TWI505459B - 顯示裝置 - Google Patents

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TWI505459B
TWI505459B TW101134937A TW101134937A TWI505459B TW I505459 B TWI505459 B TW I505459B TW 101134937 A TW101134937 A TW 101134937A TW 101134937 A TW101134937 A TW 101134937A TW I505459 B TWI505459 B TW I505459B
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Nobuyoshi Saito
Kentaro Miura
Tomomasa Ueda
Shintaro Nakano
Tatsunori Sakano
Hajime Yamaguchi
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Toshiba Kk
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Description

顯示裝置
於此所述之本發明的實施例係有關顯示裝置。
有一種主動距陣顯示裝置，其中，諸如薄膜電晶體之切換元件控制通過有機EL(電致發光)裝置之電流。期望改善此顯示裝置之影像品質。
根據一個實施例，顯示裝置包含基板、像素電極、切換元件、有機發光層、反電極、光吸收層和導電膜。該基板是可透光之基板，該像素電極係設於基板上，該像素電極係可透光，該切換元件係設於基板上且電性連接於該像素電極，該有機發光層係設於該像素電極上，該反電極係設於該機發光層上，該反電極係可透光，該光吸收層係設於該反電極上，該光吸收層可導電，該導電膜係設於該光吸收層上。
以下將參照附圖來描述各種實施例。
這裡指出圖示是示意的或概念的。介於厚度與部件寬度之間的關係、介於部件之間的大小比例等等不必然與實際的大小比例相同。而且，即使在表達該相似部件之示例中，大小和部件之比例有時依照該圖而做不同地描述。
在說明書和圖示中，類似於那些所描述的或以上圖示 說明的部件給予相同的編號，且適當地省略其詳細描述。
第一實施例
圖1是依據第一實施例之顯示裝置之組態的剖面示意圖。
如圖1所示，依據該實施例之顯示裝置110包含基板10、切換元件12、像素電極16、有機發光層18、陰極20(反電極)、光吸收層50和導電膜52。
該像素電極16、有機發光層18及陰極20構成有機EL發光元件部24。該發光元件部24係藉由切換元件12來予以控制和驅動。在該顯示裝置110中，切換元件12和發光元件部分24的組合係配置成矩陣組態中。控制切換元件12的驅動和發光元件部24的光發射以顯示圖形。該顯示裝置110是利用有機EL裝置之主動距陣顯示裝置。
該基板10具有主表面10a。該基板10，例如，係可透光的。舉例來說，該基板10是透明的。基板10，例如，具有雙折射。基板10的雙折射，例如，在平面和在膜厚度方向上具有10nm或大於10nm之遲滯(retardation)。基板10包含主體部4和阻絕層5。該主體部4係可透光的。該主體部4進一步，例如，具有可撓性。該主體部分4，舉例來說，使用諸如聚亞醯胺和芳胺樹脂之樹脂材料。該阻絕層5，舉例來說，抑制雜質和濕氣的滲透。該阻絕層5保護，舉例來說，設於基板10上之切換元件12 和發光元件部24。為可透光及可撓之材料，例如，被使用於該阻絕層5。舉例來說，氧化矽膜、氮化矽膜等等被使用於該阻絕層5。氧化矽膜和氮化矽膜等等的堆疊體，舉例來說，可被使用於阻絕層5。諸如玻璃材料和樹脂材料之不具可撓性的材料，例如，可被使用於該主體部4。
