JP2010182582A - 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2010182582A JP2010182582A JP2009026364A JP2009026364A JP2010182582A JP 2010182582 A JP2010182582 A JP 2010182582A JP 2009026364 A JP2009026364 A JP 2009026364A JP 2009026364 A JP2009026364 A JP 2009026364A JP 2010182582 A JP2010182582 A JP 2010182582A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- insulating film
- organic
- hole
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000005192 partition Methods 0.000 claims description 39
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 11
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 7
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 abstract description 104
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 abstract description 22
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 8
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 4
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 4
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 4
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 229920000265 Polyparaphenylene Polymers 0.000 description 3
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 3
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 3
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 3
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 3
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 2
- 238000001579 optical reflectometry Methods 0.000 description 2
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 2
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003227 poly(N-vinyl carbazole) Polymers 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- -1 polyphenylene Polymers 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 1,4,4-triphenylbuta-1,3-dienylbenzene Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(C=1C=CC=CC=1)=CC=C(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 KLCLIOISYBHYDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 2-phenylpyridine Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC=N1 VQGHOUODWALEFC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 9,10-diphenylanthracene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=CC=CC=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 FCNCGHJSNVOIKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N Quinacridone Chemical compound N1C2=CC=CC=C2C(=O)C2=C1C=C1C(=O)C3=CC=CC=C3NC1=C2 NRCMAYZCPIVABH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010549 co-Evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N coumarin 6 Chemical compound C1=CC=C2SC(C3=CC4=CC=C(C=C4OC3=O)N(CC)CC)=NC2=C1 VBVAVBCYMYWNOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 125000005678 ethenylene group Chemical group [H]C([*:1])=C([H])[*:2] 0.000 description 1
