JP6229658B2 - 薄膜トランジスタ及びその製造方法、画像表示装置 - Google Patents
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Description
このため、例えば特許文献1においてはインクジェット法を用いて所望の場所に半導体層を形成することにより、トランジスタ素子間の電気的分離を実現している。また、例えば特許文献2においてはソース電極、ドレイン電極の間のチャネル部に半導体溶液を注入することによって、トランジスタ素子間の電気的分離を実現している。
また、薄膜トランジスタにおいて素子特性の向上、安定化を図るためには、トランジスタ素子間の電気的分離を行う必要がある。特許文献1、2の方法において、トランジスタ素子毎に電気的に分離された半導体層を形成する場合、アライメントのズレを2軸方向(例えば、X軸方向及びY軸方向)について考慮する必要があり、高精度が求められるため、製造の難易度が高かった。
そこで、この発明はこのような事情に鑑みてなされたものであって、薄膜トランジスタを高精度且つ容易に製造できるようにした薄膜トランジスタ及びその製造方法、画像表示装置の提供を目的とする。
また、上記の薄膜トランジスタにおいて、前記半導体層が酸化物半導体材料からなることを特徴としてもよい。
また、上記の薄膜トランジスタにおいて、前記保護層が無機化合物からなることを特徴としてもよい。
また、上記の薄膜トランジスタにおいて、前記保護層が有機物からなることを特徴としてもよい。
また、上記の薄膜トランジスタにおいて、前記保護層が無機化合物と有機物の混合物からなることを特徴としてもよい。
また、上記の薄膜トランジスタの製造方法において、前記半導体層を形成する工程では、前記各トランジスタ素子の前記ソース電極から前記ドレイン電極に至るチャネル長方向と平面視で交差する方向に該半導体層を形成することを特徴としてもよい。
また、上記の薄膜トランジスタの製造方法において、前記半導体層を形成する工程では、該半導体層を塗布法にて形成することを特徴としてもよい。
また、上記の薄膜トランジスタの製造方法において、前記保護層を形成する工程では、該保護層を塗布法にて形成することを特徴としてもよい。
また、上記の薄膜トランジスタの製造方法において、前記半導体層を部分的に除去する工程では、該半導体層を有機系溶剤、無機系溶剤、またはこれらの混合溶液で洗い流すことを特徴としてもよい。
また、上記の薄膜トランジスタの製造方法において、前記半導体層を部分的に除去する工程では、該半導体層を有機系溶剤、無機系溶剤、及びこれらの混合溶液の蒸気に曝すことで除去することを特徴としてもよい。
また、上記の画像表示装置において、前記表示媒体は、電気泳動型反射表示装置、透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置、有機EL表示装置及び無機EL表示装置の何れか一つであることを特徴としてもよい。
<第1実施形態>
(構成)
図1は、本発明の第1実施形態に係る薄膜トランジスタ100の構成例を示す平面図(透視図)である。また、図2は、図1に示した薄膜トランジスタ100において、例えば1画素に相当する部分(以下、トランジスタ素子)50をA−B−C線で切断した断面図である。図3は、トランジスタ素子50をD−E線で切断した断面図である。なお、図1では、図面の複雑化を回避するため、ゲート絶縁体層4の図示を省略している。また、図2では、A−B断面及び、これと直交するB−C断面を模式的に1つの連続した断面で示している。また、図3において、白丸中に黒丸が配置された記号は、紙面の裏側から紙面の表側へ流れる電流を模式的に示したものである。
基板1が可撓性を有することで、フレキシブル、軽量、薄型な薄膜トランジスタ100を形成することができ、ひいては薄膜トランジスタ100を用いたデバイスにおいてもこれらの利点を生かすことができる。
さらには、電子吸引性の官能基を有する化合物が、ソース電極5とドレイン電極6と、化学的に結合していることが好ましい。電子吸引性の官能基を有する化合物が、ソース電極5とドレイン電極6と、化学的に結合を有していると、ソース電極5とドレイン電極6の仕事関数をより長期間にわたり大きく維持することができ、経時でも安定したキャリア注入効率の高い薄膜トランジスタ100を得ることができ、好ましい。
次に、図1に示した薄膜トランジスタ100の製造方法を説明する。
図4〜図7は、本発明の第1実施形態に係る薄膜トランジスタ100の製造方法を工程順に示す平面図である。なお、図4〜図7では、図面の複雑化を回避するためにゲート絶縁体層4の図示を省略している。
