JP4967793B2 - エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 - Google Patents
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Description
図1は、エレクトロルミネッセンス装置としての有機EL装置1を示す図であり、(a)は平面図、(b)は(a)中のA−A線における断面図である。図1(b)に示すように、有機EL装置1は、透明な接着剤28を介して互いに対向して貼り合わされた、第1の基板としての基板10と、第2の基板としての基板30を有している。このうち、基板30は透光性を有しており、例えばガラスからなる。基板10と基板30とは、基板10の外縁部に配置された枠状のシール剤52によっても固着されている。シール剤52には、球状のギャップ材54が含まれている。ギャップ材54は、基板10と基板30とを支持しており、これらの基板間隔を一定に保つ役割を果たす。
続いて、本発明の第2の実施形態について説明する。本実施形態は、基板10上の構成要素の配置に変更を加えたものであり、その他の点は第1の実施形態と同様である。以下の各図においては第1の実施形態と同じ要素には同じ符号を付して示すことにして、重複する説明は省略する。
続いて、本発明の第3の実施形態について説明する。本実施形態は、基板30上に形成されたカラーフィルタの構成に変更を加えたものであり、その他の点は第1の実施形態と同様である。
続いて、本発明の第4の実施形態について説明する。本実施形態は、基板30上に形成されたカラーフィルタが、遮光層32を持たない点で第1の実施形態と異なり、その他の点は第1の実施形態と同様である。
続いて、本発明の第5の実施形態について説明する。本実施形態は、第1の実施形態と比較して、色要素34及び画素電極16の配置領域が異なり、その他の点は第1の実施形態と同様である。
上述した有機EL装置1(有機EL装置1Aから1Dを含む)は、例えば、図10に示すような「電子機器」としての携帯電話機100に搭載して用いることができる。携帯電話機100は、表示部110及び操作ボタン120を有している。表示部110は、内部に組み込まれた有機EL装置1によって、操作ボタン120で入力した内容や着信情報をはじめとする様々な情報について、広角光において色相のずれの少ない、高品位な表示を行うことができる。
本発明の実施にあたっては、図3における、色要素34の表面から発光素子70の発光面までの距離Dを任意に変更することができる。距離Dを変更するためには、図1(b)に示すギャップ材54や、図6に示すギャップ材56の直径を変更すればよい。距離Dを小さくすると、射出角を変化させたときの、色要素34R,34G,34Bを透過する割合の変化率が小さくなる。換言すれば、射出角の大きな広角光についても、射出角に応じた色相ずれの抑制効果を持たせることが可能となる。一方、距離Dを大きくすると、射出角を変化させたときの、色要素34R,34G,34Bを透過する割合の変化率が大きくなる。この場合は、比較的狭い範囲の射出角について広角光の色相のずれを抑制することができる。
上記実施形態において、色要素34r,34g,34bを透明にしてもよい。このような構成によっても、射出角が大きいほど色要素34R,34G,34Bを透過する割合が増加するため、広角光のうち短波長側にシフトした成分を色要素34R,34G,34Bによって一定量吸収することができる。これにより、広角光の、正面光に対する色相のずれを抑制することができる。
図4に示すように、上記実施形態の色要素34Gの透過スペクトル61は、色要素34gの透過スペクトル62の主透過波長を長波長側にシフトさせるとともに、色純度を向上させたものであるが、これに限定する趣旨ではない。このような構成に代えて、例えば色要素34gと色要素34Gとを同一の色相とし、色純度のみを変える構成としてもよい。この場合は、色要素34g,34Gの主透過波長が略同一となる。また、色要素34Gの透過スペクトルは、色要素34gの透過スペクトルと略同一の半値幅とし、主透過波長を色要素34gより長波長側にシフトさせたものとすることもできる。これらの構成によっても、色要素34gの透過スペクトルのうち最大の透過率を与える波長より短波長側の波長域において、色要素34Gの透過率を色要素34gの透過率より低くすることができる。上記のような構成は、色要素34rと色要素34R、又は色要素34bと色要素34Bにも適用可能である。本変形例の構成によっても、広角光のうち短波長側にシフトした成分を色要素34R,34G,34Bによって一定量吸収し、正面光に対する色相のずれを抑制することができる。
上記実施形態では、画素電極16の形成領域は、基板10の法線方向から見て、色要素34r,34g,34bの形成領域全体を内包するとともに、画素40に内包される大きさの長方形であるが、これに限定する趣旨ではない。上記構成に代えて、例えば、画素電極16の配置領域(すなわち発光素子70の発光領域)と、色要素34gとが、画素40Gの短軸方向の幅が互いに等しく、かつ当該幅方向についての延在位置が基板10の法線方向から見て重なるような配置としてもよい。この場合は、画素40Gの発光素子70からの正面光は、すべて色要素34gに入射し、正面光以外の広角光は、射出角に応じた割合で必ず色要素34Gに一部が入射する。したがって、正面光以外のすべての広角光について、色相のずれを抑制する効果を得ることができる。上記は、色要素34r,34R,34b,34Bについても同様である。また、上記構成に代えて、画素電極16を画素40の全体にわたって形成してもよく、この場合でも広角光の色相のずれを抑制することが可能である。
上記実施形態では、例えば画素40Gに配置される色要素は、色要素34g,34Gの2種のみであるが、これ以外の緑系の色要素を加えて3種以上の色要素から構成するようにしてもよい。追加する色要素は、例えば、色要素34gと色要素34Gの中間の透過スペクトルを有する色要素とし、色要素34gと色要素34Gに挟まれるような領域に配置する。上記は、色要素34r,34R,34b,34Bについても同様である。このような構成によれば、射出角に応じてよりきめ細かく色相ずれの抑制効果を得ることができる。