該切換元件12係設於基板10的主表面10a上。
該切換元件12包含第一導電部31、第二導電部32、閘極電極33、閘極絕緣膜34、半導體膜35、及通道保護膜36。
該閘極電極33係設於基板10的主表面10a上。諸如鉬鎢(MoW)、鉬鉭(MoTa)及鎢(W)之高熔點金屬，例如，被使用於閘極電極33。其中設置有抗小丘組態之具有主成分為鋁的鋁合金，舉例來說，可被使用於閘極電極33。鋁和高熔點金屬的堆疊體，舉例來說，可被使用於閘極電極33。
該閘極絕緣膜34係設於閘極電極33上。在此例中，閘極絕緣膜34係設於整個主表面10a上以便覆蓋閘極電極33。舉例來說，為絕緣且可透光之材料被使用於閘極絕緣膜34。氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜等等，舉例來說，可被使用於閘極絕緣膜34。包含氧化矽膜、氮化矽膜、和氮氧化矽膜的至少其中一者之堆疊體，舉例來說，可被使用於閘極絕緣膜34。
該半導體膜35係設於閘極絕緣膜34上。該閘極絕緣膜34係設於閘極電極33與半導體膜35之間，並且使閘 極電極33與半導體膜35絕緣。含有銦、鎵或鋅的至少其中一者之非晶氧化物半導體，舉例來說，被使用於半導體膜35。亦即，半導體膜35，舉例來說，使用In-Ga-Zn-O氧化物半導體、In-Ga-O氧化物半導體及In-Zn-O氧化物半導體的至少其中一者。該半導體膜35的厚度(沿著Z軸方向的距離)約為，例如，10nm。因而，使半導體膜35的電特性為優良的。更具體地說，半導體膜35的厚度，例如，為大於或等於10nm且小於或等於100nm。半導體膜35可以是具有其他組合物之氧化物半導體，例如，多晶矽、微晶矽、非晶矽、有機半導體等等。
在包含非晶氧化半導體之半導體膜35中，即使使用，例如，穿透式電子顯微鏡(TEM)或X射線繞射(XRD)形態來觀察該半導體膜35，也觀察不到顯示結晶性之繞射圖案等等。該半導體膜35之膜和形狀可使用掃瞄式電子顯微鏡(SEM)、TEM等等而被觀察到。
對於該半導體膜35，可使用該氧化半導體的微結晶係散佈於如上所述之非結晶氧化物半導體中如此之材料。
第一導電部31係電連接至半導體膜35。第二導電部32係設置成與該第一導電部分開，且電連接至半導體膜35。鈦、鋁、鉬等等，舉例來說，被使用於第一導電部31和第二導電部32。第一導電部31和第二導電部32可以，例如，是含有鈦、鋁、和鉬的至少其中一者之堆疊體。該第一導電部31為該切換元件12之源極電極和汲極電極的其中一者。該第二導電部32為該切換元件12之源極電 極和汲極電極的另一者。
該通道保謢膜36係設置於該半導體膜35上。通道保護膜36保護該半導體膜35。該通道保護膜36是使用絕緣材料。舉例來說，氧化矽膜被使用於該通道保護膜36。在非晶氧化半導體被使用於該半導體膜35之示例中，具有抗酸性高於該半導體膜35之抗酸性的氧化矽膜被使用於通道保護膜36，舉例來說。該通道保護膜36可以是，例如，氮化矽膜或氮氧化矽膜。
