JP5685558B2 - 表示装置 - Google Patents

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Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。
有機ＥＬ（Electro-Luminescence）素子に流れる電流を、薄膜トランジスタなどのスイッチング素子によって制御するアクティブマトリクス方式の表示装置がある。この表示装置において、画質の向上が望まれる。
特開２００２−０３３１８５号公報
本発明の実施形態は、高画質の表示装置を提供する。
本発明の実施形態によれば、基板と、画素電極と、スイッチング素子と、有機発光層と、陰極と、光吸収層と、導電膜と、乾燥剤層と、平坦化膜と、を備えた表示装置が提供される。前記基板は、光透過性を有する。前記画素電極は、前記基板上に設けられ、光透過性を有する。前記スイッチング素子は、前記基板上に設けられ、前記画素電極に電気的に接続される。前記有機発光層は、前記画素電極の上に設けられる。前記陰極は、前記有機発光層の上に設けられ、光透過性を有する。前記光吸収層は、前記陰極の上に設けられ、導電性を有する。前記導電膜は、前記光吸収層の上に設けられる。前記乾燥剤層は、前記陰極と前記光吸収層との間に設けられ、光透過性である。前記平坦化膜は、前記画素電極と前記有機発光層との間に設けられ、絶縁性である。前記平坦化膜は、前記画素電極の一部を露呈させる開口を有する。前記有機発光層の一部は、前記開口内に入り込む。前記乾燥剤層は、前記有機発光層の前記一部と前記光吸収層との間に設けられる。
第１の実施形態に係る表示装置の構成を例示する模式的断面図である。 第２の実施形態に係る表示装置の構成を例示する模式的断面図である。 図３（ａ）〜図３（ｇ）は、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を例示する模式的断面図である。
（第１の実施形態）
以下に、各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
図１は、第１の実施形態に係る表示装置の構成を例示する模式的断面図である。
図１に表したように、本実施形態に係る表示装置１１０は、基板１０と、スイッチング素子１２と、画素電極１６と、有機発光層１８と、陰極２０と、光吸収層５０と、導電膜５２と、を備える。
画素電極１６と、有機発光層１８と、陰極２０と、により、有機ＥＬ型の発光素子部２４が形成される。発光素子部２４が、スイッチング素子１２によって制御され、駆動される。表示装置１１０において、複数のスイッチング素子１２と複数の発光素子部２４との組み合わせが、マトリクス状に並べて配置される。複数のスイッチング素子１２の駆動、及び、それにともなう複数の発光素子部２４の発光を制御することにより、画像の表示を行う。表示装置１１０は、有機ＥＬを用いたアクティブマトリクス型の表示装置である。
基板１０は、主面１０ａを有する。基板１０は、例えば、光透過性を有する。基板１０は、例えば、透明である。基板１０は、例えば、複屈折を有する。基板１０の複屈折は、例えば、面内と膜厚方向のリタデーションが１０ｎｍ以上である。基板１０は、本体部４と、バリア層５と、を含む。本体部４は、例えば、光透過性を有する。本体部４は、例えば、可撓性をさらに有する。本体部４には、例えば、ポリイミド樹脂やアラミド樹脂などの樹脂材料が用いられる。バリア層５は、例えば、不純物や水分などの透過を抑える。バリア層５は、例えば、基板１０の上に設けられるスイッチング素子１２や発光素子部２４を保護する。バリア層５には、例えば、光透過性と可撓性とを有する材料が用いられる。バリア層５には、例えば、シリコン酸化膜やシリコン窒化膜などが用いられる。バリア層５には、例えば、シリコン酸化膜とシリコン窒化膜との積層体などを用いてもよい。本体部４には、例えば、ガラス材料や樹脂材料などの可撓性を持たない材料を用いてもよい。
