CN114420817A - 发光器件及其制备方法、显示面板 - Google Patents

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CN114420817A CN202210066934.XA CN202210066934A CN114420817A CN 114420817 A CN114420817 A CN 114420817A CN 202210066934 A CN202210066934 A CN 202210066934A CN 114420817 A CN114420817 A CN 114420817A
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Abstract

本申请提供了一种发光器件及其制备方法、显示面板，发光器件包括：衬底，以及衬底上的第一发光结构、第二发光结构、第一反射层、第二反射层、第一电极、第二电极和第三电极；第一电极与第一发光结构电连接，第一电极通过第二电极与第二发光结构电连接，第三电极与第二发光结构电连接；第一反射层位于第一电极和第一发光结构之间，第一电极在衬底上的正投影的至少部分区域位于第一反射层在衬底上的正投影内；第二反射层包括第一反射部分、第二反射部分和第三反射部分中的至少一部分，第二电极在衬底上的正投影的至少部分区域位于第二反射层在衬底上的正投影内。本申请的技术方案可提高发光器件的发光效率。

Description

发光器件及其制备方法、显示面板
技术领域
本申请涉及显示技术领域，尤其涉及一种发光器件及其制备方法、显示面板。
背景技术
相关技术中，发光二极管(Light-Emitting Diode，LED)的发光效率比较低。因此，如何提高LED的发光效率是需要解决的一个技术问题。
发明内容
本申请实施例提供一种发光器件及其制备方法、显示面板，以解决相关技术存在的问题，技术方案如下：
第一方面，本申请实施例提供了一种发光器件，包括：衬底，以及衬底上的第一发光结构、第二发光结构、第一反射层、第二反射层、第一电极、第二电极和第三电极；
第一电极与第一发光结构电连接，第一电极通过第二电极与第二发光结构电连接，第三电极与第二发光结构电连接；
第一反射层位于第一电极和第一发光结构之间，第一电极在衬底上的正投影的至少部分区域位于第一反射层在衬底上的正投影内；
第二反射层包括第一反射部分、第二反射部分和第三反射部分中的至少一部分，第一反射部分位于第二电极与第二发光结构之间，第二反射部分位于第二电极与衬底之间，第三反射部分位于第二电极与第一发光结构之间；
第二电极在衬底上的正投影的至少部分区域位于第二反射层在衬底上的正投影内。
第二方面，本申请实施例提供了一种显示面板，包括：本申请任一实施例提供的发光器件、以及与发光器件电连接的驱动电路。
第三方面，本申请实施例提供了一种发光器件的制备方法，用于制备本申请任一实施例提供的发光器件，该制备方法包括：
在衬底上形成第一发光结构和第二发光结构；
在第一发光结构的远离衬底的一侧形成第一反射层，在第二发光结构的远离衬底的一侧、衬底上和第一发光结构的远离衬底的一侧的至少部分区域形成第二反射层和第三电极；
在第一反射层的远离衬底一侧形成第一电极，在第二反射层、第一发光结构和第二发光结构的远离衬底的一侧形成第二电极，使第一发光结构通过第二电极与第二发光结构电连接，第一电极在衬底上的正投影的至少部分区域位于第一反射层在衬底上的正投影内，第二电极在衬底上的正投影的至少部分区域位于第二反射层在衬底上的正投影内。
上述技术方案中的优点或有益效果至少包括：
第一反射层可遮挡第一电极的至少部分区域，将第一发光结构朝向该遮挡区域发射的光反射回去，第二反射层可遮挡第二电极的至少部分区域，将第二发光结构朝向该遮挡区域发射的光反射回去，进而可以减少第一电极和第二电极对光的吸收，提高发光器件的发光效率。
上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本申请进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。
附图说明
在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本申请公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本申请范围的限制。
图1为本申请实施例涉及的一种发光二极管的结构示意图；
图2为本申请实施例涉及的另一种发光二极管的结构示意图；
图3为本申请实施例提供的一种发光器件的结构示意图；
图4为本申请实施例提供的另一种发光器件的结构示意图；
图5为本申请实施例提供的又一种发光器件的结构示意图；
图6为本申请实施例提供的再一种发光器件的结构示意图；
图7为本申请实施例提供的一种发光器件的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本申请的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。
首先对本申请实施例涉及的相关技术进行介绍：
发光二极管(例如高压LED芯片)的基本结构如图1所示，在衬底上依次设置有N型半导体层、发光层和P型半导体层，发光层可实现发光的作用。
发光二极管的制备方式通常是将两个发光模块(cell)电连接形成单颗发光器件的芯片，其具体结构如图2所示。
图2所示的发光二极管包括衬底21、N型半导体层22、发光层23、P型半导体层24、电流扩展层25、绝缘层26、正电极27、连接电极28和负电极29。其中，P型半导体层24和电流扩展层25存在交叠面积，该交叠面积可限定发光面积，连接电极28和正电极27均与发光面积存在一定程度的交叠，该交叠区域会吸收发光层23发出的光，降低发光二极管的出光效率。
