JP2000040591A - 有機電界発光素子 - Google Patents
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- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 title claims abstract 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 122
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 122
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 19
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 claims description 17
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 17
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 12
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 claims description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 claims description 8
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 claims description 8
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 claims description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 5
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 5
- 229930192474 thiophene Natural products 0.000 claims description 5
- FWLHAQYOFMQTHQ-UHFFFAOYSA-N 2-N-[8-[[8-(4-aminoanilino)-10-phenylphenazin-10-ium-2-yl]amino]-10-phenylphenazin-10-ium-2-yl]-8-N,10-diphenylphenazin-10-ium-2,8-diamine hydroxy-oxido-dioxochromium Chemical compound O[Cr]([O-])(=O)=O.O[Cr]([O-])(=O)=O.O[Cr]([O-])(=O)=O.Nc1ccc(Nc2ccc3nc4ccc(Nc5ccc6nc7ccc(Nc8ccc9nc%10ccc(Nc%11ccccc%11)cc%10[n+](-c%10ccccc%10)c9c8)cc7[n+](-c7ccccc7)c6c5)cc4[n+](-c4ccccc4)c3c2)cc1 FWLHAQYOFMQTHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000001448 anilines Chemical class 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920000767 polyaniline Polymers 0.000 claims description 4
- 229920005596 polymer binder Polymers 0.000 claims description 4
- 239000002491 polymer binding agent Substances 0.000 claims description 4
- 150000003577 thiophenes Chemical class 0.000 claims description 4
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000011575 calcium Substances 0.000 claims description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 3
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 3
- OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[O-2].[In+3] OYQCBJZGELKKPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N Calcium Chemical compound [Ca] OYPRJOBELJOOCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N Lithium Chemical compound [Li] WHXSMMKQMYFTQS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 claims description 2
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N beryllium atom Chemical compound [Be] ATBAMAFKBVZNFJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N strontium atom Chemical compound [Sr] CIOAGBVUUVVLOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 2
- 150000000475 acetylene derivatives Chemical class 0.000 claims 2
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 37
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 23
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 12
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 11
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 10
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 10
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 10
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 8
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 description 7
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 7
- 229910001148 Al-Li alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 6
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 6
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 5
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 4
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007738 vacuum evaporation Methods 0.000 description 4
- 229910006404 SnO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 125000002534 ethynyl group Chemical group [H]C#C* 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 3
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 3
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 3
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- -1 zinc (Zn) metal complex compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 3
- PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N Aniline Chemical compound NC1=CC=CC=C1 PAYRUJLWNCNPSJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Thiophene Chemical compound C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N coumarin Chemical compound C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N fluorene Chemical compound C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 2
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 1-[(e)-2-phenylethenyl]anthracene Chemical compound C=1C=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C2C=1\C=C\C1=CC=CC=C1 VERMWGQSKPXSPZ-BUHFOSPRSA-N 0.000 description 1
- STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline Chemical compound C=12C=CC3=C(C=4C=CC=CC=4)C=C(C)N=C3C2=NC(C)=CC=1C1=CC=CC=C1 STTGYIUESPWXOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 3-methyl-n-[4-[4-(n-(3-methylphenyl)anilino)phenyl]phenyl]-n-phenylaniline Chemical compound CC1=CC=CC(N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C=C(C)C=CC=2)=C1 OGGKVJMNFFSDEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 4-(dicyanomethylene)-2-methyl-6-(4-(dimethylamino)styryl)-4H-pyran Chemical group C1=CC(N(C)C)=CC=C1C=CC1=CC(=C(C#N)C#N)C=C(C)O1 YLYPIBBGWLKELC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005725 8-Hydroxyquinoline Substances 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 150000004982 aromatic amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009125 cardiac resynchronization therapy Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 1
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 1
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005281 excited state Effects 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 230000005283 ground state Effects 0.000 description 1
- RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N heliogen blue Chemical compound [Cu].[N-]1C2=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=NC([N-]1)=C(C=CC=C3)C3=C1N=C([N-]1)C3=CC=CC=C3C1=N2 RBTKNAXYKSUFRK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005842 heteroatom Chemical group 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 1
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N n-[4-[4-(n-naphthalen-1-ylanilino)phenyl]phenyl]-n-phenylnaphthalen-1-amine Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C2=CC=CC=C2C=CC=1)C1=CC=C(C=2C=CC(=CC=2)N(C=2C=CC=CC=2)C=2C3=CC=CC=C3C=CC=2)C=C1 IBHBKWKFFTZAHE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000001151 other effect Effects 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960003540 oxyquinoline Drugs 0.000 description 1
