CN111900267A - 一种阵列基板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本公开公开了一种阵列基板及显示装置，包括：衬底基板，包括多个子像素；多个子像素中的至少一个子像素包括：有源层，栅绝缘层，栅极，层间绝缘层，源漏极层，第一平坦层，阳极，其中，阳极包括：反射层，位于第一平坦层背离衬底基板一侧，且反射层包括间隔设置的多个反射部；第二平坦层，位于反射层背离衬底基板一侧，且第二平坦层覆盖反射层和衬底基板；第一透明电极层，位于第二平坦层背离衬底基板一侧，且第一透明电极层包括间隔设置的多个第一电极；其中，同一子像素中，第一电极在衬底基板的正投影与反射部在衬底基板的正投影至少存在交叠区域。
Description
技术领域
本公开涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及显示装置。
背景技术
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)、量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)等电致发光二极管具有自发光、低能耗等优点，是当今电致发光显示装置应用研究领域的热点之一。
发明内容
本公开实施例提供的阵列基板，包括：
衬底基板，包括多个子像素；所述多个子像素中的至少一个子像素包括：
有源层，位于所述衬底基板一侧；
栅绝缘层，位于所述有源层背离所述衬底基板一侧；
栅极，位于所述栅绝缘层背离所述衬底基板一侧；
层间绝缘层，位于所述栅极背离所述衬底基板一侧；
源漏极层，位于所述层间绝缘层背离所述衬底基板一侧；
第一平坦层，位于所述源漏极层背离所述衬底基板一侧；
阳极，位于所述第一平坦层背离所述衬底基板一侧；
其中，所述阳极包括：
反射层，位于所述第一平坦层背离所述衬底基板一侧，且所述反射层包括间隔设置的多个反射部；
第二平坦层，位于所述反射层背离所述衬底基板一侧，且所述第二平坦层覆盖所述反射层和所述衬底基板；
第一透明电极层，位于所述第二平坦层背离所述衬底基板一侧，且所述第一透明电极层包括间隔设置的多个第一电极；其中，同一所述子像素中，所述第一电极在所述衬底基板的正投影与所述反射部在所述衬底基板的正投影至少存在交叠区域。
在一些示例中，所述第一透明电极层在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上的厚度为8～40nm；和/或，
所述阵列基板还包括：位于所述第一透明电极层背离所述衬底基板一侧的像素限定层，其中，所述像素限定层在所述衬底基板的正投影至少覆盖相邻两行子像素中的反射部在所述衬底基板的正投影之间的第一间隙以及相邻两行子像素中的第一电极在所述衬底基板的正投影之间的第二间隙。
在一些示例中，所述第一电极包括间隔设置的多个第一子电极；其中，同一所述子像素中，各所述第一子电极在所述衬底基板的正投影分别与所述反射部在所述衬底基板的正投影交叠；
所述开口暴露各所述第一子电极中与所述反射部交叠的部分。
在一些示例中，所述反射部包括间隔设置的多个反射导电部；其中，一个所述第一子电极在所述衬底基板的正投影与一个所述反射导电部在所述衬底基板的正投影交叠；或者，
同一子像素中，所述反射部在所述衬底基板的正投影覆盖所述开口在所述衬底基板的正投影。
在一些示例中，在所述反射部包括间隔设置的多个反射导电部时，所述第二平坦层还包括间隔设置的多个第一过孔；其中，一个第一子电极对应至少一个所述第一过孔；
同一所述子像素中，所述第一子电极与对应的所述反射导电部通过所述第一过孔电连接。
在一些示例中，所述像素限定层在所述衬底基板的正投影覆盖所述第一过孔在所述衬底基板的正投影。
在一些示例中，同一子像素中，所述多个第一过孔中的部分第一过孔位于所述第一子电极的第一侧，其余部分第一过孔位于所述第一子电极的第二侧；其中，所述第一侧与所述第二侧相对设置。
在一些示例中，所述第一平坦层还包括间隔设置的多个第二过孔；其中，一个反射导电部对应至少一个所述第二过孔；
同一所述子像素中，所述反射导电部与所述源漏极层168中的漏极通过对应的所述第二过孔电连接。