第一導電部31覆蓋該通道保護膜36的第一部分36a。第二導電部32覆蓋該通道保護膜36的第二部分36b。第一導電部31覆蓋半導體膜35的第一區35a。第二導電部32覆蓋半導體膜35的第二區35b。該半導體膜35具有未被第一導電部31及第二導電部32所覆蓋之第三區35c。當從垂直於該半導體膜35之膜表面35p的方向(以下被稱為Z軸方向)來予以觀看時，該閘極電極33具有介於第一導電部31與第二導電部32之間的部分33a。亦即，當該閘極電極33夾住閘絕緣膜膜34於其間時，該閘極電極33相對於半導體膜35之第三區35c。該通道保護膜36係設置於至少在該第三區35c上。
電壓被施加於閘極電極33以產生通過該半導體膜35之通道，且電流通過第一導電部31和第二導電部32。在此例中，該切換元件12為底部閘極薄膜電晶體。該切換元件12不限於底閘部極薄膜電晶體，其也可為呈其他結構或相似結構之電晶體。
鈍化膜40係設於該切換元件12與像素電極16之間。舉例來說，該鈍化膜40使用具有絕緣性和透光性之材料。鈍化膜40，例如，是透明的。舉例來說，氧化矽膜、氮化矽膜、氮氧化矽膜、氧化鋁(Al2 O3 )等等被使用於鈍化膜40。
在此例中，彩色濾光片44被設置於該像素電極16與鈍化膜40之間。該彩色濾光片44對於每一個像素具有不同的顏色。舉例來說，紅色、綠色、藍色樹脂膜(彩色抗蝕劑)的其中之一被使用於該彩色濾光片44。該彩色濾光片44是可透光的。舉例來說，該彩色濾光片44的透光率視波長而不同。該彩色濾光片44視需要而設置。彩色濾光片44可被省略。
該像素電極16係電連接至第一導電部31和第二導電部32的其中之一。在此例中，該像素電極16係電連接至第一導電部31(例如，源極)。該像素電極16係設置於主表面10a上。在此例中，該像素電極16係設置於彩色濾光片44上。該像素電極16在Z軸方向上具有相對於切換元件12之相對區16a，和非相對於切換元件12之非相對區16b。舉例來說，具有導電性和可透光性的材料被使用於像素電極16。例如，ITO(銦錫氧化物)、ITO/Ag/ITO堆疊結構、為ZnO摻雜有鋁之AZO等等被使用於像素電極16。
該鈍化膜40和彩色濾光片44係各自設置有開口40a和開口44a，而第一導電部31的一部分自該開口被暴露 出。該像素電極16的相對區16a的一部分16c在開口40a和開口44a中與第一導電部31相接觸。由此，該像素電極16係電連接至第一導電部31。
該平坦化膜42係設置於像素電極16和彩色濾光片44上。舉例來說，具有絕緣性與可透光性的材料被使用於該平坦化膜42。例如，該平坦化膜42是透明的。例如，有機樹脂材料被使用於該平坦化膜42。舉例來說，感光性丙烯酸樹脂、感光性聚亞醯胺等等被使用於該平坦化膜42。該平坦化膜42具有開口42a，像素電極16之非相對區16b的一部分自該開口而被暴露出。
有機發光層18係設於該平坦化膜42上。有機發光層18的一部分18a進入該開口42a內。該有機發光層18在開口42a中與像素電極16之非相對區16b相接觸。舉例來說，該有機發光層18在開口42a中電連接至像素電極16。該平坦化膜42阻止相對區16a與有機發光層18相接觸。舉例來說，具有電洞傳輸層、發光層及電子傳輸層互相堆疊之堆疊體被使用於該有機發光層18。該有機發光層18是可透光的。例如，該有機發光層18是透明的。
陰極20係設於該有機發光層18上。具有導電性和可透光性之材料被使用於陰極20。舉例來說，該陰極20是透明的。例如，金屬膜使用於該陰極20。例如，MgAg被使用於該陰極20。陰極20的厚度，例如，係大於或等於5nm且小於或等於20nm。該陰極20之比阻抗，例如，係大於或等於1 μ Ω cm且小於或等於10 μ Ω cm。在此例中 ，該像素電極16係用作為陽極，且該反電極係用作為陰極。在此實施例中，該像素電極16可被用作為陰極，且該反電極可被用作為陽極。