まず、薄膜トランジスタ100の製造工程の概要について説明する。図4に示すように、基板1上にゲート電極2とキャパシタ電極3を形成する。ここでは、ゲート電極2を例えばX軸方向に平行なストライプ形状に形成する。次に、基板1上にゲート絶縁体層4(図示せず)を形成する。そして、図5に示すように、ソース電極5及びドレイン電極6を形成する。
本発明の第1実施形態では、ゲート電極2、キャパシタ電極3、ソース電極5、ドレイン電極6、半導体層7、及び保護層8を形成する工程のうち、少なくとも1つが印刷法で行われることが望ましい。薄膜トランジスタ100を低コストで形成するためには、印刷法が有用であるからである。例えば、ゲート電極2、キャパシタ電極3、ソース電極5、ドレイン電極6、半導体層7、及び保護層8を真空蒸着法やスパッタリング法、フォトリソグラフィー、エッチングを用いて形成する場合に比べ、工程数を削減することができ、且つ真空プロセスを用いないことでコストを下げることができる。印刷法は特に限定されるものではないが、例えば、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、反転オフセット印刷、スクリーン印刷、インクジェット、熱転写印刷、ディスペンサ、スピンコート、ダイコート、マイクログラビアコート、ディップコートなどの塗布法が挙げられる。
逆に、半導体層が、後述する図17に示すように、半導体層がY軸方向に平行なストライプ形状に形成される場合は、半導体層が左右どちらかにずれると、ソース電極またはドレイン電極と半導体層とが接しなくなり、チャネル部での導通ができなくなるため、歩留まりが低下する可能性がある。このため、図17及び図18に示す比較形態は、本発明の第1実施形態よりもシビアな位置合わせ精度が要求される。
なお、半導体層7のストライプ形状は上記の幅が許す範囲や、材料費が無駄にならない範囲であるならば、可能な限り広い方がアライメントの要求精度を低く抑えることができる。
ストライプ形状の保護層8の幅は特に限定されるものではないが、画素電極と接触しない幅で設けることが望ましく、少なくともチャネル部を覆う位置になるよう形成されている必要がある。
なお、保護層8のストライプ形状は上記の幅が許す範囲や、材料費が無駄にならない範囲であるならば、可能な限り広い方がアライメントの要求精度を低く抑えることができる。
これらの処理を薄膜トランジスタ100が形成された基板1に対して行うことで、レーザーや拭き取り等のアライメントが必要なトランジスタ素子の分離方法に比べて簡便に行うことができる。
また、これらの処理により、X軸方向における半導体層7の両端の位置は、同方向における保護層8の両端の位置と平面視で一致することとなる。即ち、X軸方向における半導体層7の末端を半導体層7の端部とした場合、半導体層7の端部は、保護層8の幅方向(即ち短辺方向)の端部と一致するよう形成される。
本発明の第1実施形態によれば、薄膜トランジスタ100を製造する過程で、半導体層7をX軸方向に平行、且つ各トランジスタ素子50の形成領域に亘るストライプ形状に形成することにより、アライメントのズレをY軸方向の1軸に抑えることができる。また、保護層8をY軸方向に平行、且つ各トランジスタ素子50の形成領域に亘るストライプ形状に形成することにより、アライメントのズレをX軸方向の1軸方向に抑えることができる。これにより、半導体層7や保護層8を高精度に形成することができる。
また、保護層8を形成した後で、半導体層7のうちの保護層8下から露出している部分を有機溶剤、無機溶剤、若しくはそれらの混合溶液を用いて除去する。これにより、トランジスタ素子50間の電気的分離を容易に且つ自己整合的に行うことができる。よって、薄膜トランジスタ100を高精度且つ容易に製造することができる。
特に、半導体層のアライメント精度に優れた構造である。
尚、本発明の第1実施形態に係る薄膜トランジスタ100は、1画素に相当するトランジスタ素子50をマトリックス状に複数配置して薄膜トランジスタアレイとして用いることができる。薄膜トランジスタアレイの場合は、必要に応じて層間絶縁膜や上部画素電極、ガスバリア層、平坦化膜、遮光膜などを形成してもよい。薄膜トランジスタアレイは、画像表示装置として用いることができる。
(構成)
