPE2。然而,本发明不限于此,在其他实施例中,切割工艺也可仅包含电镀电极EPE2的移除步骤。通过电镀电极的移除,可确保显示面板的驱动电性不受电镀线路的影响。
于此便完成图1的显示面板10的制作。显示面板10包括像素电路基板100、平坦层140、多个第一接合垫BP1、多个第二接合垫BP2、多个发光元件LED、多个辅助电极AE和反射结构层250。像素电路基板100具有多条第一信号线SL1和多条第二信号线SL2,且平坦层140覆盖这些信号线。这些接合垫设置在平坦层140上,并且电性连接这些信号线。这些发光元件LED电性接合至这些接合垫。这些辅助电极AE设置在这些接合垫之间。反射结构层250设置在这些发光元件LED之间,且沿着方向Z重叠于这些辅助电极AE和这些接合垫。
设置在这些发光元件LED之间的反射结构层250,能将这些发光元件LED以大角度出射的光线反射回显示面板10的可视角范围内,进而产生聚光的效果并且增加显示面板10的光能利用率。另一方面,利用电镀工艺形成反射结构层250,除了可简化显示面板10的工艺步骤外,所形成的反射结构层250在可见光波段可具有较高的反射率,有助于进一步提升显示面板10的光能利用率。
以下将列举另一些实施例以详细说明本公开,其中相同的构件将标示相同的符号,并且省略相同技术内容的说明,省略部分请参考前述实施例,以下不再赘述。
图7是本发明的第二实施例的显示面板的俯视示意图。请参照图7,本实施例的显示面板10A与图1的显示面板10的差异在于:反射结构层的配置方式不同。具体而言,显示面板10A的反射结构层250A的多个第一反射图案251与多个发光元件LED的排列方式不同于图1的显示面板10。
举例来说,在本实施例中,显示面板10A具有多个显示像素区PA,且多个发光元件LED包括多个第一发光元件LED1、多个第二发光元件LED2和多个第三发光元件LED3。每一个显示像素区PA内都设有一个第一发光元件LED1、一个第二发光元件LED2和一个第三发光元件LED3。此处的第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3分别用以发出不同颜色的光线,例如红光、绿光和蓝光,但不以此为限。
特别注意的是,反射结构层250A的多个第一反射图案251和这些显示像素区PA是沿着方向X交替排列。亦即,本实施例的反射结构层250A并非设置在每一个发光元件LED的四周。相应地,多个辅助电极AE与这些显示像素区PA也是沿着方向X交替排列。需说明的是,在本实施例中,每一个显示像素区PA内所设置的发光元件LED数量是以三个为例进行示范性地说明,并不表示本发明以附图公开内容为限制。在其他实施例中,每一个显示像素区PA内设置的发光元件LED数量可根据实际的应用需求而调整。
图8是本发明的第三实施例的显示面板的俯视示意图。图9是本发明的第四实施例的显示面板的俯视示意图。请参照图8,本实施例的显示面板10B与图7的显示面板10A的差异在于:显示面板10B的反射结构层250B仅设置在每一个发光元件LED沿着方向Y的相对两侧。亦即,反射结构层250B仅具有多个第二反射图案252。然而,本发明不限于此。在其他实施例中,显示面板10B’的反射结构层250B’也可仅具有在方向Y上延伸的多个第一反射图案251B。这些第一反射图案251B和多个显示像素区PA沿着方向X交替排列,且每一个第一反射图案251都横跨多条第一信号线SL1和多条第二信号线SL2,如图9所示。
图10是本发明的第五实施例的显示面板的俯视示意图。请参照图10,本实施例的显示面板20与图1的显示面板10的差异在于:发光元件和反射结构层的配置方式不同。在本实施例中,显示面板20的发光元件LED与接合垫组(即第一接合垫BP1和第二接合垫BP2的组合)的对应为一对一的关系。亦即,多个发光元件LED并不共用接合垫。
因此,反射结构层250C的多个第二反射图案252C和多个接合垫组是沿着方向Y交替排列,且第二反射图案252C在方向X上延伸于多个接合垫组之间。更具体地说,这些第二反射图案252C沿着方向Z并不重叠于多个接合垫。另一方面,反射结构层250C的每一个第一反射图案251C在方向Y上延伸并且横跨多条第一信号线SL1和多条第二信号线SL2。特别注意的是,反射结构层250C的这些第一反射图案251C和这些第二反射图案252C彼此相交并形成多个开口区OP,且每一个开口区OP内设有一个发光元件LED。