- 125000002080 perylenyl group Chemical group C1(=CC=C2C=CC=C3C4=CC=CC5=CC=CC(C1=C23)=C45)* 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N pigment red 224 Chemical compound C=12C3=CC=C(C(OC4=O)=O)C2=C4C=CC=1C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C4=CC=C3C1=C42 CLYVDMAATCIVBF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 1
- DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N pyrazoline Chemical compound C1CN=NC1 DNXIASIHZYFFRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002910 rare earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- 239000001018 xanthene dye Substances 0.000 description 1
Classifications
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K59/805—Electrodes
-
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
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-
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-
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Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電極層における光の反射を低減し、ディスプ
レイに用いた場合において十分な表示コントラストを得
ることができる有機電界発光素子を提供する。 【解決手段】 透明基板１１上に透明電極層１２を形成
し、この透明電極層１２上に透明電極層１２と交差する
ように有機電界発光層１３、金属電極層１４および低光
反射層２１を積層して有機電界発光素子２０が構成され
る。金属電極層１４は可視光（３９０〜７６０ｎｍ程度
の波長の光）に対する光反射率が５０％以下となるよう
に構成されており、これにより金属電極層１４における
光の鏡面反射が低減される。可視光に対する光反射率は
金属電極層１４の厚さにより異なり、厚さを調節するこ
とにより、すなわち金属電極層１４を形成している膜を
薄膜化することにより光反射率が５０％以下となる。低
光反射層２１は、可視光に対する光反射率が１０％以下
である層を含む１つ以上の層により構成されており、金
属電極層１４における光の鏡面反射の抑制を促進する。
レイに用いた場合において十分な表示コントラストを得
ることができる有機電界発光素子を提供する。 【解決手段】 透明基板１１上に透明電極層１２を形成
し、この透明電極層１２上に透明電極層１２と交差する
ように有機電界発光層１３、金属電極層１４および低光
反射層２１を積層して有機電界発光素子２０が構成され
る。金属電極層１４は可視光（３９０〜７６０ｎｍ程度
の波長の光）に対する光反射率が５０％以下となるよう
に構成されており、これにより金属電極層１４における
光の鏡面反射が低減される。可視光に対する光反射率は
金属電極層１４の厚さにより異なり、厚さを調節するこ
とにより、すなわち金属電極層１４を形成している膜を
薄膜化することにより光反射率が５０％以下となる。低
光反射層２１は、可視光に対する光反射率が１０％以下
である層を含む１つ以上の層により構成されており、金
属電極層１４における光の鏡面反射の抑制を促進する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電流が注入される
ことにより発光する有機化合物を構成要素に含む有機電
界発光素子に係り、特に極薄型の有機ＥＬ（Electrolum
inescence ）ディスプレイ装置に用いて好適な有機電界
発光素子に関する。
ことにより発光する有機化合物を構成要素に含む有機電
界発光素子に係り、特に極薄型の有機ＥＬ（Electrolum
inescence ）ディスプレイ装置に用いて好適な有機電界
発光素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、表示装置（ディスプレイ）として
は、据え置き型のブラウン管すなわちＣＲＴ（Cathode
Ray Tube）装置や、携帯用や薄型化の要求を満たすため
のフラットパネルディスプレイがある。ブラウン管は輝
度が高く、色再現性が良いために現在多用されている
が、占有容量が大きい、重い、消費電力が大きい等の問
題点が指摘されている。一方、フラットパネルディスプ
レイは、軽量であり、ブラウン管よりも発光効率に優れ
ており、コンピュータやテレビジョンの画面表示用とし
て期待されている。現在、フラットパネルディスプレイ
では、アクティブマトリクス駆動方式の液晶ディスプレ
イ（ＬＣＤ；Liquid Crystal Display）が商品化されて
いる。このＬＣＤは、自ら発光せずに外部よりの光（バ
ックライト）を受けて表示するタイプのディスプレイで
あり、視野角が狭い、自発光型ではないために周囲が暗
い環境下ではバックライトの消費電力が大きい、今後実
用化が期待されている高精細度の高速のビデオ信号に対
して十分な応答性能を備えていない等の問題点が指摘さ
れている。
は、据え置き型のブラウン管すなわちＣＲＴ（Cathode
Ray Tube）装置や、携帯用や薄型化の要求を満たすため
のフラットパネルディスプレイがある。ブラウン管は輝
度が高く、色再現性が良いために現在多用されている
が、占有容量が大きい、重い、消費電力が大きい等の問
題点が指摘されている。一方、フラットパネルディスプ
レイは、軽量であり、ブラウン管よりも発光効率に優れ
ており、コンピュータやテレビジョンの画面表示用とし
て期待されている。現在、フラットパネルディスプレイ
では、アクティブマトリクス駆動方式の液晶ディスプレ
イ（ＬＣＤ；Liquid Crystal Display）が商品化されて
いる。このＬＣＤは、自ら発光せずに外部よりの光（バ
ックライト）を受けて表示するタイプのディスプレイで
あり、視野角が狭い、自発光型ではないために周囲が暗
い環境下ではバックライトの消費電力が大きい、今後実
用化が期待されている高精細度の高速のビデオ信号に対
して十分な応答性能を備えていない等の問題点が指摘さ
れている。
【０００３】このような種々の問題点を解決する可能性
のあるディスプレイとして、近年、電流が注入されるこ
とにより発光する有機発光材料を用いた有機ＥＬディス
プレイが注目されている。この有機ＥＬディスプレイ
は、バックライトが不要である自発光型のフラットパネ
ルディスプレイであり、自発光型ディスプレイに特有の
視野角の広いディスプレイが実現できるという利点を有
する。また、必要な画素のみを点灯させればよいために
更なる消費電力の低減を図ることが可能であると共に、
上述の高精細度の高速のビデオ信号に対して十分な応答
性能を備えていると考えられている。
のあるディスプレイとして、近年、電流が注入されるこ
とにより発光する有機発光材料を用いた有機ＥＬディス
プレイが注目されている。この有機ＥＬディスプレイ
は、バックライトが不要である自発光型のフラットパネ
ルディスプレイであり、自発光型ディスプレイに特有の
視野角の広いディスプレイが実現できるという利点を有
する。また、必要な画素のみを点灯させればよいために
更なる消費電力の低減を図ることが可能であると共に、
上述の高精細度の高速のビデオ信号に対して十分な応答
性能を備えていると考えられている。
【０００４】これらの利点を有する有機ＥＬディスプレ
イを構成する素子としては、透明基板上に透明導電膜よ
りなる短冊状の電極層（陽極）が形成されており、この
透明電極層と交差するように有機電界発光層および金属
薄膜よりなる短冊状の電極層（陰極）が形成され、透明
電極層と金属電極層とで有機電界発光層を挟んだ構造を
有する有機電界発光素子が知られている。この有機電界
発光素子では、透明電極層と金属電極層とがマトリクス
構造を形成しており、選択された透明電極層と金属電極
層との間に電圧を印加して有機電界発光層に電流を流す
ことによって、画素を発光させる。
イを構成する素子としては、透明基板上に透明導電膜よ
りなる短冊状の電極層（陽極）が形成されており、この
透明電極層と交差するように有機電界発光層および金属
薄膜よりなる短冊状の電極層（陰極）が形成され、透明
電極層と金属電極層とで有機電界発光層を挟んだ構造を
有する有機電界発光素子が知られている。この有機電界
発光素子では、透明電極層と金属電極層とがマトリクス
構造を形成しており、選択された透明電極層と金属電極
層との間に電圧を印加して有機電界発光層に電流を流す
ことによって、画素を発光させる。
【０００５】有機電界発光層を構成する材料は、モノマ
（単量体）を重合してなる高分子材料と、低分子材料と
に大別され、低分子材料よりなる有機電界発光層を形成
する際には、真空蒸着法が用いられる。これに対して、
一般に、高分子材料の真空蒸着を行うことは不可能であ
るため、高分子材料よりなる有機電界発光層を形成する
際には、例えば高分子材料を含む溶液を塗布する方法が
用いられる。
（単量体）を重合してなる高分子材料と、低分子材料と
に大別され、低分子材料よりなる有機電界発光層を形成
する際には、真空蒸着法が用いられる。これに対して、
一般に、高分子材料の真空蒸着を行うことは不可能であ
るため、高分子材料よりなる有機電界発光層を形成する
際には、例えば高分子材料を含む溶液を塗布する方法が
用いられる。
【０００６】低分子材料よりなる有機電界発光層に関し
ては、過去において種々の研究がなされている。例え
ば、C.W.Tang、S.A.VanSlyke等は、有機電界発光層を正
孔輸送性を有する有機化合物よりなる薄膜と電子輸送性
を有する有機化合物よりなる薄膜との２層構造として、
陽極および陰極から各薄膜中に注入された正孔と電子と
を再結合させて発光させる所謂シングルヘテロ型の有機
電界発光層を開発した（Applied Physics Letters, Vo
l.51 No.12, P.913〜915, 1987）。この有機電界発光層
では、正孔輸送性を有する有機化合物または電子輸送性
を有する有機化合物が発光材料を兼ねており、発光は発
光材料の基底状態と励起状態とのエネルギギャップに対
応した波長帯で起こる。この２層構造の有機電界発光層
の開発により、駆動電圧が大幅に低減されると共に、発
光効率の向上が図られた。その後、C.Adachi, S.Tokit
a, T.Tsutsui, S.Saito等は、正孔輸送性を有する有機
化合物よりなる薄膜、発光性を有する有機化合物よりな
る薄膜および電子輸送性を有する有機化合物よりなる薄
膜の３層構造である所謂ダブルヘテロ型の有機電界発光
層を開発した（Japanese Journal of Applied Physics,
Vol.27 No.2, P.L269〜L271, 1988）。更に、C.W.Tan
g, S.A.VanSlyke, C.H.Chen等は、電子輸送性を有する
有機化合物中に発光材料を含ませた構造を開発した（Jo
urnal of Applied Physics, Vol.65 No.9, P.3610 〜36
16）。
ては、過去において種々の研究がなされている。例え
ば、C.W.Tang、S.A.VanSlyke等は、有機電界発光層を正
孔輸送性を有する有機化合物よりなる薄膜と電子輸送性
を有する有機化合物よりなる薄膜との２層構造として、
陽極および陰極から各薄膜中に注入された正孔と電子と
を再結合させて発光させる所謂シングルヘテロ型の有機
電界発光層を開発した（Applied Physics Letters, Vo
l.51 No.12, P.913〜915, 1987）。この有機電界発光層
では、正孔輸送性を有する有機化合物または電子輸送性
を有する有機化合物が発光材料を兼ねており、発光は発
光材料の基底状態と励起状態とのエネルギギャップに対
応した波長帯で起こる。この２層構造の有機電界発光層
の開発により、駆動電圧が大幅に低減されると共に、発
光効率の向上が図られた。その後、C.Adachi, S.Tokit
a, T.Tsutsui, S.Saito等は、正孔輸送性を有する有機
化合物よりなる薄膜、発光性を有する有機化合物よりな
る薄膜および電子輸送性を有する有機化合物よりなる薄
膜の３層構造である所謂ダブルヘテロ型の有機電界発光
層を開発した（Japanese Journal of Applied Physics,
Vol.27 No.2, P.L269〜L271, 1988）。更に、C.W.Tan
g, S.A.VanSlyke, C.H.Chen等は、電子輸送性を有する
有機化合物中に発光材料を含ませた構造を開発した（Jo
urnal of Applied Physics, Vol.65 No.9, P.3610 〜36
16）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た有機電界発光層を有する有機電界発光素子では、いず
れも金属電極層の厚さが数１００ｎｍ以上であり、金属
電極層において光が鏡面反射するために十分なコントラ
ストが得られないという問題があった。
た有機電界発光層を有する有機電界発光素子では、いず
れも金属電極層の厚さが数１００ｎｍ以上であり、金属
電極層において光が鏡面反射するために十分なコントラ
ストが得られないという問題があった。
【０００８】この問題を解決するために、円偏光板を用
いた構造としたり、透明基板を着色すること等により金
属電極層背面からの光の反射を低減させることが検討さ
れているが、これらの方法を用いても所望のコントラス
トが得られないという問題があった。
いた構造としたり、透明基板を着色すること等により金
属電極層背面からの光の反射を低減させることが検討さ
れているが、これらの方法を用いても所望のコントラス
トが得られないという問題があった。
【０００９】本発明はかかる問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、金属電極層での光の反射が低減さ
れ、ディスプレイに用いた場合に十分な表示コントラス
トを得ることができる有機電界発光素子を提供すること
にある。
ので、その目的は、金属電極層での光の反射が低減さ
れ、ディスプレイに用いた場合に十分な表示コントラス
トを得ることができる有機電界発光素子を提供すること
にある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明による有機電界発
光素子は、第１の電極層と、この第１の電極層の一方の
面に隣接して形成された有機電界発光層と、この有機電
界発光層の他方の面に隣接して形成されると共に、可視
光に対する光反射率が５０％以下である第２の電極層と
を備えたものである。この光反射率は、第２の電極層の
膜厚を調整することにより所望の範囲の値に設定するこ
とができる。
光素子は、第１の電極層と、この第１の電極層の一方の
