JP2005347493A - 半導体発光素子 - Google Patents

Abstract

【課題】 半導体発光素子の光取り出し効率の向上及び低コスト化を容易に達成できなかった。
【解決手段】 発光機能を有する主半導体領域（２）を支持するための導電性を有する半導体基板（１）の底面に凸部（８）と凹部（７）とを設ける。主半導体領域（２）の主面の中央部分に第１の電極（３）を配置する。半導体基板（１）の下面に第２の電極（４）を配置する。平面的に見て第１の電極（３）を囲むように半導体基板（１）の凸部（８）を決定する。半導体基板（１）の外周側部分の厚みを凸部８を有する中央部分よりも薄くする。
【選択図】 図１

Description

本発明は、表示器又はランプ等に使用するための半導体発光素子に関する。

従来の代表的な半導体発光素子は、半導体基板と、この半導体基板の上に配置された発光機能を有する主半導体領域と、主半導体領域の一方の主面に接続された第１の電極と、半導体基板に接続された第２の電極とを備えている。主半導体領域は周知のようにｎ型クラッド層と呼ばれているｎ型半導体層と活性層とｐ型クラッド層と呼ばれているｐ型半導体層とから成る。主半導体領域で発生した光は第１の電極が形成されている主半導体領域の一方の主面側に取り出される。一方の主面側からの光の取り出し量を多くするために第１の電極は第１の主面の中央部分に配置される。また、後記特許文献１に示すように透明電極を設ける場合には、透明電極の中央部分にボンディング用電極を配置する。

ところで、半導体発光素子に対して、（１）光取り出し効率の向上、（２）低コスト化、（３）放熱性向上、（４）順方向電圧の低減等の要求がある。
光取り出し効率を高めるために、特許文献１に電流ブロック層を設けることが開示されている。電流ブロック層は周知のように半導体発光素子の外周側部分の電流を増大させる機能を有し、光取り出し効率の向上に寄与する。しかし、電流ブロック層は発光半導体領域の表面側の半導体層（例えばｐ型クラッド層）と異なる導電型の半導体又は絶縁材料で形成されるために、特別な工程が必要になり、必然的にコストが高くなる。
特開平１１−４０２０号公報

従って、本発明が解決しようとする問題点は、従来技術によって光取り出し効率の向上と低コスト化と放熱性向上とを同時に達成することが困難なことである。そこで、本発明の目的は、上記問題点を解決することができる半導体発光素子を提供することにある。

上記課題を解決することができる本発明は、互いに対向する第１及び第２の主面を有する半導体基板と、一方の主面とこの一方の主面に対向し且つ前記半導体基板の前記第１の主面上に配置された他方の主面とを有し且つ発光機能を有している主半導体領域と、前記主半導体領域の前記一方の主面に接続され且つ前記一方の主面の中央部分に配置された第１の電極と、前記半導体基板の前記第２の主面に接続された第２の電極とを備えた半導体発光素子であって、前記半導体基板の前記第２の主面の前記第１の電極に対向する部分に凸部が設けられ、前記第２の電極は前記第２の主面の前記凸部の表面と前記凸部を囲む凹部との両方に形成されていることを特徴とする半導体発光素子に係わるものである。

なお、請求項２に示すように、前記半導体基板の前記第２の主面の前記凹部の底面が傾斜面又は階段状面に形成され、前記半導体基板の厚みが前記凸部から周縁に向って徐々に又は階段状に薄くなっていることが望ましい。
また、請求項３に示すように、更に、前記主半導体領域の前記一方の主面に配置され且つ前記第１の電極に接続された光透過性導電層を有していることが望ましい。
また、請求項４に示すように、更に、前記半導体基板と前記主半導体領域との間に配置された介在層を有し、前記介在層は前記主半導体領域で発生した光を反射する機能及び前記第１及び第２の電極間の電流通路を形成する機能を有していることが望ましい。
また、請求項５に示すように、前記半導体基板は化合物半導体又はシリコン半導体から成り、前記主半導体領域は化合物半導体から成ることが望ましい。

