JP2008300612A - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】駆動用トランジスタとスイッチ用トランジスタとの間での繋ぎ込みをより確実にすると共に歩留まりも向上させ、表示装置の応答性を高めることが可能な表示装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】画素電極を含む有機EL発光デバイスと、第1及び第2のトランジスタとで構成される表示装置において、第1のトランジスタのソース電極及びドレイン電極は、第2のトランジスタのゲート電極と同一平面上に形成されてなることで解決できる。
【選択図】図1
【解決手段】画素電極を含む有機EL発光デバイスと、第1及び第2のトランジスタとで構成される表示装置において、第1のトランジスタのソース電極及びドレイン電極は、第2のトランジスタのゲート電極と同一平面上に形成されてなることで解決できる。
【選択図】図1
Description
本発明は、表示装置及びその製造方法に関するものであり、特に有機ELディスプレイに関するものである。
有機ELディスプレイの構成要素である有機ELデバイスは、一般的に「有機EL発光デバイス」と、それを駆動するための「トランジスタ」(TFT/Thin Film Transistor)を有する構成である。一般的なトランジスタは、発光素子を駆動するための「駆動用トランジスタ」と、駆動用トランジスタをON/OFFするための「スイッチ用トランジスタ」とを有する。
有機ELデバイスの代表的な構造の例として、駆動用トランジスタと有機EL発光デバイスとを積層させる構造があり、このような有機ELデバイスは、「トップエミッション型有機ELデバイス」と称され、発光層からの光を、基板と反対側の封止膜を通して取り出す構成になっている。そして特許文献1に記載の内容のように、従来の有機ELデバイスの構造は、駆動用トランジスタのゲート電極143と電源線103とがコンタクトホールを介して接続されているのが現状である。
なお、特許文献1の場合、駆動用トランジスタのゲート電極143と電源線103とがコンタクトホールを介して接続されている内容の開示に止まっているが、実質上、電源線103は、駆動用トランジスタをON/OFFするためのスイッチ用トランジスタのソース電極(又はドレイン電極)に接続される構造になっている。
特開2003−249375号公報(図5)
しかしながら、上記従来の有機ELデバイスの構成では、コンタクトホールを介する、駆動用トランジスタとスイッチ用トランジスタとの電気的な接続(繋ぎ込み)は困難なことがあり、特に高解像度のアクティブ型の有機ELディスプレイにおいては歩留まりを下げる要因の1つとなっている。
本発明は、上記従来の課題を解決するものであり、駆動用トランジスタとスイッチ用トランジスタとの間での繋ぎ込みをより確実にすると共に歩留まりも向上させ、表示装置の応答性を高めることが可能な表示装置及びその製造方法を提供することを目的とする。
上記目的を達成するために本発明の表示装置は、画素電極を含む有機EL発光デバイスと、第1及び第2のトランジスタとで構成される表示装置において、前記第1のトランジスタのソース電極及びドレイン電極は、第2のトランジスタのゲート電極と同一平面上に形成されてなることを特徴とするものである。
このとき、第1のトランジスタのソース電極及びドレイン電極と、第2のトランジスタのゲート電極とはゲート絶縁層によって覆われ、第1のトランジスタのゲート電極と、第2のトランジスタのソース電極及びドレイン電極とが、前記ゲート絶縁層の同一平面上に形成されてなることが好ましい。また、第1のトランジスタのゲート電極と、第2のトランジスタのソース電極又はドレイン電極とが、ゲート絶縁層の同一平面上で電気的に接続されていることが好適である。更に、第1のトランジスタのソース電極及とドレイン電極との間に形成された有機TFT層の材料と、第2のトランジスタのソース電極及とドレイン電極との間に形成された有機TFT層の材料とは異なる材料であると良い。
また、本発明の表示装置の製造方法は、基板上に第1の一対の電極と下部電極とを形成する工程と、前記第1の一対の電極の表面にバンク層を設けた後、前記第1の一対の電極で形成された空間に印刷法を用いて第1の有機TFT材料を塗布する工程と、前記第1の一対の電極と前記下部電極とをゲート絶縁層で覆う工程と、前記ゲート絶縁層の同一平面上、かつ、前記第1の一対の電極と前記下部電極のそれぞれに対向する位置に上部電極と第2の一対の電極を各々配置する工程と、前記第2の一対の電極の表面にバンク層を設けた後、前記第2の一対の電極で形成された空間に印刷法を用いて第2の有機TFT材料を塗布する工程と、から構成されることを特徴とするものである。
このとき、上部電極と、第2の一対の電極の一方が電気的に接続されていると好適である。また、第1の一対の電極との間に形成された有機TFT層の材料と、第2の一対の電極との間に形成された有機TFT層の材料とは異なる材料であると良い。
以上のように本発明によれば、第1のトランジスタのゲート電極と、第2のトランジスタのソース電極及びドレイン電極とを同一平面上に形成すると共に、第1のトランジスタのゲート電極を、第2のトランジスタのソース電極又はドレイン電極を電気的に接続することで、駆動用トランジスタとスイッチ用トランジスタとの間での繋ぎ込みをより確実にすると共に歩留まりも向上させ、表示装置の応答性を高めることが可能となる。
本発明の実施の形態に係る表示装置(有機TFTデバイスを含む有機ELディスプレイ)について添付図面を参照しながら説明する。なお、図面において実質的に同一の部材には同一の符号を付している。
図1の(a)は、本発明の実施の形態に係る表示装置の構造を示す概略図(断面図)であり、図1の(b)は、本発明の実施の形態に係る有機TFTデバイスにおける断面Aでの概略図(上面図)、(c)本発明の実施の形態に係る有機TFTデバイスにおける断面Bでの概略図(上面図)を示すものである。
<<トランジスタデバイスの構成>>
図1(a)〜図1(c)において、トランジスタデバイス10は、第1のトランジスタ(例えば、スイッチング用TFT)と第2のトランジスタ(例えば、駆動用TFT)とで構成される。
図1(a)〜図1(c)において、トランジスタデバイス10は、第1のトランジスタ(例えば、スイッチング用TFT)と第2のトランジスタ(例えば、駆動用TFT)とで構成される。
第1のトランジスタは、ゲート電極4sが上層に構成されるトップゲート型トランジスタであり、第2のトランジスタは、ゲート電極4dが下層に構成されるボトムゲート型トランジスタであり、本発明のトランジスタデバイス10は、トップゲート型トランジスタとボトムゲート型トランジスタとが組み合わされたことに特徴を有する。
このトランジスタデバイス10は、基板1上に第1のトランジスタのソース電極2s及びドレイン電極3sと、第2のトランジスタのゲート電極4dを設けており、第1のトランジスタのソース電極2s及びドレイン電極3sの夫々の表面にはバンク層5sを形成している。また、トランジスタデバイス10は、第1のトランジスタのソース電極2sと、ソース電極2sと同一平面においてギャップGで離間して配置されたドレイン電極3sとの間には両極を電気的に接続する有機TFT層6sとを備え、更に、第1のトランジスタのソース電極2s及びドレイン電極3sと、第2のトランジスタのゲート電極4dとを覆うようにゲート絶縁層7を設けている。なお、バンク層5sは、インクジェット法などの印刷工法によってソース電極2sとドレイン電極3sとの間のギャップG(チャネル領域)に有機TFT材料を塗布する際、隣り合うチャネル領域に当該有機TFT材料が漏れることを防止する役割をなす。後述するバンク層5dについても同様な役割をなす。
また、トランジスタデバイス10は、ゲート絶縁層7表面のうち、第1のトランジスタのソース電極2s及びドレイン電極3sに対向する位置に第1のトランジスタのゲート電極4sを形成すると共に、第1のトランジスタのゲート電極4dに対向する位置に第2のソース電極2d及びドレイン電極3dを形成し、更に、第2のトランジスタのソース電極2dと、ソース電極2dと同一平面においてギャップGで離間して配置されたドレイン電極3dとの間には両極を電気的に接続する有機TFT層6dとを備え、第1のトランジスタのゲート電極4sと、第2のトランジスタのソース2dとドレイン電極3dとを覆うようにオーバーコート層8を設けている。
このとき、図1(c)に示すように、ゲート絶縁層7の表面に形成された第1のトランジスタのゲート電極4sは、第2のトランジスタのソース電極2d(或いは、ドレイン電極3d)と電気的に接続されている(コンタクト部を介した電極間の接続。)。
なお、第1と第2のトランジスタとは、それぞれ異なる役割をなすために、各々の電極間に形成される有機TFT材料(後の有機TFT層6s,6d)は異なる材料であり、例えば、第1のトランジスタにおける有機TFT材料6sは、フルオレン−チオフェンコポリマー(F8T2),オリゴチオフェン(Oligothiophene),ペンタセン(pentacene),ルブレン(rubren)であり、第2のトランジスタにおける有機TFT材料6dは、テトラベンゾポルフィリンが適している。特に、第1のトランジスタにおける有機TFT材料のルブレンは、共役π結合が多く、第2のトランジスタにおける有機TFT材料のテトラベンゾポルフィリンは、下の界面の結晶が同一平面上に並ぶという特性を有することから、有機TFT材料6s,6dの組み合わせとしては、有機TFT材料6sはルブレン、有機TFT材料6sはテトラベンゾポルフィリンが好ましい。
また、トランジスタデバイス10は、第2のトランジスタのソース電極2d及びドレイン電極3dの夫々の表面にバンク層5dを形成しており、第2のトランジスタのソース電極2dと、ソース電極2dと同一平面においてギャップGで離間して配置されたドレイン電極3dとの間には両極を電気的に接続する有機TFT層6dとを備え、更に、第1のトランジスタのゲート電極4sと、第2のトランジスタのソース電極2dとドレイン電極3dを覆うようにオーバーコート層8を設けている。そして、オーバーコート層8の表面に平坦化膜層9が形成されている。
以下に、このトランジスタデバイス10の構成部材について説明する。
<基板>
基板1としては、ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができる。更に、フレキシブル基板を用いてもよい。このトランジスタ素子を有機ELディスプレイ用に用いる場合には、フレキシブル基板が好ましい。具体的な材料としては、PETフィルム(PET:Polyethylene Terephthalate),PENフィルム(PEN:Polyethylene Naphthalate)が挙げられる。
基板1としては、ガラス基板、プラスチック基板等を用いることができる。更に、フレキシブル基板を用いてもよい。このトランジスタ素子を有機ELディスプレイ用に用いる場合には、フレキシブル基板が好ましい。具体的な材料としては、PETフィルム(PET:Polyethylene Terephthalate),PENフィルム(PEN:Polyethylene Naphthalate)が挙げられる。
<ゲート電極>
ゲート電極4は、基板1或いはゲート絶縁層7の上に設けられる。なお、ゲート電極4の材質は特に限定されないが、例えばCr膜(5nm以下)とAu膜(100nm程度)の積層膜や、Ti膜(5nm以下)とAu膜(100nm程度)の積層膜より構成される。Cr膜やTi膜は主に接着膜として作用するが、酸化し難いTi膜を用いるとより好ましい場合がある。
ゲート電極4は、基板1或いはゲート絶縁層7の上に設けられる。なお、ゲート電極4の材質は特に限定されないが、例えばCr膜(5nm以下)とAu膜(100nm程度)の積層膜や、Ti膜(5nm以下)とAu膜(100nm程度)の積層膜より構成される。Cr膜やTi膜は主に接着膜として作用するが、酸化し難いTi膜を用いるとより好ましい場合がある。
<ゲート絶縁層>
ゲート絶縁層7は、第1のトランジスタのソース電極2sとドレイン電極3s及び第2のトランジスタのゲート電極4dを覆うように設けられている。このゲート絶縁層7は、通常用いられる絶縁層、例えばポリマー絶縁層等(具体的には、ポリイミド系,アクリル系,サイクロテン系,ポリスチレン系のいずれかの材料)で構成できる。
ゲート絶縁層7は、第1のトランジスタのソース電極2sとドレイン電極3s及び第2のトランジスタのゲート電極4dを覆うように設けられている。このゲート絶縁層7は、通常用いられる絶縁層、例えばポリマー絶縁層等(具体的には、ポリイミド系,アクリル系,サイクロテン系,ポリスチレン系のいずれかの材料)で構成できる。
<ソース電極及びドレイン電極>