面に隣接して形成された有機電界発光層と、この有機電
界発光層の他方の面に隣接して形成されると共に、可視
光に対する光反射率が５０％以下である第２の電極層と
を備えたものである。この光反射率は、第２の電極層の
膜厚を調整することにより所望の範囲の値に設定するこ
とができる。
【００１１】本発明による他の有機電界発光素子は、第
１の電極層と、この第１の電極層の一方の面に隣接して
形成された有機電界発光層と、この有機電界発光層の他
方の面に隣接して形成されると共に、可視光に対する光
反射率が５０％以下である第２の電極層と、この第２の
電極層の有機電界発光層との隣接面の反対側に形成され
た低光反射層とを備えている。ここで、低光反射層は、
可視光に対する光反射率が１０％以下である層を含む１
つ以上の層により構成されていることが好ましい。
１の電極層と、この第１の電極層の一方の面に隣接して
形成された有機電界発光層と、この有機電界発光層の他
方の面に隣接して形成されると共に、可視光に対する光
反射率が５０％以下である第２の電極層と、この第２の
電極層の有機電界発光層との隣接面の反対側に形成され
た低光反射層とを備えている。ここで、低光反射層は、
可視光に対する光反射率が１０％以下である層を含む１
つ以上の層により構成されていることが好ましい。
【００１２】本発明による更に他の有機電界発光素子で
は、第１の電極層と、この第１の電極層の一方の面に隣
接して形成された有機電界発光層と、この有機電界発光
層の他方の面に隣接して形成されると共に、可視光に対
する光反射率が５０％以下である第２の電極層と、この
第２の電極層の有機電界発光層との隣接面の反対側に第
２の電極層の面に沿った形状をなすように密着して形成
され、第２の電極層と共に電極を構成する導電層とを備
えている。ここで、導電層の可視光に対する光反射率
は、好ましくは６０％以下、より好ましくは５０％以下
である。
は、第１の電極層と、この第１の電極層の一方の面に隣
接して形成された有機電界発光層と、この有機電界発光
層の他方の面に隣接して形成されると共に、可視光に対
する光反射率が５０％以下である第２の電極層と、この
第２の電極層の有機電界発光層との隣接面の反対側に第
２の電極層の面に沿った形状をなすように密着して形成
され、第２の電極層と共に電極を構成する導電層とを備
えている。ここで、導電層の可視光に対する光反射率
は、好ましくは６０％以下、より好ましくは５０％以下
である。
【００１３】本発明による有機電界発光素子では、有機
電界発光層の他方の面に隣接して形成される第２の電極
層の、可視光に対する光反射率が５０％以下であり、こ
のためディスプレイでは良好なコントラストで表示がな
される。
電界発光層の他方の面に隣接して形成される第２の電極
層の、可視光に対する光反射率が５０％以下であり、こ
のためディスプレイでは良好なコントラストで表示がな
される。
【００１４】本発明による他の有機電界発光素子では、
第２の電極層の、可視光に対する光反射率が５０％以下
であると共に、第２の電極層の有機電界発光層との隣接
面の反対側に、好ましくは光反射率が１０％以下の低光
反射層が形成されているため、ディスプレイでは良好な
コントラストで表示がなされる。
第２の電極層の、可視光に対する光反射率が５０％以下
であると共に、第２の電極層の有機電界発光層との隣接
面の反対側に、好ましくは光反射率が１０％以下の低光
反射層が形成されているため、ディスプレイでは良好な
コントラストで表示がなされる。
【００１５】本発明による更に他の有機電界発光素子で
は、第２の電極層の、可視光に対する光反射率が５０％
以下であると共に、第２の電極層の有機電界発光層との
隣接面の反対側に導電層が形成されているため、ディス
プレイでは良好なコントラストで表示がなされる。
は、第２の電極層の、可視光に対する光反射率が５０％
以下であると共に、第２の電極層の有機電界発光層との
隣接面の反対側に導電層が形成されているため、ディス
プレイでは良好なコントラストで表示がなされる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して詳細に説明する。
て図面を参照して詳細に説明する。
【００１７】（第１の実施の形態）図１は本発明の第１
の実施の形態に係る有機電界発光素子１０を含むフラッ
トパネルディスプレイの要部の概略構成を、また、図２
は有機電界発光素子１０の断面構造を表すものである。
の実施の形態に係る有機電界発光素子１０を含むフラッ
トパネルディスプレイの要部の概略構成を、また、図２
は有機電界発光素子１０の断面構造を表すものである。
【００１８】有機電界発光素子１０は、例えばガラスま
たはプラスチックよりなる透明基板１１上に、例えばイ
ンジウム・錫酸化物（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide）また
は酸化錫（ＳｎＯ2 ）よりなる短冊状の複数の透明電極
層１２が例えば等間隔に形成されており、透明電極層１
２上には、透明電極層１２と交差、好ましくは直交する
ように短冊状の複数の有機電界発光層１３が例えば等間
隔に形成されている。なお、透明電極層１２は本発明の
第１の電極層に対応している。
たはプラスチックよりなる透明基板１１上に、例えばイ
ンジウム・錫酸化物（ＩＴＯ；Indium Tin Oxide）また
は酸化錫（ＳｎＯ2 ）よりなる短冊状の複数の透明電極
層１２が例えば等間隔に形成されており、透明電極層１
２上には、透明電極層１２と交差、好ましくは直交する
ように短冊状の複数の有機電界発光層１３が例えば等間
隔に形成されている。なお、透明電極層１２は本発明の
第１の電極層に対応している。
【００１９】有機電界発光層１３は、例えば正孔輸送
層、発光層および電子輸送層が透明電極層１２側からこ
の順に積層して構成されている。正孔輸送層は、例えば
芳香族アミン（Ｒ−ＮＨ2 ）類やピラゾリン（Ｃ3 Ｈ6
Ｎ2 ）類等の公知の材料のいずれかにより形成されてお
り、発光層は、例えばクマリン系色素、スチリル色素、
オギザジン系色素、キサンテン系色素、希土類錯体、ペ
リレン、フルオレン等の蛍光性を有する化合物の中で目
的とする色に発光する適宜の材料により形成されてい
る。また、電子輸送層は、例えばアルミニウム（Ａｌ）
や亜鉛（Ｚｎ）の金属錯体化合物、芳香族炭素化合物、
オキサジアゾール系化合物のうちのいずれかにより形成
されている。
層、発光層および電子輸送層が透明電極層１２側からこ
の順に積層して構成されている。正孔輸送層は、例えば
芳香族アミン（Ｒ−ＮＨ2 ）類やピラゾリン（Ｃ3 Ｈ6
Ｎ2 ）類等の公知の材料のいずれかにより形成されてお
り、発光層は、例えばクマリン系色素、スチリル色素、
オギザジン系色素、キサンテン系色素、希土類錯体、ペ
リレン、フルオレン等の蛍光性を有する化合物の中で目
的とする色に発光する適宜の材料により形成されてい
る。また、電子輸送層は、例えばアルミニウム（Ａｌ）
や亜鉛（Ｚｎ）の金属錯体化合物、芳香族炭素化合物、
オキサジアゾール系化合物のうちのいずれかにより形成
されている。
【００２０】なお、有機電界発光層１３は、9,10- ビス
［4- (N,N'- ジフェニルアミノ）］スチリルアントラセ
ンやポリパラフェニレンビニレン等よりなる発光層のみ
により構成されていてもよいし、正孔輸送層と電子輸送
層とが積層されると共にこれらの層のうちの少なくとも
一方から発光する構造であってもよい。また、正孔輸送
層と電子輸送層とが積層されると共にこれらの層のうち
の少なくとも一方に蛍光発光性を有する材料が添加され
た構造であってもよい。更に、発光効率を向上させるた
めに、正孔輸送層、発光層および電子輸送層以外に正孔
または電子の輸送を制御するための薄膜を備えていても
よい。加えて、正孔輸送層は電荷輸送性能を向上させる
ために積層構造としてもよい。
［4- (N,N'- ジフェニルアミノ）］スチリルアントラセ
ンやポリパラフェニレンビニレン等よりなる発光層のみ
により構成されていてもよいし、正孔輸送層と電子輸送
層とが積層されると共にこれらの層のうちの少なくとも
一方から発光する構造であってもよい。また、正孔輸送
層と電子輸送層とが積層されると共にこれらの層のうち
の少なくとも一方に蛍光発光性を有する材料が添加され
た構造であってもよい。更に、発光効率を向上させるた
めに、正孔輸送層、発光層および電子輸送層以外に正孔
または電子の輸送を制御するための薄膜を備えていても
よい。加えて、正孔輸送層は電荷輸送性能を向上させる
ために積層構造としてもよい。
【００２１】有機電界発光層１３は赤（Ｒ），緑（Ｇ）
青（Ｂ）の各色のパターンを交互に配置した構成とする
ことにより、マルチカラーあるいはフルカラーの全固体
型フラットパネルディスプレイを構成することが可能に
なる。図１の例は、８×３ＲＧＢ構成の単純マトリクス
ディスプレイの構成例である。
青（Ｂ）の各色のパターンを交互に配置した構成とする
ことにより、マルチカラーあるいはフルカラーの全固体
型フラットパネルディスプレイを構成することが可能に
なる。図１の例は、８×３ＲＧＢ構成の単純マトリクス
ディスプレイの構成例である。
【００２２】有機電界発光層１３上には、可視光（３９
０〜７６０ｎｍ程度の波長の光）に対する光反射率が５
０％以下、好ましくは３０％以下であり、例えば有機電
界発光層１３と同一の幅を有する短冊状の金属電極層１
４が積層されている。この金属電極層１４は、例えばリ
チウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム
（Ｃａ）等の活性な金属やこれら金属のうちの１種と例
えば銀（Ａｇ）、アルミニウム、インジウム（Ｉｎ）等
の金属との合金、具体的には例えばマグネシウムと銀と
を３０：１の割合（重量比）で混合して生成されたＭｇ
−Ａｇ合金により形成されている。本実施の形態では、
金属材料は薄膜状態ではその厚さにより光反射率が異な
る性質を利用して、光反射率を制御している。すなわ
ち、金属電極層１４の厚さが薄くなるに従って可視光に
対する光反射率は小さくなり、例えば金属電極層１４が
Ｍｇ−Ａｇ合金（Ｍｇ：Ａｇ＝３０：１）（重量比）に
より形成されていると、金属電極層１４の厚さが２００
ｎｍの場合には光反射率は５０％であり、１０ｎｍの場
合には３０％である。なお、金属電極層１４は本発明の
第２の電極層に対応している。
０〜７６０ｎｍ程度の波長の光）に対する光反射率が５
０％以下、好ましくは３０％以下であり、例えば有機電
界発光層１３と同一の幅を有する短冊状の金属電極層１
４が積層されている。この金属電極層１４は、例えばリ
チウム（Ｌｉ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム
（Ｃａ）等の活性な金属やこれら金属のうちの１種と例
えば銀（Ａｇ）、アルミニウム、インジウム（Ｉｎ）等
の金属との合金、具体的には例えばマグネシウムと銀と
を３０：１の割合（重量比）で混合して生成されたＭｇ
−Ａｇ合金により形成されている。本実施の形態では、
金属材料は薄膜状態ではその厚さにより光反射率が異な
る性質を利用して、光反射率を制御している。すなわ
ち、金属電極層１４の厚さが薄くなるに従って可視光に
対する光反射率は小さくなり、例えば金属電極層１４が
Ｍｇ−Ａｇ合金（Ｍｇ：Ａｇ＝３０：１）（重量比）に
より形成されていると、金属電極層１４の厚さが２００
ｎｍの場合には光反射率は５０％であり、１０ｎｍの場
合には３０％である。なお、金属電極層１４は本発明の
第２の電極層に対応している。
【００２３】図１において、各透明電極層１２は配線１
２ａを介して、また、各金属電極層１４は配線１４ａを
介して、シフトレジスタが内蔵された制御回路１５，１
６にそれぞれ電気的に接続されている。
２ａを介して、また、各金属電極層１４は配線１４ａを
介して、シフトレジスタが内蔵された制御回路１５，１
６にそれぞれ電気的に接続されている。
【００２４】次に、この有機電界発光素子１０の製造方
法について説明する。
法について説明する。
【００２５】まず、例えばガラスまたはプラスチックよ
りなる透明基板１１上に、例えばスパッタ法または蒸着
法により厚さ２００ｎｍのＩＴＯ膜または酸化錫膜を成
膜する。その後、例えばウェットエッチング，ＲＩＥ
（Reactive Ion Etching）法による異方性エッチングを
行い、等間隔に配置された短冊状の複数の透明電極層１
２を形成する。
りなる透明基板１１上に、例えばスパッタ法または蒸着
法により厚さ２００ｎｍのＩＴＯ膜または酸化錫膜を成
膜する。その後、例えばウェットエッチング，ＲＩＥ
（Reactive Ion Etching）法による異方性エッチングを
行い、等間隔に配置された短冊状の複数の透明電極層１
２を形成する。
【００２６】次いで、透明電極層１２および透明基板１
１上に、透明電極層１２と交差、好ましくは直交すると
共に、それぞれが同一の幅を有するように複数の有機電
界発光層１３を形成する。すなわち、例えば真空蒸着法
により、既に述べた適宜の材料を用いて例えば厚さ５０
ｎｍの正孔輸送層、厚さ２０ｎｍの発光層および厚さ５
０ｎｍの電子輸送層を透明電極層１２側からこの順に積
層する。
１上に、透明電極層１２と交差、好ましくは直交すると
共に、それぞれが同一の幅を有するように複数の有機電
界発光層１３を形成する。すなわち、例えば真空蒸着法
により、既に述べた適宜の材料を用いて例えば厚さ５０
ｎｍの正孔輸送層、厚さ２０ｎｍの発光層および厚さ５
０ｎｍの電子輸送層を透明電極層１２側からこの順に積
層する。
【００２７】次いで、有機電界発光層１３上に、例えば
真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Dep
osition ）法のうちのいずれかの方法により、例えばマ
グネシウムと銀とを３０：１の割合（重量比）で混合し
て生成されたＭｇ−Ａｇ合金よりなる厚さ１０〜１５ｎ
ｍの範囲内の金属電極層１４を形成する。
真空蒸着法、スパッタ法、ＣＶＤ（Chemical Vapor Dep
osition ）法のうちのいずれかの方法により、例えばマ
グネシウムと銀とを３０：１の割合（重量比）で混合し
て生成されたＭｇ−Ａｇ合金よりなる厚さ１０〜１５ｎ
ｍの範囲内の金属電極層１４を形成する。
【００２８】この有機電界発光素子１０では、制御回路
１５，１６により透明電極層１２と金属電極層１４との
間に時系列的に所定の信号電圧が印加され、これにより
金属電極層１４側から有機電界発光層１３に電流が注入
される。有機電界発光層１３では、透明電極層１２およ
び金属電極層１４からそれぞれ注入された正孔および電
子が、正孔輸送層および電子輸送層を介して発光層に輸
送され、これらが再結合することにより発光が起こり、
この光は透明基板１１の主面に対して垂直な方向に取り
出される。
１５，１６により透明電極層１２と金属電極層１４との
間に時系列的に所定の信号電圧が印加され、これにより
金属電極層１４側から有機電界発光層１３に電流が注入
される。有機電界発光層１３では、透明電極層１２およ
び金属電極層１４からそれぞれ注入された正孔および電
子が、正孔輸送層および電子輸送層を介して発光層に輸
送され、これらが再結合することにより発光が起こり、
この光は透明基板１１の主面に対して垂直な方向に取り
出される。
【００２９】このとき、本実施の形態においては、金属
電極層１４の可視光に対する光反射率が５０％以下、好
ましくは３０％以下であり、金属電極層１４における鏡
面反射が大幅に低減される。
電極層１４の可視光に対する光反射率が５０％以下、好