例如，該發光元件部24係形成於非相對區16b。在發光元件部24中，對該像素電極16和陰極20施加電壓，以使自有機發光層18中發射出光。從有機發光層18發射出的光通過彩色濾光片44、鈍化膜40、閘極絕緣膜34和基板10，且走到外面。該顯示裝置110為底表面發光型顯示裝置。
光吸收層50係設於陰極20上。舉例來說，光吸收層50的光吸收比陰極20的光吸收更高。例如，光吸收層50的吸收係數比陰極20的吸收係數更高。例如，光吸收層50的反射率比陰極20的反射率更小。光吸收層50的光密度(OD)為大於或等於2。該光吸收層50具有導電性。該光吸收層50之比阻抗，例如，係大於或等於1×102 μ Ω cm且小於或等於1×104 μ Ω cm。例如，光吸收層50的抗性係高於陰極20的抗性。該光吸收層50，例如，接觸該陰極20。光吸收層50係電連接至陰極20。該光吸收層50，例如，包含碳黑。舉例來說，具有碳黑和金屬粒子的樹脂被使用於光吸收層50。
該導電膜52係設於光吸收層50上。該導電膜52，例如，與該光吸收層50相接觸。該導電膜52係電連接至光吸收層50。亦即，在該顯示裝置110中，陰極20的電位、光吸收層50的電位、和導電膜52的電位實質上係相 同的。該導電膜52之比阻抗，例如，係小於或等於10 μ Ω cm，且更具體來說，是等於或大於1 μ Ω cm且小於5 μ Ω cm。舉例來說，該導電膜52之抗性係低於該光吸收層50之抗性。例如，導電膜52之抗性低於陰極20之抗性。舉例來說，金屬膜被使用於該導電膜52。例如，鋁被使用於該導電膜52。
舉例來說，光吸收層50之光吸收比導電膜52之光吸收更高。例如，光吸收層50的吸收係數比導電膜52的吸收係數更高。例如，光吸收層50的反射率比導電膜52的反射率小。
密封膜54係設於導電膜52上。該密封膜54抑制雜質、濕氣等等的滲透。舉例來說，該密封膜54保護切換元件12、發光元件部分24等以防濕氣等等。絕緣材料被使用於該密封膜54。舉例來說，氧化矽膜、氮氧化矽膜、氮化矽膜、氧化鋁、氧化鉭等等被使用於該密封膜54。
在該有機EL顯示裝置中，有一種組態，其中，諸如鋁之金屬材料被使用於陰極20。這種組態具有從該基板10側入射之外部光在陰極20反射而減低要被顯示之圖像的對比之問題。在該有機EL顯示裝置中，舉例來說，也有一種組態，其中，圓形極化膜被設置於該基板10之相對於主表面10a等等的相對表面上，並且極化現象被使用來抑制外部光之反射。然而，在此組態中，其中，該圓形極化膜被設置，在使用具有大的雙折射之材料(例如，用 於該基板10之聚亞醯胺樹脂和芳族樹脂)的情況中，難以適當地抑制外部光之反射。例如，在該基板10之雙折射係大的情況中，會發生即使該圓形極化膜被設置，也難以阻擋進入之外部光和在該陰極20處反射之外部光這樣的角度。因此，因外部光而導致對比之減少視該顯示裝置被目視之角度而產生，並且該顯示裝置的影像品質變差。
聚亞醯胺樹脂具有高的加熱阻力。在將聚亞醯胺樹脂使用於基板10的情況中，致使使用類似於玻璃基板之熱處理的溫度之高溫的熱處理成為可能。而且，由於聚亞醯胺樹脂也具有可撓性，所以聚亞醯胺樹脂為可使用來形成可撓性顯示裝置之材料。因此，在該有機EL顯示裝置中，於將具有高雙折射材料使用於基板10的情況中，也期望適當地抑制外部光之反射。
