JP4721972B2 - 薄膜トランジスター基板と薄膜トランジスター基板の製造方法 - Google Patents
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Description
有機半導体(Organic Semiconductor layer:OSC)は、常温、常圧で形成できるため、工程単価を下がることができ、熱に弱いプラスチック基板に適用できるという長所がある。しかし、このような有機半導体は耐化学物質性能及び耐プラズマ性能が脆弱であるという短所がある。
本発明の他の目的は、薄膜トランジスターの特性が向上した薄膜トランジスター基板の製造方法を提供することにある。
そして、第2ゲート絶縁膜は、シリコン系高分子(Si polymer)、アゾビスイソブチロニトリル(azobis isobutiro nitrile:AIBN)、テトラブチルオルトチタネート(tetra butyl ortho titanate、Ti(OBu)4)及びブタノール(butanol)のうちの少なくともいずれか1つを含んで形成することができる。
そして、前記絶縁基板とゲート配線との間に形成されているデータ配線をさらに含み、データ配線は、ゲート線と電気絶縁状態で交差して画素領域を定義するデータ線と、データ線の端部に形成されているデータパッドとを含む構成とすることができる。
ここで、データ配線とゲート配線との間に形成されていて、データ線とデータパッドの少なくとも一部を露出させる第1バッファ膜接触口が形成されている第1バッファ膜をさらに含む構成とすることができる。
また、 第1バッファ膜とゲート配線との間に形成されていて、アクリル系樹脂、ポリビニールアルコール、ベンゾシクロブテン、ポリビニールフェノール系樹脂、フッ素系高分子及びポリスチレン系樹脂のうちの少なくともいずれか1つを含んでなる第2バッファ膜をさらに含む構成とすることができる。
ここで、連結部材を通じてデータパッドと接続されているデータパッド接触部材と、第1及び第2絶縁膜接触口によって露出されたゲートパッドを覆っているゲートパッド接触部材とをさらに含む構成とすることができる。
ここで、有機半導体層を覆う保護層をさらに含む構成とすることができる。
本発明の目的は、本発明によって、絶縁基板と、絶縁基板上に形成されているゲート配線と、ゲート配線上に形成されていて、ゲート配線の少なくとも一部を露出させる絶縁膜接触口が形成されているゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上にチャネル領域を定義するために互いに離間して形成されるソース電極及びドレイン電極と、チャネル領域に形成されている有機半導体層と、有機半導体層上に形成されていて、フッ素系高分子からなる第1保護層と、第1保護層上に形成されていて、透明電極物質からなる第2保護層とを含むことを特徴とする薄膜トランジスター基板によって達成される。
そして、ゲート配線は、絶縁基板上に一方向に形成されているゲート電極と、ゲート線の端部に形成されているゲートパッドと、有機半導体層に対応する位置に形成されているゲート電極と、絶縁膜接触口を覆っている連結部材とを含む構成とすることができる。
また、絶縁基板とゲート配線との間に形成されているデータ配線をさらに含み、データ配線は、ゲート線と電気絶縁状態で交差して画素領域を定義するデータ線と、データ線の端部に形成されているデータパッドとを含む構成とすることができる。
そして、第1バッファ膜とゲート配線との間に形成されていて、データ線を露出させる第2バッファ膜接触口が形成されている有機物質の第2バッファ膜を含む構成とすることができる。
本発明の目的は、本発明によって、絶縁基板と、絶縁基板上に形成されているゲート配線と、ゲート配線上に形成されていて、ゲート配線の少なくとも一部を露出させる第1絶縁膜接触口が形成されている無機物質の第1ゲート絶縁膜と、第1ゲート絶縁膜上に形成されていて、第1絶縁膜接触口に対応する第2絶縁膜接触口が形成されている有機物質の第2ゲート絶縁膜と、第2ゲート絶縁膜上にチャネル領域を定義するために互いに離間して形成されるソース電極及びドレイン電極と、チャネル領域に形成されている有機半導体層と、有機半導体層上に形成されていて、フッ素系高分子からなる第1保護層と、第1保護層上に透明電極物質からなる第2保護層とを含むことを特徴とする薄膜トランジスター基板によって達成される。
そして、第2ゲート絶縁膜は、シリコン系高分子(Si polymer)、アゾビスイソブチロニトリル(azobis isobutiro nitrile:AIBN)、テトラブチルオルトチタネート(tetra butyl ortho titanate:Ti(OBu)4)及びブタノール(butanol)のうちの少なくともいずれか1つを含む構成とすることができる。
ここで、ゲート配線は、絶縁基板上に一方向に形成されているゲート線と、ゲート線の端部に形成されているゲートパッドと、有機半導体層に対応する位置に形成されているゲート電極と、第1及び第2絶縁膜接触口を覆っている連結部材とを含む構成とすることができる。
また、データ配線とゲート配線との間にデータ線とデータパッドの少なくとも一部を露出させるバッファ膜接触口が形成されているバッファ膜を形成する段階をさらに含む構成とすることができる。
そして、有機半導体層は、蒸発法(Evaporation)によって形成することができる。
また、有機半導体層はインクジェット(inkjet)方法によって形成することができる。
そして、有機半導体層は、蒸発法によって形成されることができる。
また、第2保護層は、フォトエッチング工程を通じてチャネル領域上に局部的に位置するようにパターニングすることができる。
そして、有機半導体層は、インクジェット方法によって形成することができる。
また、薄膜トランジスターの特性が向上した薄膜トランジスター基板の製造法を提供することができる。
図1は本発明による薄膜トランジスター基板の配置図を概略的に示したものであり、図2は図1のII-II線による断面図である。
絶縁基板110上には、データ配線120を覆うように第1バッファ膜130が形成されている。第1バッファ膜130はデータ配線120とゲート配線140との間の電気的絶縁を行うための層であって、工程性に優れた窒化ケイ素(SiNx)または酸化ケイ素(SiOx)などのような無機物質からなる無機膜であり得る。第1バッファ膜130は、データ線121とデータパッド123を露出させる第1バッファ膜接触口131、132が形成されている。酸化ケイ素または窒化ケイ素を利用して後述する第1バッファ膜130を形成するので、ゲートパッド143及びデータパッド123のOLB(outer lead bonding)の修正作業(rework)が可能である。
ゲート配線140上には第1ゲート絶縁膜150が形成されている。第1ゲート絶縁膜150は、データ配線120とゲート配線140とを相互に電気的絶縁状態にする役割を果たすと同時に、耐化学物質性能及び耐プラズマ性能が脆弱な有機半導体層170に不純物が流入することを防止する。第1ゲート絶縁膜150は耐久性に優れた酸化ケイ素(SiOx)及び窒化ケイ素(SiNx)のうちの少なくともいずれか1つを含む構成とすることができる。
第1ゲート絶縁膜150 上には厚い有機膜である第2ゲート絶縁膜155が形成されている。第2ゲート絶縁膜155は、シリコン系高分子(Si polymer)、アゾビスイソブチロニトリル(azobis isobutiro nitrile:AIBN)、テトラブチルオルトチタネート(tetra butyl ortho titanate:Ti(OBu)4)及びブタノール(butanol)のうちの少なくともいずれか1つを含む構成とすることができる。そして、第2ゲート絶縁膜155には、第1絶縁膜接触口151、152、153に対応して、ゲートパッド145を露出させる第2絶縁膜接触口158と、連結部材147、149を露出させる第2絶縁膜接触口156、157が形成されている。
透明電極層160は、ITO(indium tin oxide)またはIZO(indium zinc oxide)などの透明な導電物質で形成される。ソース電極161は、絶縁膜接触口151、156を通じてデータ線121と物理的・電気的に接続されて画像信号の伝達を受ける。そして、ゲート電極143を介在してソース電極161と離間してチャネル領域Aを定義するドレイン電極163は、ソース電極161と共に薄膜トランジスターを形成し、各画素電極165の動作を制御及び駆動するスイチング及び駆動素子として動作する。
以下、 図3a〜図3kを参照して、有機薄膜トランジスター(O-TFT)を具備した薄膜トランジスター基板の製造方法について説明する。
次に、図3bに示したように、絶縁基板110上にデータ配線物質をスパッタリング(sputtering)などの方法によって蒸着した後、フォトエッチング(photolithography)工程を通じてデータ線121、データパッド123及び光遮断膜125を形成する。ここで、光遮断膜125は選択的に形成することができる。
その後、図3fに示したように、ゲート配線140と第2バッファ膜135 上に酸化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの少なくともいずれか1つを含んでなる第1ゲート絶縁膜150を形成する。第1ゲート絶縁膜150は化学気相蒸着、プラズマ強化化学気相蒸着法によって形成されることができる。そして、感光性有機膜などを遮断壁として利用してエッチング工程を通じ第1絶縁膜接触口151、152、153を形成する。
次に、フッ素系高分子からなる第1保護層180をスピンコーティングまたはスリットコーティングを通じて有機半導体層170上に形成する。第1保護層180はデータパッド123及びゲートパッド145以外の表示領域に形成することができる。
そして、図3kに示したように、フォトエッチング工程を利用してチャネル領域Aに対応するように第2保護層190をパターニングする。
その後、パターニングされた第2保護層190を遮断壁として利用したエッチング工程を通じ有機半導体層170と第1保護層180を同時にパターニングし、図2に示したような有機薄膜トランジスター(O-TFT)を完成する。
このような構成によって、本発明の第1実施形態による有機薄膜トランジスターの作用及び効果について、図4a〜図5を参照して説明する。
図5は、本発明の第1実施形態によって、第2保護層190としてITOまたはIZOを用いる場合と、従来のようにAlを用いる場合に、ゲート電圧値の変化によるドレイン電流値を示したグラフである。図5に示したように、丸い点で表示した線は、ITO及びIZOのうちの少なくともいずれか1つを含んでなる第2保護層190を有する有機薄膜トランジスターのゲート電圧値によるドレイン電流値を示したものであり、三角形で表示した線は、Alを含む第2保護層190が形成された有機薄膜トランジスターのゲート電圧値によるドレイン電流値を示したものである。
以下、図6を参照して、本発明による第2実施形態について説明する。第2実施形態においては第1実施形態と同一の構成要素について同一の参照番号を付けた。そして、第2実施形態においては第1実施形態と異なる特徴的な部分だけを抜粹して説明し、説明が省略された部分は前記第1実施形態による。
図6に示したように、ソース電極161とドレイン電極163とによって定義されるチャネル領域Aを取り囲みながら、ソース電極161とドレイン電極163それぞれの少なくとも一部を露出させる隔壁200を形成する。隔壁200は感光性有機物質を利用して露光、現像工程を通じて形成されることができ、 他の公知の方法によっても形成可能である。
そして、完成された有機半導体層170上に第1保護層溶液をジェッティングする。保護層溶液は、溶剤によって水性とすることができ、また油性とすることもでき、保護層溶液は溶剤除去過程を経過して第1保護層180に形成され、第1保護層180の表面は平坦である。
本発明による薄膜トランジスター基板100の製造方法は、従来と異なりインクジェット方法によって有機半導体層170及び第1保護膜180を形成することによって、従来の工程と比べて相対的に製造が簡単である。また、有機半導体層170を形成した後のプラズマまたは化学物質を利用した工程が省略されるので、有機半導体層170の特性の劣化を減少することができる。
110 絶縁基板
120 データ配線
130、135 バッファ膜
140 ゲート配線
145 ゲートパッド
147、149 連結部材
151、152、153、156、157、158 絶縁膜接触口
150、155 ゲート絶縁膜
160 透明電極層
161 ソース電極
163 ドレイン電極
170 有機半導体層
180、190 保護層
300 ノズル
Claims (31)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されており、データ線と、前記データ線の端部に形成されているデータパッドとを含むデータ配線と、
前記データ配線上に形成されており、前記データ線と前記データパッドとの少なくとも一部を露出させる第1バッファ膜接触口を含む第1バッファ膜と、
前記第1バッファ膜上に形成されており、前記データ線と電気絶縁状態で交差するゲート線と、前記ゲート線の端部に形成されているゲートパッドとを含むゲート配線と、
前記ゲート配線と同一の層に形成されており、前記第1バッファ膜接触口により前記データ線と連結されている第1連結部材と、
前記ゲート配線及び前記第1連結部材上に形成されていて、前記第1連結部材及び前記ゲートパッドの少なくとも一部を露出させる第1絶縁膜接触口が形成されている無機物質の第1ゲート絶縁膜と、
前記第1ゲート絶縁膜上に形成されていて、前記第1絶縁膜接触口に対応する第2絶縁膜接触口が形成されている有機物質の第2ゲート絶縁膜と、
前記第2ゲート絶縁膜上にチャネル領域を定義するために互いに離間して形成されるソース電極及びドレイン電極と、
前記チャネル領域に形成されている有機半導体層と、
を含み、
前記ソース電極は前記第1及び第2絶縁膜接触口により前記第1連結部材と連結されていることを特徴とする薄膜トランジスター基板。 - 前記第1ゲート絶縁膜は、酸化ケイ素(SiOx)及び窒化ケイ素(SiNx)のうちの少なくともいずれか1つを含んでなることを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスター基板。
- 前記第2ゲート絶縁膜は、シリコン系高分子(Si polymer)、アゾビスイソブチロニトリル(azobis isobutiro nitrile:AIBN)、テトラブチルオルトチタネート(tetra butyl ortho titanate:Ti(OBu)4)及びブタノール(butanol)のうちの少なくともいずれか1つを含んでなることを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスター基板。
- 前記ゲート配線は、前記有機半導体層に対応する位置に形成されているゲート電極をさらに含み、
前記ゲート配線と同一の層に形成されており、前記第1バッファ膜接触口により前記データパッドと連結される第2連結部材をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスター基板。 - 前記データ配線と同一の層に形成されており、前記ゲート電極と対応する所に形成され、前記有機半導体層を覆う光遮断膜をさらに含むことを特徴とする、請求項4に記載の薄膜トランジスター基板。
- 前記第1バッファ膜は、酸化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの少なくともいずれか1つを含むことを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスター基板。
- 前記第1バッファ膜と前記ゲート配線との間に形成されていて、アクリル系樹脂、ポリビニールアルコール、ベンゾシクロブテン、ポリビニールフェノール系樹脂、フッ素系高分子及びポリスチレン系樹脂のうちの少なくともいずれか1つを含んでなる第2バッファ膜をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスター基板。
- 前記第2バッファ膜は、前記データ線を露出させる第2バッファ膜接触口が形成されていることを特徴とする、請求項7に記載の薄膜トランジスター基板。
- 前記第2連結部材を通じて前記データパッドと接続されているデータパッド接触部材と、前記第1及び第2絶縁膜接触口によって露出された前記ゲートパッドを覆っているゲートパッド接触部材とをさらに含むことを特徴とする、請求項4に記載の薄膜トランジスター基板。
- 前記ソース電極、ドレイン電極、データパッド接触部材及びゲートパッド抵触部材は同一層に形成されていて、ITO(indium tin oxide)及びIZO(indium zinc oxide)のうちのいずれか1つからなることを特徴とする、請求項9に記載の薄膜トランジスター基板。
- 前記有機半導体層を覆う保護層をさらに含むことを特徴とする、請求項1に記載の薄膜トランジスター基板。
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されており、データ線と、前記データ線の端部に形成されているデータパッドとを含むデータ配線と、
前記データ配線上に形成されており、前記データ線と前記データパッドとの少なくとも一部を露出させる第1バッファ膜接触口を含む第1バッファ膜と、
前記第1バッファ膜上に形成されており、前記データ線と電気絶縁状態で交差するゲート線と、前記ゲート線の端部に形成されているゲートパッドとを含むゲート配線と、
前記ゲート配線と同一の層に形成されており、前記第1バッファ膜接触口により前記データ線と連結されている第1連結部材と、
前記ゲート配線及び前記第1連結部材上に形成されていて、前記第1連結部材及び前記ゲートパッドの少なくとも一部を露出させる絶縁膜接触口が形成されているゲート絶縁膜と、
前記ゲート絶縁膜上にチャネル領域を定義するために互いに離間して形成されるソース電極及びドレイン電極と、
前記チャネル領域に形成されている有機半導体層と、
前記有機半導体層上に形成されていて、フッ素系高分子からなる第1保護層と、
前記第1保護層上に形成されていて、透明電極物質からなる第2保護層と、
を含み、
前記ソース電極は前記絶縁膜接触口により前記第1連結部材と連結されていることを特徴とする薄膜トランジスター基板。 - 前記第2保護層は、ITO及びIZOのうちのいずれか1つからなることを特徴とする、請求項12に記載の薄膜トランジスター基板。
- 前記ゲート配線は、前記有機半導体層に対応する位置に形成されているゲート電極をさらに含み、
前記ゲート配線と同一の層に形成されており、前記第1バッファ膜接触口により前記データパッドと連結される第2連結部材をさらに含むことを特徴とする、請求項12に記載の薄膜トランジスター基板。 - 前記第1バッファ膜は無機物質を含むことを特徴とする、請求項12に記載の薄膜トランジスター基板。
- 前記第1バッファ膜と前記ゲート配線との間に形成されていて、前記データ線を露出させる第2バッファ膜接触口が形成されている有機物質の第2バッファ膜を含むことを特徴とする、請求項15に記載の薄膜トランジスター基板。
- 前記第2連結部材を通じてデータパッドと接続されているデータパッド接触部材と、前記絶縁膜接触口によって露出されたゲートパッドを覆っているゲートパッド接触部材とをさらに含むことを特徴とする、請求項14に記載の薄膜トランジスター基板。
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板上に形成されており、データ線と、前記データ線の端部に形成されているデータパッドとを含むデータ配線と、
前記データ配線上に形成されており、前記データ線と前記データパッドとの少なくとも一部を露出させるバッファ膜接触口を含むバッファ膜と、
前記バッファ膜上に形成されており、前記データ線と電気絶縁状態で交差するゲート線と、前記ゲート線の端部に形成されているゲートパッドとを含むゲート配線と、
前記ゲート配線と同一の層に形成されており、前記バッファ膜接触口により前記データ線と連結されている連結部材と、
前記ゲート配線及び前記連結部材上に形成されていて、前記連結部材及び前記ゲートパッドの少なくとも一部を露出させる第1絶縁膜接触口が形成されている無機物質の第1ゲート絶縁膜と、
前記第1ゲート絶縁膜上に形成されていて、前記第1絶縁膜接触口に対応する第2絶縁膜接触口が形成されている有機物質の第2ゲート絶縁膜と、
前記第2ゲート絶縁膜上にチャネル領域を定義するために互いに離間して形成されるソース電極及びドレイン電極と、
前記チャネル領域に形成されている有機半導体層と、
前記有機半導体層上に形成されていて、フッ素系高分子からなる第1保護層と、
前記第1保護層上に透明電極物質からなる第2保護層と、
を含み、
前記ソース電極は前記第1及び第2絶縁膜接触口により前記第1連結部材と連結されていることを特徴とする薄膜トランジスター基板。 - 絶縁基板を準備する段階と、
前記絶縁基板上にデータ線と、前記データ線の端部に形成されているデータパッドとを含むデータ配線を形成する段階と、
前記データ配線上に前記データ線と前記データパッドとの少なくとも一部を露出させるバッファ膜接触口を含むバッファ膜を形成する段階と、
前記バッファ膜上に前記データ線と電気絶縁状態で交差するゲート線と、前記ゲート線の端部に形成されているゲートパッドとを含むゲート配線、及び前記データ線と連結される第1連結部材を形成する段階と、
前記ゲート配線及び前記第1連結部材上に前記第1連結部材及び前記ゲートパッドの少なくとも一部を露出させる第1絶縁膜接触口が形成されている無機物質の第1ゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記第1ゲート絶縁膜上に前記第1絶縁膜接触口に対応する第2絶縁膜接触口が形成されている有機物質の第2ゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記第2ゲート絶縁膜上にチャネル領域を定義するために互いに離間するソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、
前記チャネル領域に有機半導体層を形成する段階と、
を含み、
前記ソース電極は前記第1及び第2絶縁膜接触口により前記第1連結部材と連結されていることを特徴とする薄膜トランジスター基板の製造方法。 - 前記第1ゲート絶縁膜は、酸化ケイ素及び窒化ケイ素のうちの少なくともいずれか1つを含んでなることを特徴とする、請求項19に記載の薄膜トランジスター基板。
- 前記第2ゲート絶縁膜は、シリコン系高分子(Si polymer)、アゾビスイソブチロニトリル(azobis isobutiro nitrile:AIBN)、テトラブチルオルトチタネート(tetra butyl ortho titanate:Ti(OBu)4)及びブタノール(butanol)のうちの少なくともいずれか1つを含んでなることを特徴とする、請求項19に記載の薄膜トランジスター基板。
- 前記有機半導体層上に保護層を形成する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項19に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
- 前記ゲート配線は、前記有機半導体層に対応する位置に形成されているゲート電極をさらに含み、
前記ゲート配線及び第1連結部材を形成する段階は、
前記バッファ膜接触口により前記データパッドと連結される第2連結部材を形成する段階を含むことを特徴とする、請求項19に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。 - 前記ソース及びドレイン電極を形成する段階は、
前記第2連結部材を通じてデータパッドと接続されているデータパッド接触部材と、前記第1及び第2絶縁膜接触口によって露出されたゲートパッドを覆っているゲートパッド接触部材とを形成する段階を含むことを特徴とする、請求項23に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。 - 前記有機半導体層は、蒸発法(Evaporation)によって形成することを特徴とする、請求項19に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
- 前記有機半導体層は、インクジェット(inkjet)方法によって形成されることを特徴とする、請求項19に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
- 絶縁基板を備える段階と、
前記絶縁基板上にデータ線と、前記データ線の端部に形成されているデータパッドとを含むデータ配線を形成する段階と、
前記データ配線上に前記データ線と前記データパッドとの少なくとも一部を露出させるバッファ膜接触口を含むバッファ膜を形成する段階と、
前記バッファ膜上に前記データ線と電気絶縁状態で交差するゲート線と、前記ゲート線の端部に形成されているゲートパッドとを含むゲート配線、及び前記データ線と連結される連結部材を形成する段階と、
前記ゲート配線及び前記連結部材上に前記連結部材及び前記ゲートパッドの少なくとも一部を露出させる絶縁膜接触口が形成されているゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上にチャネル領域を定義するために互いに離間するソース電極及びドレイン電極を形成する段階と、
前記ソース電極及びドレイン電極上に有機半導体層、フッ素系高分子からなる第1保護層及び透明電極物質からなる第2保護層を順に形成する段階と、
前記チャネル領域に対応するように前記第2保護層をパターニングする段階と、
前記第2保護層を利用して前記有機半導体層と前記第1保護層をパターニングする段階と、
を含み、
前記ソース電極は前記第1及び第2絶縁膜接触口により前記第1連結部材と連結されていることを特徴とする薄膜トランジスター基板の製造方法。 - 前記第2保護層は、ITO及びIZOのうちのいずれか1つからなることを特徴とする、請求項27に記載の薄膜トランジスター基板。
- 蒸発法によって前記有機半導体層を形成することを特徴とする、請求項27に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
- フォトエッチング工程を通じて前記チャネル領域上に局部的に位置するように前記第2保護層をパターニングすることを特徴とする、請求項27に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
- インクジェット法によって前記有機半導体層を形成することを特徴とする、請求項27に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
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JP5521495B2 (ja) * | 2009-11-04 | 2014-06-11 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置用基板、半導体装置及び電子機器 |
KR101695296B1 (ko) * | 2012-12-27 | 2017-01-13 | 엘지디스플레이 주식회사 | 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그의 제조방법 |
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KR102141209B1 (ko) * | 2014-03-07 | 2020-08-05 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법 |
US10217771B2 (en) * | 2016-06-23 | 2019-02-26 | Samsung Display Co., Ltd. | Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof |
CN108428796B (zh) | 2017-02-14 | 2021-10-15 | 元太科技工业股份有限公司 | 有机薄膜晶体管与显示装置 |
CN111129036B (zh) * | 2019-12-25 | 2022-07-26 | Tcl华星光电技术有限公司 | 阵列基板及其制备方法、显示面板 |
CN113345837A (zh) * | 2021-05-26 | 2021-09-03 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板的制作方法及显示面板 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001244473A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-09-07 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 薄膜トランジスタ、これを利用した液晶表示装置およびそれらの製造方法 |
JP2003195354A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-09 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置、液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
JP2005051199A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-24 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、電子回路、表示装置および電子機器 |
Family Cites Families (23)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01291467A (ja) * | 1988-05-19 | 1989-11-24 | Toshiba Corp | 薄膜トランジスタ |
JPH07176749A (ja) | 1993-12-20 | 1995-07-14 | Sharp Corp | 薄膜トランジスタ |
US5835177A (en) * | 1995-10-05 | 1998-11-10 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Array substrate with bus lines takeout/terminal sections having multiple conductive layers |
US5946551A (en) | 1997-03-25 | 1999-08-31 | Dimitrakopoulos; Christos Dimitrios | Fabrication of thin film effect transistor comprising an organic semiconductor and chemical solution deposited metal oxide gate dielectric |
JP3354431B2 (ja) | 1997-03-31 | 2002-12-09 | 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 | 電気絶縁性薄膜形成用組成物および電気絶縁性薄膜の形成方法 |
JP3646510B2 (ja) | 1998-03-18 | 2005-05-11 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜形成方法、表示装置およびカラーフィルタ |
US6207472B1 (en) | 1999-03-09 | 2001-03-27 | International Business Machines Corporation | Low temperature thin film transistor fabrication |