図9は、本発明の第2実施形態に係る薄膜トランジスタ300の構成例を示す平面図(透視図)である。また、図10は、図9に示した薄膜トランジスタ300において、例えば1画素に相当する部分(以下、トランジスタ素子)250をA−B−C線で切断した断面図である。図11は、トランジスタ素子250をD−E線で切断した断面図である。なお、図9では、図面の複雑化を回避するため、ゲート絶縁体層204の図示を省略している。また、図10では、A−B断面及び、これと直交するB−C断面を模式的に1つの連続した断面で示している。また、図11において、白丸中に黒丸が配置された記号は、紙面の裏側から紙面の表側へ流れる電流を模式的に示したものである。
次に、図9に示した薄膜トランジスタ300の製造方法を説明する。
図12〜図15は、本発明の第2実施形態に係る薄膜トランジスタ300の製造方法を工程順に示す平面図である。なお、図12〜図15では、図面の複雑化を回避するためにゲート絶縁体層204の図示を省略している。
まず、薄膜トランジスタ300の製造工程の概要について説明する。
図12に示すように、基板201上にゲート電極202とキャパシタ電極203を形成する。ここでは、ゲート電極202を例えばX軸方向に平行なストライプ形状に形成する。次に、基板201上にゲート絶縁体層204(図示せず)を形成する。そして、図13に示すように、ソース電極205及びドレイン電極206を形成する。
本発明の第2実施形態では、ゲート電極202、キャパシタ電極203、ソース電極205、ドレイン電極206、半導体層207、及び保護層208を形成する工程のうち、少なくとも1つが印刷法で行われることが望ましい。その理由は、第1実施形態と同じであり、薄膜トランジスタ300を低コストで形成するためには、印刷法が有用であるからである。特に、半導体層207の形成方法が凸版印刷法であることが望ましい。
半導体層207の膜がソース電極205及びドレイン電極206を乗り越えないで形成されている箇所は、印刷の前後の被印刷箇所が平坦なゲート絶縁体層204であるため、塗液のレベリングやゲート絶縁体層204の平坦性によって印刷された膜の平坦性が高くなる。
逆に、半導体層がソース電極及びドレイン電極の間を流れる電流の向きと平行なストライプ形状の場合、即ち半導体層がソース電極及びドレイン電極を乗り越えて形成される場合には、電極の段差による塗液のレベリング不良や、被印刷箇所が電極からゲート絶縁体層へと変わるために印刷された膜の平坦性が低下し、半導体層の結晶性や移動度が低下する可能性がある。
逆に、ソース電極及びドレイン電極の間を流れる電流の向きと平行なストライプ形状は、ソース電極及びドレイン電極の端部と直交するため、半導体層はソース電極及びドレイン電極を乗り越えて形成される。
なお、半導体層207のストライプ形状は上記の幅が許す範囲や、材料費が無駄にならない範囲であるならば、可能な限り広い方がアライメントの要求精度を低く抑えることができる。
保護層208を孤立パターンの小さいドットで形成する場合のデメリットと、ストライプの形状で形成することのメリットは、第1実施形態で説明した保護層8の場合と同じである。ストライプ形状の保護層208の幅は特に限定されるものではないが、画素電極と接触しない幅で設けることが望ましく、少なくともチャネル部を覆う位置になるよう形成されている必要がある。
なお、保護層208のストライプ形状は上記の幅が許す範囲や、材料費が無駄にならない範囲であるならば、可能な限り広い方がアライメントの要求精度を低く抑えることができる。
さらに、半導体層207のうちの保護層208で被覆されていない部分は除去するだけでなく、半導体活性を失わせて導電性を失わせるような処理をしても良い。このとき、保護層208が除去されないような処理を行うことは言うまでも無い。
また、これらの処理により、Y軸方向における半導体層207の両端の位置は、同方向における保護層208の両端の位置と平面視で一致することとなる。即ち、Y軸方向における半導体層207の末端を半導体層207の端部とした場合、半導体層207の端部は、保護層208の幅方向(即ち短辺方向)の端部と一致するよう形成される。
本発明の第2実施形態によれば、薄膜トランジスタ300を製造する過程で、半導体層207をY軸方向に平行、且つ各トランジスタ素子250の形成領域に亘るストライプ形状に形成することにより、アライメントのズレをX軸方向の1軸に抑えることができる。また、保護層208をX軸方向に平行、且つ各トランジスタ素子250の形成領域に亘るストライプ形状に形成することにより、アライメントのズレをY軸方向の1軸方向に抑えることができる。これにより、半導体層207や保護層208を高精度に形成することができる。
特に、半導体層のスイッチング性能に優れた構造である。
尚、本発明の第2実施形態においても、第1実施形態で説明した変形例を適用してよい。
図16は、本発明の第2実施形態に係る画像表示装置400の構成例を示す断面図である。図16に示すように、この画像表示装置400は、例えば、上記の薄膜トランジスタ(薄膜トランジスタアレイ)300と、薄膜トランジスタ300上に形成された層間絶縁膜310と、層間絶縁膜310上に形成され、ドレイン電極206に電気的に接続された画素電極320と、画素電極320上に形成された共通電極330を含む表示媒体340と、を備える。表示媒体340としては、例えば、電気泳動型反射表示装置などの電子ペーパー、有機EL表示装置、無機EL表示装置、透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置などが挙げられる。
図17は、本発明の比較形態に係る薄膜トランジスタ500の構成例を示す平面図である。また、図18は、図17に示した薄膜トランジスタにおいて、1画素に相当する部分(以下、トランジスタ素子)450をA´−B´−C´線で切断した断面図である。
なお、図17では、図面の複雑化を回避するため、ゲート絶縁体層404の図示を省略している。また、図18では、A´−B´断面及び、これと直交するB´−C´断面を模式的に1つの連続した断面で示している。
図17に示すように、この薄膜トランジスタ500では、半導体層407と保護層408はともに、X軸方向に平行なストライプ形状に形成されている。半導体層407と保護層408は互いに平行に配置されており、交差していない。
(実施例1)
本発明者は、図6に示したように塗布法にて半導体層7をストライプ形状に形成し、図7に示したように半導体層7と直交する方向にストライプ形状に保護層8を形成する。その後、半導体層7のうちの保護層8下から露出している部分(即ち、保護層8で被覆されていない部分)を除去することで、素子分離を行った薄膜トランジスタアレイを作製した(実施例1)。
実施例1で行った、ボトムゲート・ボトムコンタクト型の薄膜トランジスタの製造方法について説明する。まず、基板1の材料として、帝人デュポン製、ポリエチレンナフタレート(PEN)、厚さ125μmを用いた。
次に、ゲート絶縁体層4の材料として、Aldrich製、ポリビニルフェノールをシクロヘキサノンに10重量%溶解させた溶液を用いた。ゲート絶縁体層の溶液をダイコータ法により塗布し、180℃で1時間乾燥させて形成した。
次に、ソース電極5及びドレイン電極6の材料として、住友電工製、ナノ銀とAldrich製、ポリエチレングリコール#200との重量比が8:1であるナノ銀インキを用いた。ナノ銀インキを反転オフセット印刷法により印刷し、180℃で1時間乾燥させてソース電極5及びドレイン電極6を形成した。
次に、封止材料としてポリビニルアルコール(Aldrich製)を純水に5重量%で溶解させたインキを用い、半導体層7と直交する方向に保護層8を形成した。
次に、半導体層7の保護層8で被覆されていない部分をトルエンで洗い流すことで素子の分離を行った。実施例1では、オフ状態での電流(リーク電流)値を小さくすることができた。
保護層8を形成する工程までは実施例1と全く同様な方法で薄膜トランジスタを作成した。次に、半導体層7の保護層8で被覆されていない部分をトルエンの蒸気に曝すことで除去して素子の分離を行った(実施例2)。実施例2では、オフ状態での電流(リーク電流)値を小さくすることができた。
半導体層7の材料としてIn―Ga−Zn―O系酸化物溶液を用いた。半導体層7は、凸版印刷法を用いて形成するため、凸版として感光性樹脂凸版、150線のアニロックスロールを用いて半導体層7の溶液をチャネル部を流れる電流の方向と水平方向になるように印刷し、350℃、30分間ホットプレートにてアニール処理をして形成した。保護層8までの形成プロセスにおいて、半導体層7の形成プロセス以外は実施例1と全く同様な方法で薄膜トランジスタを作成した。次に、半導体層7の保護層8で被覆されていない部分を塩酸で洗い流すことで素子の分離を行った(実施例3)。実施例3では、オフ状態での電流(リーク電流)値を小さくすることができた。
保護層8を形成する工程までは実施例3と全く同様な方法で薄膜トランジスタを作成した。次に、半導体層7の保護層8で被覆されていない部分を塩酸の蒸気に曝すことで除去して素子の分離を行った(実施例4)。実施例4では、オフ状態での電流(リーク電流)値を小さくすることができた。
(比較例1)
ストライプ形状の保護層8を形成する工程まで、実施例1と同じである。比較例1では、半導体層7の保護層8で被覆されていない部分を除去せずに素子の分離を行わなかった。比較例1では、オフ状態での電流(リーク電流)値が高くなってしまった。
(比較例2)
保護層8を形成する工程までは実施例3と全く同様な方法で薄膜トランジスタを作成した。比較例2では、半導体層7の保護層8で被覆されていない部分を除去せずに素子の分離を行わなかった。比較例2では、オフ状態での電流(リーク電流)値が高くなってしまった。
以上説明したように、実施例1〜4では、塗布法にて半導体層7をストライプ形状に形成して、半導体層7と直交する方向に塗布法にて保護層8を形成後、半導体層7の保護層8で被覆されていない部分を有機系溶剤、無機系溶剤、及びそれらの混合溶液の何れかで除去した。これにより、比較例1、2と比べて、アライメント精度良く半導体層7と保護層8を形成し、かつ簡便な方法でトランジスタ素子50の分離を実現し、良好な素子特性を示す薄膜トランジスタ100を作製することができた。
(実施例5)
本発明者は、図14に示したように塗布法にて半導体層207をストライプ形状に形成し、図15に示したように半導体層207と直交する方向にストライプ形状に保護層208を形成する。その後、半導体層207のうちの保護層208下から露出している部分(即ち、保護層208で被覆されていない部分)を除去することで、素子分離を行った薄膜トランジスタアレイを作製した(実施例5)。
次に、ゲート電極202、キャパシタ電極203の材料として、住友電工製、ナノ銀とAldrich製、ポリエチレングリコール#200との重量比が8:1であるナノ銀インキを用いた。ナノ銀インキを反転オフセット印刷法によりPEN基板201上に印刷し、180℃で1時間ベークしてゲート電極202を形成した。
次に、ソース電極205及びドレイン電極206の材料として、住友電工製、ナノ銀とAldrich製、ポリエチレングリコール#200との重量比が8:1であるナノ銀インキを用いた。ナノ銀インキを反転オフセット印刷法により印刷し、180℃で1時間乾燥させてソース電極205及びドレイン電極206を形成した。
次に、封止材料としてポリビニルアルコール(Aldrich製)を純水に5重量%で溶解させたインキを用い、半導体層207と直交する方向に保護層208を形成した。
次に、半導体層207の保護層208で被覆されていない部分をトルエンで洗い流すことで素子の分離を行った。実施例5では、オフ状態での電流(リーク電流)値を小さくすることができた。
保護層208を形成する工程までは実施例5と全く同様な方法で薄膜トランジスタを作成した。次に、半導体層207の保護層208で被覆されていない部分をトルエンの蒸気に曝すことで除去して素子の分離を行った(実施例6)。実施例6では、オフ状態での電流(リーク電流)値を小さくすることができた。
半導体層207の材料としてIn―Ga−Zn―O系酸化物溶液を用いた。半導体層207は、凸版印刷法を用いて形成するため、凸版として感光性樹脂凸版、150線のアニロックスロールを用いて半導体層207の溶液をチャネル部を流れる電流の方向と水平方向になるように印刷し、350℃、30分間ホットプレートにてアニール処理をして形成した。保護層208までの形成プロセスにおいて、半導体層207の形成プロセス以外は実施例5と全く同様な方法で薄膜トランジスタを作成した。次に、半導体層207の保護層208で被覆されていない部分を塩酸で洗い流すことで素子の分離を行った(実施例7)。実施例7では、オフ状態での電流(リーク電流)値を小さくすることができた。
保護層208を形成する工程までは実施例7と全く同様な方法で薄膜トランジスタを作成した。次に、半導体層207の保護層208で被覆されていない部分を塩酸の蒸気に曝すことで除去して素子の分離を行った(実施例8)。実施例8では、オフ状態での電流(リーク電流)値を小さくすることができた。
(比較例5)
ストライプ形状の保護層208を形成する工程まで、実施例5と同じである。比較例5では、半導体層207の保護層208で被覆されていない部分を除去せずに素子の分離を行わなかった。比較例5では、オフ状態での電流(リーク電流)値が高くなってしまった。
(比較例6)
保護層208を形成する工程までは実施例7と全く同様な方法で薄膜トランジスタを作成した。比較例6では、半導体層207の保護層208で被覆されていない部分を除去せずに素子の分離を行わなかった。比較例6では、オフ状態での電流(リーク電流)値が高くなってしまった。
以上説明したように、実施例5〜8では、塗布法にて半導体層207をストライプ形状に形成して、半導体層207と直交する方向に塗布法にて保護層208を形成後、半導体層207の保護層208で被覆されていない部分を有機系溶剤、無機系溶剤、及びそれらの混合溶液の何れかで除去した。これにより、比較例5、6と比べて、アライメント精度良く半導体層207と保護層208を形成し、かつ簡便な方法でトランジスタ素子250の分離を実現し、良好な素子特性を示す薄膜トランジスタ300を作製することができた。
以上、本願が優先権を主張する、日本国特許出願2012−208496(2012年9月21日出願)及び日本国特許出願2012−208497(2012年9月21日出願)の全内容は、参照により本開示の一部をなす。
ここでは、限られた数の実施形態を参照しながら説明したが、権利範囲はそれらに限定されるものではなく、上記の開示に基づく各実施形態の改変は当業者にとって自明なことである。
2、202、402 ゲート電極
3、203、403 キャパシタ電極
4、204、404 ゲート絶縁体層
5、205、405 ソース電極
6、206、406 ドレイン電極
7、207、407 半導体層
7a、207a チャネル部
8、208、408 保護層
50、250、450 トランジスタ素子
100、300、500 薄膜トランジスタ
110、310 層間絶縁膜
120、320 画素電極
130、330 共通電極
140、340 表示媒体
200、400 画像表示装置
Claims (18)
- 基板と、前記基板上に形成された複数のトランジスタ素子と、を備えた薄膜トランジスタであって、
前記各トランジスタ素子は、
前記基板上に形成されたゲート電極と、
前記基板上に形成されて前記ゲート電極を覆うゲート絶縁体層と、
前記ゲート絶縁体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極上から前記ゲート絶縁体層上を通って前記ドレイン電極上にかけて形成された半導体層と、
前記半導体層上に形成された保護層と、を有し、
前記保護層は、前記各トランジスタ素子の前記ソース電極から前記ドレイン電極に至るチャネル長方向と平面視で交差し、且つ前記各トランジスタ素子に亘るストライプ形状に形成されており、
平面視で前記チャネル長方向において、前記半導体層の両端の位置と前記保護層の両端の位置とが一致しており、
前記チャネル長方向と平面視で交差する方向において、前記ゲート電極の前記保護層と平面視で重なる領域の幅は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極の前記保護層と平面視で重なる各領域の幅よりも狭く、前記半導体層の前記保護層と平面視で重なる領域の幅よりも広いことを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記ソース電極は、前記チャネル長方向に平行であって、前記ドレイン電極に向かって突出するソース電極突出部を備え、
前記ドレイン電極は、前記チャネル長方向に平行であり、且つ前記ソース電極突出部と対向するように突出するドレイン電極突出部を備え、
前記ゲート電極は、前記ソース電極突出部及び前記ドレイン電極突出部と平面視で重なるように、前記各トランジスタ素子に亘るストライプ形状に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタ。 - 基板と、前記基板上に形成された複数のトランジスタ素子と、を備えた薄膜トランジスタであって、
前記各トランジスタ素子は、
前記基板上に形成されたゲート電極と、
前記基板上に形成されて前記ゲート電極を覆うゲート絶縁体層と、
前記ゲート絶縁体層上に形成されたソース電極及びドレイン電極と、
前記ソース電極上から前記ゲート絶縁体層上を通って前記ドレイン電極上にかけて形成された半導体層と、
前記半導体層上に形成された保護層と、を有し、
前記保護層は、前記各トランジスタ素子の前記ソース電極から前記ドレイン電極に至るチャネル長方向に平行、且つ前記各トランジスタ素子に亘るストライプ形状に形成されており、
平面視で前記チャネル長方向と交差する方向において、前記半導体層の両端の位置と前記保護層の両端の位置とが一致していることを特徴とする薄膜トランジスタ。 - 前記半導体層が有機半導体材料からなることを特徴とする請求項1から請求項3の何れか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記半導体層が酸化物半導体材料からなることを特徴とする請求項1から請求項3の何れか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記保護層が無機化合物からなることを特徴とする請求項1から請求項5の何れか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記保護層が有機物からなることを特徴とする請求項1から請求項5の何れか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 前記保護層が無機化合物と有機物の混合物からなることを特徴とする請求項1から請求項5の何れか一項に記載の薄膜トランジスタ。
- 基板上に複数のトランジスタ素子を有する薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記基板上にゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート電極を覆うように前記基板上にゲート絶縁体層を形成して工程と、
前記ゲート絶縁体層上にソース電極及びドレイン電極を形成する工程と、
前記ソース電極上から前記ゲート絶縁体層上を通って前記ドレイン電極上にかけて半導体層を形成する工程と、
前記半導体層上に保護層を形成する工程と、
前記半導体層を部分的に除去して前記各トランジスタ素子間を電気的に分離する工程と、を有し、
前記半導体層を形成する工程では、前記各トランジスタ素子の形成領域に跨るストライプ形状に該半導体層を形成し、
前記保護層を形成する工程では、前記半導体層と平面視で交差し、且つ前記各トランジスタ素子の形成領域に亘るストライプ形状に該保護層を形成し、
前記半導体層を部分的に除去する工程では、前記保護層をマスクに用いて該半導体層をエッチングすることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。 - 前記半導体層を形成する工程では、前記各トランジスタ素子の前記ソース電極から前記ドレイン電極に至るチャネル長方向と平行な方向に該半導体層を形成することを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記半導体層を形成する工程では、前記各トランジスタ素子の前記ソース電極から前記ドレイン電極に至るチャネル長方向と平面視で交差する方向に該半導体層を形成することを特徴とする請求項9に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記半導体層を形成する工程では、該半導体層を塗布法にて形成することを特徴とする請求項9から請求項11の何れか一項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記保護層を形成する工程では、該保護層を塗布法にて形成することを特徴とする請求項9から請求項12の何れか一項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記塗布法は、凸版印刷、凹版印刷、平版印刷、反転オフセット印刷、スクリーン印刷、インクジェット、熱転写印刷、ディスペンサ、スピンコート、ダイコート、マイクログラビアコート、ディップコートの何れかであることを特徴とする請求項12または請求項13に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記半導体層を部分的に除去する工程では、該半導体層を有機系溶剤、無機系溶剤、またはこれらの混合溶液で洗い流すことを特徴とする請求項9から請求項14の何れか一項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 前記半導体層を部分的に除去する工程では、該半導体層を有機系溶剤、無機系溶剤、及びこれらの混合溶液の蒸気に曝すことで除去することを特徴とする請求項9から請求項14の何れか一項に記載の薄膜トランジスタの製造方法。
- 請求項1から請求項8の何れか一項に記載の薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタ上に形成された層間絶縁膜と、
前記層間絶縁膜上に形成され、前記ドレイン電極に電気的に接続された画素電極と、
前記画素電極上に形成された共通電極を含む表示媒体と、を備えることを特徴とする画像表示装置。 - 前記表示媒体は、電気泳動型反射表示装置、透過型液晶表示装置、反射型液晶表示装置、半透過型液晶表示装置、有機EL表示装置及び無機EL表示装置の何れか一つであることを特徴とする請求項17に記載の画像表示装置。
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