JP2004303481A

JP2004303481A - 発光素子及び発光表示装置

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Publication number: JP2004303481A
Application number: JP2003092535A
Authority: JP
Inventors: Ryuji Nishikawa; 龍司西川
Original assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Current assignee: Sanyo Electric Co Ltd
Priority date: 2003-03-28
Filing date: 2003-03-28
Publication date: 2004-10-28
Also published as: TWI247555B; KR100584068B1; US20040206960A1; KR20040085010A; TW200423807A; CN1535096A

Abstract

【課題】発光素子及びこれを用いた表示装置のコントラストを向上する。
【解決手段】有機ＥＬ素子等の発光素子であって、光射出側に透明電極から構成される第１電極２０、第１電極２０と発光素子層３０を挟んで対向するように素子の背面側に形成された第２電極２２を備え、第２電極２２を半透過性電極とし、この第２電極２２のさらに背面側に光反射率の低い反射防止層４６を形成する。透明電極を透過して素子外部から入射する光を半透過性の第２電極２２で反射させずに透過し、反射防止層４６で吸収することにより、外光の背面電極表面での反射が抑制されコントラストの向上を図ることが可能となる。第２電極２２は、例えば金属材料を薄膜としたり、開口部を設けることで半透過性を発揮させてもよい。
【選択図】図１

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表示装置などに用いられる発光素子の構造、特にその背面側の構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
発光素子として、最近、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ：以下ＥＬ）素子が注目されており、このＥＬ素子を用いた表示装置は、液晶表示装置（ＬＣＤ）やＣＲＴなどの表示装置に代わる装置等として研究が進められている。
【０００３】
ＥＬ素子の内、発光材料として有機化合物を用いたいわゆる有機ＥＬ素子は、正孔注入電極（陽極）と電子注入電極（陰極）の間に有機発光分子を含む発光素子層を挟んだ構造を備える。より具体的には、透明なガラス基板上に、正孔注入電極としてＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）からなる透明導電層が形成され、正孔注入電極の上に単層又は多層からなる発光素子層が積層され、この発光素子層の上に電子注入電極としてＡｌ、Ａｇ、ＭｇＡｇなどの不透明な金属電極が形成されている。
【０００４】
このような構造において、正孔注入電極から注入される正孔と、電子注入電極から注入される電子が、発光素子層中で再結合し、層内に含まれる有機発光分子が励起され、この分子が基底状態に戻る際に放射される光を透明な正孔注入電極及びガラス基板を透過させ、外部に取り出している。
【０００５】
ここで、光射出側（観察側）に対して背面側に位置する金属電極は、通常、反射性の高い金属材料が採用されるため、その発光素子側の表面において、基板及び透明電極を通過して素子内に入射してくる外光の反射が発生する。この外光の反射は、表示装置において特に黒表示をする場合に、コントラストを低下させる大きな原因となり、また、金属電極の観察面（反射面）に周囲の像が映り込み、表示画像の視認性が低下するなど、表示品質の低下が起きる。
【０００６】
このような金属電極の反射による表示品質低下を防止する簡便な方法として、ＬＣＤにおいて用いられている偏光層を透明なガラス基板や、透明な正孔注入電極のガラス基板側、即ち素子の観察面（光取り出し面）側に配置することが、例えば下記特許文献１に開示されている。
【０００７】
【特許文献１】
特開平７−１４２１７０号公報
【発明が解決しようとする課題】
上記特許文献１に記載されているように、素子の光取り出し面側に偏光層を配置することで、素子外部から素子内に入射し、背面側の金属電極で反射されて再び素子から射出される光をこの偏光層で遮蔽することができる。
【０００８】
