JP2002033185A

JP2002033185A - 発光装置および電気器具

Info

Publication number: JP2002033185A
Application number: JP2001136181A
Authority: JP
Inventors: Shunpei Yamazaki; 舜平山崎; Jun Koyama; 潤小山
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 2000-05-06
Filing date: 2001-05-07
Publication date: 2002-01-31

Abstract

(57)【要約】【課題】安価で画質の良好な発光装置およびそれを用
いた電気器具を提供する。【解決手段】陽極１０１、ＥＬ層１０２および陰極１
０３からなるＥＬ素子１００の陽極１０１に接して遮光
膜１０４が設けられている。遮光膜１０４としては、黒
色に着色された絶縁膜または反射率の低い金属膜を用い
ることができる。このとき陽極１０１および陰極１０３
は可視光に対して透明もしくは半透明であり、ＥＬ光１
０５を透過する。この構造では外光１０７は遮光膜１０
４に吸収され、観測者１０６に到達しないため、外部の
景色が観測面に映ることを防ぐことができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、一対の電極（陽極
および陰極）間に発光性材料からなる薄膜を挟んだ素子
（以下、発光素子という）を有する装置（以下、発光装
置という）に関する。特に、ＥＬ（Electro Luminescen
ce）が得られる発光性材料からなる薄膜を用いた発光素
子（以下、ＥＬ素子という）を有する発光装置に関す
る。なお、有機ＥＬディスプレイや有機発光ダイオード
（ＯＬＥＤ：Organic Light EmittingDiode）は本発明
の発光装置に含まれる。

【０００２】また、本発明に用いることのできる発光性
材料は、一重項励起もしくは三重項励起または両者の励
起を経由して発光（燐光および／または蛍光）するすべ
ての発光性材料を含む。

【０００３】

【従来の技術】近年、ＥＬ素子を有する発光装置（以
下、ＥＬ発光装置という）の開発が進んでいる。ＥＬ発
光装置にはパッシブマトリクス型とアクティブマトリク
ス型があるが、どちらもＥＬ素子に電流を流すことによ
って、ＥＬが得られる発光性材料からなる薄膜（発光
層）を発光させるという原理で動作する。

【０００４】ここで一般的なＥＬ素子の構造を図２に示
す。図２において、絶縁体２０１に接して陽極２０２、
発光層２０３および陰極２０４が積層され、ＥＬ素子２
００を形成している。このとき、一般的には電子の供給
源である陰極２０４には仕事関数の小さい金属電極が用
いられ、正孔の供給源である陽極２０２には仕事関数が
大きく、且つ、可視光に対して透明な酸化物導電膜（代
表的にはＩＴＯ膜）が用いられる。これは陰極２０４と
なる金属電極が可視光に対して不透明であるため、陽極
を可視光に対して透明にしなければ、発光層で生成され
た光（以下、ＥＬ光という）を観測できないからであ
る。

【０００５】この場合、ＥＬ光２０５は陽極２０２を直
接透過して観測されるか、もしくは陰極２０４で反射さ
れた後に陽極２０２を透過して観測される。即ち、観測
者２０６は発光層２０３が発光している画素において陽
極２０２を透過したＥＬ光２０５を観測することができ
る。

【０００６】しかしながら、発光していない画素では入
射した外光（発光装置の外部の光）２０７が陰極２０４
の裏面（発光層に接する側の面）で反射され、陰極２０
４の裏面が鏡のように作用して外部の景色が観測面（観
測者側に向かう面）に映るといった問題があった。ま
た、この問題を回避するために、ＥＬ発光装置の観測面
に円偏光フィルムを貼り付け、観測面に外部の景色が映
らないようにする工夫がなされているが、円偏光フィル
ムが非常に高価であるため、製造コストの増加を招くと
いう問題があった。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記問題点
を鑑みてなされたものであり、円偏光フィルムを用いず
にＥＬ発光装置の鏡面化を防ぐことを目的とし、それに
よりＥＬ発光装置の製造コストを低減して安価なＥＬ発
光装置を提供することを課題とする。さらに、それを表
示部として有する安価な電気器具を提供することを課題
とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の発光装置は、発
光素子（典型的にはＥＬ素子）を形成する一対の電極
（陽極および陰極）の双方が可視光に対して透明もしく
は半透明な導電膜で形成され、前記発光素子に接して、
または前記発光素子の上方または下方に絶縁膜もしくは
導電膜を挟んで遮光膜が設けられたことを特徴としてい
る。即ち、前記一対の電極のうち、いずれか一方の電極
を挟んで発光層と遮光膜とが設けられた構造または発光
素子の陽極もしくは陰極に接して遮光膜が設けられた構
造となっている点に特徴がある。