另一方面,为了制作出上述的反射结构层250C,显示面板20的多个辅助电极AE-A包括彼此相交的多个第一延伸段AE1和多个第二延伸段AE2。这些第一延伸段AE1沿着方向Y排列并且在方向X上延伸,而这些第二延伸段AE2沿着方向X排列并且在方向Y上延伸。特别注意的是,由于本实施例的反射结构层250C仅形成在这些辅助电极AE-A上,即使不切除电镀电极EPE1也不会影响到显示面板20的操作电性。因此,本实施例的显示面板20还可选择性地保留电镀工艺中所使用的电镀电极EPE1。也因此,在显示面板20的制造方法中,并未包含前述实施例的切割工艺(即图3的步骤S106),有助于进一步简化显示面板20的工艺工序数。
图11是本发明的第六实施例的显示面板的俯视示意图。请参照图11,本实施例的显示面板20A与图10的显示面板20的差异在于:反射结构层的配置方式不同。具体而言,显示面板20A的反射结构层250D的多个第一反射图案251D与多个发光元件LED的排列方式不同于图10的显示面板20。
举例来说,在本实施例中,显示面板20A具有多个显示像素区PA,且多个发光元件LED包括多个第一发光元件LED1、多个第二发光元件LED2和多个第三发光元件LED3。每一个显示像素区PA内都设有一个第一发光元件LED1、一个第二发光元件LED2和一个第三发光元件LED3。此处的第一发光元件LED1、第二发光元件LED2和第三发光元件LED3分别用以发出不同颜色的光线,例如红光、绿光和蓝光,但不以此为限。
特别注意的是,反射结构层250D的多个第一反射图案251D和这些显示像素区PA是沿着方向X交替排列。亦即,本实施例的反射结构层250D并非设置在每一个发光元件LED的四周。相应地,多个辅助电极AE-B的多个第二延伸段AE2B与这些显示像素区PA也是沿着方向X交替排列。需说明的是,在本实施例中,每一个显示像素区PA内所设置的发光元件LED数量是以三个为例进行示范性地说明,并不表示本发明以附图公开内容为限制。在其他实施例中,每一个显示像素区PA内设置的发光元件LED数量可根据实际的应用需求而调整。
图12是本发明的第七实施例的显示面板的俯视示意图。图13是本发明的第八实施例的显示面板的俯视示意图。请参照图12,本实施例的显示面板20B与图10的显示面板20的差异在于:显示面板20B的反射结构层250E仅具有在方向X上延伸的多个第二反射图案252E,且多个辅助电极AE-C所连接的电镀电极EPE1A是设置在显示面板20B沿着方向X的一侧。
然而,本发明不限于此,在其他实施例中,显示面板20C的反射结构层250F也可仅具有在方向Y上延伸的多个第一反射图案251F,且这些第一反射图案251F和多个显示像素区PA沿着方向X交替排列。相应地,多个辅助电极AE-D和这些显示像素区PA也是沿着方向X交替排列,且保留的电镀电极EPE1是位在显示面板20C沿着方向Y的一侧。
图14是本发明的第九实施例的显示面板的俯视示意图。图15是图14的显示面板的剖视示意图。图15对应图14的剖线E-E’。图16是图14的显示面板的制造方法的流程图。图17A至图17C是图15的显示面板的制造流程的剖视示意图。为清楚呈现起见,图14省略了图15的平坦层140的示出。
请参照图14及图15,本实施例的显示面板30与图1的显示面板10的差异在于:本实施例的显示面板30不具有显示面板10的披覆层200(如图2A所示),且显示面板30的制造方法也不同于显示面板10的制造方法。
以下将针对显示面板30与显示面板10的制造方法差异进行说明。请参照图16及图17A,不同于前述实施例,显示面板30的制造方法在导电层的形成步骤完成后,随即进行披覆层200的形成步骤(步骤S104)。请参照图16及图17B,接着,进行一电镀工艺以形成反射结构层250(步骤S105)。特别注意的是,为了进行多个发光元件LED的接合步骤,本实施例在反射结构层250的电镀工艺完成后,需进行披覆层200的移除步骤(步骤S107)。
请参照图16及图17C,在披覆层200的移除步骤完成后,进行多个发光元件LED的接合步骤以及电镀电极(例如电镀电极EPE1和/或电镀电极EPE2)的切割工艺。在本实施例中,多个发光元件LED的接合步骤(步骤S103A)是在电镀电极的切割工艺(步骤S106A)完成后才进行,但不以此为限。在其他实施例中,这些发光元件LED的接合步骤也可先于电镀电极的切割工艺。
由于显示面板30的制造方法的多数步骤相似于前述实施例的显示面板10,因此详述的说明请参见前述实施例的相关段落,于此便不再赘述。