スイッチング素子１２は、基板１０の主面１０ａの上に設けられる。
スイッチング素子１２は、第１導電部３１と、第２導電部３２と、ゲート電極３３と、ゲート絶縁膜３４と、半導体膜３５と、チャネル保護膜３６と、を含む。
ゲート電極３３は、基板１０の主面１０ａの上に設けられる。ゲート電極３３には、例えば、モリブデンタングステン（ＭｏＷ）、モリブデンタンタル（ＭｏＴａ）及びタングステン（Ｗ）などの高融点金属が用いられる。ゲート電極３３には、例えば、ヒロック対策を施したＡｌを主成分とするＡｌ合金を用いてもよい。ゲート電極３３は、例えば、Ａｌと高融点金属との積層体でもよい。
ゲート絶縁膜３４は、ゲート電極３３の上に設けられる。この例においては、ゲート絶縁膜３４は、ゲート電極３３を覆うように主面１０ａの全体に設けられる。ゲート絶縁膜３４には、例えば、絶縁性と光透過性とを有する材料が用いられる。ゲート絶縁膜３４には、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びシリコン酸窒化膜などを用いることができる。ゲート絶縁膜３４は、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜及びシリコン酸窒化膜の少なくともいずれかを含む積層体でもよい。
半導体膜３５は、ゲート絶縁膜３４の上に設けられる。ゲート絶縁膜３４は、ゲート電極３３と半導体膜３５との間に設けられ、ゲート電極３３と半導体膜３５とを絶縁する。半導体膜３５には、例えば、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの少なくともいずれかを含むアモルファス酸化物半導体が用いられる。すなわち、半導体膜３５には、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ酸化物半導体、Ｉｎ−Ｇａ−Ｏ酸化物半導体、及び、Ｉｎ−Ｚｎ−Ｏ酸化物半導体のいずれかが用いられる。半導体膜３５の膜厚は、例えば、１０ｎｍ程度である。これにより、半導体膜３５の電気的特性が、良好になる。半導体膜３５の膜厚は、より具体的には、例えば、１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下である。半導体膜３５は、例えば、他の組成を有する酸化物半導体、多結晶シリコン、微結晶シリコン、アモルファスシリコン、及び、有機半導体などでもよい。
アモルファス酸化物半導体を含む半導体膜３５においては、例えば、透過電子顕微鏡（ＴＥＭ）やＸ線回折（ＸＲＤ）で観察しても、結晶性を示す回折パターンなどが観察されない。半導体膜３５の膜質及び形状は、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）やＴＥＭなどで観察できる。
半導体膜３５は、上記のアモルファス酸化物半導体中に、上記の酸化物半導体の微結晶が分散された材料を用いても良い。
第１導電部３１は、半導体膜３５と電気的に接続される。第２導電部３２は、半導体膜３５と電気的に接続される。第１導電部３１及び第２導電部３２には、例えば、Ｔｉ、Ａｌ及びＭｏなどが用いられる。第１導電部３１及び第２導電部３２は、例えば、Ｔｉ、Ａｌ及びＭｏの少なくともいずれかを含む積層体でもよい。第１導電部３１は、スイッチング素子１２のソース電極及びドレイン電極の一方である。第２導電部３２は、スイッチング素子１２のソース電極及びドレイン電極の他方である。
チャネル保護膜３６は、半導体膜３５の上に設けられている。チャネル保護膜３６は、半導体膜３５を保護する。チャネル保護膜３６には、絶縁性の材料を用いる。チャネル保護膜３６には、例えば、シリコン酸化膜が用いられる。半導体膜３５にアモルファス酸化物半導体を用いる場合、チャネル保護膜３６には、例えば、半導体膜３５よりも耐酸性の強いシリコン酸化膜が用いられる。チャネル保護膜３６は、例えば、シリコン窒化膜やシリコン酸窒化膜でもよい。
第１導電部３１は、チャネル保護膜３６の第１部分３６ａを覆う。第２導電部３２は、チャネル保護膜３６の第２部分３６ｂを覆う。第１導電部３１は、半導体膜３５の第１領域３５ａを覆う。第２導電部３２は、半導体膜３５の第２領域３５ｂを覆う。半導体膜３５は、第１導電部３１及び第２導電部３２に覆われない第３領域３５ｃを有する。ゲート電極３３は、半導体膜３５の膜面３５ｐに対して垂直な方向（以下、Ｚ軸方向と称す）にみたときに、第１導電部３１と第２導電部３２との間の部分３３ａを有する。すなわち、ゲート電極３３は、ゲート絶縁膜３４を挟んで、半導体膜３５の第３領域３５ｃと対向する。
ゲート電極３３に電圧を印加することで、半導体膜３５にチャネルが発生し、第１導電部３１と第２導電部３２との間で電流が流れる。この例において、スイッチング素子１２は、ボトムゲート型の薄膜トランジスタである。スイッチング素子１２は、ボトムゲート型の薄膜トランジスタに限ることなく、他の構造のトランジスタなどでもよい。
スイッチング素子１２と画素電極１６との間には、パッシベーション膜４０が設けられる。パッシベーション膜４０には、例えば、絶縁性と光透過性とを有する材料が用いられる。パッシベーション膜４０は、例えば、透明である。パッシベーション膜４０には、例えば、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜、シリコン酸窒化膜及び酸化アルミナ（Ａｌ２Ｏ３）などが用いられる。
この例では、画素電極１６とパッシベーション膜４０との間に、カラーフィルタ４４が設けられる。カラーフィルタ４４は、画素毎に異なる色を有する。カラーフィルタ４４は、例えば、赤色、緑色及び青色のいずれかのカラー樹脂膜（例えばカラーレジスト）が用いられる。カラーフィルタ４４は、光透過性を有する。カラーフィルタ４４の透過率は、例えば、波長によって異なる。カラーフィルタ４４は、必要に応じて設けられる。カラーフィルタ４４は、省略可能である。
画素電極１６は、第１導電部３１と第２導電部３２との一方に電気的に接続される。この例では、画素電極１６は、第１導電部３１（例えばソース）と電気的に接続される。画素電極１６は、主面１０ａの上に設けられる。この例において、画素電極１６は、カラーフィルタ４４の上に設けられる。画素電極１６は、Ｚ軸方向においてスイッチング素子１２と対向する対向領域１６ａと、対向しない非対向領域１６ｂとを有する。画素電極１６には、例えば、導電性と光透過性とを有する材料が用いられる。画素電極１６には、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＩＴＯ／Ａｇ／ＩＴＯの積層構造、及び、ＡｌがドープされたＺｎＯであるＡＺＯなどが用いられる。
パッシベーション膜４０及びカラーフィルタ４４には、第１導電部３１の一部を露呈させる開口４０ａ及び開口４４ａが、それぞれ設けられている。画素電極１６の対向領域１６ａの一部１６ｃは、開口４０ａ及び開口４４ａにおいて、第１導電部３１に接触している。これにより、画素電極１６は、第１導電部３１と電気的に接続される。
画素電極１６及びカラーフィルタ４４の上には、平坦化膜４２が設けられる。平坦化膜４２には、例えば、絶縁性と光透過性とを有する材料が用いられる。平坦化膜４２は、例えば、透明である。平坦化膜４２には、例えば、有機樹脂材料が用いられる。平坦化膜４２には、例えば、感光性アクリル樹脂や感光性ポリイミドなどが用いられる。平坦化膜４２は、画素電極１６の非対向領域１６ｂの一部を露呈させる開口４２ａを有する。
有機発光層１８は、平坦化膜４２の上に設けられる。有機発光層１８の一部１８ａは、開口４２ａ内に入り込む。有機発光層１８は、開口４２ａにおいて画素電極１６の非対向領域１６ｂと接触する。有機発光層１８は、例えば、開口４２ａにおいて画素電極１６と電気的に接続される。平坦化膜４２は、対向領域１６ａと有機発光層１８との接触を防ぐ。有機発光層１８には、例えば、正孔輸送層と、発光層と、電子輸送層と、を積層させた積層体が用いられる。有機発光層１８は、光透過性を有する。有機発光層１８は、例えば、透明である。