第1のトランジスタのソース電極2s及びドレイン電極3sは基板1上に形成される一方、第2のトランジスタのソース電極2d及びドレイン電極3dは前述したゲート絶縁層7上表面に形成される。そして、各電極間はギャップGで離間されている(第1と第2のトランジスタでギャップGは異なっていても良い。)。なお、ソース電極2s,2d及びドレイン電極3s,3dとしては、アルミニウム,クロム,モリブデンクロム,チタン,金,銀,銅等の導電性金属、或いは、ポリチオフェン誘導体等の有機導電体を用いることができる。特に光の反射率が高いという特性を有する銀を用いると好適である。
第1のトランジスタのソース電極2s及びドレイン電極3sは基板1上に形成される一方、第2のトランジスタのソース電極2d及びドレイン電極3dは前述したゲート絶縁層7上表面に形成される。そして、各電極間はギャップGで離間されている(第1と第2のトランジスタでギャップGは異なっていても良い。)。なお、ソース電極2s,2d及びドレイン電極3s,3dとしては、アルミニウム,クロム,モリブデンクロム,チタン,金,銀,銅等の導電性金属、或いは、ポリチオフェン誘導体等の有機導電体を用いることができる。特に光の反射率が高いという特性を有する銀を用いると好適である。
<有機TFT層>
有機TFT層6は、ソース電極2s,2dとドレイン電極3s,3dとの間にわたって形成されており、それぞれのソース電極2とドレイン電極3とを電気的に接続している。有機TFT層6は多結晶体からなり、ソース電極2s,2dとドレイン電極3s,3dとの間のギャップG上に形成され、ソース電極2s,2dからドレイン電極3s,3dにわたる電気的特性に優れる。
有機TFT層6は、ソース電極2s,2dとドレイン電極3s,3dとの間にわたって形成されており、それぞれのソース電極2とドレイン電極3とを電気的に接続している。有機TFT層6は多結晶体からなり、ソース電極2s,2dとドレイン電極3s,3dとの間のギャップG上に形成され、ソース電極2s,2dからドレイン電極3s,3dにわたる電気的特性に優れる。
なお、有機TFT層6を構成する有機TFT材料としては、フルオレン−チオフェンコポリマー(F8T2),テトラベンゾポルフィリン(tetrabenzoporphyrin),オリゴチオフェン(Oligothiophene),ペンタセン(pentacene),ルブレン(rubren)等を用いることができる。特にボトムゲート電極(チャネルが形成された基板を下側としたときに、チャネルの下側に配置されたゲート電極)の場合には、特にテトラベンゾポルフィリンが使用されることがある。
また、有機TFT層6は、安息香酸エチル等の非水系溶媒に有機半導体材料を含む非水系溶液を塗布して、その後、乾燥させて形成することができる。この場合、凸状液滴の有機半導体溶液を乾燥させることにより、外側の溶媒がより早く乾燥し、有機半導体材料が中心から外側に向かって流れやすくなる。
<バンク層>
図1(a)に示すように、バンク層5s,5dは第1のトランジスタのソース電極2sとドレイン電極3sの表面と、第2のトランジスタのソース電極2dとドレイン電極3dの表面に形成され、インクジェット法などの印刷工法によってソース電極2とドレイン電極3との間のギャップG(チャネル領域)に有機TFT材料を塗布する際、他のチャネル領域に当該有機TFT材料が漏れることを防止する役割を成している。具体的な材料としては、ポリイミド系,アクリル系,サイクロテン系,ポリスチレン系のいずれかの材料が好ましい。なお、バンク層5s,5dはそれぞれのソース電極2とドレイン電極3の外側に形成し、チャネル領域を形成しても良い(すなわち、バンク層5sの場合には、基板1表面かつソース電極2s及びドレイン電極3sの外側に、バンク層5dの場合には、ゲート絶縁層7表面かつソース電極2d及びドレイン電極3dの外側に設けてもよい。)。
図1(a)に示すように、バンク層5s,5dは第1のトランジスタのソース電極2sとドレイン電極3sの表面と、第2のトランジスタのソース電極2dとドレイン電極3dの表面に形成され、インクジェット法などの印刷工法によってソース電極2とドレイン電極3との間のギャップG(チャネル領域)に有機TFT材料を塗布する際、他のチャネル領域に当該有機TFT材料が漏れることを防止する役割を成している。具体的な材料としては、ポリイミド系,アクリル系,サイクロテン系,ポリスチレン系のいずれかの材料が好ましい。なお、バンク層5s,5dはそれぞれのソース電極2とドレイン電極3の外側に形成し、チャネル領域を形成しても良い(すなわち、バンク層5sの場合には、基板1表面かつソース電極2s及びドレイン電極3sの外側に、バンク層5dの場合には、ゲート絶縁層7表面かつソース電極2d及びドレイン電極3dの外側に設けてもよい。)。
