JP2007140520A - 有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明により、工程のうちの有機半導体に与える影響を最少化すると同時に工程を単純化する。
【解決手段】
本発明は基板、前記基板上に形成されているデータ線、前記データ線と連結されているソース電極、前記ソース電極と対向する部分を含むドレーン電極、前記ソース電極及び前記ドレーン電極と一部重畳する第１有機半導体、前記第１有機半導体上に形成されている第１ゲート絶縁部材、前記第１ゲート絶縁部材上に形成されている遮断部材、前記遮断部材と同一層に形成されて前記ドレーン電極と連結されている画素電極、そして前記データ線と交差して前記遮断部材上に形成されているゲート電極を含むゲート線を含む有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【選択図】図２
【解決手段】
本発明は基板、前記基板上に形成されているデータ線、前記データ線と連結されているソース電極、前記ソース電極と対向する部分を含むドレーン電極、前記ソース電極及び前記ドレーン電極と一部重畳する第１有機半導体、前記第１有機半導体上に形成されている第１ゲート絶縁部材、前記第１ゲート絶縁部材上に形成されている遮断部材、前記遮断部材と同一層に形成されて前記ドレーン電極と連結されている画素電極、そして前記データ線と交差して前記遮断部材上に形成されているゲート電極を含むゲート線を含む有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法を提供する。
【選択図】図２
Description
本発明は有機薄膜トランジスタ表示板及びその製造方法に関する。
一般に液晶表示装置（ＬＣＤ）、有機発光表示装置（ＯＬＥＤ）、電気泳動表示装置（ｅｌｅｃｔｒｏｐｈｏｒｅｔｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ）などの平板表示装置は、複数対の電場生成電極とその間に入っている電気光学活性層を含む。液晶表示装置の場合、電気光学活性層に液晶層を含み、有機発光表示装置の場合電気光学活性層として有機発光層を含む。
一対をなす電場生成電極のうちの一つは、通常、スイッチング素子に連結されて電気信号の印加を受け、電気光学活性層はこの電気信号を光学信号に変換することによって映像を表示する。
平板表示装置では、スイッチング素子として三端子素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いて、この薄膜トランジスタを制御するための走査信号を伝達するゲート線と画素電極に印加される信号を伝達するデータ線が平板表示装置に備える。
平板表示装置では、スイッチング素子として三端子素子である薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）を用いて、この薄膜トランジスタを制御するための走査信号を伝達するゲート線と画素電極に印加される信号を伝達するデータ線が平板表示装置に備える。
このような薄膜トランジスタの中で、ケイ素（Ｓｉ）のような無機半導体の代わりに有機半導体を含む有機薄膜トランジスタ（ＯＴＦＴ）に関する研究が活発に行われている。
有機薄膜トランジスタは、低温で溶液工程で製作することができて、蒸着工程のみでは限界がある大面積平板表示装置にも容易に適用することができる。また、有機物質の特性上繊維またはフィルムのような形態に形成することができて、可撓性表示装置（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ）の核心素子として注目されている。
有機薄膜トランジスタは、低温で溶液工程で製作することができて、蒸着工程のみでは限界がある大面積平板表示装置にも容易に適用することができる。また、有機物質の特性上繊維またはフィルムのような形態に形成することができて、可撓性表示装置（ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｄｉｓｐｌａｙ ｄｅｖｉｃｅ）の核心素子として注目されている。
このような有機薄膜トランジスタがマトリックス状に配列されている有機薄膜トランジスタ表示板は、既存の薄膜トランジスタと比べて構造及び製造方法において多くの差がある。
特に、工程のうちの有機半導体に与える影響を最少化して、有機薄膜トランジスタの特性を改善することができる新たな方案が要求されている。
特開２００３−２５８２５６号公報
特に、工程のうちの有機半導体に与える影響を最少化して、有機薄膜トランジスタの特性を改善することができる新たな方案が要求されている。
本発明の目的は、工程中に有機半導体に与える影響を最少化すると同時に工程を単純化することである。
本発明１の一つの実施例による有機薄膜トランジスタ表示板は、基板、前記基板上に形成されているデータ線、前記データ線と連結されているソース電極、前記ソース電極と対向する部分を含むドレーン電極、前記ソース電極及び前記ドレーン電極と一部重畳する第１有機半導体、前記第１有機半導体上に形成されている第１ゲート絶縁部材、前記第１ゲート絶縁部材上に形成されている遮断部材、前記遮断部材と同一層に形成されていて前記ドレーン電極と連結されている画素電極、そして前記データ線と交差して前記遮断部材上に形成されているゲート電極を含むゲート線を含む。
遮断部材は、ゲート電極をゲート線と第１ゲート絶縁部材との間の接着性を強化してゲート電極が浮き上がることを防止できる。第１有機半導体を遮断部材で覆うことによって、後続工程中に有機半導体に与える影響を最少化することができる。
発明２は、発明１において、前記遮断部材及び前記画素電極はＩＴＯを含むことができる。
発明２は、発明１において、前記遮断部材及び前記画素電極はＩＴＯを含むことができる。
発明３は、発明１において、前記データ線と前記ソース電極は異なる物質で構成できる。
発明４は、発明１において、前記ソース電極及び前記ドレーン電極はＩＴＯまたはＩＺＯを含むことができる。ソース電極及びドレーン電極は、有機半導体と直接接触するために有機半導体と仕事関数の差の大きくない導電物質で形成され、そのために有機半導体と電極の間にショットキーバリアを低くしてキャリア注入及び移動を容易にすることができる。このような物質としては、ＩＴＯまたはＩＺＯがある。
