JP4938984B2 - トップコンタクト型電界効果トランジスタの製造方法およびトップコンタクト型電界効果トランジスタ - Google Patents
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Description
トップコンタクト型電界効果トランジスタでは、電流が、一方の上部電極95からチャネル94を経由して、他方の上部電極95へ流れる。チャネル94には、一般的に半導体薄膜が用いられるため、チャネル94の電気抵抗は、ゲート電極92に加える電圧によって調整される。ここで、2つの電極間の距離はチャネル長(Channel Length)と呼ばれる。
このようなチャネル材料として用いられる有機半導体材料としては、大きく分けて低分子系材料と高分子系材料があり、低分子系材料がより求められている。これは、半導体としての特性がよいこと、製造方法も公知のものの流用が可能であること等の理由による。
図8は、トップコンタクト型電界効果トランジスタの製造方法として考えられている方法を模式的に示したものである。以下、図に従って説明する。まず、基板10上にゲート電極11およびゲート絶縁膜12を作製する(a)。この工程は、公知の製造方法(例えば、真空蒸着法)等で行なうことができる。そして、その上に、真空蒸着法でチャネル13を形成する(b)。次に、チャネル上にレジスト14を塗布する(c)。レジストの上にフォトマスクと呼ばれるパターンに従ったマスクをし、露光する(フォトリソグラフィー法)。そうすると、露光された部分(マスクされていない部分)のみが溶解し、一部のレジスト14が残る(d)。この上に、真空蒸着法にて電極層15を形成する(d)。そして、レジストを溶解する溶剤でレジストを除去すると、電極層15のうち、必要な部分のみが残り上部電極16が形成される(e)。
しかしながら、実際にはこの方法は低分子有機半導体材料には用いることができない。これは、低分子系の有機半導体材料は溶剤に弱いため、例えば、上記(c)の工程において、チャネル13上にレジスト14を塗布するのが上手くいかなかったり、上記(e)の工程において、チャネル13まで溶解してしまうことによる。
また、上記問題を解決するためにトップ効果型電界効果トランジスタの作製においてメタルマスクを使う方法も提案されているが、この場合素子寸法が大きくなってしまうという問題が残る。特に、薄い金属板のメタルマスクを用いた場合、チャネル長が広くなってしまい、チャネル長が20μm以下のものを作製することができず、実用サイズに到達できていないという問題がある。
しかしながら、近年では微細化したトップコンタクト型素子の試作も試みられており、これらの報告(特許文献1)によれば微細化したトップコンタクト型素子でもトランジスタ動作そのものは確認できている。つまり、トップコンタクト型では作製方法そのものがボトルネックになっており、大量生産に対応した作製方法さえ確立すればトランジスタとしての動作が期待できるのである。
トップコンタクト型では、電極をチャネル形成後に作製できることから電極に用いる材料の制限を受けにくいというメリットがある。このため、電極として安価な金属を用いることができる可能性があり、コスト面から有利であると考えられる。従って、素子サイズが小さなトップコンタクト型素子の作製方法の確立は低コストで実用的なトランジスタの開発へとつながると考えられる。
かかる状況のもと、本発明者は、下記手段により、本発明の課題を解決しうることを見出した。
基板表面から上方に伸長する立上部と、該立上部から延長してさらに前記基板上の空間を2分するように横断する横断部とから少なくとも構成されるブリッジ構造を備えた基板を採用し、該基板上に前記2分された基板表面と前記横断部下の基板表面を連続的に覆うように有機材料を蒸着させる工程と、該蒸着後に前記横断部より上方の一定方向から前記有機材料上に金属を蒸着させる工程とを含む方法。
(2)前記最短距離が0より大きく20μm以下である、(1)に記載の方法。
(3)前記ブリッジ構造の原料はレジストである、(1)または(2)に記載の方法。
