CN116169223A - 倒装发光二极管及发光装置 - Google Patents

倒装发光二极管及发光装置 Download PDF

Info

Publication number
CN116169223A
CN116169223A CN202310059389.6A CN202310059389A CN116169223A CN 116169223 A CN116169223 A CN 116169223A CN 202310059389 A CN202310059389 A CN 202310059389A CN 116169223 A CN116169223 A CN 116169223A
Authority
CN
China
Prior art keywords
flip
contact electrode
emitting diode
arc
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN202310059389.6A
Other languages
English (en)
Inventor
夏章艮
刘鹏
黄敏
吴光耀
张中英
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd
Original Assignee
Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd filed Critical Xiamen Sanan Optoelectronics Technology Co Ltd
Publication of CN116169223A publication Critical patent/CN116169223A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/02—Bonding areas ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L24/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H01L33/145—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0556—Disposition
    • H01L2224/05571—Disposition the external layer being disposed in a recess of the surface
    • H01L2224/05572—Disposition the external layer being disposed in a recess of the surface the external layer extending out of an opening
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/05573—Single external layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/06—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of a plurality of bonding areas
    • H01L2224/061—Disposition
    • H01L2224/0612—Layout
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/40—Materials therefor
    • H01L33/42—Transparent materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

本发明提供一种倒装发光二极管及发光装置，倒装发光二极管包外延层和位于外延层上的第一接触电极和第二接触电极，外延层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一接触电极电连接于第一半导体层，第二接触电极电连接于第二半导体层，并向第一接触电极延伸，第二接触电极包括连接部、第一弧形延伸部、第一直线延伸部、第二弧形延伸部以及第二直线延伸部，连接部的两侧分别连接第一弧形延伸部与第二弧形延伸部，第一直线延伸部连接于第一弧形延伸部远离连接部的一端，第二直线延伸部连接于第二弧形延伸部远离连接部的一端。借此，可使得电流扩散得更为均匀，并且避免顶针区域处的电极被顶针刺破。