各請求項の発明によれば次の効果が得られる。
（１） 半導体基板の凸部が第１の電極に対向しているので、第１及び第２の電極の間隔が凸部の分だけ大きくなり、凸部が電流ブロック層として機能する。このため、主半導体領域中の第１の電極に対向する発光機能を有する部分に流れる電流が抑制される。もし、第１の電極に対向する凸部を従来の電流ブロック層と同程度の電流阻止機能を有するように構成した場合には、従来の第１の電極側に設けた特別な材料からなる電流ブロック層が不要になり、特別な材料によって電流ブロック層を形成するための特別な工程が不要になり、半導体発光素子の低コスト化を図ることができる。
（２） 第２の電極は半導体基板の第２の主面の凸部とこの凸部を囲む凹部との両方に形成されているので、良好な放熱性を得ることができ、且つ取付部材に対する電気的及び機械的結合を良好に達成することができる。
（３） 半導体基板の凸部の形成されていない部分は必然的に薄くなり、ここでの順方向電圧の降下、及び熱抵抗が小さくなる。

次に、図１〜図７を参照して本発明の実施形態を説明する。

図１〜図２に示す実施例１に従う半導体発光素子としての発光ダイオードは、例えば３−５族化合物半導体の１種であるＧａＡｓ（ガリウム砒素）から成る半導体基板１と、発光機能を有している主半導体領域２と、第１の電極３と、第２の電極４とから成る。

半導体基板１は、主半導体領域２のエピタキシャル成長のための基板としての機能、主半導体領域２を機械的に支持するための機能、及び第１及び第２の電極３、４間の電流通路としての機能を有する。この半導体基板１の第１の主面５は平坦面であるが、第１の主面５に対向する第２の主面６は凹部７と凸部８とを有する。半導体基板１の凹部７をエッチングで形成する前の厚さ即ち凸部８の部分における厚さＤは好ましくは約２５０〜５００μｍの範囲に設定され、この実施例では３００μｍとされている。半導体基板１の第２の主面６の凹部７及び凸部８のパターン及びこの形成方法の詳細は後述する。

主半導体領域２は、発光機能を有するものであって、一般にｎ型クラッド層と呼ばれているｎ型半導体層９と、活性層１０と、一般にｐ型クラッド層と呼ばれているｐ型半導体層１１と、電流拡散機能又はオーミックコンタクト機能又はこれ等の両方を有する補助半導体層１２とを有している。従って、ｎ型半導体層９と活性層１０とｐ型半導体層１１とによってダブルヘテロ構造の周知の発光機能層が構成されている。なお、１つの層で示されている活性層１０を障壁層と井戸層とを交互に複数回繰返して配置した構成の多重量子井戸構造、又は障壁層を対の井戸層で挟んだ構成の単一量子井戸構造等に変形することができる。ｎ型半導体層９、活性層１０、ｐ型半導体層１１、及び補助半導体層１２は半導体基板１の上に順次にエピタキシャル成長させたものであって、半導体基板１の第１の主面５に対してそれぞれ平行に配置されている。従って、主半導体領域２の一方の主面１３も半導体基板１の第１の主面５に対して平行であり、主半導体領域２の他方の主面１４は半導体基板１の第１の主面５に隣接している。この実施例においては、ｎ型半導体層９がｎ型のＩｎＡｌＰ、活性層１０がＧａＡｌＰ、ｐ型半導体層１１がｐ型のＩｎＡｌＰ、補助層がｐ型のＧａＡｓであるが、これ等の代りに別の３−５族化合物半導体を使用することができる。なお、主半導体領域２から補助半導体層１２を省くこと、及び主半導体領域２に更に別の機能を有する半導体層を追加することができる。

第１及び第２の電極３、４間に順方向電圧を印加した時に主半導体領域２の活性層１０から光が放射され、これが一方の主面１３から取り出される。主半導体領域２の各層９、１０、１１、１２及び半導体基板１は活性層１０から発生した光に対して透過性を有する。

