KR100611758B1 - 유기 전계 발광소자, 유기 전계 발광 표시장치 및 그제조방법 - Google Patents

유기 전계 발광소자, 유기 전계 발광 표시장치 및 그제조방법 Download PDF

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Abstract

평판 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기 전계 발광 소자, 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다. 고투과율 영역 및 상기 고투과율 영역의 적어도 일측부에 위치하는 저투과율 영역을 구비하는 화소 전극; 상기 고투과율 영역 상에 위치하는 발광층을 포함하는 유기막; 및 상기 유기막 상에 형성되어 있는 대향전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자와 그 제조방법을 제공한다. 또한, TFT 영역 및 발광소자 영역을 구비하는 기판; 상기 TFT 영역 상에 위치하는 블랙 매트릭스부와 상기 발광소자 영역 상에 위치하고 고투과율 영역 및 상기 고투과율 영역의 적어도 일측부에 위치하는 저투과율 영역을 갖는 화소전극부를 구비하는 도전막; 상기 블랙 매트릭스부 상에 위치하고 상기 화소전극부와 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터; 상기 화소전극부의 고투과율 영역 상에 위치하는 발광층을 포함하는 유기막; 및 상기 유기막 상에 형성되어 있는 대향전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치와 그 제조방법을 제공한다.
BM(black matrix), 투과율, 콘트라스트비(contrast ratio)

Description

유기 전계 발광소자, 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법{OLED, OLED panel and fabricating method of the same}
도 1은 능동구동 방식의 유기 전계 발광 표시장치의 단위화소를 나타낸 평면도,
도 2는 도 1의 I-I'에 대한 단면도,
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 능동구동 방식의 유기 전계 발광 표시 장치의 단위화소를 나타낸 평면도,
도 4a 내지 도 4f는 도 3의 Ⅱ-Ⅱ'에 대한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자의 제조방법을 나타낸 단면도들,
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 능동구동 방식의 유기 전계 발광 표시 장치의 단위화소를 나타낸 평면도,
도 6a 내지 도 6d는 도 6의 Ⅲ-Ⅲ'에 대한 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기 전계 발광 소자의 제조방법을 나타낸 단면도들,
도 7은 투명도전막(ITO), 불순물을 주입한 도전막(doped ITO), 및 산소 플라즈마 처리를 한 도전막(O2 treatment ITO)에 대한 투과율을 나타낸 그래프이다.
* 도면의 주요 부분에 대한 도면 부호의 설명 *
1, 3, 5, 21, 23, 25, 31, 33, 35 : 단위화소의 금속 배선들
12, 16, 22, 26, 32, 36 : 단위화소 내의 박막트랜지스터
18, 28, 38 : 유기발광소자, 110, 210, 310 : 반도체층
202a, 350a : 블랙 매트릭스부, 202b, 350b : 화소 전극부
202b-1, 350b-1 : 고투과율 영역, 202b-2, 350b-2 : 저투과율 영역
155, 255, 355 : 유기발광소자층
133, 136, 233, 236, 333, 336 : 소스, 드레인 전극층
160, 260, 360 : 캐소드 전극층
본 발명은 평판 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 유기 전계 발광 소자, 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법에 관한 것이다.
평판 표시 장치 중 유기 전계 발광 표시장치는 응답속도가 1ms 이하로서 고속의 응답속도를 가지며, 소비 전력이 낮고, 자체 발광이므로 시야각에 문제가 없어서, 장치의 크기에 상관없이 동화상 표시 매체로서 장점이 있다. 또한, 저온 제작이 가능하고, 기존의 반도체 공정 기술을 바탕으로 제조 공정이 간단하므로 향후 차세대 평판 표시 장치로 주목받고 있다.
유기 전계 발광 표시장치는 구동 방법에 따라 수동 구동(passive matrix)방식과 능동 구동(active matrix)방식으로 나뉜다. 수동 구동방식은 양극의 버스선과 음극의 버스선이 서로 교차되는 부분에 유기발광소자가 놓이며, 순차 펄스 구동(line by line scanning)방식으로 구동한다. 그러나 배선의 저항문제, 소비 전력 문제, 구동 전압의 문제로 인해 현재까지는 대화면의 표시 장치에는 부적합하다. 능동 구동방식은 한 유기발광소자 당 두 개 이상의 박막 트랜지스터를 사용하여 각 단위화소 별로 On/Off를 조절하며 저장용량을 이용하여 정보를 저장하기 때문에 수동 구동방식에 비해 소비전력이 작아진다. 또한, 단위화소 형성 공정이 수동 구동방식에 비해 간단하고, 고해상도의 패널을 제작할 수 있는 장점이 있다.
도 1은 일반적인 능동구동 방식의 유기 전계 발광 표시장치의 단위화소를 나타낸 것이다. 한 단위화소에는 스위칭 트랜지스터(12)와 구동 트랜지스터(16), 하나의 커패시터(14), 유기발광소자(18)가 형성되어 신호에 따라 R, G, B 각 단위 화소별로 빛이 방출된다. 또한 게이트 라인(3)과 데이터 라인(1) 및 전원공급 라인(5)의 배선들이 각 소자들에 연결된 구조를 가진다.
상기 스위칭 트랜지스터(12)는 게이트 라인(3)에 인가되는 스캔 신호에 의해 구동되며, 데이터 라인(1)에 인가되는 데이터 신호를 구동 트랜지스터(16)로 전달하는 역할을 한다. 상기 구동 트랜지스터(16)는 상기 스위칭 트랜지스터(12)로부터 전달된 데이터 신호와 전원공급 라인(5)으로부터 전달된 신호, 즉 게이트와 소스간의 전압차에 의해 유기발광소자(18)를 통해 흐르는 전류량을 결정한다. 또한 상기 커패시터(14)는 상기 스위칭 트랜지스터(12)를 통해 전달된 데이터 신호를 한 프레임 동안 저장하는 역할을 한다.