Description

倒装发光二极管及发光装置
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，特别涉及一种倒装发光二极管及发光装置。
背景技术
发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势，被广泛应用于照明、可见光通信及发光显示等场景。LED芯片可以分为正装结构、倒装结构和垂直结构三种。与传统的正装芯片相比，倒装LED芯片结构是将二极管结构倒置，从蓝宝石一侧射出光线，而电极一侧可固定在散热更好的基板上。
目前，业内对倒装LED芯片结构的开发均已全面的展开。然而，现有的倒装LED芯片结构仍存在一些缺陷。具体来说，接触电极因其结构的特殊性，现有的技术一方面尚无法解决封装固晶时，顶针容易顶破位于顶针区域的接触电极而导致芯片异常的问题，另一方面也未给出若接触电极绕开顶针区域导致的电流变化引起的发光不均匀的问题。
发明内容
本发明提供一种发光二极管，其包括外延层、第一接触电极和第二接触电极。
外延层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层。
第一接触电极和第二接触电极位于外延层上。第一接触电极电连接于第一半导体层。第二接触电极电连接于第二半导体层，并向第一接触电极延伸。第二接触电极包括连接部、第一弧形延伸部、第一直线延伸部、第二弧形延伸部以及第二直线延伸部。连接部的两侧分别连接第一弧形延伸部与第二弧形延伸部，第一直线延伸部连接于第一弧形延伸部远离连接部的一端，第二直线延伸部连接于第二弧形延伸部远离连接部的一端。
在一实施例中，所述外延层还包括导通孔，所述导通孔是由所述第二半导体层贯穿至所述第一半导体层，以露出部分所述第一半导体层，所述第一接触电极位于所述导通孔内。
在一实施例中，所述倒装发光二极管呈方型形状，所述外延层具有四个侧边。
在一实施例中，从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第一直线延伸部与所述外延层的侧边之间具有一第一最小距离，所述第一最小距离大于等于10μm。
在一实施例中，从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第二直线延伸部与所述外延层的侧边之间具有一第二最小距离，所述第二最小距离大于等于10μm。
在一实施例中，从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第一直线延伸部到所述外延层的侧边之间的最小距离等于所述第二直线延伸部到所述外延层的侧边之间的最小距离。
在一实施例中，从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第一直线延伸部靠近所述第一接触电极的一端与所述第二直线延伸部靠近所述第一接触电极的一端之间具有一第七最小距离，所述第七最小距离大于70μm。
在一实施例中，从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述连接部的中心点与所述第一接触电极的中心点的连线是平行于所述外延层的至少一个侧边。
在一实施例中，所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述外延层的相对两个侧边的中心点的连线穿过所述第一直线延伸部和所述第二直线延伸部。
在一实施例中，所述倒装发光二极管还包括电流阻挡层，位于所述第二半导体层与所述第二接触电极之间，从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述电流阻挡层的宽度大于所述第二接触电极的宽度。
在一实施例中，所述倒装发光二极管还包括绝缘层，覆盖所述外延层，并具有第一开口与第二开口，所述第一开口位于所述第一接触电极的上方，所述第二开口位于所述第二接触电极的上方。
在一实施例中，所述倒装发光二极管还包括位于所述绝缘层上方的第一焊盘和第二焊盘，所述第一焊盘通过所述第一开口电连接所述第一接触电极，所述第二焊盘通过所述第二开口电连接所述第二接触电极。
在一实施例中，从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第一接触电极与所述第一焊盘之间具有一第三最小距离，所述第三最小距离大于等于0μm。
在一实施例中，从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第一焊盘与所述第二焊盘之间具有一第四最小距离，所述第四最小距离大于等于所述外延层的侧边长度的1/3。
在一实施例中，所述第四最小距离小于200μm。
在一实施例中，从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第一焊盘的宽度与所述第二焊盘的宽度均小于等于所述外延层的侧边长度的1/3。
在一实施例中，从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第二焊盘覆盖所述连接部、部分所述第一弧形延伸部以及部分所述第二弧形延伸部。
在一实施例中，从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第一直线延伸部远离所述连接部的一端与所述第一焊盘之间具有一第五最小距离，所述第二直线延伸部远离所述连接部的一端与所述第一焊盘之间具有一第六最小距离，所述第五最小距离与所述第六最小距离皆大于等于20μm。
在一实施例中，所述第一弧形延伸部的曲率半径与所述第二弧形延伸部的曲率半径均大于等于25μm，且小于等于50μm。
在一实施例中，所述第一弧形延伸部与所述第二弧形延伸部的曲率半径固定。
在一实施例中，从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第一直线延伸部平行于所述第二直线延伸部，且平行于所述外延层的至少一个侧边。
在一实施例中，所述倒装发光二极管的整体尺寸小于等于15mil*15mil。
在一实施例中，所述倒装发光二极管呈方型形状，所述倒装发光二极管的长度与宽度的比值范围为1:1至1:1.5。
在一实施例中，所述第一接触电极的形状呈块状。
在一实施例中，所述第一弧形延伸部的末端与所述第二弧形延伸部的末端之间的距离小于等于所述第一弧形延伸部的曲率半径的2倍。
本发明还提供一种倒装发光二极管，其包括外延层、第一接触电极和第二接触电极。
外延层包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层。