JP4801238B2 (ja) | 1999-03-23 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
TW499596B (en) | 2000-03-30 | 2002-08-21 | Allied Material Technology Cor | Structure and manufacturing method of liquid crystal display with organic light-emitting material thin film transistor |
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US6452207B1 (en) | 2001-03-30 | 2002-09-17 | Lucent Technologies Inc. | Organic semiconductor devices |
US20020171125A1 (en) * | 2001-05-17 | 2002-11-21 | Zhenan Bao | Organic semiconductor devices with short channels |
US7148508B2 (en) * | 2002-03-20 | 2006-12-12 | Seiko Epson Corporation | Wiring substrate, electronic device, electro-optical device, and electronic apparatus |
DE10240105B4 (de) * | 2002-08-30 | 2005-03-24 | Infineon Technologies Ag | Herstellung organischer elektronischer Schaltkreise durch Kontaktdrucktechniken |
CN1267780C (zh) * | 2002-11-11 | 2006-08-02 | Lg.飞利浦Lcd有限公司 | 用于液晶显示器的阵列基板及其制造方法 |
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CN1282259C (zh) | 2003-03-03 | 2006-10-25 | 中国科学院长春应用化学研究所 | 含有保护层的有机半导体场效应晶体管及制作方法 |
KR20040084488A (ko) | 2003-03-28 | 2004-10-06 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치 |
KR100973806B1 (ko) | 2003-06-26 | 2010-08-03 | 삼성전자주식회사 | 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법 |
KR100995451B1 (ko) | 2003-07-03 | 2010-11-18 | 삼성전자주식회사 | 다층 구조의 게이트 절연막을 포함하는 유기 박막 트랜지스터 |
US7211454B2 (en) * | 2003-07-25 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of a light emitting device including moving the source of the vapor deposition parallel to the substrate |
US7005874B2 (en) * | 2004-06-28 | 2006-02-28 | International Business Machines Corporation | Utilizing clock shield as defect monitor |
-
2005
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-
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001244473A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-09-07 | Lg Philips Lcd Co Ltd | 薄膜トランジスタ、これを利用した液晶表示装置およびそれらの製造方法 |
JP2003195354A (ja) * | 2001-12-14 | 2003-07-09 | Samsung Electronics Co Ltd | 液晶表示装置、液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法 |
JP2005051199A (ja) * | 2003-07-17 | 2005-02-24 | Seiko Epson Corp | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法、電子回路、表示装置および電子機器 |
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