JP5286826B2 - 薄膜トランジスタアレイ、薄膜トランジスタアレイの製造方法、およびアクティブマトリスクディスプレイ - Google Patents
薄膜トランジスタアレイ、薄膜トランジスタアレイの製造方法、およびアクティブマトリスクディスプレイ Download PDFInfo
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Description
Science Vol.265,1684(1994)
るものであることを特徴とする請求項9に記載のアクティブマトリクスディスプレイで
ある。
図20は本発明の実施形態の一例を示す薄膜トランジスタアレイ(ボトムゲート・トップコンタクト型)の模式図である。
図21は図20の1画素分の拡大図である。
図22は図20の断面図である。
本実施例では、図1、図2(拡大図)、図3(断面図)に示すようなボトムゲート・ボトムコンタクト型薄膜トランジスタアレイの製造方法を示す。本トランジスタアレイは1画素サイズ500μm×500μmであり、この画素が240×320個あるものである。また、封止層のストライプの幅は200μmである。
本実施例では、実施例1と同様に図1、図2(拡大図)、図3(断面図)に示すようなボトムゲート・ボトムコンタクト型薄膜トランジスタアレイの製造方法を示す。実施例1と同様の方法で半導体層まで形成した。封止材料として含フッ素化合物であるフッ素系樹脂(旭硝子製サイトップ)を用いた。封止層をフレキソ印刷によりストライプ状に印刷、90℃で2時間真空乾燥し、封止層4を形成した。
本実施例では、図6、図7(拡大図)、図8(断面図)に示すようなボトムゲート・ボトムコンタクト型薄膜トランジスタアレイの製造方法を示す。封止層のストライプ幅は250μmである。
本実施例では、図9、図10(拡大図)、図11(断面図)に示すようなボトムゲート・ボトムコンタクト型薄膜トランジスタアレイの製造方法を示す。本トランジスタアレイは1画素サイズ500μm×500μmであり、この画素が240×320個あるものである。また、封止層のストライプの幅は200μmである。
本実施例では、図12、図13(拡大図)、図14(断面図)に示すようなボトムゲート・ボトムコンタクト型薄膜トランジスタアレイの製造方法を示す。本トランジスタアレイは1画素サイズ500μm×500μmであり、この画素が240×320個あるものである。また、封止層のストライプの幅は250μmである。
実施例6について説明する。図15、16,17,18に示すように、ガラス基板41としてコーニング社製無アルカリガラス1737(0.7mm厚)を用いた。ゲート電極(G1)51、キャパシタ電極(C)53として、ITOをスパッタによって成膜し、フォトレジスト塗布・露光・現像・エッチング・レジスト剥離によってパターニングした。
スクリーン印刷によりドット状、ストライプ状でなく図19に示す画素電極上に開口を有する層間絶縁膜層を形成した以外は、実施例4と同様に作製した。一部で、画素電極上の開口を形成できなかった。
本実施例では、図20、図21、図22に示すようなボトムゲート・トップコンタクト型薄膜トランジスタアレイの作製方法を示す。本トランジスタアレイは1画素サイズ125μm×125μmであり、この画素が480×640個あるものである。また、封止層のストライプの幅は35μmである。絶縁基板1としてポリエチレンナフタレート(PEN)フィルム(帝人デュポン製)を用いた。DCマグネトロンスパッタ装置を用いてITOを100nm成膜し、フォトリソグラフィー法を用いてゲート電極111、ゲート配線112、キャパシタ電極113、キャパシタ配線114を形成した。
封止層をスクリーン印刷によりストライプ状でなくドット状で形成した以外は、実施例1と同様に作製した。印刷を重ねるごとに、版の目詰まりがおきると同時に、アライメントのずれが生じた。
封止層をフレキソ印刷によりストライプ状でなくドット状で形成した以外は、実施例2と同様に作製した。フレキソ印刷ではドット状の封止層はアライメントのずれが生じ、良好に形成できなかった。
封止層をストライプ状でなくドット状で形成した以外は、実施例8と同様に作製した。リフトオフの処理時間に実施例7と比較して2倍の時間を要し、また一部にレジストが剥がれない部分が生じて、対向電極との間に電気泳動媒体を挟んで駆動したところ、一部に表示不良が発生した。
2・・・ゲート絶縁膜
3・・・半導体層
4・・・封止層
5・・・層間絶縁膜
6・・・上部画素電極
11・・・ゲート電極
12・・・ゲート配線
13・・キャパシタ電極
