TWI643328B - 顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種顯示裝置包括一驅動基板、多個微型發光元件以及一共電極。微型發光元件分散地配置於驅動基板上，且每一微型發光元件包括一磊晶結構層及配置於磊晶結構層相對兩側上的一第一型電極與一第二型電極。共電極配置於驅動基板上，且位於微型發光元件的第二型電極之間。共電極暴露出每一第二型電極的一上表面。

Description

顯示裝置
本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種以微型發光二極體作為顯示畫素的顯示裝置。
一般而言，顯示面板的共電極與微型發光二極體皆配置於顯示區域中，其中微型發光二極體位於每一畫素結構區且電性連接至共電極，藉著共電極與微型發光二極體之間的驅動控制以顯示影像。目前在微型發光二極體的製作上，大都會選擇介於4.5eV至5.3eV的高功函數、性質穩定且高光穿透率的氧化銦錫（Indium Tin Oxide, ITO）金屬氧化物作為電極材料。目前的共電極亦採用相同的材料，即氧化銦錫（ITO）來製作，且共電極會完全覆蓋於微型發光二極體的正向出光面上且需具有一定厚度才能有良好的導電率。然而，由於驅動基板上的線路與元件不耐高溫，因此當採用氧化銦錫作為共電極時，無法透過高溫的退火程序來兼具良好的光穿透率與導電率，而導致微型發光二極體的出光效率會因為透光率低且導電率不佳的厚共電極覆蓋在正向出光面上而降低，進而影響顯示面板的顯示品質。此外，氧化銦錫材質相較於金屬材料較不具延展性與韌性，易增加顯示面板共電極製程的難度，因而影響顯示面板的製程良率與導電性。
本發明提供一種顯示裝置，其可有效地提升微型發光元件的正向出光效率與增加顯示裝置的橫向導電率。
本發明的顯示裝置，其包括一驅動基板、多個微型發光元件以及一共電極。微型發光元件分散地配置於驅動基板上，且每一微型發光元件包括一磊晶結構層以及配置於磊晶結構層上的一第一型電極與一第二型電極。共電極配置於驅動基板上，且位於微型發光元件的第二型電極之間，其中共電極暴露出每一第二型電極的一上表面。
在本發明的一實施例中，上述的共電極至少直接接觸每一微型發光元件的第二電極的一側面。
在本發明的一實施例中，上述的共電極與每一第二型電極的側面的接觸面積和每一第二型電極的側面的面積的比值介於0.3至1。
在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置更包括一隔離層。隔離層配置於驅動基板上，且至少覆蓋每一微型發光元件的第一型電極，而共電極位於隔離層上。
在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置更包括多個絕緣結構層。每一絕緣結構層至少包覆每一微型發光元件的磊晶結構層，且位於磊晶結構層與隔離層之間。
在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置更包括多個絕緣結構層。每一絕緣結構層至少包覆微型發光元件的磊晶結構層，且位於磊晶結構層與共電極之間。
在本發明的一實施例中，上述的共電極的材料包括一金屬或一導電高分子材料。
在本發明的一實施例中，上述的金屬包括銀、金、鉻、銅、鉑、錫、鎳、鈦、鋁或是上述金屬的合金。
在本發明的一實施例中，上述的導電高分子材料包括聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺或聚二氧基噻吩：聚苯乙烯磺酸及其混合物。
在本發明的一實施例中，上述的共電極的透光率小於每一微型發光元件的第二型電極的透光率。
在本發明的一實施例中，上述的共電極的一頂面與第二型電極的上表面切齊。
在本發明的一實施例中，上述的共電極的厚度小於等於第二型電極的厚度。
在本發明的一實施例中，上述的共電極在垂直剖面上具有一第一垂直高度，而每一發光元件在垂直剖面上具有一第二垂直高度，且第一垂直高度與第二垂直高度的比值介於0.1至1。
在本發明的一實施例中，上述的微型發光元件的磊晶結構層包括一第一型半導體層、一發光層以及一第二型半導體層，發光層位於第一半導體層與第二型半導體層之間，第一型電極與第一型半導體層電性連接，第二型電極與第二型半導體層電性連接。
在本發明的一實施例中，上述的共電極覆蓋發光層的一側面。
在本發明的一實施例中，上述的第一型電極為N型電極，而第二型電極為P型電極。
在本發明的一實施例中，上述的顯示裝置更包括一透明電極，配置於每一微型發光元件與共電極上，且至少直接接觸每一微型發光元件的第二型電極與共電極。
在本發明的一實施例中，上述的透明電極的厚度與每一微型發光元件的第二型電極的厚度比值小於等於0.4。
基於上述，由於本發明的顯示裝置包括暴露出微型發光元件的第二型電極的上表面且位於第二型電極之間並電性連接第二型電極的共電極，因此微型發光元件可以保有良好的正向出光效率且具有良好的導電效率。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A繪示為本發明的一實施例的一種顯示裝置的俯視示意圖。圖1B繪示圖1A的顯示裝置的局部剖面示意圖。請先參照圖1A與圖1B，本實施例的顯示裝置100a包括一驅動基板110、多個微型發光元件120以及一共電極130a。微型發光元件120分散地配置於驅動基板110上，且每一微型發光元件120包括一磊晶結構層122以及配置於磊晶結構層122相對兩側上的一第一型電極124與一第二型電極126。共電極130a配置於驅動基板110上，且位於微型發光元件120的第二型電極126之間，其中共電極130a暴露出每一第二型電極126的一上表面S2。此處，顯示裝置100a可以為微型發光二極體顯示器（Micro LED Display），但本發明並不以此為限。此外，本實施例僅示意性的繪示兩個微型發光元件120，惟本發明並不以此為限，本領域通常知識者於參酌本發明後，可依據實際需求改變微型發光元件120的數量。
詳細來說，如圖1A所示，驅動基板110具有多個畫素區112，而微型發光元件120彼此分離地配置於驅動基板110上，且每一畫素區112內至少配置三個微型發光元件120，其中每一個微型發光元件120例如是一個次畫素，可發出不同光色。更具體來說，本實施例的顯示裝置100a更配置有一掃描線驅動電路114、一資料線驅動電路116以及一控制電路118，而資料線驅動電路116與掃描線驅動電路114配置於驅動基板110上且與驅動基板110電性連接。微型發光元件120可透過資料線驅動電路116與掃描線驅動電路114的驅動而發光，而資料線驅動電路116與掃描線驅動電路114電性連接至控制電路118，可藉由控制電路118的設計來調整微型發光元件120的發光順序及時間。此處，本實施例的驅動基板110例如是一互補式金屬氧化物半導體（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor, CMOS）基板、一矽基液晶（Liquid Crystal on Silicon, LCOS）基板、一薄膜電晶體（Thin Film Transistor, TFT）基板或是其他具有工作電路的基板，於此並不加以限制。
請再參考圖1B，在本實施例中，微型發光元件120的第一型電極124與第二型電極126分別位於磊晶結構層122的相對兩側。具體來說，本實施例的第一型電極124、磊晶結構層122與第二型電極126可以依序地堆疊於驅動基板110上。亦即，本實施例的微型發光元件120具體化可以為垂直式微型發光二極體（Vertical Type Micro LED），其最大寬度可以介於1微米到100微米之間，優選地是介於3微米到50微米之間。此處，第一型電極124和第二型電極126的材料可以為例如是鉑、鎳、鈦、金、銀、鉻、上述金屬之合金或上述合金之組合的一高功函數金屬，例如是氧化銦錫（ITO）或氧化鋅的一金屬氧化物，或是例如是導電高分子、石墨、石墨烯或黑磷的一導電非金屬材料。此處，第二型電極126的材料為一透明導電材料或一半透明導電材料，如具有高光穿透率的金屬氧化物，以使發光層122b所產生的光線可經由第二型電極126而出光。更具體的說，本實施例的第二型電極126是透光率大於90%的氧化銦錫（ITO）。另須說明的是，微型發光元件120的第二型電極126的厚度可以大於或等於第一型電極124的厚度，用以提升顯示裝置100a的製程良率與成功率。舉例來說，基於製作工藝等各面向的因素，於實際的生產過程中，第一型電極124的厚度可以介於3,000埃（Å）至25,000埃，而第二型電極126的厚度可以介於3,000埃（Å）至10,000埃，使後續若進行共電極130a於第二型電極126上的微影蝕刻等製程可具有更多餘裕的空間，但本發明並不以此為限。此外，微型發光元件120的一外部量子效率曲線的一最大峰值電流密度，較佳地，介於0.01 A/cm 2至2 A/cm 2之間。意即，本實施例的微型發光元件120適於在低電流密度的情況下操作。
更進一步來說，本實施例的微型發光元件120的磊晶結構層122包括一第一型半導體層122a、一發光層122b以及一第二型半導體層122c。發光層122b位於第一半導體層122a與第二型半導體層122c之間，其中第一型電極124與第一型半導體層122a電性連接，而第二型電極126與第二型半導體層122c電性連接。此處，第一型半導體層122a具體化為N型半導體層且第一型電極124具體化為N型電極，而第二型半導體層122c具體化為P型半導體層且第二型電極126具體化為P型電極。但於其他未繪示的實施例中，第一型半導體層亦可以為P型半導體層且第一型電極為P型電極，而第二型半導體層亦可以為N型半導體層且第二型電極為N型電極，於此並不加以限制。如圖1B所示，本實施例的磊晶結構層122的剖面形狀可以為梯形。亦即，微型發光元件120的磊晶結構層122的寬度由第一型半導體層122a往第二型半導體層122c的方向逐漸遞減，可降低後續共電極130a的製作難度。更進一步來說，微型發光元件120的磊晶結構層122的第一型半導體層122a與第二型半導體層122c的最大寬度差值可以視產品設計的實際需求而介於0微米至5微米之間作調整。然而，於其他未繪示的實施例中，第一型半導體層的寬度亦可以等於第二型半導體層的寬度，於此並不加以限制。此外，本實施例的第一型半導體層122a的厚度可以大於第二型半導體層122c的厚度。具體來說，第一型半導體層122a的厚度可以介於1微米至5微米之間，發光層122b的厚度可以介於0.1微米至1微米之間，且第二型半導體層122c的厚度可以介於0.1微米至0.5微米之間，而使磊晶結構層122的整體厚度可以控制於1微米至6微米之間，用以確保後續製程的良率與終端產品的特性。
請繼續參照圖1B，本實施例的共電極130a具體化是直接接觸每一微型發光元件120的第二型電極126的一側面S1，且藉由連接微型發光元件120的第二型電極126的側面S1而使設置於驅動基板110上的微型發光元件120彼此電性連接。具體來說，本實施例的共電極130a不覆蓋微型發光元件120的第二型電極126的上表面S2，使微型發光元件120具有高開口率。如此一來，微型發光元件120的發光層122b所產生的光線得以具有優異的正面出光效率。此處，共電極130a的厚度實質上等於第二型電極126的厚度。值得一提的是，由於第二型電極126相較於第一型電極124可具有較大的厚度，使得共電極130a與第二型電極126的側面S1具有更大的接觸面積，藉此可以提升共電極130a與第二型電極126之間的接合可靠度以及電流傳輸能力。特別說明的是，共電極130a與每一第二型電極126的側面S1的接觸面積與每一第二型電極126的側面S1的面積的比值介於0.3至1，小於0.3可能會使接觸面積不夠而影響電流傳輸。更佳地，比值介於0.6至1，可有更佳的電性連接。此處，共電極130a與每一第二型電極126的側面S1的接觸面積等同於每一第二型電極126的側面S1的面積。此處，共電極130a的材料具體化為金屬，可以為例如是銀、金、鉻、銅、鉑、錫、鎳、鈦、鋁或是上述金屬的合金，能具有較佳的導電率。在此需說明的是，儘管使用金屬作為共電極130a的透光率會小於微型發光元件120的第二型電極126的透光率，然而本實施例的共電極130a並沒有覆蓋第二型電極126的上表面S2，因此並不會影響微型發光元件120的正面出光效率。且使用電阻率低的金屬作為共電極130a，可使共電極130a與第二型半導體層122c間具有更佳的歐姆接觸。此外，相較於傳統製程使用氧化銦錫（ITO）等透明金屬氧化物作為共電極而言，使用金屬材質作為共電極130a的導電率可以提升10倍至10 2倍，而使橫向流通整體顯示裝置100a的電流傳輸能力等電氣特性明顯提升。且金屬具有延展性，使用金屬做為共電極130a可以降低共電極130a製作難度。
另須說明的是，本發明並不限定共電極130a的整體型態及其與第二型電極126介面的覆蓋關係。具體來說，本實施例的共電極130a在每一微型發光元件120之間呈現波浪狀的延伸，使共電極130a於製作時不會因為過高的斷差而降低良率，然而於其他實施例中，共電極130a亦可以大致平坦地延伸於每一微型發光元件120之間。此外，於其他未繪示的實施例中，共電極亦可能因蝕刻速率等因素造成的製程誤差，而使共電極略微地部分覆蓋第二型電極的上表面，只要不影響微型發光元件的整體正面出光效率，皆屬本發明所欲保護的範疇。
再者，請再同時參照圖1A與圖1B，本實施例的顯示裝置100a更包括一接合墊140，配置於驅動基板110上，且位於微型發光元件120的第一型電極124與驅動基板110之間。更具體來說，本實施例的接合墊140包括多個接合部142，分散地配置於驅動基板110上，其中每一接合部142對應地設置於每一微型發光元件120的第一型電極124與驅動基板110之間，使每一微型發光元件120經由接合部142與驅動基板110的掃描線驅動電路114、資料線驅動電路116以及控制電路118電性連接。
此外，本實施例的顯示裝置100a可更包括一隔離層150，配置於驅動基板110上，且至少覆蓋微型發光元件120的第一型電極124，而共電極130a位於隔離層150上。更具體來說，隔離層150設置於共電極130a與驅動基板110之間，且覆蓋接合部142以及微型發光元件120的磊晶結構層122與第一型電極124，用以將共電極130a與其他導體構件電性絕緣，以避免顯示裝置100a短路。換言之，本實施例的共電極130a不會直接接觸微型發光元件120的磊晶結構層122與第一型電極124以及接合部142。此處，隔離層150的材質可以為例如是光感材料（例如光阻）、熱感材料（例如高分子膠材）、氧化矽（SiO x）、氧化鋁(Al 2O 3)、氮化鋁(AlN)或氮化矽（SiN x）等的絕緣材料，但不以此為限。特別說明的是，此處共電極130a是與隔離層150的一表面152a共形設置，因此可以降低共電極130a的製作難度。
簡言之，本實施例的顯示裝置100a是藉由在微型發光元件120的第二型電極126的側面S1設置橫向的共電極130a，使得微型發光元件120暴露出第二型電極126的上表面S2，而保有微型發光元件120的正向出光效率。再者，使用金屬材質的共電極130a亦可相較於習知採用透明金屬氧化物（如ITO）的共電極具有更好的導電率，可提升顯示裝置100a的橫向導電率，故本實施利的顯示裝置100a具有優異的電流傳輸能力。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參照前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖2繪示為本發明的另一實施例的一種顯示裝置的局部剖面示意圖。請同時參照圖1B與圖2，本實施例的顯示裝置100b與圖1B的顯示裝置100a相似，兩者的差異在於：本實施例的顯示裝置100b更包括多個絕緣結構層170，每一絕緣結構層170至少包覆對應的微型發光元件120的磊晶結構層122，且位於磊晶結構層122與隔離層150之間。詳細來說，本實施例的絕緣結構層170具體化覆蓋對應的微型發光元件120的磊晶結構層122的周圍表面S4上。此處，絕緣結構層170於垂直剖面上呈方形，然而於其他未繪示的實施例中，絕緣結構層亦可以為弧形或其他不規則的形狀，本發明並不加以限其型態，只要可以包覆磊晶結構層122的周圍表面S4，以避免外界的水氣或氧氣侵襲磊晶結構層122，均屬本發明所欲保護的範疇。特別說明的是，絕緣結構層170亦可以覆蓋對應的微型發光元件120的第一型電極124的周圍表面上，在此並不為限。於此，本實施例的共電極的130b一頂面S3與第二型電極126的上表面S1切齊。亦即，共電極130b的大致平坦地延伸於每一微型發光元件120之間，且與第二型電極126的上表面並沒有高度差，使後續於顯示裝置100b上做保護層（未繪示）以保護共電極130b和微型發光元件120時，能有較佳的製作良率。然而，於其他未繪示的實施例中，共電極的頂面亦可以與第二型電極的上表面具有高度差，如共電極的頂面略低於第二型電極的上表面，且共電極亦可在每一微型發光元件之間呈現波浪狀的延伸。此處，絕緣結構層170的材料可以為例如是氧化鋁、氮化鋁、氧化矽或氮化矽的絕緣材料，但不以此為限。
圖3繪示為本發明的另一實施例的一種顯示裝置的局部剖面示意圖。請同時參照圖2與圖3，本實施例的顯示裝置100c與圖2的顯示裝置100b相似，兩者的差異在於：本實施例的接合墊140c為連續性結構，並於驅動基板110上電性連接多個微型發光元件120。於此，接合墊140c電性連接多個微型發光元件120的第一型電極124，以利後續的發光驅動控制，在此並不為限。
圖4繪示為本發明的另一實施例的顯示裝置的局部剖面示意圖。請同時參照圖2與圖4，本實施例的顯示裝置100d與圖2的顯示裝置100b相似，兩者的差異在於：本實施例的隔離層150d僅覆蓋微型發光元件120的第一型電極124與接合部142。共電極130d與微型發光元件120共形設置，且共電極130d覆蓋絕緣結構層170d與第二型電極126的側面S1。於此，本實施例的隔離層150d的一頂面152d與第一型電極124的一上表面S5切齊，但並不以此為限。此處，絕緣結構層170d覆蓋磊晶結構層122與部分第二型電極126的側面S1，且位於磊晶結構層122與共電極130d之間。具體來說，本實施例的共電極130d經由隔離層150d與第一型電極124及接合部142電性絕緣，而經由絕緣結構層170d與磊晶結構層122電性絕緣。在本實施例中，絕緣結構層170d除了覆蓋磊晶結構層122外，更延伸至覆蓋部分第二型電極126的側面S1，以確保顯示裝置100d不會因共電極130d與磊晶結構層122導通而造成顯示裝置100d短路，但於未繪示出的實施例中，絕緣結構層亦可不覆蓋部分第二型電極的側面，在此並不為限。此外，共電極130d在設置有微型發光元件120的地方會具有與微型發光元件120的梯形剖面類似的正梯形剖面，而於微型發光元件120之間具有倒梯形剖面。較佳地，共電極130d的頂面S3在垂直剖面上具有一第一垂直高度H1，微型發光元件120於垂直剖面上具有一第二垂直高度H2，且第一垂直高度H1與第二垂直高度H2的比值介於0.1至1之間，小於0.1會使共電極130d與第二型電極126的側面S1的接觸面積不夠，大於1會增加共電極130d的製作難度。較佳的，比值介於0.1至0.5之間。特別說明的是，此處共電極130d覆蓋發光層122b的一側面S6，因此由發光層122b所發出的側光可以被反射至微型發光元件120正向出光面，增加正向出光的效率。
圖5繪示為本發明的另一實施例的一種顯示裝置的局部剖面示意圖。請同時參照圖4與圖5，本實施例的顯示裝置100e與圖4的顯示裝置100d相似，兩者的差異在於：本實施例的共電極130e的材料可以為例如是聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺、聚二氧基噻吩：聚苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）及其混合物的導電高分子材料，且可以透過例如是塗佈等方向製作共電極130e於驅動基板110上。舉例來說，聚二氧基噻吩：聚苯乙烯磺酸為液態材料且具有良好的電導率、光和熱穩定性與高光穿透率，故適宜作為共電極130e的材料。此處，共電極130e的頂面S3與第二型電極126的上表面S2於垂直方向的剖面上具有一高度差H3，而使微型發光元件120除了可以正向出光外，亦具有側向出光。如圖5所示，本實施例的共電極130e的頂面S3具體化為略低於第二型電極126的上表面S2。於本實施例中，共電極130a亦可以大致平坦地延伸於每一微型發光元件120之間。然而，於其他未繪示的實施例中，共電極在每一微型發光元件之間呈現具有高低差波浪狀的延伸，在此並不加以限制。
圖6繪示為本發明的另一實施例的一種顯示裝置的局部剖面示意圖。請同時參照圖1B與圖6，本實施例的顯示裝置100f與圖1B的顯示裝置100a相似，兩者的差異在於：本實施例的顯示裝置100f更包括絕緣結構層170f，絕緣結構層170f至少包覆對應的微型發光元件120的磊晶結構層122與第二型電極124。詳細來說，本實施例的絕緣結構層170f具體化覆蓋對應的微型發光元件120的磊晶結構層122的周圍表面S4與第一型電極124的周圍表面S4’以及接合部142的周圍表面S7，用以將共電極130a與其他導體構件電性絕緣，以避免顯示裝置100f短路，以及避免外界的水氣或氧氣侵襲磊晶結構層122、第一型電極124以及接合部142。此處，絕緣結構層170f於垂直剖面上呈方形，然而於其他未繪示的實施例中，絕緣結構層亦可以為弧形或其他不規則的形狀，本發明並不加以限其型態，只要可以包覆磊晶結構層122的周圍表面S4、第一型電極124的周圍表面S4’以及接合部142的周圍表面S7，以避免外界的水氣或氧氣侵襲磊晶結構層122、第一型電極124以及接合部142，且將共電極130a與其他導體構件電性絕緣，均屬本發明所欲保護的範疇。
圖7繪示為本發明的另一實施例的一種顯示裝置的局部剖面示意圖。請同時參照圖6與圖7，本實施例的顯示裝置100g與圖6的顯示裝置100f相似，兩者的差異在於：本實施例的顯示裝置100g更包括配置於第二型電極126與共電極130g上的一透明電極180，其中透明電極180直接接觸且電性連接第二型電極126與共電極130g。詳細來說，本實施例的共電極130g並未直接接觸第二型電極126，而是透過透明電極180電性連接第二型電極126。此處，透明電極180的厚度與第二型電極126的厚度的比值小於等於0.4。更佳的，透明電極180的厚度與第二型電極126的厚度的比值小於等於0.15，能減少對微型發光元件120的遮光。更具體來說，透明電極180是厚度電小於等於1000埃（Å）的透明導電薄膜，例如是氧化銦錫（ITO）或氧化銦鋅（Indium Zinc Oxide, IZO）。由於透明電極180的厚度遠小於一般習知的厚共電極，因此不會阻礙微型發光元件120出光。且透明電極180是輔助第二型電極126與共電極130g的電性連接，主要仍是透過共電極130g進行電流傳導，使共電極130g與第二型半導體層122c間具有更佳的歐姆接觸，因此仍可保有良好的導電率。此處，透明電極180整面配置於第二型電極126與共電極130g上，然而於其他未繪示的實施例中，透明電極180亦可部分配置於第二型電極126與共電極130g上，以增加微型發光元件120的出光，本發明並不加以限其型態。
綜上所述，本發明的顯示裝置包括暴露出微型發光元件的第二型電極的上表面且與第二型電極電性連接的共電極，因此微型發光元件可以保有良好的正向出光效率且具有良好的導電效率。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g‧‧‧顯示裝置
110‧‧‧驅動基板
112‧‧‧畫素區
114‧‧‧掃描線驅動電路
116‧‧‧資料線驅動電路
118‧‧‧控制電路
120‧‧‧微型發光元件
122‧‧‧磊晶結構層
122a‧‧‧第一型半導體層
122b‧‧‧發光層
122c‧‧‧第二型半導體層
124‧‧‧第一型電極
126‧‧‧第二型電極
130a、130b、130d、130e、130g‧‧‧共電極
140‧‧‧接合墊
142‧‧‧接合部
150、150d‧‧‧隔離層
152a‧‧‧表面
152d‧‧‧頂面
170、170d、170f‧‧‧絕緣結構層
180‧‧‧透明電極
H1‧‧‧第一垂直高度
H2‧‧‧第二垂直高度
H3‧‧‧高度差
S1‧‧‧側面
S2‧‧‧上表面
S3‧‧‧頂面
S4、S4’、S7‧‧‧周圍表面
S5‧‧‧上表面
S6‧‧‧側面
圖1A繪示為本發明的一實施例的一種顯示裝置的俯視示意圖。 圖1B繪示圖1A的顯示裝置的局部剖面示意圖。 圖2至圖7繪示為本發明的多個實施例的顯示裝置的局部剖面示意圖。

Claims (21)

  1. 一種顯示裝置，包括：一驅動基板；多個微型發光元件，分散地配置於該驅動基板上，且各該微型發光元件包括一磊晶結構層及配置於該磊晶結構層相對兩側上的一第一型電極與一第二型電極；以及一共電極，配置於該驅動基板上，且位於該些微型發光元件的該些第二型電極之間並電性連接該些第二型電極，其中該共電極暴露出各該第二型電極的一上表面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該共電極至少直接接觸各該微型發光元件的該第二型電極的一側面。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的顯示裝置，其中該共電極與各該第二型電極的該側面的接觸面積和各該第二型電極的該側面的面積的比值介於0.3至1。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，更包括：一隔離層，配置於該驅動基板上，且至少覆蓋各該微型發光元件的該第一型電極，而該共電極位於該隔離層上。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的顯示裝置，更包括：多個絕緣結構層，各該絕緣結構層至少包覆各該微型發光元件的該磊晶結構層，且位於該磊晶結構層與該隔離層之間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，更包括：多個絕緣結構層，各該絕緣結構層至少包覆各該微型發光元 件的該磊晶結構層，且位於該磊晶結構層與該共電極之間。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該共電極的材料包括一金屬或一導電高分子材料。
  8. 如申請專利範圍第7項所述的顯示裝置，其中該金屬包括銀、金、鉻、銅、鉑、錫、鎳、鈦、鋁或是上述金屬的合金。
  9. 如申請專利範圍第7項所述的顯示裝置，其中該導電高分子材料包括聚噻吩、聚吡咯、聚苯胺或聚二氧基噻吩：聚苯乙烯磺酸及其混合物。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該共電極的透光率小於各該微型發光元件的該第二型電極的透光率。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該共電極的一頂面與該第二型電極的該上表面切齊。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該共電極的厚度小於等於該第二型電極的厚度。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該共電極在垂直剖面上具有一第一垂直高度，而各該微型發光元件在垂直剖面上具有一第二垂直高度，且該第一垂直高度與該第二垂直高度的比值介於0.1至1。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中各該微型發光元件的該磊晶結構層包括一第一型半導體層、一發光層以及一第二型半導體層，該發光層位於該第一半導體層與該第二型半 導體層之間，該第一型電極與該第一型半導體層電性連接，該第二型電極與該第二型半導體層電性連接。
  15. 如申請專利範圍第14項所述的顯示裝置，其中該共電極覆蓋該發光層的一側面。
  16. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該第一型電極為N型電極，而該第二型電極為P型電極。
  17. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，更包括：一透明電極，配置於各該微型發光元件與該共電極上，且至少直接接觸各該微型發光元件的該第二型電極與該共電極。
  18. 如申請專利範圍第17項所述的顯示裝置，其中該透明電極的厚度與各該微型發光元件的該第二型電極的厚度的比值小於等於0.4。
  19. 如申請專利範圍第17項所述的顯示裝置，其中該共電極遠離該第二型電極且透過該透明電極電性連接該第二型電極。
  20. 如申請專利範圍第2項所述的顯示裝置，其中該共電極直接接觸各該微型發光元件的該第二型電極的該側面且遠離該上表面。
  21. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該上表面於該驅動基板上的投影面積不重疊於該共電極於該驅動基板上的投影面積。
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