【０００９】なお、本明細書において、可視光に対して
透明とは可視光の透過率が８０〜１００％であることを
指し、可視光に対して半透明とは可視光の透過率が５０
〜８０％であることを指す。勿論、膜厚によって透過率
は異なるが、膜厚は上記範囲内に収まるように適宜設計
すれば良い。

【００１０】本発明の発光装置において特徴的な点を図
１（Ａ）に示す。図１（Ａ）に示す構成では陽極１０
１、ＥＬ層１０２および陰極１０３からなるＥＬ素子１
００に接して遮光膜１０４が設けられている。このとき
陽極１０１および陰極１０３は可視光に対して透明もし
くは半透明である。そのため、陽極１０１としては仕事
関数が４．５〜５．５の酸化物導電膜を用いることが好
ましい。

【００１１】また、陰極１０３としては仕事関数が２．
０〜３．５の導電膜（代表的には周期表の１族もしくは
２族に属する元素を含む金属膜）を用いる必要がある
が、可視光に対して不透明な金属膜であることが多いた
め、図１（Ｂ）に示すような構造とすることが好まし
い。図１（Ｂ）はＥＬ素子１００の拡大図であり、陰極
１０３を半透明電極１０３aおよび透明電極１０３bで形
成している。

【００１２】ここで半透明電極１０３aは周期表の１族
もしくは２族に属する元素を含む金属膜からなる電極で
あり、膜厚が５〜７０ｎｍ（好ましくは１０〜３０ｎ
ｍ）と薄いため可視光に対して半透明である。また、透
明電極１０３bは酸化物導電膜からなる電極であり、可
視光に対して透明である。

【００１３】なお、ＥＬ層１０２としては公知の構造を
用いれば良い。即ち、発光層を単独で用いても良いし、
ドーパント（例えば、三重項励起を経由して発光する有
機材料）を添加しても良い。

【００１４】また、発光層にキャリア（電子もしくは正
孔）注入層、キャリア輸送層もしくはキャリア阻止層を
積層して用いても良い。

【００１５】また、図１（Ａ）では遮光膜１０４が陽極
１０１に接して設けられているが、陰極１０３に接して
設けられていても良い。また、遮光膜１０４と陽極１０
１との間（もしくは遮光膜１０４と陰極１０３との間）
に絶縁膜もしくは導電膜が設けられていても良い。

【００１６】また、本発明において遮光膜としては、可
視光に対する吸収係数の高い材料からなる薄膜を用いる
ことができる。代表的には金属粒子もしくはカーボン粒
子を分散させた絶縁膜（好ましくは樹脂膜）、反射率の
低い金属膜（好ましくはチタン膜、窒化チタン膜、クロ
ム膜、モリブデン膜、タングステン膜、タンタル膜もし
くは窒化タンタル膜）または半導体膜を用いることがで
きる。

【００１７】図１（Ａ）の構造とした場合、ＥＬ光１０
５は陰極１０３を透過することができるため、直接観測
者１０６に観測される。また、外光１０７は遮光膜１０
４に達した際に遮光膜１０４に殆ど吸収され、反射光は
問題とならない程度にまで低減される。従って、観測者
１０６に反射光が届かず、外部の景色が観測面に映ると
いった問題を回避することができる。

【００１８】以上のように、本発明の発光装置は高価な
円偏光フィルムを用いずに従来の問題を解決することが
できるため、安価な発光装置を提供することが可能であ
る。また、本発明の発光装置を表示部に用いることで安
価な電気器具を提供することが可能である。

【００１９】

【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について、図
３、図４を用いて説明する。まず、図３（Ａ）は陽極に
接して遮光膜を設けた場合の例である。なお、本発明の
実施の形態では遮光膜として金属粒子もしくはカーボン
粒子を分散させた絶縁膜を用いる。

【００２０】図３（Ａ）において、遮光膜３０１の上に
は陽極３０２、ＥＬ層３０３および陰極３０４からなる
ＥＬ素子３０６が設けられ、陰極３０４の上には保護膜
３０５が設けられている。遮光膜３０１の膜厚は遮光性
を高めるために２００ｎｍ以上（好ましくは３００ｎｍ
〜２μm）とすることが望ましい。

【００２１】また、陽極３０２としては仕事関数が４．
５〜５．５の酸化物導電膜を用いることが好ましい。ま
た、陰極３０４としては図３（Ｂ）に示すような構造と
することが好ましい。図３（Ｂ）はＥＬ素子３０６の拡
大図であり、陰極３０４を半透明電極３０４aおよび透
明電極３０４bで形成している。

【００２２】ここで半透明電極３０４aは周期表の１族
もしくは２族に属する元素を含む金属膜からなる電極で
あり、膜厚が５〜７０ｎｍ（好ましくは１０〜３０ｎ
ｍ）と薄いため可視光に対して半透明である。また、透
明電極３０４bは酸化物導電膜からなる電極であり、可
視光に対して透明である。

【００２３】また、ＥＬ層３０３としては公知の構造を
用いれば良い。即ち、発光層を単独で用いても良いし、
ドーパント（例えば、三重項励起を経由して発光する有
機材料）を添加しても良い。

【００２４】また、発光層にキャリア（電子もしくは正
孔）注入層、キャリア輸送層もしくはキャリア阻止層を
積層して用いても良い。

【００２５】また、保護膜３０５は可視光に対して透明
もしくは半透明な絶縁膜であり、酸素および水を透過し
にくい絶縁膜であることが好ましい。ＥＬ層３０３（特
に発光層）や陰極３０４が酸素および水により劣化しや
すいため、保護膜３０５はこれらを保護するために設け
られる。代表的には窒化珪素膜、窒化酸化珪素膜（Ｓｉ
ＯxＮyで表される）、酸化タンタル膜、酸化アルミニウ
ム膜もしくは炭素膜（好ましくはダイヤモンドライクカ
ーボン膜）を用いることが好ましい。

【００２６】なお、図３（Ａ）に示した構成はパッシブ
マトリクス型の発光装置にもアクティブマトリクス型の
発光装置にも用いることができる。アクティブマトリク
ス型の発光装置に用いる場合、ＥＬ素子に電気的に接続
される薄膜トランジスタ（以下、ＴＦＴという）は陽極
３０２に接続されるため、ＴＦＴとしてｐチャネル型Ｔ
ＦＴを用いることが好ましい。また、その場合、発光装
置に含まれる全てのＴＦＴをｐチャネル型ＴＦＴとする
ことによって発光装置の製造コストを低減することが可
能である。

【００２７】次に、陰極に接して遮光膜を設けた場合の
発光装置の例を図４（Ａ）に示す。なお、図３の説明に
用いた符号と同じ符号を用いている場合は図３の説明を
参照すると良い。図４（Ａ）において、遮光膜３０１の
上には陰極３０７、ＥＬ層３０８および陽極３０９から
なるＥＬ素子３１０が設けられ、陽極３０９の上には保
護膜３０５が設けられている。

【００２８】また、陽極３０９としては仕事関数が４．
５〜５．５の酸化物導電膜を用いることが好ましい。ま
た、陰極３０７としては図４（Ｂ）に示すような構造と
することが好ましい。図４（Ｂ）はＥＬ素子３１０の拡
大図であり、陰極３０７を半透明電極３０７aおよび透
明電極３０７bで形成している。