在依據實施例之顯示裝置110中，入射的外部光通過，例如，該基板10、閘極絕緣膜34、鈍化膜40、彩色濾光片44、像素電極16、平坦化膜42、有機發光層18、和陰極20，並且被吸收於光吸收層50。因此，在顯示裝置110中，外部光的反射可被抑制。例如，該顯示裝置110的影像品質被提昇。況且，該顯示裝置110的配置並不依賴基板10的雙折射。因此，在該顯示裝置110，也在將具有高雙折射的材料使用於基板10的情況中，外部光的反射可被適當地抑制。在顯示裝置110中，例如，可以增加對基板10而言為有用的材料。
為了適當地從有機發光層18中發射出光，必須在該 有機發光層18與該光吸收層50之間形成包含MgAg等等的陰極20。當陰極20的厚度太厚時，會減少穿透率(transmittance)而導致外部光反射於陰極20。而且，當陰極20的厚度太薄時，該陰極20的阻力增加。當陰極20的阻力太高時，舉例來說，發光效率減少。例如，功率消耗增加。
因此，在該顯示裝置110中，陰極20的厚度，例如，為等於或大於5nm且等於或小於20nm。因而，在陰極20中獲得到適當的透明度。在該顯示裝置110中，光吸收層50具有導電性，且該導電膜52係設置於光吸收層50上。舉例來說，該電導膜52的抗性比陰極20的抗性和光吸收層的抗性更低。因此，在顯示裝置110中，當自有機發光層18中發射出光時，電流透過像素電極16、有機發光層18、陰極20、和光吸收層50而被提供至導電膜52。因而，在顯示裝置110中，亦在減少陰極20的厚度之情況中，可獲得到適當的電氣特性。例如，有可能抑制發光效率的降低和功率消耗的增加。
第二實施例
圖2是描述依據第二實施例之顯示裝置之組態的剖面示意圖。
如圖2所示，依據該實施例之顯示裝置112進一步包含乾燥劑層56。
該乾燥劑層56，舉例來說，係設於陰極20與光吸收 層50之間。該乾燥劑層56，舉例來說，係設於有機發光層18之進入開口42a的一部分18a與該光吸收層50之間。該乾燥劑層56，舉例來說，被形成而填滿該開口42a。該乾燥劑層56，例如，是可透光的。該乾燥劑層56，舉例來說，是透明的。
該乾燥劑層56，舉例來說，具有吸收氫和氧的特性。該乾燥劑層56，舉例來說，包含鹼金屬或鹼土金屬的至少其中一元素。更明確的說，該乾燥劑層56包含鋰、鈉、鎂、鉀、鈣、銣、銫、鍶和鋇的至少其中一元素。該乾燥劑層56被形成，舉例來說，其中，在上述元素的至少一元素係散佈在諸如丙烯酸樹脂或環氧樹脂的樹脂材料中。
在該顯示裝置110的組態中，舉例來說，包含在該光吸收層50中之水氣、氧等等有時會不利地影響該有機發光層18。該乾燥劑層56係設於陰極20與光吸收層50之間以保護該有機發光層18來防止包含在該該光吸收層50中之水氣、氧等等。因此，該乾燥劑層56，舉例來說，增加該顯示裝置112的可靠度。例如，該顯示裝置112的可靠度係高於該顯示裝置110的可靠度。
圖3A至圖3G為描述依據第二實施例之顯示裝置之製造方法的剖面示意圖。
如圖3所示，在該顯示裝置112的製造中，例如，亞聚醯胺樹脂液以適於烘烤之厚度10μm的形式而被塗施於玻璃上以形成主體部4。阻絕層5係形成在該主體部4 上。因此，形成具可撓性的基板10。舉例來說，氮化矽膜或二氧化矽膜被使用於阻絕層5。
切換元件12係形成於該基板10的主表面10a上。在形成該切換元件12時，閘極電極33被形成於該主表面10a上。藉由透過使用例如微影技術之濺鍍與圖案化而形成鎢化鉬(MoW)層以構成該閘極電極33。該鎢化鉬層的厚度，舉例來說，為200nm(大於或等於100 nm且小於或等於300nm)。閘絕緣膜34係形成於該主表面10a和該閘極電極33上。藉由透過使用例如PE-CVD(電漿加強式化學氣相沉積法)而形成氧化矽膜以構成該閘絕緣膜34。該氧化矽膜的厚度，舉例來說，為300nm(大於或等於200 nm且小於或等於400nm)。半導體膜35係形成於該閘絕緣膜34上。藉由透過例如濺鍍與圖案化而形成厚度為50nm(大於或等於10 nm且小於或等於100nm)之InGaZnO以構成該半導體膜35。通道保護膜36係形成於該半導體膜35上。第一導電部31和第二導電部32係形成於該閘絕緣膜34、半導體膜35和通道保護膜36上。該第一導電部31和該第二導電部32係藉由透過例如濺鍍而形成Mo/Al/Mo堆疊膜來予以構成的。