下面以具体实施例对本申请的技术方案以及本申请的技术方案如何解决上述技术问题进行详细说明。
本申请实施例提供了一种发光器件，如图3至6所示，该发光器件包括：衬底30，以及衬底30上的第一发光结构41、第二发光结构42、第一反射层51、第二反射层52、第一电极61、第二电极62和第三电极63。
第一电极61与第一发光结构41电连接，第一电极61通过第二电极62与第二发光结构42电连接，第三电极63与第二发光结构42电连接。
第一反射层51位于第一电极61和第一发光结构41之间，第一电极61在衬底30上的正投影的至少部分区域位于第一反射层51在衬底30上的正投影内。
第二反射层52包括第一反射部分、第二反射部分和第三反射部分中的至少一部分，第一反射部分位于第二电极62与第二发光结构42之间，第二反射部分位于第二电极62与衬底30之间，第三反射部分位于第二电极62与第一发光结构41之间，第二电极62在衬底30上的正投影的至少部分区域位于第二反射层52在衬底30上的正投影内。
基于以上结构，第一反射层51在第一发光结构41发射光的方向上可遮挡第一电极61的至少部分区域，将朝向该遮挡区域发射的光反射回去，进而可以减少第一电极61对光的吸收，提高发光效率。遮挡区域越大，对发光效率的提升效果越好，在图3至6的示例中，第一反射层51遮挡了第一电极61的全部区域。同理，第二反射层52在第二发光结构42发射光的方向上可遮挡第二电极62的至少部分区域，将朝该遮挡区域发射的光反射回去，进而可以减少第二电极62对光的吸收，提高发光效率。遮挡区域越大，对发光效率的提升效果越好，在图3和图6的示例中，第二反射层52遮挡了第二电极62的全部区域，在图4和图5的示例中，第二反射层52遮挡了第二电极62的部分区域。
本申请实施例中的发光器件可以是发光二极管，例如可以是高压LED，高压LED芯片的电压值预计为常压LED芯片的两倍左右，使用高压LED可降低驱动电流，降低驱动背板功耗。第一电极61和第三电极63可以是正电极或负电极，当第一电极61为正电极时，第三电极63为负电极，当第一电极61为负电极时，第三电极63为正电极。
在一种可选的实施方式中，衬底30的两个表面可以是如图2所示的平面。在另一种可选的实施方式中，如图3至图6所示，衬底30的靠近第一发光结构41和第二发光结构42的一侧具有凸起，该凸起可呈阵列排布。
衬底30上的凸起结构可提高外延生长的晶体的质量。具体地，衬底30表面外延生长的发光结构(如第一发光结构41和第二发光结构42)的晶体容易产生穿线位错，该穿线位错会沿着生长方向扩展到晶体表面，衬底30表面的凸起结构可以使发光结构中晶体的穿线位错发生横向弯曲，使该穿线位错消失于凸起的侧壁，从而可显著降低外延生长的晶体的穿线位错密度，提高外延生长的晶体的质量。
衬底30上的凸起结构还可提高发光器件的发光效率。具体地，凸起结构可改变光在发光结构和衬底30界面的反射角度，进而可抑制全反射现象，提高光的出射效率。
在一个示例中，可在发光结构形成之前对衬底30进行图案化处理以形成由多个有规律的凸起形成的凸起结构，然后可采用MOCVD(Metal-organic Chemical VaporDeposition，金属有机化合物化学气相沉淀)设备在凸起结构上形成发光结构、反射层、电极等其它外延层。上述MOCVD仅为示例而非限制，根据实际需求，还可以采用其它设备制备外延层。
衬底30上的凸起的形状可以根据实际情况设置，例如可以是圆锥形，在制备时，可通过光刻和刻蚀的方法在衬底30上形成凸起。
本申请实施例中，衬底30的材料可以是蓝宝石(主要成分为氧化铝Al2O3)、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和硅(Si)中的任意一种或几种。
本申请实施例中，第一发光结构41可位于衬底30上的第一区域(例如图3至图5中的右侧区域)，第二发光结构42可位于衬底30上的第二区域(例如图3至图5中的左侧区域)。
在一种可选的实施方式中，第一发光结构41和第二发光结构42均包括：第一半导体层、发光层和第二半导体层。
参照图3至图6，第一半导体层411和第一半导体层421均位于衬底30上；发光层412位于第一半导体层411的远离衬底30的一侧，发光层412在衬底30上的正投影在第一半导体层411在衬底30上的正投影范围内，发光层422位于第一半导体层421的远离衬底30的一侧，发光层422在衬底30上的正投影在第一半导体层421在衬底30上的正投影范围内；第二半导体层413位于发光层412的远离衬底30的一侧，第二半导体层413在衬底30上的正投影在发光层412在衬底30上的正投影范围内，第二半导体423位于发光层422的远离衬底30的一侧，第二半导体层423在衬底30上的正投影在发光层422在衬底30上的正投影范围内。
在第一发光结构41和第二发光结构42中，发光层可以位于第一半导体层的远离衬底30的一侧的第一区域，第二区域可用于连接其它元件，如图3至图5的示例所示，第一发光结构41中第一半导体层411未被发光层412覆盖的左侧一小部分区域作为第二区域可用于连接第二电极62，第二发光结构42中第一半导体层421未被发光层422覆盖的左侧区域可作为第二区域用于连接第三电极63。
在另一可选的实施方式中，第一发光结构41和第二发光结构42还可包括设置于发光层和第二半导体层之间的电子阻挡层(Electron-Blocking Layer，EBL)。
参照图3至图6的示例，电子阻挡层414位于发光层412和第二半导体层413之间，电子阻挡层414在衬底30上的正投影在发光层412在衬底30上的正投影范围内，电子阻挡层424位于发光层422和第二半导体层423之间，电子阻挡层424在衬底30上的正投影在发光层422在衬底30上的正投影范围内。