ましくは３０％以下であり、金属電極層１４における鏡
面反射が大幅に低減される。
【００３０】このように本実施の形態に係る有機電界発
光素子１０では、金属電極層１４の厚さを調節すること
により、金属電極層１４の可視光に対する光反射率が５
０％以下となるようにしたので、金属電極層１４におけ
る光の鏡面反射を大幅に抑制することができる。
光素子１０では、金属電極層１４の厚さを調節すること
により、金属電極層１４の可視光に対する光反射率が５
０％以下となるようにしたので、金属電極層１４におけ
る光の鏡面反射を大幅に抑制することができる。
【００３１】（第２の実施の形態）図３は本発明の第２
の実施の形態に係る有機電界発光素子２０の概略的な断
面構造を表すものである。この有機電界発光素子２０
は、第１の実施の形態における金属電極層１４上に低光
反射層２１を備えたことを除き、他は第１の実施の形態
と同一の構成を有している。よって、同一の構成要素に
は同一の符号を付し、ここではその詳細な説明を省略す
る。
の実施の形態に係る有機電界発光素子２０の概略的な断
面構造を表すものである。この有機電界発光素子２０
は、第１の実施の形態における金属電極層１４上に低光
反射層２１を備えたことを除き、他は第１の実施の形態
と同一の構成を有している。よって、同一の構成要素に
は同一の符号を付し、ここではその詳細な説明を省略す
る。
【００３２】低光反射層２１は、金属電極層１４上の全
面に形成されており、例えば窒化珪素（ＳｉＮx ）、フ
ッ化カルシウム（ＣａＦ2 ）、フッ化マグネシウム（Ｍ
ｇＦ2 ）、一酸化珪素（ＳｉＯ）、二酸化珪素（ＳｉＯ
2 ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、ヘキサフルオロアルミニウ
ムナトリウム（Ｎａ3 ＡｌＦ6 ）のうちのいずれかより
なる厚さ２００ｎｍの層の上に、例えばカーボンブラッ
クまたはアニリンブラックをセルロース系の樹脂等の高
分子バインダ中に分散させた有機化合物（黒色塗料）よ
りなる厚さ１０μｍの層を積層して形成されている。な
お、この低光反射層２１は、可視光に対する光反射率が
１０％以下である層を含む１つ以上の層により構成され
ていればよく、少なくとも一部が金属電極層１４に接し
ていればよい。また、低光反射層２１を構成する材料は
前述の光学的特性を満たすものであればよく、可視光に
対する光反射率が１０％以下である層は例えばカーボン
ブラック等の顔料やアニリンブラック等の染料をセルロ
ース系の樹脂等の高分子バインダ中に分散させた有機化
合物により形成される。
面に形成されており、例えば窒化珪素（ＳｉＮx ）、フ
ッ化カルシウム（ＣａＦ2 ）、フッ化マグネシウム（Ｍ
ｇＦ2 ）、一酸化珪素（ＳｉＯ）、二酸化珪素（ＳｉＯ
2 ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、ヘキサフルオロアルミニウ
ムナトリウム（Ｎａ3 ＡｌＦ6 ）のうちのいずれかより
なる厚さ２００ｎｍの層の上に、例えばカーボンブラッ
クまたはアニリンブラックをセルロース系の樹脂等の高
分子バインダ中に分散させた有機化合物（黒色塗料）よ
りなる厚さ１０μｍの層を積層して形成されている。な
お、この低光反射層２１は、可視光に対する光反射率が
１０％以下である層を含む１つ以上の層により構成され
ていればよく、少なくとも一部が金属電極層１４に接し
ていればよい。また、低光反射層２１を構成する材料は
前述の光学的特性を満たすものであればよく、可視光に
対する光反射率が１０％以下である層は例えばカーボン
ブラック等の顔料やアニリンブラック等の染料をセルロ
ース系の樹脂等の高分子バインダ中に分散させた有機化
合物により形成される。
【００３３】次に、この有機電界発光素子２０の製造方
法について説明する。ここでも、第１の実施の形態と同
一の製造工程については、その詳細な説明を省略する。
法について説明する。ここでも、第１の実施の形態と同
一の製造工程については、その詳細な説明を省略する。
【００３４】まず、透明基板１１上に透明電極層１２、
有機電界発光層１３および金属電極層１４をそれぞれ形
成する。
有機電界発光層１３および金属電極層１４をそれぞれ形
成する。
【００３５】次いで、金属電極層１４上に、例えば真空
蒸着法により例えば窒化珪素、フッ化カルシウム、フッ
化マグネシウム、一酸化珪素、二酸化珪素、硫化亜鉛、
ヘキサフルオロアルミニウムナトリウムのうちのいずれ
かよりなる厚さ２００ｎｍの層を形成した後、この層の
上に例えばカーボンブラックまたはアニリンブラックを
セルロース系の樹脂等の高分子バインダ中に分散させた
有機化合物（黒色塗料）を１０μｍの厚さになるように
塗布して低光反射層２１を形成する。
蒸着法により例えば窒化珪素、フッ化カルシウム、フッ
化マグネシウム、一酸化珪素、二酸化珪素、硫化亜鉛、
ヘキサフルオロアルミニウムナトリウムのうちのいずれ
かよりなる厚さ２００ｎｍの層を形成した後、この層の
上に例えばカーボンブラックまたはアニリンブラックを
セルロース系の樹脂等の高分子バインダ中に分散させた
有機化合物（黒色塗料）を１０μｍの厚さになるように
塗布して低光反射層２１を形成する。
【００３６】次に、この有機電界発光素子２０の作用に
ついて説明する。
ついて説明する。
【００３７】この有機電界発光素子２０では、選択され
た透明電極層１２と金属電極層１４との間に所定の電圧
が印加されると、金属電極層１４側から有機電界発光層
１３に電流が注入される。有機電界発光層１３では、透
明電極層１２および金属電極層１４からそれぞれ注入さ
れた正孔および電子が、正孔輸送層および電子輸送層を
介して発光層に輸送され、これらが再結合することによ
り発光が起こり、この光は透明基板１１の主面に対して
垂直な方向に外部に取り出される。このとき、本実施の
形態においては、金属電極層１４の可視光に対する光反
射率が５０％以下であることに加えて、金属電極層１４
上の全面に、可視光に対する光反射率が１０％以下であ
る層を含む低光反射層２１が設けられているため、金属
電極層１４における鏡面反射が大幅に低減される。
た透明電極層１２と金属電極層１４との間に所定の電圧
が印加されると、金属電極層１４側から有機電界発光層
１３に電流が注入される。有機電界発光層１３では、透
明電極層１２および金属電極層１４からそれぞれ注入さ
れた正孔および電子が、正孔輸送層および電子輸送層を
介して発光層に輸送され、これらが再結合することによ
り発光が起こり、この光は透明基板１１の主面に対して
垂直な方向に外部に取り出される。このとき、本実施の
形態においては、金属電極層１４の可視光に対する光反
射率が５０％以下であることに加えて、金属電極層１４
上の全面に、可視光に対する光反射率が１０％以下であ
る層を含む低光反射層２１が設けられているため、金属
電極層１４における鏡面反射が大幅に低減される。
【００３８】このように本実施の形態に係る有機電界発
光素子２０では、光反射率が５０％以下の金属電極層１
４の上に、光反射率が１０％以下である層を含む低光反
射層２１を備えるようにしたので、第１の実施の形態よ
りも更に金属電極層１４における光の鏡面反射を大幅に
抑制することができる。
光素子２０では、光反射率が５０％以下の金属電極層１
４の上に、光反射率が１０％以下である層を含む低光反
射層２１を備えるようにしたので、第１の実施の形態よ
りも更に金属電極層１４における光の鏡面反射を大幅に
抑制することができる。
【００３９】（第３の実施の形態）図４は本発明の第３
の実施の形態に係る有機電界発光素子３０の概略的な断
面構造を表すものである。この有機電界発光素子３０
は、第２の実施の形態における金属電極層１４と低光反
射層２１との間に透明導電層３１を備えたことを除き、
他は第２の実施の形態と同一の構成を有している。よっ
て、同一の構成要素には同一の符号を付し、ここではそ
の詳細な説明を省略する。なお、透明導電層３１は本発
明の導電層に対応している。
の実施の形態に係る有機電界発光素子３０の概略的な断
面構造を表すものである。この有機電界発光素子３０
は、第２の実施の形態における金属電極層１４と低光反
射層２１との間に透明導電層３１を備えたことを除き、
他は第２の実施の形態と同一の構成を有している。よっ
て、同一の構成要素には同一の符号を付し、ここではそ
の詳細な説明を省略する。なお、透明導電層３１は本発
明の導電層に対応している。
【００４０】透明導電層３１は、可視光に対する光反射
率が１０％以下であり、金属電極層１４上の全面に形成
されている。この透明導電層３１は、例えばインジウム
・錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛−酸化インジウム系複
合酸化物、ＳｎＯ2 またはアニリン（Ｃ6 Ｈ5 ＮＨ2 ）
類やチオフェン（Ｃ4 Ｈ4 Ｓ）類やアセチレン（Ｃ2Ｈ
2 ）類を重合してなる材料により形成されており、その
厚さは例えば３００ｎｍである。なお、透明導電層３１
は、少なくとも一部が金属電極層１４に接していればよ
い。
率が１０％以下であり、金属電極層１４上の全面に形成
されている。この透明導電層３１は、例えばインジウム
・錫酸化物（ＩＴＯ）、酸化亜鉛−酸化インジウム系複
合酸化物、ＳｎＯ2 またはアニリン（Ｃ6 Ｈ5 ＮＨ2 ）
類やチオフェン（Ｃ4 Ｈ4 Ｓ）類やアセチレン（Ｃ2Ｈ
2 ）類を重合してなる材料により形成されており、その
厚さは例えば３００ｎｍである。なお、透明導電層３１
は、少なくとも一部が金属電極層１４に接していればよ
い。
【００４１】次に、この有機電界発光素子３０の製造方
法について説明する。ここでも、第２の実施の形態と同
一の製造工程については、その詳細な説明を省略する。
法について説明する。ここでも、第２の実施の形態と同
一の製造工程については、その詳細な説明を省略する。
【００４２】本実施の形態では、第１の実施の形態と同
様に、透明基板１１上に、透明電極層１２、有機電界発
光層１３および金属電極層１４をそれぞれ形成した後、
金属電極層１４上に、例えばスパッタ法または蒸着法に
より例えばＩＴＯ、酸化亜鉛−酸化インジウム系複合酸
化物、ＳｎＯ2 、アニリン類を重合してなる材料、チオ
フェン類を重合してなる材料、アセチレン類を重合して
なる材料のいずれかよりなる厚さ３００ｎｍの透明導電
層３１を形成する。その後、透明導電層３１上に低光反
射層２１を形成する。
様に、透明基板１１上に、透明電極層１２、有機電界発
光層１３および金属電極層１４をそれぞれ形成した後、
金属電極層１４上に、例えばスパッタ法または蒸着法に
より例えばＩＴＯ、酸化亜鉛−酸化インジウム系複合酸
化物、ＳｎＯ2 、アニリン類を重合してなる材料、チオ
フェン類を重合してなる材料、アセチレン類を重合して
なる材料のいずれかよりなる厚さ３００ｎｍの透明導電
層３１を形成する。その後、透明導電層３１上に低光反
射層２１を形成する。
【００４３】この有機電界発光素子３０では、選択され
た透明電極層１２と透明導電層３１との間に所定の電圧
が印加され、これにより透明導電層３１および金属電極
層１４側から有機電界発光層１３に電流が注入される。
有機電界発光層１３では、透明電極層１２および透明導
電層３１からそれぞれ注入された正孔および電子が、正
孔は正孔輸送層、電子は金属電極層１４および電子輸送
層を介してそれぞれ発光層に輸送され、これらが再結合
することにより発光が起こり、この光は透明基板１１の
主面に対して垂直な方向に外部に取り出される。このと
き、金属電極層１４の可視光に対する光反射率が５０％
以下であることに加えて、金属電極層１４上の全面に、
光反射率が１０％以下である透明導電層３１および光反
射率が１０％以下である層を含む低光反射層２１が設け
られているため、金属電極層１４における鏡面反射が大
幅に低減される。
た透明電極層１２と透明導電層３１との間に所定の電圧
が印加され、これにより透明導電層３１および金属電極
層１４側から有機電界発光層１３に電流が注入される。
有機電界発光層１３では、透明電極層１２および透明導
電層３１からそれぞれ注入された正孔および電子が、正
孔は正孔輸送層、電子は金属電極層１４および電子輸送
層を介してそれぞれ発光層に輸送され、これらが再結合
することにより発光が起こり、この光は透明基板１１の
主面に対して垂直な方向に外部に取り出される。このと
き、金属電極層１４の可視光に対する光反射率が５０％
以下であることに加えて、金属電極層１４上の全面に、
光反射率が１０％以下である透明導電層３１および光反
射率が１０％以下である層を含む低光反射層２１が設け
られているため、金属電極層１４における鏡面反射が大
幅に低減される。
【００４４】このように本実施の形態に係る有機電界発
光素子３０では、光反射率が５０％以下の金属電極層１
４上に、光反射率が１０％以下の透明導電層３１および
光反射率が１０％以下の低光反射層２１を備えるように
したので、第２の実施の形態よりも更に金属電極層１４
における鏡面反射を抑制することができる。
光素子３０では、光反射率が５０％以下の金属電極層１
４上に、光反射率が１０％以下の透明導電層３１および
光反射率が１０％以下の低光反射層２１を備えるように
したので、第２の実施の形態よりも更に金属電極層１４
における鏡面反射を抑制することができる。
【００４５】ところで、第１および第２の実施の形態で
は、金属電極層１４の膜厚を従来よりも薄くすることに
より光反射率を低下させており、その分だけ電流通過面
積が狭くなる。これに対して、本実施の形態では、薄い
金属電極層１４に隣接して透明導電層３１を備えるよう
にしたので、これを金属電極層１４と共に電極とするこ
とにより電流通過面積が広くなる。従って、透明電極層
１２と透明導電層３１との間に電圧を印加することによ
り、第１および第２の実施の形態よりも、有機電界発光
層１３に対して電子の注入が容易に行われ、発光効率が
向上する。
は、金属電極層１４の膜厚を従来よりも薄くすることに
より光反射率を低下させており、その分だけ電流通過面
積が狭くなる。これに対して、本実施の形態では、薄い
金属電極層１４に隣接して透明導電層３１を備えるよう
にしたので、これを金属電極層１４と共に電極とするこ
とにより電流通過面積が広くなる。従って、透明電極層
１２と透明導電層３１との間に電圧を印加することによ
り、第１および第２の実施の形態よりも、有機電界発光
層１３に対して電子の注入が容易に行われ、発光効率が
向上する。
【００４６】（第４の実施の形態）図５は本発明の第４
の実施の形態に係る有機電界発光素子４０の概略的な断
面構造を表すものである。この有機電界発光素子４０
は、第２の実施の形態と同様に、透明基板１１の上に透
明電極層１２、有機電界発光層１３、金属電極層１４お
よび低光反射層２１を備えているが、これら透明電極層
１２、有機電界発光層１３、金属電極層１４および低光
反射層２１は、透明基板１１の表面に接着された封止容
器４１により覆われている。封止容器４１は例えばステ
ンレスにより形成される。本実施の形態では、低光反射
層２１が封止容器４１の天井面に接着され、金属電極層
１４に接することなく形成されている。封止容器４１の
内壁には、例えばカーボンブラックを含む塗料が塗布さ
れている。封止容器４１は透明基板１１に対して例えば
紫外線硬化樹脂により接着され、これにより封止容器４
１の内部が密閉されている。この封止容器４１によっ
て、有機電界発光層１３や透明電極層１２や金属電極層
１４が外気中の酸素、水分等から遮蔽される。