第一接触电极和第二接触电极位于外延层上。第一接触电极电连接于第一半导体层。第二接触电极电连接于第二半导体层，并向第一接触电极延伸。第二接触电极包括连接部、第一弧形延伸部以及第二弧形延伸部。连接部的两侧分别连接第一弧形延伸部与第二弧形延伸部，从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第一弧形延伸部靠近所述第一接触电极的一端与所述第二弧形延伸部靠近所述第一接触电极的一端之间具有一第八最小距离，所述第八最小距离大于70μm。
在一实施例中，从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第一弧形延伸部的弧长与所述第二弧形延伸部的弧长皆大于等于所述第八最小距离的π/5，且小于等于所述第八最小距离的π/3。
本发明还提供一种发光装置，其采用如上任意所述的倒装发光二极管。
本发明提供的倒装发光二极管及发光装置，通过两侧弧形延伸部与直线延伸部的设置，不仅能够更好的扩展电流使电流扩散均匀，还可避免顶针区域处的接触电极被顶针刺破，进而提高了整体的发光亮度和可靠性。
本发明的其它特征和有益效果将在随后的说明书中阐述，并且，部分地从说明书中变得显而易见，或者通过实施本发明而了解。本发明的目的和其他有益效果可通过在说明书、权利要求书等内容中所特别指出的结构来实现和获得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作一简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图；在下面描述中附图所述的位置关系，若无特别指明，皆是图示中组件绘示的方向为基准。
图1是本发明一实施例提供的倒装发光二极管的俯视结构示意图；
图2是图1的尺寸示意图；
图3是沿图1的截取线A-A截取的纵向剖面示意图；
图4至图9是本发明一实施例提供的倒装发光二极管在制造过程中各阶段的俯视结构示意图；
图10是本发明另一实施例提供的倒装发光二极管的俯视结构示意图;
图11是本发明另一实施例提供的倒装发光二极管的俯视结构示意图;
图12是本发明另一实施例提供的倒装发光二极管的俯视结构示意图;
图13是图12的尺寸示意图。
附图标记：
10、60、70、80-倒装发光二极管；12-顶针区域；18-衬底；20-外延层；202-导通孔；204-侧边；21-第一半导体层；22-发光层；23-第二半导体层；36-绝缘层；361-第一开口；362-第二开口；38、68-电流阻挡层；381-第一弧形部；382-第二弧形部；383-第一直线部；384-第二直线部；385-起始部；39-电流扩展层；41、71-第一接触电极；42、72-第二接触电极；421、721-第一弧形延伸部；422、722-第二弧形延伸部；423-第一直线延伸部；424-第二直线延伸部；425、725-连接部；51-第一焊盘；52-第二焊盘；D1-第一最小距离；D2-第二最小距离；D3-第三最小距离；D4-第四最小距离；D5-第五最小距离；D6-第六最小距离；D7-第七最小距离；L1-侧边长度；S1-第一弧形延伸部的弧长；S2-第二弧形延伸部的弧长。
实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例；下面所描述的本发明不同实施方式中所设计的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合；基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“横向”、“上”、“下”、“左”、“右”、“垂直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或组件必须具有特定的方位、或以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本发明的描述中，除非另有说明，“多个”的含义是两个或两个以上。另外，术语“包括”及其任何变形，皆为“至少包含”的意思。在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解。
这里所使用的术语仅仅是为了描述具体实施例而不意图限制示例性实施例。除非上下文明确地另有所指，否则这里所使用的单数形式“一个”、“一项”还意图包括复数。还应当理解的是，这里所使用的术语“包括”和/或“包含”规定所陈述的特征、整数、步骤、操作、单元和/或组件的存在，而不排除存在或添加一个或更多其他特征、整数、步骤、操作、单元、组件和/或其组合。
请参阅图1、图2和图3，图1是本发明一实施例提供的倒装发光二极管10的俯视结构示意图，图2是图1的尺寸示意图，图3是沿图1的截取线A-A截取的纵向剖面示意图。为达所述优点至少其中之一或其他优点，本发明的一实施例提供一种倒装发光二极管10。如图中所示，倒装发光二极管10包括外延层20、第一接触电极41和第二接触电极42。
外延层20设置在衬底18上。衬底18可为透明性衬底18或者非透明衬底18或者半透明衬底18，其中透明性衬底18或者半透明衬底18可以允许发光层22辐射出的光穿过衬底18到达衬底18的远离外延结构的一侧，例如衬底18可以是蓝宝石平片衬底18、蓝宝石图形化衬底18、硅衬底18、碳化硅衬底18、氮化镓衬底18、玻璃衬底18中的任意一种。
在一些实施例中，可以采用组合式的图形化衬底，该衬底的图形为一系列的凸起结构，该凸起结构可以为一层或者多层结构，包含至少一层折射率低于衬底的折射率的光萃取层，该光萃取层的厚度大于该凸起结构的高度的一半，更利于发光二极管的出光效率。优选地，该凸起结构呈炮弹状结构，光萃取层的材料可以为折射率优选小于1.6，例如可以选用SiO2等。在一些实施例中，衬底18可以进行减薄或者移除形成薄膜型发光二极管芯片。
外延层20由下至上包括依次堆叠的第一半导体层21、发光层22以及第二半导体层23。外延层20的表面具有一顶针区域12，用于顶针作业。在一实施例中，从倒装发光二极管10的上方朝向外延层20俯视，即如图1所示，顶针区域12是一个以外延层20的中心为圆心的圆形区域，其直径范围介于50μm至80μm。倒装发光二极管10在封装过程中，需要使用金属顶针作用在顶针区域12，以将倒装发光二极管10顶起进行固晶。
第一半导体层21形成于衬底18，第一半导体层21作为在衬底18上生长的层，可以是掺杂了n型杂质，例如Si的氮化镓类半导体层。在一些实施例中，在第一半导体层21与衬底18之间设置缓冲层。在另一些实施例，外延层20可以通过一粘结层（图中未视出）与衬底进行连结。