도 2는 도 1의 I-I'에 대한 종래의 유기 전계 발광 표시장치의 단면도를 나타낸 것이다. 도면을 참조하면, 절연 기판(100) 상에 절연기판으로 향한 불순물의 방지를 위한 버퍼층(105)이 형성되고, 그 상부에 박막 트랜지스터의 반도체층(110)이 형성된다. 상기 반도체층 상부로 층 전체에 걸쳐 게이트 절연막(115)이 형성되고, 상기 반도체층(110)에 대응되도록 상기 게이트 절연막(115) 상에 게이트 전극(120)이 형성된다. 또한, 상기 게이트 전극층(120) 상에 기판 전체에 걸쳐 절연층(125)이 형성되고, 상기의 반도체층(110)과 콘택이 되도록 소스, 드레인(133, 136) 전극층을 형성하여, 박막 트랜지스터가 완성된다. 상기 박막 트랜지스터 상에 기판 전체에 걸쳐 절연층이 형성되고, 그 상부에 유기발광소자를 형성하기 위한 애노드전극층(145)을 상기 드레인전극층(136)에 연결한다. 상기 애노드 전극층(145) 상부에 발광층을 포함한 유기층들(155)을 형성되고, 그 상부에 전체에 걸쳐 캐소드전극(160)이 형성되어, 유기 전계 발광 표시장치가 이루어진다.
상기와 같은 유기 전계 발광 표시장치는 발광영역과 하부의 층들 사이의 거리와 각 층들에서 일어나는 빛의 굴절로 인해 발광면에서 빛이 퍼져나가게 되어(180), 발광된 빛의 직진성이 감소하게 된다.
또한, 유기발광소자에서 발생한 빛이 외부로 방출될 때, 반사(170)로 인해 소자의 특성이 낮아지는 문제가 발생한다. 즉, 박막 트랜지스터와 상기의 박막 트랜지스터를 구동하기 위한 금속 배선들(1, 3, 5), 및 유기발광소자의 금속전극(160) 등의 금속물질로부터, 외부의 자연광이 반사(170)되어 사용자가 눈부심을 느끼게 되고, 콘트라스트비가 저하된다. 게다가 외부광에 대해 노출이 심한 모바일용 표시 장치의 경우에는 외부광의 높은 반사율에 의한 콘트라스트의 저하가 심각한 문제로 대두된다. 또한, 오프 상태에서 반사광이 존재하여 블랙 색상을 구 현하기가 어려운 문제점도 가지게 된다.
이러한 외부광의 반사에 의한 콘트라스트 저하를 방지하기 위해, 종래에는 표시 장치의 전면에 고가의 편광판을 부착하였으나, 이는 고가의 편광판의 사용에 따라 제조 원가의 상승을 초래하고, 편광판 자체가 유기발광소자의 발광층으로부터 방출되는 빛도 차단하기 때문에 투과도를 저하시켜 휘도를 저하시키는 문제점이 있었다.
한편, Cr/CrOx 또는 유기막 등으로 형성된 블랙 매트릭스를 박막 트랜지스터와 커패시터가 형성되는 영역에 별도로 형성하는 방법이 있었는데, 이러한 방법은 블랙 매트릭스를 형성하기 위해 별도의 마스크 공정이 요구되어 공정이 복잡해지는 문제가 있었다.
상기의 문제를 해결하기 위해 한국공개특허 제2003-69434호에 기판 상의 화소 전극 영역을 제외한 전면에 블랙 매트릭스를 금속산화막과 금속막의 이중구조로 형성함으로써 화소 전극 이외의 영역으로부터 외부광이 반사되는 것을 최소화하는 방법이 개시되어 있다. 이러한 방법도 블랙 매트릭스 형성을 위한 증착 공정들이 추가되어 제조 공정이 복잡해진다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는, 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 외부광의 반사율을 최소화하여 콘트라스트를 개선할 수 있는 유기 전계 발광 표시장치와 그 제조방법을 제공하는 것에 목적이 있다.
또한 본 발명이 이루고자하는 다른 기술적 과제는 빛의 직진성을 높일 수 있 는 유기 전계 발광 소자를 제공하는 것에 목적이 있다.
상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 고투과율 영역 및 상기 고투과율 영역의 적어도 일측부에 위치하는 저투과율 영역을 구비하는 화소 전극; 상기 고투과율 영역 상에 위치하는 발광층을 포함하는 유기막; 및 상기 유기막 상에 형성되어 있는 대향전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자를 제공한다.
상기 저투과율 영역은 상기 고투과율 영역을 둘러쌀 수 있다.
상기 화소전극은 ITO, IZO, IO, TO 및 ZnO으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질로 형성될 수 있다.
상기 저투과율 영역은 투과율이 60% 이하일 수 있다.
상기 고투과율 영역은 투과율이 80% 이상일 수 있다.
상기 유기막은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 이상을 포함할 수 있다.
또한 상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 TFT 영역 및 발광소자 영역을 구비하는 기판; 상기 TFT 영역 상에 위치하는 블랙 매트릭스부와 상기 발광소자 영역 상에 위치하고 고투과율 영역 및 상기 고투과율 영역의 적어도 일측부에 위치하는 저투과율 영역을 갖는 화소전극부를 구비하는 도전막; 상기 블랙 매트릭스부 상에 위치하고 상기 화소전극부와 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터; 상기 화소전극부의 고투과율 영역 상에 위치하는 발광층을 포함하는 유기막; 및 상기 유 기막 상에 형성되어 있는 대향전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치를 제공한다.
상기 저투과율 영역은 상기 고투과율 영역을 둘러쌀 수 있다.
상기 도전막은 ITO, IZO, IO, TO 및 ZnO으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질로 형성될 수 있다.
상기 블랙 매트릭스부 및 상기 저투과율 영역은 투과율이 60% 이하일 수 있다.
상기 고투과율 영역은 투과율이 80% 이상일 수 있다.
상기 유기막은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 이상을 포함할 수 있다.