の実施の形態に係る有機電界発光素子４０の概略的な断
面構造を表すものである。この有機電界発光素子４０
は、第２の実施の形態と同様に、透明基板１１の上に透
明電極層１２、有機電界発光層１３、金属電極層１４お
よび低光反射層２１を備えているが、これら透明電極層
１２、有機電界発光層１３、金属電極層１４および低光
反射層２１は、透明基板１１の表面に接着された封止容
器４１により覆われている。封止容器４１は例えばステ
ンレスにより形成される。本実施の形態では、低光反射
層２１が封止容器４１の天井面に接着され、金属電極層
１４に接することなく形成されている。封止容器４１の
内壁には、例えばカーボンブラックを含む塗料が塗布さ
れている。封止容器４１は透明基板１１に対して例えば
紫外線硬化樹脂により接着され、これにより封止容器４
１の内部が密閉されている。この封止容器４１によっ
て、有機電界発光層１３や透明電極層１２や金属電極層
１４が外気中の酸素、水分等から遮蔽される。
【００４７】なお、低光反射層２１は、前述の例の他
に、例えば金属、セラミック、プラスチックのうちのい
ずれかの材料により封止容器を形成し、この封止容器自
体に光反射率が１０％以下となるように例えば顔料や染
料を適当なバインダに分散させた塗料等適宜の材料を担
持させた構成としてもよい。
に、例えば金属、セラミック、プラスチックのうちのい
ずれかの材料により封止容器を形成し、この封止容器自
体に光反射率が１０％以下となるように例えば顔料や染
料を適当なバインダに分散させた塗料等適宜の材料を担
持させた構成としてもよい。
【００４８】以上の点を除き、本実施の形態では、第２
の実施の形態と同一の構成を有している。よって、同一
の構成要素には同一の符号を付し、ここではその詳細な
説明を省略する。
の実施の形態と同一の構成を有している。よって、同一
の構成要素には同一の符号を付し、ここではその詳細な
説明を省略する。
【００４９】本実施の形態では、封止容器４１の天井面
に低光反射層２１を接着させた後、この封止容器４２
を、透明電極層１２、有機電界発光層１３および金属電
極層１４が積層された透明基板１１上に紫外線硬化樹脂
により接着し密閉させる。
に低光反射層２１を接着させた後、この封止容器４２
を、透明電極層１２、有機電界発光層１３および金属電
極層１４が積層された透明基板１１上に紫外線硬化樹脂
により接着し密閉させる。
【００５０】この有機電界発光素子４０では、第２の実
施の形態と同様に、選択された透明電極層１２と金属電
極層１４との間に所定の電圧が印加されると、金属電極
層１４側から有機電界発光層１３に電流が注入される。
有機電界発光層１３では、透明電極層１２および金属電
極層１４からそれぞれ注入された正孔および電子が、正
孔輸送層および電子輸送層を介して発光層に輸送され、
これらが再結合することにより発光が起こり、この光は
透明基板１１の主面に対して垂直な方向に外部に取り出
される。
施の形態と同様に、選択された透明電極層１２と金属電
極層１４との間に所定の電圧が印加されると、金属電極
層１４側から有機電界発光層１３に電流が注入される。
有機電界発光層１３では、透明電極層１２および金属電
極層１４からそれぞれ注入された正孔および電子が、正
孔輸送層および電子輸送層を介して発光層に輸送され、
これらが再結合することにより発光が起こり、この光は
透明基板１１の主面に対して垂直な方向に外部に取り出
される。
【００５１】本実施の形態に係る有機電界発光素子４０
においても、金属電極層１４の可視光に対する光反射率
を５０％以下としたことに加えて、金属電極層１４上
に、可視光に対する光反射率が１０％以下である層を含
む低光反射層２１を備えるようにしたので、金属電極層
１４における鏡面反射を大幅に抑制することができる。
なお、本実施の形態では、金属電極層１４と低光反射層
２１とは所定の距離を隔てて配設されているが、それら
の作用および効果はこれらの全部あるいは一部が接して
いる場合と同様である。
においても、金属電極層１４の可視光に対する光反射率
を５０％以下としたことに加えて、金属電極層１４上
に、可視光に対する光反射率が１０％以下である層を含
む低光反射層２１を備えるようにしたので、金属電極層
１４における鏡面反射を大幅に抑制することができる。
なお、本実施の形態では、金属電極層１４と低光反射層
２１とは所定の距離を隔てて配設されているが、それら
の作用および効果はこれらの全部あるいは一部が接して
いる場合と同様である。
【００５２】また、本実施の形態では、透明電極層１
２、有機電界発光層１３および金属電極層１４の全体が
封止容器４２により覆われているので、有機電界発光層
１３や透明電極層１２や金属電極層１４を外気中の酸
素、水分等から遮蔽することができる。これにより、水
分に弱いとされている有機電界発光素子４０の寿命を伸
ばすことができる。
２、有機電界発光層１３および金属電極層１４の全体が
封止容器４２により覆われているので、有機電界発光層
１３や透明電極層１２や金属電極層１４を外気中の酸
素、水分等から遮蔽することができる。これにより、水
分に弱いとされている有機電界発光素子４０の寿命を伸
ばすことができる。
【００５３】（第５の実施の形態）図６は本発明の第５
の実施の形態に係る有機電界発光素子５０の概略的な断
面構造を表すものである。この有機電界発光素子５０
は、金属電極層１４の上に透明導電層３１が形成された
ことを除いて、第４の実施の形態の有機電界発光素子４
０と同様である。よって、同一の構成要素には同一の符
号を付し、ここではその詳細な説明を省略する。
の実施の形態に係る有機電界発光素子５０の概略的な断
面構造を表すものである。この有機電界発光素子５０
は、金属電極層１４の上に透明導電層３１が形成された
ことを除いて、第４の実施の形態の有機電界発光素子４
０と同様である。よって、同一の構成要素には同一の符
号を付し、ここではその詳細な説明を省略する。
【００５４】このように本実施の形態に係る有機電界発
光素子５０では、可視光に対する光反射率が５０％以下
の金属電極層１４上に、可視光に対する光反射率が１０
％以下である層を含む低光反射層２１を備えると共に、
金属電極層１４と低光反射層２１との間に透明導電層３
１を備えるようにしたので、金属電極層１４における鏡
面反射を大幅に抑制することができると共に、透明導電
層３１の分だけ電流通過面積が広くなるので発光効率が
向上する。その他の効果は、第４の実施の形態と同様で
ある。
光素子５０では、可視光に対する光反射率が５０％以下
の金属電極層１４上に、可視光に対する光反射率が１０
％以下である層を含む低光反射層２１を備えると共に、
金属電極層１４と低光反射層２１との間に透明導電層３
１を備えるようにしたので、金属電極層１４における鏡
面反射を大幅に抑制することができると共に、透明導電
層３１の分だけ電流通過面積が広くなるので発光効率が
向上する。その他の効果は、第４の実施の形態と同様で
ある。
【００５５】（第６の実施の形態）図７は本発明の第６
の実施の形態に係る有機電界発光素子６０の断面構造を
表すものである。この有機電界発光素子６０は、第１の
実施の形態における金属電極層１４に隣接して導電層６
１を備え、第１の実施の形態に比べて、金属電極層１４
の厚さが実質的に増加したことを除き、他は第１の実施
の形態と同一の構成を有している。よって、同一の構成
要素には同一の符号を付し、ここではその詳細な説明を
省略する。
の実施の形態に係る有機電界発光素子６０の断面構造を
表すものである。この有機電界発光素子６０は、第１の
実施の形態における金属電極層１４に隣接して導電層６
１を備え、第１の実施の形態に比べて、金属電極層１４
の厚さが実質的に増加したことを除き、他は第１の実施
の形態と同一の構成を有している。よって、同一の構成
要素には同一の符号を付し、ここではその詳細な説明を
省略する。
【００５６】導電層６１は、可視光に対する光反射率が
６０％以下、好ましくは５０％以下であり、金属電極層
１４上に金属電極層１４の上面に沿った形状をなすよう
に密着して形成されている。この導電層６１は、例えば
ベリリウム（Ｂｅ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、鉄
（Ｆｅ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白
金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、鉛（Ｐｂ）、錫（Ｓ
ｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、
チタン（Ｔｉ）のうちのいずれかよりなり、その厚さは
例えば２００ｎｍである。なお、導電層６１を形成する
材料は、前述の金属の合金でもよい。また、炭化珪素
（ＳｉＣ）、あるいはアニリン類やチオフェン類やアセ
チレン類を重合してなる高分子材料により導電層６１を
形成してもよい。
６０％以下、好ましくは５０％以下であり、金属電極層
１４上に金属電極層１４の上面に沿った形状をなすよう
に密着して形成されている。この導電層６１は、例えば
ベリリウム（Ｂｅ）、銅（Ｃｕ）、クロム（Ｃｒ）、鉄
（Ｆｅ）、モリブデン（Ｍｏ）、ニッケル（Ｎｉ）、白
金（Ｐｔ）、タングステン（Ｗ）、鉛（Ｐｂ）、錫（Ｓ
ｎ）、アンチモン（Ｓｂ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、
チタン（Ｔｉ）のうちのいずれかよりなり、その厚さは
例えば２００ｎｍである。なお、導電層６１を形成する
材料は、前述の金属の合金でもよい。また、炭化珪素
（ＳｉＣ）、あるいはアニリン類やチオフェン類やアセ
チレン類を重合してなる高分子材料により導電層６１を
形成してもよい。
【００５７】この有機電界発光素子６０は、第１の実施
の形態と同様に、透明基板１１上に、透明電極層１２、
有機電界発光層１３および金属電極層１４をそれぞれ形
成した後、金属電極層１４上に、上記材料を例えば真空
蒸着して、例えば厚さ２００ｎｍの導電層６１を形成す
ることにより実現できる。
の形態と同様に、透明基板１１上に、透明電極層１２、
有機電界発光層１３および金属電極層１４をそれぞれ形
成した後、金属電極層１４上に、上記材料を例えば真空
蒸着して、例えば厚さ２００ｎｍの導電層６１を形成す
ることにより実現できる。
【００５８】この有機電界発光素子６０では、透明電極
層１２と導電層６１との間に所定の電圧が印加され、こ
れにより導電層６１側から有機電界発光層１３に電流が
注入される。有機電界発光層１３では、透明電極層１２
および導電層６１からそれぞれ注入された正孔および電
子が、正孔輸送層および電子輸送層を介して発光層に輸
送され、これらが再結合することにより発光が起こり、
この光は透明基板１１の主面に対して垂直な方向に外部
に取り出される。このとき、本実施の形態においては、
金属電極層１４の可視光に対する光反射率が５０％以下
であることに加えて、金属電極層１４上に、金属電極層
１４に密着して可視光に対する光反射率が６０％以下の
導電層６１が設けられているため、金属電極層１４にお
ける鏡面反射が低減される。
層１２と導電層６１との間に所定の電圧が印加され、こ
れにより導電層６１側から有機電界発光層１３に電流が
注入される。有機電界発光層１３では、透明電極層１２
および導電層６１からそれぞれ注入された正孔および電
子が、正孔輸送層および電子輸送層を介して発光層に輸
送され、これらが再結合することにより発光が起こり、
この光は透明基板１１の主面に対して垂直な方向に外部
に取り出される。このとき、本実施の形態においては、
金属電極層１４の可視光に対する光反射率が５０％以下
であることに加えて、金属電極層１４上に、金属電極層
１４に密着して可視光に対する光反射率が６０％以下の
導電層６１が設けられているため、金属電極層１４にお
ける鏡面反射が低減される。
【００５９】このように本実施の形態に係る有機電界発
光素子６０では、光反射率が５０％以下の金属電極層１
４に密着して光反射率が６０％以下の導電層６１を備え
るようにしたので、金属電極層１４における鏡面反射を
抑制することができると共に、第１の実施の形態により
も、導電層６１の分だけ電流通過面積が増大するため、
発光効率が向上する。
光素子６０では、光反射率が５０％以下の金属電極層１
４に密着して光反射率が６０％以下の導電層６１を備え
るようにしたので、金属電極層１４における鏡面反射を
抑制することができると共に、第１の実施の形態により
も、導電層６１の分だけ電流通過面積が増大するため、
発光効率が向上する。
【００６０】以上、種々の実施の形態について説明した
が、次に、本発明の具体的な実施例について詳細に説明
する。
が、次に、本発明の具体的な実施例について詳細に説明
する。
【００６１】
【実施例】（第１の実施例）本実施例では、まず、膜厚
２００ｎｍのＩＴＯ膜よりなる透明電極層が積層された
ガラスよりなる透明基板（シート抵抗１０Ω／ｃｍ2 ）
を用意した。次いで、膜形成部に対応する領域に開口部
が設けられた蒸着マスクを、真空蒸着装置内の透明電極
層と蒸着源との間に挿入し、１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空
下において、透明電極層上に有機電界発光層を形成し
た。具体的には、次式（化１）で表されるＴＰＤを抵抗
加熱法により蒸発速度が０．２〜０．４ｎｍ／ｓとなる
ように蒸発させ、厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した
後、正孔輸送層上に正孔輸送層と密着するように、次式
（化２）で表されるＡｌｑを抵抗加熱法により蒸着速度
が０．２〜０．４ｎｍ／ｓとなるように蒸発させ、厚さ
５０ｎｍの電子輸送層を形成した。Ａｌｑは緑色発光材
料であり、電子輸送性と発光性とを兼ね備えた有機化合
物である。なお、ＴＰＤの正式名称はN,N'-diphenyl-N,
N'-bis(3-methylphenyl)1,1'-biphenyl-4,4'-diamineで
あり、Ａｌｑの正式名称はtris-(8-hydroxyquinoline)a
luminum である。
２００ｎｍのＩＴＯ膜よりなる透明電極層が積層された
ガラスよりなる透明基板（シート抵抗１０Ω／ｃｍ2 ）
を用意した。次いで、膜形成部に対応する領域に開口部
が設けられた蒸着マスクを、真空蒸着装置内の透明電極
層と蒸着源との間に挿入し、１０-6Ｔｏｒｒ以下の真空
下において、透明電極層上に有機電界発光層を形成し
た。具体的には、次式（化１）で表されるＴＰＤを抵抗
加熱法により蒸発速度が０．２〜０．４ｎｍ／ｓとなる
ように蒸発させ、厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した
後、正孔輸送層上に正孔輸送層と密着するように、次式
（化２）で表されるＡｌｑを抵抗加熱法により蒸着速度
が０．２〜０．４ｎｍ／ｓとなるように蒸発させ、厚さ
５０ｎｍの電子輸送層を形成した。Ａｌｑは緑色発光材
料であり、電子輸送性と発光性とを兼ね備えた有機化合
物である。なお、ＴＰＤの正式名称はN,N'-diphenyl-N,
N'-bis(3-methylphenyl)1,1'-biphenyl-4,4'-diamineで
あり、Ａｌｑの正式名称はtris-(8-hydroxyquinoline)a
luminum である。
【００６２】
【化１】
【００６３】
【化２】
【００６４】続いて、有機電界発光層上に、真空蒸着法
により膜厚が１０〜１５ｎｍとなるようにマグネシウム