发光层22可以具有单量子阱结构或者多重量子阱结构。发光层22内的阱层的组成以及厚度决定生成的光的波长。特别是，通过调节阱层的组成可以提供生成紫外线、蓝色光、绿色光等不同色光的发光层22。
第二半导体层23可以是掺杂了p型杂质，例如Mg的氮化镓类半导体层。虽然第一半导体层21以及第二半导体层23分别可以是单层，但本案不限于此，也可以是多重层，还可以包括超晶格层。第一半导体层21、发光层22以及第二半导体层23可以是利用金属有机化学气相生长法(MOCVD)或者利用分子束外延法(MBE)等方法而在衬底18上形成。此外，在第一半导体层21是掺杂了p型杂质的情况下，第二半导体层23是掺杂n型杂质。
第一接触电极41和第二接触电极42均位于外延层20上。第一接触电极41电连接于第一半导体层21，第二接触电极42电连接于第二半导体层23。第二接触电极42是朝向所述第一接触电极41延伸，具体来说，第二接触电极42包括连接部425、第一弧形延伸部421、第一直线延伸部423、第二弧形延伸部422以及第二直线延伸部424。如图所示，连接部425的左右两侧分别连接第一弧形延伸部421与第二弧形延伸部422。第一直线延伸部423连接于第一弧形延伸部421远离连接部425的一端，第二直线延伸部424连接于第二弧形延伸部422远离连接部425的一端，形成类“U”型的延伸电极。第一弧形延伸部421、第一直线延伸部423、第二弧形延伸部422以及第二直线延伸部424均是避开顶针区域12，避免顶针顶破接触电极而容易顶破导致芯片异常的问题，又可避免因为接触电极外移导致的电流变化引起的发光不均匀的问题。
在一实施例中，为避免电流聚集，影响电流均匀的效果，第一接触电极41的形状呈块状，换言之，第一接触电极41不会朝向第二接触电极42形成延伸电极部。
在一实施例中，从俯视图图1来看，第一弧形延伸部421与第二弧形延伸部422自连接部425朝向第一接触电极41延伸，并分别靠近外延层20的左右两个侧边204。以平行于左右两个侧边204的一条中心线为基准（如截取线A-A），第一弧形延伸部421上各点的切线与中心线之间均形成不高于90°的夹角，且此夹角在延伸方向上逐渐递减；第二弧形延伸部422上各点的切线与中心线之间均形成不高于90°的夹角，且此夹角在延伸方向上逐渐递减。借此，以尽可能地避开顶针区域12，并使得电流均匀扩散。
在本实施例中，倒装发光二极管10是呈方型形状。不过本案不限于此。在其它实施例中，倒装发光二极管10还可是呈圆形、椭圆形等其它形状。
外延层20具有四个侧边204。从倒装发光二极管10的上方朝向外延层20俯视，即如图1、图2所示，第一直线延伸部423与外延层20的侧边204之间具有一第一最小距离D1，第一最小距离D1大于等于10μm；第二直线延伸部424与外延层20的侧边204之间具有一第二最小距离D2，第二最小距离D2大于等于10μm。较优地，第一最小距离D1与第二最小距离D2是大于等于20μm。优选地，第一直线延伸部423到外延层20的侧边204之间的最小距离是等于第二直线延伸部424到外延层20的侧边204之间的最小距离，也就是第一最小距离D1等于第二最小距离D2。
在一实施例中，为避免顶针顶破接触电极以及提升电流均匀能力，从倒装发光二极管10的上方朝向外延层20俯视，第一直线延伸部423靠近第一接触电极41的一端与第二直线延伸部424靠近第一接触电极41的一端之间具有一第七最小距离D7，第七最小距离D7大于70μm。较优地，第七最小距离D7可以为200μm。
在一实施例中，从倒装发光二极管10的上方朝向外延层20俯视，连接部425的中心点与第一接触电极41的中心点的连线是平行于外延层20的左右二个侧边204，以利于第二接触电极42朝向第一接触电极41延伸，并避开顶针区域12。不过本案不限于此。在其它实施例中，连接部425的中心点与第一接触电极41的中心点的连线可以是不平行于外延层20的左右二个侧边204，而是与外延层20的侧边204形成夹角，此夹角小于90度且大于等于45度。此外，第一接触电极41与第二接触电极42还可以是对角设置，也就是连接部425的中心点与第一接触电极41的中心点的连线是平行于方型的倒装发光二极管10的对角线。
在一实施例中，从倒装发光二极管10的上方朝向外延层20俯视，外延层20的左右两个侧边204的中心点的连线穿过第一直线延伸部423和第二直线延伸部424。较优地，第一直线延伸部423平行于第二直线延伸部424，且平行于外延层20的至少一个侧边204。
在一实施例中，如图1、图3中所示，倒装发光二极管10还可包括导通孔202、电流阻挡层38、电流扩展层39、绝缘层36、第一焊盘51、第二焊盘52。
导通孔202是由第二半导体层23贯穿至第一半导体层21，以露出部分第一半导体层21，第一接触电极41是位于导通孔202内。换言之，第一半导体层21的面积会大于发光层22的面积，也大于第二半导体层23的面积。如图中所示，导通孔202可以是呈圆形形状，其形状与个数不受特别限制，可以是仅设置有一个导通孔202，若是设置多个导通孔202，则可以更为均匀地分散电流，效果更佳。此外，导通孔202可依据实际需求，而选择均匀间距的分布形式或非均匀间距的分布形式。优选地，导通孔202的形状与第一接触电极41的形状相同。
电流阻挡层38位于第二半导体层23与第二接触电极42之间，电流阻挡层38一方面可以起到阻挡电流朝第二接触电极42下方扩散，减小流向第二接触电极42金属下面有源区的电流密度，从而减小由于第二接触电极42金属吸光、挡光而造成的光损失；另一方面通过电流阻挡层38将电流引导至远离第二接触电极42的区域，减小第二接触电极42附近的电流拥挤，提高出光功率。较佳地，电流阻挡层38与绝缘层36的材料一致。从倒装发光二极管10的上方朝向外延层20俯视，电流阻挡层38的宽度大于第二接触电极42的宽度，电流阻挡层38可以是相对于第二接触电极42的两侧边204分别加宽至少2μm，电流阻挡层38的宽度相对于第二电极的宽度共加宽至少4μm。优选地，电流阻挡层38与第二接触电极42的形状相同。
电流扩展层39形成于第二半导体层23上，并覆盖电流阻挡层38，用于引导电流从第二接触电极42更为均匀地注入到第二半导体层23。在一实施例中，电流扩展层39可采用透明导电材料；通过使用导电性氧化物的电流扩展层39，可以提高倒装发光二极管10芯片的可靠性。