陰極２０は、有機発光層１８の上に設けられる。陰極２０には、導電性と光透過性とを有する材料が用いられる。陰極２０は、例えば、透明である。陰極２０には、例えば、金属膜が用いられる。陰極２０には、例えば、ＭｇＡｇが用いられる。陰極２０の膜厚は、例えば、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下である。陰極２０の比抵抗は、例えば、１μΩｃｍ以上１０μΩｃｍ以下である。
例えば、非対向領域１６ｂにおいて、発光素子部２４が形成される。発光素子部２４では、画素電極１６と陰極２０とに電圧を印加することにより、有機発光層１８から光が放出される。有機発光層１８から放出された光は、カラーフィルタ４４、パッシベーション膜４０、ゲート絶縁膜３４及び基板１０を透過して、外部に出射する。表示装置１１０は、下面発光型の表示装置である。
光吸収層５０は、陰極２０の上に設けられる。光吸収層５０の光吸収性は、例えば、陰極２０の光吸収性よりも高い。光吸収層５０の吸光係数は、例えば、陰極２０の吸光係数よりも高い。光吸収層５０の反射率は、例えば、陰極２０の反射率よりも小さい。光吸収層５０の吸光度（ＯＤ）は、２以上である。光吸収層５０は、導電性を有する。光吸収層５０の比抵抗は、例えば、１×１０２μΩｃｍ以上１×１０４μΩｃｍ以下である。光吸収層５０の抵抗値は、例えば、陰極２０の抵抗値よりも高い。光吸収層５０は、例えば、陰極２０に接触している。光吸収層５０は、陰極２０と電気的に接続されている。光吸収層５０は、例えば、カーボンブラックを含む。光吸収層５０には、例えば、カーボンブラックと金属粒子とを分散させた樹脂が用いられる。
導電膜５２は、光吸収層５０の上に設けられる。導電膜５２は、例えば、光吸収層５０に接触している。導電膜５２は、光吸収層５０と電気的に接続される。すなわち、表示装置１１０において、陰極２０の電位と光吸収層５０の電位と導電膜５２の電位とは、実質的に同じである。導電膜５２の比抵抗は、例えば、１μΩｃｍ以上５μΩｃｍ以下である。導電膜５２の抵抗値は、例えば、光吸収層５０の抵抗値よりも低い。導電膜５２の抵抗値は、例えば、陰極２０の抵抗値よりも低い。導電膜５２には、例えば、金属膜が用いられる。導電膜５２には、例えば、Ａｌが用いられる。
光吸収層５０の光吸収性は、例えば、導電膜５２の光吸収性よりも高い。光吸収層５０の吸光係数は、例えば、導電膜５２の吸光係数よりも高い。光吸収層５０の反射率は、例えば、導電膜５２の反射率よりも小さい。
封止膜５４が、例えば、導電膜５２の上に設けられる。封止膜５４は、例えば、不純物や水分などの透過を抑える。封止膜５４は、例えば、スイッチング素子１２や発光素子部２４などを水分などから保護する。封止膜５４には、絶縁性の材料が用いられる。封止膜５４には、例えば、シリコン酸化膜、シリコン酸窒化膜、シリコン窒化膜、アルミナ及びタンタル酸化膜などが用いられる。
有機ＥＬ型の表示装置において、陰極２０にＡｌなどの金属材料を用いた構成がある。この構成には、基板１０側から入射した外光が、陰極２０で反射し、表示する画像のコントラストを低下させてしまうという問題がある。有機ＥＬ型の表示装置において、例えば、基板１０の主面１０ａと反対側の面などに円偏光フィルムを設け、偏光現象を利用して外光の反射を抑える構成もある。しかしながら、円偏光フィルムを設ける構成では、ポリイミド樹脂やアラミド樹脂などの複屈折の大きい材料を基板１０に用いた場合に、外光の反射を適切に抑えることができない。例えば、基板１０の複屈折が大きい場合には、円偏光フィルムを設けても、入射する外光及び陰極２０で反射した外光を遮ることができない角度が生じてしまう。このため、表示装置を見る角度によって外光に起因するコントラストの低下が発生し、表示装置の画質が劣化する。
ポリイミド樹脂は、耐熱性が高い。ポリイミド樹脂を基板１０に用いた場合、ガラス基板と同程度の高温な熱処理が可能となる。また、ポリイミド樹脂は、可撓性も有するため、フレキシブルな表示装置を形成するための材料として有用である。このため、有機ＥＬ型の表示装置では、複屈折の大きい材料を基板１０に用いた場合にも、外光の反射を適切に抑えられるようにすることが望まれている。
本実施形態に係る表示装置１１０において、入射した外光は、例えば、基板１０、ゲート絶縁膜３４、パッシベーション膜４０、カラーフィルタ４４、画素電極１６、平坦化膜４２、有機発光層１８、及び、陰極２０を透過し、光吸収層５０に吸収される。これにより、表示装置１１０では、外光の反射を抑えることができる。例えば、表示装置１１０の画質が向上する。また、表示装置１１０の構成では、基板１０の複屈折性に依存しない。従って、表示装置１１０では、複屈折の大きい材料を基板１０に用いた場合にも、外光の反射を適切に抑えることができる。表示装置１１０では、例えば、基板１０に利用可能な材料を増やすことができる。
有機発光層１８を適切に発光させるためには、有機発光層１８と光吸収層５０との間に、ＭｇＡｇなどを含む陰極２０を形成する必要がある。陰極２０の厚さが厚すぎると、透明性が低下し、陰極２０で外光を反射させてしまう。また、陰極２０の厚さが薄すぎると、陰極２０の抵抗値が高くなってしまう。陰極２０の抵抗が高いと、例えば、発光効率が低下する。例えば、消費電力が増大する。
このため、表示装置１１０では、陰極２０の厚さを、例えば、５ｎｍ以上２０ｎｍ以下とする。これにより、陰極２０において、適切な透明性が得られる。また、表示装置１１０では、光吸収層５０に導電性を持たせ、光吸収層５０の上に導電膜５２を設けている。導電膜５２の抵抗値は、例えば、陰極２０の抵抗値及び光吸収層５０の抵抗値よりも低い。これにより、表示装置１１０では、例えば、有機発光層１８を発光させる際に、画素電極１６、有機発光層１８、陰極２０、及び、光吸収層５０を通って、導電膜５２に電流が流れる。これにより、表示装置１１０では、陰極２０を薄くした場合でも、適切な電気的特性を得ることができる。例えば、発光効率の低下や消費電力の増大が抑えられる。
図２は、第２の実施形態に係る表示装置の構成を例示する模式的断面図である。
図２に表したように、本実施形態に係る表示装置１１２は、乾燥剤層５６をさらに備える。
乾燥剤層５６は、例えば、陰極２０と光吸収層５０との間に設けられる。乾燥剤層５６は、例えば、開口４２ａ内に入り込んだ有機発光層１８の一部１８ａと、光吸収層５０との間に設けられる。乾燥剤層５６は、例えば、開口４２ａを埋めるように形成される。乾燥剤層５６は、例えば、光透過性を有する。乾燥剤層５６は、例えば、透明である。
乾燥剤層５６は、例えば、水素や酸素を吸着させる性質を有する。乾燥剤層５６は、例えば、アルカリ金属とアルカリ土類金属との少なくともいずれかの元素を含む。具体的には、リチウム、ナトリウム、マグネシウム、カリウム、カルシウム、ルビジウム、セシウム、ストロンチウム、及び、バリウムの、少なくともいずれかの元素を含む。乾燥剤層５６は、例えば、前記少なくともいずれかの元素を、アクリルやエポキシなどの樹脂材料に分散させることによって形成される。
表示装置１１０の構成では、例えば、光吸収層５０に含まれる水分や酸素などが、有機発光層１８に悪影響を与えてしまうことが懸念される場合がある。乾燥剤層５６は、陰極２０と光吸収層５０との間に設けられ、光吸収層５０に含まれる水分や酸素などから有機発光層１８を保護する。これにより、乾燥剤層５６は、例えば、表示装置１１２の信頼性を向上させる。例えば、表示装置１１２の信頼性は、表示装置１１０の信頼性よりも高い。
図３（ａ）〜図３（ｇ）は、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法を例示する模式的断面図である。
図３（ａ）に表したように、表示装置１１２の製造においては、例えば、図示を省略したガラス板の上に、ワニスのポリイミド樹脂を厚さ１０μｍで塗布し、焼成することにより、本体部４を形成する。本体部４の上に、バリア層５を形成する。これにより、可撓性を有する基板１０を形成する。バリア層５には、例えば、シリコン窒化膜またはシリコン酸化膜を用いる。
基板１０の主面１０ａの上に、スイッチング素子１２を形成する。スイッチング素子１２の形成においては、主面１０ａの上にゲート電極３３を形成する。ゲート電極３３は、例えば、スパッタ法でＭｏＷを形成し、フォトリソグラフィーを用いてパターニングすることによって形成される。ＭｏＷの膜厚は、例えば、２００ｎｍ（１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下）である。主面１０ａ及びゲート電極３３の上にゲート絶縁膜３４を形成する。ゲート絶縁膜３４は、例えば、ＰＥ−ＣＶＤ法でシリコン酸化膜を成膜することによって形成される。シリコン酸化膜の膜厚は、例えば、３００ｎｍ（２００ｎｍ以上４００ｎｍ以下）である。ゲート絶縁膜３４の上に半導体膜３５を形成する。半導体膜３５は、例えば、ａ−ＩｎＧａＺｎＯをスパッタ法で５０ｎｍ（１０ｎｍ以上１００ｎｍ以下）形成し、パターニングすることによって形成される。半導体膜３５の上にチャネル保護膜３６を形成する。ゲート絶縁膜３４と半導体膜３５とチャネル保護膜３６との上に、第１導電部３１及び第２導電部３２を形成する。第１導電部３１及び第２導電部３２は、例えば、Ｍｏ／Ａｌ／Ｍｏの積層膜をスパッタ法で成膜することによって形成される。
図３（ｂ）に表したように、スイッチング素子１２の上に、パッシベーション膜４０を形成し、その後開口４０ａを形成する。例えば、パッシベーション膜４０となるシリコン酸化膜をＰＥ−ＣＶＤ法により形成する。パッシベーション膜の厚さは、例えば２００ｎｍ（１００ｎｍ以上３００ｎｍ以下）である。
パッシベーション膜４０の上にカラーフィルタ４４を形成し、その後開口４４ａを形成する。カラーフィルタ４４は、例えば、赤色、緑色及び青色のいずれかのカラー樹脂膜（例えばカラーレジスト）を塗布し、カラー樹脂膜をパターニングすることによって形成される。カラーフィルタ４４の膜厚は、例えば、２μｍ（例えば、１μｍ以上３μｍ以下）である。
カラーフィルタ４４の上に画素電極１６を形成する。例えば、画素電極１６となるＩＴＯ膜をスパッタ法などにより形成し、所定の形状に加工して画素電極１６が得られる。画素電極１６の厚さは、例えば６０ｎｍ（３０ｎｍ以上２００ｎｍ以下）である。
図３（ｃ）に表したように、画素電極１６及びカラーフィルタ４４の上に、平坦化膜４２を形成し、その後開口４２ａを形成する。例えば、平坦化膜４２となる感光性のアクリル樹脂を塗布し、パターニングすることにより、平坦化膜４２が得られる。平坦化膜４２、及び、画素電極１６の非対向領域１６ｂの上に、有機発光層１８を形成する。有機発光層１８は、例えば、蒸着法によって形成する。
図３（ｄ）に表したように、有機発光層１８の上に、陰極２０を形成する。例えば、陰極２０となるＭｇＡｇ膜をスパッタ法などにより形成し、所定の形状に加工して陰極２０が得られる。陰極２０の厚さは、例えば、１０ｎｍ（５ｎｍ以上２０ｎｍ以下）である。
図３（ｅ）に表したように、平坦化膜４２の開口４２ａの部分に、乾燥剤層５６を形成する。例えば、アルカリ金属とアルカリ土類金属との少なくともいずれかの元素を含む樹脂をインクジェット法で開口４２ａの部分に塗布し、硬化させることによって乾燥剤層５６が得られる。
図３（ｆ）に表したように、陰極２０及び乾燥剤層５６の上に光吸収層５０を形成する。例えば、カーボンブラックを含む樹脂を溶剤に溶かし、陰極２０及び乾燥剤層５６の上の全面に塗布する。熱処理を行って溶剤を気化させ、樹脂を硬化させる。これにより、光吸収層５０が形成される。
図３（ｇ）に表したように、光吸収層５０の上に導電膜５２を形成する。例えば、導電膜５２となるＡｌ膜を蒸着法などによって成膜することにより、導電膜５２が得られる。導電膜５２の厚さは、例えば、１５０ｎｍ（５０ｎｍ以上３００ｎｍ以下）である。導電膜５２の上に封止膜５４を形成する。例えば、封止膜５４となるシリコン窒化膜をＰＥ−ＣＶＤ法などによって成膜することにより、封止膜５４が得られる。