【００２９】ここで半透明電極３０７aは周期表の１族
もしくは２族に属する元素を含む金属膜からなる電極で
あり、膜厚が５〜７０ｎｍ（好ましくは１０〜３０ｎ
ｍ）と薄いため可視光に対して半透明である。また、透
明電極３０７bは酸化物導電膜からなる電極であり、可
視光に対して透明である。

【００３０】また、ＥＬ層３０８としては公知の構造を
用いれば良い。即ち、発光層を単独で用いても良いし、
ドーパント（例えば、三重項励起を経由して発光する有
機材料）を添加しても良い。

【００３１】また、発光層にキャリア（電子もしくは正
孔）注入層、キャリア輸送層もしくはキャリア阻止層を
積層して用いても良い。但し、陰極と陽極の位置が異な
るため、図３（Ａ）のＥＬ層３０３とは逆の積層構造と
なる。

【００３２】なお、図４（Ａ）に示した構成はパッシブ
マトリクス型の発光装置にもアクティブマトリクス型の
発光装置にも用いることができる。アクティブマトリク
ス型の発光装置に用いる場合、ＥＬ素子に電気的に接続
されるＴＦＴは陰極３０７（厳密には透明電極３０７
b）に接続されるため、ＴＦＴとしてｎチャネル型ＴＦ
Ｔを用いることが好ましい。また、その場合、発光装置
に含まれる全てのＴＦＴをｎチャネル型ＴＦＴとするこ
とでは発光装置の製造コストを低減することが可能であ
る。

【００３３】なお、本発明を用いてアクティブマトリク
ス型の発光装置を作製する場合、ＴＦＴはトップゲート
型であってもボトムゲート型であっても良い。さらに、
ＭＩＭ素子等の二端子素子を用いても良い。

【００３４】以上の構成を含む本発明の発光装置は、発
光装置の観測面に外部の景色が映るといった問題を回避
することができる。従って、本発明の発光装置は高価な
円偏光フィルムを用いずに従来の問題を解決することが
できるため、安価な発光装置を提供することが可能であ
る。また、本発明の発光装置を表示部に用いることで安
価な電気器具を提供することが可能である。

【００３５】

【実施例】〔実施例１〕本実施例では、遮光膜として反
射率の低い金属膜（好ましくはチタン膜、窒化チタン
膜、クロム膜、モリブデン膜、タングステン膜、タンタ
ル膜もしくは窒化タンタル膜）を用いた場合について図
５（Ａ）、（Ｂ）を用いて説明する。

【００３６】図５（Ａ）において、絶縁膜５０１の上に
は遮光膜５０２、陽極５０３、ＥＬ層５０４、半透明電
極５０５aおよび透明電極５０５bからなる陰極５０５並
びに保護膜５０６が積層されている。

【００３７】なお、本実施例では、絶縁膜５０１として
酸化珪素膜を用い、遮光膜５０２として２００ｎｍ厚の
クロム膜を用い、陽極５０３として酸化亜鉛に酸化ガリ
ウムを添加した酸化物導電膜（膜厚は１２０ｎｍ）を用
い、ＥＬ層５０４として２０ｎｍ厚の銅フタロシアニン
膜（正孔注入層）と５０ｎｍ厚のＡｌｑ₃（アルミキノ
リラト錯体：発光層）との積層膜を用い、半透明電極５
０５aとして２０ｎｍ厚のＭｇＡｇ膜（マグネシウムと
銀を共蒸着した合金膜）を用い、透明電極５０５bとし
て酸化亜鉛に酸化ガリウムを添加した酸化物導電膜（膜
厚は２００ｎｍ）を用い、保護膜５０６としてダイヤモ
ンドライクカーボン膜を用いる。

【００３８】また、図５（Ｂ）において、絶縁膜５０１
の上には遮光膜５０２、透明電極５０７bおよび半透明
電極５０７aからなる陰極５０７、ＥＬ層５０８、陽極
５０９並びに保護膜５０６が積層されている。なお、陽
極５０９、ＥＬ層５０８、半透明電極５０７a、透明電
極５０７bは、各々図５（Ａ）に示した陽極５０３、Ｅ
Ｌ層５０４、半透明電極５０５a、透明電極５０５bと同
じものを用いれば良い。

【００３９】図５（Ａ）、（Ｂ）の構造を有する発光装
置は、クロムからなる遮光膜５０２の表面で外光がある
程度吸収されて反射光が低減されるため、外部の景色が
観測面に映りにくい。従って、良好な画質を得ることが
できる。また、高価な円偏光フィルムを用いないため、
安価な発光装置とすることができる。

【００４０】〔実施例２〕本実施例では、陰極の構造を
実施例１とは異なる構造とした例を図６に示す。なお、
本実施例の構成は、発明の実施の形態に記載された構成
（図３もしくは図４を参照すると良い）において陰極の
構造のみが異なるため、図６のその他の部分については
図３もしくは図４で用いた記載および符号を引用する。

【００４１】図６（Ａ）は、図３において陰極３０４の
構造を異ならせた例である。図６（Ａ）において、陰極
６０１はＥＬ層３０３上に設けられたクラスタ６０１a
およびクラスタ６０１aを覆うように設けられた透明電
極６０１bからなる。即ち、本実施例の発光装置は、陽
極３０２、ＥＬ層３０３および陰極６０２からなるＥＬ
素子６０２を発光素子として有する点に特徴がある。

【００４２】このときクラスタ６０１aは、周期表の１
族もしくは２族に属する元素を含む集合体であり、ＥＬ
層３０３上に点状もしくは塊状に設けられる。図６
（Ａ）の構造ではクラスタ６０１aの仕事関数が電子の
注入障壁を決め、クラスタ６０１aを介してＥＬ層３０
３へ電子が注入される。

【００４３】もちろん、クラスタ６０１aはＥＬ層３０
３上に点在して設けられるため、クラスタ６０１aの隙
間からＥＬ光を透過することができる。また、クラスタ
６０１aは、直径もしくは長径が１０〜１００ｎｍ、高
さ５〜１０ｎｍとすることが好ましく、この程度の大き
さならばクラスタ６０１a自体も半透明である。このよ
うなクラスタ６０１aは、５〜１０ｎｍといった薄い膜
厚を目標膜厚として蒸着法により周期表の１族もしくは
２族に属する元素からなる薄膜を成膜することで形成す
ることができる。

【００４４】また、図６（Ｂ）は、図４において陰極３
０７の構造を異ならせた例である。図６（Ｂ）におい
て、陰極６０３は透明電極６０３bおよび透明電極６０
３b上に設けられたクラスタ６０３aからなる。従って、
本実施例の発光装置は、陰極６０３、ＥＬ層３０８およ
び陽極３０９からなるＥＬ素子６０４を発光素子として
有する点に特徴がある。

【００４５】このときクラスタ６０３aは、クラスタ６
０１aと同じものを用いることができる。図６（Ｂ）の
構造ではクラスタ６０３aの仕事関数が電子の注入障壁
を決め、クラスタ６０３aを介してＥＬ層３０８へ電子
が注入される。

【００４６】〔実施例３〕本実施例では、ＥＬ層および
陰極の構造を実施例１、実施例２とは異なる構造とした
例を図７に示す。なお、本実施例の構成は、発明の実施
の形態に記載された構成（図３もしくは図４を参照する
と良い）においてＥＬ層および陰極の構造のみが異なる
ため、その他の部分については図３もしくは図４で用い
た記載および符号を引用する。

【００４７】図７（Ａ）は、図３においてＥＬ層３０３
および陰極３０４の構造を異ならせた例である。図７
（Ａ）において、ＥＬ層７０１は陰極７０３との界面近
傍に周期表の１族もしくは２族に属する元素（本実施例
ではセシウム）が添加された領域（以下、電子注入領域
という）７０２が形成されている。電子注入領域７０２
は電子の注入障壁を決める領域であり、電子注入層と同
等の役割を果たす。

【００４８】なお、この場合、周期表の１族もしくは２
族に属する元素をＥＬ層の一部に添加する手段として
は、発光層、電子輸送層もしくは電子注入層を形成する
際に共蒸着により添加する手段、ＥＬ層の表面をプラズ
マ処理することで添加する手段または陰極７０３を貫通
させてプラズマドーピング法もしくはイオンインプラン
テーション法により添加する手段が挙げられる。

【００４９】なお、周期表の１族もしくは２族に属する
元素を共蒸着により添加する場合、ホストとなる発光層
を成膜し続けた状態で、ゲストとなる周期表の１族もし
くは２族に属する元素の共蒸着を開始すると良い。そう
すると電子注入領域と発光層の界面が不明確（連続的）
になり、再結合中心の少ない接合を得ることができる。

【００５０】この場合、電子の注入障壁が電子注入領域
７０２により決まるため、陰極７０３は可視光に対して
透明な酸化物導電膜を用いれば良い。従って、本実施例
の発光装置は、陽極３０２、ＥＬ層７０１および陰極７
０３からなるＥＬ素子７０４を発光素子として有する点
に特徴がある。

【００５１】また、図７（Ｂ）は、図４においてＥＬ層
３０８と陰極３０９の構造を異ならせた例である。図７
（Ｂ）において、ＥＬ層７０６は陰極７０５との界面近
傍に電子注入領域７０７が形成されている。従って、本
実施例の発光装置は、陰極７０５、ＥＬ層７０６および
陽極３０９からなるＥＬ素子７０８を発光素子として有
する点に特徴がある。

【００５２】なお、この場合、電子注入領域７０７は発
光層を形成する際に共蒸着により周期表の１族もしくは
２族に属する元素を添加すれば良い。この場合、ホスト
となる発光層を成膜し続けた状態で、ゲストとなる周期
表の１族もしくは２族に属する元素の共蒸着を停止する
と良い。そうすると電子注入領域と発光層の界面が不明
確（連続的）になり、再結合中心の少ない接合を得るこ
とができる。

【００５３】〔実施例４〕本実施例では、図１、図３〜
図７に示したＥＬ層の具体的な一実施例について説明す
る。従って、本実施例は

【課題を解決するための手段】、

【発明の実施の形態】もしくは実施例１〜実施例３のい
ずれの構成とも組み合わせることが可能である。なお、
本実施例において、陽極８０１としては酸化物導電膜を
用いれば良い。また、陰極８０７としては、図３もしく
は図６を用いて説明した構成の導電膜を用いれば良い。

【００５４】図８（Ａ）は陽極８０１の上に正孔注入層
８０２、正孔輸送層８０３、発光層８０４、電子輸送層
８０５、電子注入層８０６を積層し、その上に陰極８０
７を形成した例である。

【００５５】また、図８（Ｂ）は陽極８０１の上に正孔
注入層８０２、発光層８０４、電子輸送層８０５、電子
注入層８０６を積層し、その上に陰極８０７を形成した
例である。

【００５６】また、図８（Ｃ）は陽極８０１の上に正孔
注入層８０２、発光層８０４、電子注入層８０６を積層
し、その上に陰極８０７を形成した例である。

【００５７】また、図８（Ｄ）は陽極８０１の上に正孔
注入層８０２、正孔輸送層８０３、発光層８０４を積層
し、その上に陰極８０７を形成した例である。

【００５８】以上の構成は一実施例であり、本発明に用
いることのできるＥＬ層の構造はこれに限定されるもの
ではない。

【００５９】〔実施例５〕本実施例では、本発明をパッ
シブマトリクス型の発光装置に実施した例について図９
を用いて説明する。

【００６０】図９（Ａ）において、９０１はプラスチッ
クフィルムであり、その両面には炭素膜（具体的にはダ
イヤモンドライクカーボン膜）９０２、９０３が設けら
れている。この炭素膜９０２、９０３はロールトゥロー
ル方式によりプラスチックフィルム９０１上に形成すれ
ば良い。