作为示例，透明导电材料可包含铟锡氧化物(indium tin oxide，ITO)、锌铟氧化物(indium zinc oxide，IZO)、氧化铟(indium oxide，InO)、氧化锡(tin oxide，SnO)、镉锡氧化物(cadmium tin oxide，CTO)、锡锑氧化物(antimony tin oxide，ATO)、铝锌氧化物(aluminum zinc oxide，AZO)、锌锡氧化物(zinc tin oxide，ZTO)、氧化锌掺杂镓(galliumdoped zinc oxide，GZO)、氧化铟掺杂钨(tungsten doped indium oxide，IWO)或者氧化锌(zinc oxide，ZnO)，但本公开实施例并非以此为限。
在一实施例中，电流扩展层39可通过沉积制程形成于第二半导体层23之上。作为示例，沉积制程可包含化学气相沉积（chemical vapor deposition ,CVD）、原子层沉积（atomic layer deposition ,ALD）、其他适用的方法或其组合，但本公开实施例并非以此为限。
绝缘层36覆盖外延层20，进一步看，绝缘层36位于第二半导体层23之上、第一半导体层21的台面之上以及外延层20的侧壁之上，且绝缘层36还覆盖至电流扩展层39、第一接触电极41和第二接触电极42，绝缘层36还可以覆盖在外延层20周围的衬底18表面上。绝缘层36具有第一开口361与第二开口362，第一开口361位于第一接触电极41的上方，第二开口362位于第二接触电极42的上方。
绝缘层36根据涉及的位置具有不同的功效，例如覆盖外延层20侧壁用于防止导电材料泄露电连通第一半导体层21和第二半导体层23，减少倒装发光二极管10芯片的短路异常，但本公开实施例并非以此为限。
在一实施例中，绝缘层36的材料包含非导电材料。非导电材料优选地为无机材料或是介电材料。无机材料包含硅胶（Silicone）或玻璃（Glass）。介电材料包含氧化铝（AlO）、氮化硅（SiNx）、氧化硅（SiOx）、氧化钛（TiOx）、或氟化镁（MgFx）可以是电绝缘材料。例如，绝缘层36可以是二氧化硅、氮化硅、氧化钛、氧化钽、氧化铌、钛酸钡或者其组合，其组合例如可以是两种材料重复堆叠形成的布拉格反射镜（DBR）。
第一焊盘51和第二焊盘52位于绝缘层36上，第一焊盘51通过第一开口361电连接第一接触电极41，第二焊盘52通过第二开口362电连接第二接触电极42。第一焊盘51和第二焊盘52的形状可以是方形，但本公实施例并非以此为限；第一焊盘51和第二焊盘52可在同一工艺中利用相同材料一并形成，因此可具有相同的层构造；作为示例，第一焊盘51可以为N焊盘，第二焊盘52可以为P焊盘。
在一实施例中，为缩小倒装发光二极管10的整体尺寸，从倒装发光二极管10的上方朝向外延层20俯视，如图1、图2所示，第一接触电极41与第一焊盘51之间具有一第三最小距离D3，第三最小距离D3大于等于0μm。
在一实施例中，为提升倒装发光二极管10的抗静电能力，从倒装发光二极管10的上方朝向外延层20俯视，如图1、图2所示，第一焊盘51与第二焊盘52之间具有一第四最小距离D4，第四最小距离D4大于等于外延层20的侧边204长度L1的1/3。作为一个更佳的实施方式，所述第四最小距离D4小于200μm，较优地，所述第四最小距离D4可以是大于等于30μm小于等于150μm，例如可以为60~100μm。作为一个替代性的实施方式，从倒装发光二极管10的上方朝向外延层20俯视，第一焊盘51的宽度与第二焊盘52的宽度均小于等于外延层20的侧边204长度L1的1/3。
在一实施例中，从倒装发光二极管10的上方朝向外延层20俯视，如图1、图2所示，第二焊盘52是覆盖到连接部425、部分第一弧形延伸部421以及部分第二弧形延伸部422。
在一实施例中，在避开顶针区域12的情况下，为尽可能地缩小倒装发光二极管10的整体尺寸，从倒装发光二极管10的上方朝向外延层20俯视，如图1、图2所示，第一直线延伸部423远离连接部425的一端与第一焊盘51之间具有一第五最小距离D5，第二直线延伸部424远离连接部425的一端与第一焊盘51之间具有一第六最小距离D6，第五最小距离D5与第六最小距离D6皆大于等于20μm。
在一实施例中，控制第一弧形延伸部421与第二弧形延伸部422的曲率半径可以获得更好的电流扩展，另外抗静电能力和饱和电流也可以得到改善，更考虑倒装发光二极管10芯片的可靠性，第一弧形延伸部421与第二弧形延伸部422的曲率半径均可大于等于25μm，且小于等于50μm。第一弧形延伸部421与第二弧形延伸部422的曲率半径也可以根据电流扩展的均匀性进行调整，例如，二者的曲率半径可以是固定不变的；或是在其延伸方向上逐渐增大的。
在一实施例中，从倒装发光二极管10的上方朝向外延层20俯视，第一弧形延伸部381的末端与第二弧形延伸部382的末端之间的距离小于等于第一弧形延伸部381的曲率半径的2倍。第一弧形延伸部381的末端与第二弧形延伸部382的末端之间的距离可以是等同于第七最小距离D7。
在一实施例中，控制第一直线延伸部423与第二直线延伸部424的直线长度可以获得更好的电流扩展，另外抗静电能力和饱和电流也可以得到改善，更考虑倒装发光二极管10芯片的可靠性，第一直线延伸部423的直线长度与第二直线延伸部424的直线长度均可依据实际需求进行设定。
在一实施例中，倒装发光二极管10呈方型形状，倒装发光二极管10的长度与宽度的比值范围为1:1至1:1.5。优选地，装倒装发光二极管10的整体尺寸小于等于15mil*15mil（宽度*长度）。
请参阅图4至图9，图4至图9是本发明一实施例提供的倒装发光二极管10在制造过程中各阶段的俯视结构示意图。
首先，参照图4，在衬底18上形成包括第一半导体层21、发光层22以及第二半导体层23的外延结构。接着，由第二半导体层23开始蚀刻，直至蚀刻至第一半导体层21，形成导通孔202。此外，可以选择性地去除外延结构的边缘部分，进一步露出衬底18，以便于后续切割等制程。
参照图5，在第二半导体层23上形成电流阻挡层38，以阻挡第二接触电极42与第二半导体层23之间电流的垂直纵向传输。较佳的，电流阻挡层38可以包括起始部385、第一弧形部381、第一直线部383、第二弧形部382以及第二直线部384。如图5所示，起始部385的左右两侧分别连接第一弧形部381与第二弧形部382。第一直线部383连接于第一弧形部381远离起始部385的一端，第二直线部384连接于第二弧形部382远离起始部385的一端，形成类“U”型的电流阻挡层38。第一弧形部381、第一直线部383、第二弧形部382以及第二直线部384均是避开顶针区域12，也就是说，电流阻挡层38是避开顶针区域12。第一弧形部381与第二弧形部382的曲率半径可以是固定的。第一弧形部381与第二弧形部382的曲率半径均还可是大于等于20μm，且小于等于60μm。