第１の電極３はアノード電極及びボンディングパッド電極として機能するものであって、主半導体領域２の一方の主面１３の中央部分に配置され、補助半導体領域１２にオーミック接触している。即ち、主半導体領域２を図１で鎖線で区画して示されている中央部分１５の上に第１の電極３が配置されている。この第１の電極３は例えば金、又はニッケルと金の蒸着等で形成され、且つ活性層１０で発生した光を透過させない厚みを有する。主半導体領域２の第１の電極３で覆われていない外周側部分１６は活性層１０で発生した光を外部に取り出すために有効な部分である。即ち、活性層１０から一方の主面１３側に向って放射された光は一方の主面１３の第１の電極３の無い部分から取り出され、活性層１０から他方の主面１４側に放射された光の少なくとも一部は半導体基板１及び第２の電極４との一方又は両方で反射して一方の主面１３側に戻り、外部に取り出される。また、半導体基板１及び主半導体領域２の側面で反射した光の一部も一方の主面１３側に戻り、外部に取り出される。なお、図１では半導体基板１及び主半導体領域２の側面が一方の主面１３に対して垂直に示されているが、これ等の一方又は両方を傾斜側面とすることができる。

半導体基板１の第２の主面６の凸部８は第１の電極３に対向する位置に設けられ、図２から明らかなように平面的に見て、即ち一方の主面１３の垂直上方から一方の主面１３側を見た状態で第１の電極３の全部を囲むように同心円状に形成されている。凸部８は主半導体領域２の形成工程の後又は前において、半導体基板１を選択的にエッチングすることによって形成されている。第２の主面６の凸部８の外周側は凹部７になっている。半導体基板１の凸部８の高さＤ１は、半導体基板１の厚さＤの好ましくは１〜８０％、より好ましくは２〜５０％、更に好ましくは５〜２０％であり且つ好ましくは１〜２００μｍ、より好ましくは２〜１００μｍ、更に好ましくは３〜５０μｍである。また、第２の主面６の面積Ｓに対する凸部８の面積Ｓ1 の比Ｓ1 ／Ｓは好ましくは１０〜６０％、より好ましくは２０〜５０％である。凸部８の高さＤ1 が高くなり過ぎると必然的に凹部７が深くなり過ぎて半導体基板１の強度が低下する。

図１から明らかなように第１の電極３から凸部８を覆う第２の電極４までの第１の最短距離Ｌ1 は、第１の電極３から凹部７を覆う第２の電極４までの第２の最短距離Ｌ2 よりも長い。このため、第１の最短距離Ｌ1 の電流通路（単位断面積の通路）の抵抗値Ｒ1 は、第２の最短距離Ｌ2 の電流通路（単位断面積の通路）の抵抗値Ｒ2 よりも大きい。従って、第１の最短距離Ｌ1 の電流通路は第２の最短距離Ｌ2 の電流通路よりも電流が流れ難くなり、図１の主半導体領域２の中央部分１５における活性層１０にも電流が流れ難くなり、第１及び第２の電極３、４間の順方向電流の大部分が外周側部分１６の活性層１０を通って流れる。

この実施例では、平面的に見て第１の電極３を囲むパターンを有する凸部８の面積は第１の電極３の面積よりも大きい。第１の電極３の面積Ｓ₃ と電流ブロック機能を有する凸部８の面積Ｓ₈との比Ｓ₃ ／Ｓ₈は１／１０〜１／１程度に設定される。但し、電流ブロック機能を良好に得るために、Ｓ₃／Ｓ₈を1／１０〜２／３にすることがより望ましい。また、第１の電極３を形成する時に生じる虞があるマスクずれ、及び凹部７をエッチングによって形成する時に生じる虞があるのマスクずれに基づく第１の電極３と凸部８との対向関係の悪化を防ぐために、Ｓ₃／Ｓ₈を２／３〜４／５にすることがより望ましい。しかし、Ｓ₃ ／Ｓ₈が１よりも大きい場合でも凸部８による電流制限の効果が得られる。また、この実施例では平面的に見て第１の電極３に対向する部分の全てに凸部８が位置しているが、何らかの目的のために第１の電極３に対向する第２の主面６に凸部８のみでなく凹部７の一部を配置することもできる。

第２の電極４は半導体基板１の凹部７と凸部８との両方即ち第２の主面６の全部を覆い且つここにオーミック接触している。この第２の電極４は、金、又は金とゲルマニウム、又は金とゲルマニウムとニッケル等のオーミック接触可能な金属の蒸着又はメッキ又は導電性材料の塗布等で形成され、平坦な下面を有する。

上述から明らかなように実施例１は次の効果を有する。
（１） 半導体基板１の凸部８が平面的に見て第１の電極３を囲むように形成されているので、電流ブロック機能を有する。従って、電流ブロック機能を特別な材料を使用した製造工程を伴なわないで得ることができ、従来の独立した電流ブロック層を有する半導体発光素子に比べてコストの低減を図ることができる。
（２） 半導体基板１の第２の主面６に凹部７が形成されてこの部分で半導体基板１が薄くなっており且つ第２の電極４が半導体基板１の第２の主面６の実質的に全面に形成されているので、第１及び第２の電極３、４間の順方向電圧が低減する。
（３） 凹部７に半導体基板１の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する第２の電極４が埋め込まれているので、主半導体領域２と第２の電極４の下面との間の熱抵抗が低減し、大電流化による輝度向上を図ることができる。また、電流の大きさが従来と同一の場合には、半導体発光素子の長寿命化を図ることができる。

次に、図３を参照して実施例２の半導体発光素子を説明する。実施例２の半導体発光素子は、実施例１の半導体発光素子の半導体基板１の第２の主面６の形状を図３に変形した他は実施例１と同一に形成したものである。従って、実施例２を示す図３、及び後述する実施例３〜６を示す図４〜図７において図１及び図２と実質的に同一の部分には同一の符号を付してその説明を省略する。

図３の変形された半導体基板１aは図１と同様に凸部８を第２の主面６側に有し、この外周側に凹部７を有するが、この凹部７の底面が傾斜している。即ち、半導体基板１aの凸部８と凹部７とを含む領域は、椀型で形成されている。従って、半導体基板１aの厚みは中央の凸部８から外周側に向うに従って徐々に薄くなっている。この傾斜底面を有する凹部７はエッチング又は切削によって形成できる。なお、図３の実施例２の場合には図３の実施例２の場合には半導体基板１a及び主半導体領域２の平面形状を円形にすることが望ましい。

図３の実施例２は、凸部８を有するので図１の実施例１と同一の効果を有し、更に、半導体基板１aの厚みが外周側に向うに従って徐々に薄くなるので、活性層１０の外周部分１６に属する領域の電流分布の均一性を高めることができるという効果も有する。

図４の実施例３の半導体発光素子は、変形された半導体基板１ｂを有する他は図１と同一に形成されている。図４の半導体基板１ｂは図１及び図３と同様に凸部８を有し且つ凹部７も有する。しかし、図４の凹部７は半導体基板１ｂの厚みが凸部８から外側端に向って階段状に薄くなっている。この階段状底面を有する凹部７は複数回のエッチング又は切削によって形成できる。

実施例３は凸部８を有するので実施例１と同一の効果を有する。また、実施例３の半導体基板１ｂの厚みが外周端に向って薄くなっているので、実施例２と同様な効果、即ち活性層１０の外周部分１６に属する領域の電流分布が均一になる効果を得ることができる。

図５に示す実施例４の半導体発光素子は、実施例１の半導体基板１の材料と主半導体領域２の材料及び構成を変形し、この他は実施例１と同一に構成したものである。

図５の変形された半導体基板１ｃは導電性を有するｐ型シリコン基板から成る。シリコン半導体基板１ｃは、この上にｎ型バッファ領域６０が配置されているにも拘らず、これとは逆の導電型を有している。このシリコン半導体基板１ｃにはｐ型不純物即ちアクセプタ不純物として機能する例えばＢ（ボロン）等の３族の元素が例えば５×１０¹⁸ｃｍ^-3〜５×１０¹⁸ｃｍ^-3程度の濃度でドーピングされている。従って、シリコン半導体基板１ｃは、０．０００１Ω・ｃｍ〜０．０１Ω・ｃｍ程度の低い抵抗率を有している導電性基板であって、第１及び第２の電極３、４間の電流通路として機能する。また、このシリコン半導体基板１ｃは、この主半導体領域２ａ等の機械的支持基板として機能することができる厚み、例えば３５０ｎｍを有する。

この実施例の主半導体領域２ａはバッファ層６０とｎ型半導体領域９ａと活性層１０ａとｐ型半導体領域１１ａと補助半導体領域１２ａとから成る。なお、バッファ層６０を主半導体領域２ａから除外して独立に示すこともできる。

ｐ型シリコン半導体基板１ｃの上に配置されたｎ型バッファ層６０は、ｎ型不純物（ドナー不純物）を含み且つ３族の元素と窒素とから成るｎ型窒化物半導体、例えば化学式Ａｌ_aＩｎ_bＧａ_1-a-bＮ、ここでａ及びｂは０≦ａ＜１、０≦ｂ＜１、を満足する数値、で示されるｎ型窒化物半導体から成る。ｐ型シリコン半導体基板１ｃに３族元素を含んでいるｎ型窒化物半導体をエピタキシャル成長させてｎ型バッファ領域６０を形成すると、ｎ型バッファ層６０の３族元素がｐ型シリコン半導体基板１ｃに拡散して３族元素拡散領域が生じる。この３族元素拡散領域はｐ型シリコン半導体基板１ａの３族元素拡散領域が形成されていない部分よりも低い抵抗率のｐ型半導体領域である。

バッファ領域６０は、主としてシリコン半導体基板１ｃの面方位をこの上にエピタキシャル成長法で形成する窒化物半導体領域に良好に受け継がせるためのバッファ機能を有する。このバッファ機能を良好に発揮するために、バッファ層６０は１０ｎｍ以上の厚さを有していることが望ましい。但し、バッファ層６０のクラックを防止するために、バッファ層６０の厚みを５００ｎｍ以下にするのが望ましい。

バッファ層６０とシリコン半導体基板１ｃとの境界領域に、図示が省略されている合金化領域又は障壁低減領域が生じる。これにより、ｐ型シリコン半導体基板１ｃとｎ型バッファ層６０との間の電圧降下は比較的小さい。即ち、ｎ型シリコン半導体基板の上にｎ型バッファ層６０を形成する場合よりも電圧降下が小さくなる。

主半導体領域２ａのｎ型半導体層９ａは、例えば化学式Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_1-x-y Ｎ、ここでｘ及びｙは０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、を満足する数値、で示される窒化物半導体にｎ型不純物をドーピングしたもので形成される。この実施例ではｎ型半導体層９ａが化学式のｘ＝０、ｙ＝０に相当するｎ型ＧａＮから成り、厚さ約２μｍを有する。

活性層１０ａは、例えば化学式Ａｌ_xＩｎ_yＧａ_1-x-yＮ、ここでｘ及びｙは０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、を満足する数値、で示される窒化物半導体で形成される。この実施例では活性層１０ａが窒化ガリウム、インジウム（ＩｎＧａＮ）で形成されている。なお、図５では活性層１０ａが１つの層で概略的に示されているが、実際には周知の多重量子井戸構造を有している。勿論、活性層１０ａを１つの層で構成することもできる。また、この実施例では活性層１０ａに導電型決定不純物がドーピングされていないが、ｐ型又はｎ型不純物をドーピングすることができる。

活性層１０ａの上に配置されたｐ型半導体層１１ａは、例えば化学式Ａｌ_x Ｉｎ_yＧａ_1-x-yＮ、ここでｘ及びｙは０≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１、を満足する数値、で示される窒化物半導体にｐ型不純物をドーピングしたもので形成され、ｐ型クラッド層として機能する。この実施例では、ｐ型導体層１１ａが厚さ５００ｎｍのｐ型ＧａＮで形成されている。
ｐ型半導体層１１ａの上の補助半導体層１２ａは、ｐ型半導体層１１ａよりも不純物濃度が高いｐ型ＧａＮから成る。

図５の実施例においても、シリコン半導体基板１ｃの第２の主面６及び第２の電極４が実施例１と同一のパターンに形成されているので、実施例１と同一の効果を得ることができる。
なお、図５のシリコン半導体基板１ｃの第２の主面６のパターンを図３及び図４に示すように変形することができる。また、ｐ型シリコン半導体基板１ｃの代りにｎ型シリコン半導体基板を使用することもできる。

図６の実施例５の半導体発光素子は図１に反射機能を有する介在層７０を付加し、この他は図１と同一に構成したものである。この介在層７０はｎ型半導体層９と半導体基板１との間に配置された周知のブラッグ（Ｂｒａｇｇ）反射領域であって、例えばＧａＡｓ膜とＩｎＡｌＰ膜とのペアの複数から成る。この介在層７０は活性層１０から下方に放射された光を上方に反射する機能を有する。また、介在層７０は導電性を有するので、第１及び第２の電極３、４間の電流通路を形成する。
なお、介在層７０を金属反射層に置き換えることができる。この場合には主半導体領域の下面に金属反射層を予め形成し、この金属反射層に対して半導体基板１を周知の方法で貼り付ける。

