CN112154540A - 一种高压倒装半导体发光元件 - Google Patents

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Abstract

一种高压倒装半导体发光元件，包括：透明衬底（100），包括第一表面和第二表面，第二表面为主要出光面；至少两个半导体发光序列，包括：自衬底（100）的第一表面由下至上依次堆叠的第一导电类型半导体层（102）、发光层（103）、第二导电类型半导体层（104）；隔离槽，位于相邻两个半导体发光序列之间，且底部为该衬底（100）的第一表面；透明导电层（106），覆盖第二导电类型半导体层（104）的表面；透明隔离层（105），覆盖并接触半导体发光序列的侧壁、透明导电层（106）的侧壁以及部分透明导电层（106）的上表面；互连线（107），位于透明隔离层（105）表面，电连接相邻两个半导体发光序列，并接触透明导电层（106）；布拉格反射层（110），覆盖互连线（107）和透明隔离层（105）。

Description

一种高压倒装半导体发光元件
技术领域
涉及一种高压倒装半导体发光元件，具体的涉及一种运用于背光显示、RGB显示的半导体发光元件。
背景技术
高压倒装芯片凭借良好的散热性能一直应用于照明、背光、RGB显屏等大功率领域，近年来随着RGB显屏、背光Local Dimming领域的兴起，高压倒装芯片愈发关注在小电流下的光效以及亮度均匀性。
现有的高压倒装芯片如图1~2所示，其芯片制程主要包括首先通过蚀刻工艺蚀刻形成隔离槽（ISO）和两个以上的独立的半导体发光序列作为子发光单元、接着在隔离槽（ISO）底部和半导体发光序列的顶部以及侧壁依次覆盖透明隔离层105、然后在每一个子发光单元的顶部包括透明隔离层105上覆盖一透明导电层106（如ITO）并做退火处理以形成欧姆接触、蒸镀电连接每一个子发光单元的互连线107以及第一电极108和第二电极109、覆盖每个子发光单元布拉格反射层反射层110以及制作第一电极焊盘111和第二电极焊盘112，两个电极焊盘透过反射层的开口接触第一电极108和第二电极109，用于外部电性连接。其中透明隔离层105包括覆盖互连接线107与子发光单元的侧壁之间，形成绝缘隔离区域。透明隔离层105同时包括位于透明导电层下方的部分，形成局部的电流阻挡区域，以阻止互连线与子发光单元的顶表面之间垂直方向的电流传输，促进透明导电层电流扩展。该工艺制程简单，成本可控，并且在正常工作电流的驱动下，亮度均匀，且能够实现高亮度。
然而在小电流下测试时，发现这类高压倒装芯片亮暗不均匀，无法满足例如RBG显屏以及背光local dimming驱动控制下光均匀性需求。经研究发现，小电流驱动下高压倒装芯片的单颗子发光单元的VF4相较于常规的单颗倒装发光二极管（仅一个发光单元)降低明显，并且亮度不均。
发明内容
基于本发明的目的，提供一种能够保证小电流（低于1mA)下的亮度均匀性以及VF4相对提升的一种高压倒装半导体发光元件，包括：透明衬底，包括第一表面和第二表面，第二表面为主要出光面；
至少两个半导体发光序列，包括：自衬底的第一表面上由下至上依次堆叠的第一导电类型半导体层、发光层、第二导电类型半导体层；
隔离槽，位于相邻两个半导体发光序列之间，且底部为所述衬底的第一表面；
透明导电层，覆盖第二导电半导体层的表面；
透明隔离层，覆盖并接触半导体发光序列的侧壁、透明导电层的侧壁以及部分透明导电层的上表面；
互连线，位于透明隔离层表面，电连接相邻两个半导体发光序列，通过第一开口接触半导体发光序列的透明导电层；
布拉格反射层，覆盖互连线和透明隔离层。
优选地，所述透明隔离层在透明透明导电层上具有开口，通过所述开口透明导电层的部分表面被暴露并与互连线接触，透明导电层其余表面均被所述的透明隔离层覆盖。
优选地，接触第二导电类型半导体层。
优选地，所述的透明隔离层在电流阻挡层的上方具有开口区域，通过所述多个开口透明导电层的部分表面被暴露并与互连线接触。
优选地，所述的第一透明绝缘覆盖互连线下方以外的整个透明导电层表面以及覆盖整个半导体发光序列的侧壁。
优选地，还包括电流阻挡层，仅形成在透明导电层与第二导电类型半导体层之间，电流阻挡层阻挡电流自互连线与第二导电类型半导体层之间纵向方向的电流传输。
优选地，所述的电流阻挡层为一块或分散的多块。
优选地，所述的透明隔离层在电流阻挡层的上方具有开口区域，通过所述图形透明导电层的部分表面被暴露并与互连线接触。
优选地，所述的互连线与半导体发光序列侧壁之间仅有透明隔离层。
优选地，所述透明隔离层覆盖在相邻半导体发光序列的隔离槽上。
优选地，所述的布拉格反射层通过离子源辅助镀膜工艺获得。
优选地，所述透明隔离层通过PECVD的工艺获得。
优选地，在所述透明隔离层以及互连线的表面直接通过离子源辅助镀膜工艺形成所述的布拉格反射层。
优选地，所述的透明隔离层的致密性高于离子源辅助镀膜工艺所述的布拉格反射层的每一层致密性。
优选地，所述的透明隔离层的厚度高于离子源辅助镀膜工艺所述的布拉格反射层的每一层厚度。
优选地，所述的布拉格反射层为两层折射率不同的绝缘层重复堆叠形成的多层。
优选地，所述的透明隔离层的厚度为100~1000nm。
优选地，所述的透明导电层的厚度为10~200nm。
优选地，第一导电类型半导体层具有一个第一台面，透明隔离层在第一台面处具有一个开口。
优选地，相邻两个半导体发光元件之间通过互连线进行串联。
优选地，还包括一个第一电极、第二电极，第二电极与一个半导体发光序列的透明导电层接触，第一电极与另外一个半导体发光序列的第一导电类型半导体层直接接触，互连线用于连接两个相邻半导体发光序列，一部分与一个半导体发光序列的第一导电类型半导体层直接接触，另一部分与另外一个半导体发光序列的透明导电层接触。
优选地，所述的半导体发光元件包括第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述的布拉格反射层层具有第一开口和第二开口，第一焊盘电极和第二焊盘电极分别通过布拉格反射层层具有的第一开口和第二开口电连接所述的第一电极和第二电极。
本发明同时提供一种背光显示模组，其包括前述的高压倒装半导体发光元件。
本发明同时提供一种背光显示装置，其包括前述的背光显示模组，其中所述显示装置通过LOCAL DIMMING背光驱动电路实现局部调光。
本发明同时提供一种RGB显示装置，其包括前述的高压倒装半导体发光元件。
有益效果：
本发明的高压倒装结构通过改变透明导电层与透明隔离层的位置关系，能够解决传统的结构小电流下出现的出光亮度不均，VF4低的问题。
附图说明
图1是背景技术中提及的高压倒装发光二极管的俯视平面图。
图2是沿着图1中AA’虚线位置的纵向剖面结构示意图。
图3是实施例一提及的高压倒装发光二极管的俯视平面图。
图4是沿着图3中AA’虚线位置的纵向剖面结构示意图。
图5~13是实施例一提及的高压倒装发光二极管的制作工艺的中间结构示意图。
图14是实施例一的结构与背景技术的结构分别通入1微安点亮测试的VF4值分布情况。
图15是实施例一的结构与背景技术的结构单颗元件通入1微安点亮测试时的显微镜拍照图。
图16是实施例二的布拉格反射层的结构示意图。
图17是实施例提及的高压倒装发光三二极管的平面示意图。
图18是沿着图17中AA’虚线位置的纵向剖面结构示意图。
图19是实施例三中形成透明隔离层的中间结构平面示意图。
图20是实施例三中提及的形成互连线的中间结构平面示意图。
图21是实施例四提及的高压倒装发光二极管的俯视平面图。
图22是沿着图21中AA’虚线位置的纵向剖面结构示意图。
图23是实施例四提及的形成电流阻挡层的中间结构平面示意图。
图24是实施例四提及的形成透明隔离层的中间结构平面示意图。
图25是实施例四提及的形成互连线的中间结构平面示意图。
附图标记说明：
100：衬底；101：衬底图形；102：第一导电类型半导体层；1021：第一台面；103：发光层，104：第二导电类型半导体层；105：透明隔离层，1051：第一开口；1052：第二开口；106：透明导电层；107：互连线；108：第一电极；109：第二电极；110：布拉格反射层；1101：最下部层；1102：第一绝缘材料；1102：第二绝缘材料；1103：最上部层；111：第一焊盘电极；112：第二焊盘电极。
具体实施方式
本发明揭示一种高压倒装发光二极管元件结构，为了使本发明的叙述更加详尽与完备，请参照下列描述并配合附图以说明。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图式中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。
下面结合制作方法来说明本实施例的发光二极管结构，其中图3~4为实施例一的高压倒装发光二极管结构的平面图和剖视图，图5~11为获得实施例一的结构的方法步骤获得的中间结构，如图3~4所示，所述发光二极管结构包括：一衬底100；以及设置于所述衬底上的若干个半导体发光序列，所述若干个半导体发光序列通过隔离槽ISO区域分隔，构成若干个发光单元。
如图5所示，为了获得所述半导体发光序列，首先选择一个衬底100，衬底100为透明的，例如为蓝宝石、砷化镓、玻璃或者其它的透明材料，衬底100包括第一表面和第二表面，第二表面为主要出光面。衬底100的第一表面可以包括衬底图形101。衬底100的第一表面包括半导体发光序列，半导体发光序列至少包括第一导电类型半导体层102、发光层103、第二导电类型半导体层104，其中N型和P型分别为第一导电类型和第二导电类型中的一种。其中半导体发光序列可以是通过MOCVD生长的方式形成在衬底100上，也可以是通过转移工艺将半导体发光序列转移至透明衬底100上。
如图6所示，通过刻蚀工艺，自所述半导体发光序列的第二导电类型半导体层104去除部分半导体发光序列，至所述第一导电类型半导体层部分表面裸露形成台阶，第一导电类型半导体层102至少包括第一台面1021用于后续接触互连线的一端并形成电连接，或者较佳的，还包括第二台面，其中第一台面的高度低于第二台面的高度，所述发光层103、第二导电类型半导体层104位于第二台面上。
进一步通过刻蚀工艺形成所述隔离槽ISO。隔离槽ISO的底部为衬底100的表面，半导体发光序列的侧壁可以是局部形成倾斜面，如只有部分侧面呈倾斜，也可以是全部的半导体发光序列形成倾斜面。本领域技术人员还可以根据需要在半导体发光序列中以下可选步骤以进一步改善发光二极管结构的发光效果：形成缓冲层（Buffer）、形成电子阻挡层（EBL）等等。
如图7所示，形成透明导电层106覆盖在第二导电类型半导体层104的表面，并且透明导电层106的整面接触第二导电类型半导体层105的表面。所述透明导电层106选用氧化铟锡（ITO）或氧化锌（ZnO）或氧化镉锡（CTO）或氧化铟（InO）或铟（In）掺杂氧化锌（ZnO）或铝（Al）掺杂氧化锌（ZnO）或镓（Ga）掺杂氧化锌（ZnO）中的一种或其组合，本实施例中优选为氧化铟锡（ITO）作为透明导电层106。透明导电层106在第二导电类型半导体层的表面的覆盖面积占比至少为80%以上或者进一步的为90%以上。
所述透明导电层106可以通过溅射镀工艺形成，且也可以根据需要蚀刻不同的图案。并且在溅射镀后，进行高温退火处理以实现透明导电层106与第二导电类型半导体层104之间形成良好的欧姆接触。透明导电层106的高温退火处理的温度范围为500℃以上。
如图8～9所示，形成透明隔离层105，完整覆盖隔离槽的底部、半导体发光序列的侧壁、透明导电层的侧壁以及透明导电层106上表面，并且具有第一开口1051暴露部分透明导电层106的上表面；具体的，透明隔离层105覆盖在隔离槽ISO的底部以及半导体发光序列的侧壁，用于后续形成的互连线与半导体发光序列的侧壁之间的绝缘隔离，以及覆盖透明导电层106表面以及侧壁。以化学气相沉积方式(CVD)、物理气相沉积方式(PVD)、溅镀(sputtering)等技术沉积形成透明隔离层105。透明隔离层105的材质为绝缘的，较佳例如可以是氧化硅(SiO2)、氮化硅之类的材料。透明隔离层对发光层辐射的光是透光的，优选地，透光率高于80%。
所述透明隔离层105在透明导电层106的表面，可以通过蚀刻、剥离等工艺形成图形。所述的图形具有至少一个暴露所述透明导电层106的区域，优选地为图形为一个第一开口1051或者多个第一开口1051以暴露透明导电层106。优选地，所述的透明隔离层在互连线与透明导电层之间形成多个第一开口，所述的互连线通过所述多个第一开口与透明导电层接触。所述一个第一开口1051或者多个第一开口1051的具体形状可以根据使用需求设计，第一开口1051暴露出透明导电层106远离衬底的面。透明隔离层105同时未覆盖第一导电类型半导体层102的第一台面，可以在第一台面上形成第二开口1052，使第一台面106被暴露并与互联线的一端接触。
所述的透明隔离层105的厚度较佳的是100~1000nm。
如图10所示，形成互连线107、第一电极108和第二电极109，子发光单元之间通过互连线107进行电性连接，例如串联或并联。优选地，本实施例提供一种串联的方式，具体的互连线107形成在透明隔离层105上，跨过所述隔离槽ISO底部、子发光单元的侧壁，一端接触一子发光单元的第一导电类型半导体层102的第一台面1021，另一端覆盖相邻子发光单元的绝缘层的一个或多个第一开口1051接触子发光单元的透明导电层106，互连线107在相邻子发光单元之间形成电性互连。优选地，透明隔离层105具有多个第一开口1051，互连线107的一端通过透明隔离层105多个第一开口1051与透明导电层106之间形成欧姆接触，促进电流在透明导电层106上的横向扩展，阻挡互连线107与第二导电类型半导体层104之间的纵向电流传递。其中第一电极108形成在子发光单元的第一台面上与第一导电类型半导体层102直接接触并电连接，第二电极109形成在一个子发光单元的顶表面，覆盖透明隔离层105的开口与透明导电层106形成欧姆接触。
互连线107、第一电极108和第二电极109选用金属层，例如具有反射功能和或欧姆接触功能的金属层，优选地，为条状或块状。所述的互连线107、第一电极108和第二电极109通过蒸镀工艺形成。
如图11所示，形成布拉格反射层110覆盖所述隔离槽和子发光单元表面以及侧壁，具体的，布拉格反射层形成在透明隔离层105和互连线107的表面上。并且所述布拉格反射层110在所述第一电极108和所述第二电极109对应的位置开设有第一开口和第二开口。所述布拉格反射层110可以通过沉积、刻蚀等工艺制成。如图12所示，所述布拉格反射层110可以通过折射率相对高的第一绝缘材料1102和折射率相对低的第二绝缘材料1103重复堆叠而成，并且理论上对应于或者接近于发光层辐射的光的中心波长的四分之一的光学厚度，布拉格反射层110例如由氧化硅膜层和氧化钛膜层交替叠层制成。优选地，其中所述的布拉格反射层110的重复堆叠薄膜的厚度为2微米以上，例如4~5微米，例如4对至20对(pairs)，并且优选地，其中所述的布拉格发射层110通过离子源辅助镀膜工艺形成。布拉格反射层110与外界最临近的最上部层1104可由SiNx形成。由SiNx形成的层的防湿性优异，可保护发光二极管芯片免受湿气的影响。
通过所述布拉格反射层110能够对发光层辐射至其表面的光进行高比例的反射，从而提升光从透明衬底110的第二表面辐射出去的比例，提升亮度，提高发光效果。
在传统的高压倒装结构中，在布拉格反射层110包括重复堆叠薄膜的情况下，布拉格反射层110的最下部层1101，可发挥可提高分布布拉格反射层的膜质的底层或界面层的作用。其中该最下部层1101优选地为PECVD沉积的方法获得更致密的膜层，该膜层的厚度为约0.2μm至1.0μm厚。例如，布拉格反射层110可包括0.2μm至1.0μm厚度的由SiO2形成的界面层、及在界面层上按照特定周期反复积层TiO2层/SiO2层而成。
所述布拉格反射层110可具有较高的可见光反射率。布拉格反射层110在子发光单元的上方、侧壁周围以及隔离槽上方以形成整面的反射界面，以尽量保证反射效率。所述分布布拉格反射层110能够以如下方式设计：入射角为0～60°，对波长为400～700nm的光具有90％以上的反射率。
如图13所示，第一焊垫电极111及第二焊垫电极112位于布拉格反射层110上，第一焊盘电极111通过第一开口接触第一电极108，第二焊盘电极112通过第二开口接触第二电极109。第一焊盘电极111与第二焊盘电极112之间保留一定宽度的间隙，通过该间隙形成绝缘隔离。
第一焊盘电极111和第二焊盘电极112可通过锡膏或导电银浆之类的材料通过回流焊或高温处理工艺连接至其它的应用型基板，例如封装基板上。
通过本实施例的工艺以及传统的工艺分别获得两片晶圆，其中一片4寸晶圆上包括数颗如图3所示意的高压倒装半导体发光元件结构作为实施例，每一颗高压倒装半导体发光元件包括串联的6个子发光单元，另外一片晶圆上获得包括数颗背景技术所述的图1所示意的高压倒装半导体发光元件作为对比例，每一颗高压倒装半导体发光元件同样包括串联的6个子发光单元，图13的统计表分别是实施例和对比例的晶圆上数颗元件的VF4分布情况，可以看出实施例结构的VF4相对于对比例的结构的VF4有所提升。图14所示的是实施例与对比例的结构在1微安的电流驱动下1颗元件的显微镜拍照结果。
对数颗元件进行抽样统计小电流如1微安的VF4结果以及亮度均匀性结果，如表一所示，可以看出实施例的结构没有出现子发光单元亮暗不均，而对比例的结构VF4相对低，并且子发光单元亮暗不均。本发明的高压倒装结构通过改变透明导电层与透明隔离层的位置关系，能够解决传统的结构小电流下出现的出光亮度不均，VF4低的问题。
表一
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本发明的高压倒装发光二极管可以运用于背光显示，较佳的可以运用于localdimming驱动的背光显示，或者可运用于RGB显屏，能够保证小电流下的亮度均匀性以及更高VF4值。
实施例二
由于实施例一提及的如图12所示的布拉格反射层叠层结构，包括最下部层1101作为周期反复膜层与半导体发光序列之间的层，周期反射膜层为离子源辅助镀膜以获得高反射率的第一绝缘材料1102和第二绝缘材料1103，所述的最下部层1101完全覆盖住半导体发光序列的侧壁、透明导电层的表面以及互连线的表面，能够保护半导体层的侧壁、透明导电层的表面不会被离子源辅助镀膜工艺破坏。
如图16所示，本实施例改进的是，所述的透明隔离层105为包覆整个半导体发光叠层的侧壁以形成保护，并覆盖在透明导电层106上表面对透明导电层形成保护。由此，透明隔离层105可直接作为离子源辅助镀覆周期性反射膜层的最下部层，对半导体发光序列的侧壁以及透明导电层上表面完整的覆盖，形成致密的保护作用。透明隔离层105在透明导电层上表面以及互连线107下方的位置形成图形区域，例如开口，提供互连线与透明导电层之间的接触。
透明隔离层优选地通过PECVD生长工艺获得，其致密性会高于离子源辅助镀膜工艺获得的相对高的第一绝缘材料1102与相对低的折射率的第二绝缘材料1103的致密性。透明隔离层表面保护半导体发光序列的半导体层的侧壁、透明导电层不会被离子源辅助镀膜镀离子源破坏，因此可实现所述的透明隔离层表面直接通过离子源辅助镀膜形成周期性反射膜层，不会导致VF升高或ESD较差，并且可发挥提高布拉格反射层（布拉格反射层层）110的膜质的作用。所述的透明隔离层105的厚度为100~1000nm。
通过先形成透明导电层再制作半导体发光序列与互连线之间起绝缘隔离作用的透明隔离层，第一方面，能够解决传统的结构导致的小电流下出现的子发光单元出光亮度不均，VF4低的问题；第二方面，绝缘隔离层在透明导电层上可具有多处的第一开口，透明导电层与互连线之间形成多处的欧姆接触，有利于电流在透明导电层上的横向扩展；第三方面，透明隔离层完整包覆半导体发光序列的侧壁以及透明导电层的顶表面，能够作为布拉格反射层的的最下部层，保护半导体发光序列以及透明导电层不会被离子源辅助镀膜工艺破坏，省去传统的工艺中采用PECVD制作的DBR结构最下部层，工艺更简单，可以简化制程，降低生产成本。
实施例三
如图17~18所示，与实施例二的区别在于，从第一焊盘电极111和第二焊盘电极112侧俯视，透明隔离层局部覆盖在透明导电层106的上表面，在透明导电层106表面透明隔离层105的形状与互连线107在透明导电层106上形状大致一致并且位置对应，以形成局部电流阻挡效果。例如透明隔离层105为一块状，在透明导电层上具有图形区域，例如多个第一开口，互连线107通过多个透明隔离层105的第一开口与透明导电层106形成欧姆接触。或者第一透明透明隔离层105在透明导电层上为分散的多段，互连线107通过多段第一透明透明隔离层105的间隙与透明导电层106形成欧姆接触。
同时，所述的透明隔离层105覆盖隔离槽的底部，并且可选的，局部或完全覆盖半导体发光序列侧壁，用于互连线107与半导体发光序列侧壁之间绝缘隔离。图23所示的是在透明导电层上形成透明隔离层105获得的中间结构，图24所示的是在互连线107以及第一电极和第二电极在透明隔离层105上获得的中间结构。布拉格反射层110的叠层结构如图12所示，并且布拉格反射层110覆盖互连线107、透明导电层106、所述隔离槽底部和子发光单元远离衬底的一面以及侧壁。并且所述布拉格反射层110在所述第一电极108和所述第二电极109对应的位置开设有开口。
所述布拉格反射层110可以通过折射率相对高的第一绝缘材料和折射率相对低的第二绝缘材料重复堆叠而成，并且理论上对应于或者接近于发光层辐射的光的中心波长的四分之一的光学厚度，布拉格反射层110例如由氧化硅膜层和氧化钛膜层交替叠层制成。布拉格反射层110与外界最临近的最上部层1104。由于本实施例的布拉格反射层110与互连线107之间还设置一层最下部层，该最下部层1101优选为PECVD工艺制作的一层100~1000nm之间的另一透明隔离层，该另一透明隔离层优选地是氧化硅，该另一透明隔离层作为最下部层覆盖在隔离槽、子发光单元的侧壁以及远离衬底的一侧，防止用离子源辅助镀膜制作布拉格反射层110时，破坏透明导电层或发光层，导致VF升高或ESD较差。
本实施例的结构为先制作透明导电层，再制作互连线与半导体发光序列侧壁之间的透明隔离层获得的结构，同样可以解决传统的结构小电流下出现的出光亮度不均，VF4低的问题，但是透明隔离层105与布拉格反射层的最下部层1101需要两步的制作工艺，相对于实施例二的结构，制作工艺更复杂。
实施例四
如图21~22所示，与实施例一区别的结构特征在于，在制作透明导电层105之前，还包括电流阻挡层113局部覆盖在子发光单元的第二导电类型半导体层104表面。电流阻挡层113为阻挡互连线107以及第二电极109通过透明导电层106与第二导电类型半导体层107之间形成垂直的电流流向，促进电流通过透明导电层106横向扩展。优选地，自焊盘电极一侧俯视，所述的电流阻挡层113与互连线107以及第二电极109在第二导电类型半导体层104表面的位置以及形状大致一致。
电流阻挡层113在第二导电类型半导体层104上的沉积工艺可以是光罩图形、化学沉积结合的工艺。所述的电流阻挡层113的厚度为10~500nm。所述的电流阻挡层113可以是氧化硅或氮化硅等透明介质层。
具体的，图23所示的是形成电流阻挡层113形成在子发光单元的顶表面的中间结构。电流阻挡层113优选地为一个块状，其在第二导电类型半导体层104上的覆盖区域的面积可略大于互连线107在第二导电类型半导体层104上的覆盖面积，以保证较好的电流阻挡效果，阻挡电流在互连线107与第二导电类型半导体层104之间的纵向传递，促进电流通过透明导电层扩散出去，提高发光区域的亮度。如图24所示的是在电流阻挡层113上制作透明导电层106以及透明隔离层105后获得的中间结构，其中透明导电层106仅形成在半导体发光序列的顶部，并且覆盖电流阻挡层113。透明隔离层105覆盖隔离槽的底部和子发光单元序列的侧壁以及子发光单元的顶部的透明导电层上，并且在电流阻挡层113的位置处形成一个或多个第一开口1051，在第一导电类型半导体层102的第一台面上形成第二开口1052。
如图25所示，在透明隔离层105的表面形成互连线、第一电极和第二电极获得的中间结构，互连线107在第一开口1051处形成与一个半导体发光序列的顶表面的透明导电层106接触，在第二开口1052处与第一导电类型半导体层102的第一台面1021接触。
电流阻挡层113仅形成在第二导电类型半导体层104的表面，如果电流阻挡层同时覆盖透明导电层的侧壁，则与背景技术的结构一样，导致VF值上升以及亮度不均匀。因此，较佳的，电流阻挡层113仅形成在第二导电类型半导体层104的表面，并且仅位于互连线的下方，与互连线的图形形状一样。
实施例五
本发明的高压倒装发光二极管可运用于背光显示，本实施例提供了一种各个发光区域之间的对比度较高的背光模组，其包括：基板，以及依次设置在基板上的多个前述实施例的高压倒装发光二极管和荧光材料膜片。
由于随着显示技术的发展，人们对显示装置的显示效果的要求越来越高，若显示装置中背光模组的各个出光区域之间的对比度较高，则显示装置可以有较好的显示效果。因此，本发明的背光模组，还包括驱动电路和/或控制电路的至少一部分集成在背光模组上，其中控制电路可包括但不限于区域调整电路(local dimming)，即通过背光板控制集成电路调整脉冲调变(Pulse Width Modulation,PWM)占空比(duty cycle)以针对各个区域的面板画面进行不同亮度的调整。通过将显示区域划分为多个背光分区，每个背光分区的背光亮度值可以独立调节，用以提升图像的对比度。每个高压倒装发光二极管均可以向其对应的出光区域发出蓝光。蓝光的波长范围可以为440纳米～450纳米。
其中所述的基板为PCB板，PCB板上具有电路以及该驱动电路能够驱动多个LED芯片200，可以分区域驱动。高压倒装半导体发光元件通过固晶工艺实现第一焊盘电极和第二焊盘电极固晶在基板上。
荧光膜片上设置有红色荧光材料和绿色荧光材料，能够在蓝光的激发下向各个方向发出红光与绿光，使得每个出光区域发出红绿蓝三种颜色的光。
本发明实施例还提供了一种背光显示装置，该显示装置包括上述的背光模组和液晶显示面板，该背光模组可以用于为液晶显示面板提供背光。
该显示装置可以为：液晶显示装置、电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
以上所述实施例仅表达了本申请的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对申请专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本申请构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本申请的保护范围。因此，本申请专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (26)

1.一种高压倒装半导体发光元件，包括：透明衬底，包括第一表面和第二表面，第二表面为主要出光面；
至少两个半导体发光序列，包括：自衬底的第一表面上由下至上依次堆叠的第一导电类型半导体层、发光层、第二导电类型半导体层；
隔离槽，位于相邻两个半导体发光序列之间，且底部为所述衬底的第一表面；
透明导电层，覆盖第二导电半导体层的表面；
透明隔离层，覆盖并接触半导体发光序列的侧壁、透明导电层的侧壁以及部分透明导电层的上表面；
互连线，位于透明隔离层上表面，电连接相邻两个半导体发光序列，并接触半导体发光序列的透明导电层；
布拉格反射层，覆盖互连线和透明隔离层。
2.根据权利要求1所述的一种高压倒装半导体发光元件，其特征在于：所述透明隔离层在透明透明导电层上具有开口，通过所述开口透明导电层的部分表面被暴露并与互连线接触，透明导电层其余表面均被所述的透明隔离层覆盖。
3.根据权利要求1所述一种高压倒装半导体发光元件，其特征在于：所述透明导电层整面接触第二导电类型半导体层。
4.根据权利要求3所述一种高压倒装半导体发光元件，其特征在于：所述的透明隔离层在互连线与透明导电层之间具有多个开口区域，通过所述多个开口透明导电层的部分表面被暴露并与互连线接触，透明导电层其余表面均被所述的透明隔离层覆盖。
5.根据权利要求4所述一种高压倒装半导体发光元件，其特征在于：所述的第一透明绝缘覆盖互连线下方之外的整个透明导电层表面以及覆盖整个半导体发光序列的侧壁。
6.根据权利要求1所述的一种高压倒装半导体发光元件，其特征在于：还包括电流阻挡层，仅形成在透明导电层与第二导电类型半导体层之间，电流阻挡层阻挡电流自互连线与第二导电类型半导体层之间纵向方向的电流传输。
7.根据权利要求6所述一种高压倒装半导体发光元件，其特征在于：所述的电流阻挡层为一块或分散的多块。
8.根据权利要求7所述的一种高压倒装半导体发光元件，其特征在于：所述的透明隔离层在电流阻挡层的上方具有开口区域，通过所述开口透明导电层的部分表面被暴露并与互连线接触。
9.根据权利要求1所述一种高压倒装半导体发光元件，其特征在于：所述的互连线与半导体发光序列侧壁之间仅有透明隔离层。
10.根据权利要求1所述的一种高压倒装半导体发光元件，其特征在于：所述透明隔离层完整覆盖在相邻半导体发光序列的隔离槽。
11.根据权利要求1所述一种高压倒装半导体发光元件，其特征在于：所述的布拉格反射层通过离子源辅助镀膜工艺获得。
12.根据权利要求1或11所述的一种高压倒装半导体发光元件，其特征在于：所述透明隔离层通过PECVD的工艺获得。
13.根据权利要求12所述的一种高压倒装半导体发光元件，其特征在于：在所述透明隔离层以及互连线的表面直接通过离子源辅助镀膜工艺形成所述的布拉格反射层。
14.根据权利要求13所述的一种高压倒装半导体发光元件，其特征在于：所述的透明隔离层的致密性高于离子源辅助镀膜工艺所述的布拉格反射层的每一层致密性。
15.根据权利要求1所述的一种高压倒装半导体发光元件，其特征在于：所述的透明隔离层的厚度高于离子源辅助镀膜工艺所述的布拉格反射层的每一层厚度。
16.根据权利要求1所述的一种高压倒装半导体发光元件，其特征在于：所述的布拉格反射层为两层折射率不同的绝缘层重复堆叠形成的多层。
17.根据权利要求1所述的一种高压倒装半导体发光元件，其特征在于：所述的透明隔离层的厚度为100~1000nm。
18.根据权利要求1所述的一种高压倒装半导体发光元件，其特征在于：所述的透明导电层的厚度为10~200nm。
19.根据权利要求1所述的一种高压倒装半导体发光元件，其特征在于：第一导电类型半导体层具有一个第一台面，互连线与第一导电类型半导体层在第一台面上形成接触。
20.根据权利要求1所述的一种高压倒装半导体发光元件，其特征在于：相邻两个半导体发光元件之间通过互连线进行串联。
21.根据权利要求1所述的一种高压倒装半导体发光元件，其特征在于：还包括一个第一电极、第二电极，第二电极与一个半导体发光序列的透明导电层接触，第一电极与另外一个半导体发光序列的第一导电类型半导体层直接接触，互连线用于连接两个相邻半导体发光序列，一部分与一个半导体发光序列的第一导电类型半导体层直接接触，另一部分与另外一个半导体发光序列的透明导电层接触。
22.根据权利要求21所述一种高压倒装半导体发光元件，其特征在于：所述的半导体发光元件包括第一焊盘电极和第二焊盘电极，所述的布拉格反射层层具有第一开口和第二开口，第一焊盘电极和第二焊盘电极分别通过布拉格反射层层具有的第一开口和第二开口电连接所述的第一电极和第二电极。
23.一种背光显示模组，其包括权利要求1~22中任意一种高压倒装半导体发光元件。
24.一种显示装置，其包括权利要求24所述的背光显示模组。
25.根据权利要求1所述的一种显示装置，其特征在于：所述显示装置通过LOCALDIMMING背光驱动电路实现局部调光。
26.一种RGB显屏，其包括权利要求1~22任意一种高压倒装半导体发光元件。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113013300A (zh) * 2021-05-25 2021-06-22 北京芯海视界三维科技有限公司 发光器件及显示器件
CN113540311A (zh) * 2021-07-15 2021-10-22 厦门三安光电有限公司 一种倒装发光二极管和发光装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104300069A (zh) * 2014-08-25 2015-01-21 大连德豪光电科技有限公司 高压led芯片及其制备方法
CN106159056A (zh) * 2016-09-18 2016-11-23 佛山市国星半导体技术有限公司 一种倒装高压芯片及其制作方法
CN107681032A (zh) * 2017-10-16 2018-02-09 厦门市三安光电科技有限公司 发光二极管及其制作方法
CN110148654A (zh) * 2019-05-15 2019-08-20 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种发光二极管芯片及其制造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014106306A1 (zh) * 2013-01-05 2014-07-10 海立尔股份有限公司 高压覆晶led结构及其制造方法
DE102014011893B4 (de) * 2013-08-16 2020-10-01 Seoul Viosys Co., Ltd. Leuchtdiode

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104300069A (zh) * 2014-08-25 2015-01-21 大连德豪光电科技有限公司 高压led芯片及其制备方法
CN106159056A (zh) * 2016-09-18 2016-11-23 佛山市国星半导体技术有限公司 一种倒装高压芯片及其制作方法
CN107681032A (zh) * 2017-10-16 2018-02-09 厦门市三安光电科技有限公司 发光二极管及其制作方法
CN110148654A (zh) * 2019-05-15 2019-08-20 合肥彩虹蓝光科技有限公司 一种发光二极管芯片及其制造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN113013300A (zh) * 2021-05-25 2021-06-22 北京芯海视界三维科技有限公司 发光器件及显示器件
CN113540311A (zh) * 2021-07-15 2021-10-22 厦门三安光电有限公司 一种倒装发光二极管和发光装置
CN113540311B (zh) * 2021-07-15 2022-11-22 厦门三安光电有限公司 一种倒装发光二极管和发光装置

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