と銀の割合が３０：１（重量比）であるＭｇ−Ａｇ合金
膜を成膜して金属電極層を形成した。なお、Ｍｇ−Ａｇ
合金膜の可視光に対する光反射率を測定したところ、膜
厚が１０ｎｍの場合には光反射率は３０％であった。比
較として、膜厚が４０ｎｍの場合の光反射率を測定した
ところ、光反射率は８０％以上であった。
により膜厚が１０〜１５ｎｍとなるようにマグネシウム
と銀の割合が３０：１（重量比）であるＭｇ−Ａｇ合金
膜を成膜して金属電極層を形成した。なお、Ｍｇ−Ａｇ
合金膜の可視光に対する光反射率を測定したところ、膜
厚が１０ｎｍの場合には光反射率は３０％であった。比
較として、膜厚が４０ｎｍの場合の光反射率を測定した
ところ、光反射率は８０％以上であった。
【００６５】続いて、金属電極層上に、蒸着ボートにタ
ングステンボートを用いた真空蒸着法により膜厚２００
ｎｍのフルオロアルミニウム酸ナトリウム（Ｎａ3 Ａｌ
Ｆ6）膜を成膜し、更に、フルオロアルミニウム酸ナト
リウム膜上にカーボンブラックをセルロース樹脂に分散
させた黒色塗料を厚さが１０μｍとなるように塗布して
低光反射層を形成し、有機電界発光素子を完成させた。
なお、黒色塗料の可視光に対する光反射率は５％であっ
た。
ングステンボートを用いた真空蒸着法により膜厚２００
ｎｍのフルオロアルミニウム酸ナトリウム（Ｎａ3 Ａｌ
Ｆ6）膜を成膜し、更に、フルオロアルミニウム酸ナト
リウム膜上にカーボンブラックをセルロース樹脂に分散
させた黒色塗料を厚さが１０μｍとなるように塗布して
低光反射層を形成し、有機電界発光素子を完成させた。
なお、黒色塗料の可視光に対する光反射率は５％であっ
た。
【００６６】このようにして得られた有機電界発光素子
について、アルゴン（Ａｒ）雰囲気中のグローブボック
ス内で発光評価を行ったところ、１０Ｖの駆動電圧で１
０ｍＡ／ｃｍ2 の電流密度である場合に、緑色に発光
し、約５００ｃｄ／ｃｍ2 の輝度が得られた。また、こ
の有機電界発光素子の可視光に対する光反射率は３５％
程度であった。
について、アルゴン（Ａｒ）雰囲気中のグローブボック
ス内で発光評価を行ったところ、１０Ｖの駆動電圧で１
０ｍＡ／ｃｍ2 の電流密度である場合に、緑色に発光
し、約５００ｃｄ／ｃｍ2 の輝度が得られた。また、こ
の有機電界発光素子の可視光に対する光反射率は３５％
程度であった。
【００６７】比較例として、Ｍｇ−Ａｇ合金膜の膜厚、
すなわち金属電極層の厚さを２００ｎｍとすることのみ
を変えた有機電界発光素子を本実施例と同一の方法によ
り形成した。この有機電界発光素子についても本実施例
と同様にして発光評価等を行った。その結果、この有機
電界発光素子の可視光に対する光反射率は８０％程度で
あり、この有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプ
レイの表示コントラストは５：１であった。
すなわち金属電極層の厚さを２００ｎｍとすることのみ
を変えた有機電界発光素子を本実施例と同一の方法によ
り形成した。この有機電界発光素子についても本実施例
と同様にして発光評価等を行った。その結果、この有機
電界発光素子の可視光に対する光反射率は８０％程度で
あり、この有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプ
レイの表示コントラストは５：１であった。
【００６８】以上の評価結果より、本実施例の有機電界
発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイの表示コントラ
ストは、比較例の有機電界発光素子を用いた有機ＥＬデ
ィスプレイより同一輝度において２．３倍程度優れてい
ることが分かった。
発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイの表示コントラ
ストは、比較例の有機電界発光素子を用いた有機ＥＬデ
ィスプレイより同一輝度において２．３倍程度優れてい
ることが分かった。
【００６９】（第２の実施例）本実施例では、まず、膜
厚２００ｎｍのＩＴＯ膜よりなる透明電極層が積層され
たガラスよりなる透明基板（シート抵抗１０Ω／ｃ
ｍ2 ）を用意した。次いで、第１の実施例と同一の方法
により、透明電極層上に有機電界発光層および金属電極
層を形成した。
厚２００ｎｍのＩＴＯ膜よりなる透明電極層が積層され
たガラスよりなる透明基板（シート抵抗１０Ω／ｃ
ｍ2 ）を用意した。次いで、第１の実施例と同一の方法
により、透明電極層上に有機電界発光層および金属電極
層を形成した。
【００７０】続いて、金属電極層上に、マグネトロンス
パッタリング法により膜厚３００ｎｍのＩＴＯ膜を成膜
して透明導電層を形成した。具体的には、以下のように
して形成した。まず、ベース圧力が５×１０-8Ｔｏｒｒ
以下のＲＦ（Radio Frequency ）マグネトロンスパッタ
リング装置に試料を導入し、この試料を１０重量％Ｓｎ
Ｏ2 および９０重量％Ｉｎ2 Ｏ3 （酸化インジウム）よ
りなるターゲット（純度９９重量％）の上方１５ｃｍの
位置に設けられた水冷式の保持治具に取り付けた。その
後、スパッタガスにアルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ2 ）と
の混合ガスを用いて、マスフローコントローラによりア
ルゴンの流量を２００ｓｃｃｍ、酸素の流量を０．１ｓ
ｃｃｍとなるように調整して、ＲＦ放電を行った。この
時、ＲＦ出力は１３．５６ＭＨｚの周波数で５Ｗであっ
た。
パッタリング法により膜厚３００ｎｍのＩＴＯ膜を成膜
して透明導電層を形成した。具体的には、以下のように
して形成した。まず、ベース圧力が５×１０-8Ｔｏｒｒ
以下のＲＦ（Radio Frequency ）マグネトロンスパッタ
リング装置に試料を導入し、この試料を１０重量％Ｓｎ
Ｏ2 および９０重量％Ｉｎ2 Ｏ3 （酸化インジウム）よ
りなるターゲット（純度９９重量％）の上方１５ｃｍの
位置に設けられた水冷式の保持治具に取り付けた。その
後、スパッタガスにアルゴン（Ａｒ）と酸素（Ｏ2 ）と
の混合ガスを用いて、マスフローコントローラによりア
ルゴンの流量を２００ｓｃｃｍ、酸素の流量を０．１ｓ
ｃｃｍとなるように調整して、ＲＦ放電を行った。この
時、ＲＦ出力は１３．５６ＭＨｚの周波数で５Ｗであっ
た。
【００７１】続いて、透明導電層上に、真空蒸着法によ
り膜厚５００ｎｍのペリレンテトラカルボン酸無水物と
銅フタロシアニンとの混合比が１：１である薄膜を成膜
して低光反射層を形成した。
り膜厚５００ｎｍのペリレンテトラカルボン酸無水物と
銅フタロシアニンとの混合比が１：１である薄膜を成膜
して低光反射層を形成した。
【００７２】このようにして得られた有機電界発光素子
について、アルゴン雰囲気中のグローブボックス内で発
光評価を行ったところ、１０Ｖの駆動電圧で１０ｍＡ／
ｃｍ2 の電流密度である場合に、緑色に発光し、約４６
０ｃｄ／ｃｍ2 の輝度が得られた。また、この有機電界
発光素子の可視光に対する光反射率は３７％程度であっ
た。
について、アルゴン雰囲気中のグローブボックス内で発
光評価を行ったところ、１０Ｖの駆動電圧で１０ｍＡ／
ｃｍ2 の電流密度である場合に、緑色に発光し、約４６
０ｃｄ／ｃｍ2 の輝度が得られた。また、この有機電界
発光素子の可視光に対する光反射率は３７％程度であっ
た。
【００７３】比較例として、Ｍｇ−Ａｇ合金膜の膜厚、
すなわち金属電極層の厚さを２００ｎｍとすることのみ
を変えた有機電界発光素子を本実施例と同一の方法によ
り形成した。この有機電界発光素子についても本実施例
と同様にして発光評価等を行った。その結果、この有機
電界発光素子の可視光に対する光反射率は８０％程度で
あり、この有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプ
レイの表示コントラストは５：１であった。
すなわち金属電極層の厚さを２００ｎｍとすることのみ
を変えた有機電界発光素子を本実施例と同一の方法によ
り形成した。この有機電界発光素子についても本実施例
と同様にして発光評価等を行った。その結果、この有機
電界発光素子の可視光に対する光反射率は８０％程度で
あり、この有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプ
レイの表示コントラストは５：１であった。
【００７４】以上の評価結果より、本実施例の有機電界
発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイの表示コントラ
ストは、比較例の有機電界発光素子を用いた有機ＥＬデ
ィスプレイより同一輝度において２．１倍程度優れてい
ることが分かった。
発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイの表示コントラ
ストは、比較例の有機電界発光素子を用いた有機ＥＬデ
ィスプレイより同一輝度において２．１倍程度優れてい
ることが分かった。
【００７５】（第３の実施例）本実施例では、まず、膜
厚２００ｎｍのＩＴＯ膜よりなる透明電極層が積層され
た３０ｍｍ角のガラスよりなる透明基板を用意した。次
いで、透明電極層が８本のストライプ状となるように透
明電極層のパターン形成を行った。
厚２００ｎｍのＩＴＯ膜よりなる透明電極層が積層され
た３０ｍｍ角のガラスよりなる透明基板を用意した。次
いで、透明電極層が８本のストライプ状となるように透
明電極層のパターン形成を行った。
【００７６】続いて、パターン形成された透明電極層の
各ストライプに直交するように、発光領域が１ｍｍ×１
ｍｍのサイズであり、発光画素のピッチが１．２ｍｍで
ある有機電界発光層を形成すると共に有機電界発光層上
に金属電極層４を形成した。具体的には、まず、開口部
が３箇所設けられた蒸着マスクを真空蒸着装置内の透明
電極層２と蒸着源との間に挿入し、１０-8Ｔｏｒｒ程度
の真空下において、ＴＰＤを抵抗加熱法により蒸着速度
が０．２〜０．４ｎｍ／ｓとなるように蒸発させ、厚さ
５０ｎｍの正孔輸送層を形成した後、正孔輸送層上に正
孔輸送層と密着するように、Ａｌｑを抵抗加熱法により
蒸着速度が０．２〜０．４ｎｍ／ｓとなるように蒸発さ
せ、厚さ５０ｎｍの電子輸送層を形成して緑色発光用の
有機電界発光層を形成した。
各ストライプに直交するように、発光領域が１ｍｍ×１
ｍｍのサイズであり、発光画素のピッチが１．２ｍｍで
ある有機電界発光層を形成すると共に有機電界発光層上
に金属電極層４を形成した。具体的には、まず、開口部
が３箇所設けられた蒸着マスクを真空蒸着装置内の透明
電極層２と蒸着源との間に挿入し、１０-8Ｔｏｒｒ程度
の真空下において、ＴＰＤを抵抗加熱法により蒸着速度
が０．２〜０．４ｎｍ／ｓとなるように蒸発させ、厚さ
５０ｎｍの正孔輸送層を形成した後、正孔輸送層上に正
孔輸送層と密着するように、Ａｌｑを抵抗加熱法により
蒸着速度が０．２〜０．４ｎｍ／ｓとなるように蒸発さ
せ、厚さ５０ｎｍの電子輸送層を形成して緑色発光用の
有機電界発光層を形成した。
【００７７】次いで、緑色発光用の有機電界発光層上
に、真空蒸着法により膜厚１０ｎｍのＡｌ−Ｌｉ合金膜
を成膜して金属電極層を形成した。なお、このＡｌ−Ｌ
ｉ合金膜の可視光に対する光反射率を測定したところ３
０％程度であった。
に、真空蒸着法により膜厚１０ｎｍのＡｌ−Ｌｉ合金膜
を成膜して金属電極層を形成した。なお、このＡｌ−Ｌ
ｉ合金膜の可視光に対する光反射率を測定したところ３
０％程度であった。
【００７８】次いで、蒸着マスクを透明電極層の各スト
ライプに直交すると共に上述の緑色発光用の有機電界発
光層が形成されていない領域に開口部が設けられた蒸着
マスクと交換して、緑色発光用の有機電界発光層と同様
の方法により赤色発光用の有機電界発光層を形成した。
すなわち、ソースにＴＰＤを用いて抵抗加熱法によりＴ
ＰＤを蒸発速度が０．２〜０．４ｎｍ／ｓとなるように
蒸発させ、厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した後、ソ
ースにＡｌｑと次式（化３）で表されるＤＣＭとを用い
て抵抗加熱法によりこれらを蒸発させ、厚さ５０ｎｍの
電子輸送層を形成した。ＡｌｑおよびＤＣＭの蒸発は個
別のターゲットを用いて行われ、蒸発速度については、
蒸発ボートに印加する電力を制御することによりＡｌｑ
およびＤＣＭの蒸発速度が共に０．２〜０．４ｎｍ／ｓ
となるように調整した。その際、蒸着速度はＡｌｑとＤ
ＣＭとが互いに干渉しないように２個の水晶振動式膜厚
計を用いて測定し、それぞれの蒸着速度を独立して制御
した。なお、ＤＣＭは赤色発光材料であり、その正式名
称は4-dicyanomethylene-6-(p-dimethyl aminostyryl)-
2-methyl-4H-pyraneである。
ライプに直交すると共に上述の緑色発光用の有機電界発
光層が形成されていない領域に開口部が設けられた蒸着
マスクと交換して、緑色発光用の有機電界発光層と同様
の方法により赤色発光用の有機電界発光層を形成した。
すなわち、ソースにＴＰＤを用いて抵抗加熱法によりＴ
ＰＤを蒸発速度が０．２〜０．４ｎｍ／ｓとなるように
蒸発させ、厚さ５０ｎｍの正孔輸送層を形成した後、ソ
ースにＡｌｑと次式（化３）で表されるＤＣＭとを用い
て抵抗加熱法によりこれらを蒸発させ、厚さ５０ｎｍの
電子輸送層を形成した。ＡｌｑおよびＤＣＭの蒸発は個
別のターゲットを用いて行われ、蒸発速度については、
蒸発ボートに印加する電力を制御することによりＡｌｑ
およびＤＣＭの蒸発速度が共に０．２〜０．４ｎｍ／ｓ
となるように調整した。その際、蒸着速度はＡｌｑとＤ
ＣＭとが互いに干渉しないように２個の水晶振動式膜厚
計を用いて測定し、それぞれの蒸着速度を独立して制御
した。なお、ＤＣＭは赤色発光材料であり、その正式名
称は4-dicyanomethylene-6-(p-dimethyl aminostyryl)-
2-methyl-4H-pyraneである。
【００７９】
【化３】
【００８０】次いで、赤色発光用の有機電界発光層上
に、真空蒸着法により膜厚１０ｎｍのＡｌ−Ｌｉ合金膜
を成膜して金属電極層を形成した。
に、真空蒸着法により膜厚１０ｎｍのＡｌ−Ｌｉ合金膜
を成膜して金属電極層を形成した。
【００８１】次いで、蒸着マスクを透明電極層の各スト
ライプに直交すると共に上述の緑色発光用および赤色発
光用の有機電界発光層が形成されていない領域に開口部
が設けられた蒸着マスクと交換して、赤色発光用の有機
電界発光層と同様の方法により青色発光用の有機電界発
光層形成した。すなわち、ソースに下記の化４で表され
るα−ＮＰＤを用いて蒸着を行って厚さ３０ｎｍの正孔
輸送層を形成した後、ソ─スに下記の化５で表されるバ
ソクプロインを用いて蒸着を行って厚さ１５ｎｍのホー
ルブロック層を形成し、更に、ソースにＡｌｑを用いて
蒸着を行って厚さ５ｎｍの電子輸送層を形成した。これ
により、８×３×３個の発光部を有する有機電界発光層
が形成された。
ライプに直交すると共に上述の緑色発光用および赤色発
光用の有機電界発光層が形成されていない領域に開口部
が設けられた蒸着マスクと交換して、赤色発光用の有機
電界発光層と同様の方法により青色発光用の有機電界発
光層形成した。すなわち、ソースに下記の化４で表され
るα−ＮＰＤを用いて蒸着を行って厚さ３０ｎｍの正孔
輸送層を形成した後、ソ─スに下記の化５で表されるバ
ソクプロインを用いて蒸着を行って厚さ１５ｎｍのホー
ルブロック層を形成し、更に、ソースにＡｌｑを用いて