本申请实施例中，第一发光结构41和第二发光结构42中的第一半导体层和第二半导体层均可以分别是P型半导体层和N型半导体层，同一发光结构中，当第一半导体层为P型半导体层时，第二半导体层为N型半导体层，当第一半导体层为N型半导体层时，第二半导体层为P型半导体层。P型半导体层的材料可以是P型氮化镓(P-GaN)，N型半导体层的材料可以N型氮化镓(N-GaN)，但不限于此。
本申请实施例中，发光层可以包括多量子阱(Multiple Quantum Well，MQW)结构，该多量子阱结构可以是氮化镓(GaN)和氮化镓铟(InGaN)交替排布的周期性结构，但不限于此。第一发光结构41中发光层412的发光颜色和第二发光结构42中发光层422的发光颜色，可以相同也可以不同，本申请实施例对此不作限定。
本申请实施例中，电子阻挡层可以阻止发光层中的电子逸出至第二半导体层，以提高发光效率。
本申请实施例中，第一反射层51和第二反射层52的材料可以是导电材料，也可以是绝缘材料。当第一反射层51和第二反射层52的材料为绝缘材料时，在实现反射作用的基础上还可实现绝缘的作用，从而无需如图2所示专门设置绝缘层，有效地节省了制备成本，提高制备效率。
在一个示例，第一反射层51和第二反射层52可以是DBR(Distributed BraggReflection，分布式布拉格反射镜)层，该DBR层是由两种不同折射率的材料交替排列形成的周期结构，交替排列的每层材料的光学厚度为中心反射波长的四分之一。在一个示例中，形成DBR层的不同折射率的材料可以是二氧化硅(SiO2)和二氧化钛(TiO2)，即由二氧化硅和二氧化钛交替排列形成DBR层，在其它示例中，形成DBR层的不同折射率的材料还可以是其它材料。
在一个示例中，可衬底30上形成凸起结构后，可在具有凸起结构的衬底30上形成第一半导体层，为了避免两个发光模块短接，会将两个发光模块之间的第一半导体层刻蚀掉，在后续工艺中，形成的第二反射层52的部分(即第二反射部分)会与刻蚀部分的衬底30及其凸起结构直接接触，在该部分第二反射层52的厚度不改变的情况下，该部分第二反射层52的表面形貌会与下方衬底30的表面形貌一致，即该部分第二反射层52也会因下方的凸起结构产生表面形貌的起伏，该起伏可增强第二反射层52的反射率，进而提高发光效率。
可选的，本申请实施例提供的发光器件，还包括：第一导电结构71和第二导电结构72。
第一电极61通过第一导电结构71与第一发光结构41电连接，第一反射层51的至少部分被第一导电结构71包裹；第二电极62通过第二导电结构72与第二发光结构42电连接，第二反射层52的至少部分被第二导电结构72包裹。
参照图3至图6的示例，第一电极61可通过第一导电结构71与第一发光结构41中的第二半导体层413电连接，第二电极62可通过第二导电结构72与第二发光结构42中的第二半导体层423电连接。第一反射层51的所有部分均被第一导电结构71包裹，第二反射层52包括第一反射部分、第二反射部分和第三反射部分，其中，第一反射部分的部分被第二导电结构72包裹。
可选的，参照图3和图6，第二反射层52覆盖第一发光结构41的部分区域、衬底30的部分区域以及第二发光结构42的侧面；在第二导电结构72、第二反射层52和第一发光结构41的远离衬底30的一侧，第二电极62覆盖第二导电结构72的至少部分区域、第二反射层52的至少部分区域和第一发光结构41的部分区域。
第二电极62可通过第二导电结构72与第二发光结构42电连接。
本申请实施例中某一结构的侧面包括该结构的前、后、左、右四侧的表面，其中，前、后、左、右的方位可参照图3和图6中的方位。上述第二发光结构42的侧面可以是第二发光结构42的右侧的表面，即朝向第一发光结构41的一侧的表面。
可选的，第一导电结构71和第二导电结构72均包括第一电流扩展层(CurrentSpreading Layer，CSL)。
在同一导电结构中，第一电流扩展层的第一部分和对应的反射层的至少部分位于对应的发光结构的远离衬底的一侧，第一电流扩展层与该发光结构电连接；第一电流扩展层的第二部分位于对应的反射层的远离所述衬底的一侧的至少部分区域，并覆盖该反射层的至少三个侧面。
参照图3至图6的示例，在第一导电结构71中，第一电流扩展层711的第一部分和第一反射层51位于第一发光结构41中第二半导体层413的远离衬底30的一侧，且该第一电流扩展层711与第二半导体层413电连接；第一电流扩展层711的第二部分位于第一反射层51的远离所述衬底30的一侧的至少部分区域，并覆盖该第一反射层51的所有侧面(图中仅示出左、右两个侧面，未示出前、后两个侧面)。在第二导电结构72中，第一电流扩展层721的第一部分和第二反射层52中第一反射部分的大部分位于第一发光结构42中第二半导体层423的远离衬底30的一侧，且该第一电流扩展层721与第二半导体层423电连接；第一电流扩展层721的第二部分位于第二反射层52中第一反射部分的远离所述衬底30的一侧的至少部分区域，并覆盖该第一反射部分的三个侧面(图中仅示出左侧面，未示出右侧面和前、后两个侧面)。
在第一反射层51和第二反射层52是DBR层的情况下，由于DBR层是由两种不同折射率的材料交替排列形成的周期结构，厚度通常比较大，而第一电流扩展层的材料通过是ITO(氧化铟锡)，厚度通常比较小，若第一电流扩展层只覆盖第一反射层51或第二反射层52的一个侧面，在工艺过程中若覆盖性不够好，会使第一电流扩展层与其下方结构接触不良，进而导致第一电流扩展层与其下方结构之间发生断路，采用第一电流扩展层覆盖第一反射层51或第二反射层52的至少三个侧面的方式，可增大第一电流扩展层与下方结构的接触面积，降低第一电流扩展层与下方结构之间发生断路的风险。
在一种可选的实施方式中，在第一电流扩展层的基础上，第一导电结构71和第二导电结构72还包括第二电流扩展层。
在同一导电结构中，第二电流扩展层位于对应的发光结构的远离衬底的一侧，并与该发光结构接触；第一电流扩展层的第一部分位于第二电流扩展层的远离衬底的一侧的第一区域，并与第二电流扩展层接触，通过第二电流扩展层与对应的发光结构电连接；第一电流扩展层的第二部分覆盖对应的反射层的三个侧面。
参照图3至图5的示例，在第一导电结构71中，第二电流扩展层712位于第一发光结构41中第二半导体层413的远离衬底30的一侧，并与第二半导体层413接触；第一电流扩展层711的第一部分位于第二电流扩展层712的远离衬底30的一侧的第一区域，并与第二电流扩展层712接触，通过第二电流扩展层712与第二半导体层413电连接；第一电流扩展层711的第二部分覆盖第一反射层51的所有侧面。第一导电结构71中，第一电流扩展层711在衬底30上的正投影位于第二电流扩展层712在衬底30上的正投影的范围内。
参照图3至图5的示例，在第二导电结构72中，第二电流扩展层722位于第二发光结构42中第二半导体层423的远离衬底30的一侧，并与第二半导体层423接触；第一电流扩展层721的第一部分位于第二电流扩展层722的远离衬底30的一侧的第一区域，并与第二电流扩展层722接触，通过第二电流扩展层722与第二半导体层423电连接；第一电流扩展层711的第二部分覆盖第二反射层52的三个侧面。第二导电结构72中，第一电流扩展层721在衬底30上的正投影位于第二电流扩展层722在衬底30上的正投影范围内。
第一导电结构71的第二电流扩展层712与第一发光结构41中第二半导体层413的交叠区域为第一发光结构41对应的发光区域，第二导电结构72的第二电流扩展层722与第二发光结构42中第二半导体层423的交叠区域为第二发光结构42对应的发光区域，可根据对发光区域的实际需要，设置第一导电结构71的第二电流扩展层712和第二导电结构72的第二电流扩展层722的大小。
参照图3至图5的示例，第一反射层51的至少部分位于第一导电结构71中第二电流扩展层712的远离衬底30的一侧的第二区域，并与该第二电流扩展层712接触；第二反射层52的至少部分位于第二导电结构72中第二电流扩展层722的远离所述衬底30的一侧的第二区域，并与该第二电流扩展层722接触。
本申请实施例的第一导电结构71和第二导电结构72采用第一电流扩展层和第二电流扩展层，更易于形成对第一反射层51和第二反射层52的包裹，减小第一反射层51和第二反射层52对上下膜层的电流传输的影响。
在另一种可选的实施方式中，在同一导电结构中，第一电流扩展层的第一部分位于对应的发光结构的远离衬底的一侧的第一区域，并与该发光结构电连接；第一电流扩展层的第二部分覆盖对应的反射层的所有侧面。
第一反射层51的至少部分位于第一发光结构41的远离衬底30的一侧的第二区域，并与第一发光结构41接触；第二反射层52的至少部分位于第二发光结构42的远离衬底30的一侧的第二区域，并与第二发光结构42接触。
参照图6的示例，在第一导电结构71中，第一电流扩展层711的第一部分位于第一发光结构41中第二半导体层413的远离衬底的一侧的第一区域，并直接与该第二半导体层413接触，以实现与第二半导体层413的电连接；第一电流扩展层711的第二部分覆盖第一反射层51的所有侧面。第一导电结构71中的第一电流扩展层711在衬底30上的正投影位于第一发光结构41中第二半导体413在衬底30上的正投影的范围内。
参照图6的示例，在第二导电结构72中，第一电流扩展层721的第一部分位于第二发光结构42中第二半导体层423的远离衬底的一侧的第一区域，并直接与该第二半导体层423接触，以实现与第二半导体层423的电连接；第一电流扩展层721的第二部分覆盖第二反射层52的三个侧面。第二导电结构72中的第一电流扩展层721在衬底30上的正投影位于第二发光结构42中第二半导体423在衬底30上的正投影的范围内。
参照图6的示例，第一反射层51的所有部分均位于第一发光结构41中第二半导体层413的远离衬底30的一侧的第二区域，并与该第二半导体层413接触；第二反射层52的部分位于第二发光结构42中第二半导体层423的远离衬底30的一侧的第二区域，并与该第二半导体层423接触。
图4和图5所示的包括第一电流扩展层和第二电流扩展层的第一导电结构71和第二导电结构72，也可以用如图6所示的仅包括第一电流扩展层的第一导电结构71和第二导电结构72来替代。
本申请实施例的第一导电结构71和第二导电结构72采用一个电流扩展层(即第一电流扩展层)，可节省成本并减小第一电流扩展层和对应的发光结构的接触面积，增大电流密度，进一步提高发光结构的发光效率。
可选的，参照图3的示例，第二反射层52包括第一覆盖部分和第二覆盖部分。在第二导电结构72包括第二电流扩展层722的情况下，第二反射层52的第一覆盖部分，覆盖第二导电结构72中第二电流扩展层722的远离衬底30的一侧的第二区域；第二反射层52的第二覆盖部分，覆盖第一发光结构41的部分区域、衬底30的部分区域、第二导电结构72中第二电流扩展层722的侧面、以及第二发光结构72的侧面。参照图6的示例，在第二导电结构72不包括第二电流扩展层的情况下，第二反射层52的第一覆盖部分，覆盖第二发光结构42的远离衬底30的一侧的第二区域；第二反射层52的第二覆盖部分，覆盖第一发光结构41的部分区域、衬底的部分区域、以及第二发光结构42的侧面。第二反射层52的第二覆盖部分的厚度大于预设的厚度阈值。
上述第一覆盖部分可以包括第一反射部分的部分，上述第二覆盖部分可以包括第一反射部分的另一部分、第二反射部分和第三反射部分。
上述厚度阈值可根据实际需求设置，例如可以是通常所采用的绝缘层的厚度值，采用厚度大于厚度阈值的反射层部分可在第二发光结构42的侧面形成更好的台阶覆盖性。
在一种可选的实施方式中，参照图3和图6，第二电极62的第一部分位于第二导电结构72中第一电流扩展层721的远离衬底30的一侧，并与该第一电流扩展层721电连接，该电连接区域在衬底30上的正投影在第二反射层52在衬底30上的正投影内。
在第二电极62覆盖第二导电结构72的至少部分区域、第二反射层52的至少部分区域和第一发光结构41的部分区域的情况下，第二电极62的第二部分覆盖第二导电结构72中第一电流扩展层721的第二部分的至少部分区域、以及第二反射层52的不与第二导电结构72中第一电流扩展层721接触的区域。
基于该实施方式的结构，第二电极62可与第一电流扩展层721电连接，并通过第一电流扩展层721(或第一电流扩展层721和第二电流扩展层722)与第二发光结构42中的第二半导体层423电连接，在与第二电流扩展层722电连接的同时，可保持第二反射层52对第二电极62的遮挡作用，由于第二反射层52的遮挡，第二电极62对光的吸收会大大降低，从而可提升发光器件的整体发光效率。根据对发光效率的实际需要，第二电极62在衬底30上的正投影，可部分或全部位于第二反射层52在衬底30上的正投影的范围内，或超出第二反射层52在衬底30上的正投影的范围。
在另一种可选的实施方式中，本申请实施例提供的发光器件，还包括：第三反射层53，其材料可以是导电材料或绝缘材料。在一个示例中，第一反射层51和第二反射层52可以是DBR层，该DBR层可以由二氧化硅和二氧化钛交替排列形成。
在一个示例中，参照图3和图6，第三反射层53位于第一电极61、第一导电结构71、第一发光结构41、第二电极62、第二导电结构72、第二发光结构42以及第三电极63的远离衬底30的一侧，覆盖衬底30以及衬底30上的上述各结构和膜层。
在另一个示例中，参照图4和图5，第三反射层53位于第一发光结构41、第二发光结构42和第二导电结构72的远离衬底30的一侧；第二电极62，位于第三反射层53的远离衬底30的一侧，通过第三反射层53中的过孔(经导电处理后的孔)分别与第一发光结构41、第二导电结构72电连接。在图4和图5的示例中，第三反射层53位于第一电极61、第一导电结构71、第一发光结构41、第二导电结构72、第二发光结构42以及第三电极63的远离衬底30的一侧，覆盖衬底30以及衬底30上的上述各结构和膜层。
在发光器件包括第三反射层53、且第二电极62位于第三反射层53的远离衬底30的一侧的情况下，该第二电极62通过第三反射层53中的过孔分别与第一发光结构41、第二导电结构72中的第一电流扩展层721电连接，该电连接区域在衬底30上的正投影在第二反射层52在衬底30上的正投影内。
基于该实施方式的结构，第二电极62可与第一电流扩展层721电连接，并通过第一电流扩展层721(或第一电流扩展层721和第二电流扩展层722)与第二发光结构42中的第二半导体层423电连接。在与第二电流扩展层722电连接的同时，可保持第二反射层52对第二电极62的遮挡作用，第三反射层53在第一发光结构41、第二发光结构42发射光的方向上遮挡第二电极62，在第二反射层52的基础上，将朝向该遮挡区域发射的光反射回去，进一步加强对光的反射作用和对第二电极62的遮挡作用，进一步减少第二电极62对光的吸收，以提高发光效率。
可选的，如图5所示，本申请实施例提供的发光器件，还包括：绝缘层80，该绝缘层80位于第二电极62的远离衬底30的一侧。绝缘层80覆盖第二电极62，可实现对第二电极62的保护，防止第二电极62裸露在外引起短路。参照图5的示例，绝缘层80还可覆盖第三反射层53。
可选的，本申请实施例提供的发光器件，还包括：散热结构(图中未示出)，该散热结构位于第二电极62的远离衬底30的一侧，并直接与第二电极62连接或通过绝缘层80中的过孔与第二电极62连接。
发光器件产生的部分热量可通过第二电极62散发到散热结构，进而通过散热结构散发出去，可提高发光器件的散热速度，减少热量对发光器件的不良影响。
在如图4所示的不包括绝缘层的示例中，散热结构可直接与第二电极62连接；在如图5所示的包括绝缘层80的示例中，散热结构可通过绝缘层80中的过孔与第二电极62连接。
本申请实施例中的散热结构可设置于驱动背板(未在图中示出)上与第二电极62对应的位置，散热结构的材料可以是金属，例如铜，可以在驱动背板上与第二电极62对应的位置增加一个铜块作为散热结构。
本申请实施例中，在驱动背板上设置散热结构的工艺可以与将发光器件绑定到驱动背板上的工艺相同。在一个示例中，首先在驱动背板上涂布焊接材料(例如锡膏)，然后将散热结构贴放在该焊接材料上，对焊接材料进行回流焊形成焊点以实现散热结构和驱动背板的连接。
参照图3至图6的示例，本申请实施例提供的发光器件，还可包括：第一连接部91和第二连接部92；第一连接部91与第一电极61电连接，第二连接部与第三电极63电连接。
在图3和图6所示的示例中，第一连接部91可通过第三反射层53中的过孔与第一电极61电连接，第二连接部91可通过第三反射层53中的过孔与第三电极63电连接。
可选的，本申请实施例提供的发光器件，还可包括：第一焊盘和第二焊盘(未在图中示出)。第一焊盘和第二焊盘位于第三反射层53或绝缘层80的远离衬底30的一侧，第一焊盘与第一连接部91连接，第二焊盘与第二连接部92连接。第一焊盘和第二焊盘的材料可以是金属，例如铜。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种发光器件的制备方法，如图7所示，该方法包括：
S701，在衬底上形成第一发光结构和第二发光结构。
在一种可选的实施方式中，在衬底上的第一区域依次形成第一半导体层、发光层和第二半导体层，形成第一发光结构；在衬底上的第二区域形成第一半导体层，在第一半导体层的远离衬底的一侧的第一区域依次形成发光层和第二半导体层，形成第二发光结构。
在另一种可选的实施方式中，在衬底上的第一区域依次形成第一半导体层、发光层、电子阻挡层和第二半导体层，形成第一发光结构；在衬底上的第二区域形成第一半导体层，在第一半导体层的远离衬底的一侧的第一区域依次形成发光层、电子阻挡层和第二半导体层，形成第二发光结构。
可选的，在衬底上形成第一发光结构和第二发光结构之前，还可在衬底上制备凸起结构。
S702，在第一发光结构的远离衬底的一侧形成第一反射层，在第二发光结构的远离衬底的一侧、衬底上和第一发光结构的远离衬底的一侧的至少部分区域形成第二反射层和第三电极。
在一种可选的实施方式中，在第一发光结构的远离衬底的一侧形成第一导电结构和第一反射层，使第一导电结构包裹第一反射层；在第二发光结构的远离衬底的一侧、衬底上和第一发光结构的远离衬底的一侧的至少部分区域形成第二导电结构和第二反射层，使第二导电结构包裹第二反射层，在第二发光结构的远离衬底的一侧的另一部分区域(不与第二导电结构和第二反射层重合的区域)形成第三电极。
在一个示例中，在第一发光结构的远离衬底的一侧形成第一导电结构和第一反射层，使第一导电结构包裹第一反射层，包括：
在第一发光结构中第二半导体层的远离衬底的一侧形成第二电流扩展层，在该第二电流扩展层的远离衬底的一侧的第二区域形成第一反射层，在该第二电流扩展层的远离衬底的一侧的第一区域和第一反射层的远离衬底的一侧形成第一电流扩展层，以形成包括第一电流扩展层和第二电流扩展层的第一导电结构和被该第一导电结构包裹的第一反射层。
在另一个示例中，在第一发光结构的远离衬底的一侧形成第一导电结构和第一反射层，使第一导电结构包裹第一反射层，包括：
在第一发光结构中第二半导体层的远离衬底的一侧的第二区域形成第一反射层，在该第二半导体层的远离衬底的一侧的第一区域和第一反射层的远离衬底的一侧形成第一电流扩展层，以形成包括第一电流扩展层的第一导电结构和被该第一导电结构包裹的第一反射层。
在一种示例中，在第二发光结构的远离衬底的一侧、衬底上和第一发光结构的远离衬底的一侧的至少部分区域形成第二导电结构和第二反射层，使第二导电结构包裹第二反射层，包括：
在第二发光结构中第二半导体层的远离衬底的一侧(位于第二发光结构的远离衬底的一侧的部分区域内)形成第二电流扩展层，在该第二电流扩展层的远离衬底的一侧的第二区域、该第二电流扩展层的侧面、第二发光结构的侧面、衬底、以及第一发光结构中第一半导体层的部分区域形成第二反射层，在该第二电流扩展层的远离衬底的一侧的第一区域和第二反射层的远离衬底的一侧的至少部分区域形成第一电流扩展层，以形成包括第一电流扩展层和第二电流扩展层的第二导电结构和被该第二导电结构包裹的第二反射层。
在另一个示例中，在第二发光结构的远离衬底的一侧、衬底上和第一发光结构的远离衬底的一侧的至少部分区域形成第二导电结构和第二反射层，使第二导电结构包裹第二反射层，包括：
在第二发光结构中第二半导体层的远离衬底的一侧的第二区域形成第二反射层，在该第二半导体层的远离衬底的一侧的第一区域和第二反射层的远离衬底的一侧形成第一电流扩展层，以形成包括第一电流扩展层的第二导电结构和被该导电结构包裹的第二反射层。
在一个示例中，在第二发光结构中第一半导体层的远离衬底的一侧的另一部分区域形成第三电极。
在另一种可选的实施方式中，在第一发光结构的远离衬底的一侧形成第一导电结构和第一反射层，使第一导电结构包裹第一反射层；在第二发光结构的远离衬底的一侧形成第二导电结构和第二反射层，使第二导电结构包裹第二反射层，在第二发光结构的远离衬底的一侧的另一部分区域(不与第二导电结构和第二反射层重合的区域)形成第三电极。
在第一发光结构的远离衬底的一侧形成第一导电结构和第一反射层，使第一导电结构包裹第一反射层，以及在第二发光结构的远离衬底的一侧的另一部分区域形成第三电极的具体示例可参照前面的内容。
在一个示例中，在第二发光结构的远离衬底的一侧形成第二导电结构和第二反射层，使第二导电结构包裹第二反射层，包括：
在第二发光结构中第二半导体层的远离衬底的一侧形成第二电流扩展层，在该第二电流扩展层的远离衬底的一侧的第二区域形成第二反射层，在该第二电流扩展层的远离衬底的一侧的第一区域和第二反射层的远离衬底的一侧形成第一电流扩展层，以形成包括第一电流扩展层和第二电流扩展层的第一导电结构和被该第二导电结构包裹的第二反射层。
在另一个示例中，在第二发光结构的远离衬底的一侧形成第二导电结构和第二反射层，使第二导电结构包裹第二反射层，包括：
在第二发光结构中第二半导体层的远离衬底的一侧的第二区域形成第二反射层，在该第二半导体层的远离衬底的一侧的第一区域和第二反射层的远离衬底的一侧形成第一电流扩展层，以形成包括第一电流扩展层的第二导电结构和被该第二导电结构包裹的第二反射层。
S703，在第一反射层的远离衬底一侧形成第一电极，在第二反射层、第一发光结构和第二发光结构的远离衬底的一侧形成第二电极，使第一发光结构通过第二电极与第二发光结构电连接，第一电极在衬底上的正投影的至少部分区域位于第一反射层在衬底上的正投影内，第二电极在衬底上的正投影的至少部分区域位于第二反射层在衬底上的正投影内。
可选的，在已形成了第一导电结构且第一导电结构中第一电流扩展层覆盖第一反射层的情况下，在覆盖第一反射层的第一电流扩展层的远离衬底的一侧形成第一电极，可形成如图3至图6中所示的第一电极61。
可选的，在已形成了第二导电结构且第二导电结构中第一电流扩展层覆盖第二反射层的部分区域的情况下，在覆盖第二反射层的第一电流扩展层的远离衬底的一侧、第二反射层远离衬底的一侧中未被第一电流扩展层覆盖的区域、以及第一发光结构中第一半导体层的部分区域，形成第二电极，可形成如图3和图6中所示的第二电极62。
可选的，在已形成了第二导电结构且第二导电结构中第一电流扩展层覆盖第二反射层的全部区域的情况下，在覆盖第二反射层的第一电流扩展层的远离衬底的一侧形成第二电极。具体地，可在覆盖第二反射层的第一电流扩展层和第二发光结构中第一半导体层的远离衬底的一侧形成第三反射层，还可以在其它裸露的膜层的远离衬底的一侧形成第三反射层，得到覆盖所有裸露膜层的第三反射层；在第三反射层中与第二导电结构和第一发光结构对应的位置形成过孔，并对该过孔进行导电处理(例如沉积金属)；在第三反射层和过孔的远离衬底的一侧形成第二电极，使第二电极通过沉积有金属的过孔分别与第二导电结构、第一发光结构电连接。该方式可以形成如图4和图5所示的第二电极62。