<オーバーコート層>
オーバーコート層8は、主に有機TFT層6dの電子移動を促進させる役割と、空気中の酸素や水蒸気から有機TFT層6dを保護する役割の2つをなす。
オーバーコート層8は、主に有機TFT層6dの電子移動を促進させる役割と、空気中の酸素や水蒸気から有機TFT層6dを保護する役割の2つをなす。
<平坦化膜層>
平坦化膜層9は、前述したオーバーコート層8を覆うように形成され、平坦化膜層9上に有機EL材料の陽極電極を構成することから、陽極電極を構成する表面は平坦となっている。平坦化膜層9の陽極電極が構成される表面が平坦になっていることで、光が反射したときの光の取り出しの向きを一定にすることも可能としている。
平坦化膜層9は、前述したオーバーコート層8を覆うように形成され、平坦化膜層9上に有機EL材料の陽極電極を構成することから、陽極電極を構成する表面は平坦となっている。平坦化膜層9の陽極電極が構成される表面が平坦になっていることで、光が反射したときの光の取り出しの向きを一定にすることも可能としている。
<<有機EL発光デバイスの構成>>
有機EL発光デバイスは、画素電極(図示せず)、上部電極(図示せず)および両電極に挟み込まれる有機EL発光層を含み、さらに任意の部材を有していてもよい。両電極の間には、有機EL発光層に加えて、正孔輸送層や電子輸送層などが形成されていてもよい。正孔輸送層、電子輸送層などの材質はそれぞれ適宜選択されればよく、各層の厚さは数十nm程度に適宜設定されればよい。
有機EL発光デバイスは、画素電極(図示せず)、上部電極(図示せず)および両電極に挟み込まれる有機EL発光層を含み、さらに任意の部材を有していてもよい。両電極の間には、有機EL発光層に加えて、正孔輸送層や電子輸送層などが形成されていてもよい。正孔輸送層、電子輸送層などの材質はそれぞれ適宜選択されればよく、各層の厚さは数十nm程度に適宜設定されればよい。
<<トランジスタデバイスの製造方法>>
次に、本実施の形態に係るトランジスタデバイス10の製造方法について、図2〜図4を用いて説明する。
(工程1)
基板1として、ガラス基板、プラスチック基板、又は、フレキシブル基板を用意し、基板1上に第1のトランジスタのソース電極2s及びドレイン電極3sを形成すると共に、第2のトランジスタのゲート電極4dを形成する(図2(a))。
(工程2)
図5に示すような、例えばグラビア印刷工法を利用して、ソース電極2s及びドレイン電極3sのそれぞれの表面にバンク層5sを形成する(図2(b))。このときのバンク層5sの材料としては、ポリイミド系,アクリル系,サイクロテン系,ポリスチレン系と言った絶縁性ポリマーを用いると良い。なお、基板1上かつソース電極2sとドレイン電極3sの外側にバンク層5sを設ける構成でもよい。以下にグラビア印刷工法に関する概要を説明する。
次に、本実施の形態に係るトランジスタデバイス10の製造方法について、図2〜図4を用いて説明する。
(工程1)
基板1として、ガラス基板、プラスチック基板、又は、フレキシブル基板を用意し、基板1上に第1のトランジスタのソース電極2s及びドレイン電極3sを形成すると共に、第2のトランジスタのゲート電極4dを形成する(図2(a))。
(工程2)
図5に示すような、例えばグラビア印刷工法を利用して、ソース電極2s及びドレイン電極3sのそれぞれの表面にバンク層5sを形成する(図2(b))。このときのバンク層5sの材料としては、ポリイミド系,アクリル系,サイクロテン系,ポリスチレン系と言った絶縁性ポリマーを用いると良い。なお、基板1上かつソース電極2sとドレイン電極3sの外側にバンク層5sを設ける構成でもよい。以下にグラビア印刷工法に関する概要を説明する。
<グラビア印刷工法>
図5はグラビア印刷装置30を示すものであり、グラビア印刷装置30は、周側面をロール面31aとし回転軸を中心に回転可能な印刷ロール(版)31と、印刷ロール31に対向して配置されると共に回転軸を中心に回転する圧胴ロール32と、回転軸を中心に回転しインクを印刷ロール31に供給する供給ロール33と、供給ロール33に供給されたインクを一定量に制御するドクター34とで構成される。本実施の形態のグラビア印刷装置3において、(フィルム)被処理基板35は、印刷ロール31と圧胴ロール32との間を通過し一方向に進むようになされている。
図5はグラビア印刷装置30を示すものであり、グラビア印刷装置30は、周側面をロール面31aとし回転軸を中心に回転可能な印刷ロール(版)31と、印刷ロール31に対向して配置されると共に回転軸を中心に回転する圧胴ロール32と、回転軸を中心に回転しインクを印刷ロール31に供給する供給ロール33と、供給ロール33に供給されたインクを一定量に制御するドクター34とで構成される。本実施の形態のグラビア印刷装置3において、(フィルム)被処理基板35は、印刷ロール31と圧胴ロール32との間を通過し一方向に進むようになされている。
以下、具体的にグラビア印刷工法によるバンク層を形成する方法を説明する。まず、印刷ロール31,圧胴ロール32,及び,樹脂材料(バンク層の構成材料)が貯蔵されたタンク(符号なし)内に配置された供給ロール33をそれぞれ回転させることで、印刷ロール31のロール面31a上に樹脂材料を供給する。このとき、樹脂材料はドクター34によって一定供給量にすることが望ましい。そして、ロール面1a上の凹部に樹脂材料が充填され、被処理基板35の表面に樹脂材料が転写され所望の形状にパターニングされる。
(工程3)
図1(b)まで作製されたトランジスタデバイスに対し、酸素プラズマに曝すことでバンク層5sで囲まれた空間(セル)の底面を親水性にした後、CF4プラズマによってバンク層5sの壁面のうちセル側表面を親水性にした後、ソース電極2sとドレイン電極3sとの間のギャップG(チャネル領域)を覆うように、例えばインクジェット法やディスペンサー法によって、非水系溶媒に有機TFT材料を含む凸状液滴の有機TFT材料を塗布する。また、ロール印刷法を用いて行っても問題はない。
(工程3)
図1(b)まで作製されたトランジスタデバイスに対し、酸素プラズマに曝すことでバンク層5sで囲まれた空間(セル)の底面を親水性にした後、CF4プラズマによってバンク層5sの壁面のうちセル側表面を親水性にした後、ソース電極2sとドレイン電極3sとの間のギャップG(チャネル領域)を覆うように、例えばインクジェット法やディスペンサー法によって、非水系溶媒に有機TFT材料を含む凸状液滴の有機TFT材料を塗布する。また、ロール印刷法を用いて行っても問題はない。
そして、有機TFT材料を乾燥させて、ソース電極2sとドレイン電極3sとの間のギャップG上に有機TFT材料を結晶化させて、有機TFT層6sを得る(図2(c))。この有機TFT層6sによってソース電極2sとドレイン電極3sとを電気的に接続することが可能となる。
(工程4)
第1のトランジスタのソース電極2sとドレイン電極3s並びに第2のトランジスタのゲート電極4dを覆うようにゲート絶縁層7を設ける(図2(d))。
(工程5)
ゲート絶縁層7上に第1のトランジスタのゲート電極4sと、第2のトランジスタのソース電極2d及びドレイン電極3dを形成する(図3(e))。
(工程6)
前述した(工程2)と同様に、例えばグラビア印刷工法を利用して、ソース電極2d及びドレイン電極3dのそれぞれの表面にバンク層5dを形成する(図3(f))。
(工程7)
前述した(工程3)と同様に、図3(f)まで作製されたトランジスタデバイスに対し、酸素プラズマに曝すことでバンク層5dで囲まれた空間(セル)の底面を親水性にした後、CF4プラズマによってバンク層5dの壁面のうちセル側表面を親水性にした後、ソース電極2dとドレイン電極3dとの間のギャップG(チャネル領域)を覆うように、例えばインクジェット法やディスペンサー法によって、非水系溶媒に有機TFT材料を含む凸状液滴の有機TFT材料を塗布する。
(工程4)
第1のトランジスタのソース電極2sとドレイン電極3s並びに第2のトランジスタのゲート電極4dを覆うようにゲート絶縁層7を設ける(図2(d))。
(工程5)
ゲート絶縁層7上に第1のトランジスタのゲート電極4sと、第2のトランジスタのソース電極2d及びドレイン電極3dを形成する(図3(e))。
(工程6)
