JP4748967B2 - 半導体装置の作製方法 - Google Patents
半導体装置の作製方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4748967B2 JP4748967B2 JP2004311126A JP2004311126A JP4748967B2 JP 4748967 B2 JP4748967 B2 JP 4748967B2 JP 2004311126 A JP2004311126 A JP 2004311126A JP 2004311126 A JP2004311126 A JP 2004311126A JP 4748967 B2 JP4748967 B2 JP 4748967B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive film
- layer
- insulating film
- mask
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 49
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 40
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 47
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 28
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 27
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 26
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 21
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 17
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 16
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 16
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 claims description 16
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 16
- -1 tungsten nitride Chemical class 0.000 claims description 15
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 13
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 13
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000007769 metal material Substances 0.000 claims description 12
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 10
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 10
- NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N methylidynetantalum Chemical compound [Ta]#C NFFIWVVINABMKP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910003468 tantalcarbide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N trimethyl(1,1,2,2,2-pentafluoroethyl)silane Chemical compound C[Si](C)(C)C(F)(F)C(F)(F)F MTPVUVINMAGMJL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 9
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 9
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 8
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 293
- 239000010408 film Substances 0.000 description 252
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 61
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 54
- 239000000463 material Substances 0.000 description 38
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 33
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 33
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 29
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 21
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 18
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 15
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 13
- 230000006870 function Effects 0.000 description 11
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 11
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 8
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 8
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 8
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 7
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 7
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 6
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 5
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 4
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 4
- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 3
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 description 3
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 3
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 3
- 150000004945 aromatic hydrocarbons Chemical class 0.000 description 3
- 239000002585 base Substances 0.000 description 3
- UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N benzocyclobutene Chemical compound C1=CC=C2CCC2=C1 UMIVXZPTRXBADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 3
- 229910000476 molybdenum oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 3
- PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N oxomolybdenum Chemical compound [Mo]=O PQQKPALAQIIWST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 229910018459 Al—Ge Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004261 CaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- 102100040844 Dual specificity protein kinase CLK2 Human genes 0.000 description 2
- 101000749291 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK2 Proteins 0.000 description 2
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical class C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N azanylidynetungsten Chemical compound [W]#N IVHJCRXBQPGLOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003550 marker Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 2
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 2
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 2
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 2
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 2
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzoxazole Chemical class C1=CC=C2OC=NC2=C1 BCMCBBGGLRIHSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021364 Al-Si alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018182 Al—Cu Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910018575 Al—Ti Inorganic materials 0.000 description 1
- JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N AsGa Chemical compound [As]#[Ga] JBRZTFJDHDCESZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102100040862 Dual specificity protein kinase CLK1 Human genes 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 101000749294 Homo sapiens Dual specificity protein kinase CLK1 Proteins 0.000 description 1
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910015711 MoOx Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002808 Si–O–Si Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N [Si].[Ge] Chemical compound [Si].[Ge] LEVVHYCKPQWKOP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 239000005407 aluminoborosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001722 carbon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N copper(II) phthalocyanine Chemical compound [Cu+2].C12=CC=CC=C2C(N=C2[N-]C(C3=CC=CC=C32)=N2)=NC1=NC([C]1C=CC=CC1=1)=NC=1N=C1[C]3C=CC=CC3=C2[N-]1 XCJYREBRNVKWGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000018044 dehydration Effects 0.000 description 1
- 238000006297 dehydration reaction Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005923 long-lasting effect Effects 0.000 description 1
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017464 nitrogen compound Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002830 nitrogen compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000962 organic group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N oxalonitrile Chemical compound N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Chemical class COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 239000013079 quasicrystal Substances 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N rubrene Chemical compound C1=CC=CC=C1C(C1=C(C=2C=CC=CC=2)C2=CC=CC=C2C(C=2C=CC=CC=2)=C11)=C(C=CC=C2)C2=C1C1=CC=CC=C1 YYMBJDOZVAITBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007480 spreading Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 238000000927 vapour-phase epitaxy Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Description
101、203 第1の絶縁膜
103 第1のコンタクト層
104 第1のバリア層
105 第1の導電膜
107、108、119 プラグ
109 第2のコンタクト層
110 第2のバリア層
111 第2の導電膜
112 第3のバリア層
113 第3のコンタクト層
115、207 第2の絶縁膜
116 第4のバリア層
117 第3の導電膜
120 第4のコンタクト層
121 第5のバリア層
122 第4の導電膜
123 第6のバリア層
124 第5のコンタクト層
125 ハードマスク
126 ハードマスク
202 TFT
204、205 配線
208 第1の電極
209 第3の絶縁膜
210 EL層
211 第2の電極
212 保護膜
213 発光素子
Claims (7)
- 有機材料を用いて第1の絶縁膜を形成し、
前記第1の絶縁膜上に、第1の導電膜を形成し、
前記第1の導電膜上に第1のマスクを形成し、
前記第1のマスクを用いて、前記第1の導電膜の少なくとも一部が前記第1の絶縁膜を覆い、且つ、前記第1のマスクを形成した位置に柱状の導電性部材が形成されるようにエッチング処理を行い、
前記第1のマスクを除去し、
前記柱状の導電性部材を覆って第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜上に、無機材料を用いて第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜上に第2のマスクを形成し、
前記第2のマスクを用いて、前記第1の導電膜又は前記第2の導電膜の少なくとも一部が前記第1の絶縁膜を覆うように、少なくとも前記第2の絶縁膜のエッチング処理を行い、
前記第2のマスクを除去し、
前記第2の絶縁膜をマスクとして、前記第1の導電膜、又は、前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜のエッチング処理を行い、前記柱状の導電性部材を含む配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記第1の導電膜は、チタン、タンタル、タングステンから選ばれた高融点金属、又は該高融点金属の窒化物から選ばれた一種でなる層と、アルミニウム、又はアルミニウムを主成分とする金属材料でなる層と、を含んで形成し、
前記第2の導電膜は、チタン、タンタル、タングステンから選ばれた高融点金属、又は該高融点金属の窒化物から選ばれた一種でなる層を含んで形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項1において、
前記第1の導電膜は、窒化タンタル、窒化チタン、窒化タングステン、炭化タンタル、炭化チタン、又は窒化タングステンから選ばれた一種若しくは複数種でなる層と、タングステン、アルミニウム、銅又はそれらを主成分とする合金若しくは化合物でなる層と、を含んで形成し、
前記第2の導電膜は、チタン、タングステン、タンタル、窒化タンタル、窒化チタン、窒化タングステン、炭化タンタル、又は炭化チタンから選ばれた一種でなる層と、窒化タンタル、窒化チタン、窒化タングステン、炭化タンタル、炭化チタン、又は窒化タングステンから選ばれた一種若しくは複数種でなる層と、タングステン、アルミニウム、銅又はそれらを主成分とする合金若しくは化合物でなる層と、を含んで形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 第1の絶縁膜にコンタクトホールを形成し、
前記第1の絶縁膜上に、第1の導電膜を形成し、
前記第1の絶縁膜における前記コンタクトホールによる凹部を、前記第1の導電膜が充填するように加熱処理を行い、
前記第1の導電膜上に第1のマスクを形成し、
前記第1のマスクを用いて、前記コンタクトホール内に前記第1の導電膜が残存し、且つ、前記第1のマスクを形成した位置に第1の柱状の導電性部材が形成されるようにエッチング処理を行い、
前記第1のマスクを除去し、
前記第1の柱状の導電性部材を覆って第2の導電膜を形成し、
前記第2の導電膜上に第2のマスクを形成し、
前記第2のマスクを用いて、前記第1の導電膜及び前記第2の導電膜をエッチング処理して、前記第1の柱状の導電性部材を含む第1の配線を形成し、
有機材料を用いて、前記第1の配線を埋め込む第2の絶縁膜を形成し、
前記第2の絶縁膜を加工して、前記第1の配線の一部を露出させ、
前記第2の絶縁膜上に、前記第1の配線と電気的に接続する第3の導電膜を形成し、
前記第3の導電膜上に第3のマスクを形成し、
前記第3のマスクを用いて、前記第3の導電膜の少なくとも一部が前記第2の絶縁膜を覆い、且つ、前記第3のマスクを形成した位置に第2の柱状の導電性部材が形成されるようにエッチング処理を行い、
前記第3のマスクを除去し、
前記第2の柱状の導電性部材を覆って第4の導電膜を形成し、
前記第4の導電膜上に、無機材料を用いて第3の絶縁膜を形成し、
前記第3の絶縁膜上に第4のマスクを形成し、
前記第4のマスクを用いて、前記第3の導電膜又は前記第4の導電膜の少なくとも一部が前記第2の絶縁膜を覆うように、少なくとも前記第4の絶縁膜のエッチング処理を行い、
前記第4のマスクを除去し、
前記第4の絶縁膜をマスクとして、前記第4の導電膜、又は、前記第3の導電膜及び前記第4の導電膜のエッチング処理を行い、前記第2の柱状の導電性部材を含む第2の配線を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項4において、
前記第1の導電膜は、チタン、タンタル、タングステンから選ばれた高融点金属、又は該高融点金属の窒化物から選ばれた一種でなる層と、アルミニウム、又はアルミニウムを主成分とする金属材料でなる層と、を含んで形成し、
前記第2の導電膜は、チタン、タンタル、タングステンから選ばれた高融点金属、又は該高融点金属の窒化物から選ばれた一種でなる層を含んで形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項4又は請求項5において、
前記第3の導電膜は、チタン、タンタル、タングステンから選ばれた高融点金属、又は該高融点金属の窒化物から選ばれた一種でなる層と、アルミニウム、又はアルミニウムを主成分とする金属材料でなる層と、を含んで形成し、
前記第4の導電膜は、チタン、タンタル、タングステンから選ばれた高融点金属、又は該高融点金属の窒化物から選ばれた一種でなる層を含んで形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 請求項4において、
前記第1の導電膜、前記第2の導電膜、及び前記第4の導電膜は、チタン、タングステン、タンタル、窒化タンタル、窒化チタン、窒化タングステン、炭化タンタル、又は炭化チタンから選ばれた一種でなる層と、窒化タンタル、窒化チタン、窒化タングステン、炭化タンタル、炭化チタン、又は窒化タングステンから選ばれた一種若しくは複数種でなる層と、タングステン、アルミニウム、銅又はそれらを主成分とする合金若しくは化合物でなる層と、を含んで形成し、
前記第3の導電膜は、窒化タンタル、窒化チタン、窒化タングステン、炭化タンタル、炭化チタン、又は窒化タングステンから選ばれた一種若しくは複数種でなる層と、タングステン、アルミニウム、銅又はそれらを主成分とする合金若しくは化合物でなる層と、を含んで形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004311126A JP4748967B2 (ja) | 2003-11-04 | 2004-10-26 | 半導体装置の作製方法 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003375038 | 2003-11-04 | ||
JP2003375038 | 2003-11-04 | ||
JP2004311126A JP4748967B2 (ja) | 2003-11-04 | 2004-10-26 | 半導体装置の作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005159326A JP2005159326A (ja) | 2005-06-16 |
JP2005159326A5 JP2005159326A5 (ja) | 2007-08-16 |
JP4748967B2 true JP4748967B2 (ja) | 2011-08-17 |
Family
ID=34741376
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004311126A Expired - Fee Related JP4748967B2 (ja) | 2003-11-04 | 2004-10-26 | 半導体装置の作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4748967B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1760798B1 (en) * | 2005-08-31 | 2012-01-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
EP3229066A1 (en) * | 2005-12-05 | 2017-10-11 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transflective liquid crystal display with a horizontal electric field configuration |
CN101796613B (zh) * | 2007-09-14 | 2012-06-27 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置及电子设备 |
JP2009224238A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP5429454B2 (ja) * | 2009-04-17 | 2014-02-26 | ソニー株式会社 | 薄膜トランジスタの製造方法および薄膜トランジスタ |
WO2011043194A1 (en) | 2009-10-09 | 2011-04-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
US20210242207A1 (en) * | 2018-05-18 | 2021-08-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH07109828B2 (ja) * | 1988-09-14 | 1995-11-22 | 日本電気株式会社 | 多層配線構造体の製造方法 |
JPH08181213A (ja) * | 1994-12-27 | 1996-07-12 | Kawasaki Steel Corp | 半導体装置の製造方法 |
JPH08274164A (ja) * | 1995-03-31 | 1996-10-18 | Seiko Epson Corp | 半導体装置 |
JPH08306779A (ja) * | 1995-05-10 | 1996-11-22 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法 |
JP2000012683A (ja) * | 1998-06-17 | 2000-01-14 | Nec Corp | 集積回路とその製造方法 |
-
2004
- 2004-10-26 JP JP2004311126A patent/JP4748967B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005159326A (ja) | 2005-06-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7524709B2 (en) | Manufacturing method for a display device | |
JP7322313B2 (ja) | 発光装置 | |
JP4519532B2 (ja) | 発光装置及び発光装置を用いた電子機器 | |
US7663311B2 (en) | Organic light emitting display (OLED) device and method of fabricating the same | |
JP6136578B2 (ja) | 表示装置および表示装置の製造方法ならびに電子機器 | |
EP1511081B1 (en) | Light emitting device | |
US6891270B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
US9547252B2 (en) | Organic light emitting device | |
JP2002258325A (ja) | 薄膜トランジスタ液晶表示装置 | |
TWI611613B (zh) | 有機發光裝置及該裝置的製造方法 | |
CN104952903A (zh) | 显示装置、制造显示装置的方法以及修复显示装置的方法 | |
KR20030090704A (ko) | 발광 장치, 그 제조 방법, 전기 광학 장치, 및 전자 기기 | |
US9190430B2 (en) | Method of fabricating display panel | |
US7524734B2 (en) | Wiring substrate, electro-optic device, electric apparatus, method of manufacturing wiring substrate, method of manufacturing electro-optic device, and method of manufacturing electric apparatus | |
JP5174322B2 (ja) | アクティブマトリクス表示装置の製造方法 | |
JP3420145B2 (ja) | 半導体集積回路装置の製造方法 | |
JP4748967B2 (ja) | 半導体装置の作製方法 | |
US9923039B2 (en) | Display panels, methods of manufacturing the same and organic light emitting display devices having the same | |
JP7464541B2 (ja) | 表示バックプレート及びその製作方法、表示パネル及びその製作方法、表示装置 | |
JP2017162832A (ja) | 表示装置および電子機器 | |
KR20050100950A (ko) | 유기 전계 발광 소자의 제조방법 | |
KR20240136511A (ko) | 디스플레이 장치 및 그 제조방법 | |
US7838884B2 (en) | Display device and fabrication method of display device | |
KR20110113041A (ko) | 어레이 기판 및 이의 제조 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070704 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070704 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090622 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20101019 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20101216 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110510 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110517 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140527 Year of fee payment: 3 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |