TWI470697B - 薄膜電晶體及其製造方法 - Google Patents

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Description

薄膜電晶體及其製造方法
本發明係關於一種薄膜電晶體及一種用於製造一薄膜電晶體之方法。特定而言，本發明係關於一種用於製造一薄膜電極之方法及藉由此方法獲得之一薄膜電晶體，該薄膜電晶體具有包含一有機半導體裝置之一底部閘極-頂部接觸結構。
近年來，已注意到包含一有機半導體作為一通道層之一薄膜電晶體(TFT)(亦即，所謂的一有機TFT)。有機TFT具有成本減小之一優點，此乃因可通過低溫塗佈來形成包含一有機半導體之一通道層。此外，形成可在展示不良耐熱性之一撓性基板(例如，塑膠)上進行。關於此一有機TFT，在公共領域中，當與一底部接觸結構相比較時，可藉由採用一底部閘極-頂部接觸結構來抑制因一應力(例如，熱)所導致的特性劣化。
在具有底部閘極-頂部接觸結構之上述有機TFT之生產中，已考量用於以高精確度將一源電極及一汲電極圖案化於一有機半導體圖案上之一方法。舉例而言，日本未審查專利申請公開案第2006-216718號揭示一種用於形成一源電極及一汲電極之方法，其中設置一橫向構件從而將一基板上方之一空間劃分成兩個，通過自兩個方向蒸鍍形成一有機半導體圖案，且此後，以此一方式蒸鍍一金屬材料從而藉助該橫向構件劃分。
附帶而言，在具有底部閘極-頂部接觸結構之薄膜電晶體中，一有機半導體層固持於一源極-汲極與一閘極電極之層之間。因此，在其中該源極-汲極與該閘極電極重疊之一部分處產生一寄生電容，且往往出現作業電壓之增加或變化及作業速度之一減小，從而導致缺點，例如，提供一補償電路來以補償其等。
然而，通過藉由使用一普通範本遮罩之蒸鍍之膜形成之最小加工大小及對齊準確度係約20 μm。特定而言，關於一大面積製程，對齊準確度在基板表面上不同，且因此，有效地抑制上述寄生電容之一出現較困難。對於以上所陳述之日本未審查專利申請公開案第2006-216718號中之方法同樣如此。
因此，期望提供一種用於製造一薄膜電晶體之方法，其中可在一底部閘極-頂部接觸結構中有效地抑制一源極-汲極與一電極之間的一寄生電容，且提供藉由此方法獲得之一薄膜電晶體。
一種根據本發明之一實施例用於製造一薄膜電晶體之方法包含以下步驟：藉助一閘極絕緣膜覆蓋圖案化於一基板上之一閘極電極；以彼層壓次序在該閘極絕緣膜上形成一有機半導體層及一電極膜；及在提供有該有機半導體層及該電極膜之該基板上形成一負型光阻劑膜且形成一抗蝕劑圖案，該抗蝕劑圖案充當用於藉由蝕刻該電極膜來形成一源極-汲極之一遮罩，該蝕刻係通過藉由使用該閘極電極作為一光遮蔽遮罩來自該基板側背表面曝光及隨後的顯影處理進行。
如下文所述，藉由此一製造方法獲得具有根據本發明之一實施例之組態之一薄膜電晶體。亦即，根據本發明之一實施例之薄膜電晶體包含：設置於一基板上之一閘極電極及覆蓋該閘極電極之一閘極絕緣膜，設置於該閘極絕緣膜上之一有機半導體層，及在允許其端部邊緣與該閘極電極之兩個端部邊緣在寬度方向上一致之同時設置於該有機半導體層上之一源極-汲極。
根據上述組態，該源極-汲極在通過自對準相對於該閘極電極對齊之同時設置於覆蓋該閘極電極之該閘極絕緣膜上。
如上所述，根據本發明之一實施例，由於該源極-汲極係在通過自對準相對於該閘極電極對齊之同時設置，因此可在具有底部閘極-頂部接觸結構之薄膜電晶體中有效地抑制該源極-汲極與該閘極電極之間的一寄生電容。
下文將參考圖式闡述根據本發明之實施例。將按以下次序做出闡釋。
1.　第一實施例(其中源電極及汲電極具有單層結構之實例)
2.　第二實施例(其中源電極及汲電極具有層壓結構之實例)
3.　第三實施例(其中源電極及汲電極亦充當佈線之一部分之實例)
4.　第四實施例(其中源電極及汲電極具有層壓結構且亦充當佈線之一部分之實例)
5.　第五實施例(其中佈線與源電極及汲電極之一部分重疊之實例)
在第一實施例至第五實施例中，將闡釋用於製造薄膜電晶體之方法，且然後，將闡釋所得薄膜電晶體之組態。
1.　第一實施例
圖1A至1N係用於闡釋根據本發明之一第一實施例之步驟圖。下文將參考此等圖式闡述一種用於製造根據第一實施例一薄膜電晶體之方法。
首先，如圖1A中所示，將具有一光遮蔽性質之一閘極電極3圖案化於對曝光光具有一光透射性質之一基板1上，且在覆蓋該閘極電極及該基板之同時形成具有一光透射性質之一閘極絕緣膜5。
重要的係，由一光透射材料形成基板1。此一基板1之實例包含透明基板(例如，玻璃及塑膠)及其中防禦水蒸氣及氧氣之一障壁層及一緩衝層視需要設置於具有一多層結構之一透明基板上之基板。
重要的係，閘極電極3具有一光遮蔽性質。由Al、AlNd、Cu、Au、Ni、W、Mo、Cr、Ti、Ta、Ag或類似物或其一多層膜形成此一閘極電極3。用於製造上述閘極電極3之一方法不受特別限制。
作為用於形成閘極電極3之方法之一實例，可在形成上述金屬材料之後，藉由使用一抗蝕劑作為一遮罩來進行蝕刻。藉由一蒸鍍方法、一濺鍍方法、一電鍍方法或類似方式來進行金屬材料膜之膜形成。另一選擇係，可藉由一塗佈方法來形成包含金屬細粒子(例如，Au奈米粒子或Ag奈米粒子)之導電油墨之一膜。關於用於形成一抗蝕劑圖案之方法，可使用一光微影方法或一印刷方法。
關於用於形成閘極電極3之方法之另一實例，可藉由印刷方法來直接圖案化包含金屬細粒子(例如，Au奈米粒子或Ag奈米粒子)之導電油墨。
在此方面，上述塗佈方法之實例包含一旋轉塗佈方法、一氣刀塗佈器方法、一刮刀塗佈器方法、一棒式塗佈器方法、一刀式塗佈器方法、一擠壓式塗佈器方法、一逆輥式塗佈器方法、一傳送輥式塗佈器方法、一凹版塗佈器方法、一輥舐式塗佈器方法、一澆鑄塗佈器方法、一噴霧塗佈器方法、一縫隙銳孔塗佈器方法、一壓延塗佈器方法及一浸塗方法。對於以下實施例同樣如此。