前述した(工程2)と同様に、例えばグラビア印刷工法を利用して、ソース電極2d及びドレイン電極3dのそれぞれの表面にバンク層5dを形成する(図3(f))。
(工程7)
前述した(工程3)と同様に、図3(f)まで作製されたトランジスタデバイスに対し、酸素プラズマに曝すことでバンク層5dで囲まれた空間(セル)の底面を親水性にした後、CF4プラズマによってバンク層5dの壁面のうちセル側表面を親水性にした後、ソース電極2dとドレイン電極3dとの間のギャップG(チャネル領域)を覆うように、例えばインクジェット法やディスペンサー法によって、非水系溶媒に有機TFT材料を含む凸状液滴の有機TFT材料を塗布する。
そして、有機TFT材料を乾燥させて、ソース電極2dとドレイン電極3dとの間のギャップG上に有機TFT材料を結晶化させて、有機TFT層6dを得る(図3(g))。この有機TFT層6dによってソース電極2dとドレイン電極3dとを電気的に接続することが可能となる。
(工程8)
バンク層5d及び有機TFT層6d並びにゲート電極4sを含む表面にオーバーコート層8を形成した後、オーバーコート層8の表面に平坦化膜層9を形成する。
(工程8)
バンク層5d及び有機TFT層6d並びにゲート電極4sを含む表面にオーバーコート層8を形成した後、オーバーコート層8の表面に平坦化膜層9を形成する。
以上によって、本実施の形態に係るトランジスタデバイス10を作成することができる。
本発明の表示装置及びその製造方法は、例えば有機ELディスプレイ(有機ELテレビ)として利用できるだけではなく、ワープロ,パソコン等の携帯型情報処理装置や腕時計型電子機器など、各種の電子機器における表示部として好適に用いることができる。
1 基板
2 ソース電極
3 ドレイン電極
4 ゲート電極
5 バンク層
6 有機TFT層
7 ゲート絶縁層
8 オーバーコート層
9 平坦化膜層
10 トランジスタデバイス
2 ソース電極
3 ドレイン電極
4 ゲート電極
5 バンク層
6 有機TFT層
7 ゲート絶縁層
8 オーバーコート層
9 平坦化膜層
10 トランジスタデバイス
Claims (7)
- 画素電極を含む有機EL発光デバイスと、第1及び第2のトランジスタとで構成される表示装置において、
前記第1のトランジスタのソース電極及びドレイン電極は、第2のトランジスタのゲート電極と同一平面上に形成されてなること
を特徴とする表示装置。 - 第1のトランジスタのソース電極及びドレイン電極と、第2のトランジスタのゲート電極とはゲート絶縁層によって覆われ、
第1のトランジスタのゲート電極と、第2のトランジスタのソース電極及びドレイン電極とが、前記ゲート絶縁層の同一平面上に形成されてなること
を特徴とする請求項1記載の表示装置。 - 第1のトランジスタのゲート電極と、第2のトランジスタのソース電極又はドレイン電極とが、ゲート絶縁層の同一平面上で電気的に接続されていること
を特徴とする請求項2記載の表示装置。 - 第1のトランジスタのソース電極及とドレイン電極との間に形成された有機TFT層の材料と、第2のトランジスタのソース電極及とドレイン電極との間に形成された有機TFT層の材料とは異なる材料であること
を特徴とする請求項3記載の表示装置。 - 基板上に第1の一対の電極と下部電極とを形成する工程と、
前記第1の一対の電極の表面にバンク層を設けた後、前記第1の一対の電極で形成された空間に印刷法を用いて第1の有機TFT材料を塗布する工程と、
前記第1の一対の電極と前記下部電極とをゲート絶縁層で覆う工程と、
前記ゲート絶縁層の同一平面上、かつ、前記第1の一対の電極と前記下部電極のそれぞれに対向する位置に上部電極と第2の一対の電極を各々配置する工程と、
前記第2の一対の電極の表面にバンク層を設けた後、前記第2の一対の電極で形成された空間に印刷法を用いて第2の有機TFT材料を塗布する工程と、から構成されること
を特徴とする表示装置の製造方法。 - 上部電極と、第2の一対の電極の一方が電気的に接続されていること
を特徴とする請求項5記載の表示装置の製造方法。 - 第1の一対の電極との間に形成された有機TFT層の材料と、第2の一対の電極との間に形成された有機TFT層の材料とは異なる材料であること
を特徴とする請求項6記載の表示装置の製造方法。
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