【００６１】また、遮光膜９０４はカーボン粒子を分散
させたアクリル樹脂であり、膜厚は３００ｎｍである。
なお、カーボン粒子を分散させたアクリル樹脂９０４の
内部に吸湿性物質もしくは脱酸素物質を含有させること
もできる。こういったものを設けることでＥＬ素子に到
達する水分や酸素を捕獲することが可能となる。

【００６２】その上には酸化インジウムと酸化スズとの
化合物からなる酸化物導電膜（ＩＴＯ膜）からなる陽極
９０５がストライプ状に設けられている。また、陽極９
０５の上には酸化珪素膜９０６aおよびポリイミド膜９
０６bからなるバンク（陰極隔壁ともいう）９０６が設
けられている。バンクは、この後で形成されるＥＬ層や
陰極を電気的に絶縁分離するための仕切り（隔壁）とし
て機能する。そのため、ＥＬ層や陰極は、成膜と同時
に、バンクに沿ったストライプ状のパターンに形成され
る。

【００６３】なお、バンク９０６の内部に吸湿性物質も
しくは脱酸素物質を含有させることもできる。こういっ
たものを設けることでＥＬ素子に到達する水分や酸素を
捕獲することが可能となる。

【００６４】さらに、陽極９０５上にはバンク９０６に
よって分離されたＥＬ層９０７〜９０９が設けられ、そ
の上には２０ｎｍ厚のＭｇＡｇ膜からなる半透明電極９
１０aおよびＩＴＯ膜からなる透明電極９１０bを積層し
て形成された陰極９１０が設けられている。なお、ＥＬ
層９０７は赤色に発光するＥＬ層であり、ＥＬ層９０８
は緑色に発光するＥＬ層であり、ＥＬ層９０９は青色に
発光するＥＬ層である。これらＥＬ層は公知のものを用
いれば良い。

【００６５】また、９１１は可視光に対して透明な樹脂
膜であり、紫外線硬化樹脂もしくはエポキシ樹脂を用い
ることができる。そして、この樹脂膜９１１により炭素
膜９１２、９１３が設けられたプラスチックフィルム９
１４が接着されている。この樹脂膜９１１および炭素膜
９１２、９１３で被覆されたプラスチックフィルム９１
４がＥＬ素子を酸素や水から保護する封止材として機能
する。

【００６６】なお、図９（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した断
面図が図９（Ｂ）に相当する。各符号については図９
（Ａ）を参照すれば良い。

【００６７】本実施例のパッシブマトリクス型発光装置
は、観測面に円偏光フィルムを設けなくても観測面に外
部の景色が映るといった不具合の程度を大幅に低減する
ことが可能となる。即ち、高価な円偏光フィルムを用い
ないため価格を低くできるとともに、画質の良好なもの
とすることができる。

【００６８】なお、本実施例の発光装置は、

【課題を解決するための手段】、

【発明の実施の形態】もしくは実施例１〜実施例５のい
ずれの構成とも組み合わせることが可能である。

【００６９】〔実施例６〕本実施例では、本発明をアク
ティブマトリクス型の発光装置に実施した例について図
１０を用いて説明する。なお、本実施例に示すのはアク
ティブマトリクス型の発光装置の画素部における画素の
構成である。

【００７０】図１０（Ａ）において、１１は基板であ
り、ガラス基板、石英基板、プラスチック基板（プラス
チックフィルムを含む）、金属基板、半導体基板もしく
はセラミックス基板を用いることができる。また、その
上には下地膜１２として珪素を含む絶縁膜（代表的には
酸化珪素膜、窒化酸化珪素膜もしくは窒化珪素膜）が設
けられている。

【００７１】下地膜１２上にはスイッチングＴＦＴ１０
０１および電流制御ＴＦＴ１００２が設けられている。
スイッチングＴＦＴ１００１はｎチャネル型ＴＦＴであ
ってもｐチャネル型ＴＦＴであっても良い。また、電流
制御ＴＦＴ１００２もｎチャネル型ＴＦＴであってもｐ
チャネル型ＴＦＴであっても良い。