参照图6，在电流阻挡层38上形成电流扩展层39，用于扩展电流，提升倒装发光二极管10的可靠性。电流扩展层39上形成有开口，且电流扩展层39的开口大于导通孔202，以漏出第一半导体层21。电流扩展层39的面积可以是小于第二半导体层23的面积。
参照图7，在第一半导体层21上形成第一接触电极41，在电流扩展层39上形成第二接触电极42。第一接触电极41是位于导通孔202内，第二接触电极42是对应于电流阻挡层38的上方，且电流阻挡层38的面积大于第二接触电极42的面积。第二接触电极42是朝向所述第一接触电极41延伸，其包括连接部425、第一弧形延伸部421、第一直线延伸部423、第二弧形延伸部422以及第二直线延伸部424。如图7所示，连接部425的左右两侧分别连接第一弧形延伸部421与第二弧形延伸部422。第一直线延伸部423连接于第一弧形延伸部421远离连接部425的一端，第二直线延伸部424连接于第二弧形延伸部422远离连接部425的一端，形成类“U”型的延伸电极。
参照图8，形成覆盖外延层20、部分第一接触电极41、部分第二接触电极42的绝缘层36。绝缘层36具有第一开口361与第二开口362。第一开口361是位于导通孔202内，其用于露出第一接触电极41，第二开口362位于第二接触电极42上方。
参照图9，在绝缘层36上形成第一焊盘51以及第二焊盘52。第一焊盘51与第二焊盘52是间隔一定距离地设置在绝缘层36上，第一焊盘51通过绝缘层36的第一开口361电连接第一接触电极41，第二焊盘52通过绝缘层36的第二开口362而电连接第二接触电极42。
请参阅图10，图10是本发明另一实施例提供的倒装发光二极管60的俯视结构示意图。如图10所示，相较于图1所示的倒装发光二极管10而言，图10所示的倒装发光二极管60，其外延层20的导通孔202可以是更靠近于外延层20的边缘，避免第一接触电极41过于靠近第二接触电极42。图10所示的倒装发光二极管60与图1所示的倒装发光二极管10的相同部分则不再过多赘述。
请参阅图11，图11是本发明另一实施例提供的倒装发光二极管70的俯视结构示意图。如图11所示，相较于图1所示的倒装发光二极管10而言，图11所示的倒装发光二极管70，其外延层20的导通孔202可以是呈U型形状。图11所示的倒装发光二极管70与图1所示的倒装发光二极管10的相同部分则不再过多赘述。
请参阅图12和图13，图12是本发明另一实施例提供的倒装发光二极管80的俯视结构示意图，图13是图12的尺寸示意图。需要说明的是，图12所示的倒装发光二极管80与图1所示的倒装发光二极管10的相同部分在下文中不再过多叙述。如图12所示，相较于图1所示的倒装发光二极管10而言，图12所示的倒装发光二极管80，其形状更偏于长方形。该倒装发光二极管80的第二接触电极72无需设置第一直线延伸部与第二直线延伸部，其仅包括连接部725、第一弧形延伸部721与第二弧形延伸部722，第一弧形延伸部721与第二弧形延伸部722仍是分别连接于连接部725的左右两侧，形成类半圆形的延伸电极。电流阻挡层68的形状是与第二接触电极72相对应的，其仅包括起始部与分别连接起始部两侧的第一弧形部与第二弧形部。
针对于长方形的倒装发光二极管而言，如芯片尺寸为9mil*12mil等，倒装发光二极管80仅通过两侧弧形延伸部721、722的设置，便可以做到电流扩散均匀，且避免顶针区域12处的接触电极被顶针刺破。
为避免顶针顶破接触电极以及提升电流均匀能力，从倒装发光二极管80的上方朝向外延层20俯视，如图13所示，第一弧形延伸部721靠近第一接触电极71的一端与第二弧形延伸部722靠近第一接触电极711的一端之间具有一第八最小距离D8，第八最小距离D8大于70μm。换言之，第一弧形延伸部721的延伸末端与第二弧形延伸部722的延伸末端之间的距离大于70μm。
为更好的避免顶针顶破接触电极以及提升电流均匀能力，从倒装发光二极管80的上方朝向外延层20俯视，如图13所示，第一弧形延伸部721的弧长S1大于等于第八最小距离D8的π/5，且小于等于第八最小距离D8的π/3。第二弧形延伸部722的弧长S2大于等于第八最小距离D8的π/5，且小于等于第八最小距离D8的π/3。优选地，第一弧形延伸部721的弧长S1等同于第二弧形延伸部722的弧长S2，且约等于第八最小距离D8的π/4。第八最小距离D8可以是等同于第七最小距离D7。
所述第一弧形延伸部721的弧长S1是指第一弧形延伸部721的凸边7211与其凹边7212之间的中心弧形线7213（图13中以虚线表示）的弧长。所述第二弧形延伸部722的弧长S2是指第一弧形延伸部722的凸边7221与其凹边7222之间的中心弧形线7223（图13中以虚线表示）的弧长。
较优地，中心弧形线7213与中心弧形线7223是位于相同的一个圆上，将该圆定义为第一圆。也就是说，第一弧形延伸部721的凸边7211与第二弧形延伸部722的凸边7221是位于相同的一个圆上，将该圆定义为第二圆；第一弧形延伸部721的凹边7212与第二弧形延伸部722的凹边7222是位于相同的一个圆上，将该圆定义为第三圆。所述第一圆、第二圆以及第三圆是同心圆，具有相同的圆心。
本实施例提供一种发光装置，该发光装置采用上述任意实施例提供的倒装发光二极管10、60、70、80，其具体结构与技术效果不再赘述。
较佳的，倒装发光二极管应用于背光显示或者RGB显示屏，小尺寸的倒装发光二极管以数百颗或者数千颗或者数万颗的数量集成式的安装在应用基板或者封装基板上，形成背光显示装置或者RGB显示装置的发光光源部分。补充说明的是，由于光刻胶的差异等因素的影响，本发明所述的直线并非一定是笔直的直线，亦包含了在实施制作中可能会出现直线边略微鼓起或弯曲等状态的情形；本发明所述的弧形并非一定是一个圆上的弧形，亦包含了在实施制作中可能会出现弧形边略微鼓起或弯曲等状态的情形。
综上所述，本发明提供的一种倒装发光二极管10，通过两侧弧形延伸部与直线延伸部的设置，不仅能够更好的扩展电流使电流扩散均匀，还可避免顶针区域12处的接触电极被顶针刺破，进而提高了整体的发光亮度和可靠性。
另外，本领域技术人员应当理解，尽管现有技术中存在许多问题，但是，本发明的每个实施例或技术方案可以仅在一个或几个方面进行改进，而不必同时解决现有技术中或者背景技术中列出的全部技术问题。本领域技术人员应当理解，对于一个权利要求中没有提到的内容不应当作为对于该权利要求的限制。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (18)