以上により、表示装置１１２が完成する。
なお、表示装置１１０を製造する場合には、上記の説明において乾燥剤層５６の形成を省略し、陰極２０の上に光吸収層５０を形成すればよい。
実施形態によれば、高画質の表示装置が提供される。
以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。
しかし、本発明の実施形態は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、表示装置に含まれる、基板、画素電極、スイッチング素子、有機発光層、陰極、光吸収層、導電膜、乾燥剤層及び平坦化膜などの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。
また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。
その他、本発明の実施の形態として上述した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。
その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
４…本体部、 ５…バリア層、 １０…基板、 １０ａ…主面、 １２…スイッチング素子、 １６…画素電極、 １６ａ…対向領域、 １６ｂ…非対向領域、 １６ｃ…一部、 １８…有機発光層、 １８ａ…一部、 ２０…陰極、 ３１…第１導電部、 ３２…第２導電部、 ３３…ゲート電極、 ３３ａ…部分、 ３４…ゲート絶縁膜、 ３５…半導体膜、 ３５ａ…第１領域、 ３５ｂ…第２領域、 ３５ｃ…第３領域、 ３５ｐ…膜面、 ３６…チャネル保護膜、 ３６ａ…第１部分、 ３６ｂ…第２部分、 ４０…パッシベーション膜、 ４０ａ…開口、 ４２…平坦化膜、 ４２ａ…開口、 ４４…カラーフィルタ、 ５０…光吸収層、 ５２…導電膜、 ５４…封止膜、 ５６…乾燥剤層、 １１０、１１２…表示装置

Claims (8)

  1. 光透過性の基板と、
    前記基板上に設けられた光透過性の画素電極と、
    前記基板上に設けられ前記画素電極に電気的に接続されたスイッチング素子と、
    前記画素電極の上に設けられた有機発光層と、
    前記有機発光層の上に設けられた光透過性の陰極と、
    前記陰極の上に設けられた導電性の光吸収層と、
    前記光吸収層の上に設けられた導電膜と、
    前記陰極と前記光吸収層との間に設けられた光透過性の乾燥剤層と、
    前記画素電極と前記有機発光層との間に設けられた絶縁性の平坦化膜と、
    を備え、
    前記平坦化膜は、前記画素電極の一部を露呈させる開口を有し、
    前記有機発光層の一部は、前記開口内に入り込み、
    前記乾燥剤層は、前記有機発光層の前記一部と前記光吸収層との間に設けられる表示装置。
  2. 前記光吸収層の光吸収性は、前記陰極の光吸収性よりも高い請求項１記載の表示装置。
  3. 前記導電膜の抵抗値は、前記光吸収層の抵抗値よりも低い請求項１または２に記載の表示装置。
  4. 前記光吸収層は、カーボンブラックを含む請求項１〜３のいずれか１つに記載の表示装置。
  5. 前記光吸収層の比抵抗は、１×１０４μΩｃｍ以下である請求項１〜４のいずれか１つに記載の表示装置。
  6. 前記導電膜の比抵抗は、１０μΩｃｍ以下である請求項１〜５のいずれか１つに記載の表示装置。
  7. 前記基板は、複屈折を有する請求項１〜６のいずれか１つに記載の表示装置。
  8. 前記基板は、ポリイミド樹脂とアラミド樹脂との少なくとも一方を含む請求項１〜７のいずれか１つに記載の表示装置。
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