(4)前記ブリッジ構造は、2種類以上のレジストの積層体である、(3)に記載の方法。
(5)最も基板から遠い側のレジストの厚さが最も薄い(4)に記載の方法。
(6)前記有機材料は、低分子有機半導体材料である、(1)〜(5)のいずれかに記載の方法。
(7)前記有機材料は、少なくとも2方向から角度をもって蒸着する(1)〜(6)のいずれかに記載の方法。
(8)前記有機材料を、蒸着中に加熱により拡散を促進する、(1)〜(7)のいずれかに記載の方法。
(9)前記有機材料を蒸着する工程および前記金属を蒸着する工程は、真空中で行なう、(1)〜(8)のいずれかに記載の方法。
(10)前記金属は、金である、(1)〜(9)のいずれかに記載の方法。
(11)(1)〜(10)のいずれかに記載の方法を含む、トップコンタクト型電界効果トランジスタの製造方法。
(12)(11)に記載の方法により製造された、トップコンタクト型電界効果トランジスタ。
以下、本発明について詳細に説明する。
ここで、立上部は、基板表面から上方に伸長しているものであり、必ずしも垂直であることを必須の要件とするものではない。好ましくは、45〜135度の角度を持って上方向に伸張しているものである。
横断部とは、延長してさらに前記基板上の空間を2分するように横断するものであり、必ずしも基板の平面に水平に横断する必要はない。好ましくは、基板に対し、±45度の範囲の角度をもって横断するものである。
また、基板を2分するようにとは、横断部が基板上に在し、例えば、基板を上方から見たときに、基板上に横断部によって分かれて見える2つの領域が形成されていることをいう。このように2分されることによって、該横断部の幅に相当する間隙を有する2つの金属部が形成される。従って、さらに多くの横断部を設けることによって、さらに多くの金属部を形成することができる。
また、マイクロマシン技術を採用することもできる。マイクロマシン技術については、例えば、犠牲層エッチング(ナノ加工・サブミクロン加工の最先端動向、東レリサーチセンター発行)等に記載のものを採用できる。
さらに、本発明の方法は、1つの金属部の一端から他の一端の間の最大値(最大距離)が、例えば、5μm以下のものや、さらには1μm以下のものも作製することができる点で極めて有意である。この結果、一つの独立したトランジスタ素子の面積を1μm2以下とすることも可能であり、素子の微細化ができる点でも極めて有意である。
蒸着の方法は、特に定めるものではなく、真空蒸着等の公知の方法を広く採用できる。
ここで、有機材料は、2方向以上の方向から蒸着させることにより、および/または、拡散しやすい性質を利用して拡散させることにより、基板表面に横断部の下部にも有機材料を蒸着させることができる。有機材料を拡散によって蒸着させる場合、基板を加熱する等の操作を行なうことが好ましい。
本発明における有機材料層は、有機材料を例えば2方向から蒸着した場合、その両者が重なる部分が山状になる。従って、該山状の部分の上に、金属を蒸着させると通常の平板状の有機材料層の上に金属を蒸着させるよりも、金属と有機材料の接触面積が大きくなり好ましい。
蒸着の方法は、特に定めるものではなく、公知の方法を広く採用できる。好ましくは、真空蒸着である。本発明の方法は真空下で行なえるので、金属を蒸着する際にも、酸化することがないので好ましい。
従って、本発明でいう基板は必ずしも平板状である必要はなく、凹凸を有していてもよい。
支持体は、特に定めるものではないが、例えば、絶縁性支持体、半導体性支持体その他、プラスチックフィルム、ガラス板、木板、厚紙等広く採用することができる。さらに、絶縁体支持体としては、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、フッ化カルシウム、アクリル樹脂、エポキシ樹脂等の絶縁性樹脂、ポリイミド、テフロン、光ラジカル重合体、ノボラック樹脂等を用いることができる。半導体性支持体としては、シリコン、ゲルマニウム、ガリウム砒素、インジウム燐、炭化シリコン等を用いることができる。
図1は、本発明の方法をトップコンタクト型電界効果トランジスタの製造に応用した一例であって、1は支持体を、2はゲート電極を、3はゲート絶縁膜を、4はレジスト(図1中の斜線部分)を、5は有機チャネルを、6は上部電極を、7は電極材料を、8は絶縁膜を、それぞれ示している。
ここで、本実施形態の支持体1とゲート電極2とゲート絶縁膜3を積層したものが本発明でいう「基板」に相当し、レジスト4が「ブリッジ構造」に相当し、有機チャネルが「有機材料層」に相当し、2つの上部電極6が「金属部」に相当する。
ここで、ゲート電極2としては、特に限定されるものではなく、従来この種のトランジスタに採用されているものを広く用いることができる。例えば、Al、Cu、Ti、ポリシリコン、シリサイド、有機導電体を採用することができる。また、ゲート絶縁膜3としては、例えば、酸化シリコン、窒化シリコン、酸化アルミニウム、酸化チタン、フッ化カルシウムなどの無機材料、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、ポリイミド、テフロン(登録商標)などの高分子材料、アミノプロピルエトキシシランなどの自己組織化分子膜などを好ましく用いることができる。
レジストの種類数は特に定めるものではなく、望ましいブリッジ構造の形状に応じて、適宜定めることができる。従って、用いるレジストの種類は、1種類でも、2種類でも、3種類以上でもよい。特に、2層以上のレジストを積層する場合は、最も基板に遠い側のレジストの厚さが最も薄いことが好ましい。
レジストの作製方法は、上記の他、公知の方法を広く採用することができる。例えば、‘‘Handbook of Microlithography, Micromachining, and Microfabrication, 1st Edition.’’Edited by P. Rai-Choudhury, SPIE. Bellingham, Washington, USA 1997,に記載の方法を好ましく採用できる。
また、レジストを含んだまま素子とする場合には、レジストは水分やガス等の放出が少ないものであることが好ましい。
特に、本発明のようにチャネル長が極めて短いものでは、バッファー層を設けることによりチャネルと上部電極の接触抵抗が支配的になるのをより効果的に抑止でき、好ましい。
1.試料の作製
SiO2/Si基板((株)E&M製)を5mm2に裁断し、洗浄後、その上に電子線レジストを塗布し電子線リソグラフィー法を用いてブリッジ構造を作製した。
電子線レジストは三層構造とし、一層目は9%のメチルメタクリレート(MMA)を含むエチルラクテート溶液を、二層目は2%のポリメチルメタクリレート(PMMA)495kを含むアニソール溶液を、三層目は2%PMMA950kを含むアニソール溶液を用いた。各層のレジストの塗布は 、(株)MIKASA製のスピンコーターを用いて行った(5秒間、500rpmの初期回転の後に40秒間5000rpmの定常回転)。各層のレジストを塗布後、オーブンでベーキングを行い、余分な溶液を除去した。塗布したレジストの厚みを段差計((株)テンコール社製)で測定したところ、一層目が330nm、二層目が60nm、三層目が110nmであった。従って、基板からの厚みが500nmであることが認められた。
三層の電子線レジストを塗布した基板に対し、同一基板上に電子線描画した。用いた描画装置は (株)エリオニクス ELS−7500であり、描画条件として加速電圧20kV、ドーズ量225mC/cm2を用いた。パターンを基板に描画した後、基板をメチルエチルケトン(MIBK):イソプロピルアルコール(IPA)=1:3溶液に10秒間浸してパターンを現像した。現像後、IPA中で基板上の現像液を注ぎ落とし、窒素ガスで基板を乾燥させた。
ペンタセン:基板法線に対し、±45度の方向から、一方は、レート0.3nm/s、他方は、レート0.5nm/sで、それぞれ、厚さ50nmに蒸着
Au:基板に垂直に、レート1.0 nm/sで、厚さ80nmに蒸着
使用した蒸着器は(株)入江工研製のものである。
さらに、設計寸法と実際の素子寸法を比較したが、大きなずれは認められなかった。
尚、図7(b)において、素子(黒い部分)に穴が開いているのは、電気特性評価のためにプロ−バーの針を落とした部分である。
半導体パラメータアナライザ(ヒューレット・パッカード社、HP4156A)が接続されたマニュアルプロ−バー((株)日本マイクロニクス、708fT−006)を用いて作製した素子の電気特性を評価した。すなわち、図8(a)に示すように、試料81を、銅板82上にAgペースト83で固定した。ソース・ドレイン電極(端子)に対しては試料上に直接プロ−バーの測定針を落とした。ゲート電極としては、Si基板そのものを使用した。このために、試料固定の際には、試料の端を劈開し、劈開部と銅板を直ちに銀ペーストで接続後、銅板に測定針を落とすことによりゲート電圧を印加した。図8(b)は一定のゲート電圧(VG)+4、 +2、 0、 −2、−4、 −6を印加した下でドレイン電圧(VD)を0Vから−10Vまで掃引した結果を示したものであり、これより素子が明瞭なトランジスタ特性を示すことが分かった。また、図8(c)は一定のVD=−10 V(飽和領域に相当)を印加した下でVGをスキャンした結果であるが、ゲート電圧によって電流変調が行われている様子がはっきり確認できた。この図からトランジスタの移動度を求めたところ、2.9(10-2cm2/Vsであった。
以上より、チャネルを流れる電流(ID)がゲート電圧(VG)により変化していることがはっきり認められ、上記素子がトランジスタ特性を有していることが認められた。
2 ゲート電極
3 ゲート絶縁膜
4 レジスト
5 有機チャネル
6 上部電極
7 電極材料
8 絶縁膜
20 基板
21 レジストA
22 レジストB
23 露光部分
24 ブリッジ構造
31 レジスト
32 有機材料
33 基板
40 チャネル
41 ソース電極・ドレイン電極
42 金属配線
43 基板
44 メタルマスク
45 レジスト
46 電極材料
47 チャネル材料
71 有機チャネル上のAu電極
72 ブリッジ直下の有機チャネル
73 ブリッジの上の金
81 試料
82 銅板
83 Agペースト
91 基板
92 ゲート電極
93 ゲート絶縁膜
94 チャネル
95 上部電極
10 基板
11 ゲート電極
12 ゲート絶縁膜
13 チャネル
14 レジスト
15 電極層
16 上部電極
Claims (10)
- 少なくとも1層の低分子有機半導体材料層上に、2つの金属電極であって、該金属電極間の最短距離が0より大きく100μm以下である電極を有するトップコンタクト型電界効果トランジスタを作製する方法であって、
基板表面から上方に伸長する立上部と、該立上部から延長してさらに前記基板上の空間を2分するように横断する横断部とから少なくとも構成されるブリッジ構造を備えた基板を採用し、該基板上に前記2分された基板表面と前記横断部下の基板表面を連続的に覆うように低分子有機半導体材料を蒸着させて前記低分子有機半導体材料層を形成する工程と、該蒸着後に前記横断部より上方の一定方向から前記低分子有機半導体材料上に金属を蒸着させて前記金属電極を形成する工程とを含む方法。 - 前記最短距離が0より大きく20μm以下である、請求項1に記載の方法。
- 前記ブリッジ構造の原料はレジストである、請求項1または2に記載の方法。
- 前記ブリッジ構造は、2種類以上のレジストの積層体である、請求項3に記載の方法。
- 最も基板から遠い側のレジストの厚さが最も薄い請求項4に記載の方法。
- 前記低分子有機半導体材料は、少なくとも2方向から角度をもって蒸着する請求項1〜5のいずれかに記載の方法。
- 前記低分子有機半導体材料を、蒸着中に加熱により拡散を促進する、請求項1〜6のいずれかに記載の方法。
- 前記低分子有機半導体材料を蒸着する工程および前記金属を蒸着する工程は、真空中で行なう、請求項1〜7のいずれかに記載の方法。
- 前記金属は、金である、請求項1〜8のいずれかに記載の方法。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の方法により製造された、トップコンタクト型電界効果トランジスタ。
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