1.一种倒装发光二极管，包括：
外延层，包括依次层叠的第一半导体层、发光层和第二半导体层；
第一接触电极，位于所述外延层之上，所述第一接触电极电连接于所述第一半导体层；
第二接触电极，位于所述外延层之上，所述第二接触电极电连接于所述第二半导体层；
绝缘层，位于所述第一接触电极和所述第二接触电极之上，所述绝缘层还包括第一开口和第二开口，所述第一开口露出所述第一接触电极的部分表面，所述第二开口露出所述第二接触电极的部分表面；
第一焊盘，位于所述绝缘层上，所述第一焊盘通过所述第一开口电连接所述第一接触电极；
第二焊盘，位于所述绝缘层上，所述第二焊盘通过所述第二开口电连接所述第二接触电极；
其中，所述第二接触电极为U型电极，所述第二焊盘覆盖部分的所述第二接触电极。
2.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第二接触电极包括连接部和与所述连接部连接的延伸部，所述第二焊盘覆盖所述连接部和部分所述延伸部。
3.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第一焊盘包括最靠近所述第二焊盘的第一边和最远离所述第二焊盘的第二边，所述第一边与所述第一接触电极之间的距离小于所述第二边与所述第一接触电极之间的距离。
4.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第二接触电极包括连接部、第一弧形延伸部和第二弧形延伸部，所述连接部的两侧分别连接所述第一弧形延伸部与所述第二弧形延伸部。
5.根据权利要求4所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第一弧形延伸部的曲率半径与所述第二弧形延伸部的曲率半径均大于等于25μm。
6.根据权利要求4 所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第二接触电极还包括第一直线延伸部以及第二直线延伸部，所述第一直线延伸部连接于所述第一弧形延伸部远离所述连接部的一端，所述第二直线延伸部连接于所述第二弧形延伸部远离所述连接部的一端。
7.根据权利要求6所述的倒装发光二极管，其特征在于：从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第一直线延伸部靠近所述第一接触电极的一端与所述第二直线延伸部靠近所述第一接触电极的一端之间具有一第七最小距离，所述第七最小距离大于70μm。
8.根据权利要求6所述的倒装发光二极管，其特征在于：从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第一直线延伸部与所述外延层的侧边之间具有一第一最小距离，所述第一最小距离大于等于10μm，所述第二直线延伸部与所述外延层的侧边之间具有一第二最小距离，所述第二最小距离大于等于10μm。
9.根据权利要求6所述的倒装发光二极管，其特征在于：从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第一直线延伸部远离所述连接部的一端与所述第一焊盘之间具有一第五最小距离，所述第二直线延伸部远离所述连接部的一端与所述第一焊盘之间具有一第六最小距离，所述第五最小距离与所述第六最小距离皆大于等于20μm。
10.根据权利要求2所述的倒装发光二极管，其特征在于：从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述连接部的中心点与所述第一接触电极的中心点的连线是平行于所述外延层的至少一个侧边。
11.根据权利要求6所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述外延层的相对两个侧边的中心点的连线穿过所述第一直线延伸部和所述第二直线延伸部。
12.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第一焊盘与所述第二焊盘之间具有一第四最小距离，所述第四最小距离小于200μm。
13.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第一焊盘的宽度与所述第二焊盘的宽度均小于等于所述外延层的侧边长度的1/3。
14.根据权利要求4所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第一弧形延伸部的末端与所述第二弧形延伸部的末端之间的距离小于等于所述第一弧形延伸部的曲率半径的2倍。
15.根据权利要求6所述的倒装发光二极管，其特征在于：从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第一直线延伸部平行于所述第二直线延伸部，且平行于所述外延层的至少一个侧边。
16.根据权利要求4所述的倒装发光二极管，其特征在于：从所述倒装发光二极管的上方朝向所述外延层俯视，所述第一弧形延伸部靠近所述第一接触电极的一端与所述第二弧形延伸部靠近所述第一接触电极的一端之间具有一第八最小距离，所述第八最小距离大于70μm。
17.根据权利要求4所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述第一弧形延伸部的弧长与所述第二弧形延伸部的弧长皆大于等于π/5倍的所述第八最小距离，且皆小于等于π/3倍的所述第八最小距离。
18.根据权利要求1所述的倒装发光二极管，其特征在于：所述倒装发光二极管的整体尺寸小于等于15mil*15mil，所述倒装发光二极管呈方型形状，所述倒装发光二极管的长度与宽度的比值范围为1:1至1:1.5。
CN202310059389.6A 2021-09-13 2021-09-14 倒装发光二极管及发光装置 Pending CN116169223A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111070808 2021-09-13
CN2021110708083 2021-09-13
CN202111076880.7A CN113809214B (zh) 2021-09-13 2021-09-14 倒装发光二极管及发光装置