在一些示例中，在所述反射部在所述衬底基板的正投影覆盖所述开口在所述衬底基板的正投影时，所述第一子电极通过导通过孔与所述源漏极层168中的漏极电连接；
所述导通过孔贯穿所述第二平坦层、所述反射层以及所述第一平坦层，且所述第一子电极与所述反射层绝缘设置。
在一些示例中，所述导通过孔包括：贯穿所述反射部的第三过孔，贯穿第二平坦层的第四过孔，以及贯穿所述第一平坦层的第五过孔；
同一所述导通过孔中，所述第四过孔在所述衬底基板的正投影和所述第五过孔在所述衬底基板的正投影位于所述第三过孔在所述衬底基板的正投影内，且所述第四过孔在所述衬底基板的正投影与所述第五过孔在所述衬底基板的正投影交叠，以及所述第四过孔与所述第三过孔之间填充有绝缘材料。
在一些示例中，所述像素限定层在所述衬底基板的正投影覆盖所述第四过孔在所述衬底基板的正投影。
在一些示例中，同一子像素中，所述多个第四过孔中的部分第四过孔位于所述第一子电极的第一侧，其余部分第四过孔位于所述第一子电极的第二侧；其中，所述第一侧与所述第二侧相对设置。
在一些示例中，所述反射层的材料包括金属材料和油墨材料。
在一些示例中，所述阵列基板还包括：位于所述第一透明电极层背离所述衬底基板一侧的发光功能层，位于所述发光功能层背离所述衬底基板一侧的第二透明电极层，位于所述第二透明电极层背离所述衬底基板一侧的薄膜封装层，位于所述薄膜封装层背离所述衬底基板一侧的圆偏光片。
本公开实施例还提供了显示装置，包括：上述阵列基板，以及位于圆偏光片背离所述衬底基板一侧的棱镜层。
附图说明
图1为相关技术中的阵列基板的结构示意图；
图2为本公开实施例中的阵列基板的一些俯视结构示意图；
图3a为图2所示的阵列基板沿AA’方向上的剖视结构示意图；
图3b为图2所示的阵列基板沿BB’方向上的剖视结构示意图；
图4为本公开实施例中的阵列基板的一些局部剖视结构示意图；
图5为本公开实施例中的阵列基板的一些局部放大的剖视结构示意图；
图6为本公开实施例中的阵列基板的又一些俯视结构示意图；
图7为本公开实施例中的阵列基板的一些结构示意图；
图8a为图7所示的阵列基板沿AA’方向上的剖视结构示意图；
图8b为图7所示的阵列基板沿BB’方向上的剖视结构示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本公开实施例的附图，对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本公开的一部分实施例，而不是全部的实施例。并且在不冲突的情况下，本公开中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。基于所描述的本公开的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本公开保护的范围。
除非另外定义，本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同，而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接，而是可以包括电性的连接，不管是直接的还是间接的。
需要注意的是，附图中各图形的尺寸和形状不反映真实比例，目的只是示意说明本公开内容。并且自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。
通常显示面板中具有多个子像素spx，子像素spx中设置有电致发光二极管，从而可以实现显示功能。一般电致发光二极管可以包括层叠设置的阳极、发光功能层181和阴极。随着对显示面板的分辨率的要求越来越高，可以将一个子像素spx中的阳极进行分割，以分割为多个子阳极，从而可以使一个子像素spx中由原来的一个电致发光二极管变为多个电致发光二极管，进而实现提高分辨率的效果。
例如，如图1所示，显示面板可以包括：基板10、位于基板10上的晶体管阵列层(图中未示出)，位于晶体管阵列层背离基板10一侧的平坦层50、位于平坦层50背离基板10一侧的子阳极20、位于子阳极20背离基板10一侧的发光功能层30、位于背离基板10一侧的阴极40。图1示出了一个子像素spx中的阳极分割为2个子阳极20，这样可以使一个子像素spx中由原来的一个电致发光二极管变为2个电致发光二极管，进而实现提高分辨率的效果。在将显示面板应用于3D显示中时，可以使3D显示的分辨率提高。