発明４は、発明１において、前記ソース電極及び前記ドレーン電極はＩＴＯまたはＩＺＯを含むことができる。ソース電極及びドレーン電極は、有機半導体と直接接触するために有機半導体と仕事関数の差の大きくない導電物質で形成され、そのために有機半導体と電極の間にショットキーバリアを低くしてキャリア注入及び移動を容易にすることができる。このような物質としては、ＩＴＯまたはＩＺＯがある。
発明５は、発明１において、前記ソース電極及び前記ドレーン電極の一部を露出させる開口部と前記ドレーン電極の一部を露出させる第１接触孔を有する隔壁をさらに含むことができる。有機半導体は、隔壁で完全に閉じ込められるようになる。このように有機半導体が隔壁によって完全に閉じ込められて側面が露出されていないため、後続工程で有機半導体の側面で化学液などが浸透することを防止できる。後続工程中に有機半導体に与える影響を最少化することができる。
発明６は、発明５において、前記第１接触孔には第２有機半導体、第２ゲート絶縁部材及び前記画素電極を含む積層構造が形成されており、前記積層構造は前記第１接触孔より小さい第２接触孔を有することができる。
発明７は、発明６において、前記第２接触孔を通して前記画素電極と前記ドレーン電極を連結する連結部材をさらに含むことができる。
発明７は、発明６において、前記第２接触孔を通して前記画素電極と前記ドレーン電極を連結する連結部材をさらに含むことができる。
発明８は、発明７において、前記連結部材は、前記ゲート線と同一層に形成されることができる。
発明９は、発明１において、前記ゲート電極は前記遮断部材を完全に覆うことができる。
発明１０は、発明１において、前記データ線と同一層に形成されている維持電極をさらに含むことができる。
発明９は、発明１において、前記ゲート電極は前記遮断部材を完全に覆うことができる。
発明１０は、発明１において、前記データ線と同一層に形成されている維持電極をさらに含むことができる。
発明１１は、発明１０において、前記ドレーン電極は、前記維持電極と少なくとも一部重畳する部分を含むことができる。
発明１２は、発明１１において、前記ドレーン電極と前記維持電極の間に層間絶縁膜を形成することができる。
発明１３は、発明１において、前記有機半導体下部に位置して前記データ線と同一層に形成されている光遮断膜をさらに含むことができる。つまり、有機半導体は、光遮断膜上部に形成されている。光遮断膜は、バックライトから供給される光が有機半導体に直接照射されることを遮断して、有機半導体で光漏洩電流が急激に増加することを防止する。
発明１２は、発明１１において、前記ドレーン電極と前記維持電極の間に層間絶縁膜を形成することができる。
発明１３は、発明１において、前記有機半導体下部に位置して前記データ線と同一層に形成されている光遮断膜をさらに含むことができる。つまり、有機半導体は、光遮断膜上部に形成されている。光遮断膜は、バックライトから供給される光が有機半導体に直接照射されることを遮断して、有機半導体で光漏洩電流が急激に増加することを防止する。
発明１４は、発明１において、前記ゲート絶縁部材は有機物質を含むことができる。
発明１５は、発明１において、前記ゲート電極を覆う第１保護部材をさらに含むことができる。
発明１６は、発明１５において、前記ゲート線の端部を覆う第２保護部材をさらに含むことができる。
発明１５は、発明１において、前記ゲート電極を覆う第１保護部材をさらに含むことができる。
発明１６は、発明１５において、前記ゲート線の端部を覆う第２保護部材をさらに含むことができる。
本発明１７の一つの実施例による有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法は、基板上にデータ線を形成する段階、前記データ線上に層間絶縁膜を形成する段階、前記層間絶縁膜上に前記データ線と連結されるソース電極及び前記ソース電極と対向するドレーン電極を形成する段階、前記ソース電極及び前記ドレーン電極上に開口部及び接触孔を有する隔壁を形成する段階、前記開口部及び前記接触孔に有機半導体を形成する段階、前記有機半導体上にゲート絶縁膜を形成する段階、前記ゲート絶縁膜上に遮断部材及び画素電極を形成する段階、前記遮断部材及び前記画素電極をマスクとして前記ゲート絶縁膜及び前記有機半導体をエッチングする段階、前記遮断部材、前記隔壁及び前記画素電極上にゲート線及び連結部材を含むゲート導電体を形成する段階を含む。
発明１８は、発明１７において、前記有機半導体を形成する段階は、前記隔壁を表面改質する段階、有機半導体層を塗布する段階、前記表面改質によって前記隔壁が形成されていない部分にだけ有機半導体を残す段階を含むことができる。
例えば、隔壁の表面は疏水性に改質し、隔壁の無い部分は相対的に親水性とすることで、隔壁の無い部分にだけ有機半導体を残すことができる。
例えば、隔壁の表面は疏水性に改質し、隔壁の無い部分は相対的に親水性とすることで、隔壁の無い部分にだけ有機半導体を残すことができる。
発明１９は、発明１８において、前記隔壁を表面改質する段階は、前記隔壁が形成された部分と前記隔壁が形成されていない部分での水に対する親和度を異ならせることができる。例えば、例えば、隔壁の表面は疏水性とし、隔壁の無い部分は相対的に親水性とする。
発明２０は、発明１９において、前記隔壁が形成された部分は、前記隔壁が形成されていない部分より水に対する親和度が小さいことがある。
発明２０は、発明１９において、前記隔壁が形成された部分は、前記隔壁が形成されていない部分より水に対する親和度が小さいことがある。
発明２１は、発明１８において、前記隔壁を表面改質する段階は、前記隔壁上にフッ素含有ガスを供給して前記隔壁表面にフッ素化処理をすることができる。
発明２２は、発明１７において、前記ゲート導電体を形成する段階後に、前記ゲート電極を覆う保護部材を形成する段階をさらに含むことができる。
発明２２は、発明１７において、前記ゲート導電体を形成する段階後に、前記ゲート電極を覆う保護部材を形成する段階をさらに含むことができる。
本発明によれば、工程中に有機半導体に与える影響を最少化すると同時に工程を単純化することができる。
以下、添付図を参照して本発明の実施例について本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳細に説明する。しかし、本発明は多様な形態に実現できてここで説明する実施例に限定されない。