- 125000003983 fluorenyl group Chemical class C1(=CC=CC=2C3=CC=CC=C3CC12)* 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N nile red Chemical compound C1=CC=C2C3=NC4=CC=C(N(CC)CC)C=C4OC3=CC(=O)C2=C1 VOFUROIFQGPCGE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 229920000548 poly(silane) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920000172 poly(styrenesulfonic acid) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920005672 polyolefin resin Polymers 0.000 description 1
- 229940005642 polystyrene sulfonic acid Drugs 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 239000001022 rhodamine dye Substances 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/124—Insulating layers formed between TFT elements and OLED elements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1248—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or shape of the interlayer dielectric specially adapted to the circuit arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【課題】平坦化層から発生するガスによる表示品質の低下を防止することができる有機ＥＬ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に、光透過性を有する画素電極１３と光透過性を有する陰極１８との間に発光層１７を挟持する複数の有機ＥＬ素子３０と、画素電極１３を挟んで発光層１７の反対側に配置された光反射層１１と、を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置１Ａであって、基板と光反射層１１との間に設けられた有機物からなる平坦化層１０と、光反射層１１および平坦化層１０を覆い、画素電極１３と光反射層１１との間に設けられる層間絶縁膜１２と、を備え、層間絶縁膜１２には、画素電極１３と平面視で重ならない位置に、層間絶縁膜１２を貫通して平坦化層１０に到達する貫通孔１２ｂが形成されていることを特徴とする。
【選択図】図１
【解決手段】基板上に、光透過性を有する画素電極１３と光透過性を有する陰極１８との間に発光層１７を挟持する複数の有機ＥＬ素子３０と、画素電極１３を挟んで発光層１７の反対側に配置された光反射層１１と、を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置１Ａであって、基板と光反射層１１との間に設けられた有機物からなる平坦化層１０と、光反射層１１および平坦化層１０を覆い、画素電極１３と光反射層１１との間に設けられる層間絶縁膜１２と、を備え、層間絶縁膜１２には、画素電極１３と平面視で重ならない位置に、層間絶縁膜１２を貫通して平坦化層１０に到達する貫通孔１２ｂが形成されていることを特徴とする。
【選択図】図１
Description
本発明は、有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器に関するものである。
従来、基板上に多数の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）素子を備えた有機ＥＬ装置が知られている。有機ＥＬ素子は、基板上に形成されたＴＦＴ（薄膜トランジスタ）や配線等を覆う平坦化層と、その平坦化層上に形成された電極（陽極）と、その電極を区画する開口部を有する隔壁と、その隔壁の開口部内に形成された機能層と、その機能層を覆って形成された電極（陰極）とを備えている。
有機ＥＬ装置は、消費電力が少なく軽量化された平面表示装置のニーズが高まっていることから研究開発が活発に行われており、様々な製造方法や表示特性が改良された様々な装置構成が提案されている（特許文献１，２参照）。
例えば、従来の有機ＥＬ装置は、発光層から取り出される光のスペクトルのピーク幅が広く、発光輝度も小さいため、表示装置に適用した場合に、十分な色再現性が得られないという問題があった。そこで、基板と陽極との間に形成された光反射層と、発光層の射出側に形成された半透過反射性を有する陰極と、を備え、光反射層と陰極との間で、発光層から射出された光を共振させる光共振構造を設ける構造が提案されている（特許文献３参照）。光反射層は金属材料で形成することが多いため、陽極と光反射層との短絡を防止するために絶縁層を挟んで形成される。
このような構成を有する有機ＥＬ装置では、共振波長の光が選択的に増幅されたうえで観察側に射出されるため、スペクトルのピーク幅が狭く強度も高い光を表示に利用することができ、表示装置の色再現性を向上させることが可能になる。
ところで、有機ＥＬ素子が有する平坦化層は、通常、樹脂材料や樹脂材料の前駆体を溶媒に溶解して塗布した後に、フォトリソグラフィ法を用いて形成される。そのため、平坦化層には形成時の溶媒が残存していることがある。また、平坦化層は、平坦化層以外の層の形成において用いられるレジスト剥離液等の処理液に曝される。そのため、これらの処理液が平坦化層に含浸することがある。
このように平坦化層内に残存する溶媒や処理液は、有機ＥＬ装置の駆動熱や、使用環境の環境温度の変化によって気化する。このような気化は、平坦化層上に気密性の高い層、例えば、無機材料等により形成された陽極や絶縁膜等を形成した後においても起こりうる。このような気密性の高い層で覆われた平坦化層内で気化すると、発生したガスの逃げ場がないため、体積膨張に伴い陽極や絶縁膜等の破損を引き起こす原因となる。