示例性地，子阳极20通过可以采用层叠结构形成，例如，子阳极20包括层叠设置的第一ITO(氧化铟锡)层21、银层22以及第二ITO层23，这样即可以实现导电功能，又可以实现反射作用。通常，在实际制备时，第一ITO层21的厚度一般为5～10nm，银层22的厚度一般为90～110nm，第二ITO层23的厚度一般为5～10nm。这样可以制备形成子像素spx中的子阳极。
本公开实施例提供一种阵列基板，可以改善由于段差导致发光功能层不平坦的问题，提高显示效果。
本公开实施例提供的一种阵列基板，如图2至图5所示，可以包括：
衬底基板100，包括多个子像素spx；多个子像素中的至少一个子像素(例如各子像素)包括：
有源层162，位于衬底基板100一侧；
栅绝缘层163，位于有源层162背离衬底基板100一侧；
栅极164，位于栅绝缘层163背离衬底基板100一侧；
层间绝缘层167，位于栅极164背离衬底基板100一侧；
源漏极层168，位于层间绝缘层167背离衬底基板100一侧；
第一平坦层150，位于源漏极层168背离衬底基板100一侧；
阳极200，位于第一平坦150层背离衬底基板100一侧；
其中，阳极200包括：
反射层110，位于第一平坦层150背离衬底基板100一侧，且反射层110包括间隔设置的多个反射部111；
第二平坦层120，位于反射层110背离衬底基板100一侧，且第二平坦层120覆盖反射层110和衬底基板100；
第一透明电极层130，位于第二平坦层120背离衬底基板100一侧，且第一透明电极层130包括间隔设置的多个第一电极131；其中，同一子像素spx中，第一电极131在衬底基板100的正投影与反射部111在衬底基板100的正投影至少存在交叠区域。
本公开实施例提供的上述阵列基板，通过使阳极包括反射层、第二平坦层以及第一透明电极层，可以将反射层与第一透明电极层之间设置第二平坦层，以将反射层与第一透明电极层分离设置。这样不仅可以通过反射层实现反射光的功能，还可以使第一电极与第二平坦层之间的段差仅为第一电极的膜层厚度，从而在第一电极上形成其他膜层(例如发光功能层、阴极层)时，有利于提高这些膜层的平坦性，进而提高显示均一性。
在具体实施时，在本公开实施例中，如图2至图3b所示，阵列基板还可以包括：位于第一透明电极层130背离衬底基板100一侧的像素限定层140，其中，像素限定层140在衬底基板100的正投影至少覆盖相邻两行子像素中的反射部111在衬底基板100的正投影之间的第一间隙以及相邻两行子像素中的第一电极131在衬底基板100的正投影之间的第二间隙。这样可以通过像素限定层140将相邻两行的子像素分隔开。
示例性地，如图2所示，像素限定层140包括间隔设置的多个开口KK0；其中，子像素spx包括开口KK0；且同一子像素spx中，开口KK0在衬底基板100的正投影分别与第一电极131和反射部111的交叠区域在衬底基板100的正投影至少存在交叠区域。像素限定层140在衬底基板100的正投影覆盖相邻两行子像素中的反射部111在衬底基板100的正投影之间的第一间隙以及相邻两行子像素中的第一电极131在衬底基板100的正投影之间的第二间隙。并且，像素限定层140在衬底基板100的正投影还覆盖相邻两列子像素中的反射部111在衬底基板100的正投影之间的第三间隙以及相邻两列子像素中的第一电极131在衬底基板100的正投影之间的第四间隙。这样通过像素限定层140中的开口KK0限定出子像素spx的发光区域。
示例性地，如图6所示，像素限定层140的形状可以为条状，这样可以使像素限定层140在衬底基板100的正投影覆盖相邻两行子像素中的反射部111在衬底基板100的正投影之间的第一间隙以及相邻两行子像素中的第一电极131在衬底基板100的正投影之间的第二间隙。
示例性地，第一透明电极层130在垂直于衬底基板100所在平面的方向上的厚度可以设置为8～40nm。例如，第一透明电极层130的厚度可以设置为10～30nm。如，第一透明电极层130的厚度可以设置为8nm。第一透明电极层130的厚度可以设置为10nm。第一透明电极层130的厚度可以设置为20nm。第一透明电极层130的厚度可以设置为30nm。第一透明电极层130的厚度可以设置为40nm。在实际应用中，第一透明电极层130的厚度可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
示例性地，第一透明电极层130的材料可以包括透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)材料、氧化铟锌(IZO)材料、碳纳米管或石墨烯等，在此不作限定。
示例性地，第二平坦层120在垂直于衬底基板100所在平面的方向上的厚度可以设置为80～100nm。例如，第二平坦层120的厚度可以设置为85～95nm。如，第二平坦层120的厚度可以设置为80nm。第二平坦层120的厚度也可以设置为85nm。第二平坦层120的厚度也可以设置为90nm。第二平坦层120的厚度也可以设置为95nm。第二平坦层120的厚度也可以设置为100nm。在实际应用中，第二平坦层120的厚度可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
示例性地，第二平坦层120的材料可以包括绝缘材料，例如氮化硅或二氧化硅，在此不作限定。
示例性地，反射层在垂直于衬底基板100所在平面的方向上的厚度可以设置为60～80nm。例如，反射层的厚度可以设置为65～75nm。如，反射层的厚度可以设置为60nm。反射层的厚度也可以设置为65nm。反射层的厚度也可以设置为70nm。反射层的厚度也可以设置为75nm。反射层的厚度也可以设置为80nm。在实际应用中，反射层的厚度可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
示例性地，像素限定层在垂直于衬底基板100所在平面的方向上的厚度可以设置为1.5～2.0μm。例如，像素限定层的厚度可以设置为1.6～1.9μm。如，像素限定层的厚度可以设置为1.5μm。像素限定层的厚度也可以设置为1.6μm。像素限定层的厚度也可以设置为1.75μm。像素限定层的厚度也可以设置为1.9μm。像素限定层的厚度也可以设置为2.0μm。在实际应用中，像素限定层的厚度可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
在具体实施时，在本公开实施例中，如图2至图3b所示，第一电极131包括间隔设置的多个第一子电极1311；其中，同一子像素spx中，各第一子电极1311在衬底基板100的正投影分别与反射部111在衬底基板100的正投影交叠。并且，开口KK0暴露各第一子电极1311中与反射部111交叠的部分。这样可以将一个子像素spx中的第一电极131分割为多个第一子电极1311，从而可以提高分辨率。并且，由于第一子电极1311的厚度在8～40nm之间，这样使得第一子电极1311与第二平坦层120之间的段差可以在8～40nm之间，相比前述将近120nm的段差，可以明显的降低第一子电极1311与第二平坦层120之间的段差。
示例性地，如图2所示，同一子像素spx中的多个第一子电极1311可以为沿第一方向F1延伸，沿第二反向排列的条形电极。或者，同一子像素spx中的多个第一子电极1311也可以为沿第一方向F1和第二方向F2阵列排布的块状电极。在实际应用中，第一子电极1311的形状可以根据实际应用环境的需求进行设计确定，在此不作限定。
示例性地，第一方向F1可以为行方向，第二方向F2可以为列方向。或者，第一方向F1可以为列方向，第二方向F2可以为行方向，在此不作限定。
在具体实施时，在本公开实施例中，如图4所示，阵列基板还可以包括：位于第一透明电极层130背离衬底基板100一侧的发光功能层181(例如空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层)，位于发光功能层181背离衬底基板100一侧的第二透明电极层182，位于第二透明电极层182背离衬底基板100一侧的薄膜封装层191，位于薄膜封装层191背离衬底基板100一侧的圆偏光片192。其中，圆偏光片192通过粘合剂层193贴合到薄膜封装上。薄膜封装层191可以包括层叠设置的第一无机层、有机层以及第二无机层。需要说明的是，薄膜封装层191的结构可以与相关技术中的实施方式基本相同，在此不作赘述。
示例性地，第二透明电极层的材料可以包括透明导电材料，例如氧化铟锡(ITO)材料、氧化铟锌(IZO)材料、碳纳米管或石墨烯等，在此不作限定。
在具体实施时，在本公开实施例中，阵列基板可以包括：位于衬底基板100的显示区中阵列排布的多个像素单元。每个像素单元包括多个子像素spx。示例性地，像素单元可以包括红色子像素，绿色子像素以及蓝色子像素，这样可以通过红绿蓝进行混色，以实现彩色显示。或者，像素单元也可以包括红色子像素，绿色子像素、蓝色子像素以及白色子像素，这样可以通过红绿蓝白进行混色，以实现彩色显示。当然，在实际应用中，像素单元中的子像素spx的发光颜色可以根据实际应用环境来设计确定，在此不作限定。
在具体实施时，在本公开实施例中，子像素spx可以包括电致发光二极管以及用于驱动电致发光二极管发光的驱动电路。其中，层叠设置的第一子电极1311、发光功能层181、第二透明电极层182可以形成一个电致发光二极管。因此，本公开实施例中的子像素spx可以包括多个电致发光二极管，例如子像素spx可以包括2个、3个、4个或更多个电致发光二极管。为了实现独立控制，可以使一个电致发光二极管对应电连接一个驱动电路。一般驱动电路可以包括驱动晶体管、开关晶体管等多个薄膜晶体管以及存储电容，其具体结构和工作原理可以与相关技术中的相同，在此不作赘述。
如图4所示，层叠设置的第一电极131、发光功能层181以及第二透明导电层可以形成电致发光二极管，例如：有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode，OLED)、量子点发光二极管(Quantum Dot Light Emitting Diodes，QLED)等。因此，本公开实施例中的一个子像素spx可以包括多个电致发光二极管，从而可以提高分辨率。
如图4与图5所示，以驱动电路中的一个薄膜晶体管161为例。为了独立控制每一个子像素spx中的每个电致发光二极管，可以使一个驱动电路对应驱动一个电致发光二极管，即可以使一个薄膜晶体管与一个电致发光二极管电连接。示例性地，晶体管阵列层160包括间隔设置的多个薄膜晶体管，这样可以在晶体管阵列层中形成驱动电路中的薄膜晶体管和存储电容。
示例性地，如图5所示，薄膜晶体管161可以包括：位于所述衬底基板100一侧的有源层162，位于所述有源层162背离所述衬底基板100一侧的栅绝缘层163，位于所述栅绝缘层163背离所述衬底基板100一侧的栅极164，位于所述栅绝缘层163背离所述衬底基板100一侧的层间介质层165，位于所述层间介质层165背离所述衬底基板100一侧的电容电极层166，位于所述电容电极层166背离所述衬底基板100一侧的层间绝缘层167，位于所述层间绝缘层167背离所述衬底基板100一侧的源漏极层168。其中，源漏极层168中的源极1681与对应的其他薄膜晶体管电连接，漏极1682通过第二过孔GK2与对应的反射导电部1111电连接，以及源极1681和漏极1682还分别通过贯穿栅绝缘层163、层间介质层165以及层间绝缘层167的过孔与有源层162电连接。并且，电容电极层166在衬底基板100的正投影与栅极164在衬底基板100的正投影具有交叠区域，这样可以使电容电极层166与栅极164形成存储电容。
示例性地，薄膜晶体管161也可以包括：位于所述衬底基板100一侧的有源层162，位于所述有源层162背离所述衬底基板100一侧的栅绝缘层163，位于所述栅绝缘层163背离所述衬底基板100一侧的栅极164，位于所述栅极164背离所述衬底基板100一侧的层间绝缘层167，位于所述层间绝缘层167背离所述衬底基板100一侧的源漏极层168。其中，源漏极层168中的源极1681与对应的其他薄膜晶体管电连接，漏极1682通过第二过孔GK2与对应的反射导电部1111电连接，以及源极1681和漏极1682还分别通过贯穿栅绝缘层163以及层间绝缘层167的过孔与有源层162电连接。
需要说明的是，图3a至图4以有源层162、栅绝缘层163、栅极164、层间介质层165、电容电极层166、层间绝缘层167、源漏极层168形成的晶体管阵列层160进行示意说明。
在具体实施时，在本公开实施例中，如图2至图3b所示，反射部111可以包括间隔设置的多个反射导电部；其中，一个第一子电极1311在衬底基板100的正投影与一个反射导电部在衬底基板100的正投影交叠。示例性地，一个第一子电极1311在衬底基板100的正投影与一个反射导电部在衬底基板100的正投影重叠。这样可以使一个第一子电极1311对应一个反射导电部。
示例性地，反射导电部的材料可以包括金属材料，例如，金、银、铜、铝、钼等，在此不作限定。
在具体实施时，在本公开实施例中，如图2至图3b所示，第二平坦层120还包括间隔设置的多个第一过孔GK1；其中，一个第一子电极1311对应至少一个第一过孔GK1。并且，同一子像素spx中，第一子电极1311与对应的反射导电部通过第一过孔GK1电连接。示例性地，可以使一个第一子电极1311对应一个、两个、三个或更多个第一过孔GK1，在此不作限定。
为了避免第一过孔GK1影响发光区域中发光功能层181的平坦性，在具体实施时，在本公开实施例中，如图2至图3b所示，像素限定层140在衬底基板100的正投影覆盖第一过孔GK1在衬底基板100的正投影。这样将第一过孔GK1设置在像素限定层140存在的区域中，而避免将第一过孔GK1设置在发光区域中，从而可以降低第一过孔GK1对第一子电极1311的平坦性的影响，进而避免对发光区域中的发光功能层181的平坦性的影响。
在具体实施时，在本公开实施例中，如图4所示，晶体管阵列层160与反射层之间设置有第一平坦层150。第一平坦层150还可以包括间隔设置的多个第二过孔GK2；一个反射导电部对应一个薄膜晶体管以及至少一个第二过孔GK2。并且，同一子像素spx中，反射导电部与对应的薄膜晶体管通过对应的第二过孔GK2电连接，这样可以使驱动电路通过反射导电部与第一子电极1311电连接，以将驱动信号输入第一子电极1311。示例性地，一个反射导电部可以对应一个、两个、三个或更多个第二过孔GK2，在此不作限定。
在具体实施时，在本公开实施例中，可以使对应同一反射导电部的第一过孔GK1和第二过孔GK2在衬底基板100的正投影不交叠，这样可以提高薄膜晶体管与第一子电极1311电连接的稳定性。
在具体实施时，在本公开实施例中，如图2至图3b所示，同一子像素spx中，多个第一过孔GK1中的部分第一过孔GK1位于第一子电极1311的第一侧，其余部分第一过孔GK1位于第一子电极1311的第二侧；其中，第一侧与第二侧沿第二方向F2相对设置。示例性地，同一子像素spx中，沿第一方向F1上，奇数列第一子电极1311对应的第一过孔GK1位于第一侧，偶数列第一子电极1311对应的第一过孔GK1位于第二侧。这样可以使覆盖在第一过孔GK1上的像素限定层的上表面与第二平坦层上表面之间的高度差可以较均一，提高像素限定层的膜层厚度的均一性。
或者，也可以使同一子像素spx中的多个第一过孔GK1均位于第一侧或第二侧，在此不作限定。
本公开实施例又提供了一些显示面板，其结构示意图如图7所示，其针对上述实施例中的实施方式进行了变形。下面仅说明本实施例与上述实施例的区别之处，其相同之处在此不作赘述。
在具体实施时，在本公开实施例中，如图7至图8b所示，可以使反射部111在衬底基板100的正投影覆盖开口KK0在衬底基板100的正投影。这样可以将反射部111设置为块状结构。
为了使第一子电极1311与薄膜晶体管进行电连接，可以使设置贯穿第二平坦层120、反射层110以及第一平坦层的导通过孔GK0，以使第一子电极1311通过导通过孔GK0与对应的源漏极层168中的漏极1682电连接，并使第一子电极1311与反射层110绝缘设置。
示例性地，可以使反射层110的材料包括金属材料，例如，金、银、铜、铝、钼等。或者，也可以使反射层110的材料包括具有反射性的油墨材料，在此不作限定。
示例性地，由于油墨材料为非导电性材料，在反射层110的材料为油墨材料时，可以直接对第二平坦层120、反射层110以及第一平坦层进行刻蚀打孔，降低工艺制备难度。
