TW202310391A - 微型發光二極體顯示裝置 - Google Patents
微型發光二極體顯示裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202310391A TW202310391A TW111124466A TW111124466A TW202310391A TW 202310391 A TW202310391 A TW 202310391A TW 111124466 A TW111124466 A TW 111124466A TW 111124466 A TW111124466 A TW 111124466A TW 202310391 A TW202310391 A TW 202310391A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light
- layer
- conductive layer
- display device
- common layer
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 33
- 230000007423 decrease Effects 0.000 claims description 3
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 2
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 abstract 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 23
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002096 quantum dot Substances 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000004308 accommodation Effects 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/15—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission
- H01L27/153—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars
- H01L27/156—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components having potential barriers, specially adapted for light emission in a repetitive configuration, e.g. LED bars two-dimensional arrays
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一種微型發光二極體顯示裝置，包括電路基板、磊晶結構以及導電層。磊晶結構電性連接電路基板，且包括共用層以及多個發光平台。這些發光平台配置於共用層上，其中共用層的厚度小於這些發光平台的厚度，且共用層具有被這些發光平台暴露出的第一表面，以及與第一表面相對的第二表面。導電層配置於共用層的第二表面上，並暴露出第二表面的多個子區，其中導電層在共用層的垂直投影重疊第一表面在共用層的垂直投影。
Description
本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種微型發光二極體顯示裝置。
微型發光二極體顯示器中的多個像素可以藉由在半導體基底層上配置多個半導體發光平台來形成。每一個半導體發光平台對應一個子像素，並以陣列的形式配置於半導體基底層上。半導體基底層除了做為基底層，還可以做為各發光平台的共電極，透過接合金屬層電性連接至電路基板。
然而，相較於導體，半導體基底層的電阻值較高。對於與公共接地點（common ground point）距離較遠的發光平台，能夠發生復合（recombination）的電子電洞對的對數較低。相對的，對於與公共接地點距離越近的發光平台，能夠發生復合（recombination）的電子電洞對的對數較高。因此，微型發光二極體顯示器會有亮度不均勻的狀況。
本發明提供一種微型發光二極體顯示裝置，發光亮度均勻。
根據本發明一實施例，提供一種微型發光二極體顯示裝置，包括電路基板、磊晶結構以及導電層。磊晶結構電性連接電路基板，且包括共用層以及多個發光平台。這些發光平台配置於共用層上，其中共用層的厚度小於這些發光平台的厚度，且共用層具有被這些發光平台暴露出的第一表面，以及與第一表面相對的第二表面。導電層配置於共用層的第二表面上，並暴露出第二表面的多個子區，其中導電層在共用層的垂直投影重疊第一表面在共用層的垂直投影。
根據本發明另一實施例，提供一種微型發光二極體顯示裝置，包括電路基板、磊晶結構以及透明導電層。磊晶結構電性連接電路基板，且包括共用層以及多個發光平台。這些發光平台配置於共用層上，其中共用層具有被這些發光平台暴露出的第一表面，以及與第一表面相對的第二表面。透明導電層配置於共用層的第二表面上，其中透明導電層完全覆蓋第二表面。
基於上述，本發明實施例提供的微型發光二極體顯示裝置將導電層設置於磊晶結構的共用層上。由於導電層的電阻值小於共用層的電阻值，透過導電層，能使電路基板的電流能夠傳遞更為均勻。在這樣的情況下，對於與公共接地點距離不同的發光平台，相同的電位差能夠驅動相同對數的電子電洞對進行復合，可以避免微型發光二極體顯示裝置發生亮度不均勻的狀況。除此之外，隨著解析度需求愈來愈高，發光平台也就是子像素的排列更為密集，相較於習知將導電層設置於共用層的第一表面的狀況，導電層被設置於第二表面，大幅提高了良率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
參照圖1A及圖1B，微型發光二極體顯示裝置1具備顯示區A1以及非顯示區A2，且包括電路基板C1、磊晶結構ES以及導電層30。顯示區A1指設置有多個顯示子像素PX的區域，非顯示區A2至少部分圍繞顯示區A1配置，可為設置有多個驅動元件(未繪示)的區域。每個顯示子像素PX具備一個發光平台20以提供微型發光二極體顯示裝置1的影像光。
磊晶結構ES包括共用層10以及多個發光平台20。如圖1B所示，分別對應多個顯示子像素PX的多個發光平台20配置於共用層10上，且每個發光平台20包括第一型半導體層201、第二型半導體層202以及發光層203，其中發光層203是多重量子井（Multiple Quantum Well，MQW）。共用層10配置於平行由第一方向D1以及第二方向D2所形成的面的平面上，且具有被多個發光平台20暴露出的第一表面101，以及與第一表面101相對的第二表面102。
根據本發明一實施例，共用層10是N型半導體，且第一型半導體層201是N型半導體，第二型半導體層202是P型半導體，但是本發明不限於此。在本發明的另一實施例中，共用層10是P型半導體，第一型半導體層201是P型半導體，第二型半導體層202是N型半導體。特別說明的是，共用層10與第一型半導體層201可為一體成型，亦即兩者是同一層。例如是透過蝕刻製程，形成多個分離的第一型半導體層201和連續的共用層10，可增加巨量轉移至電路基板C1時的良率，並留共用層10做為共電極，降低功耗。
電路基板C1可以例如是互補式金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS）基板、矽基液晶（Liquid Crystal on Silicon, LCOS）基板、薄膜電晶體（Thin Film Transistor, TFT）基板或是其他具有工作電路的基板，於此並不加以限制。如圖1B所示，磊晶結構ES通過接合金屬層120、130、140、150電性連接電路基板C1，其中接合金屬層140、150為公共接地點。當以電路基板C1對任一接合金屬層120施加電壓，使接合金屬層120與公共接地點之間具備電位差，電位差會導致電流的產生，在連接被施加電壓的該個接合金屬層120的發光平台20中會發生電子電洞對的復合，因而產生光。發光平台20發出的光沿著大致上平行第三方向D3的方向射出微型發光二極體顯示裝置1，進入使用者的眼睛，其中第一方向D1、第二方向D2以及第三方向D3互相垂直。
由於被用做為共電極的共用層10為半導體，其電阻值高於導體。當將一預定的電位差施加於公共接地點以及距離公共接地點較遠的接合金屬層120，對應的發光平台20發生復合的電子電洞對的對數會較低。當將相同的電位差施加於公共接地點以及距離公共接地點較近的接合金屬層120，對應的發光平台20發生復合的電子電洞對的對數會較高。為了避免上述的狀況，導電層30被配置於共用層10的第二表面102上，且共用層10在第三方向D3上的厚度被配置為小於發光平台20的厚度，以利用電阻較低的導電層30輔助傳遞電流，使電流能夠均勻分布。即便將相同的電位差施加於公共接地點以及距離公共接地點較遠的接合金屬層120，對應的發光平台20發生復合的電子電洞對的對數不會較低，並避免發光平台20的出光在共用層10內部反射而造成光損。因此，微型發光二極體顯示裝置1的每個發光平台20在施加相同的電位差下可以具有相同的亮度，微型發光二極體顯示裝置1可以具有良好的亮度均勻性。
當導電層30的面積越大，電流的均勻度較佳，微型發光二極體顯示裝置1的亮度均勻性就越好。若導電層30在共用層10的垂直投影形成為第一投影，且第一表面101在共用層10的垂直投影形成為第二投影，在一實施例中，第一投影與第二投影相重疊的部分的面積大於或等於第二投影的面積的0.5倍。在一實施例中，第一表面101在共用層10的垂直投影（第二投影）完全落在導電層30在共用層10的垂直投影（第一投影）中。在另一實施例中，第一表面101在共用層10的垂直投影（第二投影）完全落在導電層30在共用層10的垂直投影（第一投影）中，且第一投影與第二投影相重疊的部分的面積等於第二投影的面積。
在本實施例中，導電層30為不透明的高導電率材料，例如是金、鈦、鋁、銀、鉑及其合金等金屬材料。因此，導電層30被設置為暴露出第二表面102的多個子區102S，多個子區102S分別對應多個發光平台20。具體而言，如圖1B所示，多個子區102S在共用層10的垂直投影分別重疊多個發光平台20在共用層10的垂直投影，使得每個發光平台20發出的光得以穿透對應的子區102S後射出微型發光二極體顯示裝置1。導電層30在共用層10的垂直投影重疊第一表面101在共用層10的垂直投影，且不與發光平台20在共用層10的垂直投影重疊，但是本發明不以此為限。在本發明一實施例中，導電層30在共用層10的垂直投影與至少部分的發光平台20在共用層10的垂直投影部分重疊。換句話說，多個子區102S中的至少一部分在共用層10的垂直投影小於對應的那些發光平台20在共用層10的垂直投影。在這樣的配置下，那些發光平台20發出的光受到導電層30的進一步限制，光行進的方向更集中，避免各顯示子像素PX之間發生串音（crosstalk）。較佳的，多個子區102S中的至少一部分在共用層10的垂直投影與對應的那些發光平台20在共用層10的垂直投影的比例介於0.5~1之間，小於0.5可能讓出光率不夠。
進一步來說，由於導電層30為不透明的高導電率材料，其厚度被配置為小於或等於磊晶結構ES的厚度，以降低各發光平台20發出的光被導電層30吸收的光量。還應當說明的是，配置於顯示區A1的導電層30的總面積大於配置於非顯示區A2的導電層30的總面積，以確保電流能夠在顯示區A1的導電層30中被更均勻地傳遞，每個發光平台20在施加相同的電位差下具有相同的亮度。
在本實施例中，微型發光二極體顯示裝置1還包括半導體墊高部40，其中半導體墊高部40以及做為公共接地點的接合金屬層140、150皆配置於非顯示區A2，多個發光平台20配置於顯示區A1內。
半導體墊高部40可以和多個發光平台20在同一個製程中製造，並具有類似的結構。由於發光平台20與半導體墊高部40在遠離共用層10側的頂面為共平面，可以提高將電路基板C1上的接合金屬層150與接合金屬層130分別與接合金屬層140與接合金屬層120相接合時的良率，且接合金屬層140具有外延段140E，使得接合金屬層140能夠電性連接於共用層10與接合金屬層150之間。
為了充分說明本發明的各種實施態樣，將在下文描述本發明的其他實施例。在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
參照圖2A及圖2B，微型發光二極體顯示裝置2具備顯示區A1以及非顯示區A2，且包括電路基板C1、磊晶結構ES以及導電層30A。多個發光平台20以四個發光平台20為單位被分群為多個發光平台群20G；導電層30A被設置為暴露出第二表面102的多個子區102G，其中多個子區102G分別對應多個發光平台群20G。但是本發明不以此為限，在一些實施例中，微型發光二極體顯示裝置2中的多個發光平台20以至少三個發光平台20為單位被分群為多個發光平台群20G，其中在後續配置色轉換元件(未繪示，例如量子點)於至少三個發光平台20所對應的第二表面102上時，至少三個發光平台20可以分別發出紅光、綠光以及藍光，形成全彩的顯示裝置。
類似於微型發光二極體顯示裝置1，配置於微型發光二極體顯示裝置2的顯示區A1的導電層30A的總面積大於配置於非顯示區A2的導電層30A的總面積，以確保電流能夠在顯示區A1的導電層30A中被更均勻地傳遞，每個發光平台20在施加相同的電位差下具有相同的亮度。
參照圖3，微型發光二極體顯示裝置3具備顯示區以及非顯示區，且包括電路基板C1、磊晶結構ES、導電層30B、導電層50以及絕緣層220。導電層30B包括配置於顯示區的導電層30B1以及配置於非顯示區的導電層30B2。
導電層30B1在遠離第二表面102的方向（即，沿著第三方向D3的正方向）上的寬度漸減，而且有下寬上窄的狀況，在此圖3所示的橫截面圖中具有錐形的形狀，使得對應的發光平台20發出的光得以反射往中心更集中。在後續配置色轉換元件(未繪示，例如量子點)於發光平台20對應的第二表面102上時，導電層30B1形成的凹槽G讓配置於其內的色轉換元件可具有製程裕度較大的容置空間。在其他實施例中，導電層30B1在遠離第二表面102的方向上的寬度漸減，而在橫截面圖中具有梯形的形狀。
非顯示區中的導電層30B2還配置於貫穿共用層10的通孔10H中，以電性連接接合金屬層140、接合金屬層150以及電路基板C1。來自電路基板C1的電流得以依序傳遞於接合金屬層150、接合金屬層140以及通孔10H中的導電層30B2而到達第二表面102上的導電層30B2以及導電層30B1，而不需經過電阻值較高的共用層10。配置於顯示區的導電層30B1的總面積大於配置於非顯示區的導電層30B2的總面積，以確保電流能夠在導電層30B1中被更均勻地傳遞，每個發光平台20在施加相同的電位差下具有相同的亮度。
本實施例的微型發光二極體顯示裝置3還包括另一導電層50，配置於共用層10的第一表面101上。換句話說，導電層50配置於發光平台20間。導電層50同樣被配置以傳遞來自電路基板C1的電流，絕緣層220被配置於導電層50與多個發光平台20間。
參照圖4，微型發光二極體顯示裝置4包括電路基板C1、磊晶結構ES1以及導電層30C。
磊晶結構ES1包括共用層10A以及多個發光平台20。共用層10A可以藉由在圖案化磊晶基板上磊晶成長而形成，且包括多個立體圖案102P，多個立體圖案102P配置於第二表面102A上。也就是說，共用層10A與圖1B所示共用層10不同在於，共用層10的第二表面102為平面，共用層10A的第二表面102A具有多個立體圖案102P。導電層30C配置於多個立體圖案102P形成的多個凹槽G’間。在這樣的狀況下，配置於多個立體圖案102P上的導電層30C與第二表面102A之間的接觸面積會大於圖1B中導電層30與第二表面102之間的接觸面積，提高共用層10A與導電層30C的接合良率，並提高來自於電路基板C1的電流的傳遞效率。
上述導電層30、導電層30A、導電層30B以及導電層30C是不透明導電層。但是本發明不以此為限，在一些實施例中，導電層30、導電層30A、導電層30B以及導電層30C是透明導電層。
參照圖5，微型發光二極體顯示裝置5包括電路基板C1、磊晶結構ES以及透明導電層30T。透明導電層30T配置於共用層10的第二表面102上，且完全覆蓋第二表面102。透明導電層30T的材料可以是氧化金屬材料如氧化銦錫(ITO)或氧化鋅(ZnO)。由於透明導電層30T可透光，其不需要像前述實施例的各不透明導電層暴露出第二表面的多個子區，使得透明導電層30T與第二表面102的接觸面積最大化，大幅提高來自於電路基板C1的電流的傳遞效率。
綜上所述，本發明實施例提供的微型發光二極體顯示裝置將導電層設置於磊晶結構的共用層上。由於導電層的電阻值小於共用層的電阻值，來自電路基板的電流能夠在導電層內傳遞。在這樣的情況下，對於與公共接地點距離不同的發光平台，相同的電位差能夠驅動相同對數的電子電洞對進行復合，可以避免微型發光二極體顯示裝置發生亮度不均勻的狀況。除此之外，相較於將導電層設置於共用層的第一表面的狀況，導電層被設置於第二表面，大幅提高了良率。
1、2、3、4、5:微型發光二極體顯示裝置
10、10A:共用層
10H:通孔
20:發光平台
20G:發光平台群
30、30A、30B、30B1、30B2、50、30C、30T:導電層
40:半導體墊高部
101:第一表面
102、102A:第二表面
102P:立體圖案
102S、102G:子區
120、130、140、150:接合金屬層
140E:外延段
201:第一型半導體層
202:第二型半導體層
203:發光層
220:絕緣層
A1:顯示區
A2:非顯示區
C1:電路基板
D1:第一方向
D2:第二方向
D3:第三方向
ES、ES1:磊晶結構
G、G’:凹槽
PX:顯示子像素
圖1A繪示了根據本發明一實施例的微型發光二極體顯示裝置的平面示意圖。
圖1B繪示了沿圖1A所示的線I-I’的橫截面示意圖。
圖2A繪示了根據本發明一實施例的微型發光二極體顯示裝置的平面示意圖。
圖2B繪示了沿圖2A所示的線II-II’的橫截面示意圖。
圖3至圖5繪示了根據本發明實施例的微型發光二極體顯示裝置的橫截面示意圖。
1:微型發光二極體顯示裝置
10:共用層
20:發光平台
30:導電層
40:半導體墊高部
101:第一表面
102:第二表面
102S:子區
120、130、140、150:接合金屬層
140E:外延段
201:第一型半導體層
202:第二型半導體層
203:發光層
220:絕緣層
C1:電路基板
D1:第一方向
D2:第二方向
D3:第三方向
ES:磊晶結構
PX:顯示子像素
Claims (13)
- 一種微型發光二極體顯示裝置，包括： 電路基板； 磊晶結構，電性連接所述電路基板，且包括： 共用層；以及 多個發光平台，配置於所述共用層上，其中所述共用層的厚度小於所述多個發光平台的厚度，且所述共用層具有被所述多個發光平台暴露出的第一表面，以及與所述第一表面相對的第二表面；以及 第一導電層，配置於所述共用層的所述第二表面上，其中所述第一導電層在所述共用層的垂直投影重疊所述第一表面在所述共用層的垂直投影。
- 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置，其中所述第一導電層在所述共用層的所述垂直投影形成為第一投影，所述第一表面在所述共用層的所述垂直投影形成為第二投影，且所述第一投影與所述第二投影相重疊的部分的面積大於或等於所述第二投影的面積的0.5倍。
- 如請求項2所述的微型發光二極體顯示裝置，其中所述第二投影完全落在所述第一投影中。
- 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置，其中所述第一導電層的厚度小於或等於所述磊晶結構的厚度。
- 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置，其中所述第一導電層暴露出所述第二表面的多個子區，且所述多個子區分別對應所述多個發光平台。
- 如請求項5所述的微型發光二極體顯示裝置，其中至少部分所述多個子區在所述共用層的垂直投影小於對應的所述多個發光平台在所述共用層的垂直投影。
- 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置，其中所述多個發光平台被分群為多個發光平台群，所述第一導電層暴露出所述第二表面的多個子區，且所述多個子區分別對應所述多個發光平台群。
- 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置，還包括顯示區以及非顯示區，其中所述顯示區配置有所述多個發光平台，所述非顯示區至少部分圍繞所述顯示區，且配置於所述顯示區的所述第一導電層的總面積大於配置於所述非顯示區的所述第一導電層的總面積。
- 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置，其中所述第一導電層在遠離所述第二表面的方向上的寬度漸減。
- 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置，其中所述共用層包括多個立體圖案，所述多個立體圖案配置於所述第二表面上，且所述第一導電層配置於所述多個立體圖案形成的多個凹槽間。
- 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置，其中所述第一導電層配置於貫穿所述共用層的通孔，以電性連接所述電路基板。
- 如請求項1所述的微型發光二極體顯示裝置，還包括第二導電層，配置於所述共用層的所述第一表面上。
- 一種微型發光二極體顯示裝置，包括： 電路基板； 磊晶結構，電性連接所述電路基板，且包括： 共用層；以及 多個發光平台，配置於所述共用層上，其中所述共用層具有被所述多個發光平台暴露出的第一表面，以及與所述第一表面相對的第二表面；以及 透明導電層，配置於所述共用層的所述第二表面上，其中所述透明導電層完全覆蓋所述第二表面。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2022119618A JP7423706B2 (ja) | 2021-08-20 | 2022-07-27 | マイクロ発光ダイオード表示装置 |
| KR1020220104123A KR20230028180A (ko) | 2021-08-20 | 2022-08-19 | 마이크로 발광 다이오드 디스플레이 장치 |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN202110959950.7A CN113675324A (zh) | 2021-08-20 | 2021-08-20 | 微型发光二极管显示装置 |
| CN202110959950.7 | 2021-08-20 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202310391A true TW202310391A (zh) | 2023-03-01 |
| TWI833265B TWI833265B (zh) | 2024-02-21 |
Family
ID=78544336
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW111124466A TWI833265B (zh) | 2021-08-20 | 2022-06-30 | 微型發光二極體顯示裝置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN113675324A (zh) |
| TW (1) | TWI833265B (zh) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114420720B (zh) * | 2022-03-29 | 2022-06-17 | 季华实验室 | 一种MicroLED显示面板制作方法及显示面板 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003162229A (ja) * | 2001-09-14 | 2003-06-06 | Sony Corp | 画像表示装置用フィルタ及び画像表示装置、並びに画像表示装置の製造方法 |
| CN110100318B (zh) * | 2016-12-22 | 2022-04-15 | 夏普株式会社 | 显示装置及制造方法 |
| TWI707491B (zh) * | 2019-12-04 | 2020-10-11 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型發光二極體顯示面板 |
| CN111108613B (zh) * | 2017-09-13 | 2024-01-16 | 夏普株式会社 | Led单元、图像显示元件及其制造方法 |
| TWI709222B (zh) * | 2019-12-30 | 2020-11-01 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型發光元件顯示裝置 |
| TWI643328B (zh) * | 2017-10-13 | 2018-12-01 | 英屬開曼群島商錼創科技股份有限公司 | 顯示裝置 |
| JP7282620B2 (ja) * | 2019-07-04 | 2023-05-29 | シャープ福山レーザー株式会社 | 画像表示素子 |
| TWI736455B (zh) * | 2020-10-26 | 2021-08-11 | 錼創顯示科技股份有限公司 | 微型發光二極體顯示器 |
-
2021
- 2021-08-20 CN CN202110959950.7A patent/CN113675324A/zh active Pending
-
2022
- 2022-06-30 TW TW111124466A patent/TWI833265B/zh active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| TWI833265B (zh) | 2024-02-21 |
| CN113675324A (zh) | 2021-11-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI707491B (zh) | 微型發光二極體顯示面板 | |
| TWI673863B (zh) | 微led顯示器及其製造方法 | |
| US11798974B2 (en) | Light emitting device for display and display apparatus having the same | |
| CN110632795B (zh) | 背光源及其背板、制作方法 | |
| CN109037268B (zh) | 微型发光二极管显示器、微型发光二极管元件及其制法 | |
| US11508778B2 (en) | Light emitting device for display and display apparatus having the same | |
| TWI833265B (zh) | 微型發光二極體顯示裝置 | |
| US10930202B2 (en) | Display apparatus | |
| US11961873B2 (en) | Light emitting device for display and display apparatus having the same | |
| KR20170028915A (ko) | 유기발광 표시장치 | |
| WO2024066607A1 (zh) | 显示背板及显示装置 | |
| WO2021142716A1 (zh) | 一种高压倒装半导体发光元件 | |
| US20210043678A1 (en) | Led display panel and led display apparatus having the same | |
| TWI811680B (zh) | 發光二極體微型顯示裝置 | |
| JP7423706B2 (ja) | マイクロ発光ダイオード表示装置 | |
| US20230055323A1 (en) | Micro light-emitting diode display device | |
| CN113224104A (zh) | 微型发光二极管显示装置 | |
| TWI784592B (zh) | 微型發光二極體顯示裝置 | |
| US11756940B2 (en) | Light emitting device for display and display apparatus having the same | |
| CN211654819U (zh) | 显示器用发光元件以及具有该发光元件的显示装置 | |
| KR20220169993A (ko) | 발광 모듈 | |
| WO2021237530A1 (zh) | 显示设备及其制备方法 | |
| CN115732487A (zh) | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 | |
| TW201904090A (zh) | 微發光二極體顯示模組的製造方法 |