上記実施形態は、陰極24をハーフミラー状とし、積極的に光共振器を形成する構成であるが、光共振器を形成しない構成としてもよい。光共振器を積極的に設けない構成であっても、トップエミッション型の有機EL装置では、有機発光層20を挟むいずれかの2層間で光共振器が構成されるため、広角光の色相ずれの問題が生じる。このとき、上記実施形態に示したような色要素34の配置等によって、当該色相ずれを抑制することができる。
本発明の第2の色要素に対応する色要素34R,34G,34Bは、画素40のうち当該画素40の外周に沿う領域のすべてに配置されていなくともよく、この領域の少なくとも一部に配置されていればよい。このようにすれば、発光素子70から射出された広角光は、正面光に比べて、色要素34R,34G,34Bをより多く透過する。このため、広角光のうち短波長側にシフトした成分が一定量吸収され、正面光に対する広角光の色相のずれを抑制することができる。
上記第1の実施形態は、格子状の遮光層32を有する構成であり、また、第4の実施形態は、遮光層32をもたない構成である。遮光層32の配置はこれに限られず、例えば、遮光層32を部分的に設ける構成としてもよい。一例としては、長辺を挟んで隣接する画素40の間にのみ遮光層32を設け、短辺を挟んで隣接する画素40の間には設けない構成とすることができる。このような構成によっても、広角光の色相のずれを抑制することができる。
上記実施形態は、画素40が長方形をなしているが、これに限定する趣旨ではなく、例えば長円形とすることができる。ここで長円形とは、2つの向かい合う半円を2つの長辺で繋いだトラック状の図形をいう。このような構成においても、画素40のうち上記長辺に沿う領域に色要素34R,34G,34Bを配置することにより、広角光の色相のずれを抑制することができる。
上記実施形態において、画素40及び色要素34は、赤、緑、青の3色に対応する構成であるが、これに代えて、4色以上の色に対応する構成としてもよい。例えば、赤、青、の2色に、青から黄までの色相の中で選択された2種の色を加えた4色に対応する構成とすることができる。後者の2色は、例えば緑及びシアンとすることができる。
上記実施形態において、発光素子70に含まれる正孔輸送層18、電子輸送層22は、必要に応じて配置すればよく、必ずしも形成しなくてもよい。また、薄膜封止層26も、接着剤28が同様の機能を兼ねる場合は省略することができる。
Claims (7)
- 格子状に配置された遮光層に囲まれた領域からなる画素を複数有し、前記複数の画素が異なる色の光を発光する画素からなるエレクトロルミネッセンス装置であって、
第1の基板と、
前記第1の基板上に前記画素ごとに形成された、画素電極と陰極と発光層とを含む発光素子と、
前記第1の基板の前記発光素子が形成された面に対向して、前記第1の基板と貼り合わされた透光性を有する第2の基板と、
前記第2の基板の前記第1の基板との対向面に形成され、前記画素の中央部に配置された第1の色要素、及び前記画素のうち前記第1の色要素を挟んで当該画素の短軸方向の両外側に位置する領域の少なくとも一部に配置された第2の色要素を有するカラーフィルタと、
を備え、
前記発光素子は、前記第1の基板と前記発光層との間に形成された反射膜と、前記発光層を挟んで前記反射膜の反対側に形成された半透過反射膜とを有し、
前記反射膜と前記半透過反射膜との間で前記発光層からの光を共振させる光共振器構造を有し、前記異なる色の光を発光する画素によって光共振器の長さが異なり、
前記画素電極の形成領域として規定される前記発光素子の発光領域の画素短軸方向の寸法は、前記画素の短軸方向の寸法未満、かつ、前記第1の色要素の画素短軸方向の寸法以上であり、
前記発光領域の画素短軸方向の延在位置は、前記第1の基板の法線方向から見て、前記第1の色要素の画素短軸方向の延在位置を内包するか、もしくは、前記第1の色要素の画素短軸方向の延在位置と重なり、
前記第1の色要素と前記第2の色要素とは、同色系の光を透過するとともに異なる透過スペクトルを有し、
前記第1の色要素の透過スペクトルのうち最大の透過率を与える波長より短波長側の波長域において、前記第2の色要素の透過率は前記第1の色要素の透過率より低いことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。 - 請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記画素は長方形又は長円形であり、
前記第2の色要素は、前記画素のうち、当該画素の外周の長辺に沿う領域に少なくとも配置されていることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。 - 請求項1または2に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記第2の色要素の色純度は、前記第1の色要素の色純度より高いことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。 - 請求項1または2に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記第2の色要素は、その透過スペクトルにおいて最大の透過率を与える波長が前記第1の色要素より大きいことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。 - 請求項1または2に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記第1の色要素と前記第2の色要素とは、同一の材料からなり、
前記第2の色要素の厚さは、前記第1の色要素の厚さより大きいことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。 - 請求項5に記載のエレクトロルミネッセンス装置であって、
前記カラーフィルタが、前記第1の色要素の厚さと前記第2の色要素の厚さとの差異により生じた段差を平坦化する透光性のオーバーコートを備えたことを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。 - 請求項1から6のいずれか一項に記載のエレクトロルミネッセンス装置を表示部に備えることを特徴とする電子機器。
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