図面から多様な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似する部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“直上”にある場合だけでなくその中間に他の部分がある場合も含む。また、ある部分が他の部分の“直上”にあるとする時には中間に他の部分がないことを意味する。
図面から多様な層及び領域を明確に表現するために厚さを拡大して示した。明細書全体にわたって類似する部分については同一図面符号を付けた。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の“上”にあるとする時、これは他の部分の“直上”にある場合だけでなくその中間に他の部分がある場合も含む。また、ある部分が他の部分の“直上”にあるとする時には中間に他の部分がないことを意味する。
図１及び図２を参照して本発明の一つの実施例による有機薄膜トランジスタ表示板について詳細に説明する。
図１は、本発明の一つの実施例による有機薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図２は、図１の薄膜トランジスタ表示板をＩＩ-ＩＩ線に沿って切断した断面図である。
透明なガラス、シリコンまたはプラスチックなどで形成された絶縁基板１１０上に複数のデータ線１７１、複数の維持電極線１７２及び光遮断膜１７４が形成されている。
図１は、本発明の一つの実施例による有機薄膜トランジスタ表示板の配置図であり、図２は、図１の薄膜トランジスタ表示板をＩＩ-ＩＩ線に沿って切断した断面図である。
透明なガラス、シリコンまたはプラスチックなどで形成された絶縁基板１１０上に複数のデータ線１７１、複数の維持電極線１７２及び光遮断膜１７４が形成されている。
データ線１７１は、データ信号を伝達して、図１中、主に縦方向に延びている。各データ線１７１は横に突出した複数の突出部１７３と他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部１７９を含む。データ信号を生成するデータ駆動回路（図示せず）は、基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積できる。データ駆動回路が基板１１０上に集積されている場合、データ線１７１が延びてこれと直接連結される。
維持電極線１７２は、所定の電圧の印加を受けてデータ線１７１と略並んで延びる。各維持電極線１７２は、１画素領域内の二つのデータ線１７１の間に位置し、二つのデータ線１７１のうち右側に近い。維持電極線１７２は、横に分かれて環状をなす維持電極１７７を含む。しかし、維持電極線１７２のパターン及び配置は多様に変更することができる。
光遮断膜１７４は、データ線１７１及び維持電極線１７２と分離されている。
データ線１７１、維持電極線１７２及び光遮断膜１７４は、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、金（Ａｇ）や金合金など金系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタン（Ｔｉ）などで形成することができる。しかし、これらは物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することもできる。このうちの一つの導電膜は信号遅延や電圧降下を減らすことができるように比抵抗が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで形成される。これとは異なって、他の導電膜は基板１１０との接着性が優れている他の物質、特にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）との物理的、化学的、電気的接触特性が類似する物質、または例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル、チタンなどで形成される。このような組み合わせの例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、データ線１７１及び維持電極線１７２はその他にも多様な金属または導電体で形成することができる。例えば、データ線とソース電極は異なる物質で構成できる。
データ線１７１、維持電極線１７２及び光遮断膜１７４は、アルミニウム（Ａｌ）またはアルミニウム合金などアルミニウム系金属、銀（Ａｇ）や銀合金など銀系金属、金（Ａｇ）や金合金など金系金属、銅（Ｃｕ）や銅合金など銅系金属、モリブデン（Ｍｏ）やモリブデン合金などモリブデン系金属、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）及びチタン（Ｔｉ）などで形成することができる。しかし、これらは物理的性質が異なる二つの導電膜（図示せず）を含む多重膜構造を有することもできる。このうちの一つの導電膜は信号遅延や電圧降下を減らすことができるように比抵抗が低い金属、例えば、アルミニウム系金属、銀系金属、銅系金属などで形成される。これとは異なって、他の導電膜は基板１１０との接着性が優れている他の物質、特にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）との物理的、化学的、電気的接触特性が類似する物質、または例えばモリブデン系金属、クロム、タンタル、チタンなどで形成される。このような組み合わせの例としては、クロム下部膜とアルミニウム（合金）上部膜及びアルミニウム（合金）下部膜とモリブデン（合金）上部膜がある。しかし、データ線１７１及び維持電極線１７２はその他にも多様な金属または導電体で形成することができる。例えば、データ線とソース電極は異なる物質で構成できる。
データ線１７１、維持電極線１７２及び光遮断膜１７４は、その側面が基板１１０面に対し３０乃至８０度程度の傾斜角に傾いていることが好ましい。傾斜していると、その上部層の切断を抑制することができる。
データ線１７１、維持電極線１７２及び光遮断膜１７４上には層間絶縁膜１６０が形成されている。層間絶縁膜１６０は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などの無機絶縁物で形成することができて、その厚さは約２、０００乃至５、０００Åにできる。
データ線１７１、維持電極線１７２及び光遮断膜１７４上には層間絶縁膜１６０が形成されている。層間絶縁膜１６０は窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）または酸化ケイ素（ＳｉＯ２）などの無機絶縁物で形成することができて、その厚さは約２、０００乃至５、０００Åにできる。
層間絶縁膜１６０は、データ線１７１の突出部１７３及び端部１７９を各々露出する複数の接触孔１６３、１６２を有する。
層間絶縁膜１６０上には複数のソース電極１３３、複数のドレーン電極１３５及び複数の接触補助部材８２が形成されている。
ソース電極１３３は島型であることができて、接触孔１６３を通してデータ線１７１と連結されている。
層間絶縁膜１６０上には複数のソース電極１３３、複数のドレーン電極１３５及び複数の接触補助部材８２が形成されている。
ソース電極１３３は島型であることができて、接触孔１６３を通してデータ線１７１と連結されている。
ドレーン電極１３５は、光遮断膜１７４上で前記にソース電極１３３と対向する部分（以下、´電極部´）１３６及び、維持電極線１７２と少なくとも一部重畳する部分（以下、´容量部´）１３７を含む。電極部１３６は、ソース電極１３３と対向して薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）の一部をなし、容量部１３７は維持電極線１７２と重畳して電圧維持能力を強化するための維持蓄電器を形成する。
接触補助部材８２は、接触孔１６２を通してデータ線１７１の端部１７９と連結されており、データ線１７１の端部１７９と外部装置との接着性を補完してこれらを保護する。
ソース電極１３３及びドレーン電極１３５は、有機半導体と直接接触するために有機半導体と仕事関数（ｗｏｒｋ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）差の大きくない導電物質で形成され、そのために有機半導体と電極の間にショットキーバリア（ｓｃｈｏｔｔｋｙ ｂａｒｒｉｅｒ）を低くしてキャリア注入及び移動を容易にすることができる。このような物質としては、ＩＴＯまたはＩＺＯがある。これらの厚さは約３００乃至１、０００Åでありうる。
ソース電極１３３及びドレーン電極１３５は、有機半導体と直接接触するために有機半導体と仕事関数（ｗｏｒｋ ｆｕｎｃｔｉｏｎ）差の大きくない導電物質で形成され、そのために有機半導体と電極の間にショットキーバリア（ｓｃｈｏｔｔｋｙ ｂａｒｒｉｅｒ）を低くしてキャリア注入及び移動を容易にすることができる。このような物質としては、ＩＴＯまたはＩＺＯがある。これらの厚さは約３００乃至１、０００Åでありうる。
ソース電極１３３、ドレーン電極１３５及び層間絶縁膜１６０を含んだ基板全面には、隔壁１４０が形成されている。隔壁１４０は溶液工程が可能な感光性有機物質で形成することができて、その厚さは約５、０００Å乃至４μｍでありうる。
隔壁１４０は、複数の開口部１４７及び複数の接触孔１４５を有する。開口部１４７は、ソース電極１３３及びドレーン電極１３５とこれらの間の層間絶縁膜１６０を露出させ、接触孔１４５はドレーン電極１３５を露出させる。
隔壁１４０は、複数の開口部１４７及び複数の接触孔１４５を有する。開口部１４７は、ソース電極１３３及びドレーン電極１３５とこれらの間の層間絶縁膜１６０を露出させ、接触孔１４５はドレーン電極１３５を露出させる。
隔壁１４０の開口部１４７及び接触孔１４５には、複数の島型有機半導体１５４、１５４ａが形成されている。
開口部１４７に形成されている有機半導体１５４は、ソース電極１３３及びドレーン電極１３５と接して、その高さが隔壁１４０より低くて隔壁１４０で完全に閉じ込められている。このように有機半導体１５４が隔壁１４０によって完全に閉じ込められて側面が露出されていないため、後続工程で有機半導体１５４の側面で化学液などが浸透することを防止できる。
開口部１４７に形成されている有機半導体１５４は、ソース電極１３３及びドレーン電極１３５と接して、その高さが隔壁１４０より低くて隔壁１４０で完全に閉じ込められている。このように有機半導体１５４が隔壁１４０によって完全に閉じ込められて側面が露出されていないため、後続工程で有機半導体１５４の側面で化学液などが浸透することを防止できる。
開口部１４７に形成されている有機半導体１５４は、光遮断膜１７４上部に形成されている。光遮断膜１７４は、バックライトから供給される光が有機半導体１５４に直接照射されることを遮断して、有機半導体１５４で光漏洩電流が急激に増加することを防止する。
接触孔１４５に形成されている有機半導体１５４ａは、接触孔１４５より小さい他の接触孔を有する。
接触孔１４５に形成されている有機半導体１５４ａは、接触孔１４５より小さい他の接触孔を有する。
有機半導体１５４、１５４ａは、水溶液や有機溶媒に溶解される親水性の高分子化合物や低分子化合物を含むことができる。
有機半導体１５４、１５４ａは、テトラセン（ｔｅｔｒａｃｅｎｅ）またはペンタセン（ｐｅｎｔａｃｅｎｅ）の置換基を含む誘導体を含むことができる。有機半導体１５４、１５４ａは、また、チオフェン環（ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ ｒｉｎｇ）の２、５位置で連結された４乃至８個のチオフェンを含むオリゴチオフェン（ｏｌｉｇｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）を含むことができる。
有機半導体１５４、１５４ａは、テトラセン（ｔｅｔｒａｃｅｎｅ）またはペンタセン（ｐｅｎｔａｃｅｎｅ）の置換基を含む誘導体を含むことができる。有機半導体１５４、１５４ａは、また、チオフェン環（ｔｈｉｏｐｈｅｎｅ ｒｉｎｇ）の２、５位置で連結された４乃至８個のチオフェンを含むオリゴチオフェン（ｏｌｉｇｏｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）を含むことができる。