如圖3B所示，鈍化膜40係形成於該切換元件12上，而後形成開口40a。例如，作為該鈍化膜40的氧化矽膜係藉由PE-CVD來予以形成。該鈍化膜的厚度，舉例來說，為200nm(大於或等於100 nm且小於或等於300 nm)。
彩色濾光片44係形成於該鈍化膜40上，而後形成開口44a。彩色濾光片44係藉由例如形成紅色、綠色或藍色之彩色樹脂膜(例如，彩色抗蝕劑)且圖案化該等彩色樹脂膜來予以構成。該彩色濾光片44的厚度，舉例來說，為2μm(例如，大於或等於1μm且小於或等於3μm)。
像素電極16係形成於該彩色濾光片44上。例如，作為該像素電極16之ITO膜係藉由濺鍍或相似的方法來予以形成且被處理成預定之形狀，而且獲得到該像素電極16。該像素電極16的厚度，舉例來說，為60nm(大於或等於30 nm且小於或等於200nm)。
如圖3C所示，平坦化膜42係形成於該像素電極16和該彩色濾光片44上，而後形成開口42a。例如，作為平坦化膜42的光敏丙烯酸樹脂被塗施且圖案化，而後獲得到該平坦化膜42。該有機發光層18係形成於該平坦化膜42和該像素電極16的非相對區16b上。該有機發光層18係藉由例如氣相沉積法來予以形成。
如圖3D所示，該陰極20係形成於有機發光層18上。例如，作為該陰極20的MgAg膜係藉由濺鍍或相似之方法來予以形成且被圖案化成預定之形狀，而後獲得到該陰極20。該陰極20的厚度，舉例來說，為10nm(大於或等於5 nm且小於或等於20nm)。
如圖3E所示，乾燥劑層56係形成於該平坦化膜42的開口42a上。例如，包含鹼金屬或鹼土金屬的至少其中 一元素之樹脂係以噴墨方式而被塗施於部分的開口42a上且被固化，而後獲得到該乾燥劑層56。
如圖3F所示，光吸收層50係形成於該陰極20和該乾燥劑層56上。例如，含有溶解於溶劑中的碳黑之樹脂液被塗施於陰極20和乾燥劑層56的整個表面上。執行熱處理來蒸鍍該溶劑用以固化樹脂。因此，形成光吸收層50。
如圖3G所示，導電膜52係形成於該光吸收層50上。例如，作為導電膜52的鋁膜係藉由氣相沉積或相似之方法來予以形成，而後獲得到導電膜52。該導電膜52的厚度，舉例來說，為150nm(大於或等於50 nm且小於或等於300nm)。密封膜54係形成於該導電膜52上。例如，作為該密封膜的氮化矽膜係藉由PE-CVD或相似的方法來予以形成，而後獲得到該密封膜54。
如上所述，製成該顯示裝置112。
在製造該顯示裝置110的情況中，省略該乾燥劑層56的形成且光吸收層50係形成於如上所述之陰極20上。
根據該實施例，可提供具有高影像品質的顯示裝置。
在本申請案的說明書中，“垂直”和“平行”不只意謂著絕對的垂直和絕對的平行，而且也包含例如由於製造過程等等所造成的變動。實質上垂直和實質上平行就足夠了。
在本申請案的說明書中，其中“一組件係配置於另一組件上”的狀態包含其中一組件係直接配置於另一組件上 和一組件係配置於另一組件上，且不同之元件係插入於該組件與另一組件之間的兩種狀態。其中“一組件係堆疊於另一組件上”的狀態包含其中一組件係直接堆疊於另一組件上和其中一組件係堆疊於另一組件上，且不同之元件係插入於該組件與另一組件之間的兩種狀態。其中“一組件相對於另一組件”的狀態包含其中一組件直接相對於另一組件和其中一組件相對於另一組件，且不同之元件係插入於該組件與另一組件之間的兩種狀態。
如上所述，本發明之實施例參照特定的例子來加以描述。
然而本發明之實施例並不限於這些特定的例子。舉例來說，諸如包含於該顯示裝置中的基板、像素電極、切換元件、有機發光層、陰極、光吸收層、導電層、乾燥劑層和平坦化膜之組件的特定組態都被併入於本發明之範疇中，祇要該領域之習知技術者適當地從眾所皆知的範圍中選擇出組件以類似地實施本發明來取得類似的功效。
此外，該等特定例子之任何二個或更多的組件可被組合於技術可行性的範圍之內，並且就本發明之目的所涵蓋之程度而言可被包含於本發明之範疇中。
此外，該領域之習知技術者基於以上所述之如同本發明的實施例之顯示裝置而藉由適當的設計修改而可實行之所有的顯示裝置就本發明之精神所涵蓋的程度而言也在本發明之範疇中。
在本發明的精神之內，不同的其他改變和修改可由該 領域之習知技術者所構想出來的，且可瞭解如此的改變和修改也被包含於本發明之範疇內。
儘管已描述某些實施例，這些實施例僅以舉例說明的方式來予以呈現，且不意謂著限制本發明之範疇。確實，在此所敘述之新穎的實施例可以各式各樣之不同的其他形式來予以具體化；此外，以此處所述之實施例的形式之各種的省略、取代和改變在不偏離本發明的精神下可被實行。附加的申請專利範圍和其相當物意謂著涵蓋將落入本發明的精神與範疇內之這樣的形式和修改。
110‧‧‧顯示裝置
10‧‧‧基板
12‧‧‧切換元件
16‧‧‧像素電極
18‧‧‧有機發光層
20‧‧‧陰極
50‧‧‧光吸收層
52‧‧‧導電膜
24‧‧‧發光元件部
10a‧‧‧主表面
4‧‧‧主體部
5‧‧‧絕緣層
31‧‧‧第一導電部
32‧‧‧第二導電部
33‧‧‧閘極電極
34‧‧‧閘極絕緣膜
35‧‧‧半導體膜
36‧‧‧通道保護膜
36a‧‧‧第一部分
36b‧‧‧第二部分
35a‧‧‧第一區
35b‧‧‧第二區
35c‧‧‧第三區
40‧‧‧鈍化膜
44‧‧‧彩色濾光片
44a‧‧‧開口
40a‧‧‧開口
42‧‧‧平坦化膜
16a‧‧‧相對區
16b‧‧‧非相對區
54‧‧‧密封膜
56‧‧‧乾燥劑層
112‧‧‧顯示裝置
圖1係依據第一實施例之顯示裝置之組態的剖面示意圖；圖2係依據第二實施例之顯示裝置之組態的剖面示意圖；以及圖3A至圖3G係依據第二實施例之顯示裝置的製造方法的示意性剖視圖。
4‧‧‧主體部
5‧‧‧絕緣層
10‧‧‧基板
10a‧‧‧主表面
12‧‧‧切換元件
16‧‧‧像素電極
16a‧‧‧相對區
16b‧‧‧非相對區
16c‧‧‧一部分
18‧‧‧有機發光層
18a‧‧‧一部分
20‧‧‧陰極
24‧‧‧發光元件部
31‧‧‧第一導電部
32‧‧‧第二導電部
33‧‧‧閘極電極
33a‧‧‧部分
34‧‧‧閘極絕緣膜
35‧‧‧半導體膜
35a‧‧‧第一區
35b‧‧‧第二區
35c‧‧‧第三區
35p‧‧‧膜表面
36‧‧‧通道保護膜
36a‧‧‧第一部分
36b‧‧‧第二部分
40‧‧‧鈍化膜
40a‧‧‧開口
42‧‧‧平坦化膜
42a‧‧‧開口
44‧‧‧彩色濾光片
44a‧‧‧開口
50‧‧‧光吸收層
52‧‧‧導電膜
54‧‧‧密封膜
110‧‧‧顯示裝置

Claims (18)

  1. 一種顯示裝置，包含：可透光之基板；設於該基板上的像素電極，該像素電極可透光；設於該基板上且電性連接於該像素電極的切換元件；設於該像素電極上的有機發光層；設於該有機發光層上的反電極，該反電極可透光；設於該反電極上的光吸收層，該光吸收層可導電；設於該光吸收層上的導電膜；設於該反電極與該光吸收層之間的乾燥劑層，該乾燥劑層可透光；以及設於該像素電極與該有機發光層之間的絕緣平坦化膜，該平坦化膜具有開口，該像素電極的一部分係露出於該開口外，部分的該有機發光層進入該開口，該乾燥劑層係設於該光吸收層與該有機發光層的該部分之間；以及除了於該光吸收層與該有機發光層的該部分之間以外，該乾燥劑層不設於該光吸收層與該有機發光層之間。
  2. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中，該光吸收層之光吸收係高於該反電極之光吸收。
  3. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中，該導電膜之抗性係低於該光吸收層之抗性。
  4. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中，該光吸收層包含碳黑。
  5. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中，該光吸收層之比阻抗係小於或等於1×104 μΩcm。
  6. 根據申請專利範圍第5項之裝置，其中，該光吸收層之比阻抗係大於或等於1×102 μΩcm。
  7. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中，該導電膜之比阻抗係小於或等於10μΩcm。
  8. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中，該基板有雙折射。
  9. 根據申請專利範圍第8項之裝置，其中，該基板進一步具有可撓性。
  10. 根據申請專利範圍第9項之裝置，其中，該基板包含聚亞醯胺樹脂或芳胺樹脂的至少其中一者。
  11. 根據申請專利範圍第10項之裝置，其中，該乾燥劑層包含鋰、鈉、鎂、鉀、鈣、銣、銫、鍶及鋇的至少其中一元素。
  12. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中，該像素電極包含ITO、ITO/Ag/ITO堆疊結構和含有鋁之ZnO的其中一者。
  13. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中，該反電極包含MgAg。
  14. 根據申請專利範圍第13項之裝置，其中，該反電極之厚度為大於或等於5nm且小於或等於20nm。
  15. 根據申請專利範圍第1項之裝置，其中，該切換元件包含設於該基板上之閘極電極，設於該閘極電極上之閘極絕緣膜，設於該閘極絕緣膜上之半導體膜，該半導體膜包含第一區，與該第一區分開之第二區和設於該第一區與該第二區之間的第三區，第一導電部，係電連接至該第一區和該像素電極，以及第二導電部，係設置成與該第一導電部分開且電連接至該第二區。
  16. 根據申請專利範圍第15項之裝置，其中，該半導體膜為含有銦、鎵和鋅的至少其中一者之非晶氧化物半導體。
  17. 根據申請專利範圍第16項之裝置，其中，該半導體膜的厚度為大於或等於10nm且小於或等於100nm。
  18. 根據申請專利範圍第15項之裝置，其中，該切換元件進一步包含至少位於該第三區上之通道保護膜。
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