此外，上述印刷方法之實例包含絲網印刷、噴墨印刷、凸版印刷、平版印刷及雕刻凹版印刷，以及通過其組合之印刷方法。對於以下實施例同樣如此。
重要的係，閘極絕緣膜5具有一光透射性質。由一無機材料或一有機材料形成此一閘極絕緣膜5。可藉由一濺鍍方法、一CVD方法、一RECVD方法或類似方式來形成由一無機材料(例如，二氧化矽、氮化矽、TaOx、HfOx及AlOx)形成之閘極絕緣膜5。另一方面，可藉由一塗佈方法來形成由一有機材料(例如，聚乙烯基苯酚、PMMA、聚醯亞胺或氟樹脂)形成之閘極絕緣膜。另一選擇係，可藉由一印刷方法來形成由一有機聚合物材料形成之閘極絕緣膜5。
隨後，如圖1B中所示，在閘極絕緣膜5上形成對曝光光具有一光透射性質之一有機半導體層7。
構成上述有機半導體層7之材料之實例包含以下材料。
聚吡咯及聚吡咯之取代產物、聚噻吩及聚噻吩衍生物、異硫茚(例如，聚異硫茚)、伸噻吩基伸乙烯基(例如，聚伸噻吩基伸乙烯基)、聚(對伸苯基伸乙烯基)(例如，聚(對伸苯基伸乙烯基))聚苯胺及聚苯胺衍生物、聚乙炔、聚雙乙炔、聚甘菊環聚芘、聚哢唑、聚硒吩、聚呋喃、聚(對-伸苯基)、聚吲哚、聚噠嗪、并苯(例如，并四苯、并五苯、并六苯、并七苯、二苯并五苯、四苯并五苯、芘、二苯并芘、、苝、蒄、特銳烯(terrylene)、卵苯、誇特銳烯(quaterrylene)及循環蒽)、其中并苯之碳之一部分經原子(例如，N、S及O)或官能團(例如羰基)取代之衍生物(舉例而言，三苯二噁嗪、三苯二噻嗪thiazine、并六苯-6,15-醌、TIPS并五苯、TES-雙噻吩蒽及類似物；聚合物，例如，聚乙烯基哢唑、聚苯硫醚及聚伸乙烯基硫化物及多環縮合物)與彼等上述聚合物具有相同重複單元之寡聚物、金屬酞菁、四硫富瓦烯(tetrathiafulvalene)及四硫富瓦烯衍生物、四硫並環戊二烯及四硫並環戊二烯衍生物、萘-1,4,5,8,-四甲酸二醯亞胺、N,N'-雙(4-三氟甲基苄基)萘-1,4,5,8,-四甲酸二醯亞胺、N,N'-雙(1H,1H-全氟辛基)、N,N'-雙(1H,1H-全氟丁基)及N,N'-二辛基萘-1,4,5,8,-四甲酸二醯亞胺衍生物、萘四甲酸二醯亞胺(例如，萘-2,3,6,7-四甲酸二醯亞胺)、蒽四甲酸二醯亞胺之稠合環四甲酸二醯亞胺(例如，蒽-2,3,6,7-四甲酸二醯亞胺)、富勒烯(fullerene)(例如，C60、C70、C76、C78及C84)、碳奈米管(例如，SWNT)及著色劑(例如，部花青著色劑及半花菁著色劑)。
關於由上述材料形成之有機半導體層7之膜形成，可通過蒸鍍形成具有一昇華點之材料之一膜。在其中通過溶解至一溶劑中來形成一溶液之情況下，可藉由一塗佈方法或一印刷方法來進行膜形成。
然後，在有機半導體層7上形成所得有機半導體層7之圖案化中之一保護膜9。由一金屬材料、一氧化物或類似物形成保護膜9且其未必具有一光透射性質。藉由使用(例如)一金屬材料來形成此保護膜9。構成保護膜9之金屬材料之實例包含金(Au)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、銀(Ag)、鎢(W)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、銅(Cu)、鎳(Ni)、銦(In)、錫(Sn)、錳(Mn)、釕(Rh)、銣(Rb)、及其化合物。在此方面，可藉由層壓上述材料來形成保護膜9。
接下來，如圖1C中所示，在與閘極電極3重疊之一位置處在保護膜9上形成一抗蝕劑圖案11。藉由應用光微影方法或印刷方法來進行抗蝕劑圖案11之形成。關於印刷方法，可使用噴墨印刷、絲網印刷、膠版印刷、凹版印刷、柔性版印刷、微接觸印刷或類似方式。在此方面，在抗蝕劑圖案11之形成中，由保護膜9保護有機半導體層7。
隨後，藉由使用一抗蝕劑圖案11作為一遮罩來蝕刻保護膜9。以此方式，在有機半導體層7上形成一保護膜圖案9a。
然後，如圖1D中所示，藉由使用保護膜圖案9a作為一遮罩來蝕刻有機半導體層7，以使得在沿閘極電極3之寬度方向覆蓋閘極電極3上方之一部分的一部分之同時圖案化該有機半導體。此處，進行藉助一溶劑來溶解該半導體之乾式蝕刻或濕式蝕刻。藉助此進行此處所形成之半導體之元件分離。
此後，通過剝離來移除保護膜圖案9a。通過濕式蝕刻來進行保護膜圖案9a之剝離及移除。關於此時之一蝕刻溶液，舉例而言，使用含有一酸(例如，硝酸、硫酸、鹽酸、醋酸、草酸、氫氟酸或過氧化氫)、一鹽(例如，氟化銨、碘化鉀、高錳酸鹽或重鉻酸鹽)或其一混合溶液之一溶液。為抑制對有機半導體層7之損壞，蝕刻溶液中之酸的濃度係20%或更少係較佳。此外，為確保一穩定的蝕刻速率，可添加添加劑，例如，一有機氮化合物及類似物。在此方面，可藉由應用一印刷方法來圖案化閘極絕緣膜5上之有機半導體層7之圖案化。在此情況下，未必需要藉由上述蝕刻製程之圖案化。
以此方式，獲得由圖1E中所示之沿圖1F中之一線IE-IE所截取之截面之一截面圖及圖1F中所示之一平面圖指示之組態，其中在覆蓋基板1上之閘極電極3之同時設置閘極絕緣膜5，且將島形有機半導體層7圖案化於閘極絕緣膜5上。
接下來，如圖1G中所示，在覆蓋如以上所述圖案化之有機半導體層7之同時在閘極絕緣膜5之整個表面上形成具有一光透射性質之一電極膜13。此外，在電極膜13上形成一負型光阻劑膜15。
關於閘極膜13，在其中此處所產生之一薄膜電晶體具有p-型通道之情況下，具有一大的功函數之一導電材料(例如，Au、Pt、Pd、Cu、CuOx、ITO、ZnO或Ag奈米粒子)有利地用於與有機半導體層7接觸之側上之至少一層。此外，可在上述材料層上形成另一金屬材料。另一方面，在其中在此處所產生之一薄膜電晶體具有n-型通道之情況下，Mg、Ag、Ca或其一化合物有利地用於與有機半導體層7接觸之側上之至少該層。然而，此等材料容易在空氣中氧化。因此，必需在其上形成另一金屬之一膜從而覆蓋該材料。
重要的係，由上述材料形成之電極膜13對曝光光具有一光透射性質。因此，特定而言，將電極膜13之膜厚度抑制為一值，在該值下，可透射用作曝光光之UV光，且通常將該值規定為1 nm至50 nm。
抗蝕劑膜15具有至少負型光敏性。
在到目前為止所獲得之組態中，重要的係，關於在抗蝕劑膜15下方之層，自基板1至電極膜13之每一層(除閘極電極3以外)對曝光光皆具有一光透射性質，且該曝光光可透射穿過此等層加起來所形成的整個層。在此方面，曝光光係指針對下一步驟進行之光微影中所用之光，且規定為(例如)紫外光(UV)。
接下來，如由圖1H中所示之沿圖1I中之一線IH-IH所截取之截面之一截面圖及圖1I中所示之一平面圖指示，進行背表面曝光，其中將來自基板1側之UV光作為曝光光h施加至抗蝕劑膜15。此時，將一曝光遮罩17設置於基板1側上，且藉助此曝光遮罩17施加該曝光光h。
給曝光遮罩17提供與閘極電極3交叉之一開口部分17a。以將曝光光h施加至閘極電極3之兩個側之此一方式組態此開口部分17a。如圖式中所示，在其中將開口17a設置於有機半導體層7在閘極電極3之延伸方向上之範圍內之情況下，此開口部分17a之開口寬度對應於閘極寬度W。此係較佳，此乃因閘極寬度W之尺寸可控性良好。另一方面，在其中超過有機半導體層7在閘極電極3之延伸方向上之範圍設置開口部分17a之情況下，有機半導體層7之尺寸L對應於該閘極寬度。
在曝光遮罩17之開口部分17a中，基於穿過曝光遮罩17之上述背表面曝光，將曝光光h施加至抗蝕劑膜15之不藉助閘極電極13遮蔽光之一部分，以使得產生經曝光部分15a且固化抗蝕劑材料。
此後，如圖1J中所示，進行抗蝕劑膜15之一顯影處理，且藉此，在電極膜13上僅留下充當抗蝕劑圖案15b之經曝光部分15a。通過相對於閘極電極3自對準來顯影所得抗蝕劑圖案15b。
閘極電極3之端部邊緣與抗蝕劑圖案15b之端部邊緣之間的平面內一致性之準確度取決於到達抗蝕劑膜15之UV輻照量、閘極電極3之形狀、曝光光h之取決於閘極絕緣膜5之膜厚度之繞射量及類似因數。舉例而言，在其中將閘極電極3之膜厚度規定為300 nm且將閘極絕緣膜5之膜厚度規定為500 nm之情況下，通常可將平面內一致性之準確度控制在3 μm或更少。實現關於藉由使用一蒸鍍遮罩之圖案膜形成之此準確度較困難，且此外，在使用由塑膠形成之一基板1之情況下，自一表面側實現關於甚至普通光微影較困難，此乃因基板1在該等步驟期間之收縮。
接下來，如由圖1K中所示之沿圖1L中之一線IK-IK所截取之截面之一截面圖及圖1L中所示之一平面圖指示，藉由使用抗蝕劑圖案15b作為遮罩來進行電極膜13之圖案蝕刻。以此方式，通過蝕刻來移除閘極電極3上之電極膜13，且通過相對於閘極電極3自對準由電極膜13形成一源極13s-1及一汲極13d-1。
關於電極膜13之上述圖案蝕刻，舉例而言，在其中有機半導體層7由並五苯形成且電極膜13由Au形成之情況下，可藉由使用含有碘及碘化鉀作為基本成分之一蝕刻溶液來進行濕式蝕刻。
此後，如由圖1M中所示之沿圖1N中之一線IM-IM所截取之截面之一截面圖及圖1N中所示之一平面圖指示，在提供有源極13s-1及汲極13d-1之基板1上形成一層間絕緣膜19。此時，未必移除抗蝕劑圖案15b，但可按現狀留下抗蝕劑圖案15b從而藉助層間絕緣膜19覆蓋。隨後，在層間絕緣膜19及抗蝕劑圖案15b中形成到達源極13s-1及汲極13d-1之個別連接孔19a。然後，在層間絕緣膜19上形成通過連接孔19a連接至源極13s-1及汲極13d-1之個別佈線21，從而完成一薄膜電晶體23-1。
關於連接孔19a之形成，在其中層間絕緣膜19係由一光敏樹脂材料(舉例而言，光敏PVA)形成之一層之情況下，透過曝光及顯影在層間絕緣膜19中形成連接孔，且此外，藉由蝕刻抗蝕劑圖案15b來形成連接孔19a。另一選擇係，在其中層間絕緣膜19係由一非光敏樹脂材料(氟樹脂或聚對二甲苯)形成之一層之情況下，通過光微影及氧電漿RIE形成連接孔19a。
通過佈線材料之膜形成及圖案蝕刻或藉由應用印刷方法來進行佈線21之形成。舉例而言，在其中將此處所產生之薄膜電晶體用作一主動矩陣電路之一切換電晶體之情況下，將兩個佈線21中之任一者延伸至一資料線且將另一佈線延伸至一儲存電容器之一電極。在此情況下，將閘極電極3延伸至一掃描線。
如以上所述獲得之薄膜電晶體23-1具有一底部閘極-頂部接觸結構，其中有機半導體層7設置於覆蓋閘極電極3之閘極絕緣膜5上且源極13s-1及汲極13d-1係在其等之一部分層壓於有機半導體層7上之同時設置。此外，在此薄膜電晶體23-1中，源極13s-1及汲極13d-1係在自經圖案化之有機半導體層7上通向閘極絕緣膜5上之同時設置。
特定而言，源極13s-1及汲極13d-1具有通過藉由使用閘極電極3作為遮罩來自基板1側背表面曝光所獲得之圖案形狀。因此，在允許源極13s-1及汲極13d-1之端部邊緣與閘極電極3之兩個端部邊緣在寬度方向上一致之同時，通過自對準相對於閘極電極3對齊該源極及該汲極。
此外，為進行上述背表面曝光，上述薄膜電晶體23-1之一特徵係自基板1至構成源極13s-1及汲極13d-1之電極膜13之個別層(除閘極電極3以外)具有一光透射性質。
此外，留在源極13s-1及汲極13d-1上之抗蝕劑圖案15b係具有與源極13s-1及汲極13d-1之圖案形成相同的圖案形狀之負抗蝕劑亦係一特徵。
根據上述第一實施例，設置源極13s-1及汲極13d-1，在允許其等之端部邊緣與閘極電極3之兩個端部邊緣在寬度方向上一致之同時，通過自對準相對於閘極電極3將其等對齊。因此，可在具有底部閘極-頂部接觸結構之薄膜電晶體中有效地抑制源極13s-1及汲極13d-1與閘極電極3之間的一寄生電容。
2.　第二實施例
圖2A至2J係用於闡釋根據本發明之一第二實施例之步驟圖。下文將參考此等圖式闡述用於製造根據第二實施例一薄膜電晶體之一方法。在此方面，將不提供對與第一實施例中之彼等組態相同的組態之詳細闡釋。
首先，如由圖2A中所示之沿圖2B中之一線IIA-IIA所截取之截面之一截面圖及圖2B中所示之一平面圖指示，將具有一光遮蔽性質之一閘極電極3圖案化於對曝光光具有一光透射性質之一基板1上，且在覆蓋該閘極電極及該基板之同時形成具有一光透射性質之一閘極絕緣膜5及一有機半導體層7。以類似於第一實施例中之方式的一方式進行到目前為止之程序，且用於個別層之材料與上述彼等材料相同。
隨後，在所得有機半導體層7上形成對曝光光具有一光透射性質之一第一電極膜13-1。此第一電極膜13-1係充當有機半導體層7之一保護膜之一層且係按現狀留下以充當一薄膜電晶體之一組成部分之一層。
關於上述第一電極膜13-1，在其中此處所產生之薄膜電晶體具有p-型通道之情況下，有利地使用具有一大的功函數或一受體材料(例如，TCNQ或氯化銀)之一導電材料(例如，Au、Pt、Pd、Cu、CuOx、ITO、ZnO或Ag奈米粒子)。另一方面，在其中此處所產生之薄膜電晶體具有n-型通道之情況下，有利地使用Mg、Ag、Ca或其一化合物。然而，此等材料容易在空氣中氧化。因此，必需在其上形成另一金屬之一膜從而覆蓋該材料。
此後，在第一電極膜13-1上形成一抗蝕劑圖案25，且藉由使用抗蝕劑圖案25作為一遮罩來蝕刻第一電極膜13-1。然後，剝離抗蝕劑圖案25且藉由使用第一電極膜13-1作為一遮罩來將有機半導體層7圖案化成一島形狀。
接下來，如圖2C中所示，在覆蓋島形有機半導體層7及第一電極膜13-1之同時在閘極絕緣膜5之整個表面上形成具有一光透射性質之一第二電極膜13-2。此外，在第二電極膜13-2上形成一負型光阻劑膜15。
此處所形成之第二電極膜13-2未必係能夠將電荷注入至有機半導體層7中之一材料，但可使用一更便宜的導電材料或一高度導電的材料。此時，第一電極膜13-1及第二電極膜13-2整體上具有一光透射性質係必需的，且通常，將總的膜厚度規定為1 nm至50 nm。
抗蝕劑膜15具有至少負型光敏性，如第一實施例中。
在到目前為止所獲得之組態中，一特徵係，關於在抗蝕劑膜15下方之層，自基板1至第二電極膜13-2之每一層(除閘極電極3以外)皆對曝光光具有一光透射性質，且該曝光光可透射穿過此等層加起來所形成的整個層。
此後，可如下文所述進行與第一實施例中之程序相同的程序。
首先，如由圖2D中所示之沿圖2E中之一線IID-IID所截取之截面之一截面圖及圖2E中所示之一平面圖指示，進行背表面曝光，其中將來自基板1側之UV光作為曝光光h施加至抗蝕劑膜15。此時，將一曝光遮罩17設置於基板1側上，且藉助此曝光遮罩17施加該曝光光h。給曝光遮罩17提供與閘極電極3交叉之一開口部分17a，如第一實施例中。
在曝光遮罩17之開口部分17a中，基於穿過曝光遮罩17之上述背表面曝光，將曝光光h施加至抗蝕劑膜15之不藉助閘極電極13遮蔽光之一部分，以使得產生經曝光部分15a且固化經曝光部分15a之抗蝕劑材料。
此後，如圖2F中所示，進行抗蝕劑膜15之一顯影處理，且藉此，在第二電極膜13-2上僅留下充當抗蝕劑圖案15b之經曝光部分15a。通過相對於閘極電極3自對準來顯影所得抗蝕劑圖案15b，如第一實施例中。
接下來，如由圖2G中所示之沿圖2H中之一線IIG-IIG所截取之截面之一截面圖及圖2H中所示之一平面圖指示，藉由使用抗蝕劑圖案15b作為遮罩來進行第一電極膜13-1及第二電極膜13-2之圖案蝕刻。以此方式，通過蝕刻來移除閘極電極3上之第二電極膜13-2及第一電極膜13-1，且通過相對於閘極電極3自對準由第二電極膜13-2及第一電極膜13-1形成一源極13s-2及一汲極13d-2。
此後，如由圖2I中所示之沿圖2J中之一線II I-II I所截取之截面之一截面圖及圖2J中所示之一平面圖指示，在提供有源極13s-2及汲極13d-2之基板1上形成一層間絕緣膜19，且形成到達源極13s-2及汲極13d-2之個別連接孔19a。然後，在層間絕緣膜19上形成通過連接孔19a連接至源極13s-2及汲極13d-2之個別佈線21，從而完成一薄膜電晶體23-2。
如以上所述獲得之薄膜電晶體23-2不同於第一實施例之薄膜電晶體之處在於有機半導體層7上之源極13s-2及汲極13d-2具有第一電極膜13-1及第二電極膜13-2之一層壓結構。其他組態相同。
因此，亦在上述第二實施例中，設置源極13s-2及汲極13d-2，在允許其等之端部邊緣與閘極電極3之兩個端部邊緣在寬度方向上一致之同時，通過自對準相對於閘極電極3將其等對齊。因此，如第一實施例中，可在具有底部閘極-頂部接觸結構之薄膜電晶體中有效地抑制源極13s-2及汲極13d-2與閘極電極3之間的一寄生電容。
此外，有機半導體層7上之源極13s-2及汲極13d-2具有第一電極膜13-1及第二電極膜13-2之一層壓結構。因此，在其中將能夠將電荷注入至有機半導體層7中之一材料用作第一電極膜13-1之情況下，可將一便宜的材料用於第二電極膜13-2，從而可促進一成本減小。此外，如圖2A中所示，第一電極膜13-1充當有機半導體層7之圖案化中之保護膜。因此，有機半導體層7之膜品質得以維持且可確保電晶體特性。
3.　第三實施例
圖3A至3J係用於闡釋根據本發明之一第三實施例之步驟圖。下文將參考此等圖式闡述用於製造根據第三實施例之一薄膜電晶體之一方法。在此方面，將不提供對與第一實施例中之彼等組態相同的組態之詳細闡釋。
首先，獲得如圖3A中所示之組態，其中在覆蓋一基板1上之一閘極電極3之同時形成一閘極絕緣膜5，且將一有機半導體層7在所得閘極絕緣膜5上圖案化成一島形狀。
隨後，如圖3B中所示，在覆蓋有機半導體層7之同時在閘極絕緣膜5之整個表面上形成具有一光透射性質之一電極膜13。此外，在電極膜13上形成一遮罩-形成層31。
此處所形成之電極膜13與第一實施例中之彼電極膜相同。端視欲產生之薄膜電晶體是具有p-型通道還是n-型通道來選擇適於電荷注入之材料，且可視需要採用一層壓結構。
重要的係，遮罩-形成層31對曝光光具有一光透射性質。因此，將材料規定為能夠相對於電極膜13選擇性地蝕刻。可由一有機材料、一無機材料、一導電材料或一絕緣材料形成此一遮罩-形成層31。
作為一實例，在其中電極膜13由Au形成之情況下，將一金屬(例如，Ti或Al)、一無機絕緣材料(例如，SiO2 或SiNx)或一有機絕緣材料(例如，PVP或PMMA)用於遮罩形成層31。關於此等材料，可藉由一濺鍍方法、一CVD方法或類似方式來進行無機材料之膜形成，且可藉由一塗佈製程來進行有機絕緣材料之膜形成。
到目前為止，重要的係，自基板1至遮罩-形成層31之每一層(除閘極電極3以外)對曝光光皆具有一光透射性質，且此等層加起來所形成的整個層對曝光光具有一光透射性質。
然後，如圖3C中所示，在遮罩-形成層31上形成一負型光阻劑膜15。所得抗蝕劑膜15具有至少負型光敏性，如第一實施例中。
此後，如由圖3D中所示之沿圖3E中之一線IIID-IIID所截取之截面之一截面圖及圖3E中所示之一平面圖指示，進行背表面曝光，其中將來自基板1側之UV光作為曝光光h施加至抗蝕劑膜15。此時，將一曝光遮罩17設置於基板1側上，且藉助此曝光遮罩17施加該曝光光h。給曝光遮罩17提供與閘極電極3交叉之一開口部分17a，如第一實施例中。
在曝光遮罩17之開口部分17a中，基於穿過曝光遮罩17之上述背表面曝光，將曝光光h施加至抗蝕劑膜15之不藉助閘極電極3遮蔽光之一部分，以使得產生經曝光部分15a且固化經曝光部分15a之抗蝕劑材料。
此後，如圖3F中所示，進行抗蝕劑膜15之一顯影處理，且藉此，在遮罩-形成層31上僅留下充當抗蝕劑圖案15b之經曝光部分15a。通過相對於閘極電極3自對準來顯影所得抗蝕劑圖案15b，如第一實施例中。
然後，如圖3G中所示，藉由使用抗蝕劑圖案15b作為遮罩來選擇性地圖案-蝕刻遮罩-形成層31。此時，在其中電極膜13係Au之情況下，端視用於遮罩-形成層31之材料進行以下蝕刻。亦即，若遮罩-形成層31係Ti、Al或SiO2 ，則可進行藉由使用一氟化銨水溶液之濕式蝕刻。若遮罩-形成層31係SiNx，則可進行藉由使用經加熱磷酸之濕式蝕刻。若遮罩-形成層31係有機絕緣膜材料，則可進行藉由使用氧電漿之蝕刻。
以此方式，通過相對於閘極電極3自對準形成通過閘極電極3上之遮罩-形成層31之蝕刻移除所產生之遮罩圖案31a。在圖案蝕刻之後，移除抗蝕劑圖案15b。在此方面，關於遮罩圖案31a，可按現狀使用抗蝕劑圖案15b。然而，在此後所進行之佈線33之選擇性蝕刻中，可藉由設置除抗蝕劑圖案15b以外的遮罩圖案31a來自寬廣範圍選擇具有防止對充當一基底材料之有機半導體層7之損壞之一高效應之一方法。
接下來，如圖3H中所示，在閘極電極3之兩個側上在電極膜13上形成個別佈線33。此等佈線33連接至由電極膜13形成之源極及汲極且亦充當該源極及該汲極之圖案化中之遮罩。因此，重要的係，個別佈線33係在層壓於遮罩圖案31a上之同時形成。
構成上述佈線33之材料膜未必係能夠將電荷注入至有機半導體層7中之一材料，只要該材料具有良好的導電性即可。因此，可藉由使用一更便宜的材料來形成佈線33。關於用於構成佈線33之材料，可使用AlNd、Cu、Au、Ni、W、Mo、Cr、Ti、Ta、Ag及類似物及其層壓膜。用於形成上述佈線33之方法不受特別限制，且可以類似於第一實施例中所闡釋之閘極電極3之形成之方式的一方式進行該形成。
接下來，如由圖3I中所示之沿圖3J中之一線III I-III I所截取之截面之一截面圖及圖3J中所示一平面圖指示，通過藉由使用遮罩圖案31a及佈線33作為遮罩之蝕刻來進行電極膜13之圖案蝕刻。此處，在其中電極膜13係Au且遮罩圖案31a係Ti、Al、SiO2 、SiNx或一有機絕緣膜材料(例如，PVP或PMMA)之情況下，可進行藉由使用含有碘及碘化鉀之一蝕刻溶液之濕式蝕刻。以此方式，可通過選擇性蝕刻進行由Au形成之電極膜13之圖案化。
在此方面，在其中電極膜13之膜厚度相對於佈線33足夠小之情況下，可在與用於形成佈線33之蝕刻之同時進行電極膜13之上述蝕刻。因此，簡化了步驟。
如上所述，通過蝕刻來移除閘極電極3上之電極膜13，通過相對於閘極電極3自對準由電極膜13形成一源極13s-3及一汲極13d-3，從而完成一薄膜電晶體23-3。
如上所述獲得之薄膜電晶體23-3在源極13s-3及汲極13d-3之形狀上不同於第一實施例之薄膜電晶體。亦即，源極13s-3及汲極13d-3自閘極電極3上方之彼此相對之位置通向有機半導體層7之外側，且此外，源極13s-3及汲極13d-3係在具有與佈線層33之圖案形狀相同的圖案形狀之同時設置為在佈線33下方之層。