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111076880.7A Division CN113809214B (zh) 2021-09-13 2021-09-14 倒装发光二极管及发光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN116169223A true CN116169223A (zh) 2023-05-26

Family

ID=78940977

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111076880.7A Active CN113809214B (zh) 2021-09-13 2021-09-14 倒装发光二极管及发光装置
CN202310059389.6A Pending CN116169223A (zh) 2021-09-13 2021-09-14 倒装发光二极管及发光装置

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111076880.7A Active CN113809214B (zh) 2021-09-13 2021-09-14 倒装发光二极管及发光装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20230078225A1 (zh)
CN (2) CN113809214B (zh)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN116666519A (zh) * 2022-09-30 2023-08-29 泉州三安半导体科技有限公司 发光二极管及发光装置

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6458463B2 (ja) * 2013-12-09 2019-01-30 日亜化学工業株式会社 発光素子
KR102624112B1 (ko) * 2018-10-23 2024-01-12 서울바이오시스 주식회사 플립칩형 발광 다이오드 칩
CN212365983U (zh) * 2020-05-12 2021-01-15 杭州士兰明芯科技有限公司 一种倒装发光二极管芯片
CN112164742B (zh) * 2020-09-21 2022-07-19 天津三安光电有限公司 一种发光二极管
CN112635632B (zh) * 2020-12-31 2022-09-20 深圳第三代半导体研究院 发光二极管及其制造方法
CN113363364B (zh) * 2021-04-29 2022-09-09 厦门三安光电有限公司 一种发光二极管、光电模块及显示装置
CN116565090A (zh) * 2021-01-25 2023-08-08 厦门三安光电有限公司 一种发光二极管、光电模块及显示装置
CN112928188B (zh) * 2021-01-25 2022-02-11 厦门三安光电有限公司 一种发光二极管、光电模块及显示装置

Also Published As

Publication number Publication date
US20230078225A1 (en) 2023-03-16
CN113809214B (zh) 2023-02-28
CN113809214A (zh) 2021-12-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9620682B2 (en) Light emitting device
US9812626B2 (en) Light emitting device
EP2378572B1 (en) Electrode configuration for a light emitting device
US20140183573A1 (en) Light emitting device
CN111433921B (zh) 一种发光二极管
CN113809214B (zh) 倒装发光二极管及发光装置
CN115663086A (zh) 发光二极管及发光装置
KR102477250B1 (ko) 발광 소자
CN114256398B (zh) 发光二极管及发光装置
US20230033196A1 (en) Light-emitting diode, light-emitting module, and display device
KR102441153B1 (ko) 발광 소자
CN114068775A (zh) 一种倒装led芯片、led封装模组及显示装置
CN115832143A (zh) 倒装发光二极管和发光装置
CN114050209B (zh) 发光二极管
CN115295698B (zh) 发光二极管及发光装置
CN220585245U (zh) 倒装发光二极管及发光装置
US20230007967A1 (en) Light emitting diode device
KR20240046064A (ko) 발광 디바이스, 백라이트 유닛 및 이를 갖는 디스플레이 장치
CN117133845A (zh) 发光元件及发光模块
CN117810338A (zh) 发光元件及具有此发光元件的背光单元及显示装置
CN114284410A (zh) 一种发光二极管、发光模块及显示装置
KR20230026248A (ko) 발광소자
CN117153978A (zh) 一种发光二极管及发光装置
CN117525238A (zh) 一种发光芯片结构及其制作方法和发光背板
CN117712259A (zh) 发光二极管及发光装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination