CN104952903A - 显示装置、制造显示装置的方法以及修复显示装置的方法 - Google Patents
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Abstract
提供了一种显示装置、一种制造该显示装置的方法以及修复该显示装置的方法。所述显示装置包括：基底；钝化层，位于所述基底上并且包括具有第一厚度的区域和具有比所述第一厚度小的第二厚度的区域；第一电极，位于所述钝化层上，并且包括通过具有两个端部的狭缝彼此分隔开的至少两个子电极；发光层，位于所述第一电极上；以及第二电极，位于所述发光层上。所述狭缝的两个端部位于所述钝化层的具有所述第二厚度的所述区域中。
Description
本申请要求于2014年3月25号提交到韩国知识产权局的第10-2014-0034870号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
技术领域
本发明的多方面涉及一种显示装置、制造该显示装置的方法以及修复该显示装置的方法。
背景技术
平板显示装置被分类为光发射型平板显示装置和光接收型平板显示装置。光发射型平板显示装置包括平板阴极射线管、等离子体显示面板和电致发光装置，而光接收型平板显示装置包括液晶显示器。在这些平板显示装置中，电致发光装置由于其诸如宽视角、优良的对比度、快的响应时间等各种优点而备受关注。这些电致发光装置进一步被分类为无机电致发光装置和有机电致发光装置。
有机电致发光装置是电激发发光有机物质以发光的自发射显示装置，使得显示装置具有低驱动电压、更薄的厚度、宽视角、快的响应时间等，而这些是液晶显示器的缺点。
这些有机电致发光装置通常包括阳极电极、阴极电极和位于阳极电极和阴极电极之间的发光层。在这些有机电致发光装置中，当正电压和负电压分别被施加到阳极电极和阴极电极时，空穴通过空穴传输层被注入到发光层，电子通过电子传输层被注入到发光层。然后，空穴和电子在发光层中复合而产生激子。当激子从激发态返回到基态时，激子发出以光的形式释放的能量。
发明内容
本发明的多个方面在于一种显示装置、一种制造该显示装置的方法以及一种修复该显示装置的方法，具体地，一种能够防止短路的显示装置。
根据本发明的多个方面，一种显示装置包括：基底；钝化层，位于基底上，所述钝化层包括具有第一厚度的区域和具有比所述第一厚度小的第二厚度的区域；第一电极，位于所述钝化层上，并且包括通过具有两个端部的狭缝彼此分隔开的至少两个子电极；发光层，位于所述第一电极上；以及第二电极，位于所述发光层上。所述狭缝的两个端部位于所述钝化层的具有所述第二厚度的所述区域中。
具有所述第一厚度的所述区域可以在第一区域中，具有比所述第一厚度小的所述第二厚度的所述区域可以在所述钝化层的第二区域中。所述钝化层可以在第三区域中限定开口，并且所述狭缝的两个端部可以与所述第二区域叠置。
所述基底可以包括被构造为显示图像的显示区域和围绕所述显示区域的不显示图像的非显示区域。所述钝化层的所述第三区域可以与所述显示区域叠置。
所述第二区域可以具有四边形形状，并且所述第二区域的所述四边形形状的一侧可以与所述第三区域的侧部中的一个的部分匹配。
所述钝化层可以包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
所述钝化层可以具有多层结构。
所述显示装置还可以包括位于所述基底和所述钝化层之间以向所述子电极中的每个施加图像信号的薄膜晶体管。
所述子电极中的至少一个可以与所述薄膜晶体管断开。
根据本发明的另外的方面，一种制造显示装置的方法包括下述步骤：在基底上形成钝化层，所述钝化层包括具有第一厚度的第一区域和具有比所述第一厚度小的第二厚度的第二区域；在所述钝化层上形成第一电极，所述第一电极包括通过具有两个端部的狭缝彼此分隔开的多个子电极；在所述第一电极上形成有机发光层；以及在所述有机发光层上形成第二电极。所述狭缝的两个端部在所述钝化层的所述第二区域中。
形成所述钝化层的步骤可以包括：在所述基底上形成绝缘层；以及使所述绝缘层图案化以在所述第一区域中具有所述第一厚度，在所述第二区域中具有所述第二厚度，在第三区域中具有开口。
所述狭缝的两个端部可以与所述第二区域叠置。
使所述绝缘层图案化的步骤可以包括：在所述基底上形成光敏有机材料；在所述光敏有机材料上设置掩模；通过所述掩模对所述光敏有机材料进行曝光；以及使所述光敏有机材料显影。
所述掩模可以是半色调掩模或衍射掩模。
所述光敏有机材料可以是正型光致抗蚀剂或负型光致抗蚀剂。
所述光敏有机材料可以是正型光致抗蚀剂，所述掩模可以在所述第一区域中阻挡向所述光敏有机材料行进的光，可以在所述第二区域中透射所述光的一部分并阻挡所述光的剩余部分，并且可以在所述第三区域中透射所述光。
所述基底可以包括被构造为显示图像的显示区域和围绕所述显示区域的不显示图像的非显示区域。所述第三区域可以与所述显示区域叠置。
所述第二区域可以具有四边形形状，并且所述第二区域的所述四边形形状的一侧可以与所述第三区域的侧部中的一个的部分匹配。
所述方法还可以包括：在形成所述钝化层之前，在所述基底上形成薄膜晶体管。
根据本发明的另外的方面，一种用于修复显示装置的方法包括：检查其中发生了缺陷的子电极；以及将其中发生了所述缺陷的所述子电极与所述显示装置的薄膜晶体管断开。所述显示装置包括：基底；所述薄膜晶体管，位于所述基底上；钝化层，位于所述薄膜晶体管上；第一电极，位于所述钝化层上并且具有彼此分隔开的至少两个子电极；发光层，位于所述第一电极上；以及第二电极，位于所述发光层上。
可以通过激光束将其中发生了所述缺陷的所述子电极与所述薄膜晶体管断开。
根据本发明的多个方面，所述显示装置的第一电极可以包括子电极，从而即使当缺陷发生在第一电极的一部分中时，也可以防止整个像素发生故障。因此，当缺陷发生在显示装置的一个子电极中时，在将发生缺陷的子电极断开后，像素可以被第一电极的剩余的子电极正常驱动。
根据本发明的另外的方面，由于在显示装置的第一电极的子电极彼此相邻设置的相邻的区域中，显示装置的钝化层可以具有相对小的厚度，所以可以防止子电极彼此短路。
附图说明
通过参照下面的结合附图考虑的详细的描述，本发明的以上和其它方面将变得更明显，在附图中：
图1是示出根据本发明的实施例的显示装置的电路图；
图2是示出在图1中所示的显示装置的像素的平面图；
图3A是图2中示出的像素沿I-I'线截取的剖视图；
图3B是图2中示出的像素沿II-II'线截取的剖视图；
图4A至图4E是示出根据本发明的实施例的制造显示装置的方法的剖视图；
图5A和图5B是示出根据本发明的实施例的显示装置的第一区域、第二区域和第三区域的平面图；
图6A和图6B是示出根据本发明的另一实施例的显示装置的第一区域、第二区域和第三区域的平面图；以及
图7是示出根据本发明的实施例的用于修复在显示装置的第一电极中的缺陷的方法的示意性平面图。
具体实施方式
将理解的是，当元件或层被称作“在”另一元件或层“上”、“连接到”或“结合到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接结合到所述另一元件或层，或者也可以存在中间元件或中间层。相反，当元件被称作“直接在”另一元件“上”、“直接连接到”或“直接结合到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。同样的附图标记始终表示同样的元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列的项的任意和所有组合。
将理解的是，尽管在此可使用术语第一、第二等来描述不同的元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅是用来将一个元件、组件、区域、层和/或部分与另一个元件、组件、区域、层和/或部分区分开来。因此，在不脱离本发明的教导的情况下，下面讨论的例如第一元件、第一组件、第一区域、第一层或第一部分可被命名为第二元件、第二组件、第二区域、第二层或第二部分。
为了便于描述，在这里可使用空间相对术语，如“在…之下”、“在…下方”、“下面的”、“在…上方”和“上面的”等来描述如图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。将理解的是，这些空间相对术语意图包含除了在图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。例如，如果在图中的装置被翻转，则描述为在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件将被定位为“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，示例性术语“在…下方”可包括“在…上方”和“在…下方”两种方位。所述装置可以被另外定位(旋转90度或者在其它方位)，并因此相应地解释这里使用的空间相对描述语。
这里使用的术语仅是为了描述特定实施例的目的，而不意图成为限制。如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式的“一”、“一个”和“所述(该)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
除非另有定义，否则这里使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本领域普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。将进一步理解，除非这里明确这样定义，否则术语(例如在通用的字典中定义的术语)应该被解释为具有与相关领域的上下文中它们的意思一致的意思，而不是理想地或者过于形式化地解释它们的意思。
在下文中，将参照附图来详细地解释本发明的实施例。
图1是示出根据本发明的实施例的显示装置的电路图，图2是示出在图1中所示的显示装置的像素的平面图，图3A是图2中示出的像素沿I-I'线截取的剖视图，并且图3B是图2中示出的像素沿II-II'线截取的剖视图。
将参照图1、图2、图3A和图3B来进一步详细地描述根据本发明的实施例的显示装置。
根据实施例的显示装置包括至少一个像素PXL以显示图像。显示装置可以包括例如可以以矩阵形式布置的多个像素PXL。为了便于解释，在本实施例中将仅详细描述一个像素PXL。根据这个实施例，像素PXL位于被称作像素区域PA的区域中。在实施例中，像素区域PA具有矩形形状，但是不限于该矩形形状。像素区域PA可以具有与相邻的像素区域的尺寸不同的尺寸。例如，对具有不同颜色的像素PXL来说，像素区域PA可以具有不同的尺寸或不同的形状。根据实施例，像素区域PA包括显示图像的显示区域DP和不显示图像的非显示区域NDP。在这个实施例中，非显示区域NDP与显示区域DP的至少一侧相邻，或者非显示区域NDP可以围绕显示区域DP。
根据实施例，像素PXL包括：线部件，包括栅极线GL、数据线DL和驱动电压线DVL；薄膜晶体管，连接或结合到线部件；有机发光器件EL，连接或结合到薄膜晶体管；以及电容器Cst。
根据实施例，栅极线GL沿第一方向D1延伸，根据该实施例，数据线DL沿与栅极线GL交叉的第二方向D2延伸。根据该实施例，与数据线DL类似，驱动电压线DVL沿第二方向D2延伸。在该实施例中，栅极线GL向薄膜晶体管施加扫描信号，数据线DL向薄膜晶体管施加数据信号，并且驱动电压线DVL向薄膜晶体管施加驱动电压。
根据实施例，薄膜晶体管包括用于控制有机发光器件EL的驱动薄膜晶体管TR2和用于对驱动薄膜晶体管TR2进行开关的开关薄膜晶体管TR1。在该实施例中，一个像素PXL包括两个薄膜晶体管TR1和TR2，但是薄膜晶体管的数量不限于两个。因此，例如，一个像素PXL可以包括一个薄膜晶体管TR1或TR2和电容器Cst，或者可以包括三个或更多个薄膜晶体管TR1、TR2等和两个或更多个电容器Cst。
根据实施例，开关薄膜晶体管TR1包括第一栅电极GE1、第一源电极SE1和第一漏电极DE1。在实施例中，第一栅电极GE1连接或结合到栅极线GL，在该实施例中，第一源电极SE1连接或结合到数据线DL。在该实施例中，第一漏电极DE1连接或结合到驱动薄膜晶体管TR2的栅电极(在下文中，称作第二栅电极GE2)。根据实施例，开关薄膜晶体管TR1响应于通过栅极线GL提供的扫描信号向驱动薄膜晶体管TR2施加通过数据线DL提供的数据信号。
根据实施例，驱动薄膜晶体管TR2包括第二栅电极GE2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。根据实施例，第二栅电极GE2连接或结合到开关薄膜晶体管TR1，第二源电极SE2连接或结合到驱动电压线DVL，第二漏电极DE2连接或结合到有机发光器件EL。
根据实施例，有机发光器件EL包括发光层EML、第一电极EL1和第二电极EL2，第二电极EL2面对第一电极EL1使得发光层EML位于第一电极EL1和第二电极EL2之间。在实施例中，发光层EML位于像素区域PA的显示区域DP中。
根据实施例，第一电极EL1连接或结合到驱动薄膜晶体管TR2的第二漏电极DE2。
在实施例中，第一电极EL1具有大于显示区域DP的面积的面积并且在显示区域DP上延伸。在该实施例中，当在平面图中观看时，显示区域DP在第一电极EL1的内侧，并且第一电极EL1的边缘不与显示区域DP叠置。
根据实施例，第一电极EL1包括穿过其限定的狭缝SLT，因此第一电极EL1通过沿一个方向延伸的狭缝SLT被划分为彼此分隔开的两个子电极。在该实施例中，第一电极EL1包括通过沿第二方向D2延伸的狭缝SLT划分的第一子电极EL1a和第二子电极EL1b。
根据另一实施例，第一电极EL1可以包括穿过其限定的多个狭缝SLT。在该实施例中，第一电极EL1包括彼此分隔开的三个或更多个子电极。例如，第一电极EL1可以包括通过沿第一方向D1和第二方向D2延伸的狭缝SLT限定的第一子电极、第二子电极、第三子电极和第四子电极。
根据实施例，子电极EL1a和EL1b例如通过连接部连接或结合到驱动薄膜晶体管TR2的第二漏电极DE2。在实施例中，例如，彼此相邻的子电极EL1a和EL1b彼此连接或结合，并且子电极EL1a和EL1b中的一个连接或结合到驱动薄膜晶体管TR2的第二漏电极DE2。
根据实施例，第二电极EL2接收共电压，发光层EML响应于从驱动薄膜晶体管TR2输出的信号而发光，从而显示图像。
根据实施例，电容器Cst连接或结合在驱动薄膜晶体管TR2的第二栅电极GE2和驱动薄膜晶体管TR2的第二源电极SE2之间。在该实施例中，电容器Cst充有施加到驱动薄膜晶体管TR2的第二栅电极GE2的数据信号。
在下文中，根据显示装置的元件或组件的堆叠的顺序来进一步详细地描述根据本发明的实施例的显示装置。
根据实施例，显示装置包括例如玻璃、塑料、晶体等的绝缘基底SUB，薄膜晶体管和有机发光器件EL可以位于绝缘基底上。
根据实施例，缓冲层BFL位于基底SUB上。缓冲层BFL防止外来物质进入开关薄膜晶体管TR1和驱动薄膜晶体管TR2。根据实施例，缓冲层BFL由氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或氮氧化硅(SiOxNy)形成，根据基底SUB的材料和工艺条件，缓冲层BFL可以是显示装置的可选择的层。
根据实施例，第一半导体层SM1和第二半导体层SM2位于缓冲层BFL(或者在省略缓冲层BFL的情况下位于基底SUB)上。根据该实施例，第一半导体层SM1和第二半导体层SM2由半导体材料形成并且分别用作开关薄膜晶体管TR1和驱动薄膜晶体管TR2的有源层。根据实施例，第一半导体层SM1和第二半导体层SM2中的每个包括源区SA、漏区DA和位于源区SA和漏区DA之间的沟道区CA。根据实施例，第一半导体层SM1和第二半导体层SM2中的每个由无机半导体材料或有机半导体材料形成。例如，第一半导体层SM1和第二半导体层SM2可以包括氧化物半导体材料、非晶硅半导体材料或晶体硅或多晶硅半导体材料。根据实施例，氧化物半导体材料包括包含铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)和锡(Sn)中的至少一种的氧化物材料。在实施例中，第一半导体层SM1和第二半导体层SM2包括氧化物半导体材料，例如，氧化锌、氧化锡、氧化铟、铟锌(In-Zn)氧化物、铟锡(In-Sn)氧化物、铟镓锌(In-Ga-Zn)氧化物、铟锌锡(In-Zn-Sn)氧化物、铟镓锌锡(In-Ga-Zn-Sn)氧化物等。在实施例中，源区SA和漏区DA掺杂有n型杂质或p型杂质。
根据实施例，栅绝缘层GI位于第一半导体层SM1和第二半导体层SM2上。
根据实施例，连接或结合到栅极线GL的第一栅电极GE1和第二栅电极GE2位于栅绝缘层GI上。根据实施例，第一栅电极GE1和第二栅电极GE2在第一半导体层SM1和第二半导体层SM2的沟道区CA上延伸以分别覆盖第一半导体层SM1和第二半导体层SM2的沟道区CA。
根据实施例，层间绝缘层IL位于第一栅电极GE1和第二栅电极GE2上并且在第一栅电极GE1和第二栅电极GE2上延伸以覆盖第一栅电极GE1和第二栅电极GE2。
根据实施例，第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2和第二漏电极DE2位于层间绝缘层IL上。在实施例中，第一源电极SE1和第一漏电极DE1分别通过限定在栅绝缘层GI和层间绝缘层IL中的接触孔与第一半导体层SM1的源区SA和漏区DA接触。根据实施例，第二源电极SE2和第二漏电极DE2分别通过限定在栅绝缘层GI和层间绝缘层IL中的接触孔与第二半导体层SM2的源区SA和漏区DA接触。
在实施例中，第二栅电极GE2的一部分和驱动电压线DVL的一部分分别用作电容器Cst的第一电极CE1和第二电极CE2，并且与位于它们之间的层间绝缘层IL一起形成电容器Cst。
根据实施例，钝化层PSV位于第一源电极SE1、第一漏电极DE1、第二源电极SE2、第二漏电极DE2和层间绝缘层IL上。在该实施例中，钝化层PSV保护开关薄膜晶体管TR1和驱动薄膜晶体管TR2，并且防止外来物质扩散到开关薄膜晶体管TR1和驱动薄膜晶体管TR2的沟道区。此外，根据实施例，钝化层PSV使基底SUB的上表面平坦化。
在实施例中，钝化层PSV包括例如有机聚合物的有机绝缘材料。根据另一实施例，钝化层PSV可以包括例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)等的无机绝缘材料。
在实施例中，钝化层PSV可以具有单层结构或多层结构。例如，钝化层PSV可以具有双层结构或者三层结构，其中，双层结构具有包括无机绝缘材料的下层和包括有机聚合物的上层，三层结构具有包括无机绝缘材料的下层、包括有机聚合物的中间层和包括无机绝缘材料的上层。
根据实施例，钝化层PSV限定通孔以暴露驱动薄膜晶体管TR2的第二漏电极DE2的上表面的一部分。
根据实施例，钝化层PSV包括与显示区域DP对应的开口，从而使钝化层PSV不延伸到显示区域DP中。在该实施例中，钝化层PSV位于非显示区域NDP中。根据该实施例，当在剖视图中观看时，钝化层PSV根据它在非显示区域NDP中的位置而具有各种不同的厚度。在实施例中，钝化层PSV在与狭缝SLT的两个端部相邻的区域中具有相对小的厚度，并且钝化层PSV与狭缝SLT的两个端部的部分叠置，其中，狭缝SLT将第一电极EL1划分为子电极。在该实施例中，非显示区域NDP的除了与狭缝SLT的两个端部相邻的区域以外的区域被称作第一区域R1，与狭缝SLT的两个端部相邻并且与狭缝SLT的两个端部部分地叠置的区域被称作第二区域R2，钝化层PSV在第一区域R1中具有第一厚度H1并且在第二区域R2中具有第二厚度H2，第一厚度H1大于第二厚度H2。在显示区域DP被称作第三区域R3的实施例中，钝化层PSV不延伸到第三区域R3中。
根据实施例，第一电极EL1位于钝化层PSV上。
根据实施例，第一电极EL1通过限定在钝化层PSV中的通孔连接或结合到驱动薄膜晶体管TR2的第二漏电极DE2。
在下文中，第一电极EL1将被描述为阳极，但是不应限于此。
在实施例中，第一电极EL1包括具有高的逸出功的材料，当在图中图像朝基底SUB的下方向显示时，第一电极EL1由诸如氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟锡锌等的透明导电层形成。
当在图中图像朝基底SUB的上方向显示时，第一电极EL1包括例如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr等的金属反射层以及具有例如氧化铟锡、氧化铟锌、氧化锌、氧化铟锡锌等的透明导电层。
在实施例中，第一电极EL1延伸为覆盖显示区域DP和围绕显示区域DP的非显示区域NDP的一部分。在该实施例中，第一电极EL1的边缘穿过第二区域R2。更具体地讲，将第一电极EL1划分为子电极EL1a和EL1b的狭缝SLT的端部穿过第二区域R2。在该实施例中，由于第一子电极EL1a和第二子电极EL1b通过沿第二方向D2延伸的狭缝SLT来限定，所以第二区域R2与狭缝SLT的两个端部相邻并且与第一子电极EL1a和第二子电极EL1b部分地叠置。此外，在第一子电极EL1a和第二子电极EL1b彼此相邻以形成四边形形状的实施例中，在第一子电极EL1a和第二子电极EL1b的彼此面对的侧部的两端处的顶点位于第二区域R2中。
根据实施例，像素限定层PDL位于基底SUB上以分割与各个像素PXL对应的显示区域DA。在该实施例中，像素限定层PDL在每个像素PXL中位于非显示区域NDP并且不延伸到显示区域DP中。在该实施例中，像素限定层PDL暴露第一电极EL1的上表面并且沿着第一电极EL1的周缘或周边从基底SUB突出或延伸。
在实施例中，发光层EML位于被像素限定层PDL围绕的显示区域DP中，在该实施例中，第二电极EL2位于发光层EML上。
在实施例中，发光层EML包括发光材料以发射与像素PXL对应的红光、绿光和蓝光。在该实施例中，发射红光、绿光和蓝光的像素PXL分别成为与红色像素区域PA、绿色像素区域PA和蓝色像素区域PA对应的红色像素PXL、绿色像素PXL和蓝色像素PXL。根据实施例，一个红色像素PXL、一个绿色像素PXL和一个蓝色像素PXL形成主像素PXL。然而，从像素PXL发射的光的颜色不应局限于此。因此，例如，除了红光、绿光和蓝光以外，像素PXL还可以发射黄光或品红光，或者像素PXL可以发射白光。
在实施例中，发光层EML可以具有单层结构或多层结构。例如，发光层EML可以包括顺序地堆叠在第一电极EL1上的空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层和电子注入层，或者可以省略空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一个。
根据实施例，第二电极EL2包括具有低的逸出功的材料，例如，金属、合金、导电化合物或它们的混合物。在该实施例中，第二电极EL2可以包括锂(Li)、镁(Mg)、铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)等材料。在实施例中，第二电极EL2可以是透明电极或反射电极。在第二电极EL2是透明电极的实施例中，第二电极EL2包括透明导电材料，在第二电极EL2是反射电极的实施例中，第二电极EL2包括金属反射层。
根据实施例，密封层SL位于第二电极EL2上并延伸为覆盖第二电极EL2。
在根据实施例的具有上述结构的显示装置中，第一电极EL1包括子电极EL1a和EL1b，因此即使在第一电极EL1中会出现缺陷，也可防止或减小整个像素PXL可能出现故障的可能性。因此，根据这些实施例，当缺陷发生在子电极EL1a和EL1b中的一个中时，在其中发生缺陷的子电极(例如，EL1a或EL1b)被断开之后，像素PXL可以被另一个子电极(例如，EL1b或EL1a)正常驱动。
此外，根据这些实施例，如将在下面更详细地描述的，由于钝化层PSV在区域R2(区域R2与其中彼此相邻地设置有子电极EL1a和EL1b的区域R3相邻)中具有相对小的厚度H2，所以可以防止子电极EL1a和EL1b彼此短路。
图4A至图4E是示出根据本发明的实施例的制造显示装置的方法的剖视图。为了便于解释，在图4A至图4E中已经省略了显示装置的在其它图中示出并详细描述的一些元件。
参照在图4A中示出的实施例，在基底SUB上形成显示装置的线部件、开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管。图4A示出了驱动薄膜晶体管的第二栅电极GE2、第二半导体层SM2、第二源电极SE2和第二漏电极DE2。
根据实施例，在开关薄膜晶体管和驱动薄膜晶体管上形成绝缘层INS。在该实施例中，绝缘层INS用于形成钝化层PSV，并且绝缘层INS包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
在实施例中，利用有机绝缘材料(即，光敏有机材料)来形成钝化层PSV。
在利用光敏材料形成钝化层PSV的实施例中，通过曝光和显影工艺可以容易地使钝化层PSV图案化。在该实施例中，钝化层PSV可以被涂覆在包括薄膜晶体管的元件上，或者可以通过例如喷墨法来形成。
参照在图4B中示出的实施例，利用掩模MSK来曝光并显影绝缘层INS。根据该实施例，掩模MSK包括分别与第一区域R1、第二区域R2和第三区域R3对应的三个区域，因此，掩模MSK的区域也被称作第一区域R1、第二区域R2和第三区域R3。
在该实施例中，掩模MSK为狭缝掩模(即，衍射掩模)或半色调掩模，并且包括：第一区域R1，阻挡行进到第一区域R1的光；第二区域R2，包括狭缝图案或半色调图案以透射一部分光并阻挡另一部分光；以及第三区域R3，透射行进至第三区域R3的光。
在该实施例中，一旦暴露于穿过掩模MSK的光的绝缘层INS被显影，则绝缘层INS存留在第一区域R1中并且部分存留在第二区域R2中，绝缘层INS的在第二区域R2中的部分的厚度比绝缘层INS的在第一区域R1中的部分的厚度小，从而形成钝化层PSV，如图4C中所示。根据实施例，在第三区域R3中绝缘层INS被完全去除，从而限定了穿过钝化层PSV的开口OPN。
在实施例中，可以在第一区域R1或第二区域R2中限定穿过绝缘层INS的通孔，并且在该实施例中，与通孔对应的绝缘层INS在通孔处将被完全去除。在实施例中，通孔可以被限定在第一区域R1中以暴露第二漏电极DE2的上表面。
在该实施例中，正性光敏有机材料(从正性光敏有机材料去除绝缘层INS的曝光部分)被用作绝缘层INS，但是绝缘层INS不应局限于正性光敏有机材料。根据另一实施例，负性光敏有机材料可以被用作绝缘层INS，从而将绝缘层INS的未曝光的部分去除。
在实施例中，当对钝化层PSV执行曝光工艺时，一部分光照射到第二区域R2的绝缘层INS上，并且通过控制掩模图案来调节第二区域R2的钝化层PSV的厚度。例如，在掩模为狭缝掩模的实施例中，调节狭缝的宽度或数量以控制行进到第二区域R2的光的曝光量。
在钝化层PSV由无机绝缘材料形成的实施例中，通过如下步骤形成钝化层PSV：在绝缘层上形成光致抗蚀剂层，利用掩模对光致抗蚀剂层执行曝光和显影工艺，并且利用显影的光致抗蚀剂层作为掩模来蚀刻绝缘层。在该实施例中，需要两个或更多个掩模以形成钝化层PSV。然而，在使用衍射掩模或半色调掩模作为掩模的实施例中，可利用一个掩模通过灰化(ashing)工艺或回蚀工艺来形成钝化层PSV。
在绝缘层INS具有多层结构的实施例中，通过使层单独地图案化或使层一起图案化来形成钝化层PSV。
参照在图4D中示出的实施例，在钝化层PSV上形成第一电极EL1。
在该实施例中，通过在钝化层PSV上沉积导电材料并且利用光刻工艺使导电材料图案化来形成第一电极EL1。在该实施例中，通过如下步骤形成第一电极EL1：在钝化层PSV上形成导电层，在导电层上形成例如光致抗蚀剂层的光敏有机层，利用曝光和显影工艺使光敏有机层图案化，利用图案化的光敏有机层作为掩模蚀刻导电层，并去除存留的光敏有机层。
根据实施例，第一电极EL1包括穿过第一电极EL1而限定的狭缝SLT以将第一电极EL1划分为两个或更多个子电极(例如，EL1a和EL1b)。在该实施例中，第一电极EL1包括通过沿第二方向D2延伸的狭缝SLT限定的第一子电极EL1a和第二子电极EL1b。
在实施例中，一旦第一电极EL1被形成，则狭缝SLT的两个端部位于第二区域R2中。在该实施例中，当第一子电极EL1a和第二子电极EL1b彼此相邻以形成四边形形状时，在第一子电极EL1a和第二子电极EL1b的彼此面对的侧部的两端处的顶点位于第二区域R2中。因此，根据该实施例，当在平面图中观看时，第一电极EL1的一部分位于第二区域R2中的钝化层PSV上并且与第二区域R2中的钝化层PSV叠置。
根据在图4E中示出的实施例，在其上形成有第一电极EL1的基底SUB上顺序地形成像素限定层PDL、发光层EML、第二电极EL2和密封层SL。
在该实施例中，像素限定层PDL通过如下步骤形成：形成光敏层，通过光刻工艺使光敏层图案化，并使图案化的光敏层固化。
在该实施例中，在第一电极EL1上形成发光层EML。发光层EML可以通过印刷法、沉积法或热成像法以流体状态形成在基底SUB上。在该实施例中，印刷法包括利用喷嘴的涂覆法和/或喷墨法。
在发光层EML具有多个层的实施例中，每个发光层可以通过狭缝涂覆法、印刷法、真空沉积法、旋涂法、浇铸法和/或Langmuir-Blodgett法来形成。
在实施例中，在其上形成有发光层EML的基底SUB上形成第二电极EL2，并且密封层SL被形成为在第二电极EL2上延伸，从而制造出显示装置。
在根据上述方法制造显示装置的实施例中，可以防止第一电极EL1的子电极短路。
在传统的显示装置中，除了穿过钝化层形成的开口以外，钝化层可以具有恒定的厚度。在这些传统的显示装置中，当通过光刻工艺在钝化层上形成第一电极时，通过如下步骤形成第一电极：在钝化层上形成导电层，在导电层上形成例如光致抗蚀剂层的光敏有机层，利用曝光和显影工艺使光敏有机层图案化，利用图案化的光敏有机层作为掩模蚀刻导电层，并去除存留的光敏有机层。
然而，在这些传统显示装置中，由于钝化层和层间绝缘层之间的高度差，使得光敏有机层在钝化层和层间绝缘层彼此相邻的区域中的厚度比在钝化层和层间绝缘层彼此不相邻的区域中的厚度相对大。因此，产生光敏有机层的厚度差。在这些传统显示装置中，虽然光均匀地照射到光敏有机层的整个区域上，但是在具有相对大的厚度的光敏有机层中产生光敏有机层的没有与光反应的部分，因此，在对光敏有机层执行显影工艺之后，光敏有机层存留在钝化层和层间绝缘层彼此相邻设置的区域中。由于存留的光敏有机层对导电层的图案化工艺产生影响，并且导电层存留在需要去除导电层的区域中，所以会发生短路或其它缺陷。具体地，在这些传统的显示装置中，在两个子电极彼此相邻设置的区域中可能产生其中导电层没有被去除的缺陷，因此，两个子电极可能短路。在这些传统的显示装置中，当两个子电极短路时，即使缺陷仅发生在一个子电极中，两个子电极也会出现故障。
在本发明的实施例中，在其中层间绝缘层IL和钝化层PSV之间的厚度差大的区域中，钝化层的厚度减小。因此，可以防止光敏有机层缺少曝光，并且可以适当地去除导电层。
在该实施例中，第一区域R1、第二区域R2和第三区域R3可具有各种形状。图5A和图5B是示出根据本发明的实施例的显示装置的第一区域、第二区域和第三区域的平面图。图6A和图6B是示出根据本发明的另一实施例的显示装置的第一区域、第二区域和第三区域的平面图。图5A和图5B示出在第一电极EL1包括第一子电极EL1a和第二子电极EL1b的实施例中的第一区域R1、第二区域R2和第三区域R3，图6A和图6B示出在第一电极EL1包括第一子电极EL1a、第二子电极EL1b、第三子电极EL1c和第四子电极EL1d的实施例中的第一区域R1、第二区域R2和第三区域R3。为了便于解释，在图5A、图5B、图6A和图6B中已经省略了每个子电极EL1a、EL1b、EL1c和/或EL1d与薄膜晶体管之间的连接部。
参照在图5A和图5B中示出的实施例，第三区域R3具有与显示区域DP的形状基本相同的形状。在这些实施例中，显示区域DP的形状根据每个像素PXL而变化。在该实施例中，作为代表性示例，显示区域DP具有矩形形状。
根据该实施例，第二区域R2可以具有各种形状，只要在平面图中观看时，第二区域R2与狭缝SLT的两个端部叠置即可。例如，根据实施例，第二区域R2可以具有四边形形状，例如，如图5A所示的梯形形状，或如图5B所示的矩形形状。在该实施例中，当在平面图中观看时，矩形形状或梯形形状的一侧与第三区域R3的一侧的部分匹配。根据该实施例，在第一子电极EL1a和第二子电极EL1b的彼此面对的侧部的两端处的顶点在第二区域R2中。
第二区域R2可以仅与狭缝SLT的两个端部和彼此面对的第一子电极EL1a和第二子电极EL1b的顶点的周围区域对应，如图5A所示，但是根据另一实施例，第二区域R2也可以与沿第一子电极EL1a和第二子电极EL1b的其它侧的区域对应。
参照在图6A和图6B中示出的实施例，第三区域R3具有与显示区域DP的形状基本相同的形状。在该实施例中，第一电极EL1包括第一子电极EL1a至第四子电极EL1d，第一子电极EL1a至第四子电极EL1d通过沿第一方向D1延伸的第一狭缝SLT1和沿第二方向D2延伸的第二狭缝SLT2彼此分隔开。在该实施例中，第二区域R2可以具有各种形状，当在平面图中观看时，第二区域R2可以在第一狭缝SLT1和第二狭缝SLT2的两个端部处，并且可以与第一狭缝SLT1和第二狭缝SLT2中的每个的两个端部叠置。
在实施例中，第二区域R2具有梯形形状，如图6A所示，或具有与第一电极EL1的外周对应的环形形状，如图6B所示。在图6B中示出的实施例中，第三区域R3在与第一电极EL1的外周对应的环形形状的内侧。在这些实施例中，梯形形状的一侧与第三区域R3的一侧的一部分匹配，环形形状的内侧或边缘与第三区域R3的侧部或外边缘匹配。
图5A、图5B、图6A和图6B示出了根据实施例的包括两个或四个子电极的第一电极EL1，但是子电极的数量不应局限于此。根据这些实施例，虽然子电极的数量会变化，但是第二区域R2与限定子电极的狭缝SLT的两个端部叠置，因此，可以防止彼此相邻的子电极短路。
图7是示出根据本发明的实施例的用于修复在显示装置的第一电极中的缺陷的方法的示意性平面图。
参照在图7中示出的实施例，第一电极EL1包括第一子电极EL1a和第二子电极EL1b。根据该实施例，当缺陷DF(例如，外来物质)出现在第二子电极EL1b中时，例如通过使用激光束使第二子电极EL1b和驱动薄膜晶体管TR2的第二漏电极DE2之间的连接部断开。根据该实施例，第二子电极EL1b和驱动薄膜晶体管TR2的第二漏电极DE2之间的断开的部分用断开线CL表示。
在该实施例中，当其中出现缺陷DF的第二子电极EL1b与第二漏电极DE2断开时，图像信号不被施加到第二子电极EL1b，因此，第二子电极EL1b不显示图像。然而，在该实施例中，由于第一子电极EL1a仍然连接或结合到第二漏电极DE2，所以图像信号被施加到第一子电极EL1a，因此，第一子电极EL1a可以显示图像。因此，虽然缺陷DF发生在第一电极EL1的该部分中(即，在第二子电极EL1b中)，但是通过这种修复工艺(例如，断开线CL)可以使像素PXL正常运行，从而可以正常显示图像，而与缺陷DF无关。
虽然已经在上面描述了本发明的实施例，但是将理解的是本发明不应该受限于这些实施例，而是在由权利要求限定的本发明的精神和范围内，本领域普通技术人员可以进行各种改变和变形。
Claims (20)
1.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括：
基底；
钝化层，位于所述基底上，所述钝化层包括具有第一厚度的区域和具有比所述第一厚度小的第二厚度的区域；
第一电极，位于所述钝化层上，并且包括通过具有两个端部的狭缝彼此分隔开的至少两个子电极；
发光层，位于所述第一电极上；以及
第二电极，位于所述发光层上；
其中，所述狭缝的两个端部位于所述钝化层的具有所述第二厚度的所述区域中。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
其中，具有所述第一厚度的所述区域在第一区域中，具有比所述第一厚度小的所述第二厚度的所述区域在所述钝化层的第二区域中，
其中，所述钝化层在第三区域中限定开口，并且所述狭缝的两个端部与所述第二区域叠置。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，所述基底包括被构造为显示图像的显示区域和围绕所述显示区域的不显示图像的非显示区域，其中，所述钝化层的所述第三区域与所述显示区域叠置。
4.如权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述第二区域具有四边形形状，并且所述第二区域的所述四边形形状的一侧与所述第三区域的侧部中的一个的部分匹配。
5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述钝化层包括有机绝缘材料或无机绝缘材料。
6.如权利要求5所述的显示装置，其特征在于，所述钝化层包括多层结构。
7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置还包括位于所述基底和所述钝化层之间以向所述子电极中的每个施加图像信号的薄膜晶体管。
8.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述子电极中的至少一个与所述薄膜晶体管断开。
9.一种制造显示装置的方法，其特征在于，所述方法包括下述步骤：
在基底上形成钝化层，所述钝化层包括具有第一厚度的第一区域和具有比所述第一厚度小的第二厚度的第二区域；
在所述钝化层上形成第一电极，所述第一电极包括通过具有两个端部的狭缝彼此分隔开的多个子电极；
在所述第一电极上形成有机发光层；以及
在所述有机发光层上形成第二电极，
其中，所述狭缝的两个端部在所述钝化层的所述第二区域中。
10.如权利要求9所述的方法，其特征在于，形成所述钝化层的步骤包括：
在所述基底上形成绝缘层；以及
使所述绝缘层图案化以在所述第一区域中具有所述第一厚度，在所述第二区域中具有所述第二厚度，在第三区域中具有开口。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述狭缝的两个端部与所述第二区域叠置。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于，使所述绝缘层图案化的步骤包括：
在所述基底上形成光敏有机材料；
在所述光敏有机材料上设置掩模；
通过所述掩模对所述光敏有机材料进行曝光；以及
使所述光敏有机材料显影。
13.如权利要求12所述的方法，其特征在于，所述掩模包括半色调掩模或衍射掩模。
14.如权利要求13所述的方法，其特征在于，所述光敏有机材料包括正型光致抗蚀剂或负型光致抗蚀剂。
15.如权利要求14所述的方法，其特征在于，所述光敏有机材料包括正型光致抗蚀剂，所述掩模在所述第一区域中阻挡向所述光敏有机材料行进的光，在所述第二区域中透射所述光的一部分并阻挡所述光的剩余部分，并且在所述第三区域中透射所述光。
16.如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述基底包括被构造为显示图像的显示区域和围绕所述显示区域的不显示图像的非显示区域，其中，所述第三区域与所述显示区域叠置。
17.如权利要求16所述的方法，其特征在于，所述第二区域具有四边形形状，并且所述第二区域的所述四边形形状的一侧与所述第三区域的侧部中的一个的部分匹配。
18.如权利要求17所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：在形成所述钝化层之前，在所述基底上形成薄膜晶体管。
19.一种用于修复显示装置的方法，其特征在于，所述方法包括：
检查其中发生了缺陷的子电极；以及
将其中发生了所述缺陷的所述子电极与所述显示装置的薄膜晶体管断开，
其中，所述显示装置包括：
基底；
所述薄膜晶体管，位于所述基底上；
钝化层，位于所述薄膜晶体管上；
第一电极，位于所述钝化层上并且包括彼此分隔开的至少两个子电极；
发光层，位于所述第一电极上；以及
第二电极，位于所述发光层上。
20.如权利要求19所述的方法，其特征在于，通过激光束将其中发生了所述缺陷的所述子电极与所述薄膜晶体管断开。
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Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106847857A (zh) * | 2015-11-13 | 2017-06-13 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
| CN110782808A (zh) * | 2018-07-24 | 2020-02-11 | 乐金显示有限公司 | 具有镜子功能的显示装置 |
| CN112420962A (zh) * | 2020-12-02 | 2021-02-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| US11038140B2 (en) | 2017-02-13 | 2021-06-15 | Sony Corporation | Display device, electronic device, and method of producing display device |
| CN113692648A (zh) * | 2019-04-16 | 2021-11-23 | 三星显示有限公司 | 显示装置及制造显示装置的方法 |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102417123B1 (ko) * | 2014-11-17 | 2022-07-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| KR102505879B1 (ko) * | 2016-03-24 | 2023-03-06 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
| DE102016111320A1 (de) * | 2016-06-21 | 2017-12-21 | Osram Oled Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines organischen lichtemittierenden Bauelements und organisches lichtemittierendes Bauelement |
| CN106098740B (zh) * | 2016-08-04 | 2019-11-01 | 深圳市景方盈科技有限公司 | 有机发光二极管显示面板及装置的制造方法 |
| CN105977281B (zh) * | 2016-08-04 | 2019-03-15 | 深圳爱易瑞科技有限公司 | 有机发光二极管显示装置、面板 |
| KR102648132B1 (ko) * | 2016-12-26 | 2024-03-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
| KR102523976B1 (ko) * | 2017-11-21 | 2023-04-20 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이 장치 |
| CN108010954B (zh) * | 2017-12-15 | 2023-12-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示面板 |
| KR102519399B1 (ko) * | 2018-01-02 | 2023-04-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| KR102679757B1 (ko) * | 2018-12-13 | 2024-06-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계 발광 표시 장치 |
| CN110854164A (zh) * | 2019-10-25 | 2020-02-28 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示装置 |
| KR20220078009A (ko) | 2020-12-02 | 2022-06-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치 및 표시 장치의 제조방법 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070195248A1 (en) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Samsung Electronics Co., Ltd | Display device |
| US20130044095A1 (en) * | 2011-08-18 | 2013-02-21 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method for manufacturing the same |
| US20130320314A1 (en) * | 2012-06-01 | 2013-12-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100669728B1 (ko) * | 2004-09-20 | 2007-01-16 | 삼성에스디아이 주식회사 | 분할된 화소전극을 구비한 유기전계 발광표시장치 |
| JP2007286081A (ja) | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Hitachi Displays Ltd | 有機ｅｌ表示装置 |
| KR101294269B1 (ko) | 2006-05-24 | 2013-08-08 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시기판과 그 제조방법 및 이를 갖는 액정표시장치 |
| KR20090002742A (ko) | 2007-07-04 | 2009-01-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조 방법 |
| JP4600786B2 (ja) | 2007-12-18 | 2010-12-15 | ソニー株式会社 | 表示装置およびその製造方法 |
| KR101022156B1 (ko) | 2009-02-16 | 2011-03-17 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 유기전계발광 표시장치의 화소수리구조 및 그 수리방법 |
| JP2012008404A (ja) | 2010-06-25 | 2012-01-12 | Panasonic Corp | 有機ｅｌ表示装置 |
| JP5462257B2 (ja) | 2010-08-06 | 2014-04-02 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ表示パネル、表示装置、及び有機ｅｌ表示パネルの製造方法 |
-
2014
- 2014-03-25 KR KR1020140034870A patent/KR102164949B1/ko active IP Right Grant
- 2014-10-02 US US14/505,391 patent/US9391292B2/en active Active
-
2015
- 2015-03-24 CN CN201510128873.5A patent/CN104952903B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070195248A1 (en) * | 2006-02-16 | 2007-08-23 | Samsung Electronics Co., Ltd | Display device |
| US20130044095A1 (en) * | 2011-08-18 | 2013-02-21 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method for manufacturing the same |
| US20130320314A1 (en) * | 2012-06-01 | 2013-12-05 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light emitting diode display |
| CN103456763A (zh) * | 2012-06-01 | 2013-12-18 | 三星显示有限公司 | 有机发光二极管显示器 |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106847857A (zh) * | 2015-11-13 | 2017-06-13 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
| CN106847857B (zh) * | 2015-11-13 | 2022-02-08 | 三星显示有限公司 | 有机发光显示装置及其制造方法 |
| US11812642B2 (en) | 2015-11-13 | 2023-11-07 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus and method of manufacturing the same |
| US11038140B2 (en) | 2017-02-13 | 2021-06-15 | Sony Corporation | Display device, electronic device, and method of producing display device |
| CN110782808A (zh) * | 2018-07-24 | 2020-02-11 | 乐金显示有限公司 | 具有镜子功能的显示装置 |
| CN110782808B (zh) * | 2018-07-24 | 2022-07-12 | 乐金显示有限公司 | 具有镜子功能的显示装置 |
| CN113692648A (zh) * | 2019-04-16 | 2021-11-23 | 三星显示有限公司 | 显示装置及制造显示装置的方法 |
| CN112420962A (zh) * | 2020-12-02 | 2021-02-26 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
| WO2022116332A1 (zh) * | 2020-12-02 | 2022-06-09 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 显示面板及其制作方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104952903B (zh) | 2019-09-03 |
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| US9391292B2 (en) | 2016-07-12 |
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| KR102164949B1 (ko) | 2020-10-14 |
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