JP2013115098A - トランジスタ、トランジスタの製造方法、表示装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層上のエッチングストッパ層と、前記半導体層上の、少なくとも前記エッチングストッパ層の両側に設けられた一対のコンタクト層と、前記半導体層に前記一対のコンタクト層を介して電気的に接続されると共に前記絶縁層に接するソース・ドレイン電極と、を備えたトランジスタ。
【選択図】図1
Description
は以下の順序で行う。
1. 実施の形態(コンタクト層が分断されていない例)
2. 変形例(コンタクト層が分断されている例)
3. 適用例
図1は、本開示の一実施の形態に係るトランジスタ(トランジスタ1)の構成を表したものである。図1(A)はトランジスタ1の平面(上面)構成、図1(B)は図1(A)のB−B線に沿った断面構成を表している。トランジスタ1は、半導体層に有機半導体材料を用いた電界効果型のトランジスタ、即ち有機TFTであり、液晶,有機ELおよび電気泳動型の表示体を用いたディスプレイの駆動素子として用いられるものである。このトランジスタ1は、所謂トップコンタクト・ボトムゲート型構造のTFTであり、基板11上にゲート電極12、ゲート絶縁層13(絶縁層)、有機半導体層14(半導体層)、エッチングストッパ層15、コンタクト層16A,16Bおよびソース・ドレイン電極17A,17Bをこの順に有している。
図7は、上記実施の形態の変形例に係るトランジスタ(トランジスタ1A)の断面構成を表したものである。このトランジスタ1Aは、コンタクト層26A,26Bがエッチングストッパ層15により段切れしている点において上記実施の形態のトランジスタ1と異なるものである。その点を除き、トランジスタ1Aはトランジスタ1と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。以降、上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
図10は、上記トランジスタ1,1Aのいずれかを駆動素子として備えた表示装置(表示装置90)の回路構成を表すものである。表示装置90は、例えば液晶ディスプレイ、有機ELディスプレイまたは電子ペーパーディスプレイなどであり、駆動パネル91上の表示領域110に、マトリクス状に配設された複数の画素10と、画素10を駆動するための各種駆動回路とが形成されたものである。駆動パネル91上には、駆動回路として、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路120および走査線駆動回路130と、画素駆動回路150とが配設されている。この駆動パネル91には、図示しない封止パネルが貼り合わせられ、この封止パネルにより画素10および上記駆動回路が封止されている。
図12(A)および図12(B)は、電子ブックの外観を表したものである。この電子ブックは、例えば、表示部210、非表示部220および操作部230を有している。操作部230は、図12(A)に示したように表示部210と同じ面(前面)に形成されていても、図12(B)に示したように表示部210とは異なる面(上面)に形成されていてもよい。
図13は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル310およびフィルターガラス320を含む映像表示画面部300を有している。
図14は、デジタルスチルカメラの外観を表したものである。このデジタルスチルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部410、表示部420、メニュースイッチ430およびシャッターボタン440を有している。
図15は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体510,文字等の入力操作のためのキーボード520および画像を表示する表示部530を有している。
図16は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部610,この本体部610の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ620,撮影時のスタート/ストップスイッチ630および表示部640を有している。
図17は、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体710と下側筐体720とを連結部(ヒンジ部)730で連結したものであり、ディスプレイ740,サブディスプレイ750,ピクチャーライト760およびカメラ770を有している。
(1)ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、前記半導体層上のエッチングストッパ層と、前記半導体層上の、少なくとも前記エッチングストッパ層の両側に設けられた一対のコンタクト層と、前記半導体層に前記一対のコンタクト層を介して電気的に接続されると共に前記絶縁層に接するソース・ドレイン電極と、を備えたトランジスタ。
(2)前記一対のコンタクト層は互いの対向面と反対側に端面を有し、前記ソース・ドレイン電極は前記一対のコンタクト層それぞれの端面を覆っている前記(1)に記載のトランジスタ。
(3)前記一対のコンタクト層それぞれの端面は、前記半導体層の端面と一致する前記(1)または(2)に記載のトランジスタ。
(4)前記一対のコンタクト層は前記エッチングストッパ層の上面にも設けられている前記(1)乃至(3)のうちいずれか1つに記載のトランジスタ。
(5)前記一対のコンタクト層は、前記エッチングストッパ層の上面と前記有機半導体層上との間で分断されている前記(4)に記載のトランジスタ。