即ち、素子外部から偏光層を通過して素子内に入射した光は、偏光層の偏光方向に平行な直線偏光であり、この直線偏光が金属電極で反射されるとその偏光方向が９０°逆になる。従って、金属電極で反射された光の偏光方向は、偏光層の偏光方向異なるため、偏光層を通過できず遮断されるためである。
【０００９】
このように偏光層を設けることで、光取り出し面に反射光が射出されることが防止され、コントラスト低下を抑制することができる。しかし、素子の光取り出し側に偏光層が存在するため、発光層からの光も偏光層を通過しなければ外部に取り出すことができない。偏光板は、発光層での発光光のうち偏光層の偏光方向に平行な偏光方向の光しか通過させないので、発光光の多くがこの偏光層を通過できずに吸収されることとなる。従って、偏光層を設けることで発光光の利用効率が大幅に低下してしまい、素子外に実際に取り出す光量を増やすためには、有機ＥＬ素子の発光輝度を増大させる必要があり、そのためには正孔注入電極と電子注入電極間（発光素子層）に流す電流量を増やなければならない。
【００１０】
しかし、有機ＥＬ素子では、発光分子などの有機化合物を含む発光素子層に流す電流が多いほど、輝度低下速度が大きくなって素子寿命を早めてしまうという問題がある。一方で、電流量を増やさずに高い輝度を得るためには高効率発光が可能な新規有機発光材料を、また、電流量が増大しても長寿命な素子を実現するためには耐久性の高い新規有機発光材料の開発を待たねばならない。
【００１１】
上記課題に対し、本発明は、高コントラストかつ長寿命で高輝度の発光素子及び発光表示装置を提供する。
【００１２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、第１電極と第２電極との間に発光素子層を備えた発光素子において、前記第１電極と前記第２電極の内、一方は光射出側電極として、外部への光射出側に配置され、該光射出側電極の背面側に位置する背面側電極は、発光素子層側から入射する光を一部透過する半透過電極より構成され、該半透過電極の背面側に反射防止層が設けられている。
【００１３】
本発明の他の観点では、第１電極と第２電極との間に発光素子層を備えて構成される発光素子を備える発光表示装置であって、前記第１電極は、装置の外部への光射出側に配置される透明基板の上に形成され、前記発光素子層から射出される光を透過可能な電極であり、前記第２電極は、前記発光素子層を挟んで前記第１電極と対向するように前記第１電極の背面側に形成され、前記発光素子層側から入射する光を一部透過する半透過電極であり、前記第２電極の背面側に反射防止層が設けられている。
【００１４】
本発明の他の観点では、陽極と陰極との間に発光素子層を備えるエレクトロルミネッセンス素子を備える表示装置において、前記陽極は、外部への光射出側となる透明基板の上に形成され、前記発光素子層から射出される光を透過可能な電極を備え、前記陰極は、前記発光素子層を挟んで前記陽極と対向するように該陽極の背面側に形成され、前記発光素子層から射出される光を一部透過可能な半透過電極を備え、前記陰極の背面側には反射防止層が形成されている。
【００１５】
このように、発光素子の光射出側電極に対して背面側に位置する背面電極として半透過性の電極を採用し、この背面電極のさらに背面側に低反射層又は反射防止層を設けることで、素子に入射する外光を背面側電極の表面で反射させず透過させ反射率の低い反射防止層で吸収することができる。発光素子層から透明な光射出側電極に進んだ光は、光射出側電極を透過し、また透明基板を透過することができ、最小限の損失で効率的に素子外に光を射出することができる。このため、発光素子層からの発光光の内、背面電極側に進んだ光は、外光と同様反射されずに反射防止層で吸収されるものの、外光の反射によるコントラスト低下が防止でき、背面電極側に進んだ光が損失となること以上にコントラスト向上による表示品質向上、例えば見易くかつ視認される実際の輝度の高い発光素子を実現できる。
【００１６】
本発明の他の観点では、上記発光素子又は表示装置において、前記半透過電極には、光を透過可能に薄膜化されている金属層、又は光を通過させる開口を備えた網目状金属層が用いられている。
【００１７】
本発明の他の観点では、上記発光素子又は表示装置において、前記半透過電極には、２０ｎｍ以下の厚さのＡｇ層又はＭｇＡｇ層が用いられている。
【００１８】
このように金属層を薄く又は開口部を設けた構成とすることで、光を透過可能とすると共に電極材料自体を変更することなく採用することができ、電極として必要な機能を発揮させることができる。
【００１９】
本発明の他の観点では、上記発光素子又は表示装置において、前記低反射層または反射防止層には、モリブデン又は酸化クロムが用いられている。
【００２０】
反射防止層にモリブデンや酸化クロムを採用することで、背面側電極のさらに背面側に容易に表面における光反射率の低い層を形成でき、半透過性の背面電極を透過してきた外光が反射して再び素子から射出させることを防止できる。
【００２１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態（以下、実施形態）について、図面に基づいて説明する。
【００２２】
本発明の実施形態に係る発光素子としては、例えばＥＬ素子が挙げられる。図１は、ＥＬ素子を例に本発明の実施形態に係る素子の概略断面構造を示している。基板１０としては、ガラスや、プラスチックなどの透明基板が用いられており、この透明基板１０の上方にＥＬ素子の各要素が積層されている。この例では、ＥＬ素子５０は、発光材料として有機化合物を用いた有機ＥＬ素子であり、第１電極２０と第２電極２２との間に、有機化合物を含む発光素子層３０が形成されている。
【００２３】
図１に示す有機ＥＬ素子５０では、ＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ）やＩＺＯ（ＩｎｄｉｕｍＺｉｎｃＯｘｉｄｅ）などの透明導電材料からなり、ここでは正孔注入機能を備えた透明電極（光透過性電極、但し光透過性のやや低い半透過性電極でも良い）である第１電極２０が、透明基板１０の上に直接、又はバッファ層や有機ＥＬ素子を駆動するトランジスタ等を介して形成されている。第１電極２０の上の発光素子層３０は、有機化合物を含む単層又は多層構造を備え、この発光素子層３０の上に電子注入機能を備える半透過性の第２電極２２が、第１電極２０と対向するように形成されている。またこの第２電極２２の上層、即ち、観察側となる透明基板１０から見て第２電極２２の更に背面側に入射光の反射率の低い酸化クロム（ＣｒＯｘ：ｘは任意の数）層やモリブデン（Ｍｏ）層などからなる反射防止層４６が形成されている。
【００２４】
発光素子層３０は、用いられる有機化合物の機能等に応じて様々な構造が採用可能であるが、例えば、発光機能・正孔輸送機能・電子輸送機能の全てを備える有機発光層の単層構造、正孔注入電極（陽極）２０側から順に正孔輸送層／発光層／電子輸送層が積層された３層構造などが挙げられる。図１に示す発光素子層３０は、正孔注入電極２０の上に、ＣＦｘ等を含む正孔注入層３２、ＮＰＢなどのトリフェニルアミンの誘導体等を含む正孔輸送層３４、目的とする発光色に応じた有機発光分子を含む発光層３６、Ａｌｑ等を含む電子輸送層３８、ＬｉＦ等からなる電子注入層４０の積層構造を備える。
【００２５】
発光層３６は、Ｒ，Ｂ，Ｇ光を得るために、それぞれ適切な材料が用いられている。
【００２６】
なお、発光素子層３０を、低分子系有機化合物を含む層で構成する場合、各層は例えば真空蒸着法にてそれぞれ所望の厚さに形成することができ、また高分子化合物を含む層によって構成する場合は、インクジェット印刷法や、スピンコート法などを用いて形成することができる。
【００２７】
第２電極２２は図１の例では、陰極として機能しており、発光素子層３０に電子を効率的に注入する機能が求められる。このような電子注入機能の高い材料は、仕事関数が小さく、通常、光透過率の低い金属材料が適している。例えば上記Ａｌ、Ａｇ、ＭｇＡｇ合金などが挙げられる。しかし、電極として機能させることを重視し、例えば２００ｎｍ程度の厚さに形成したＡｌ層やＡｇ層を電極として用いると、発光素子層３０側の表面で反射が起き、上述のように、外光の反射によるコントラスト低下が発生する。
【００２８】
そこで、本実施形態では、まず、第２電極２２に、電子注入材料として適切な例えばＡｌ、Ａｇ、ＡｇＭｇ層を採用する場合、その厚さを例えば５ｎｍ〜４０ｎｍ程度の薄膜とすることで光透過性を確保することができる。例えば、２０ｎｍ程度の薄膜とすることで、電子注入機能を損なわずに５０％以上の光透過性、即ち半透過電極を実現している。Ａｌなどの金属材料は上記発光素子層３０の各層と同様に例えば真空蒸着法などによって形成することができ、蒸着時間の制御等により所望の厚さの薄膜となるように精度良く制御することができる。
【００２９】
また、Ａｌなどの遮光性の金属材料を第２電極２２の材料として用い、かつ半透過性を実現するための他の方法として、図２に示すように金属第２電極２２の少なくとも１画素中など単位表示領域内に光の通過可能な開口を備えた網目状（格子状も含む）としてもよい。各開口部は、円、多角形などその形状は特に問わないが、金属層を形成してからフォトリソグラフィなどによって選択的エッチング除去して形成する場合のエッチング残りが少なく、かつ単位領域内における開口面積ができる限り等しいことが表示品質のばらつきを防ぐ等の観点で好ましい。
【００３０】
なお、半透過性の第２電極２２については、上記金属材料に限られず、特に薄膜化しなくても十分な光透過性を備えた導電性で仕事関数の小さい材料であれば採用することができる。
【００３１】
本実施形態では、このような半透過機能を備える第２電極２２を覆って上述のように反射防止層４６を形成し、第２電極２２を透過する光をこの反射防止光４６で吸収し反射を防止する。反射防止層４６の材料として採用可能な酸化クロムやモリブデンのいずれも、真空蒸着によって第２電極２２を形成した後、蒸着源を反射防止材料に変更し、連続して蒸着を行うことで容易に積層形成することができる。ここで、反射防止層４６の材料として、モリブデンを採用した場合には反射防止層４６の反射率は２０％程度以下とすることができ、酸化クロムを採用した場合、５％程度以下とすることができる。
【００３２】
ここで、反射防止層４６としてどの程度の反射率の材料を選択するかについては、要求輝度や、発光素子層３０における発光分子の発光輝度及び発光効率を考慮し、また第２電極２２の光透過率も勘案して決定することが好ましい。しかし、コントラスト向上のためには、この反射防止層４６の光反射率は、５０％未満、より好ましくは３０％以下であることが好ましい。第２電極２２を透過して反射防止層４６に到達する光には、発光素子層３０で得られた発光光も含まれており、発光輝度の比較的低い材料を採用している場合や、素子に対する要求輝度が高い場合には、発光光の有効利用が望まれる。従って、ある程度、光（発光光）を反射して素子外に射出できるよう、例えば、２０％程度の反射率が得られるモリブデンを反射防止層４６の材料として選択することが好ましい。反対に、十分な発光輝度が達成されている発光材料を採用した場合や、例えば外光の非常に強い環境化で使用されコントラスト確保が最優先される場合などには、反射の非常に少ない酸化クロムを反射防止層４６の材料として用いることが好ましい。
【００３３】
ここで、反射防止層４６の材料としては、必ずしも上述のような金属元素を含む材料には限られないが、半透過性の第２電極２２の背面側にモリブデンや酸化クロム等を用いた反射防止層４６を設けることで、外光の反射防止だけでなく、放熱機能の発揮も可能となる。即ち、モリブデン層や酸化クロム層であれば、比較的高い熱伝導性を有し、電流駆動により発光する際に発光素子層３０で発生する熱を高熱伝導性の第２電極２２からこの反射防止層４６を介して素子外部に逃がすことができる。有機ＥＬ素子５０において熱は有機化合物を含む発光素子層３０の劣化に大きく影響を及ぼすことが知られているが、本実施形態のように素子の放熱性低下させず、或いは、向上することができることは素子寿命、品質向上の観点で効果が高い。
【００３４】
上述の特許文献１のように、素子の観察側、例えば第１電極とガラス基板との間や、ガラス基板表面に偏光層を設けた場合、外光の不要な反射を防止することは可能となる。しかし、偏光層はＰＶＡ（ポリビニールアルコール）を主成分とするフィルムの分子鎖に沿ってヨウ素などを配列させて構成されており放熱性が低い。その上、この偏光層が発光素子層のすぐ近くに配置されることとなり、また、素子に入射する外光だけでなく、素子の発光光の多くをこの偏光層が吸収するため、偏光層周辺の温度は、上昇傾向を持つ。従って、偏光層を素子の観察側に設けることは素子の放熱性を高めるという観点で、むしろ逆効果となる。これに対して、本実施形態のように素子背面の電極２２を半透過型とし、その背面側電極２２のさらに外側に放熱性のある反射防止層４６を設けることで、外光の反射を防止しながら素子の放熱を図り、高輝度、光コントラストで長寿命及び高信頼性の有機ＥＬ素子を実現できる。
【００３５】
以上に説明した本実施形態に係る発光素子の一例としての反射防止層を備えた有機ＥＬ素子の構造は、この素子を各表示画素に採用した平面発光表示装置などに適用できる。平面表示装置においては、各画素に各表示素子を駆動するスイッチ素子を備えるアクティブマトリクス型表示装置とこのようなスイッチ素子のないシンプルな構造な単純マトリクス型表示装置が知られているが、本実施形態の有機ＥＬ素子は、いずれのタイプの表示装置にも適用可能である。
【００３６】
単純マトリクス型表示装置に適用した場合、上記図１に示すように透明基板１０上に形成された透明な（但し、半透明でも良い）第１電極２０及び発光素子層３０を挟んでその上に形成された半透明の第２電極２２がそれぞれストライプ状で互いにほぼ直交するように形成し、第１電極２０と第２電極２２とから正孔と電子を間の発光素子層３０に注入して発光させる。もちろん、第２電極２２の上には反射防止層４６を形成する。
