JP2007027525A - 半導体装置の製造方法、および半導体装置、ならびに絶縁膜の形成方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法、および半導体装置、ならびに絶縁膜の形成方法 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】基板1上にゲート電極3を形成する。一定方向に配向させた絶縁性配向膜5を、ゲート電極3を覆う状態で基板1上に形成する。絶縁性配向膜5上に絶縁膜7を形成し、絶縁性配向膜5上に絶縁膜7を積層してなるゲート絶縁膜9を形成する。ゲート絶縁膜9上にソース/ドレイン電極11を形成する。ソース/ドレイン電極11を覆う状態でゲート絶縁膜9上に有機半導体材料からなるチャネル層15を形成する。
【選択図】図1
Description
図1は、第1実施形態の製造方法を説明するための断面工程図であり、この図に基づいて第1実施形態を説明する。
図2は、第2実施形態の製造方法を説明するための断面工程図である。この図に示す第2実施形態が、上述した第1実施形態と異なるところは、ゲート絶縁膜の上層部分を構成する絶縁膜として、自己組織化膜(self-assembled monolayer:SAM)を形成するところにあり、他の工程は同様であることとする。
図3は、第3実施形態の製造方法を説明するための断面工程図であり、この図に基づいて第3実施形態を説明する。
図4は、第4実施形態の製造方法を説明するための断面工程図である。この図に示す第4実施形態が、上述した第3実施形態と異なるところは、ゲート絶縁膜として、自己組織化膜(self-assembled monolayer:SAM)を形成するところにあり、他の工程は同様であることとする。
Claims (10)
- 基板上にゲート電極を形成する工程と、
一定方向に配向させた絶縁性配向膜を、前記ゲート電極を覆う状態で前記基板上に形成する工程と、
前記絶縁性配向膜上に絶縁膜を形成し、当該絶縁性配向膜上に絶縁膜を積層してなるゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上にソース/ドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース/ドレイン電極を覆う状態で前記ゲート絶縁膜上に有機半導体材料からなるチャネル層を形成する工程とを行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁膜として有機絶縁膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1記載の半導体装置の製造方法において、
前記絶縁膜として自己組織化膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 一定方向に配向させた配向膜を転写基板上に形成し、当該配向膜上にゲート絶縁膜を形成する工程と、
素子基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記転写基板上のゲート絶縁膜を、前記ゲート電極を覆う状態で前記素子基板上に転写する工程と、
前記素子基板上に転写された前記ゲート絶縁膜上にソース/ドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース/ドレイン電極を覆う状態で前記ゲート絶縁膜上に有機半導体材料からなるチャネル層を形成する工程とを行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項4記載の半導体装置の製造方法において、
前記ゲート絶縁膜として有機絶縁膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5記載の半導体装置の製造方法において、
前記ゲート絶縁膜を形成した後、当該ゲート電極を前記素子基板上に転写する前に、熱処理によって当該ゲート絶縁膜の高性能化を図る工程を行う
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項4記載の半導体装置の製造方法において、
前記ゲート絶縁膜として自己組織化膜を形成する
ことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 基板上に形成されたゲート電極と、
一定方向に配向させた絶縁性配向膜と当該絶縁性配向膜上に積層形成された絶縁膜とからなり、前記ゲート電極を覆う状態で前記基板上に設けられたゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上に設けられたソース/ドレイン電極と、
前記ソース/ドレイン電極を覆う状態で前記ゲート絶縁膜上に設けられた有機半導体材料からなるチャネル層とを備えた
ことを特徴とする半導体装置。 - 基板上に一定方向に配向させた配向膜を形成し、当該配向膜上に絶縁膜を形成する
ことを特徴とする絶縁膜の形成方法。 - 一定方向に配向させた配向膜を第1の基板上に形成した後、当該配向膜上に絶縁膜を形成する工程と、
前記配向膜上の絶縁膜を、当該配向膜上から第2の基板上に転写する工程とを行う
ことを特徴とする絶縁膜の形成方法。
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