또한 상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 TFT 영역 및 발광소자 영역을 구비하는 기판; 상기 TFT 영역 상에 위치한 박막 트랜지스터; 상기 박막 트랜지스터상에 기판 전면에 걸쳐 형성된 보호층; 상기 보호층 상에 상기 TFT 영역에 대응하는 위치에 형성된 블랙 매트릭스부와상기 발광소자 영역상에 형성되고, 고투과율 영역 및 상기 고투과율 영역의 적어도 일측부에 위치하는 저투과율 영역을 갖는 화소전극부를 구비하되, 상기 화소전극부는 상기 박막 트랜지스터와 연결된 도전막; 상기 화소전극부의 고투과율 영역 상에 위치하는 발광층을 포함하는 유기막; 및 상기 유기막 상에 형성되어 있는 대향전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치를 제공한다.
상기 저투과율 영역은 상기 고투과율 영역을 둘러쌀 수 있다.
상기 도전막은 ITO, IZO, IO, TO 및 ZnO으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질로 형성될 수 있다.
상기 블랙 매트릭스부 및 상기 저투과율 영역은 투과율이 60% 이하일 수 있다.
상기 고투과율 영역은 투과율이 80% 이상일 수 있다.
상기 유기막은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 이상을 포함할 수 있다.
또한 상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 절연 기판 상에 투명도전막을 형성하고, 투과율을 변형시키는 단계; 상기 투과율이 변형된 도전막을 패터닝함으로써 블랙 매트릭스부와 화소전극부로 구분하여 형성하는 단계; 상기 블랙 매트릭스부 상에 반도체층, 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 소스 전극 또는 드레인 전극 중 하나를 선택하여 상기 화소전극부와 전기적으로 연결하도록 형성하는 단계; 상기 화소전극부에 적층된 절연층들을 식각하여 화소전극부의 일부 표면을 노출시키는 단계; 상기 화소전극부의 노출된 부위의 표면을 처리하여 투과율을 환원시킴으로써 고투과율 영역을 형성하는 단계; 및 상기 고투과율 영역 상에 발광층을 포함한 유기막층을 적층하는 단계를 포함하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.
상기 투명도전막은 ITO, IZO, IO, TO 및 ZnO으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질로 형성할 수 있다.
상기 투명도전막의 투과율을 변형시키는 것은 상기 투명도전막에 불순물을 주입하여 수행할 수 있다.
상기 불순물은 아르곤(Ar), 아세닉(As), 보론(B), 인(P) 및 수소(H) 이온으로 이루어진 군에서 선택하는 1종 이상의 물질일 수 있다.
상기 투과율을 변형시키는 단계에서 투과율을 60% 이하로 형성할 수 있다.
상기 노출된 부위의 표면을 처리하는 것은 산소 분위기에서 수행할 수 있다.
상기 투과율을 환원시키는 것은 투과율을 80% 이상으로 형성할 수 있다.
상기 유기막은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택하여 1층 이상을 포함하여 형성할 수 있다.
또한 상기 기술적 과제를 이루기 위하여 본 발명은 TFT 영역 및 발광소자 영역을 구비하는 기판의 TFT 영역 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 상기 박막 트랜지스터가 형성된 기판의 TFT 영역 및 발광소자 영역 상에 투명도전막을 형성하는 단계; 상기 투명도전막에 불순물을 주입하여 투과율을 변형시키는 단계; 상기 투과율이 변형된 도전막을 패터닝함으로써 상기 TFT 영역 상에 블랙 매트릭스부와 상기 발광소자 영역 상에 화소전극부로 구분하여 형성하는 단계; 상기 블랙 매트릭스부 및 상기 화소전극부 상에 상기 화소전극부의 일부 표면을 노출시키는 개구부를 구비하는 화소정의막을 형성하는 단계; 상기 개구부 내에 노출된 화소전극부의 표면을 처리하여 투과율을 환원시킴으로써 고투과율 영역을 형성하는 단계; 및 상기 고투과율 영역 상에 발광층을 포함한 유기막층을 적층하는 단계를 포함하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법을 제공한다.
상기 투명도전막은 ITO, IZO, IO, TO 및 ZnO으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질로 형성할 수 있다.
상기 불순물은 아르곤(Ar), 아세닉(As), 보론(B), 인(P) 및 수소(H) 이온으로 이루어진 군에서 선택하는 물질일 수 있다.
상기 투과율을 변형시키는 단계에서 투과율을 60% 이하로 형성할 수 있다.
상기 노출된 부위의 표면을 처리하는 것은 산소 분위기에서 수행할 수 있다.
상기 투과율을 환원시키는 것은 투과율을 80% 이상으로 형성할 수 있다.
상기 유기막은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택하여 1층 이상을 포함하여 형성할 수 있다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 다음에 소개되는 실시예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되어지는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 층 및 영역의 길이, 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
도 3은 본 발명의 제 1 실시예에 따른 능동구동 방식의 유기 전계 발광 표시 장치의 단위화소를 나타낸 평면도이다.
도면을 참조하면, 고투과율 영역(202b-1)과 상기 고투과율 영역의 적어도 일측부를 둘러싸는 형태의 저투과율 영역(202b-2)을 구비하는 화소 전극부(202b)가 위치하고, 상기 고투과율 영역(202b-1) 상에는 발광층을 포함하는 유기막(28)이 위치한다. 상기 유기막(28)는 발광층, 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 및 전자 주입층으로 이루어진 군에서 선택하여 1층 이상을 더욱 포함할 수 있다. 상기 유기막 상에 대향전극이 위치하며 화소전극부 상의 유기막과 상기 대향전극은 유기 전계 발광 소자를 형성한다. 상기 저투과율 영역(202b-2)은 상기 고투과율 영역의 적어도 일측부에 위치하면서, 상기 유기 전계 발광 소자에서 발생하는 빛의 직진성을 향상시키는 역할을 한다. 따라서 발광빛의 직진성을 더욱 향상시키기 위해 상기 고투과율 영역를 둘러싸는 형태를 가지는 것이 바람직하다.
한편, 스위칭 트랜지스터(22), 구동 트랜지스터(26), 및 커패시터(24)의 소자들 영역과 게이트 라인(23), 데이터 라인(21), 및 전원공급 라인(25)의 배선들의 영역이 TFT 영역을 형성하며, 그 하부에는 블랙 매트릭스부(202a)가 위치한다.
상기 블랙 매트릭스부(202a)와 상기 화소전극부(202b)는 ITO, IZO, IO, TO 및 ZnO으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질로 형성될 수 있으며, 상기의 선택된 물질로 형성된 도전막에 투과율을 변형시키는 방법을 사용하여 형성된다. 따라서, 상기 블랙 매트릭스부(202a)와 상기 화소전극부의 저투과율 영역(202b-2)은 투과율이 60% 이하로 형성되고, 화소전극부의 고투과율 영역(202b-1)은 80% 이상으로 형성될 수 있다.
상기 블랙 매트릭스부(202a)는 그 상부에 위치하는 각 소자들과 금속 배선들로 입사할 수 있는 외부광을 차단하여 반사광이 발생하지 않도록 하는 역할을 한다.
도 4f는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 도 3의 Ⅱ-Ⅱ'에 대한 유기 전계 발광 소자의 단면도이다.
도면을 참조하면, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시장치는 TFT 영역(B) 및 유기 전계 발광 소자 영역(A)을 구비하는 기판 상에, 블랙 매트릭스부(202a)와 화소전극부(202b)로 구분되는 도전막이 위치한다. 상기 블랙 매트릭스부(202a)는 상기 TFT 영역 상에 위치하고, 화소전극부는 상기 발광소자 영역 상에 위치하고 고투과율 영역(202b-1)과 상기 고투과율 영역의 적어도 일측부에 위치하는 저투과율 영역(202b-2)을 구비한다.
상기 기판 상에 버퍼층(205)이 구비되고, 상기 블랙 매트릭스부(202a) 영역에 부합하는 상기 버퍼층(205) 상부로 반도체층(210)이 형성된다. 상기 버퍼층은 반드시 형성되어야 할 것은 아니지만, 기판으로부터 소자로 유입되는 불순물을 방지하기 위해서 형성하는 것이 더욱 바람직하다고 볼 수 있다. 상기 버퍼층(205)은 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiO2), 및 실리콘 산화질화막(SiNxO y) 중 적어도 하나의 물질로 형성될 수 있다. 상기 반도체층(210)은 비정질 또는 다결정 실리콘막으로 이루어진다. 상기 반도체층(210)이 형성된 기판 상부로 게이트 절연막(215)과 게이트 전극(220)이 위치하고, 그 상부로 층간 절연막(225)이 형성되며, 하부의 반도체층(210)과 콘택이 되는 소스, 드레인 전극(233, 236)이 위치한다. 또한, 상기 소스, 드레인 전극(233, 236) 중 선택된 하나, 예를 들면 드레인 전극(236)은 화소전극부의 저투과율 영역(202b)과 연결이 된다.
이와 같이 상기 블랙 매트릭스부(202a) 상에는 상기 화소전극부(202b)와 전기적으로 연결되는 박막 트랜지스터가 형성된다. 또한, 상기 화소전극부의 고투 과율 영역(204) 상에는 발광층을 포함한 유기층(255)이 위치하고, 그 상부에 대향전극(260)이 위치한다. 상기 화소전극부(202b), 상기 유기층(255) 및 상기 대향전극(260)은 유기전계 발광소자를 형성한다.
상기 고투과율 영역(202b-1)은 투과율이 80% 이상일 수 있다.
상기 저투과율 영역(202b-2)은 투과율이 60%이하일 수 있다. 상기 저투과율 영역은 상기 고투과율 영역(202b-1)의 적어도 일측부에 위치하면서, 상기 유기 전계 발광 소자에서 사방으로 발생하는 빛을 흡수한다. 따라서, 유기 전계 발광 소자에서 발생하는 빛의 직진성을 향상시키는 역할을 한다. 따라서 발광빛의 직진성을 더욱 향상시키기 위해 상기 고투과율 영역(202b-1)을 둘러싸는 형태를 가지는 것이 바람직하다.
도 4a 내지 도 4f는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법에 대한 단면도들이다.
도 4a를 참조하면, TFT 영역(B)과 발광 소자 영역(A)을 가진 절연 기판(200) 상에 투명도전막(202)을 형성한다. 상기 투명도전막(202)은 ITO, IZO, IO, TO 및 ZnO으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질을 사용하여 형성할 수 있다. 상기 투명도전막(202)의 투과율을 변형시킨다. 상기 투명도전막의 투과율을 변형시키는 것은 상기 투명도전막에 불순물을 주입하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 불순물은 아르곤(Ar), 아세닉(As), 보론(B), 인(P) 및 수소(H) 이온으로 이루어진 군에서 선택할 수 있다. 즉, 상기 투명도전막(202)의 상부에 불순물(8)을 처리함으로써, 투명도전막의 물질에 불순물이 주입되어 투과도가 낮아지게 된다. 이때 불순물 주입 공 정은 이온주입기 또는 이온 샤워기 등을 이용할 수 있다.
도 4b를 참조하면, 상기 도전막(202)을 패터닝함으로써, 블랙 매트릭스부(202a)와 화소전극부(202b)로 영역을 나눈다. TFT 영역(B)인 블랙 매트릭스부(202a)는 유기발광소자를 제외한 단위화소 내의 소자들, 예를 들면 박막 트랜지스터가 형성될 부분이 되고, 유기 전계 발광 소자 영역(A)인 화소전극부(202b)는 유기 전계 발광 소자와 박막트랜지스터의 연결부분과 유기 전계 발광 소자가 형성될 부분이 된다.
도 4c를 참조하면, 상기 패터닝된 도전막(202a, 202b) 상에 버퍼층(205)을 형성한다. 상기 버퍼층(205)은 본 발명의 실시예에 따라 반드시 형성해야 할 것은 아니지만, 소자 제조 시 발생하는 불순물들이 상기 절연 기판(200) 내에 침투하는 것을 방지하여 소자의 특성을 향상시키는 역할을 하므로 상기 버퍼층(205)을 형성하여 주는 것이 더욱 바람직하다. 상기 버퍼층(205)은 실리콘 질화막(SiNx) 또는 실리콘 산화막(SiO2) 및 실리콘 산화질화막(SiNxOy)으로 형성할 수 있다.
상기 버퍼층(205) 상에 반도체층(210)을 형성한다. 상기 반도체층(210)은 비정질 또는 다결정 실리콘막으로 형성할 수 있다. 또한 상기 반도체층(210) 상에게이트 절연막(215)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(215)은 통상의 절연막, 예를 들면 실리콘 산화막(SiO2)으로 형성한다.
도 4d를 참조하면, 상기 게이트 절연막(215)이 형성된 기판 상에 게이트 전극(220)을 형성하고, 상기 게이트 전극(220) 상부에 층간절연막(225)을 형성한다. 그리고, 상기 층간 절연막(225) 내에 상기 반도체층(210)의 양측 단부를 노출시키는 콘택홀(237)과 상기 화소전극부(202b)의 일부를 노출시키는 비아홀(238)을 함께 형성한다. 상기 콘택홀(237)과 비아홀(238)이 형성된 기판 상에 도전막을 적층하고 이를 패터닝함으로써 상기 콘택홀(237)을 통해 상기 반도체층의 일측 단부와 연결되는 소스 전극(233) 및 상기 콘택홀(237)을 통해 상기 반도체층의 외측단부와 연결함과 동시에 상기 비아홀(238)을 통해 상기 화소전극부와 연결되는 드레인 전극(236)을 형성한다.
도 4e를 참조하면, 상기 소스, 드레인 전극(233, 236)을 형성한 기판의 상부에 보호층(240)을 형성한다. 상기 보호층(240)은 무기 또는 유기 절연막, 또는 이들의 이중층으로 이루어진다. 상기 보호층(240) 형성 후 유기발광소자가 형성될 영역(도 3의 28)을 식각하여 화소전극부의 일부를 노출시키는 개구부(250)를 형성하고, 상기 개구부내 노출된 화소전극부의 표면을 처리한다. 상기 화소전극부의 노출된 부위의 표면을 처리하는 것은 산소 분위기에서 수행할 수 있다. 따라서 상기 표면 처리로 인해 투과율이 환원이 되고, 상기 투과율이 환원되는 것은 80% 이상으로 형성할 수 있다. 즉, 화소전극부 상에 형성되어 있는 상기 보호층(240) 및 하부의 절연층들(205, 215, 225)은 식각이 되고, 화소전극부의 노출된 영역에만 산소 플라즈마 처리에 의해 투과율이 복귀되고, 고투과율 영역(202b-1)이 되는 것이다. 그리고, 화소전극부의 노출이 되지 않은 부위는 산소 플라즈마 처리가 되지 않기 때문에 저 투과율 영역(202b-2)으로 형성된다.
상기와 같은 과정은 식각된 후 노출된 표면에 존재할 가능성이 높은 잔막들 을 산소 플라즈마 처리에 의해서 애싱(ashing)이 되는 효과를 가지게 되고, 투명전극층의 일함수(work function) 증가 효과를 기대할 수 있다.
따라서, 상기 화소전극부는 저투과율 영역(202b-2)과 고투과율 영역(202b-1)로 구분된다. 상기 저투과율 영역(202b-2)은 투과율이 60%이하 일 수 있고, 상기 고투과율 영역(202b-1)은 투과율이 80% 이상일 수 있으며, 상기 고투과율 영역(202b-1) 상부에는 발광층을 포함한 유기층(255)을 형성한다. 상기 유기층(255)은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자주입층으로 이루어진 군에서 1층 이상을 더욱 포함할 수 있다.
도 4f를 참조하면, 상기의 과정을 거친 기판 위에 대향전극(260)을 형성하여 유기 전계 발광 표시 장치를 완성한다.
상기의 전극층(260)은 유기 전계 발광 소자의 캐소드 또는 애노드 전극이 되며, 고투과율 영역(202b-1)과 함께 상기 유기 전계 발광 소자의 전극 역할을 한다.
따라서 본 발명의 제 1 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 장치는 하부에 형성된 도전막으로 인해, 블랙 매트릭스(202a)와 화소전극(202b)을 동시에 증착하는 특징을 가진다. 즉, TFT 영역(B)에 대하여 형성된 저투과율 영역은 간단한 불순물주입 공정으로 인해 블랙 매트릭스부(202a)로 형성되어 TFT 영역에 형성된 박막트랜지스터, 커패시터 및 배선들로부터 외부광이 반사되는 것을 방지한다. 그리고, 화소전극부의 발광영역, 즉 고투과율 영역(202b-1) 이외의 부분에는 저투과율 영역(202b-2)이 존재하여 유기발광소자에서 방출된 빛의 직진성을 더욱 향상되게 한다.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 능동구동 방식의 유기 전계 발광 표시 장치의 단위화소를 나타낸 평면도이다.
도면을 참조하면, 기판 상에 블랙 매트릭스부가 위치한 제 1 실시예와는 달리, 제 2 실시예에서는 TFT 영역의 소자 및 배선들 상부에 블랙 매트릭스부(302a)가 위치한다. 즉, 상기 블랙 매트릭스부(302a)가 스위칭 트랜지스터(32), 구동 트랜지스터(36), 및 커패시터(34)의 소자들 영역과 게이트 라인(33), 데이터 라인(31), 및 전원공급 라인(35)의 배선들의 영역 상에 위치한 형태이다.