【００３７】
一方アクティマトリクス型表示装置に適用した場合、透明基板１０の上に薄膜トランジスタを画素毎に形成し、絶縁層でこの薄膜トランジスタを覆い、絶縁層の上に、薄膜トランジスタに接続され画素毎に個別パターンに形成された透明な第１電極２０、発光素子層３０、半透明で各画素共通の第２電極２２を順に積層し、この共通第２電極２２の上に更に反射防止層４６を形成した構成が採用可能である。図３は、このようなアクティブマトリクス型の有機ＥＬ表示装置の概略回路構成を示し、図４はこのような有機ＥＬ表示装置における１画素内での一部断面構造を示す。
【００３８】
まず、透明基板１０上には、複数の画素がマトリクス状に配列された表示部１２０が形成されており、各画素にはそれぞれ有機ＥＬ素子（ＥＬ）５０と、この有機ＥＬ素子５０での発光を画素毎に制御するためのスイッチ素子（ここでは薄膜トランジスタ：ＴＦＴ）、及び表示データを保持する保持容量Ｃｓｃが設けられている。
【００３９】
図３の例では、各画素には第１及び第２薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が形成され、第１トランジスタＴｒ１は、走査ライン１１０に接続され、走査信号が印加されてオン制御されたとき、対応するデータライン１１２に印加されている表示内容に応じた電圧信号が第１薄膜トランジスタＴｒ１を介して第２薄膜トランジスタＴｒ２のゲートに印加され、また２つの薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間に接続された保持容量Ｃｓｃによって一定期間保持される。そして、第２薄膜トランジスタＴｒ２は、この保持容量Ｃｓｃで保持されてゲートに印加される電圧に応じた電流を電源ライン１１４からこの第２薄膜トランジスタＴｒ２に接続された有機ＥＬ素子の陽極（正孔注入電極）２０に供給する。有機ＥＬ素子５０は、この供給される電流量に応じた輝度で発光し、発光光は、第２電極２２の背面側の反射防止層４６で多少失われるものの大半が透明な第１電極２０及び透明基板１０を通過して外部に射出される。
【００４０】
図４は、図３に示すようなアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の１画素における第２薄膜トランジスタＴｒ２とこれに接続された有機ＥＬ素子５０の概略断面構造を示している。図４に示す例では、第１薄膜トランジスタＴｒ１は省略しているが、薄膜トランジスタＴｒ２とほぼ同様の構造を備えており、薄膜トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２のいずれもその能動層１２０に、非晶質シリコンをレーザアニールにて多結晶化した多結晶シリコンを用いている。また本実施形態においてこの薄膜トランジスタＴｒ１及びＴｒ２は、能動層１２０を覆って形成されたゲート絶縁層１３０の上方にゲート電極１３２を備えるいわゆるトップゲート型ＴＦＴであり、能動層１２０のゲート電極１３２の下に位置する領域はチャネル領域１２０ｃ、チャネル領域１２０ｃの両側には所定導電型の不純物がドープされたソース領域１２０ｓ及びドレイン領域１２０ｄが形成されている。
【００４１】
ゲート電極１３２を覆う基板のほぼ全面には層間絶縁層１３４が形成され、層間絶縁層１３４に開口されたコンタクトホールを介してソース領域１２０ｓ、ドレイン領域１２０ｄの一方には電源ライン１１４が接続され、他方にはコネクタ電極１３６が接続されている。また、これら全てを覆うように無機材料又は有機材料からなる第１平坦化絶縁層（通常の層間絶縁膜でも良い）１３８が形成され、この平坦化絶縁層１３８の上に有機ＥＬ素子５０の第１電極２０が積層され、第１電極２０の端部を覆うように第２平坦化絶縁層１４０が積層されている。なお、第１電極２０は、第１平坦化絶縁層１３８に形成されたコンタクトホールにおいてコンタクト電極１３６と接続されている。第１電極２０の上には、既に説明したとおり、発光素子層３０、第２電極２２及び反射防止層４６がこの順に形成されている。
【００４２】
以上のような構成において、表示装置の光取り出し側は透明基板１０側であり、トップゲート型の上記第１及び第２薄膜トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２は、光が照射されるとリークの起きやすい多結晶シリコンからなる能動層１２０が光取り出し側に位置することになる。従って、外光の照射によるリーク電流発生を防止するため、図４に示すように、少なくとも第１及び第２薄膜トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の基板１０との間に、例えば能動層側からＳｉＯ_２、ＳｉＮｘの積層構造からなる絶縁層１５０を挟んで遮光層１６０を形成しておくことが好ましい。そして、この遮光層１６０は、図４の構成例では、最も光取り出し側に近い位置に形成され、また、通常遮光層は金属材料を用いて形成されるため、その表面反射率が高いと上述のようにコントラスト低下や、表示品質などに悪影響を及ぼす可能性がある。従って、背面側の反射防止層４６と同様に、表面反射率の低い遮光性材料、例えば酸化クロムやモリブデンなどを用いて形成することがより好ましい。
【００４３】
このように、薄膜トランジスタＴｒ１、Ｔｒ２の形成領域であって光取り出し側に形成される遮光層１６０として光反射率の低い反射防止遮光層を形成し、また、背面側に形成される第２電極２２を半透過性として反射率を下げ、更に第２電極２２の背面側に反射率の低い反射防止層４６を設けることにより、コントラストの非常に高い表示を可能とすると共に、高輝度で信頼性の高い有機ＥＬ表示装置を実現することができる。
【００４４】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、背面側の電極での外光反射を抑制することができ、コントラストの高い発光素子及びこの発光素子を用いた表示装置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の概略断面構造を示す図である。
【図２】本発明の実施形態に係る有機ＥＬ素子の半透過性の第２電極の構成例を示す図である。
【図３】本発明の実施形態に係るアクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置の概略回路構成を示す図である。
【図４】図３に示す表示装置に１画素内の一部断面を示す図である。
【符号の説明】
１０透明基板、２０第１電極（正孔注入電極）、２２第２電極（電子注入電極）、３０発光素子層、３２正孔注入層、３４正孔輸送層、３６発光層、３８電子輸送層、４０電子注入層、４６反射防止層、５０有機ＥＬ素子、１００表示部、１１０走査ライン、１１２データライン、１１４電源ライン、１２０能動層、１３０ゲート絶縁層、１３２ゲート電極、１３４層間絶縁層、１３６コンタクト電極、１３８第１平坦化絶縁層、１４０第２平坦化絶縁層、１５０絶縁層、１６０遮光層。

Claims

第１電極と第２電極との間に発光素子層を備えた発光素子において、
前記第１電極と前記第２電極の内、
一方は光射出側電極として、外部への光射出側に配置され、
該光射出側電極の背面側に位置する背面側電極は、発光素子層側から入射する光を一部透過する半透過電極より構成され、
該半透過電極の背面側に反射防止層が設けられていることを特徴とする発光素子。
第１電極と第２電極との間に発光素子層を備える発光素子を備える発光表示装置であって、
前記第１電極は、装置の外部への光射出側に配置される透明基板の上に形成され、前記発光素子層から射出される光を透過可能な電極であり、
前記第２電極は、前記発光素子層を挟んで前記第１電極と対向するように該第１電極の背面側に形成され、前記発光素子層側から入射する光を一部透過する半透過電極であり、
前記第２電極の背面側に反射防止層が設けられていることを特徴とする発光表示装置。
陽極と陰極との間に発光素子層を備えるエレクトロルミネッセンス素子を備える表示装置において、
前記陽極は、外部への光射出側となる透明基板の上に形成され、前記発光素子層から射出される光を透過可能な電極を備え、
前記陰極は、前記発光素子層を挟んで前記陽極と対向するように該陽極の背面側に形成され、前記発光素子層から射出される光を一部透過可能な半透過電極を備え、
前記陰極の背面側には反射防止層が形成されていることを特徴とする表示装置。
請求項１〜請求項３のいずれか一つに記載の発光素子又は表示装置において、
前記半透過電極には、光を透過可能に薄膜化されている金属層、又は光を通過させる開口を備えた網目状金属層が用いられていることを特徴とする発光素子又は表示装置。
請求項１〜請求項３のいずれか一つに記載の発光素子又は表示装置において、
前記半透過電極には、２０ｎｍ以下の厚さのＡｇ層又はＭｇＡｇ層が用いられていることを特徴とする発光素子又は表示装置。
請求項１〜請求項５のいずれか一つに記載の発光素子又は表示装置において、
前記反射防止層には、モリブデン又は酸化クロムが用いられていることを特徴とする発光素子又は表示装置。