14・・・キャパシタ配線
15・・・画素電極
16・・・ドレイン電極
17・・・ソース電極
18・・・ソース配線
21・・・メッシュ
22・・・乳剤
23・・・版
24・・・スキージ
25・・・ペーストインク
26・・・基板
31・・・インク
32・・・インキパン
33・・・アニロックスロール
34・・・ドクターブレード
35・・・凸版
36・・・基板
37・・・画素電極と上部画素電極の接続部
41・・・基板
42・・・ゲート絶縁膜(Gl1)
43・・・有機半導体(OSC1)
44・・・封止(F1)
45・・・層間絶縁膜
46・・・上部画素電極
51・・・ゲート電極(G1)
53・・・キャパシタ電極
56・・・ドレイン電極(D1)
57・・・ソース電極(S1)
62・・・ゲート絶縁膜(Gl2)
63・・・有機半導体(OSC2)
64・・・封止(F2)
66・・・ドレイン電極(D2)
67・・・ソース電極(S2)
71・・・正孔輸送層
72・・・有機発光層
73・・・共通電極
101・・・基板
102・・・ゲート絶縁膜
103・・・半導体層
104・・・封止層
111・・・ゲート電極
112・・・ゲート配線
113・・キャパシタ電極
114・・・キャパシタ配線
115・・・画素電極
116・・・ドレイン電極
117・・・ソース電極
118・・・ソース配線
120・・・レジスト
121・・・レジスト残り
Claims (12)
- 絶縁基板上にゲート電極を有し、前記ゲート電極がゲート絶縁層をはさんでソース・ドレイン電極と重なり、少なくともソース・ドレイン間に半導体層を有し、ドレイン電極は画素電極に接続され、前記画素電極は絶縁層を挟んでキャパシタ電極と重なっている薄膜トランジスタを、複数のゲート電極に接続された複数のゲート配線と、複数のソース電極に接続された複数のソース配線を用いてマトリクス状に配置した薄膜トランジスタアレイであって、少なくとも前記半導体層上に封止層が設けられ、且つ前記封止層は複数の薄膜トランジスタをまたがる位置にストライプ形状で設けられていることを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。
- 前記ゲート配線及び複数のキャパシタ電極に接続されたキャパシタ配線の少なくとも一部が層間絶縁膜に覆われ、且つ、前記層間絶縁膜上に前記画素電極に接続した上部画素電極が設けられていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイ。
- 前記層間絶縁膜が、前記封止層間に設けられたドット状、または、前記封止層に直行して設けられた複数の薄膜トランジスタにまたがるストライプ状であることを特徴とする請求項2に記載の薄膜トランジスタアレイ。
- 前記封止層が無機絶縁材料を含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイ。
- 前記封止層が酸化窒化シリコンを含むことを特徴とする請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイ。
- 請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイの製造方法であって、前記封止層をリフトオフ法またはエッチング法で形成することを特徴とする薄膜トランジスタアレイの製造方法。
- 請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイであって、前記半導体層が有機化合物を含むことを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。
- 請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイであって、前記半導体層が無機酸化物を含むことを特徴とする薄膜トランジスタアレイ。
- 請求項1に記載の薄膜トランジスタアレイと画像表示媒体とを含むことを特徴とするアクティブマトリクスディスプレイ。
- 前記画像表示媒体が電気泳動方式によるものであることを特徴とする請求項9に記載のアクティブマトリクスディスプレイ。
- 前記画像表示媒体が液晶方式によるものであることを特徴とする請求項9に記載のアクティブマトリクスディスプレイ。
- 前記画像表示媒体が有機エレクトロルミネッセンス方式によるものであることを特徴とする請求項9に記載のアクティブマトリクスディスプレイ。
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