(6)前記一対のコンタクト層は前記エッチングストッパ層の上面および端面にも設けられている前記(1)乃至(5)のうちいずれか1つに記載のトランジスタ。
(7)前記一対のコンタクト層は、前記エッチングストッパ層の上面からその端面を介し、連続して前記半導体層上に設けられている前記(6)に記載のトランジスタ。
(8)前記絶縁層は、前記ソース・ドレイン電極と前記絶縁層よりも下層の電極とを接続するための接続孔を有する前記(1)乃至(7)のうちいずれか1つに記載のトランジスタ。
(9)前記半導体層は、有機半導体材料を含む前記(1)乃至(8)のうちいずれか1つに記載のトランジスタ。
(10)ゲート電極を形成する工程と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層を形成する工程と、前記半導体層上にエッチングストッパ層を形成する工程と、前記半導体層上の、少なくとも前記エッチングストッパ層の両側に一対のコンタクト層を形成する工程と、前記一対のコンタクト層上から前記絶縁層上にかけてソース・ドレイン電極を形成する工程とを含むトランジスタの製造方法。
(11)前記半導体層および前記コンタクト層を形成するためのパターニングを同時に行う前記(10)に記載のトランジスタの製造方法。
(12)前記パターニングはレーザアブレーションにより行う前記(11)に記載のトランジスタの製造方法。
(13)複数の画素と前記複数の画素を駆動するためのトランジスタとを備え、前記トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極に対向する半導体層と、前記半導体層上のエッチングストッパ層と、前記半導体層上の、少なくとも前記エッチングストッパ層の両側に設けられた一対のコンタクト層と、前記半導体層に前記一対のコンタクト層を介して電気的に接続されると共に前記絶縁層に接するソース・ドレイン電極とを備えた表示装置。
(14)複数の画素および前記複数の画素を駆動するためのトランジスタを有する表示装置を備え、前記トランジスタは、ゲート電極と、前記ゲート電極に対向する半導体層と、前記半導体層上のエッチングストッパ層と、前記半導体層上の、少なくとも前記エッチングストッパ層の両側に設けられた一対のコンタクト層と、前記半導体層に前記一対のコンタクト層を介して電気的に接続されると共に前記絶縁層に接するソース・ドレイン電極とを備えた電子機器。
Claims (14)
- ゲート電極と、
絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層上のエッチングストッパ層と、
前記半導体層上の、少なくとも前記エッチングストッパ層の両側に設けられた一対のコンタクト層と、
前記半導体層に前記一対のコンタクト層を介して電気的に接続されると共に前記絶縁層に接するソース・ドレイン電極と、
を備えたトランジスタ。 - 前記一対のコンタクト層は互いの対向面と反対側に端面を有し、
前記ソース・ドレイン電極は前記一対のコンタクト層それぞれの端面を覆っている
請求項1に記載のトランジスタ。 - 前記一対のコンタクト層それぞれの端面は、前記半導体層の端面と一致する
請求項2に記載のトランジスタ。 - 前記一対のコンタクト層は前記エッチングストッパ層の上面にも設けられている
請求項1に記載のトランジスタ。 - 前記一対のコンタクト層は、前記エッチングストッパ層の上面と前記有機半導体層上との間で分断されている
請求項4に記載のトランジスタ。 - 前記一対のコンタクト層は前記エッチングストッパ層の上面および端面にも設けられている
請求項1に記載のトランジスタ。 - 前記一対のコンタクト層は、前記エッチングストッパ層の上面からその端面を介し、連続して前記半導体層上に設けられている
請求項6に記載のトランジスタ。 - 前記絶縁層は、前記ソース・ドレイン電極と前記絶縁層よりも下層の電極とを接続するための接続孔を有する
請求項1に記載のトランジスタ。 - 前記半導体層は、有機半導体材料を含む
請求項1に記載のトランジスタ。 - ゲート電極を形成する工程と、
絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上にエッチングストッパ層を形成する工程と、
前記半導体層上の、少なくとも前記エッチングストッパ層の両側に一対のコンタクト層を形成する工程と、
前記一対のコンタクト層上から前記絶縁層上にかけてソース・ドレイン電極を形成する工程と
を含むトランジスタの製造方法。 - 前記半導体層および前記コンタクト層を形成するためのパターニングを同時に行う
請求項10に記載のトランジスタの製造方法。 - 前記パターニングはレーザアブレーションにより行う
請求項11に記載のトランジスタの製造方法。 - 複数の画素と前記複数の画素を駆動するためのトランジスタとを備え、
前記トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層上のエッチングストッパ層と、
前記半導体層上の、少なくとも前記エッチングストッパ層の両側に設けられた一対のコンタクト層と、
前記半導体層に前記一対のコンタクト層を介して電気的に接続されると共に前記絶縁層に接するソース・ドレイン電極とを備えた
表示装置。 - 複数の画素および前記複数の画素を駆動するためのトランジスタを有する表示装置を備え、
前記トランジスタは、
ゲート電極と、
前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層上のエッチングストッパ層と、
前記半導体層上の、少なくとも前記エッチングストッパ層の両側に設けられた一対のコンタクト層と、
前記半導体層に前記一対のコンタクト層を介して電気的に接続されると共に前記絶縁層に接するソース・ドレイン電極とを備えた
電子機器。
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