図６の実施例５においても、半導体基板１及び第２の電極４が図１と同一に形成されているので、実施例１と同一の効果を得ることができる。また、実施例５によれば反射機能を有する介在層７０の働きで光取り出し効率を向上させることができる。
なお、図６の介在層７０又はこれと同様なものを、図３、図４、及び図５の実施例にも適用することができる。

図７に示す実施例６の半導体発光素子は、図１に光透過性導電層３ａを追加し、この他は図１と同一に形成したものである。

光透過性導電層３ａは一般に透明電極と呼ばれるものであって、主半導体領域２の一方の主面１３の全体に配置され且つ第１の電極３に電気的に接続されている。光透過性導電層３ａは例えば酸化イジュウム（Ｉｎ₂Ｏ₃）と酸化錫（ＳｎＯ₂）との混合物から成り、活性層１０から放射された光を透過させる機能を有すると共に導電性を有する。従って、光透過性導電層３ａは主半導体領域２の外周側部分１６の電流の増大に寄与する。
なお、図７の光透過性導電層３ａを図３、図４、図５及び図６の実施例にも適用することができる。

本発明は上述の実施例に限定されているものではなく、例えば次の変形が可能なものである。
（１） 半導体基板１〜１ｃの第２の主面６に中央の凸部８の他に半導体基板１〜１ｃの第２の主面６の配置の安定性向上等のための別の凸部を設けることができる。
（２） 半導体基板１〜１ｃ及び主半導体領域２〜２aの導電型を各実施例と逆にすることができる。

本発明の実施例１の半導体発光素子を図２のＡ−Ａ線で示す段面図である。 図１の半導体基板の底面図である。 本発明の実施例２の半導体発光素子を図１と同様に示す断面図である。 本発明の実施例３の半導体発光素子を図１と同様に示す断面図である。 本発明の実施例４の半導体発光素子を図１と同様に示す断面図である。 本発明の実施例５の半導体発光素子を図１と同様に示す断面図である。 本発明の実施例６の半導体発光素子を図１と同様に示す断面図である。

符号の説明

１、 １ａ 半導体基板
２、 ２ａ 主半導体領域
３ 第１の電極
４ 第２の電極
５ 第１の主面
６ 第２の主面
７ 凹部
８ 凸部
１３ 一方の主面
１４ 他方の主面
１５ 中央部分
１６ 外周側部分

Claims (5)

1. 互いに対向する第１及び第２の主面を有する半導体基板と、
   一方の主面とこの一方の主面に対向し且つ前記半導体基板の前記第１の主面上に配置された他方の主面とを有し且つ発光機能を有している主半導体領域と、
   前記主半導体領域の前記一方の主面に接続され且つ前記一方の主面の中央部分に配置された第１の電極と、
   前記半導体基板の前記第２の主面に接続された第２の電極と
   を備えた半導体発光素子であって、
   前記半導体基板の前記第２の主面の前記第１の電極に対向する部分に凸部が設けられ、
   前記第２の電極は前記第２の主面の前記凸部の表面と前記凸部を囲む凹部との両方に形成されていることを特徴とする半導体発光素子。
2. 前記半導体基板の前記第２の主面の前記凹部の底面が傾斜面又は階段状面に形成され、前記半導体基板の厚みが前記凸部から周縁に向って徐々に又は階段状に薄くなっていることを特徴とする請求項１記載の半導体発生素子。
3. 更に、前記主半導体領域の前記一方の主面に配置され且つ前記第１の電極に接続された光透過性導電層を有していることを特徴とする請求項１又は２記載の半導体発光素子。
4. 更に、前記半導体基板と前記主半導体領域との間に配置された介在層を有し、前記介在層は前記主半導体領域で発生した光を反射する機能及び前記第１及び第２の電極間の電流通路を形成する機能を有していることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の半導体発光素子。
5. 前記半導体基板は化合物半導体又はシリコン半導体から成り、前記主半導体領域は化合物半導体から成ることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の半導体発光素子。

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