陽極が破損すると、破損箇所では電流が流れないためにダークスポットとなり、表示品質が低下する原因となる。また、生じたガスが破損箇所から排出され、発光層等の機能層を劣化させると、ダークスポットが発生するのみならず、破損部分を中心としてダークスポットが成長し、非発光部分を周囲に広げてしまうため、製品寿命が著しく短くなってしまう。
本発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、平坦化層から発生するガスによる表示品質の低下を防止することができる有機ＥＬ装置を提供することを目的とする。また、このような有機ＥＬ装置を用いた電子機器を提供することをあわせて目的とする。
上記の課題を解決するため、本発明の有機エレクトロルミネッセンス装置は、基板上に、光透過性を有する第１電極と光透過性を有する第２電極との間に発光層を挟持する複数の発光素子と、前記第１電極を挟んで前記発光層の反対側に配置された光反射層と、を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置であって、前記基板と前記光反射層との間に設けられた有機物からなる第１絶縁膜と、前記光反射層および前記第１絶縁膜を覆い、前記第１電極と前記光反射層との間に設けられる第２絶縁膜と、を備え、前記第２絶縁膜には、前記第１電極と平面視で重ならない位置に、前記第２絶縁膜を貫通して前記第１絶縁膜に到達する第１貫通孔が形成されていることを特徴とする。
この構成によれば、第２絶縁膜の形成時に第１絶縁膜においてガスが発生しても、発生するガスは、第１貫通孔を通して第１絶縁膜の外部に排出される。したがって、第１絶縁膜で発生したガスの蓄積に起因したダークスポットの発生を抑制することができ、表示品質の低下を防止する有機ＥＬ装置を提供することができる。
本発明においては、前記第２絶縁膜上に、前記複数の発光素子を互いに区画するように配置され、有機物からなる隔壁を有し、前記隔壁は、前記第１貫通孔と平面的に重なると共に、前記第１貫通孔を介して前記第１絶縁膜と接していることが望ましい。
この構成によれば、第１貫通孔から放出されるガスを、有機材料を形成材料とする隔壁を介して外部に放出させることができるため、第２絶縁膜を形成した後の製造工程においても、第１貫通孔からのガスの排出が可能となる。例えば、第２絶縁膜を形成した後の製造工程で基板が加熱される工程を有すると、第１絶縁膜の温度が上昇し気化が促進するが、隔壁を介してガスが放出されるために、第１絶縁膜内でのガスの蓄積を抑制することができる。
この構成によれば、第１貫通孔から放出されるガスを、有機材料を形成材料とする隔壁を介して外部に放出させることができるため、第２絶縁膜を形成した後の製造工程においても、第１貫通孔からのガスの排出が可能となる。例えば、第２絶縁膜を形成した後の製造工程で基板が加熱される工程を有すると、第１絶縁膜の温度が上昇し気化が促進するが、隔壁を介してガスが放出されるために、第１絶縁膜内でのガスの蓄積を抑制することができる。
本発明においては、前記隔壁は、前記隔壁を貫通して前記第１貫通孔に接続される第２貫通孔が設けられていることが望ましい。
この構成によれば、隔壁を浸透して放出するよりも効率的に、第１絶縁膜で発生するガスを隔壁の外部へ排出することができる。
この構成によれば、隔壁を浸透して放出するよりも効率的に、第１絶縁膜で発生するガスを隔壁の外部へ排出することができる。
本発明においては、前記第１貫通孔は、前記隔壁の少なくとも一部に沿って、帯状に延在して形成されていることが望ましい。
この構成によれば、第１貫通孔の開口面積を増加させ、より効果的に第１絶縁膜に生じるガスを排出することができる。
この構成によれば、第１貫通孔の開口面積を増加させ、より効果的に第１絶縁膜に生じるガスを排出することができる。
本発明においては、上述の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えることを特徴とする。
この構成によれば、信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
この構成によれば、信頼性に優れた電子機器を提供することができる。
［第１実施形態］
以下、図１〜図４を参照しながら、本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置について説明する。なお、以下の全ての図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとして図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
以下、図１〜図４を参照しながら、本発明の第１実施形態に係る有機ＥＬ装置について説明する。なお、以下の全ての図面においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとして図面を見やすくするため、各構成要素の膜厚や寸法の比率などは適宜異ならせてある。
（有機ＥＬ装置）
まず、図１，２を用いて、本実施形態の有機ＥＬ装置１Ａについて説明する。図１は本実施形態の有機ＥＬ装置１Ａの概略構成を示す断面図である。図に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１Ａは、基板２上に形成された多数の有機ＥＬ素子（発光素子）３０の機能層１５から射出された光を、有機ＥＬ素子３０が形成された基板２とは反対側の封止基板２０から取り出すトップエミッション方式の有機ＥＬ装置である。
まず、図１，２を用いて、本実施形態の有機ＥＬ装置１Ａについて説明する。図１は本実施形態の有機ＥＬ装置１Ａの概略構成を示す断面図である。図に示すように、本実施形態の有機ＥＬ装置１Ａは、基板２上に形成された多数の有機ＥＬ素子（発光素子）３０の機能層１５から射出された光を、有機ＥＬ素子３０が形成された基板２とは反対側の封止基板２０から取り出すトップエミッション方式の有機ＥＬ装置である。
基板２は、例えば、ガラス等により形成され、基板２上には、例えば、ＳｉＯ２（シリコン酸化物）等により絶縁膜３が形成されている。絶縁膜３上には、個々の有機ＥＬ素子３０に対応して駆動用ＴＦＴ（薄膜トランジスタ）４が設けられている。駆動用ＴＦＴ４は、絶縁膜３上に形成された半導体層５と、半導体層５のチャネル領域にゲート絶縁膜（図示略）を介して対向配置されたゲート電極６と、を備えている。そして、ゲート絶縁膜及びゲート電極６を覆って、絶縁膜７が形成されている。絶縁膜７上にはソース電極８及びドレイン電極９が形成され、それぞれ、コンタクトホール７ａ，７ｂを介して半導体層５のソース領域及びドレイン領域に接続されている。ソース電極８は、絶縁膜７上に形成された電源線１０３に接続されている。
これら駆動用ＴＦＴ４及び電源線１０３を覆って、これらの構成に由来した表面の凹凸を緩和する平坦化層（第１絶縁膜）１０が形成されている。平坦化層１０は、例えば、アクリル系やポリイミド系等の耐熱性及び絶縁性を有する樹脂材料（有機物）により形成されている。平坦化層１０には、平坦化層１０を貫通してドレイン電極９に到達するコンタクトホール１０ａが設けられている。
平坦化層１０の上には、複数（図では２つ）の光反射層１１が設けられている。光反射層１１は、光反射性を有する金属材料によって形成されたものである。光反射性を有する導電性材料としては、Ａｌ（アルミニウム）、Ａｇ（銀）、あるいはこれらを主成分とする合金等が用いられ、例えばＡｌとＮｄ（ネオジム）との合金が好適に用いられる。
光反射層１１の上には、光反射層１１と平坦化層１０とを覆って層間絶縁膜（第２絶縁膜）１２が形成されている。層間絶縁膜１２は、例えば、ＳｉＮやＳｉＯ２等の絶縁性の無機材料により形成されている。層間絶縁膜１２には、コンタクトホール１０ａと連通するコンタクトホール１２ａが設けられている。また、本実施形態の層間絶縁膜１２には、層間絶縁膜１２を貫通して平坦化層１０に到達する貫通孔（第１貫通孔）１２ｂが形成されている。貫通孔１２ｂについて詳しくは後述する。
層間絶縁膜１２上には、光反射層１１と平面的に重なって、有機ＥＬ素子３０の陽極である画素電極（第１電極）１３が形成されている。画素電極１３の形成材料としては、仕事関数が５ｅＶ以上の正孔注入効果の高い透明導電性材料が好適に用いられる。このような正孔注入効果の高い材料としては、例えばＩＴＯ（Indium Thin Oxide:インジウム錫酸化物）等の金属酸化物を挙げることができる。画素電極１３は、コンタクトホール１０ａおよびコンタクトホール１２ａ介してドレイン電極９に接続されており、コンタクトホール１０ａ，１２ａ内に露出する平坦化層１０の表面を覆っている。
また、層間絶縁膜１２上であって、光反射層１１と平面的に重なる領域には、画素電極１３を構成の一部とする有機ＥＬ素子３０が配置されており、隣接する有機ＥＬ素子３０の間および有機ＥＬ素子３０と基板２の端部との間には隔壁１４が形成されている。隔壁１４は平坦化層１０と同様に絶縁性の樹脂材料で形成されており、形成方法はフォトリソグラフィを用いるため、材料には例えば感光性のアクリル樹脂や環状オレフィン樹脂などの有機物が用いられている。隔壁１４は、貫通孔１２ｂと重なって設けられており、貫通孔１２ｂを介して平坦化層１０と接している。
有機ＥＬ素子３０は、画素電極１３と陰極１８に機能層１５が挟持されて構成されている。画素電極１３上に設けられる機能層１５は、画素電極１３側に形成された正孔注入・輸送層１６と、その上に積層されて形成された発光層１７と、を備えている。
正孔注入・輸送層１６は、例えば、３，４−ポリエチレンジオキシチオフェン−ポリスチレンスルフォン酸（ＰＥＤＯＴ−ＰＳＳ）の分散液等の液相材料を乾燥させることにより形成されている。これ以外にも、従来知られた正孔注入・輸送性材料を用いることができる。
発光層１７は、蛍光あるいは燐光を発光することが可能な公知の発光材料により形成されている。特にフルカラー表示を行う場合には、赤色、緑色、青色の各波長域に対応する光を発光する材料が用いられる。
発光層１７の形成材料としては、例えば、（ポリ）フルオレン誘導体（ＰＦ）、（ポリ）パラフェニレンビニレン誘導体（ＰＰＶ）、ポリフェニレン誘導体（ＰＰ）、ポリパラフェニレン誘導体（ＰＰＰ）、ポリビニルカルバゾール（ＰＶＫ）、ポリチオフェン誘導体、ポリメチルフェニルシラン（ＰＭＰＳ）などのポリシラン系などが好適に用いられる。また、これらの高分子材料に、ペリレン系色素、クマリン系色素、ローダミン系色素などの高分子系材料や、ルブレン、ペリレン、９，１０−ジフェニルアントラセン、テトラフェニルブタジエン、ナイルレッド、クマリン６、キナクリドン等の低分子材料をドープして用いることもできる。さらに、Ｉｒ（ｐｐｙ）３などの燐光材料を用いることもできる。
機能層１５上には、機能層１５及び隔壁１４の表面を覆って、有機ＥＬ素子３０の陰極である陰極（第２電極）１８が設けられている。陰極１８は、表面に到達した光の一部を透過し、残りを反射する半透過反射層として機能するようになっている。具体的には、真空蒸着法で形成された厚さ５ｎｍ程度のＬｉＦ（フッ化リチウム）と、これの上に共蒸着法で形成された厚さ１０ｎｍ程度のＭｇＡｇとからなる、積層膜によって形成されている。なお、陰極１８の材料としては、前記材料以外にも、ＣａやＢａなどの電子注入性を有する導電材料が使用可能である。
これらの導電材料は、十分に薄く形成されることで透明性を発揮するものの、実際にはある程度反射する半透過反射性を有している。したがって、形成された陰極１８は半透過反射層として機能する。従って、半透過反射層である陰極１８と、画素電極１３の下面側に配設された光反射層１１と間には、光共振器構造が形成される。
すなわち、機能層１５の発光層１７で発せられた光は、光反射層１１と半透過反射性を有する陰極１８との間で反射を繰り返し共振する。すると、この共振構造における共振波長の成分のみが選択的に増幅されたうえで、陰極１８を透過し外側（観測者側）に出射する。したがって、このような構成により、スペクトルのピーク幅が狭く強度も高い光を出射できるようになっている。
陰極１８上には、光透過性を有する接着層１９を介して、例えば、ガラスや石英等の透明な材料により形成された封止基板２０が貼着されている。本実施形態では、陰極１８として半透過反射性を用いて、光反射層１１と間で、光共振器構造を形成するようにしたが、陰極１８として光透過性を有する電極を用いて、光共振構造を形成しないようにしても良い。
（層間絶縁膜の貫通孔）
有機ＥＬ装置１Ａが備える平坦化層１０は、通常、有機材料を用いてウェットプロセスで形成されるため、平坦化層１０を形成する工程で用いる溶媒や現像液が少量含浸している。また、平坦化層１０よりも上層の形成工程で用いられるレジスト液や現像液等の溶媒に接触することも多く、これらの溶媒が膨潤しやすい。
有機ＥＬ装置１Ａが備える平坦化層１０は、通常、有機材料を用いてウェットプロセスで形成されるため、平坦化層１０を形成する工程で用いる溶媒や現像液が少量含浸している。また、平坦化層１０よりも上層の形成工程で用いられるレジスト液や現像液等の溶媒に接触することも多く、これらの溶媒が膨潤しやすい。
平坦化層１０に含まれるこのような溶媒は、装置の使用により発生する駆動熱や、使用環境の温度によって平坦化層１０内で気化し体積が増加する。このように発生するガスは、画素電極の破損や機能層の劣化の原因と成り得るが、本実施形態の有機ＥＬ装置１Ａでは、層間絶縁膜１２に設けられた貫通孔１２ｂを介してガスを放出することで、このような破損を抑制している。
図２は、層間絶縁膜１２に設けられた貫通孔１２ｂの概略平面図である。貫通孔１２ｂは、層間絶縁膜に1つだけ設けるようにしても良いし、図２（ａ）に示すように、平面視でその開口が画素電極１３の周囲に点在しているか、または、図２（ｂ）に示すように、画素電極１３の周囲に溝状に連続して形成しても良い。また、図２（ｃ）に示すように、画素電極１３の周囲に隔壁の一部に沿って溝状の貫通孔１２ｂを連続して格子状に形成しても良い。
貫通孔１２ｂは、画素電極１３の近傍に設けられることで、画素電極１３近傍の平坦化層１０内で発生するガスを積極的に放出し、画素電極の破損を防ぐ構成となっている。また、貫通孔１２ｂは、開口面積が広いほうが効率的にガスを放出することができるため好ましい。
本実施形態の有機ＥＬ装置１Ａは、以上のような構成となっている。
本実施形態の有機ＥＬ装置１Ａは、以上のような構成となっている。
（有機ＥＬ装置の製造方法）
次に、有機ＥＬ装置１Ａの製造方法を説明し、本実施形態の作用について説明する。図３，４は、本実施形態の有機ＥＬ装置１Ａの製造工程を示す工程図である。
次に、有機ＥＬ装置１Ａの製造方法を説明し、本実施形態の作用について説明する。図３，４は、本実施形態の有機ＥＬ装置１Ａの製造工程を示す工程図である。
まず、図３（ａ）に示すように、駆動用ＴＦＴ４、ゲート電極６、ソース電極８、ドレイン電極９、電源線１０３などの各構成が形成された基板２上に、平坦化層１０を形成する。ここでは、例えばスピンコート法を用いて光硬化性樹脂の前駆体溶液を塗布し乾燥させ、得られる前駆体の膜に露光および現像処理を行う（フォトリソグラフィ法）ことで、コンタクトホール１０ａを設けた平坦化層１０を形成する。
次に、図３（ｂ）に示すように、平坦化層１０の上にマスク蒸着法などの形成法を用いて光反射層１１を形成し、更に、光反射層１１を覆って層間絶縁膜１２を形成する。層間絶縁膜１２は、例えば、ＳｉＮ膜をベタ成膜した後に、ウェットエッチングによりコンタクトホール１２ａ、貫通孔１２ｂを形成することで得られる。
次に、図３（ｃ）に示すように、層間絶縁膜１２上に画素電極１３を形成し、コンタクトホール１０ａ，１２ａを介してドレイン電極９に接続する。
次いで、図４（ａ）に示すように、平坦化層１０、画素電極１３、及び層間絶縁膜１２を覆って有機材料層を形成し、フォトリソグラフィ法により有機材料層に開口部１４ａを形成して隔壁１４を形成する。隔壁１４の形成後には、全体を、例えば２００℃程度の温度に加熱してアニール処理を行う。
次いで、図４（ｂ）に示すように、通常知られた方法を用いて機能層１５，陰極１８を設けて有機ＥＬ素子３０を形成し、更に接着層１９を介して封止基板２０を貼着することで、本実施形態の有機ＥＬ装置１Ａを製造することができる。
有機ＥＬ装置１Ａは、上記の製造工程における蒸着やプラズマ処理やアニール処理等により平坦化層１０が各処理温度にまで加熱され、平坦化層１０内に含浸する溶媒が気化する。発生するガスは、隔壁１４を形成するまでは層間絶縁膜１２に設けられた貫通孔１２ｂを介して直接平坦化層１０の外部へ排出される。また、樹脂材料で形成される隔壁１４は、ガスバリア性が低い。そのため、隔壁１４を形成した後は、隔壁１４内を浸透して（隔壁１４を介して）平坦化層１０の外部へ排出される。そのため、発生するガスに起因する画素電極の破損が抑制され、ダークスポットの発生が抑制される。
本実施形態の有機ＥＬ装置１Ａは、以上のように製造される。
本実施形態の有機ＥＬ装置１Ａは、以上のように製造される。
以上のような構成の有機ＥＬ装置１Ａによれば、層間絶縁膜１２の形成時に平坦化層１０においてガスが発生しても、発生するガスは、貫通孔１２ｂを通して平坦化層１０の外部に排出されるため、ダークスポットの発生を抑制することができ、表示品質の低下を防止する有機ＥＬ装置１Ａを提供することができる。
また、本実施形態では、隔壁１４は、貫通孔１２ｂと平面的に重なると共に、貫通孔１２ｂを介して平坦化層１０と接することとしている。そのため、貫通孔１２ｂから放出されるガスを、隔壁１４を介して外部に放出させることができるため、層間絶縁膜１２を形成した後の製造工程においても、貫通孔１２ｂからのガスの排出が可能となる。
なお、本実施形態においては、機能層１５が高分子発光材料であることとしたが、通常知られた低分子発光材料を用いることもできる。
［第２実施形態］
図５は、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ｂの説明図である。本実施形態の有機ＥＬ装置１Ｂは、第１実施形態の有機ＥＬ装置１Ａと一部共通している。異なるのは、隔壁１４に貫通孔１４ｂ（第２貫通孔）が形成されていることである。したがって、本実施形態において第１実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
図５は、本発明の第２実施形態に係る有機ＥＬ装置１Ｂの説明図である。本実施形態の有機ＥＬ装置１Ｂは、第１実施形態の有機ＥＬ装置１Ａと一部共通している。異なるのは、隔壁１４に貫通孔１４ｂ（第２貫通孔）が形成されていることである。したがって、本実施形態において第１実施形態と共通する構成要素については同じ符号を付し、詳細な説明は省略する。
図５は、本実施形態の有機ＥＬ装置１Ｂを表した概略断面図であり、図４（ａ）に対応する断面図である。本実施形態の有機ＥＬ装置１Ｂは、隔壁１４に、隔壁１４を貫通し貫通孔１２ｂを通って平坦化層１０に到達する貫通孔１４ｂが形成されている。貫通孔１４ｂは、アニール工程の前に、例えば、フォトリソグラフィ法等により形成する。
本実施形態では、製造工程において隔壁１４が形成された後も、平坦化層１０中のガスを発生させる不純物を、貫通孔１４ｂを通して隔壁１４の外部へ排出することができる。すなわち、平坦化層１０中の不純物や平坦化層１０において発生したガスを、隔壁１４を通すことなく、直接、平坦化層１０の外部に排出することができる。
したがって、本実施形態の有機ＥＬ装置１Ｂは、製造工程において平坦化層１０から発生したガスを外部により確実に排出することができ、ガスの蓄積に起因する表示品質の低下をより確実に防止することができる。
なお、本実施形態において、貫通孔１２ｂと貫通孔１４ｂとを略同じ径として、互いに連通するように形成してもよい。
［電子機器］