또한, 제 1 실시예와는 달리, 제 2 실시예에서는 하부의 절연막들(도면에는 표시되지 않음)을 그대로 유지한 상태에서, 그 상부에 고투과율 영역(302b-1)과 상기 고투과율 영역의 적어도 일측부를 둘러싸는 형태의 저투과율 영역(302b-2)이 구비된다. 상기 고투과율 영역(302b-1)과 저투과율 영역(302b-2)은 화소 전극부(302b)를 이루며, 상기 고투과율 영역(302b-1) 상에는 발광층을 포함한 유기층(38)이 위치한다. 상기 유기층(38)는 발광층, 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택하여 1층 이상을 더욱 포함할 수 있다. 상기 유기막 상에 대향전극이 위치하고, 상기 화소전극부, 상기 유기막 및 상기 대향전극은 유기 전계 발광 소자를 형성한다. 상기 저투과율 영역(302b-2)은 상기 고투과율 영역의 적어도 일측부에 위치하면서, 유기 전계 발광 소자에서 발생하는 빛의 직진성을 향상시키는 역할을 한다. 따라서 발광빛의 직진성을 더욱 향상시키기 위해 상기 고투과율 영역(38)를 둘러싸는 형태를 가지는 것이 바람직하다. 상기 블랙 매트릭스부(302a)는 각 소자들과 금속 배선들로 입사할 수 있는 외부광을 차단하여 반사광이 발생하지 않도록 하는 역할을 한다.
도 6d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 도 3의 Ⅱ-Ⅱ'에 대한 유기 전계 발광 소자의 단면도이다.
도면을 참조하면, 본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시장치는 TFT 영역(B) 및 유기 전계 발광 소자 영역(A)을 구비하는 기판 상에, 버퍼층(305)이 구비되고, 상기 버퍼층(305) 상부로 반도체층(310)이 형성된다. 상기 버퍼층은 반드시 형성되어야 할 것은 아니지만, 기판으로부터 소자로 유입되는 불순물을 방지하기 위해서 형성하는 것이 더욱 바람직하다고 볼 수 있다. 상기 버퍼층(305)은 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiO2), 및 실리콘 산화질화막(SiNxOy ) 중에서 적어도 한 층으로 형성될 수 있다. 상기 반도체층(310)은 비정질 또는 다결정 실리콘막으로 이루어진다. 상기 반도체층(310)이 형성된 기판 상부로 게이트 절연막(315)과 게이트 전극(320)이 위치하고, 그 상부로 층간 절연막(325)이 형성되며, 하부의 반도체층(310)과 콘택이 되는 소스, 드레인 전극(333, 336)이 위치한다. 상기 소스, 드레인 전극(333, 336) 상에 상기 드레인 전극(336)을 노출시키는 비아홀을 갖는 보호층(340)이 위치한다.
상기 보호층상에 화소전극부(350b)와 블랙 매트릭스부(350a)를 구비하는 도전막이 형성된다. 상기 화소전극부(350b)는 상기 발광소자 영역(A) 상에 위치하며 상기 비아홀을 통해 상기 드레인 전극과 접속되며, 상기 블랙매트릭스부(350a)는 상기 TFT영역(B) 상에 위치한다.
상기 화소전극부(350b)는 유기 전계 발광소자(355)가 상부에 위치한 고투과율 영역(350b-1) 및 상기 고투과율 영역(350b-1)의 적어도 일측부를 둘러싸는 형태의 저투과율 영역(302b-2)으로 이루어진다. 상기 고투과율 영역(350b-1) 상부에 상기 고투과율 영역을 노출시키는 개구부를 갖는 PDL이 위치하고 상기 개구부 내에 노출된 고투과율 영역 상에 유기막이 위치한다. 또한 상기 유기막 상에 대향전극이 위치한다. 상기 화소전극부 상의 유기막 및 대향전극은 유기 전계 발광 소자를 형성한다. 상기 저투과율 영역(302b-2)은 상기 고투과율 영역(350b-1)의 적어도 일측부에 위치하면서, 유기 전계 발광 소자에서 발생하는 빛의 직진성을 향상시키는 역할을 한다. 따라서 발광빛의 직진성을 더욱 향상시키기 위해 상기 고투과율 영역을 둘러싸는 형태를 가지는 것이 바람직하다.
도 6a 내지 도 6d는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 유기 전계 발광 표시 소자의 제조 방법에 대한 단면도들이다.
도 6a를 참조하면, 기판(300) 상에 버퍼층(305)을 형성한다. 상기 버퍼층(305)은 본 발명의 제 2 실시예에 따라 반드시 형성해야 할 것은 아니지만, 소자 제조 시 발생하는 불순물들이 상기 기판(300) 내에 침투하는 것을 방지하여 소자의 특성을 향상시키는 역할을 하므로 상기 버퍼층(305)을 형성하여 주는 것이 더욱 바람직하다. 상기 버퍼층(305)은 실리콘 질화막(SiNx), 실리콘 산화막(SiO2), 및 실리콘 산화질화막(SiNxOy)으로 형성할 수 있다.
상기 버퍼층(305) 상에 반도체층(310)을 형성한다. 상기 반도체층(310)은 비 정질 또는 다결정 실리콘막으로 형성할 수 있다. 또한 상기 반도체층(310) 상에 게이트 절연막(315)을 형성한다. 상기 게이트 절연막(315)은 통상의 절연막, 예를 들면 실리콘 산화막(SiO2)으로 형성한다.
상기 게이트 절연막(315)이 형성된 기판 상에 게이트 전극(320)을 형성하고, 상기 게이트 전극(320) 상부에 층간절연막(325)을 형성한다. 그리고, 상기 층간 절연막 내에 상기 반도체층을 노출시키는 콘택홀을 형성한다. 상기 콘택홀을 통하여 반도체층(310)과 연결된 소스, 드레인 전극(333, 336)이 형성된다.
도 6b를 참조하면, 상기 소스, 드레인 전극(333, 336)을 형성한 기판의 상부에 보호층(340)을 형성한다. 상기 보호층(340)은 무기 또는 유기 절연막으로 단일 또는 이들의 이중층으로 형성할 수 있다.
상기 박막 트랜지스터의 소스 또는 드레인 전극(333, 336)을 노출시키도록 상기 보호층(340)상에 비아홀을 형성하고, 상기 비아홀을 통하여 소스 또는 드레인 전극(333, 336)과 콘택이 되도록 기판 전면에 걸쳐 투명도전막(350)을 형성한다. 상기 투명도전막(350)은 ITO, IZO, IO, TO 및 ZnO으로 이루어진 군에서 선택된 하나의 물질을 사용하여 형성할 수 있다.
상기 투명도전막(350)에 불순물을 주입하여 투과율을 변형시킨다. 상기 투명도전막의 투과율을 변형시키는 것은 상기 투명도전막(350)에 불순물을 주입하여 형성할 수 있다. 또한, 상기 불순물은 아르곤(Ar), 아세닉(As), 보론(B), 인(P) 및 수소(H) 이온으로 이루어진 군에서 선택할 수 있다. 즉, 상기 투명도전막(350)의 상부에 불순물(50)을 처리함으로써, 투명도전막의 물질에 불순물이 주입되어 투과도가 낮아지게 된다. 이때 불순물 주입 공정은 이온주입기 또는 이온 샤워기 등을 이용할 수 있다. 상기 불순물이 처리된 도전막은 투과율이 60%이하일 수 있다.
도 6c를 참조하면, 상기 투과율이 변형된 도전막을 패터닝함으로써 블랙 매트릭스부(350a)와 화소전극부(350b)로 구분하여 형성한다. 상기 패터닝된 도전막(350a, 350b) 상에 화소정의막(PDL; 352)을 형성한다. 상기 절연층을 식각하여 화소전극부의 일부 표면을 노출시키는 개구부를 형성한다. 그리고, 상기 개구부내의 화소전극부의 노출된 부위의 표면을 처리하여 투과율을 환원시킨다. 상기 화소전극부의 노출된 부위의 표면을 처리하는 것은 산소 분위기에서 수행할 수 있다.
즉, 패터닝된 PDL에 의해 노출된 일부의 화소전극부는 산소 플라즈마 처리에 의해 투과율이 복귀되고, 고투과율 영역(350b-1)이 된다. 그리고, 화소전극부의 노출이 되지 않은 부위는 산소 플라즈마 처리가 되지 않기 때문에 저 투과율 영역(350b-2)으로 형성된다.
상기와 같은 과정은 식각된 후 노출된 표면에 존재할 가능성이 높은 잔막들을 산소 플라즈마 처리에 의해서 애싱(ashing)이 되는 효과를 가지게 되고, 투명전극층의 일함수(work function) 증가 효과를 기대할 수 있다.
따라서, 상기 화소전극부는 저투과율 영역(202b-2)과 고투과율 영역(202b-1)로 구분된다. 상기 저투과율 영역(202b-2)은 투과율이 60%이하 일 수 있고, 상기 고투과율 영역(202b-1)은 투과율이 80% 이상일 수 있다.
도 6d를 참조하면, 상기 화소전극부의 고투과율 영역(350b-1) 상에 발광층을 포함한 유기층(355)을 적층한다. 상기 유기층(355)은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 전자주입층으로 이루어진 군에서 1층 이상을 포함할 수 있다.
상기의 과정을 거친 기판 위에 대향전극(260)을 형성하여 유기 전계 발광 표시 장치를 완성한다. 상기의 전극층(260)은 유기 전계 발광 소자의 캐소드 또는 애노드 전극이 되며, 고투과율 영역(202b-1)과 함께 상기 유기 전계 발광 소자의 전극 역할을 한다.
따라서, 본 발명의 제 2 실시예에서는 박막 트랜지스터 형성 후, 화소 전극을 형성하는 과정에서, 간단한 불순물주입 공정으로 인해 블랙 매트릭스부(350a)를 형성하여, TFT 영역에 형성된 박막트랜지스터, 커패시터 및 배선들로부터 외부광이 반사되는 것을 방지한다. 그리고, 화소전극부의 발광영역, 즉 고투과율 영역(350b-1) 이외의 부분에는 저투과율 영역(350b-2)이 존재하여 유기발광소자에서 방출된 빛의 직진성을 더욱 향상되게 한다.
도 7은 투명도전막(ITO)과 불순물을 주입한 도전막(doped ITO), 및 산소 플라즈마 처리를 한 도전막(O2 treatment ITO)에 대한 투과율 그래프이다. 불순물을 주입한 도전막은 저투과율 영역(202b-2)과 블랙 매트릭스부(202a)이며, 산소 플라즈마 처리를 한 도전막은 고투과율 영역(202b-1)이다.
도면을 참조하면, 가시광선 영역 내의 파장범위에서, 불순물을 주입한 도전막의 투과율은 60%이하를 유지하며, 불순물을 주입한 도전막에 산소 플라즈마 처리를 한 도전막의 투과율은 80% 이상으로 복원됨을 알 수 있다.
본 발명에 따른 유기 전계 발광 표시장치는 도전막으로 이루어진 블랙 매트릭스부로 인해 외부광의 반사율을 최소화하여 콘트라스트를 개선할 수 있는 특징을 가진다.
또한, 화소부의 발광 영역 이외에 형성된 저투과율 영역으로 인해 발광된 빛의 직진성을 높일 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.

Claims (33)

  1. 고투과율 영역 및 상기 고투과율 영역의 적어도 일측부에 위치하는 저투과율 영역을 구비하는 화소 전극;
    상기 고투과율 영역 상에 위치하는 발광층을 포함하는 유기막; 및
    상기 유기막 상에 형성되어 있는 대향전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 저투과율 영역은 상기 고투과율 영역을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  3. 제 1항에 있어서,
    상기 화소전극은 ITO, IZO, IO, TO 및 ZnO으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질로 형성된 것인 유기 전계 발광 소자.
  4. 제 1항에 있어서,
    상기 저투과율 영역은 투과율이 60% 이하인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  5. 제 1항에 있어서,
    상기 고투과율 영역은 투과율이 80% 이상인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  6. 제 1항에 있어서,
    상기 유기막은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 이상을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 소자.
  7. TFT 영역 및 발광소자 영역을 구비하는 기판;
    상기 TFT 영역 상에 위치하는 블랙 매트릭스부와 상기 발광소자 영역 상에 위치하고 고투과율 영역 및 상기 고투과율 영역의 적어도 일측부에 위치하는 저투과율 영역을 갖는 화소전극부를 구비하는 도전막;
    상기 블랙 매트릭스부 상에 위치하고 상기 화소전극부와 전기적으로 연결된 박막 트랜지스터;
    상기 화소전극부의 고투과율 영역 상에 위치하는 발광층을 포함하는 유기막; 및
    상기 유기막 상에 형성되어 있는 대향전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 저투과율 영역은 상기 고투과율 영역을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
  9. 제 7항에 있어서,
    상기 도전막은 ITO, IZO, IO, TO 및 ZnO으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질로 형성된 것인 유기 전계 발광 표시장치.
  10. 제 7항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스부 및 상기 저투과율 영역은 투과율이 60% 이하인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
  11. 제 7항에 있어서,
    상기 고투과율 영역은 투과율이 80% 이상인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
  12. 제 7항에 있어서,
    상기 유기막은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 이상을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
  13. TFT 영역 및 발광소자 영역을 구비하는 기판;
    상기 TFT 영역 상에 위치한 박막 트랜지스터;
    상기 박막 트랜지스터상에 기판 전면에 걸쳐 형성된 보호층;
    상기 보호층 상에 상기 TFT 영역에 대응하는 위치에 형성된 블랙 매트릭스부와상기 발광소자 영역상에 형성되고, 고투과율 영역 및 상기 고투과율 영역의 적어도 일측부에 위치하는 저투과율 영역을 갖는 화소전극부를 구비하되, 상기 화소전극부는 상기 박막 트랜지스터와 연결된 도전막;
    상기 화소전극부의 고투과율 영역 상에 위치하는 발광층을 포함하는 유기막; 및
    상기 유기막 상에 형성되어 있는 대향전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
  14. 제 13항에 있어서,
    상기 저투과율 영역은 상기 고투과율 영역을 둘러싸는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
  15. 제 13항에 있어서,
    상기 도전막은 ITO, IZO, IO, TO 및 ZnO으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질로 형성된 것인 유기 전계 발광 표시장치.
  16. 제 13항에 있어서,
    상기 블랙 매트릭스부 및 상기 저투과율 영역은 투과율이 60% 이하인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
  17. 제 13항에 있어서,
    상기 고투과율 영역은 투과율이 80% 이상인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
  18. 제 13항에 있어서,
    상기 유기막은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택되는 1층 이상을 더욱 포함하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치.
  19. 절연 기판 상에 투명도전막을 형성하고, 투과율을 변형시키는 단계;
    상기 투과율이 변형된 도전막을 패터닝함으로써 블랙 매트릭스부와 화소전극부로 구분하여 형성하는 단계;
    상기 블랙 매트릭스부 상에 반도체층, 게이트 전극, 소스 전극, 및 드레인 전극을 구비하는 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 소스 전극 또는 드레인 전극 중 하나를 선택하여 상기 화소전극부와 전 기적으로 연결하도록 형성하는 단계;
    상기 화소전극부에 적층된 절연층들을 식각하여 화소전극부의 일부 표면을 노출시키는 단계;
    상기 화소전극부의 노출된 부위의 표면을 처리하여 투과율을 환원시킴으로써 고투과율 영역을 형성하는 단계; 및
    상기 고투과율 영역 상에 발광층을 포함한 유기막층을 적층하는 단계를 포함하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  20. 제 19항에 있어서,
    상기 투명도전막은 ITO, IZO, IO, TO 및 ZnO으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  21. 제 19항에 있어서,
    상기 투명도전막의 투과율을 변형시키는 것은 상기 투명도전막에 불순물을 주입하여 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  22. 제 21항에 있어서,
    상기 불순물은 아르곤(Ar), 아세닉(As), 보론(B), 인(P) 및 수소(H) 이온으로 이루어진 군에서 선택하는 1종 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  23. 제 19항에 있어서,
    상기 투과율을 변형시키는 단계에서 투과율을 60% 이하로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  24. 제 19항에 있어서,
    상기 노출된 부위의 표면을 처리하는 것은 산소 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  25. 제 19항에 있어서,
    상기 투과율을 환원시키는 것은 투과율을 80% 이상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  26. 제 19항에 있어서,
    상기 유기막은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택하여 1층 이상을 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  27. TFT 영역 및 발광소자 영역을 구비하는 기판의 TFT 영역 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;
    상기 박막 트랜지스터가 형성된 기판의 TFT 영역 및 발광소자 영역 상에 투명도전막을 형성하는 단계;
    상기 투명도전막에 불순물을 주입하여 투과율을 변형시키는 단계;
    상기 투과율이 변형된 도전막을 패터닝함으로써 상기 TFT 영역 상에 블랙 매트릭스부와 상기 발광소자 영역 상에 화소전극부로 구분하여 형성하는 단계;
    상기 블랙 매트릭스부 및 상기 화소전극부 상에 상기 화소전극부의 일부 표면을 노출시키는 개구부를 구비하는 화소정의막을 형성하는 단계;
    상기 개구부 내에 노출된 화소전극부의 표면을 처리하여 투과율을 환원시킴으로써 고투과율 영역을 형성하는 단계; 및
    상기 고투과율 영역 상에 발광층을 포함한 유기막층을 적층하는 단계를 포함하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  28. 제 27항에 있어서,
    상기 투명도전막은 ITO, IZO, IO, TO 및 ZnO으로 이루어진 군에서 선택되는 하나의 물질로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  29. 제 27항에 있어서,
    상기 불순물은 아르곤(Ar), 아세닉(As), 보론(B), 인(P) 및 수소(H) 이온으로 이루어진 군에서 선택하는 1종 이상의 물질인 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  30. 제 27항에 있어서,
    상기 투과율을 변형시키는 단계에서 투과율을 60% 이하로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  31. 제 27항에 있어서,
    상기 노출된 부위의 표면을 처리하는 것은 산소 분위기에서 수행하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  32. 제 27항에 있어서,
    상기 투과율을 환원시키는 것은 투과율을 80% 이상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
  33. 제 27항에 있어서,
    상기 유기막은 정공주입층, 정공수송층, 정공억제층, 및 전자주입층으로 이루어진 군에서 선택하여 1층 이상을 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 전계 발광 표시장치의 제조방법.
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