图18A及图18B是本发明的第十实施例的显示面板的制造流程的剖视示意图。请参照图18A及图18B,本实施例的显示面板40与图2A的显示面板10的差异在于:反射结构层的组成不同。在本实施例中,显示面板40的反射结构层250G包括高反射率材料层250L1和低反射率材料层250L2,且高反射率材料层250L1位于低反射率材料层250L2与接合垫(例如第一接合垫BP1或第二接合垫BP2)之间。
在本实施例中,高反射率材料层250L1的材料可包括具有高反射率的金属材料(例如:铜、银、铝、钼、镍、或铬),而低反射率材料层250L2的材料可包括具有低反射率的黑化金属材料(例如黑化铬或黑化镍)或有机光刻胶材料。特别说明的是,若低反射率材料层250L2选用黑化金属材料制作,则本实施例的反射结构层250G的电镀工艺除了高反射率材料层250L1的电镀步骤外(如图18A所示),还可包括低反射率材料层250L2的电镀步骤(如图18B所示),但不以此为限。在另一实施例中,低反射率材料层250L2也可采用光刻蚀刻工艺来制作。
值得一提的是,通过低反射率材料层250L2的设置,可降低反射结构层250G对于外部环境光的反射率,进而改善显示面板40的暗态表现及显示对比。
图19是本发明的第十一实施例的显示面板的俯视示意图。请参照图19,本实施例的显示面板50与图2A及图2B的显示面板10的差异在于:显示面板50还包括多个感测电极TE,且这些感测电极TE设置在多个辅助电极AE和像素电路基板100之间。特别注意的是,由于反射结构层250具有导电性,通过这些感测电极TE分别重叠于反射结构层250的多个第一反射图案251和多个辅助电极AE,可形成多个用于感测手指FG触碰位置的感测电容。
从另一观点来说,本实施例的显示面板50的制造方法还可选择性地包括:于导电层的形成步骤前,于像素电路基板100上形成多个感测电极TE。为了使这些感测电极TE电性绝缘于像素电路基板100的多条第一信号线SL1与多条第二信号线SL2以及导电层的多个接合垫,这些感测电极TE与像素电路基板100之间还设有绝缘层141,而这些感测电极TE与导电层之间还设有绝缘层142。
综上所述,在本发明一实施例的显示面板及其制造方法中,反射结构层是经由电镀工艺而形成在多个接合垫或位于这些接合垫之间的多个辅助电极上。此反射结构层能将电性接合至这些接合垫的多个发光元件以大角度出射的光线反射回显示面板的可视角范围内,从而增加显示面板的光能利用率。此外,反射结构层采电镀工艺来制作,除了可简化工艺步骤外,所形成的反射结构层在可见光波段的反射率也较高。
Claims (20)
1.一种显示面板,包括:
一像素电路基板,具有多条信号线;
一平坦层,覆盖该些信号线;
多个接合垫,设置于该平坦层上,并且电性连接该些信号线;
多个发光元件,电性接合至该些接合垫;
多个辅助电极,设置在该些接合垫之间;以及
一反射结构层,设置在该些发光元件之间,且重叠于该些辅助电极和该些接合垫的至少一部分,
还包括:
多个感测电极,设置在该些辅助电极与该像素电路基板之间,且该些感测电极分别重叠于该些辅助电极,形成多个用于感测手指触碰位置的感测电容。
2.如权利要求1所述的显示面板,还包括:
一披覆层,覆盖该些发光元件、该反射结构层、该些接合垫以及该些辅助电极。
3.如权利要求1所述的显示面板,其中该反射结构层电性连接该些辅助电极和该些接合垫的该至少一部分。
4.如权利要求1所述的显示面板,其中该反射结构层具有朝向每一该些发光元件的一反射面,该反射面与该些接合垫各自的一接合面之间的夹角或该反射面与该些辅助电极各自的一表面之间的夹角介于65度至70度之间,该反射结构层在该接合面的法线方向上具有一结构高度,每一该些发光元件在该接合面的法线方向上具有一元件高度,且该结构高度与该元件高度的比值介于2至3之间。
5.如权利要求1所述的显示面板,其中该反射结构层包括一高反射率材料层和一低反射率材料层,且该高反射率材料层位于该些辅助电极和该些接合垫的该至少一部分与该低反射率材料层之间。
6.如权利要求1所述的显示面板,其中该反射结构层包括多个第一反射图案,该些第一反射图案和该些发光元件沿着一第一方向交替排列。
7.如权利要求6所述的显示面板,其中该些发光元件包括多个第一发光元件、多个第二发光元件和多个第三发光元件,该显示面板具有多个显示像素区,每一该些显示像素区内设有该些第一发光元件的其中一者、该些第二发光元件的其中一者和该些第三发光元件的其中一者,该反射结构层还包括多个第二反射图案,该些显示像素区与该些第二反射图案沿着一第二方向交替排列,且该第二方向相交于该第一方向。
8.如权利要求6所述的显示面板,其中该反射结构层还包括多个第二反射图案,该些第二反射图案和该些发光元件沿着一第二方向交替排列,且该第二方向相交于该第一方向。
9.如权利要求1所述的显示面板,还包括:
一电镀电极,设置于该平坦层上,且电性连接该些辅助电极。
10.如权利要求1所述的显示面板,其中该反射结构层重叠于该些辅助电极和该些接合垫。
11.如权利要求1所述的显示面板,其中该反射结构层电性连接该些辅助电极。
12.一种显示面板的制造方法,包括:
于一像素电路基板上形成一平坦层;
于该平坦层上形成一导电层,该导电层包括多个接合垫、多个辅助电极和一第一电镀电极,该第一电镀电极与该些辅助电极电性连接;
形成一披覆层,该披覆层具有多个开口,且该些开口分别重叠于该些辅助电极和该些接合垫的至少一部分;以及
进行一电镀工艺以形成一反射结构层于该披覆层的该些开口内,
还包括:
在该导电层的形成步骤前,于该像素电路基板上形成多个感测电极,其中该些感测电极分别重叠于该些辅助电极,形成多个用于感测手指触碰位置的感测电容。
13.如权利要求12所述的显示面板的制造方法,还包括:
在形成该披覆层之前,进行一接合步骤以将多个发光元件电性接合至该些接合垫上。
14.如权利要求12所述的显示面板的制造方法,其中该像素电路基板具有多条信号线和一第二电镀电极,且该些接合垫贯穿该平坦层与该些信号线电性连接。
15.如权利要求14所述的显示面板的制造方法,其中该电镀工艺包括:
于该第一电镀电极和该第二电镀电极施加一电位。
16.如权利要求14所述的显示面板的制造方法,其中在该电镀工艺完成后,进行一切割工艺以移除该第二电镀电极。
17.如权利要求16所述的显示面板的制造方法,其中该切割工艺还包括移除该第一电镀电极。
18.如权利要求12所述的显示面板的制造方法,还包括:
在电镀工艺完成后,移除该披覆层。
19.如权利要求18所述的显示面板的制造方法,还包括:
在该披覆层的移除步骤完成后,进行一接合步骤以将多个发光元件电性接合至该些接合垫上。
20.如权利要求12所述的显示面板的制造方法,其中该电镀工艺的步骤包括:
形成一高反射率材料层;以及
形成一低反射率材料层,其中该高反射率材料层位于该导电层和该低反射率材料层之间。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW110118058 | 2021-05-19 | ||
TW110118058A TWI757181B (zh) | 2021-05-19 | 2021-05-19 | 顯示面板及其製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN114094000A CN114094000A (zh) | 2022-02-25 |
CN114094000B true CN114094000B (zh) | 2023-06-20 |
Family
ID=80301481
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN202111367193.0A Active CN114094000B (zh) | 2021-05-19 | 2021-11-18 | 显示面板及其制造方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11545605B2 (zh) |
CN (1) | CN114094000B (zh) |
TW (1) | TWI757181B (zh) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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Publication number | Publication date |
---|---|
TW202247447A (zh) | 2022-12-01 |
US20220376150A1 (en) | 2022-11-24 |
US11545605B2 (en) | 2023-01-03 |
TWI757181B (zh) | 2022-03-01 |
CN114094000A (zh) | 2022-02-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |