CN215644494U - 发光器件和显示基板 - Google Patents

Abstract

本实用新型涉及一种发光器件和显示基板。所述发光器件，包括：至少一个发光结构与第一导热结构，第一导热结构与每个发光结构接触，第一导热结构被配置为将发光结构产生的热量传导出去。根据本实用新型的实施例，可以通过第一导热结构能够及时将发光结构产生的热量传导出去，能够增加发光器件的散热速度，进而提高发光器件的发光效率。

Description

发光器件和显示基板

技术领域

本实用新型涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件和显示基板。

背景技术

相关技术中，发光二极管(LED)发光时会伴随热效应，热效应会导致LED的发光效率的下降。因此，如何提高LED的散热性能是需要解决的一个技术问题。

实用新型内容

本实用新型提供一种发光器件和显示基板，以解决相关技术中的不足。

根据本实用新型实施例的第一方面，提供一种发光器件，包括：至少一个发光结构与第一导热结构，所述第一导热结构与每个所述发光结构接触，所述第一导热结构被配置为将所述发光结构产生的热量传导出去。

在一个实施例中，所述发光器件，还包括衬底；所述发光结构位于所述衬底与所述第一导热结构之间；

所述发光结构包括第一半导体层、发光层与第二半导体层；所述第一半导体层位于所述衬底上，所述发光层位于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述第二半导体层位于所述发光层远离所述第一半导体层的一侧；

所述衬底包括非发光区；

所述第一导热结构位于所述第二半导体层远离所述发光层的一侧，且在所述衬底上的正投影位于所述非发光区。

在一个实施例中，所述第一导热结构包括导热层；所述导热层位于所述第二半导体层远离所述发光层的一侧。

在一个实施例中，所述发光器件还包括第一绝缘层与反射层；所述第一绝缘层位于所述导热层远离所述第二半导体层的一侧，所述反射层位于所述第一绝缘层远离所述导热层的一侧；

所述第一导热结构还包括第一焊盘，所述第一焊盘位于所述反射层远离所述第一绝缘层的一侧，所述第一焊盘通过所述第一绝缘层上的过孔与所述反射层上的过孔与所述导热层连接。

在一个实施例中，所述发光器件，包括两个所述发光结构，两个所述发光结构串联。

在一个实施例中，所述发光器件，还包括第一电极、第二电极与第三电极，两个所述发光结构通过所述第一电极串联；

两个所述发光结构包括第一发光结构与第二发光结构，所述第一发光结构的第一半导体层与所述第一电极的第一端连接，所述第二发光结构的第二半导体层与所述第一电极的第二端连接；

所述第二电极与所述第一发光结构中的第二半导体层连接，所述第三电极与第二发光结构中的第一半导体层连接。

在一个实施例中，所述发光器件，还包括第一导电层；所述第一导电层位于所述第二发光结构与所述第一绝缘层之间；

所述衬底还包括第一发光区，所述第一发光区与所述非发光区相邻；所述第一导电层的一部分在所述衬底上的正投影位于所述第一发光区中，且与所述第二发光结构中的第二半导体层连接，所述第一导电层的另一部分在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中，且与所述第一电极的第二端连接。

在一个实施例中，所述发光器件，还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一发光结构与所述第二发光结构之间，且位于所述第一导电层与所述衬底之间，以及位于所述第一电极与所述衬底之间；

所述第二绝缘层在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中，且所述第二绝缘层的第一端位于所述第二发光结构中的第二半导体层远离所述衬底的一侧，第二端与所述第一发光结构的第一半导体层接触；

所述第一发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影位于所述第一半导体层在所述衬底上的正投影内，所述第一发光结构中的第一半导体层包括第一连接部，所述第一连接部在所述衬底上的正投影与所述第一发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影不存在重合部分，所述第一连接部位于靠近所述第二发光结构的一侧，所述第一连接部与所述第一电极的第一端连接。

在一个实施例中，所述发光器件，还包括第二导电层；所述第二导电层位于所述第一发光结构与所述第一绝缘层之间；

所述衬底还包括第二发光区，所述第二发光区与所述非发光区相邻；所述第二导电层的一部分在所述衬底上的正投影位于所述第二发光区中，且与所述第一发光结构中的第二半导体层连接，所述第二导电层的另一部分在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中，且与第二电极连连接。

在一个实施例中，所述发光器件，还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述第二导电层与所述第一发光结构之间；

所述第三绝缘层在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中，且所述第三绝缘层的第一端位于所述第一发光结构中的第二半导体层远离所述衬底的一侧，第二端与所述第一发光结构的第一半导体层接触；

所述第一发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影位于所述第一半导体层在所述衬底上的正投影内，所述第一发光结构中的第一半导体层包括支撑部，所述支撑部位于远离所述第二发光结构的一侧，所述第二电极在所述衬底上的正投影位于所述支撑部在所述衬底的正投影内。

在一个实施例中，所述第二发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影位于所述第一半导体层在所述衬底上的正投影内，所述第二发光结构中的第一半导体层包括第二连接部，所述第二连接部在所述衬底上的正投影与所述第二发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影不存在重合部分；所述第二连接部位于远离所述第一发光结构的一侧，所述第二连接部与所述第三电极连接。

在一个实施例中，所述第二电极与所述第三电极位于所述衬底与所述第一绝缘层之间；

所述发光器件还包括第二焊盘与第三焊盘，所述第二焊盘通过所述第一绝缘层上的过孔与所述反射层上的过孔与所述第二电极连接，所述第三焊盘通过所述第一绝缘层上的过孔与所述反射层上的过孔与所述第三电极连接。

在一个实施例中，所述第二绝缘层包括镂空部，所述第一电极通过所述镂空部与所述衬底接触。

在一个实施例中，所述衬底的导热系数大于所述第二绝缘层的导热系数。

在一个实施例中，所述发光器件，还包括第四焊盘，所述第四焊盘通过所述第一绝缘层上的过孔与所述反射层上的过孔与所述第一电极连接。

在一个实施例中，所述发光器件，包括两个所述发光结构，两个所述发光结构串联；

所述发光器件还包括衬底；每个所述发光结构包括第一半导体层、发光层与第二半导体层；所述第一半导体层位于所述衬底上，所述发光层位于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述第二半导体层位于所述发光层远离所述第一半导体层的一侧；

所述第一导热结构包括第一电极；两个所述发光结构包括第一发光结构与第二发光结构，所述第一发光结构的第一半导体层与所述第一电极的第一端连接，所述第二发光结构的第二半导体层与所述第一电极的第二端连接；所述第一电极与所述衬底接触；

所述衬底包括非发光区；所述第一电极在所述衬底上的正投影位于所述非发光区。

在一个实施例中，所述发光器件，还包括第一导电层；所述第一导电层位于所述第二发光结构远离所述衬底的一侧；

所述衬底还包括第一发光区，所述第一发光区与所述非发光区相邻；所述第一导电层的一部分在所述衬底上的正投影位于所述第一发光区中，且与所述第二发光结构中的第二半导体层连接，所述第一导电层的另一部分在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中，且与所述第一电极的第二端连接。

在一个实施例中，所述发光器件，还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一发光结构与所述第二发光结构之间，且位于所述第一导电层与所述衬底之间，以及位于所述第一电极与所述衬底之间；

所述第二绝缘层在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中，且所述第二绝缘层的第一端位于所述第二发光结构中的第二半导体层远离所述衬底的一侧，第二端与所述第一发光结构的第一半导体层接触；

所述第一发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影位于所述第一半导体层在所述衬底上的正投影内，所述第一发光结构中的第一半导体层包括第一连接部，所述第一连接部在所述衬底上的正投影与所述第一发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影不存在重合部分，所述第一连接部位于靠近所述第二发光结构的一侧，所述第一连接部与所述第一电极的第一端连接；

所述第二绝缘层包括镂空部，所述第一电极通过所述镂空部与所述衬底接触。

在一个实施例中，所述发光器件，包括两个所述发光结构，两个所述发光结构串联；

所述发光器件还包括衬底、第一绝缘层与反射层；每个所述发光结构包括第一半导体层、发光层与第二半导体层；所述第一半导体层位于所述衬底上，所述发光层位于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述第二半导体层位于所述发光层远离所述第一半导体层的一侧；

所述第一绝缘层位于所述发光结构远离所述衬底的一侧，所述反射层位于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧；

所述第一导热结构包括第一电极与第四焊盘；两个所述发光结构包括第一发光结构与第二发光结构，所述第一发光结构的第一半导体层与所述第一电极的第一端连接，所述第二发光结构的第二半导体层与所述第一电极的第二端连接；

所述衬底包括非发光区；所述第一电极与所述第四焊盘在所述衬底上的正投影位于所述非发光区；所述第四焊盘通过所述第一绝缘层上的过孔与所述反射层上的过孔与所述第一电极连接。

根据本实用新型实施例的第二方面，提供一种显示基板，包括：驱动背板与上述的发光器件；

驱动背板包括第二导热结构；

所述发光器件的第一导热结构与所述驱动背板的第二导热结构接触。

根据上述实施例可知，由于发光器件除了包括发光结构，还包括第一导热结构，第一导热结构与每个发光结构接触，第一导热结构被配置为将发光结构产生的热量传导出去，这样，通过第一导热结构能够及时将发光结构产生的热量传导出去，能够增加发光器件的散热速度，进而提高发光器件的发光效率。

应当理解的是，以上的一般描述和后文的细节描述仅是示例性和解释性的，并不能限制本实用新型。

附图说明

此处的附图被并入说明书中并构成本说明书的一部分，示出了符合本实用新型的实施例，并与说明书一起用于解释本实用新型的原理。

图1是根据本实用新型实施例示出的一种发光器件的结构示意图。

图2为图1沿剖面线AA’的剖面图。

图3是根据本实用新型实施例示出的另一种发光器件的结构示意图。

图4是根据本实用新型实施例示出的一种发光器件的结构示意图。

图5为图4沿剖面线AA’的剖面图。

具体实施方式

这里将详细地对示例性实施例进行说明，其示例表示在附图中。下面的描述涉及附图时，除非另有表示，不同附图中的相同数字表示相同或相似的要素。以下示例性实施例中所描述的实施方式并不代表与本实用新型相一致的所有实施方式。相反，它们仅是与如所附权利要求书中所详述的、本实用新型的一些方面相一致的装置和方法的例子。

相关技术中，发光二极管(LED)的发光面积比较大，在发光亮度确定的前提下，驱动LED发光所需要的电流也已确定，大的发光面积势必带来小的电流密度。当LED工作在小电流密度下时，LED的发光效率比较低。

发明人意识到，为了提高LED的发光效率，需要LED工作在高电流密度下，那么就需要缩小LED的发光面积。

但是，如果直接缩小LED的尺寸，由于LED边缘会存在侧壁效应，当LED尺寸减小时，该侧壁效应仍然存在，且会导致由该侧壁效应引起的失效区比例反而上升；此外，缩小发光面积，势必会带来LED热效应的增加，热效应会导致LED的发光效率的下降。因此，在发光面积缩小的基础上，需要考虑如何避免增加侧壁效应的负面影响，同时提高LED的散热性能。

为解决上述技术问题，本实用新型实施例提供一种发光器件与显示基板，能够增加发光器件的散热速度，提高发光器件的散热性能，进而提高发光器件的发光效率。

如图1与图2所示，本实用新型实施例提供一种发光器件。其中，图2为图1沿剖面线AA’的剖面图。该发光器件，如图1～图2所示，包括至少一个发光结构11与第一导热结构12，第一导热结构12与每个发光结构11接触，第一导热结构12被配置为将发光结构11产生的热量传导出去。

在本实施例中，由于发光器件除了包括发光结构，还包括第一导热结构，第一导热结构与每个发光结构接触，第一导热结构被配置为将发光结构产生的热量传导出去，这样，通过第一导热结构能够及时将发光结构产生的热量传导出去，能够增加发光器件的散热速度，进而提高发光器件的发光效率。

以上对本实用新型实施例提供的发光器件进行了简要的介绍，下面对本实用新型实施例提供的发光器件进行详细的介绍。

本实用新型实施例还提供一种发光器件。该发光器件，如图1与图2所示，包括衬底13、两个发光结构11、一个第一导热结构12、第一电极14、第二电极15、第三电极16、第一导电层17、第二导电层18、第一绝缘层19、第二绝缘层21、第三绝缘层22、反射层23、第二焊盘24与第三焊盘25。

在本实施例中，衬底13的材料为蓝宝石。蓝宝石的主要成分为氧化铝(Al₂O₃)。当然，在其他实施例中，衬底13的材料为也可以是碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)或硅。

在本实施例中，衬底13的导热系数可为40W/m.C，但不限于此。

在本实施例中，如图2所示，两个发光结构11位于衬底13与第一导热结构12之间。每个发光结构11包括第一半导体层111、超晶格层112、第一半导体层113、发光层114、电子阻挡层115与第二半导体层116。其中，第一半导体层111与第一半导体层113为P型半导体层和N型半导体层中的一种，第二半导体层116为P型半导体层和N型半导体层中的另一种。本实施例中以第一半导体层111与第一半导体层113为N型半导体层、第二半导体层116为P型半导体层为例进行说明。

在本实施例中，第一半导体层111的导热系数与第一半导体层113的导热系数可为130W/m.C。发光层114的导热系数可为3.47×10^-4W/m.C，第二半导体层116的导热系数可为130W/m.C。

在本实施例中，如图2所示，第一半导体层111位于衬底13上，超晶格层112位于第一半导体层111远离衬底13的一侧，第一半导体层113位于超晶格层112远离第一半导体层111的一侧。超晶格层112的材料可为GaN或InGaN，但不限于此。超晶格层112被配置为改善第一半导体层111与第一半导体层113之间的晶格匹配，并减少或防止从缺陷衬底13、第一半导体层111传播至第一半导体层113，从而可以避免发光器件的功能障碍。

在本实施例中，如图2所示，发光层114位于第一半导体层113远离衬底的一侧。发光层114可包括多量子阱结构。例如，多量子阱结构可为GaN(氮化镓)与InGaN(氮化镓铟)交替排布的周期性结构，但不限于此。

在本实施例中，如图2所示，电子阻挡层115位于发光层114远离第一半导体层113的一侧，第二半导体层116位于发光层114远离第一半导体层的一侧。电子阻挡层115被配置为阻止发光层114中的电子逸出至第二半导体层116，可以提高发光效率。

在本实施例中，如图2所示，两个发光结构11包括第一发光结构11A与第二发光结构11B。第一发光结构11A与第二发光结构11B通过第一导电层17与第一电极14串联。第一发光结构11A的发光颜色与第二发光结构11B的发光颜色可相同。

在本实施例中，如图1与图2所示，衬底13包括第一发光区E1、第二发光区E2与非发光区E3。第一发光区E1与第二发光区E2分别与非发光区E3相邻。在本实施例中，第一发光区E1为第二发光结构11B对应的发光区，第二发光区E2为第一发光结构11A对应的发光区。第一发光区E1的面积小于第二发光结构11B中第二半导体层116的面积，第二发光区E2的面积小于第一发光结构11A中第二半导体层116的面积。

在本实施例中，如图2所示，第二绝缘层21位于第一发光结构11A与第二发光结构11B之间，且位于第一导电层17与衬底13之间，以及位于第一电极14与衬底13之间。

在本实施例中，如图2所示，第二绝缘层21在衬底13上的正投影位于非发光区E3中，且第二绝缘层21的第一端位于第二发光结构11B中的第二半导体层116远离衬底13的一侧，第二端与第一发光结构11A的第一半导体层111接触。

在本实施例中，第二绝缘层21的导热系数可为2.33W/m.C，但不限于此。

在本实施例中，如图2所示，第一导电层17位于第二发光结构11B远离衬底13的一侧。第一导电层17的一部分在衬底13上的正投影位于第一发光区E1中，且与第二发光结构11B中的第二半导体层116连接，第一导电层17的另一部分在衬底13上的正投影位于非发光区E3中，且与第一电极14的第二端连接。

在本实施例中，第一导电层17的材料可以是透明导电材料，例如，第一导电层17的材料可以是ITO(氧化铟锡)，但不限于此。

在本实施例中，如图2所示，第一导电层17与第二发光结构11B中的第二半导体层116接触的面积小于第二发光结构11B中的第二半导体层116的面积，这样，可以在避免减小发光器件的尺寸的前提下减小第二发光结构11B的发光面积，避免导致侧壁效应。

在本实施例中，如图2所示，第一发光结构11A的第一半导体层111与第一电极14的第一端连接，第二发光结构11B的第二半导体层116通过第一导电层17与第一电极14的第二端连接。

在本实施例中，如图2所示，第一发光结构11A中除第一半导体层111之外的其余层在衬底13上的正投影位于第一半导体层111在衬底13上的正投影内，第一发光结构11A中的第一半导体层111包括第一连接部1111，第一连接部1111在衬底13上的正投影与第一发光结构11A中除第一半导体层111之外的其余层在衬底13上的正投影不存在重合部分，第一连接部1111位于第一半导体层111靠近第二发光结构11B的一侧，第一连接部1111与第一电极14的第一端连接。

在本实施例中，如图2所示，第三绝缘层22位于第二导电层18与第一发光结构11A之间。第三绝缘层22在衬底13上的正投影位于非发光区E3中，且第三绝缘层22的第一端位于第一发光结构11A中的第二半导体层116远离衬底13的一侧，第二端与第一发光结构11A的第一半导体层111接触。

在本实施例中，第三绝缘层22的导热系数可为2.33W/m.C，但不限于此。

在本实施例中，如图2所示，第二导电层18位于第一发光结构11A与第一绝缘层19之间。第二导电层18的一部分在衬底13上的正投影位于第二发光区E2中，且与第一发光结构11A中的第二半导体层116连接，第二导电层18的另一部分在衬底13上的正投影位于非发光区E3中，且与第二电极15连连接。

在本实施例中，第二导电层18与第一发光结构11A中的第二半导体层116接触的面积小于第二半导体层116的面积，这样，可以在避免减小发光器件的尺寸的前提下可以减小第一发光结构11A的发光面积。

在本实施例中，第二导电层18的材料可以是透明导电材料，例如，第二导电层18的材料可以是ITO(氧化铟锡)，但不限于此。

在本实施例中，第一导电层17与第二导电层18的导热系数可为6W/m.C，但不限于此。

在本实施例中，如图2所示，第二电极15与第一发光结构11A中的第二半导体层116连接。第二电极15为正极。第一发光结构11A中除第一半导体层111之外的其余层在衬底13上的正投影位于第一半导体层111在衬底13上的正投影内，第一发光结构11A中的第一半导体层111包括支撑部1112，支撑部1112位于第一半导体层111远离第二发光结构11B的一侧，第二电极15在衬底13上的正投影位于支撑部1112在衬底13的正投影内。

在本实施例中，如图2所示，第三电极16与第二发光结构11B中的第一半导体层111连接。第三电极16为负极。第二发光结构11B中除第一半导体层111之外的其余层在衬底13上的正投影位于第一半导体层111在衬底13上的正投影内，第二发光结构11B中的第一半导体层111包括第二连接部1113，第二连接部1113在衬底13上的正投影与第二发光结构11B中除第一半导体层111之外的其余层在衬底13上的正投影不存在重合部分。第二连接部1113位于第一半导体层111远离第一发光结构11A的一侧，第二连接部1113与第三电极16连接。第三电极16在衬底13上的正投影位于第二连接部1113在衬底13上的正投影内。

在本实施例中，如图1与图2所示，第一导热结构12分别与第一发光结构11A、第二发光结构11B接触，且位于第二半导体层116远离发光层114的一侧，第一导热结构12在衬底13上的正投影位于非发光区E3。第一导热结构12被配置为将第一发光结构11A、第二发光结构11B产生的热量传导出去。

在本实施例中，如图1与图2所示，第一导热结构12包括导热层121。导热层121位于第二半导体层116远离发光层114的一侧，用于将发光层114产生的热量传导出去。

在本实施例中，导热层121的材料与第一导电层17的材料、第二导电层18的材料相同，为透明导电材料，例如为，ITO。这样，可以不影响发光器件的发光效率。导热层121可与第一导电层17、第二导电层18同层，且通过同一工艺制备。这样，可以节约一道图案化工艺，可以节约成本。

在本实施例中，如图2所示，第一绝缘层19位于导热层121远离第二半导体层116的一侧，且覆盖衬底13、两个发光结构11、第一导热结构12、第一电极14、第二电极15、第三电极16、第一导电层17与第二导电层18，第一绝缘层19用于保护两个发光结构11、第一导热结构12、第一电极14、第二电极15、第三电极16、第一导电层17与第二导电层18。

在本实施例中，第一绝缘层19的导热系数可为2.33W/m.C，但不限于此。

在本实施例中，如图2所示，反射层23位于第一绝缘层19远离导热层121的一侧。反射层23可以为布拉格反射镜，反射层23可由高折射率材料与低折射率材料交替排布形成，例如，反射层23可包括多层交替设置的SiO₂与TiO₂，但不限于此。

在本实施例中，反射层23的导热系数可为4.95W/m.C，但不限于此。

在本实施例中，如图1所示，第一导热结构12还包括第一焊盘122。第一焊盘122位于反射层23远离第一绝缘层19的一侧，第一焊盘122通过第一绝缘层19上的过孔与反射层23上的过孔231与导热层121连接。

在本实施例中，如图1所示，第一导热结构12还包括第一导电部123，第一导电部123的一部分位于第一绝缘层19上的过孔与反射层23上的过孔231中，另一部分位于反射层23远离第一绝缘层19的一侧，且与第一焊盘122连接，即第一焊盘122经第一导电部123与导热层121连接。这样，第一导热结构12能够将发光结构11产生的热量传导出去。

在本实施例中，如图1所示，第二焊盘24通过第一绝缘层19上的过孔与反射层23上的过孔232与第二电极15连接。

在本实施例中，如图1与图2所示，发光器件还包括第二导电部26，第二导电部26的一部分位于第一绝缘层19上的过孔与反射层23上的过孔232中，另一部分位于反射层23远离第一绝缘层19的一侧，且与第二焊盘24连接，即第二焊盘24通过第二导电部26与第二电极15连接。这样，第二焊盘24能够将第一发光结构11A产生的热量传导出去，提高发光器件的散热性能。

在本实施例中，如图1所示，第三焊盘25通过第一绝缘层19上的过孔与反射层23上的过孔233与第三电极16连接。

在本实施例中，如图1与图2所示，发光器件还包括第三导电部27，第三导电部27的一部分位于第一绝缘层19上的过孔与反射层23上的过孔233中，另一部分位于反射层23远离第一绝缘层19的一侧，且与第三焊盘25连接，即第三焊盘25通过第三导电部27与第三电极16连接。这样，第三焊盘25能够将第二发光结构11B产生的热量传导出去，提高发光器件的散热性能。

在其他实施例中，发光器件还可包括第四焊盘。第四焊盘可通过第一绝缘层19上的过孔与反射层23上的过孔与第一电极14连接，第四焊盘的面积与第一焊盘122的面积可相同。这样，第四焊盘可将第一发光结构11A与第二发光结构11B产生的热量传导出去，增加了散热通道，可以提高发光器件的散热性能。

在其他实施例中，第二绝缘层21可包括镂空部，第一电极14通过镂空部与衬底13接触。这样，第一电极14可通过衬底13将第一发光结构11A与第二发光结构11B产生的热量传导出去，增加了散热通道与散热面积，可以提高发光器件的散热性能。

在其他实施例中，衬底13的导热系数大于第二绝缘层21的导热系数。这样，第一发光结构11A与第二发光结构11B产生的热量能够通过第二绝缘层21与衬底13传导出去，提高发光器件的散热性能。

本实施例中，通过在发光结构11远离衬底的一侧设置导热层121，导热层121可通过第一焊盘122将发光结构11产生的热量传导出去，可以提高发光器件的散热性能，进而提高发光器件的发光效率。

如图3所示，本实用新型的实施例还提出了一种发光器件。如图3所示，与上述实施例不同的是，在本实施例中，第一导热结构12不包括上述的导热层121，第一导热结构12包括上述的第一电极14，第一电极14在衬底13上的正投影位于非发光区E3，该第一电极14与衬底13接触，这样，第一电极14可通过衬底13将第一发光结构11A与第二发光结构11B产生的热量传导出去，提高发光器件的散热性能。

在本实施例中，如图3所示，第二绝缘层21包括镂空部，第一电极14通过镂空部与衬底13接触。这样，第一电极14可通过衬底13将第一发光结构11A与第二发光结构11B产生的热量传导出去，提高发光器件的散热性能。

在本实施例中，衬底13的导热系数大于第二绝缘层21的导热系数。这样，第一发光结构11A与第二发光结构11B产生的热量能够通过第二绝缘层21与衬底13传导出去，提高发光器件的散热性能。

如图4与图5所示，本实用新型的实施例还提出了一种发光器件。其中，图5为图4沿剖面线AA’的剖面图。如图4与图5所示，与上述实施例不同的是，在本实施例中，第一导热结构12不包括上述的导热层121，第一导热结构12包括上述的第一电极14与第四焊盘41。第一电极14与第四焊盘41在衬底13上的正投影位于非发光区E3。第四焊盘41通过第一绝缘层19上的过孔与反射层23上的过孔234与第一电极14连接。

在本实施例中，第四焊盘41的材料为金属。第四焊盘41的导热系数大于反射层23的导热系数，可将增加散热的速度，提高发光器件的散热性能。

在本实施例中，如图4所示，第四焊盘41的面积大于第一电极14的面积，这样，可增加散热面积，提高发光器件的散热性能。

在本实施例中，如图4与图5所示，发光器件还包括第四导电部42，第四导电部42的一部分位于第一绝缘层19上的过孔与反射层23上的过孔234中，另一部分位于反射层23远离第一绝缘层19的一侧，且与第四焊盘41连接，即第四焊盘41通过第四导电部42与第一电极14连接。这样，第四焊盘41能够将第一发光结构11A与第二发光结构11B产生的热量传导出去，提高发光器件的散热性能。

本实用新型的实施例还提出了一种显示基板，包括驱动背板，还包括上述任一实施例的发光器件。

在本实施例中，驱动背板包括第二导热结构，发光器件的第一导热结构12与驱动背板的第二导热结构接触。这样，发光器件产生的热量可通过第一导热结构12与第二导热结构传导至驱动背板上，可提高发光器件的散热性能，进而提高发光器件的发光效率。

本实施例中，第二导热结构的材料可为金属。例如，第二导热结构可为金属块。这样，可将增加散热的速度，提高发光器件的散热性能。

需要说明的是，本实施例中的显示基板可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。

需要指出的是，在附图中，为了图示的清晰可能夸大了层和区域的尺寸。而且可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“上”时，它可以直接在其他元件上，或者可以存在中间的层。另外，可以理解，当元件或层被称为在另一元件或层“下”时，它可以直接在其他元件下，或者可以存在一个以上的中间的层或元件。另外，还可以理解，当层或元件被称为在两层或两个元件“之间”时，它可以为两层或两个元件之间唯一的层，或还可以存在一个以上的中间层或元件。通篇相似的参考标记指示相似的元件。

在本实用新型中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。术语“多个”指两个或两个以上，除非另有明确的限定。

本领域技术人员在考虑说明书及实践这里公开的公开后，将容易想到本实用新型的其它实施方案。本实用新型旨在涵盖本实用新型的任何变型、用途或者适应性变化，这些变型、用途或者适应性变化遵循本实用新型的一般性原理并包括本实用新型未公开的本技术领域中的公知常识或惯用技术手段。说明书和实施例仅被视为示例性的，本实用新型的真正范围和精神由下面的权利要求指出。

应当理解的是，本实用新型并不局限于上面已经描述并在附图中示出的精确结构，并且可以在不脱离其范围进行各种修改和改变。本实用新型的范围仅由所附的权利要求来限制。

Claims (20)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：至少一个发光结构与第一导热结构，所述第一导热结构与每个所述发光结构接触，所述第一导热结构被配置为将所述发光结构产生的热量传导出去。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括衬底；所述发光结构位于所述衬底与所述第一导热结构之间；

所述发光结构包括第一半导体层、发光层与第二半导体层；所述第一半导体层位于所述衬底上，所述发光层位于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述第二半导体层位于所述发光层远离所述第一半导体层的一侧；

所述衬底包括非发光区；

所述第一导热结构位于所述第二半导体层远离所述发光层的一侧，且在所述衬底上的正投影位于所述非发光区。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一导热结构包括导热层；所述导热层位于所述第二半导体层远离所述发光层的一侧。

4.根据权利要求3所述的发光器件，其特征在于，还包括第一绝缘层与反射层；所述第一绝缘层位于所述导热层远离所述第二半导体层的一侧，所述反射层位于所述第一绝缘层远离所述导热层的一侧；

所述第一导热结构还包括第一焊盘，所述第一焊盘位于所述反射层远离所述第一绝缘层的一侧，所述第一焊盘通过所述第一绝缘层上的过孔与所述反射层上的过孔与所述导热层连接。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，包括两个所述发光结构，两个所述发光结构串联。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其特征在于，还包括第一电极、第二电极与第三电极，两个所述发光结构通过所述第一电极串联；

两个所述发光结构包括第一发光结构与第二发光结构，所述第一发光结构的第一半导体层与所述第一电极的第一端连接，所述第二发光结构的第二半导体层与所述第一电极的第二端连接；

所述第二电极与所述第一发光结构中的第二半导体层连接，所述第三电极与第二发光结构中的第一半导体层连接。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，还包括第一导电层；所述第一导电层位于所述第二发光结构与所述第一绝缘层之间；

所述衬底还包括第一发光区，所述第一发光区与所述非发光区相邻；所述第一导电层的一部分在所述衬底上的正投影位于所述第一发光区中，且与所述第二发光结构中的第二半导体层连接，所述第一导电层的另一部分在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中，且与所述第一电极的第二端连接。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其特征在于，还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一发光结构与所述第二发光结构之间，且位于所述第一导电层与所述衬底之间，以及位于所述第一电极与所述衬底之间；

所述第二绝缘层在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中，且所述第二绝缘层的第一端位于所述第二发光结构中的第二半导体层远离所述衬底的一侧，第二端与所述第一发光结构的第一半导体层接触；

所述第一发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影位于所述第一半导体层在所述衬底上的正投影内，所述第一发光结构中的第一半导体层包括第一连接部，所述第一连接部在所述衬底上的正投影与所述第一发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影不存在重合部分，所述第一连接部位于靠近所述第二发光结构的一侧，所述第一连接部与所述第一电极的第一端连接。

9.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，还包括第二导电层；所述第二导电层位于所述第一发光结构与所述第一绝缘层之间；

所述衬底还包括第二发光区，所述第二发光区与所述非发光区相邻；所述第二导电层的一部分在所述衬底上的正投影位于所述第二发光区中，且与所述第一发光结构中的第二半导体层连接，所述第二导电层的另一部分在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中，且与第二电极连接。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其特征在于，还包括第三绝缘层，所述第三绝缘层位于所述第二导电层与所述第一发光结构之间；

所述第三绝缘层在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中，且所述第三绝缘层的第一端位于所述第一发光结构中的第二半导体层远离所述衬底的一侧，第二端与所述第一发光结构的第一半导体层接触；

所述第一发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影位于所述第一半导体层在所述衬底上的正投影内，所述第一发光结构中的第一半导体层包括支撑部，所述支撑部位于远离所述第二发光结构的一侧，所述第二电极在所述衬底上的正投影位于所述支撑部在所述衬底的正投影内。

