JP5117553B2 - 表示装置の製造方法 - Google Patents
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Description
本発明の第1実施形態による表示装置及びその製造方法について図1乃至図4を用いて説明する。図1は本実施形態による表示装置の構造を示す概略図、図2は有機エレクトロルミネッセンス素子を用いたボトムエミッション型の表示装置の構造を示す概略図、図3及び図4は本実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。
本発明の第2実施形態による表示装置について図5乃至図7を用いて説明する。図5は本実施形態による表示装置の構造を示す概略図、図6及び図7は本実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、図1、図3、及び図4に示す第1実施形態による表示装置及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
本発明の第3実施形態による表示装置及びその製造方法について図8を用いて説明する。図8は本実施形態による表示装置の構造を示す概略図である。なお、図1及び図5にそれぞれ示す第1及び第2実施形態による表示装置と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
本発明の第4実施形態による表示装置及びその製造方法について図9を用いて説明する。図9は本実施形態による表示装置の構造を示す断面図である。なお、図1、図3、及び図4に示す第1実施形態による表示装置及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
本発明の第5実施形態による表示装置及びその製造方法について図10乃至図13を用いて説明する。図10は本実施形態による表示装置の構造を示す断面図、図11は有機エレクトロルミネッセンス素子とともにスイッチング素子として薄膜トランジスタを用いたボトムエミッション型の表示装置の構造の一例を示す断面図、図12及び図13は本実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、図5乃至図7に示す第2実施形態による表示装置及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
本発明の第6実施形態による表示装置について図14乃至図18を用いて説明する。図14は本実施形態による表示装置の構造を示す断面図、図15は本実施形態による表示装置の特性を示すグラフ、図16はアノード電極としてCr膜を用いた表示装置の構造を示す断面図、図17及び図18は本実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、図1、図3及び図4に示す第1実施形態による表示装置及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
本発明の第7実施形態による表示装置について図19乃至図22を用いて説明する。図19は本実施形態による表示装置の構造を示す断面図、図20乃至図22は本実施形態による表示装置の製造方法を示す工程断面図である。なお、図10、図12乃至図14、図17、及び図18に示す第5及び第6実施形態による表示装置及びその製造方法と同様の構成要素については同一の符号を付し説明を省略し或いは簡略にする。
本発明は上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
12 光反射膜
14 透明導電膜
16 アノード電極
18 有機エレクトロルミネッセンス層
20 カソード電極
22 Al膜
24 ITO膜
30 介在膜
32 アノード電極
40 上面発行部
44 両面発光部
46 バッファ層
48 チャネル層
50 ゲート絶縁膜
52 ゲート電極
54 ソース領域
56 ドレイン領域
60 コンタクトホール
64 コンタクトホール
66 ドレイン電極
68 層間絶縁膜
70 コンタクトホール
72 光反射膜
74 絶縁層
76 アノード電極
80 層間絶縁膜
100 絶縁性基板
102 アノード電極
104 有機エレクトロルミネッセンス層
106 カソード電極
134 アノード電極
Claims (1)
- 基板上に、スイッチング素子を形成する工程と、
前記スイッチング素子が形成された前記基板上に、第1の絶縁層を形成する工程と、
前記第1の絶縁層上に、光反射性を有する第1の導電膜を形成する工程と、
前記第1の導電膜が形成された前記第1の絶縁層上に、前記スイッチング素子の電極上に第1の開口部を有し、光透過性を有する感光性樹脂よりなる第2の絶縁層を形成する工程と、
前記第2の絶縁層をマスクとして前記第1の絶縁層をエッチングし、前記スイッチング素子の電極に達する第2の開口部を形成する工程と、
前記第2の絶縁層上に、前記第1の開口部及び前記第2の開口部を介して前記スイッチング素子の電極に電気的に接続され、光透過性を有する第2の導電膜を有するアノード電極を形成する工程と、
前記アノード電極上に、有機エレクトロルミネッセンス層を形成する工程と、
前記有機エレクトロルミネッセンス層上に、光透過性を有するカソード電極を形成する工程と
を有することを特徴とする表示装置の製造方法。
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