有機半導体１５４、１５４ａは、ポリチェニレンビニレン（ｐｏｌｙｔｈｉｅｎｙｌｅｎｅ ｖｉｎｙｌｅｎｅ）、ポリ-３-ヘキシルチオフェン（ｐｏｌｙ３-ｈｅｘｙｌｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、ポリチオフェン（ｐｏｌｙｔｈｉｏｐｈｅｎｅ）、フタロシアニン（ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）、金属化フタロシアニン（ｍｅｔａｌｌｉｚｅｄ ｐｈｔｈａｌｏｃｙａｎｉｎｅ）またはそのハロゲン化誘導体を含むことができる。有機半導体１５４はまた、 ペリレンテトラカルボン酸二無水物 （ｐｅｒｙｌｅｎｅｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＰＴＣＤＡ）、 ナフタレンテトラカルボン酸二無水物 （ｎａｐｈｔｈａｌｅｎｅｔｅｔｒａｃａｒｂｏｘｙｌｉｃ ｄｉａｎｈｙｄｒｉｄｅ、ＮＴＣＤＡ）またはこれらのイミド（ｉｍｉｄｅ）誘導体を含むことができる。有機半導体１５４はペリレン（ｐｅｒｙｌｅｎｅ）またはコロネン（ｃｏｒｏｎｅｎｅ）とこれらの置換基を含む誘導体を含むこともできる。
有機半導体１５４、１５４ａの厚さは、約３００乃至３、０００Åでありうる。
有機半導体１５４、１５４ａ上にはゲート絶縁部材１４６が形成されている。
ゲート絶縁部材１４６は、開口部１４７及び接触孔１４５より大きく形成されている。
有機半導体１５４ａ上に形成されているゲート絶縁部材１４６は、有機半導体１５４ａに形成されている接触孔と実質的に同一な大きさの接触孔を有する。
有機半導体１５４、１５４ａ上にはゲート絶縁部材１４６が形成されている。
ゲート絶縁部材１４６は、開口部１４７及び接触孔１４５より大きく形成されている。
有機半導体１５４ａ上に形成されているゲート絶縁部材１４６は、有機半導体１５４ａに形成されている接触孔と実質的に同一な大きさの接触孔を有する。
ゲート絶縁部材１４６は、比較的に高い誘電常数を有する有機物質または無機物質で形成される。このような有機物質の例としては、ポリイミド（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）系化合物、ポリビニルアルコール（ｐｏｌｙｖｉｎｙｌａｌｃｏｈｏｌ）系化合物、ポリフルオレン（ｐｏｌｙｆｌｕｏｒａｎｅ）系化合物、パーリレン（ｐａｒｙｌｅｎｅ）などの溶解性高分子化合物があって、無機物質の例としてはオクタデシルトリクロロシラン（ｏｃｔａｄｅｃｙｌ ｔｒｉｃｈｌｏｒｏ ｓｉｌａｎｅ、ＯＴＳ）で表面処理された酸化ケイ素などがある。
ゲート絶縁部材１４６上には、遮断部材１９３及び画素電極１９１が形成されている。
遮断部材１９３はゲート絶縁部材１４６及び有機半導体１５４を保護して、ゲート絶縁部材１４６と実質的に同じ傾斜角で傾いている。
画素電極１９１は、接触孔１４５内に接触孔１４５より小さい他の接触孔１９７を有し、接触孔１９７を通してドレーン電極１３５が露出される。
遮断部材１９３はゲート絶縁部材１４６及び有機半導体１５４を保護して、ゲート絶縁部材１４６と実質的に同じ傾斜角で傾いている。
画素電極１９１は、接触孔１４５内に接触孔１４５より小さい他の接触孔１９７を有し、接触孔１９７を通してドレーン電極１３５が露出される。
画素電極１９１は、ゲート線１２１及び／またはデータ線１７１と重畳して開口率を高めることができる。
画素電極１９１は、薄膜トランジスタからデータ電圧を受信して、共通電圧を受信する他の表示板（図示せず）の共通電極（図示せず）と一緒になって（協働して）電場を生成することによって、二つの電極の間の液晶層（図示せず）の液晶分子の方向を決定する。画素電極１９１と共通電極は、蓄電器（以下、"液晶蓄電器という）を構成して薄膜トランジスタが遮断された後までも印加された電圧を維持する。
画素電極１９１は、薄膜トランジスタからデータ電圧を受信して、共通電圧を受信する他の表示板（図示せず）の共通電極（図示せず）と一緒になって（協働して）電場を生成することによって、二つの電極の間の液晶層（図示せず）の液晶分子の方向を決定する。画素電極１９１と共通電極は、蓄電器（以下、"液晶蓄電器という）を構成して薄膜トランジスタが遮断された後までも印加された電圧を維持する。
遮断部材１９３及び画素電極１９１上には、複数のゲート線１２１及び連結部材１２８が形成されている。
ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達して主に横方向に伸びてデータ線１７１及び維持電極線１７２と交差する。各ゲート線１２１は上に突出した複数のゲート電極１２４と他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部１２９を含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積できる。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１が延長されてゲート駆動回路と直接連結できる。
ゲート線１２１は、ゲート信号を伝達して主に横方向に伸びてデータ線１７１及び維持電極線１７２と交差する。各ゲート線１２１は上に突出した複数のゲート電極１２４と他の層または外部駆動回路との接続のための広い端部１２９を含む。ゲート信号を生成するゲート駆動回路（図示せず）は基板１１０上に付着される可撓性印刷回路膜（図示せず）上に装着されたり、基板１１０上に直接装着されたり、基板１１０に集積できる。ゲート駆動回路が基板１１０上に集積されている場合、ゲート線１２１が延長されてゲート駆動回路と直接連結できる。
ゲート電極１２４は、ゲート絶縁部材１４６を間に置いて有機半導体１５４と重なっていて、遮断部材１９３を完全に覆う大きさで形成されている。遮断部材１９３は、ゲート電極１２４とゲート絶縁部材１４６の間の接着性を強化してゲート電極１２４が浮き上がることを防止できる。
連結部材１２８は、接触孔１４５を十分覆う大きさで形成されており、接触孔１４５を通して画素電極１９１及びドレーン電極１３５と接触する。
連結部材１２８は、接触孔１４５を十分覆う大きさで形成されており、接触孔１４５を通して画素電極１９１及びドレーン電極１３５と接触する。
ゲート線１２１及び連結部材１２８は、データ線１７１及び維持電極線１７２と同じ材料で形成できる。
ゲート線１２１及び連結部材１２８の側面も、基板１１０面に対して傾いており、その傾斜角は約３０乃至約８０度であるのが好ましい。
一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１３３及び一つのドレーン電極１３５は、有機半導体１５４と協働して一つの薄膜トランジスタをなし、薄膜トランジスタのチャンネルはソース電極１３３とドレーン電極１３５の間の有機半導体１５４に形成される。