11.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述第二发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影位于所述第一半导体层在所述衬底上的正投影内，所述第二发光结构中的第一半导体层包括第二连接部，所述第二连接部在所述衬底上的正投影与所述第二发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影不存在重合部分；所述第二连接部位于远离所述第一发光结构的一侧，所述第二连接部与所述第三电极连接。

12.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述第二电极与所述第三电极位于所述衬底与所述第一绝缘层之间；

所述发光器件还包括第二焊盘与第三焊盘，所述第二焊盘通过所述第一绝缘层上的过孔与所述反射层上的过孔与所述第二电极连接，所述第三焊盘通过所述第一绝缘层上的过孔与所述反射层上的过孔与所述第三电极连接。

13.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述第二绝缘层包括镂空部，所述第一电极通过所述镂空部与所述衬底接触。

14.根据权利要求8所述的发光器件，其特征在于，所述衬底的导热系数大于所述第二绝缘层的导热系数。

15.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，还包括第四焊盘，所述第四焊盘通过所述第一绝缘层上的过孔与所述反射层上的过孔与所述第一电极连接。

16.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，包括两个所述发光结构，两个所述发光结构串联；

所述发光器件还包括衬底；每个所述发光结构包括第一半导体层、发光层与第二半导体层；所述第一半导体层位于所述衬底上，所述发光层位于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述第二半导体层位于所述发光层远离所述第一半导体层的一侧；

所述第一导热结构包括第一电极；两个所述发光结构包括第一发光结构与第二发光结构，所述第一发光结构的第一半导体层与所述第一电极的第一端连接，所述第二发光结构的第二半导体层与所述第一电极的第二端连接；所述第一电极与所述衬底接触；

所述衬底包括非发光区；所述第一电极在所述衬底上的正投影位于所述非发光区。

17.根据权利要求16所述的发光器件，其特征在于，还包括第一导电层；所述第一导电层位于所述第二发光结构远离所述衬底的一侧；

所述衬底还包括第一发光区，所述第一发光区与所述非发光区相邻；所述第一导电层的一部分在所述衬底上的正投影位于所述第一发光区中，且与所述第二发光结构中的第二半导体层连接，所述第一导电层的另一部分在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中，且与所述第一电极的第二端连接。

18.根据权利要求17所述的发光器件，其特征在于，还包括第二绝缘层，所述第二绝缘层位于所述第一发光结构与所述第二发光结构之间，且位于所述第一导电层与所述衬底之间，以及位于所述第一电极与所述衬底之间；

所述第二绝缘层在所述衬底上的正投影位于所述非发光区中，且所述第二绝缘层的第一端位于所述第二发光结构中的第二半导体层远离所述衬底的一侧，第二端与所述第一发光结构的第一半导体层接触；

所述第一发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影位于所述第一半导体层在所述衬底上的正投影内，所述第一发光结构中的第一半导体层包括第一连接部，所述第一连接部在所述衬底上的正投影与所述第一发光结构中除所述第一半导体层之外的其余层在所述衬底上的正投影不存在重合部分，所述第一连接部位于靠近所述第二发光结构的一侧，所述第一连接部与所述第一电极的第一端连接；

所述第二绝缘层包括镂空部，所述第一电极通过所述镂空部与所述衬底接触。

19.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，包括两个所述发光结构，两个所述发光结构串联；

所述发光器件还包括衬底、第一绝缘层与反射层；每个所述发光结构包括第一半导体层、发光层与第二半导体层；所述第一半导体层位于所述衬底上，所述发光层位于所述第一半导体层远离所述衬底的一侧，所述第二半导体层位于所述发光层远离所述第一半导体层的一侧；

所述第一绝缘层位于所述发光结构远离所述衬底的一侧，所述反射层位于所述第一绝缘层远离所述衬底的一侧；

所述第一导热结构包括第一电极与第四焊盘；两个所述发光结构包括第一发光结构与第二发光结构，所述第一发光结构的第一半导体层与所述第一电极的第一端连接，所述第二发光结构的第二半导体层与所述第一电极的第二端连接；

所述衬底包括非发光区；所述第一电极与所述第四焊盘在所述衬底上的正投影位于所述非发光区；所述第四焊盘通过所述第一绝缘层上的过孔与所述反射层上的过孔与所述第一电极连接。

20.一种显示基板，其特征在于，包括：驱动背板与权利要求1至19中任一项所述的发光器件；

驱动背板包括第二导热结构；

所述发光器件的第一导热结构与所述驱动背板的第二导热结构接触。

Images