示例性地，由于金属材料为导电材料，在反射层110的材料为金属材料时，为了避免第一子电极1311通过块状的反射部111电连接，在具体实施时，在本公开实施例中，如图7至图8b所示，导通过孔GK0可以包括：贯穿反射部111的第三过孔GK3，贯穿第二平坦层120的第四过孔GK4，以及贯穿第一平坦层的第五过孔GK5；其中，同一导通过孔GK0中，第四过孔GK4在衬底基板100的正投影和第五过孔GK5在衬底基板100的正投影位于第三过孔GK3在衬底基板100的正投影内，且第四过孔GK4在衬底基板100的正投影与第五过孔GK5在衬底基板100的正投影交叠，以及第四过孔GK4与第三过孔GK3之间填充有绝缘材料。示例性地，第四过孔GK4与第三过孔GK3之间填充的绝缘材料可以与第二平坦层120的材料相同，这样可以在形成第二平坦层120时，采用第二平坦层120的材料对第三过孔GK3进行填充，之后，再形成第四过孔GK4，从而可以使第一子电极1311与反射结构绝缘，并使第一子电极1311与薄膜晶体管电连接。
在具体实施时，在本公开实施例中，如图7至图8b所示，像素限定层140在衬底基板100的正投影覆盖第四过孔GK4在衬底基板100的正投影。这样将第四过孔GK4设置在像素限定层140存在的区域中，而避免将第四过孔GK4设置在发光区域中，从而可以降低第四过孔GK4对第一子电极1311的平坦性的影响，进而避免对发光区域中的发光功能层181的平坦性的影响。
在具体实施时，在本公开实施例中，如图7至图8b所示，同一子像素spx中，多个第四过孔GK4中的部分第四过孔GK4位于第一子电极1311的第一侧，其余部分第四过孔GK4位于第一子电极1311的第二侧；其中，第一侧与第二侧相对设置。示例性地，同一子像素spx中，沿第一方向F1上，奇数列第一子电极1311对应的第四过孔GK4位于第一侧，偶数列第一子电极1311对应的第四过孔GK4位于第二侧。
或者，也可以使同一子像素spx中的多个第四过孔GK4均位于第一侧或第二侧，在此不作限定。
基于同一发明构思，本公开实施例还提供了一种显示装置，包括本公开实施例提供的上述阵列基板。该显示装置解决问题的原理与前述阵列基板相似，因此该显示装置的实施可以参见前述阵列基板的实施，重复之处在此不再赘述。
为了将本公开实施例中的阵列基板应用于3D显示装置中，在具体实施时，在本公开实施例中，如图4所示，显示装置还可以包括：位于圆偏光片192背离衬底基板100一侧的棱镜层194。这样可以通过棱镜层194的作用实现3D显示。
在具体实施时，在本公开实施例中，显示装置可以为：手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。对于该显示装置的其它必不可少的组成部分均为本领域的普通技术人员应该理解具有的，在此不做赘述，也不应作为对本公开的限制。
本公开实施例提供的阵列基板及显示装置，通过使阳极包括反射层、第二平坦层以及第一透明电极层，可以将反射层与第一透明电极层之间设置第二平坦层，以将反射层与第一透明电极层分离设置。这样不仅可以通过反射层实现反射光的功能，还可以使第一电极与第二平坦层之间的段差仅为第一电极的膜层厚度，从而在第一电极上形成其他膜层(例如发光功能层、阴极层)时，有利于提高这些膜层的平坦性，进而提高显示均一性。
显然，本领域的技术人员可以对本公开进行各种改动和变型而不脱离本公开的精神和范围。这样，倘若本公开的这些修改和变型属于本公开权利要求及其等同技术的范围之内，则本公开也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (15)
1.一种阵列基板，其中，包括：
衬底基板，包括多个子像素；所述多个子像素中的至少一个子像素包括：
有源层，位于所述衬底基板一侧；
栅绝缘层，位于所述有源层背离所述衬底基板一侧；
栅极，位于所述栅绝缘层背离所述衬底基板一侧；
层间绝缘层，位于所述栅极层背离所述衬底基板一侧；
源漏极层，位于所述层间绝缘层背离所述衬底基板一侧；
第一平坦层，位于所述源漏极层背离所述衬底基板一侧；
阳极，位于所述第一平坦层背离所述衬底基板一侧；
其中，所述阳极包括：
反射层，位于所述第一平坦层背离所述衬底基板一侧，且所述反射层包括间隔设置的多个反射部；
第二平坦层，位于所述反射层背离所述衬底基板一侧，且所述第二平坦层覆盖所述反射层和所述衬底基板；
第一透明电极层，位于所述第二平坦层背离所述衬底基板一侧，且所述第一透明电极层包括间隔设置的多个第一电极；其中，同一所述子像素中，所述第一电极在所述衬底基板的正投影与所述反射部在所述衬底基板的正投影至少存在交叠区域。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其中，所述第一透明电极层在垂直于所述衬底基板所在平面的方向上的厚度为8～40nm；和/或，
所述阵列基板还包括：位于所述第一透明电极层背离所述衬底基板一侧的像素限定层，其中，所述像素限定层在所述衬底基板的正投影至少覆盖相邻两行子像素中的反射部在所述衬底基板的正投影之间的第一间隙以及相邻两行子像素中的第一电极在所述衬底基板的正投影之间的第二间隙。
3.如权利要求2所述的阵列基板，其中，所述第一电极包括间隔设置的多个第一子电极；其中，同一所述子像素中，各所述第一子电极在所述衬底基板的正投影分别与所述反射部在所述衬底基板的正投影交叠；
所述开口暴露各所述第一子电极中与所述反射部交叠的部分。
4.如权利要求3所述的阵列基板，其中，所述反射部包括间隔设置的多个反射导电部；其中，一个所述第一子电极在所述衬底基板的正投影与一个所述反射导电部在所述衬底基板的正投影交叠；或者，
同一子像素中，所述反射部在所述衬底基板的正投影覆盖所述开口在所述衬底基板的正投影。
5.如权利要求4所述的阵列基板，其中，在所述反射部包括间隔设置的多个反射导电部时，所述第二平坦层还包括间隔设置的多个第一过孔；其中，一个第一子电极对应至少一个所述第一过孔；
同一所述子像素中，所述第一子电极与对应的所述反射导电部通过所述第一过孔电连接。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其中，所述像素限定层在所述衬底基板的正投影覆盖所述第一过孔在所述衬底基板的正投影。
7.如权利要求6所述的阵列基板，其中，同一子像素中，所述多个第一过孔中的部分第一过孔位于所述第一子电极的第一侧，其余部分第一过孔位于所述第一子电极的第二侧；其中，所述第一侧与所述第二侧相对设置。
8.如权利要求5-7任一项所述的阵列基板，其中，所述第一平坦层还包括间隔设置的多个第二过孔；其中，一个反射导电部对应至少一个所述第二过孔；
同一所述子像素中，所述反射导电部与所述源漏极层中的漏极通过对应的所述第二过孔电连接。
9.如权利要求4所述的阵列基板，其中，在所述反射部在所述衬底基板的正投影覆盖所述开口在所述衬底基板的正投影时，所述第一子电极通过导通过孔与所述源漏极层中的漏极电连接；
所述导通过孔贯穿所述第二平坦层、所述反射层以及所述第一平坦层，且所述第一子电极与所述反射层绝缘设置。
10.如权利要求9所述的阵列基板，其中，所述导通过孔包括：贯穿所述反射部的第三过孔，贯穿第二平坦层的第四过孔，以及贯穿所述第一平坦层的第五过孔；
同一所述导通过孔中，所述第四过孔在所述衬底基板的正投影和所述第五过孔在所述衬底基板的正投影位于所述第三过孔在所述衬底基板的正投影内，且所述第四过孔在所述衬底基板的正投影与所述第五过孔在所述衬底基板的正投影交叠，以及所述第四过孔与所述第三过孔之间填充有绝缘材料。
11.如权利要求10所述的阵列基板，其中，所述像素限定层在所述衬底基板的正投影覆盖所述第四过孔在所述衬底基板的正投影。
12.如权利要求11所述的阵列基板，其中，同一子像素中，所述多个第四过孔中的部分第四过孔位于所述第一子电极的第一侧，其余部分第四过孔位于所述第一子电极的第二侧；其中，所述第一侧与所述第二侧相对设置。
13.如权利要求9-12任一项所述的阵列基板，其中，所述反射层的材料包括金属材料和油墨材料。
14.如权利要求1-7、9-12任一项所述的阵列基板，其中，所述阵列基板还包括：位于所述第一透明电极层背离所述衬底基板一侧的发光功能层，位于所述发光功能层背离所述衬底基板一侧的第二透明电极层，位于所述第二透明电极层背离所述衬底基板一侧的薄膜封装层，位于所述薄膜封装层背离所述衬底基板一侧的圆偏光片。
15.一种显示装置，其中，包括：如权利要求1-14任一项所述的阵列基板，以及位于圆偏光片背离所述衬底基板一侧的棱镜层。
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