ゲート線１２１及び連結部材１２８の側面も、基板１１０面に対して傾いており、その傾斜角は約３０乃至約８０度であるのが好ましい。
一つのゲート電極１２４、一つのソース電極１３３及び一つのドレーン電極１３５は、有機半導体１５４と協働して一つの薄膜トランジスタをなし、薄膜トランジスタのチャンネルはソース電極１３３とドレーン電極１３５の間の有機半導体１５４に形成される。
ゲート線１２１及び連結部材１２８上には保護部材１８０、８１が形成されている。
保護部材１８０は、有機薄膜トランジスタを保護するためのものであって、基板の一部分または全面に形成されることができて、場合によって省略することもできる。
保護部材８１は、ゲート線１２１の端部１２９上に形成されていて外部回路を連結するための接触孔１８１を有する。保護部材８１は、ゲート線１２１の端部１２９が隣接したゲート線の端部と短絡されることを防止する。
保護部材１８０は、有機薄膜トランジスタを保護するためのものであって、基板の一部分または全面に形成されることができて、場合によって省略することもできる。
保護部材８１は、ゲート線１２１の端部１２９上に形成されていて外部回路を連結するための接触孔１８１を有する。保護部材８１は、ゲート線１２１の端部１２９が隣接したゲート線の端部と短絡されることを防止する。
図１及び図２に示した有機薄膜トランジスタを製造する方法について、図３乃至図１６を参照して詳細に説明する。
図３、図５、図７、図９、図１２及び図１５は、図１及び図２の有機薄膜トランジスタ表示板を本発明の一つの実施例によって製造する方法の中間段階での配置図であり、図４は、図３の有機薄膜トランジスタ表示板をＩＶ-ＩＶ線に沿って切断した断面図であり、図６は、図５の有機薄膜トランジスタ表示板をＶＩ-ＶＩ線に沿って切断した断面図であり、図８は、図７の有機薄膜トランジスタ表示板をＶＩＩＩ-ＶＩＩＩ線に沿って切断した断面図であり、図１０は、図９の有機薄膜トランジスタ表示板をＸ-Ｘ線に沿って切断した断面図であり、図１１は、図１０の有機薄膜トランジスタ表示板の次の工程を示した断面図であり、図１３は、図１２の有機薄膜トランジスタ表示板をＸＩＩＩ-ＸＩＩＩ線に沿って切断した断面図であり、図１４は、図１３の有機薄膜トランジスタ表示板の次の工程を示した断面図であり、図１６は、図１５の有機薄膜トランジスタ表示板をＸＶＩ-ＸＶＩ線に沿って切断した断面図である。
図３、図５、図７、図９、図１２及び図１５は、図１及び図２の有機薄膜トランジスタ表示板を本発明の一つの実施例によって製造する方法の中間段階での配置図であり、図４は、図３の有機薄膜トランジスタ表示板をＩＶ-ＩＶ線に沿って切断した断面図であり、図６は、図５の有機薄膜トランジスタ表示板をＶＩ-ＶＩ線に沿って切断した断面図であり、図８は、図７の有機薄膜トランジスタ表示板をＶＩＩＩ-ＶＩＩＩ線に沿って切断した断面図であり、図１０は、図９の有機薄膜トランジスタ表示板をＸ-Ｘ線に沿って切断した断面図であり、図１１は、図１０の有機薄膜トランジスタ表示板の次の工程を示した断面図であり、図１３は、図１２の有機薄膜トランジスタ表示板をＸＩＩＩ-ＸＩＩＩ線に沿って切断した断面図であり、図１４は、図１３の有機薄膜トランジスタ表示板の次の工程を示した断面図であり、図１６は、図１５の有機薄膜トランジスタ表示板をＸＶＩ-ＸＶＩ線に沿って切断した断面図である。
まず、基板１１０上にスパッタリングなどの方法で金属層を積層してこれを写真エッチングして、図３及び図４に図示したように、突出部１７３及び端部１７９を含むデータ線１７１、維持電極１７７を含む維持電極線１７２及び光遮断膜１７４を形成する。
次に、図５及び図６に図示したように、窒化ケイ素を化学気相蒸着（ＣＶＤ）して層間絶縁膜１６０を形成し、層間絶縁膜１６０上に感光膜を塗布して写真エッチングして接触孔１６２、１６３を形成する。
次に、図５及び図６に図示したように、窒化ケイ素を化学気相蒸着（ＣＶＤ）して層間絶縁膜１６０を形成し、層間絶縁膜１６０上に感光膜を塗布して写真エッチングして接触孔１６２、１６３を形成する。
次に、図７及び図８に図示したように、ＩＴＯまたはＩＺＯをスパッタリングした後、写真エッチングしてソース電極１３３、ドレーン電極１３５及び接触補助部材８２を形成する。
次に、図９及び図１０に図示したように、基板前面に感光性有機膜を塗布して現像して、複数の開口部１４７及び複数の接触孔１４５を有する隔壁１４０を形成する。
次に、図９及び図１０に図示したように、基板前面に感光性有機膜を塗布して現像して、複数の開口部１４７及び複数の接触孔１４５を有する隔壁１４０を形成する。
次に、隔壁１４０上に有機半導体１５４を形成する。
有機半導体１５４は、表面改質方法で選択的に形成することができる。ここで言う表面改質方法とは、プラズマを利用して物質表面を当該表面状況に応じて自己位置合わせ的に、親水性または疏水性に変える方法である。
まず、隔壁１４０を表面改質する。本実施例では隔壁１４０の表面物質である有機半導体１５４をプラズマ雰囲気でフッ素化処理して疏水性にする。例えば、乾式エッチングチャンバーでＣＦ４、Ｃ２Ｆ６またはＳＦ６のようなフッ素含有ガスを酸素ガス（Ｏ２）及び／または不活性ガスと共に供給する。この場合、有機物質で覆われた隔壁１４０は、表面で炭素（Ｃ）-フッ素（Ｆ）結合（所謂フッ素化処理）が行われるが、開口部１４７及び接触孔１４５を通して露出されているソース電極１３３、ドレーン電極１３５及び層間絶縁膜１６０は無機物質で形成されるため、フッ素化処理されず、フッ素化有機物に比して、相対的に親水性を保つ。このようにフッ素化処理することによって、隔壁１４０表面は疏水性に改質され、開口部１４７及び接触孔１４５を通して露出した部分は相対的に親水性を有する。
有機半導体１５４は、表面改質方法で選択的に形成することができる。ここで言う表面改質方法とは、プラズマを利用して物質表面を当該表面状況に応じて自己位置合わせ的に、親水性または疏水性に変える方法である。