此外，通過自遮罩圖案31a(其通過藉由使用抗蝕劑圖案15b作為遮罩之蝕刻來獲得)上方之蝕刻來獲得源極13s-3及汲極13d-3，而通過相對於閘極電極3自對準形成抗蝕劑圖案15b，如第一實施例中。因此，亦在上述第三實施例中，設置源極13s-3及汲極13d-3，在允許其等之端部邊緣與閘極電極3之兩個端部邊緣在寬度方向上一致之同時，通過自對準相對於閘極電極3將其等對齊。因此，如第一實施例中，可在具有底部閘極-頂部接觸結構之薄膜電晶體中有效地抑制源極13s-3及汲極13d-3與閘極電極3之間的一寄生電容。
4.　第四實施例
圖4A至4J係用於闡釋根據本發明之一第四實施例之步驟圖。下文將參考此等圖式闡述用於製造根據第四實施例之一薄膜電晶體之一方法。第四實施例係第二實施例與第三實施例之一組合，且因此，將不提供對與上述第一實施例至第三實施例中之彼等組態相同的組態之詳細闡釋。
首先，如圖4A中所示，將一閘極電極3圖案化於一基板1上，在覆蓋閘極電極3之同時形成一閘極絕緣膜5，且在所得閘極絕緣膜5上形成其中層壓一有機半導體層7及一第一電極膜13-1之一圖案。到目前為止，除閘極電極3以外之每一層皆具有一光透射性質。此外，形成第一電極膜13-1以使其變成充當有機半導體層7之保護膜之一層及按現狀留下以充當一薄膜電晶體之一組成部分之一層。
隨後，如圖4B中所示，在覆蓋有機半導體層7及第一電極膜13-1之同時在閘極絕緣膜5之整個表面上形成具有一光透射性質之一第二電極膜13-2。此處所形成之第二電極膜13-2未必係能夠將電荷注入至有機半導體層7中之一材料，但可使用一更便宜的導電材料或一高度導電的材料。此時，第一電極膜13-1及第二電極膜13-2整體上具有一光透射性質係必需的，且通常，將總的膜厚度規定為1 nm至50 nm。
到目前為止，可進行與第二實例中之程序相同的程序。在該組態中，重要的係，自基板1至第二電極膜13-2之每一層(除閘極電極3以外)對曝光光皆具有一光透射性質，且該曝光光可透射穿過此等層加起來所形成的整個層。
然後，如圖4C中所示，進一步在其上形成一負型光阻劑膜15。抗蝕劑膜15具有至少負型光敏性，如上述實施例中之每一者中。
此後，可如下文所述進行與第三實施例中之程序相同的程序。
首先，如由圖4D中所示之沿圖4E中之一線IVD-IVD所截取之截面之一截面圖及圖4E中所示之一平面圖指示，進行背表面曝光，其中將來自基板1側之UV光作為曝光光h施加至抗蝕劑膜15。此時，將一曝光遮罩17設置於基板1側上，且藉助此曝光遮罩17施加該曝光光h。給曝光遮罩17提供與閘極電極3交叉之一開口部分17a，如上述實施例中之每一者中。
在曝光遮罩17之開口部分17a中，基於穿過曝光遮罩17之上述背表面曝光，將曝光光h施加至抗蝕劑膜15之不藉助閘極電極13遮蔽光之一部分，以使得產生經曝光部分15a且固化經曝光部分15a之抗蝕劑材料。
此後，如圖4F中所示，進行抗蝕劑膜15之一顯影處理，且藉此，在遮罩-形成層31上僅留下充當抗蝕劑圖案15b之經曝光部分15a。所得抗蝕劑圖案15b通過相對於閘極電極3自對準顯影，如上述實施例中之每一者中。
然後，如圖4G中所示，藉由使用抗蝕劑圖案15b作為遮罩來選擇性地圖案-蝕刻遮罩-形成層31。此時，藉由根據構成電極膜13-1及13-2及遮罩-形成層31之材料之組合而適當地選擇蝕刻方法來進行遮罩-形成層31之選擇性圖案蝕刻，如第三實施例中。
以此方式，通過相對於閘極電極3自對準形成通過閘極電極3上之遮罩-形成層31之蝕刻移除所產生之遮罩圖案31a。在圖案蝕刻之後，移除抗蝕劑圖案15b。在此方面，關於遮罩圖案31a，可按現狀使用抗蝕劑圖案15b，如第三實施例中。
接下來，如圖4H中所示，在閘極電極3之兩個側上在第二電極膜13-2上形成個別佈線33。此等佈線33連接至由第一電極膜13-1及第二電極膜13-2形成之源極及汲極且亦充當該源極及該汲極之圖案化中之遮罩。因此，重要的係，個別佈線33係在層壓於遮罩圖案31a上之同時形成。
構成上述佈線33之材料膜未必係能夠將電荷注入至有機半導體層7中之一材料，只要該材料具有良好的導電性即可。因此，可藉由使用一更便宜的材料來形成佈線33，如第三實施例中。
隨後，如由圖4I中所示之沿圖4J中之一線IV I-IV I所截取之截面之一截面圖及圖4J中所示一平面圖指示，通過藉由使用遮罩圖案31a及佈線33作為遮罩之蝕刻來進行第二電極膜13-2及第一電極膜13-1之圖案蝕刻。可以一步驟或以兩步驟進行此蝕刻，其中端視用於第二電極膜13-2及第一電極膜13-1之材料而基於步驟應用一適合之蝕刻方法。
如上所述，通過相對於閘極電極3自對準由第二電極膜13-2及第一電極膜13-1形成一源極13s-4及一汲極13d-4，從而完成一薄膜電晶體23-4。
如上所述獲得之薄膜電晶體23-4在源極13s-4及汲極13d-4之形狀上不同於第一實施例之薄膜電晶體。亦即，源極13s-4及汲極13d-4經組態以在組合上具有第二實施例及第三實施例之特徵且在有機半導體層7上具有第一電極膜13-1及第二電極膜13-2之一層壓結構。此外，第二電極膜13-2係在具有與佈線層33之圖案形狀相同的圖案形狀之同時設置為在佈線33下方之層。
此外，通過自遮罩圖案31a(其係通過藉由使用抗蝕劑圖案15b作為遮罩之蝕刻來獲得)上方蝕刻來獲得源極13s-4及汲極13d-4，而通過相對於閘極電極3自對準形成抗蝕劑圖案15b，如第一實施例中。因此，亦在上述第四實施例中，設置源極13s-4及汲極13d-4，在允許其等之端部邊緣與閘極電極3之兩個端部邊緣在寬度方向上一致之同時，通過自對準相對於閘極電極3將其等對齊。因此，如第一實施例中，可在具有底部閘極-頂部接觸結構之薄膜電晶體中有效地抑制源極13s-4及汲極13d-4與閘極電極3之間的一寄生電容。
此外，源極13s-4及汲極13d-4在有機半導體層7上具有第一電極膜13-1及第二電極膜13-2之層壓結構。因此，在其中將能夠將電荷注入至有機半導體層7中之一材料用作第一電極膜13-1之情況下，可將一便宜的材料用於用作第二電極膜13-2，從而可促進一成本減小。此外，第一電極膜13-1充當有機半導體層7之圖案化中之一保護膜。因此，有機半導體層7之膜品質得以維持且可確保電晶體特性。
5.　第五實施例
圖5A至5J係用於闡釋根據本發明之一第五實施例之步驟圖。下文將參考此等圖式闡述用於製造根據第五實施例之一薄膜電晶體之一方法。在此方面，將不提供對與上述第一實施例至第四實施例中之彼等組態相同的組態之詳細闡釋。
首先，如圖5A中所示，將具有一光遮蔽性質之一閘極電極3圖案化於對曝光光具有一光透射性質之一基板1上，且在覆蓋該閘極電極及該基板之同時形成具有一光透射性質之一閘極絕緣膜5及一有機半導體層7。以類似於第一實施例中之方式的一方式進行到目前為止之程序，且用於個別層之材料與上述彼等材料相同。
隨後，在所得有機半導體層7上形成對曝光光具有一光透射性質之一電極膜13，且進一步在其上形成一遮罩-形成層31。此等層中之每一者係與上述實施例中所闡釋之層相同的層，且對曝光光具有一光透射性質頗重要。
此後，在遮罩-形成層31上形成一抗蝕劑圖案25。藉由使用抗蝕劑圖案25作為一遮罩來圖案蝕刻遮罩-形成層31及電極膜13。然後，剝離抗蝕劑圖案25且藉由使用電極膜13作為一遮罩來將有機半導體層7圖案化成在閘極電極3之寬度方向上覆蓋閘極電極3之一部分之一島形狀。
接下來，如圖5B中所示，在覆蓋有機半導體層7、電極膜13及遮罩-形成層31之同時在閘極絕緣膜5之整個表面上形成一負型光阻劑膜15。抗蝕劑膜15具有至少負型光敏性，如第一實施例中。
隨後，如由圖5C中所示之沿圖5D中之一線VC-VC所截取之截面之一截面圖及圖5D中所示之一平面圖指示，進行背表面曝光，其中將來自基板1側之UV光作為曝光光h施加至抗蝕劑膜15。此時，將一曝光遮罩17設置於基板1側上，且藉助此曝光遮罩17施加該曝光光h。給曝光遮罩17提供與閘極電極3交叉之一開口部分17a'，如第一實施例中。然而，在其中遮罩-形成層31由一絕緣材料形成之情況下，此開口部分17a'在正交於閘極電極3之延伸方向之方向上具有小於遮罩-形成層31之兩個端部尺寸之兩個端部尺寸。
在曝光遮罩17之開口部分17a'中，基於穿過曝光遮罩17之上述背表面曝光，將曝光光h施加至抗蝕劑膜15之不藉助閘極電極3遮蔽光之一部分，以使得產生經曝光部分15a'且固化經曝光部分15a'之抗蝕劑材料。
此後，如圖5E中所示，進行抗蝕劑膜15之一顯影處理，且藉此，在遮罩-形成層31上僅留下充當抗蝕劑圖案15b'之經曝光部分15a'。所得抗蝕劑圖案15b'通過相對於閘極電極3自對準顯影，如第一實施例中。
然後，如由圖5F中所示之沿圖5G中之一線VF-VF所截取之截面之一截面圖及圖5G中所示之一平面圖指示，藉由使用抗蝕劑圖案15b'作為遮罩來選擇性地圖案蝕刻遮罩-形成層31。此時，根據充當一基底材料之電極膜13之構成材料進行適當的蝕刻，如第三實施例及第四實施例中。
以此方式，通過相對於閘極電極3自對準形成通過閘極電極3上方之遮罩-形成層31之蝕刻移除所產生之遮罩圖案31a'。在圖案蝕刻之後，移除抗蝕劑圖案15b'。在此方面，關於遮罩圖案31a'，可按現狀使用抗蝕劑圖案15b'，如第三實施例及第四實施例中。
接下來，如圖5H中所示，在閘極電極3之兩個側上在電極膜13上形成個別佈線33。重要的係，此等佈線33不是層壓於閘極電極3上，而是在閘極電極3之兩個側上層壓於遮罩圖案31a'上。
在此方面，構成上述佈線33之材料膜未必係能夠將電荷注入至有機半導體層7中之一材料，只要該材料具有良好的導電性即可。因此，可藉由使用一更便宜的材料來形成佈線33，如第三實施例及第四實施例中。
接下來，如由圖5I中所示之沿圖5J中之一線V I-V I所截取之截面之一截面圖及圖5J中所示一平面圖指示，通過藉由使用遮罩圖案31a'及佈線33作為遮罩之蝕刻來進行電極膜13之圖案蝕刻。此處，可通過藉由根據電極膜13及遮罩圖案31a'之構成材料而採用一適當的蝕刻方法之選擇性蝕刻來圖案化電極膜13。
在此方面，在其中電極膜13之膜厚度相對於佈線33足夠小之情況下，可在與用於形成佈線33之蝕刻之同時進行電極膜13之上述蝕刻。因此，簡化了步驟。
如上所述，通過蝕刻來移除閘極電極3上之電極膜13，通過相對於閘極電極3自對準由電極膜13形成一源極13s-5及一汲極13d-5，從而完成一薄膜電晶體23-5。此時，在其中遮罩圖案31a'由一導電材料形成之情況下，遮罩圖案31a'亦構成源極13s-5及汲極13d-5。
如上所述獲得之薄膜電晶體23-5在源極13s-5及汲極13d-5之形狀上不同於上述其他實施例之薄膜電晶體。亦即，僅在圖案化於閘極電極3上之有機半導體層7上設置呈一島形狀之源極13s-5及汲極13d-5。
此外，通過自遮罩圖案31a'(其係通過藉由使用抗蝕劑圖案15b作為遮罩之蝕刻來獲得)上方蝕刻來獲得源極13s-5及汲極13d-5，而通過相對於閘極電極3自對準形成抗蝕劑圖案15b，如第一實施例中。因此，亦在上述第五實施例中，設置源極13s-5及汲極13d-5，在允許其等之端部邊緣與閘極電極3之兩個端部邊緣在寬度方向上一致之同時，通過自對準相對於閘極電極3將其等對齊。因此，如第一實施例中，可在具有底部閘極-頂部接觸結構之薄膜電晶體中有效地抑制源極13s-5及汲極13d-5與閘極電極3之間的一寄生電容。
附帶而言，本發明並不限於上述實施例，且可做出基於本發明之技術思想之各種修改。舉例而言，該有機半導體層可具有至少兩個層之一層壓結構，一高遷移率層及用於吸收因電極形成所導致的損壞之一層。關於上述高移動率層，可使用用於吸收損壞之并五苯或CuPc及類似物。此外，可在通過蝕刻之半導體之圖案化中蝕刻該閘絕緣膜。
此外，在其中薄膜電晶體具有p-型通道之情況下，可在源極及汲極與有機半導體層之間設置一受體類型電荷轉移複合物。另一方面，在其中薄膜電晶體具有n-型通道之情況下，可在源極及汲極與有機半導體層之間設置一供體類型電荷轉移複合物。此外，在其中未忽略彼等分子之導電性之情況下，在源極及汲極之圖案化之後，可通過藉助弱能量氧電漿或複合物分子之一溶劑之蝕刻來進行移除。
此外，在有機半導體層形成之後的個別步驟中，為自有機半導體層之製程損壞恢復，可插入用以在一低氧水蒸氣氣氛中或在一真空中加熱之一步驟。
舉例而言，具有上述組態之薄膜電晶體可有利地用作構成一顯示器裝置中之一圖元電路或一週邊電路之一元件。關於顯示器裝置，舉例而言，可將薄膜電晶體應用於包含一有機電致發光元件之一顯示器裝置、一液晶顯示器裝置及一電泳顯示器裝置。此外，可將上述薄膜電晶體應用於各種電子設備，且可廣泛應用於包含上述顯示器裝置之電子設備。舉例而言，可應用於可攜式終端單元(例如，電子紙、數位相機、筆記型個人電腦及蜂巢式電話)及電子設備(例如，視訊相機)。亦即，可應用於包含幾乎每一領域中之一顯示器裝置之一電子設備，其中輸入至一電子設備中之一圖像信號或一電子設備中所產生之一圖像信號被顯示為一影像或一圖像。
此外，根據本發明之實施例之電子設備並不限於顯示器裝置。可廣泛應用於其中包含上述薄膜電晶體且將導電圖案(舉例而言，可係一圖元電極)連接至其之電子設備。舉例而言，可應用於電子設備(例如，ID標籤及感測器)。關於上述電子設備，可藉由使用具有良好特性之優良薄膜電晶體來穩定地驅動經小型化之設備。
本申請案含有與2009年4月17日在日本專利局提出申請之日本優先權專利申請案JP 2009-100434中所揭示之標的物相關之標的物，此申請案之全部內容藉此以引用方式併入本文中。
彼等熟習此項技術者應理解，可端視設計要求及其他因素而出現各種修改、組合、子組合及變更，只要其等在隨附申請專利範圍及其等效內容之範疇內即可。
1．．．基板
3．．．閘極電極
5．．．閘極絕緣膜
7．．．有機半導體層
9．．．保護膜
9a．．．保護膜圖案
11．．．抗蝕劑圖案
13．．．電極膜
13-1．．．第一電極膜
13-2．．．第二電極膜
13d-1．．．汲極
13d-2．．．汲極
13d-3．．．汲極
13d-4．．．汲極
13d-5．．．汲極
13s-1．．．源極
13s-2．．．源極
13s-3．．．源極
13s-4．．．源極
13s-5．．．源極
15．．．負型光阻劑膜/抗蝕劑膜
15a．．．經曝光部分
15a'．．．經曝光部分
15b．．．抗蝕劑圖案
15b'．．．抗蝕劑圖案
17．．．曝光遮罩
17a．．．開口部分
17a'．．．開口部分
19．．．層間絕緣膜
19a．．．連接孔
21．．．佈線
23-1．．．薄膜電晶體
23-2．．．薄膜電晶體
23-3．．．薄膜電晶體
23-4．．．薄膜電晶體
23-5．．．薄膜電晶體
25．．．抗蝕劑圖案
31．．．遮罩-形成層
31a．．．遮罩圖案
31a'．．．遮罩圖案
33．．．佈線
圖1A至1N係用於闡釋根據一第一實施例之一製造方法之步驟圖；
圖2A至2J係用於闡釋根據一第二實施例之一製造方法之步驟圖；
圖3A至3J係用於闡釋根據本發明之一第三實施例之一製造方法之步驟圖；
圖4A至4J係用於闡釋根據一第四實施例之一製造方法之步驟圖；且
圖5A至5J係用於闡釋根據一第五實施例之一製造方法之步驟圖。
1．．．基板
3．．．閘極電極
5．．．閘極絕緣膜
7．．．有機半導體層
13d-1．．．汲極
13s-1．．．源極
15b．．．抗蝕劑圖案
19．．．層間絕緣膜
19a．．．連接孔
21．．．佈線
23-1．．．薄膜電晶體

Claims (7)

  1. 一種薄膜電晶體，其包括：一基板；於該基板上之一閘極電極；覆蓋該閘極電極之一閘極絕緣膜；一有機半導體層，其設置於該閘極絕緣膜上；於該有機半導體層及該閘極絕緣膜上之源極及汲極區域；分別位於源極及汲極區域上之負型抗蝕劑層；及延伸至源極及汲極區域之個別電極；其中：源極及汲極區域之末端邊緣於該閘極電極之一寬度方向上與該閘極電極之兩末端邊緣重合，該等個別電極延伸穿過該等抗蝕劑層至該源極及汲極區域，且該等抗蝕劑層之末端邊緣於該閘極電極之一寬度方向上與該閘極電極之兩末端邊緣重合。
  2. 如請求項1之薄膜電晶體，其中該等負型抗蝕劑層具有與該源極及汲極區域相同之圖案形狀。
  3. 如請求項1之薄膜電晶體，其包含圖案化於該源極及汲極區域上之個別佈線層，該源極及汲極區域之每一者之一部分與該個別佈線層具有相同之圖案。
  4. 如請求項3之薄膜電晶體，其中該源極及汲極區域之每一者具有包含一第一電極層及一第二電極層之一層壓結 構，該第一電極層位於該有機半導體層上且該第二電極層從該第一電極層上延伸至該閘極絕緣膜上。
  5. 如請求項1之薄膜電晶體，其中：該有機半導體層圖具有一島形狀，且個別一佈線自該源極及汲極區域之每一者延伸至該閘極絕緣膜上。
  6. 如請求項1之薄膜電晶體，其中該負型抗蝕劑層能有效地傳送光。
  7. 一種薄膜電晶體，其包括：一基板；於該基板上之一閘極電極；覆蓋該閘極電極之一閘極絕緣膜；一有機半導體層，其設置於該閘極絕緣膜上；於該有機半導體層及該閘極絕緣膜上之源極及汲極區域；及延伸至源極及汲極區域之個別電極；其中：源極及汲極區域之末端邊緣於該閘極電極之一寬度方向上與該閘極電極之兩末端邊緣重合，該閘極電極能有效地作為一光遮蔽層，且該閘極絕緣膜及該源極及汲極區域能有效地傳送光。
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