蒸着を行って厚さ５ｎｍの電子輸送層を形成した。これ
により、８×３×３個の発光部を有する有機電界発光層
が形成された。
【００８２】
【化４】
【００８３】
【化５】
【００８４】次いで、青色発光用の有機電界発光層上
に、真空蒸着法により膜厚１０ｎｍのＡｌ−Ｌｉ合金膜
を成膜して金属電極層を形成した。
に、真空蒸着法により膜厚１０ｎｍのＡｌ−Ｌｉ合金膜
を成膜して金属電極層を形成した。
【００８５】続いて、透明電極層、有機電界発光層およ
び金属電極層の背面全体を覆うようにステンレス製の封
止容器を設置した。その後、この封止容器の内部にカー
ボンブラックを含む塗料を塗布し、アルゴン雰囲気中で
紫外線硬化樹脂を用いて封止容器を密閉して有機電界発
光素子を完成させた。
び金属電極層の背面全体を覆うようにステンレス製の封
止容器を設置した。その後、この封止容器の内部にカー
ボンブラックを含む塗料を塗布し、アルゴン雰囲気中で
紫外線硬化樹脂を用いて封止容器を密閉して有機電界発
光素子を完成させた。
【００８６】このようにして得られた有機電界発光素子
について、アルゴン雰囲気中のグローブボックス内で発
光評価を行ったところ、１０Ｖの駆動電圧で、発光極大
波長が緑色では５４０ｎｍ、赤色では６２０ｎｍ、青色
では４７０ｎｍであり、発光輝度が緑色では５００ｃｄ
／ｍ2 、赤色では２１０ｃｄ／ｍ2 、青色では５００ｃ
ｄ／ｍ2 であった。各色で輝度が異なるため、適当な電
圧配分回路を用いて各色の輝度を調整して、目的とする
白色光源を得た。また、この白色光源の輝度は１０Ｖの
駆動電圧で５００ｃｄ／ｍ2 であった。更に、この有機
電界発光素子の可視光に対する光反射率は３０％程度で
あった。
について、アルゴン雰囲気中のグローブボックス内で発
光評価を行ったところ、１０Ｖの駆動電圧で、発光極大
波長が緑色では５４０ｎｍ、赤色では６２０ｎｍ、青色
では４７０ｎｍであり、発光輝度が緑色では５００ｃｄ
／ｍ2 、赤色では２１０ｃｄ／ｍ2 、青色では５００ｃ
ｄ／ｍ2 であった。各色で輝度が異なるため、適当な電
圧配分回路を用いて各色の輝度を調整して、目的とする
白色光源を得た。また、この白色光源の輝度は１０Ｖの
駆動電圧で５００ｃｄ／ｍ2 であった。更に、この有機
電界発光素子の可視光に対する光反射率は３０％程度で
あった。
【００８７】比較例として、ＡｌーＬｉ合金膜の膜厚、
すなわち金属電極層の厚さを２００ｎｍとすることのみ
を変えた有機電界発光素子を、本実施例と同一の方法に
より形成して評価を行ったところ、本実施例の有機電界
発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイの表示コントラ
ストは、比較例の有機電界発光素子を用いた有機ＥＬデ
ィスプレイより同一輝度において２．７倍程度優れてい
ることが分かった。
すなわち金属電極層の厚さを２００ｎｍとすることのみ
を変えた有機電界発光素子を、本実施例と同一の方法に
より形成して評価を行ったところ、本実施例の有機電界
発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイの表示コントラ
ストは、比較例の有機電界発光素子を用いた有機ＥＬデ
ィスプレイより同一輝度において２．７倍程度優れてい
ることが分かった。
【００８８】（第４の実施例）本実施例では、まず、膜
厚２００ｎｍのＩＴＯ膜よりなる透明電極層が積層され
た３０ｍｍ角のガラスよりなる透明基板を用意し、金属
電極層として膜厚１０ｎｍのＡｌ膜を成膜することを除
き、他は第３の実施例と同一の方法により透明電極層を
パターン形成すると共に緑色、赤色および青色発光用の
有機電界発光層と金属電極層とを形成した。
厚２００ｎｍのＩＴＯ膜よりなる透明電極層が積層され
た３０ｍｍ角のガラスよりなる透明基板を用意し、金属
電極層として膜厚１０ｎｍのＡｌ膜を成膜することを除
き、他は第３の実施例と同一の方法により透明電極層を
パターン形成すると共に緑色、赤色および青色発光用の
有機電界発光層と金属電極層とを形成した。
【００８９】続いて、第２の実施例と同一の方法によ
り、膜厚３００ｎｍのＩＴＯ膜を成膜して透明導電層を
形成した。
り、膜厚３００ｎｍのＩＴＯ膜を成膜して透明導電層を
形成した。
【００９０】続いて、透明電極層、有機電界発光層、金
属電極層および透明電光層の背面全体を覆うように厚さ
５ｎｍの黒色で光を通さないガラス板を配設した。この
ガラス板は透明電極層、有機電界発光層、金属電極層お
よび透明導電層側の面に曇り加工が施されている。その
後、透明電極層、有機電界発光層、金属電極層および透
明導電層の背面全体を覆うようにステンレス製の封止容
器を設置した。更に、この封止容器の内部にカーボンブ
ラックを含む塗料を塗布し、アルゴン雰囲気中で紫外線
硬化樹脂を用いて封止容器を密閉して有機電界発光素子
を完成させた。
属電極層および透明電光層の背面全体を覆うように厚さ
５ｎｍの黒色で光を通さないガラス板を配設した。この
ガラス板は透明電極層、有機電界発光層、金属電極層お
よび透明導電層側の面に曇り加工が施されている。その
後、透明電極層、有機電界発光層、金属電極層および透
明導電層の背面全体を覆うようにステンレス製の封止容
器を設置した。更に、この封止容器の内部にカーボンブ
ラックを含む塗料を塗布し、アルゴン雰囲気中で紫外線
硬化樹脂を用いて封止容器を密閉して有機電界発光素子
を完成させた。
【００９１】このようにして得られた有機電界発光素子
について、アルゴン雰囲気中のグローブボックス内で発
光評価を行ったところ、輝度は１０Ｖの駆動電圧で５０
０ｃｄ／ｍ2 であった。また、この有機電界発光素子の
可視光に対する光反射率は３０％程度であった。
について、アルゴン雰囲気中のグローブボックス内で発
光評価を行ったところ、輝度は１０Ｖの駆動電圧で５０
０ｃｄ／ｍ2 であった。また、この有機電界発光素子の
可視光に対する光反射率は３０％程度であった。
【００９２】比較例として、ＡｌーＬｉ合金膜の膜厚、
すなわち金属電極層の厚さを２００ｎｍとすることのみ
を変えた有機電界発光素子を本実施例と同一の方法によ
り形成して評価を行ったところ、本実施例の有機電界発
光素子を用いた有機ＥＬディスプレイの表示コントラス
トは、比較例の有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディ
スプレイより同一輝度において２．７倍程度優れている
ことが分かった。
すなわち金属電極層の厚さを２００ｎｍとすることのみ
を変えた有機電界発光素子を本実施例と同一の方法によ
り形成して評価を行ったところ、本実施例の有機電界発
光素子を用いた有機ＥＬディスプレイの表示コントラス
トは、比較例の有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディ
スプレイより同一輝度において２．７倍程度優れている
ことが分かった。
【００９３】（第５の実施例）本実施例では、まず、膜
厚２００ｎｍのＩＴＯ膜よりなる透明電極層が積層され
たガラスよりなる透明基板（シート抵抗１０Ω／ｃ
ｍ2 ）を用意した。次いで、第１の実施例と同一の方法
により有機電界発光層および金属電極層を形成した。
厚２００ｎｍのＩＴＯ膜よりなる透明電極層が積層され
たガラスよりなる透明基板（シート抵抗１０Ω／ｃ
ｍ2 ）を用意した。次いで、第１の実施例と同一の方法
により有機電界発光層および金属電極層を形成した。
【００９４】続いて、金属電極層上に、真空蒸着法によ
り膜厚２００ｎｍの鉄膜を成膜することにより導電層を
形成して有機電界発光素子を完成させた。
り膜厚２００ｎｍの鉄膜を成膜することにより導電層を
形成して有機電界発光素子を完成させた。
【００９５】このようにして得られた有機電界発光素子
について、アルゴン雰囲気中のグローブボックス内で発
光評価を行ったところ、１０Ｖの駆動電圧で１０ｍＡ／
ｃｍ2 の電流密度である場合に、緑色に発光し、約５０
０ｃｄ／ｃｍ2 の輝度が得られた。また、この有機電界
発光素子の可視光に対する光反射率は５０％程度であっ
た。
について、アルゴン雰囲気中のグローブボックス内で発
光評価を行ったところ、１０Ｖの駆動電圧で１０ｍＡ／
ｃｍ2 の電流密度である場合に、緑色に発光し、約５０
０ｃｄ／ｃｍ2 の輝度が得られた。また、この有機電界
発光素子の可視光に対する光反射率は５０％程度であっ
た。
【００９６】比較例として、Ｍｇ−Ａｇ合金膜の膜厚、
すなわち金属電極層の厚さを２００ｎｍとすることのみ
を変えた有機電界発光素子を本実施例と同一の方法によ
り形成した。この有機電界発光素子についても本実施例
と同様にして発光評価等を行った。その結果、この有機
電界発光素子の可視光に対する光反射率は８０％程度で
あり、この有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプ
レイの表示コントラストは５：１であった。
すなわち金属電極層の厚さを２００ｎｍとすることのみ
を変えた有機電界発光素子を本実施例と同一の方法によ
り形成した。この有機電界発光素子についても本実施例
と同様にして発光評価等を行った。その結果、この有機
電界発光素子の可視光に対する光反射率は８０％程度で
あり、この有機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプ
レイの表示コントラストは５：１であった。
【００９７】以上の評価結果より、本実施例の有機電界
発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイの表示コントラ
ストは、比較例の有機電界発光素子を用いた有機ＥＬデ
ィスプレイより同一輝度において１．６倍程度優れてい
ることが分かった。
発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイの表示コントラ
ストは、比較例の有機電界発光素子を用いた有機ＥＬデ
ィスプレイより同一輝度において１．６倍程度優れてい
ることが分かった。
【００９８】（第６の実施例）本実施例では、膜厚２０
０ｎｍのＩＴＯ膜よりなる透明電極層が積層された３０
ｍｍ角のガラスよりなる透明基板を用意し、第３の実施
例と同一の方法により透明電極層をパターン形成すると
共に緑色、赤色および青色発光用の有機電界発光層と金
属電極層とを形成して有機電界発光素子を完成させた。
０ｎｍのＩＴＯ膜よりなる透明電極層が積層された３０
ｍｍ角のガラスよりなる透明基板を用意し、第３の実施
例と同一の方法により透明電極層をパターン形成すると
共に緑色、赤色および青色発光用の有機電界発光層と金
属電極層とを形成して有機電界発光素子を完成させた。
【００９９】このようにして得られた有機電界発光素子
について、アルゴン雰囲気中のグローブボックス内で発
光評価を行ったところ、１０Ｖの駆動電圧で、発光極大
波長が緑色では５４０ｎｍ、赤色では６２０ｎｍ、青色
では４７０ｎｍであり、発光輝度が緑色では５００ｃｄ
／ｍ2 、赤色では２１０ｃｄ／ｍ2 、青色では５００ｃ
ｄ／ｍ2 であった。各色で輝度が異なるため、適当な電
圧配分回路を用いて各色の輝度を調整して、目的とする
白色光源を得た。また、この白色光源の輝度は１０Ｖの
駆動電圧で４５０ｃｄ／ｍ2 であった。更に、この有機
電界発光素子の可視光に対する光反射率は５０％程度で
あった。
について、アルゴン雰囲気中のグローブボックス内で発
光評価を行ったところ、１０Ｖの駆動電圧で、発光極大
波長が緑色では５４０ｎｍ、赤色では６２０ｎｍ、青色
では４７０ｎｍであり、発光輝度が緑色では５００ｃｄ
／ｍ2 、赤色では２１０ｃｄ／ｍ2 、青色では５００ｃ
ｄ／ｍ2 であった。各色で輝度が異なるため、適当な電
圧配分回路を用いて各色の輝度を調整して、目的とする
白色光源を得た。また、この白色光源の輝度は１０Ｖの
駆動電圧で４５０ｃｄ／ｍ2 であった。更に、この有機
電界発光素子の可視光に対する光反射率は５０％程度で
あった。
【０１００】比較例として、ＡｌーＬｉ合金膜の膜厚、
すなわち金属電極層の厚さを２００ｎｍとすることのみ
を変えた有機電界発光素子を本実施例と同一の方法によ
り形成して評価を行った。その結果、本実施例の有機電
界発光素子を用いた有機電界発光ディスプレイの表示コ
ントラストは、比較例の有機電界発光素子を用いた有機
電界発光ディスプレイより同一輝度において１．６倍程
度優れていることが分かった。
すなわち金属電極層の厚さを２００ｎｍとすることのみ
を変えた有機電界発光素子を本実施例と同一の方法によ
り形成して評価を行った。その結果、本実施例の有機電
界発光素子を用いた有機電界発光ディスプレイの表示コ
ントラストは、比較例の有機電界発光素子を用いた有機
電界発光ディスプレイより同一輝度において１．６倍程
度優れていることが分かった。
【０１０１】以上、実施の形態および実施例を挙げて本
発明を説明したが、本発明は上記各実施の形態および各
実施例に限定されるものではなく、種々変形可能であ
る。例えば、上記各実施の形態においては、有機電界発
光層１３上に金属電極層１４が積層された構造について
説明したが、有機電界発光層１３と金属電極層１４との
間にフッ化リチウム（ＬｉＦ）や酸化アルミニウム（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）よりなる薄膜を狭持させた構造としてもよ
い。
発明を説明したが、本発明は上記各実施の形態および各
実施例に限定されるものではなく、種々変形可能であ
る。例えば、上記各実施の形態においては、有機電界発
光層１３上に金属電極層１４が積層された構造について
説明したが、有機電界発光層１３と金属電極層１４との
間にフッ化リチウム（ＬｉＦ）や酸化アルミニウム（Ａ
ｌ2 Ｏ3 ）よりなる薄膜を狭持させた構造としてもよ
い。
【０１０２】また、上記第２ないし第５の実施の形態に
おいては、低光反射層２１がカーボンブラックまたはア
ニリンブラックをセルロース系の樹脂等の高分子バイン
ダ中に分散させた有機化合物（黒色塗料）よりなる層を
含む場合について説明したが、この層の代わりに円偏光
性や偏光性を有するフィルムまたはシートを用いてもよ
い。更に、これらの有機化合物（黒色塗料）よりなる
層、フィルム、シートの表面を凹凸構造とすることによ
り光の散乱を促進させることができる。すなわち、低光
反射層２１としては、材料の選択により金属電極層14を
透過した光を吸収するような構成としてもよく、また、
入射した光を補足するような構造とすることもできる。
加えて、これらの有機化合物（黒色塗料）よりなる層、
フィルム、シートが有機電界発光素子を外気中の酸素や
水分から遮蔽するための封止構造の一部を成していても
よい。
おいては、低光反射層２１がカーボンブラックまたはア
ニリンブラックをセルロース系の樹脂等の高分子バイン
ダ中に分散させた有機化合物（黒色塗料）よりなる層を
含む場合について説明したが、この層の代わりに円偏光
性や偏光性を有するフィルムまたはシートを用いてもよ
い。更に、これらの有機化合物（黒色塗料）よりなる
層、フィルム、シートの表面を凹凸構造とすることによ
り光の散乱を促進させることができる。すなわち、低光
反射層２１としては、材料の選択により金属電極層14を
透過した光を吸収するような構成としてもよく、また、
入射した光を補足するような構造とすることもできる。
加えて、これらの有機化合物（黒色塗料）よりなる層、
フィルム、シートが有機電界発光素子を外気中の酸素や
水分から遮蔽するための封止構造の一部を成していても
よい。
【０１０３】また、上記第４の実施の形態においては、