まず、隔壁１４０を表面改質する。本実施例では隔壁１４０の表面物質である有機半導体１５４をプラズマ雰囲気でフッ素化処理して疏水性にする。例えば、乾式エッチングチャンバーでＣＦ４、Ｃ２Ｆ６またはＳＦ６のようなフッ素含有ガスを酸素ガス（Ｏ２）及び／または不活性ガスと共に供給する。この場合、有機物質で覆われた隔壁１４０は、表面で炭素（Ｃ）-フッ素（Ｆ）結合（所謂フッ素化処理）が行われるが、開口部１４７及び接触孔１４５を通して露出されているソース電極１３３、ドレーン電極１３５及び層間絶縁膜１６０は無機物質で形成されるため、フッ素化処理されず、フッ素化有機物に比して、相対的に親水性を保つ。このようにフッ素化処理することによって、隔壁１４０表面は疏水性に改質され、開口部１４７及び接触孔１４５を通して露出した部分は相対的に親水性を有する。
次に、有機半導体物質を溶媒に溶解してスピンコーティングまたはスリットコーティングなどの方法で基板前面に塗布する。この場合、前述したように、隔壁１４０表面は疏水性を有し開口部１４７及び接触孔１４５は親水性を有するため、開口部１４７及び接触孔１４５にだけ有機半導体溶液が集まる。
次に、乾燥過程などを通して溶媒を除去すると、開口部１４７内に島型の有機半導体１５４が形成されて接触孔１４５にも有機半導体残留物１５４ａが残る。
次に、乾燥過程などを通して溶媒を除去すると、開口部１４７内に島型の有機半導体１５４が形成されて接触孔１４５にも有機半導体残留物１５４ａが残る。
このように表面改質を通して基板上に親水性領域及び疏水性領域を定義し、これを利用して有機半導体１５４をパターニング（模様化）することによって、印刷方法やシャドーマスク（ｓｈａｄｏｗ ｍａｓｋ）を用いてパターニングする時より、工程が簡単になり、作業時間及び費用を節減できる。
しかし、有機半導体１５４は表面改質方法の他にインクジェット印刷方法で形成することもできる。
しかし、有機半導体１５４は表面改質方法の他にインクジェット印刷方法で形成することもできる。
次に、図１１に示したように、基板前面にゲート絶縁膜１４６を形成する。
更に、図１２及び図１３に示したように、ＩＴＯをスパッタリングした後、写真エッチングして遮断部材１９３及び画素電極１９１を形成する。画素電極１９１は接触孔１４５内に接触孔１４５より寸法が小さい接触孔１９７を有するように写真エッチングする。このようにＩＴＯで形成された遮断部材１９３と画素電極１９１は、後続工程で使用するエッチング液によって損傷されないので、同時に形成することができる。従って、遮断部材１９３を別途に形成する時に要するマスク数を減らすことができる。
更に、図１２及び図１３に示したように、ＩＴＯをスパッタリングした後、写真エッチングして遮断部材１９３及び画素電極１９１を形成する。画素電極１９１は接触孔１４５内に接触孔１４５より寸法が小さい接触孔１９７を有するように写真エッチングする。このようにＩＴＯで形成された遮断部材１９３と画素電極１９１は、後続工程で使用するエッチング液によって損傷されないので、同時に形成することができる。従って、遮断部材１９３を別途に形成する時に要するマスク数を減らすことができる。
次に、図１４に示したように、遮断部材１９３及び画素電極１９１をマスクとして接触孔１９７に残っているゲート絶縁膜１４６及び有機半導体残留物１５４ａをエッチングする。
次に、スパッタリングなどの方法で金属層を積層してこれを写真エッチングし、図１４及び図１５に示したように、ゲート電極１２４及び端部１２９を含むゲート線１２１と連結部材１２８を形成する。この時ゲート電極１２４は遮断部材１９３を完全に覆うことができる大きさに形成する。
次に、スパッタリングなどの方法で金属層を積層してこれを写真エッチングし、図１４及び図１５に示したように、ゲート電極１２４及び端部１２９を含むゲート線１２１と連結部材１２８を形成する。この時ゲート電極１２４は遮断部材１９３を完全に覆うことができる大きさに形成する。
最後に、図１及び図２に示したように、有機薄膜トランジスタ及びゲート線１２１の端部１２９を各々覆う保護部材１８０、８１を形成して露光及び現像して保護部材８１に接触孔１８１を形成する。
本発明により、有機半導体を隔壁内に形成して遮断部材で覆うことによって、後続工程中に有機半導体に与える影響を最少化することができる。また、有機半導体との接触特性が良好なソース電極及びドレーン電極を含んで有機薄膜トランジスタの特性を改善できる。また、遮断部材は、画素電極と同じ工程で形成して、マスク数及び工程数を減らすことができ、有機半導体を表面改質方法などを使用して簡単に形成することによって、工程を単純化することができる。
本発明により、有機半導体を隔壁内に形成して遮断部材で覆うことによって、後続工程中に有機半導体に与える影響を最少化することができる。また、有機半導体との接触特性が良好なソース電極及びドレーン電極を含んで有機薄膜トランジスタの特性を改善できる。また、遮断部材は、画素電極と同じ工程で形成して、マスク数及び工程数を減らすことができ、有機半導体を表面改質方法などを使用して簡単に形成することによって、工程を単純化することができる。
なお、有機薄膜トランジスタは、低温で溶液工程で製作することができて、蒸着工程のみでは限界がある大面積平板表示装置にも容易に適用することができる。また、有機物質の特性上繊維またはフィルムのような形態に形成することができる。
以上で本発明の好ましい実施例について詳細に説明しましたが、本発明の権利範囲はこれに限定されることはなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者のいろいろな変形及び改良形態も、本発明の権利範囲に属するものである。
以上で本発明の好ましい実施例について詳細に説明しましたが、本発明の権利範囲はこれに限定されることはなく、特許請求の範囲で定義している本発明の基本概念を利用した当業者のいろいろな変形及び改良形態も、本発明の権利範囲に属するものである。
１１０ 絶縁基板
１２１ ゲート線
１２４ ゲート電極
１９３ 遮断部材
１２８ 連結部材
１２９ ゲート線の端部
１３３ ソース電極
１３５ ドレーン電極
１３６ 電極部
１３７ 容量部
１４５、１６２、１６３、１９７ 接触孔
１４６ ゲート絶縁部材
１４７ 開口部
１５４ 有機半導体
１６０ 層間絶縁膜
１７１ データ線
１７２ 維持電極線
１７３ データ線の突出部
１７４ 光遮断膜
１７７ 維持電極
１７９ データ線の端部
８１、８２ 接触補助部材
１９１ 画素電極
１２１ ゲート線
１２４ ゲート電極
１９３ 遮断部材
１２８ 連結部材
１２９ ゲート線の端部
１３３ ソース電極
１３５ ドレーン電極
１３６ 電極部
１３７ 容量部
１４５、１６２、１６３、１９７ 接触孔
１４６ ゲート絶縁部材
１４７ 開口部
１５４ 有機半導体
１６０ 層間絶縁膜
１７１ データ線
１７２ 維持電極線
１７３ データ線の突出部
１７４ 光遮断膜
１７７ 維持電極
１７９ データ線の端部
８１、８２ 接触補助部材
１９１ 画素電極
Claims (22)
- 基板、
前記基板上に形成されているデータ線、
前記データ線と連結されているソース電極、
前記ソース電極と対向する部分を含むドレーン電極、
前記ソース電極及び前記ドレーン電極と一部重畳する第１有機半導体、
前記第１有機半導体上に形成されている第１ゲート絶縁部材、
前記第１ゲート絶縁部材上に形成されている遮断部材、
前記遮断部材と同一層に形成されていて前記ドレーン電極と連結されている画素電極、そして
前記データ線と交差して前記遮断部材上に形成されているゲート電極を含むゲート線
を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタ表示板。 - 前記遮断部材及び前記画素電極は、ＩＴＯを含むことを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記データ線と前記ソース電極は、異なる物質で構成されることを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ソース電極及び前記ドレーン電極は、ＩＴＯまたはＩＺＯを含むことを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ソース電極及び前記ドレーン電極の一部を露出させる開口部と前記ドレーン電極の一部を露出させる第１接触孔を有する隔壁をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記第１接触孔には第２有機半導体、第２ゲート絶縁部材及び前記画素電極を含む積層構造が形成されており、
前記積層構造は、前記第１接触孔より小さい第２接触孔を有することを特徴とする請求項５に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。 - 前記第２接触孔を通して前記画素電極と前記ドレーン電極を連結する連結部材をさらに含むことを特徴とする請求項６に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記連結部材は、前記ゲート線と同一層に形成されていることを特徴とする請求項７に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ゲート電極は、前記遮断部材を完全に覆うことを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記データ線と同一層に形成されている維持電極をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ドレーン電極は、前記維持電極と少なくとも一部重畳する部分を含むことを特徴とする請求項１０に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ドレーン電極と前記維持電極の間に層間絶縁膜が形成されていることを特徴とする請求項１１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記有機半導体下部に位置して前記データ線と同一層に形成される光遮断膜をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ゲート絶縁部材は、有機物質を含むことを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ゲート電極を覆う第１保護部材をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 前記ゲート線の端部を覆う第２保護部材をさらに含むことを特徴とする請求項１５に記載の有機薄膜トランジスタ表示板。
- 基板上にデータ線を形成する段階、
前記データ線上に層間絶縁膜を形成する段階、
前記層間絶縁膜上に前記データ線と連結されるソース電極及び前記ソース電極と対向するドレーン電極を形成する段階、
前記ソース電極及び前記ドレーン電極上に開口部及び接触孔を有する隔壁を形成する段階、
前記開口部及び前記接触孔に有機半導体を形成する段階、
前記有機半導体上にゲート絶縁膜を形成する段階、
前記ゲート絶縁膜上に遮断部材及び画素電極を形成する段階、
前記遮断部材及び前記画素電極をマスクとして前記ゲート絶縁膜及び前記有機半導体をエッチングする段階、
前記遮断部材、前記隔壁及び前記画素電極上にゲート線及び連結部材を含むゲート導電体を形成する段階
を含む有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記有機半導体を形成する段階は
前記隔壁を表面改質する段階、
有機半導体層を塗布する段階、
前記表面改質によって前記隔壁が形成されない部分にだけ有機半導体を残す段階
を含むことを特徴とする請求項１７に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。 - 前記隔壁を表面改質する段階は、前記隔壁が形成された部分と前記隔壁が形成されない部分での水に対する親和度が異なるようにすることを特徴とする請求項１８に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記隔壁が形成された部分は、前記隔壁が形成されない部分より水に対する親和度が小さいことを特徴とする請求項１９に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記隔壁を表面改質する段階は、前記隔壁上にフッ素含有ガスを供給して前記隔壁表面にフッ素化処理をすることを特徴とする請求項１８に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
- 前記ゲート導電体形成段階の後に、前記ゲート電極を覆う保護部材を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の有機薄膜トランジスタ表示板の製造方法。
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