次に、本発明の電子機器の実施形態について説明する。図６は、本発明の有機ＥＬ装置を用いた電子機器の一例を示す斜視図である。図６に示す携帯電話（電子機器）１３００は、本発明の有機ＥＬ装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。これにより、本発明の有機ＥＬ装置により構成された、信頼性に優れた表示部を具備した携帯電話１３００を提供することができる。
次に、本発明の電子機器の実施形態について説明する。図６は、本発明の有機ＥＬ装置を用いた電子機器の一例を示す斜視図である。図６に示す携帯電話（電子機器）１３００は、本発明の有機ＥＬ装置を小サイズの表示部１３０１として備え、複数の操作ボタン１３０２、受話口１３０３、及び送話口１３０４を備えて構成されている。これにより、本発明の有機ＥＬ装置により構成された、信頼性に優れた表示部を具備した携帯電話１３００を提供することができる。
上記各実施の形態の有機ＥＬ装置は、上記携帯電話に限らず、電子ブック、プロジェクタ、パーソナルコンピュータ、ディジタルスチルカメラ、テレビジョン受像機、ビューファインダ型あるいはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーション装置、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、タッチパネルを備えた機器等々の画像表示手段として好適に用いることができる。かかる構成とすることで、表示品質が高く、信頼性に優れた表示部を備えた電子機器を提供できる。
以上、添付図面を参照しながら本発明に係る好適な実施の形態例について説明したが、本発明は係る例に限定されないことは言うまでもない。上述した例において示した各構成部材の諸形状や組み合わせ等は一例であって、本発明の主旨から逸脱しない範囲において設計要求等に基づき種々変更可能である。
１Ａ，１Ｂ…有機ＥＬ装置（有機エレクトロルミネッセンス装置）、２…基板、１０…平坦化層（第１絶縁膜）、１１…光反射層、１２…層間絶縁膜（第２絶縁膜）、１２ｂ…貫通孔（第１貫通孔）、１３…画素電極（第１電極）、１４…隔壁、１４ｂ…貫通孔（第２貫通孔）、１７…発光層、１８…陰極（第２電極）、３０…有機ＥＬ素子（発光素子）、１３００…携帯電話（電子機器）、
Claims (5)
- 基板上に、光透過性を有する第１電極と光透過性を有する第２電極との間に発光層を挟持する複数の発光素子と、前記第１電極を挟んで前記発光層の反対側に配置された光反射層と、を備えた有機エレクトロルミネッセンス装置であって、
前記基板と前記光反射層との間に設けられた有機物からなる第１絶縁膜と、
前記光反射層および前記第１絶縁膜を覆い、前記第１電極と前記光反射層との間に設けられる第２絶縁膜と、を備え、
前記第２絶縁膜には、前記第１電極と平面視で重ならない位置に、前記第２絶縁膜を貫通して前記第１絶縁膜に到達する第１貫通孔が形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記第２絶縁膜上に、前記複数の発光素子を互いに区画するように配置され、有機物からなる隔壁を有し、
前記隔壁は、前記第１貫通孔と平面的に重なると共に、前記第１貫通孔を介して前記第１絶縁膜と接していることを特徴とする請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。 - 前記隔壁は、前記隔壁を貫通して前記第１貫通孔に接続される第２貫通孔が設けられていることを特徴とする請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 前記第１貫通孔は、前記隔壁の少なくとも一部に沿って、帯状に延在して形成されていることを特徴とする請求項２または３に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置。
- 請求項１から４のいずれか１項に記載の有機エレクトロルミネッセンス装置を備えることを特徴とする電子機器。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009026364A JP2010182582A (ja) | 2009-02-06 | 2009-02-06 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 |
| US12/689,586 US8319209B2 (en) | 2009-02-06 | 2010-01-19 | Organic electroluminescent device and electronic apparatus that can effectively release gas that is generated |
| CN201010108128A CN101800240A (zh) | 2009-02-06 | 2010-01-29 | 有机电致发光装置、电子设备 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009026364A JP2010182582A (ja) | 2009-02-06 | 2009-02-06 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2010182582A true JP2010182582A (ja) | 2010-08-19 |
Family
ID=42539690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2009026364A Withdrawn JP2010182582A (ja) | 2009-02-06 | 2009-02-06 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8319209B2 (ja) |
| JP (1) | JP2010182582A (ja) |
| CN (1) | CN101800240A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012090712A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | 株式会社日立製作所 | 有機発光装置 |
| KR20130035593A (ko) * | 2011-09-30 | 2013-04-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| WO2020085625A1 (ko) * | 2018-10-23 | 2020-04-30 | 삼성디스플레이주식회사 | 디스플레이 장치 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5678740B2 (ja) * | 2011-03-11 | 2015-03-04 | ソニー株式会社 | 有機ｅｌ表示装置および電子機器 |
| US9253892B2 (en) * | 2012-04-13 | 2016-02-02 | Wistron Corporation | Peripheral circuit of touch panel and manufacturing method thereof |
| KR102081468B1 (ko) | 2012-07-20 | 2020-02-25 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치 |
| KR102000932B1 (ko) * | 2012-12-18 | 2019-07-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
| JP6164402B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2017-07-19 | セイコーエプソン株式会社 | 有機ｅｌ装置の製造方法、および有機ｅｌ装置 |
| KR20150012503A (ko) * | 2013-07-25 | 2015-02-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| CN103474583A (zh) * | 2013-09-24 | 2013-12-25 | 京东方科技集团股份有限公司 | 柔性显示基板及其制备方法、柔性显示装置 |
| CN105336763B (zh) * | 2015-11-26 | 2019-08-02 | Tcl集团股份有限公司 | 一种发光显示器及其制备方法 |
| CN105552103A (zh) * | 2015-12-25 | 2016-05-04 | Tcl集团股份有限公司 | 印刷型发光显示器及其制备方法 |
| KR102603595B1 (ko) * | 2016-08-31 | 2023-11-20 | 엘지디스플레이 주식회사 | 마이크로 캐비티 구조를 갖는 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법 |
| CN109387964A (zh) | 2017-08-02 | 2019-02-26 | 京东方科技集团股份有限公司 | 阵列基板、显示面板和显示装置 |
| JP2019046175A (ja) * | 2017-09-01 | 2019-03-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置 |
| CN108470844B (zh) * | 2018-03-30 | 2019-12-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光二极管及其制备方法、显示面板 |
| KR102625413B1 (ko) * | 2018-10-29 | 2024-01-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR20200082433A (ko) | 2018-12-28 | 2020-07-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 반사 전극을 포함하는 디스플레이 장치 |
| CN110610975B (zh) * | 2019-09-23 | 2022-04-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示装置 |
| CN110941126B (zh) * | 2019-12-27 | 2021-04-27 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制作方法 |
| US11980046B2 (en) * | 2020-05-27 | 2024-05-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device |
| CN111900267B (zh) * | 2020-08-11 | 2024-04-16 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种阵列基板及显示装置 |
| CN111816793B (zh) * | 2020-08-20 | 2023-07-21 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示面板及其制备方法、显示装置 |
| KR20220033650A (ko) * | 2020-09-09 | 2022-03-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 반사 전극 및 이를 포함하는 표시 장치 |
| KR20240043893A (ko) * | 2022-09-27 | 2024-04-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007157470A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
| JP2007273446A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-10-18 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999048339A1 (fr) | 1998-03-17 | 1999-09-23 | Seiko Epson Corporation | Substrat de formation de motifs sur film mince et son traitement de surface |
| JP4058930B2 (ja) | 2001-10-09 | 2008-03-12 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、並びに電子機器 |
| WO2007125768A1 (ja) * | 2006-04-26 | 2007-11-08 | Sharp Kabushiki Kaisha | 有機エレクトロルミネッセント表示装置及びその製造方法 |
| JP4967793B2 (ja) | 2007-05-09 | 2012-07-04 | セイコーエプソン株式会社 | エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
| JP2008300612A (ja) * | 2007-05-31 | 2008-12-11 | Panasonic Corp | 表示装置及びその製造方法 |
-
2009
- 2009-02-06 JP JP2009026364A patent/JP2010182582A/ja not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-01-19 US US12/689,586 patent/US8319209B2/en active Active
- 2010-01-29 CN CN201010108128A patent/CN101800240A/zh active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007157470A (ja) * | 2005-12-05 | 2007-06-21 | Seiko Epson Corp | 発光装置および電子機器 |
| JP2007273446A (ja) * | 2006-03-06 | 2007-10-18 | Seiko Epson Corp | エレクトロルミネッセンス装置 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012090712A1 (ja) * | 2010-12-27 | 2012-07-05 | 株式会社日立製作所 | 有機発光装置 |
| KR20130035593A (ko) * | 2011-09-30 | 2013-04-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR101904012B1 (ko) * | 2011-09-30 | 2018-10-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| WO2020085625A1 (ko) * | 2018-10-23 | 2020-04-30 | 삼성디스플레이주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR20200046224A (ko) * | 2018-10-23 | 2020-05-07 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| KR102620972B1 (ko) | 2018-10-23 | 2024-01-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| US12010906B2 (en) | 2018-10-23 | 2024-06-11 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device including through hole connecting organic layer to substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101800240A (zh) | 2010-08-11 |
| US8319209B2 (en) | 2012-11-27 |
| US20100200875A1 (en) | 2010-08-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2010182582A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器 | |
| JP4655942B2 (ja) | 発光装置、発光装置の製造方法および電子機器 | |
| KR102167506B1 (ko) | 표시 장치 및 전자 기기 | |
| JP7208679B2 (ja) | 表示装置および電子機器 | |
| JP2007188751A (ja) | 発光装置および電子機器 | |
| TWI628823B (zh) | 發光顯示器裝置及其製造方法 | |
| JP5678740B2 (ja) | 有機ｅｌ表示装置および電子機器 | |
| JP2006236744A (ja) | 有機ｅｌ装置、有機ｅｌ装置の製造方法および電子機器 | |
| US20120235178A1 (en) | Display device and electronic apparatus | |
| JP2009272588A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置 | |
| JP2007242335A (ja) | 有機ｅｌ装置の製造方法および有機ｅｌ装置の製造装置 | |
| JP2013004188A (ja) | 有機ｅｌ装置、及び電子機器 | |
| JP2008071872A (ja) | 有機ｅｌ装置とその製造方法、及び電子機器 | |
| JP2008091410A (ja) | 有機ｅｌ素子 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20111128 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20111129 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20120126 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20120524 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20120529 |
|
| A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20120718 |