可选的，本申请实施例提供的发光器件的制备方法，还可包括：在第二电极的远离衬底的一侧形成绝缘层，还可在第三反射层未被第二电极覆盖的区域形成绝缘层，进而形成同时覆盖第三反射层和第二电极的绝缘层。
可选的，在第三反射层上未形成绝缘层的情况下，本申请实施例提供的发光器件的制备方法，还可包括：在第三反射层中与第一电极和第三电极对应的位置形成过孔，并对该过孔进行导电处理；在第三反射层和该过孔的远离衬底的一侧形成第一连接部和第二连接部。在第三反射层上形成了绝缘层的情况下，本申请实施例提供的发光器件的制备方法，还可包括：在第三反射层和绝缘层中与第一电极和第三电极对应的位置形成过孔，并对该过孔进行导电处理；在绝缘层和该过孔的远离衬底的一侧形成第一连接部和第二连接部。
可选的，本申请实施例提供的发光器件的制备方法，还可包括：在第三反射层或绝缘层的远离衬底的一侧形成第一焊盘和第二焊盘，使第一焊盘与第一连接部连接，第二焊盘与第二连接部连接。
可选的，本申请实施例提供的发光器件的制备方法，还可包括：连接第二电极与散热结构。可使第二电极和散热结构直接接触以实现直接连接，也可以在绝缘层中与第二电极对应的位置形成过孔，并对该过孔进行导电处理，使第二电极和散热结构均与沉积有金属的过孔连接。
本申请实施例中，各膜层的形成可通过涂覆、沉积、磁控溅射等方式实现，过孔的形成可通过钻孔、刻蚀等方式实现，衬底上的凸起结构可通过刻蚀的方式或其它方式实现，本申请对具体的实现方式不作限定，可在实际生产中根据材料的特性和具体的需求选择适当的方式来实现。
基于同一发明构思，本申请实施例还提供了一种显示面板，包括：本申请实施例提供的任意一种发光器件、以及与发光器件电连接的驱动电路。驱动电路可设置于驱动背板上。
本申请实施例提供的显示面板可应用于如下任意一种显示装置：电子纸、手机、平板电脑、电视机、笔记本电脑、数码相框、导航仪等。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包括于本申请的至少一个实施例或示例中。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。
在本说明书的描述中，除非另外定义，所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)，具有与本申请所属领域中的普通技术人员的一般理解相同的意义。
应该理解的是，本申请的说明书中使用的措辞“包括”是指在在所述特征、整数、步骤、操作、元件和/或组件，但是并不排除存在或添加一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
应该理解的是，本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案可以被交替、更改、组合或删除。进一步地，具有本申请中已经讨论过的各种操作、方法、流程中的其他步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。进一步地，现有技术中的具有与本申请中公开的各种操作、方法、流程中的步骤、措施、方案也可以被交替、更改、重排、分解、组合或删除。虽然附图的流程图中的各个步骤按照箭头的指示依次显示，但是这些步骤并不是必然按照箭头指示的顺序依次执行。除非本文中有明确的说明，这些步骤的执行并没有严格的顺序限制，其可以以其他的顺序执行。而且，附图的流程图中的至少一部分步骤可以包括多个子步骤或者多个阶段，这些子步骤或者阶段并不必然是在同一时刻执行完成，而是可以在不同的时刻执行，其执行顺序也不必然是依次进行，而是可以与其他步骤或者其他步骤的子步骤或者阶段的至少一部分轮流或者交替地执行。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或隐含地包括至少一个该特征。在本申请的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
术语“中心”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本申请和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本申请的限制。
在本说明书的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到其各种变化或替换，这些都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。

Claims (15)

1.一种发光器件，其特征在于，包括：衬底，以及所述衬底上的第一发光结构、第二发光结构、第一反射层、第二反射层、第一电极、第二电极和第三电极；
所述第一电极与所述第一发光结构电连接，所述第一电极通过所述第二电极与所述第二发光结构电连接，所述第三电极与所述第二发光结构电连接；
所述第一反射层位于所述第一电极和所述第一发光结构之间，所述第一电极在所述衬底上的正投影的至少部分区域位于所述第一反射层在所述衬底上的正投影内；
所述第二反射层包括第一反射部分、第二反射部分和第三反射部分中的至少一部分，所述第一反射部分位于所述第二电极与所述第二发光结构之间，所述第二反射部分位于所述第二电极与所述衬底之间，所述第三反射部分位于所述第二电极与所述第一发光结构之间；
所述第二电极在所述衬底上的正投影的至少部分区域位于所述第二反射层在所述衬底上的正投影内。
2.根据权利要求1所述的发光器件，其特征在于，还包括：第一导电结构和第二导电结构；
所述第一电极通过所述第一导电结构与所述第一发光结构电连接，所述第一反射层的至少部分被所述第一导电结构包裹；
所述第二电极通过所述第二导电结构与所述第二发光结构电连接，所述第二反射层的至少部分被所述第二导电结构包裹。
3.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第二反射层覆盖所述第一发光结构的部分区域、所述衬底的部分区域以及所述第二发光结构的侧面；
在所述第二导电结构、所述第二反射层和所述第一发光结构的远离所述衬底的一侧，所述第二电极覆盖所述第二导电结构的至少部分区域、所述第二反射层的至少部分区域和所述第一发光结构的部分区域。
4.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，还包括：第三反射层，位于所述第一发光结构、所述第二发光结构和所述第二导电结构的远离所述衬底的一侧；
所述第二电极，位于所述第三反射层的远离所述衬底的一侧，通过所述第三反射层中的过孔分别与所述第一发光结构、所述第二导电结构电连接。
5.根据权利要求4所述的发光器件，其特征在于，还包括：绝缘层，位于所述第二电极的远离所述衬底的一侧。
6.根据权利要求2所述的发光器件，其特征在于，所述第一导电结构和所述第二导电结构均包括第一电流扩展层；
在同一导电结构中，所述第一电流扩展层的第一部分和对应的反射层的至少部分位于对应的发光结构的远离所述衬底的一侧，所述第一电流扩展层与该发光结构电连接；所述第一电流扩展层的第二部分位于对应的反射层的远离所述衬底的一侧的至少部分区域，并覆盖该反射层的至少三个侧面。
7.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，所述第一导电结构和所述第二导电结构还包括第二电流扩展层；
在同一导电结构中，所述第二电流扩展层位于对应的发光结构的远离所述衬底的一侧，并与该发光结构接触；所述第一电流扩展层的第一部分位于所述第二电流扩展层的远离所述衬底的一侧的第一区域，并与所述第二电流扩展层接触，通过所述第二电流扩展层与对应的发光结构电连接；所述第一电流扩展层的第二部分覆盖对应的反射层的三个侧面；
所述第一反射层的至少部分位于所述第一导电结构中第二电流扩展层的远离所述衬底的一侧的第二区域，并与该第二电流扩展层接触；
所述第二反射层的至少部分位于所述第二导电结构中第二电流扩展层的远离所述衬底的一侧的第二区域，并与该第二电流扩展层接触。
8.根据权利要求6所述的发光器件，其特征在于，在同一导电结构中，所述第一电流扩展层的第一部分位于对应的发光结构的远离所述衬底的一侧的第一区域，并与该发光结构电连接；所述第一电流扩展层的第二部分覆盖对应的反射层的所有侧面；
所述第一反射层的至少部分位于所述第一发光结构的远离所述衬底的一侧的第二区域，并与所述第一发光结构接触；
所述第二反射层的至少部分位于所述第二发光结构的远离所述衬底的一侧的第二区域，并与所述第二发光结构接触。
9.根据权利要求7或8所述的发光器件，其特征在于，所述第二反射层包括第一覆盖部分和第二覆盖部分；
在所述第二导电结构包括第二电流扩展层的情况下，所述第一覆盖部分覆盖所述第二导电结构中第二电流扩展层的远离所述衬底的一侧的第二区域；所述第二覆盖部分覆盖所述第一发光结构的部分区域、所述衬底的部分区域、所述第二导电结构中第二电流扩展层的侧面、以及所述第二发光结构的侧面；
在所述第二导电结构不包括第二电流扩展层的情况下，所述第一覆盖部分覆盖所述第二发光结构的远离所述衬底的一侧的第二区域；所述第二覆盖部分覆盖所述第一发光结构的部分区域、所述衬底的部分区域、以及所述第二发光结构的侧面；
所述第二覆盖部分的厚度大于预设的厚度阈值。
10.根据权利要求9所述的发光器件，其特征在于，所述第二电极的第一部分位于所述第二导电结构中第一电流扩展层的远离所述衬底的一侧，并与该第一电流扩展层电连接；
在所述第二电极覆盖所述第二导电结构的至少部分区域、所述第二反射层的至少部分区域和所述第一发光结构的部分区域的情况下，所述第二电极的第二部分覆盖所述第二导电结构中第一电流扩展层的第二部分的至少部分区域、以及所述第二反射层的不与所述第二导电结构中第一电流扩展层接触的区域。
11.根据权利要求9所述的发光器件，其特征在于，在所述发光器件包括第三反射层、且所述第二电极位于第三反射层的远离所述衬底的一侧的情况下，所述第二电极通过所述第三反射层中的过孔分别与所述第一发光结构、所述第二导电结构中的第一电流扩展层电连接。
12.根据权利要求4或5所述的发光器件，其特征在于，还包括：
散热结构，位于所述第二电极的远离所述衬底的一侧，并直接与所述第二电极连接或通过绝缘层中的过孔与所述第二电极连接。
13.根据权利要求1-8中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述衬底的靠近所述第一发光结构和所述第二发光结构的一侧具有凸起。
14.一种显示面板，其特征在于，包括：如权利要求1-13中任一项所述的发光器件、以及与所述发光器件电连接的驱动电路。
15.一种发光器件的制备方法，用于制备如权利要求1-13中任一项所述的发光器件，其特征在于，所述制备方法包括：
在衬底上形成第一发光结构和第二发光结构；
在所述第一发光结构的远离所述衬底的一侧形成第一反射层，在所述第二发光结构的远离所述衬底的一侧、所述衬底上和所述第一发光结构的远离所述衬底的一侧的至少部分区域形成第二反射层和第三电极；
在所述第一反射层的远离所述衬底一侧形成第一电极，在所述第二反射层、第一发光结构和第二发光结构的远离所述衬底的一侧形成第二电极，使所述第一发光结构通过所述第二电极与所述第二发光结构电连接，所述第一电极在所述衬底上的正投影的至少部分区域位于所述第一反射层在所述衬底上的正投影内，所述第二电极在所述衬底上的正投影的至少部分区域位于所述第二反射层在所述衬底上的正投影内。
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