金属電極層１４上に、金属電極層１４と接するように可
視光に対する光反射率が１０％以下の層を形成し、この
層に接することなく低光反射層２１を形成することによ
り、更に金属電極層１４における光の鏡面反射を防止す
ることができる。
金属電極層１４上に、金属電極層１４と接するように可
視光に対する光反射率が１０％以下の層を形成し、この
層に接することなく低光反射層２１を形成することによ
り、更に金属電極層１４における光の鏡面反射を防止す
ることができる。
【０１０４】また、上記第５の実施の形態においては、
透明導電層３１上に透明導電層３１と接するように可視
光に対する光反射率が１０％以下の層を形成し、この層
に接することなく低光反射層２１を形成することによ
り、更に金属電極層１４における光の鏡面反射を防止す
ることができる。
透明導電層３１上に透明導電層３１と接するように可視
光に対する光反射率が１０％以下の層を形成し、この層
に接することなく低光反射層２１を形成することによ
り、更に金属電極層１４における光の鏡面反射を防止す
ることができる。
【０１０５】また、上記各実施の形態においては、透明
基板１１に光吸収性を有する微粒子を含ませてもよい。
更に、透明基板１１上に光の吸収を促進させるためのコ
ーティングを施してもよい。加えて、透明基板１１の表
面に微細な凹凸を設けてもよい。
基板１１に光吸収性を有する微粒子を含ませてもよい。
更に、透明基板１１上に光の吸収を促進させるためのコ
ーティングを施してもよい。加えて、透明基板１１の表
面に微細な凹凸を設けてもよい。
【０１０６】また、上記第１ないし第３および第６の実
施の形態においても、第４の実施の形態と同様に、封止
容器４１を備えるようにしてもよい。これにより、有機
電界発光素子１０，６０を外気から遮蔽することができ
る。
施の形態においても、第４の実施の形態と同様に、封止
容器４１を備えるようにしてもよい。これにより、有機
電界発光素子１０，６０を外気から遮蔽することができ
る。
【０１０７】また、上記各実施の形態において複数の発
光素子を１つの透明基板１１上にマトリクス状に形成す
る場合には、テレビジョン受像機で常用されているよう
に発光素子間を黒色としたブラックマトリクスとしても
よいし、液晶表示素子で常用されているカラーフィルタ
等を用いてもよい。
光素子を１つの透明基板１１上にマトリクス状に形成す
る場合には、テレビジョン受像機で常用されているよう
に発光素子間を黒色としたブラックマトリクスとしても
よいし、液晶表示素子で常用されているカラーフィルタ
等を用いてもよい。
【０１０８】
【発明の効果】以上説明したように請求項１ないし請求
項２３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子によれ
ば、第２の電極層の可視光に対する光反射率が５０％以
下となるように構成したので、第２の電極層における光
の鏡面反射を低減させることができる。よって、この有
機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイにおける
表示コントラストを向上させることができるという効果
を奏する。
項２３のいずれか１項に記載の有機電界発光素子によれ
ば、第２の電極層の可視光に対する光反射率が５０％以
下となるように構成したので、第２の電極層における光
の鏡面反射を低減させることができる。よって、この有
機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイにおける
表示コントラストを向上させることができるという効果
を奏する。
【０１０９】特に、請求項６ないし請求項１８のいずれ
か１項に記載の有機電界発光素子によれば、第２の電極
層の有機電界発光層との接続面の反対側に、低光反射層
を備えるようにしたので、更に第２の電極層における光
の鏡面反射を低減させることができる。よって、この有
機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイにおける
表示コントラストを大幅に向上させることができるとい
う効果を奏する。
か１項に記載の有機電界発光素子によれば、第２の電極
層の有機電界発光層との接続面の反対側に、低光反射層
を備えるようにしたので、更に第２の電極層における光
の鏡面反射を低減させることができる。よって、この有
機電界発光素子を用いた有機ＥＬディスプレイにおける
表示コントラストを大幅に向上させることができるとい
う効果を奏する。
【０１１０】また、請求項１９ないし請求項２３のいず
れか１項に記載の有機電界発光素子によれば、第２の電
極層の有機電界発光層との隣接面の反対側に、第２の電
極層の面に沿った形状をなすように密着して形成され、
第２の電極層と共に電極を構成する導電層を備えるよう
にしたので、更に第２の電極層における光の鏡面反射を
低減させることができる。よって、この有機電界発光素
子を用いた有機ＥＬディスプレイにおける表示コントラ
ストを向上させることができるという効果を奏する。
れか１項に記載の有機電界発光素子によれば、第２の電
極層の有機電界発光層との隣接面の反対側に、第２の電
極層の面に沿った形状をなすように密着して形成され、
第２の電極層と共に電極を構成する導電層を備えるよう
にしたので、更に第２の電極層における光の鏡面反射を
低減させることができる。よって、この有機電界発光素
子を用いた有機ＥＬディスプレイにおける表示コントラ
ストを向上させることができるという効果を奏する。
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る有機電界発光
素子の概略構成を表す斜視図である。
素子の概略構成を表す斜視図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係る有機電界発光
素子の構造を表す断面図である。
素子の構造を表す断面図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係る有機電界発光
素子の構成を表す断面図である。
素子の構成を表す断面図である。
【図４】本発明の第３の実施の形態に係る有機電界発光
素子の構成を表す断面図である。
素子の構成を表す断面図である。
【図５】本発明の第４の実施の形態に係る有機電界発光
素子の構成を表す断面図である。
素子の構成を表す断面図である。
【図６】本発明の第５の実施の形態に係る有機電界発光
素子の構成を表す断面図である。
素子の構成を表す断面図である。
【図７】本発明の第６の実施の形態に係る有機電界発光
素子の構成を表す断面図である。
素子の構成を表す断面図である。
１０，２０，３０，４０，５０，６０…有機電界発光素
子、１１…透明基板、１２…透明電極層（第１の電極
層）、１３…有機電界発光層、１４…金属電極層（第２
の電極層）、２１…低光反射層、３１…透明導電層（導
電層）、４１…封止容器、６１…導電層
子、１１…透明基板、１２…透明電極層（第１の電極
層）、１３…有機電界発光層、１４…金属電極層（第２
の電極層）、２１…低光反射層、３１…透明導電層（導
電層）、４１…封止容器、６１…導電層
Claims (23)
- 【請求項１】 第１の電極層と、 この第１の電極層の一方の面に隣接して形成された有機
電界発光層と、 この有機電界発光層の他方の面に隣接して形成されると
共に、可視光に対する光反射率が５０％以下である第２
の電極層とを備えたことを特徴とする有機電界発光素
子。 - 【請求項２】 前記第２の電極層の光反射率が３０％以
下であることを特徴とする請求項１記載の有機電界発光
素子。 - 【請求項３】 前記第１の電極層は透明電極層であり、
透明基板上に形成されていることを特徴とする請求項１
記載の有機電界発光素子。 - 【請求項４】 前記第１の電極層は、インジウム・錫酸
化物または酸化錫であることを特徴とする請求項３記載
の有機電界発光素子。 - 【請求項５】 前記第２の電極層は、リチウム、マグネ
シウム、カルシウムのいずれか１の金属、またはこれら
金属と銀、アルミニウム、インジウムのいずれかの金属
との合金により形成されたことを特徴とする請求項１記
載の有機電界発光素子。 - 【請求項６】 第１の電極層と、 この第１の電極層の一方の面に隣接して形成された有機
電界発光層と、 この有機電界発光層の他方の面に隣接して形成されると
共に、可視光に対する光反射率が５０％以下である第２
の電極層と、 この第２の電極層の前記有機電界発光層との隣接面の反
対側に形成された低光反射層とを備えたことを特徴とす
る有機電界発光素子。 - 【請求項７】 前記低光反射層は、可視光に対する光反
射率が１０％以下である層を含む１つ以上の層により構
成されていることを特徴とする請求項６記載の有機電界
発光素子。 - 【請求項８】 前記低光反射層は、カーボンブラックま
たはアニリンブラックを高分子バインダ中に分散させた
有機化合物により形成された層を含むことを特徴とする
請求項７記載の有機電界発光素子。 - 【請求項９】 前記低光反射層は、少なくとも一部が前
記第２の電極層に接していることを特徴とする請求項６
記載の有機電界発光素子。 - 【請求項１０】 更に、前記第２の電極層と前記低光反
射層との間に第２の電極層と共に電極を構成する導電層
を備えたことを特徴とする請求項７記載の有機電界発光
素子。 - 【請求項１１】 前記導電層は可視光に対する光反射率
が１０％以下であることを特徴とする請求項１０記載の
有機電界発光素子。 - 【請求項１２】 前記導電層は透明材料により形成され
ていることを特徴とする請求項１０記載の有機電界発光
素子。 - 【請求項１３】 前記導電層は、インジウム・錫酸化
物、酸化亜鉛−酸化インジウム系複合酸化物、酸化錫の
うちのいずれかの酸化物、またはアニリン類、チオフェ
ン類、アセチレン類のうちのいずれかを重合してなる材
料により形成されたことを特徴とする請求項１０記載の
有機電界発光素子。 - 【請求項１４】 前記低光反射層は少なくとも一部が前
記導電層に接していることを特徴とする請求項１０記載
の有機電界発光素子。 - 【請求項１５】 前記低光反射層は、前記第２の電極層
と接しない領域に対向配置されたことを特徴とする請求
項７記載の有機電界発光素子。 - 【請求項１６】 前記第１の電極層、有機電界発光層お
よび第２の電極層からなる積層体が透明基板上に形成さ
れると共に、前記第１の電極層、有機電界発光層および
第２の電極層からなる積層体が前記透明基板に密着され
た封止容器内に封止されていることを特徴とする請求項
６記載の有機電界発光素子。 - 【請求項１７】 前記低光反射層は、前記封止容器の内
面の、前記第２の電極層と接しない領域に対向配置され
たことを特徴とする請求項１６記載の有機電界発光素
子。 - 【請求項１８】 更に、前記第２の電極層と前記低反射
層との間に第２の電極層と共に電極を構成する導電層を
備えたことを特徴とする請求項１７記載の有機電界発光
素子。 - 【請求項１９】 第１の電極層と、 この第１の電極層の一方の面に隣接して形成された有機
電界発光層と、 この有機電界発光層の他方の面に隣接して形成されると
共に、可視光に対する光反射率が５０％以下である第２
の電極層と、 この第２の電極層の前記有機電界発光層との隣接面の反
対側に前記第２の電極層の面に沿った形状をなすように
密着して形成され、第２の電極層と共に電極を構成する
導電層とを備えたことを特徴とする有機電界発光素子。 - 【請求項２０】 前記導電層は、可視光に対する光反射
率が６０％以下であることを特徴とする請求項１９記載
の有機電界発光素子。 - 【請求項２１】 前記導電層は、可視光に対する光反射
率が５０％以下であることを特徴とする請求項２０記載
の有機電界発光素子。 - 【請求項２２】 前記導電層は、ベリリウム、銅、クロ
ム、鉄、モリブデン、ニッケル、白金、タングステン、
鉛、錫、アンチモン、ストロンチウム、チタンのうちの
いずれかの金属、これら金属の合金により形成されたこ
とを特徴とする請求項１８記載の有機電界発光素子。 - 【請求項２３】 前記導電層は、炭化珪素、あるいはア
ニリン類やチオフェン類やアセチレン類を重合してなる
高分子材料により形成されたことを特徴とする請求項１
９記載の有機電界発光素子。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10205516A JP2000040591A (ja) | 1998-07-21 | 1998-07-21 | 有機電界発光素子 |
| US09/352,751 US6410168B1 (en) | 1998-07-21 | 1999-07-14 | Organic electroluminescence element |
| KR1019990029439A KR100735786B1 (ko) | 1998-07-21 | 1999-07-21 | 유기 전계 발광 소자 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10205516A JP2000040591A (ja) | 1998-07-21 | 1998-07-21 | 有機電界発光素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000040591A true JP2000040591A (ja) | 2000-02-08 |
| JP2000040591A5 JP2000040591A5 (ja) | 2005-09-02 |
Family
ID=16508176
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10205516A Pending JP2000040591A (ja) | 1998-07-21 | 1998-07-21 | 有機電界発光素子 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6410168B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000040591A (ja) |
| KR (1) | KR100735786B1 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2000040591A (ja) * | 1998-07-21 | 2000-02-08 | Sony Corp | 有機電界発光素子 |
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- 1999-07-14 US US09/352,751 patent/US6410168B1/en not_active Expired - Fee Related
- 1999-07-21 KR KR1019990029439A patent/KR100735786B1/ko not_active IP Right Cessation
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|---|---|
| US6410168B1 (en) | 2002-06-25 |
| KR100735786B1 (ko) | 2007-07-06 |
| KR20000011851A (ko) | 2000-02-25 |
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