【００７２】しかし、電流制御ＴＦＴ１００２がＥＬ素
子の陽極側に接続される時はｐチャネル型ＴＦＴを用い
ることが好ましく、陰極側に接続される時はｎチャネル
型ＴＦＴを用いることが好ましい。また、その場合、電
流制御ＴＦＴ１００２と同じ極性のＴＦＴをスイッチン
グＴＦＴに用いることが望ましい。

【００７３】本実施例のスイッチングＴＦＴ１００１
は、活性層１３、ゲート絶縁膜１４、ゲート電極１５a
〜１５c、第１層間絶縁膜１６、遮光膜（第２層間絶縁
膜）１７、ソース配線１８およびドレイン配線１９を含
む。

【００７４】また、本実施例の電流制御ＴＦＴ１００２
は、活性層２１、ゲート絶縁膜１４、ゲート電極２２、
第１層間絶縁膜１６、遮光膜（第２層間絶縁膜）１７、
ソース配線２３およびドレイン配線２４を含む。

【００７５】なお、本実施例では、本発明の特徴である
遮光膜を層間絶縁膜として用いており、遮光膜１７とし
てカーボン粒子を分散させたポリイミド膜を用いてい
る。なお、遮光膜１７の内部に吸湿性物質もしくは脱酸
素物質を含有させることもできる。こういったものを設
けることでＥＬ素子に到達する水分や酸素を捕獲するこ
とが可能となる。

【００７６】また、遮光膜１７を成膜する際のＴＦＴの
静電破壊を防ぐために、遮光膜１７の比抵抗が１×１０
⁶〜１×１０¹²Ωｍ（好ましくは１×１０⁸〜１×１０¹⁰
Ωｍ）となるように金属粒子もしくはカーボン粒子の添
加量もしくは粒径を調節することは有効である。また、
ここでは第１層間絶縁膜１６上に遮光膜１７を設けてい
るが、遮光膜１７を可視光に対して透明な樹脂膜と積層
して用いても良い。

【００７７】このとき、スイッチングＴＦＴ１００１の
ドレイン配線１９は電流制御ＴＦＴ１００２のゲート電
極２２に接続されている。また、電流制御ＴＦＴ１００
２のドレイン配線２４は画素電極２５に接続されてい
る。この画素電極２５はＥＬ素子３０の陽極もしくは陰
極のいずれか一方の電極となる。本実施例では画素電極
２５を陽極とする。

【００７８】また、２６は絶縁膜からなるバンクであ
り、画素電極２５の端部（角部）にＥＬ層２７が設けら
れないようにするための保護材である。これは画素電極
２５の端部において電界集中によりＥＬ層が劣化しない
ようにするための配慮である。また、同時に、画素電極
２５に形成された凹部（コンタクトホールに起因する凹
部）を埋める埋め込み材としても機能する。

【００７９】なお、バンク２６としては、珪素を含む絶
縁膜もしくは樹脂膜を用いることが好ましい。このバン
ク２６は金属粒子もしくはカーボン粒子を分散させた絶
縁膜を用いても良い。その場合、ＴＦＴの静電破壊を防
止するために、上記絶縁膜の比抵抗が１×１０⁶〜１×
１０¹²Ωｍ（好ましくは１×１０⁸〜１×１０¹⁰Ωｍ）
となるように金属粒子もしくはカーボン粒子の添加量を
調節することが望ましい。

【００８０】なお、バンク２６の内部に吸湿性物質もし
くは脱酸素物質を含有させることもできる。こういった
ものを設けることでＥＬ素子に到達する水分や酸素を捕
獲することが可能となる。

【００８１】また、２７はＥＬ層、２８は可視光に対し
て透明な電極であり、本実施例では画素電極２５が陽極
であるので電極２８は陰極である。従って、図３、図５
（Ａ）、図６（Ａ）、図７（Ａ）に示す構造のＥＬ素子
となる。

【００８２】なお、画素電極２５が陰極であれば電極２
８は陽極である。その場合、図４、図５（Ｂ）、図６
（Ｂ）、図７（Ｂ）に示す構造のＥＬ素子となる。

【００８３】さらに、画素電極２５、ＥＬ層２７および
電極２８からなるＥＬ素子３０を覆うようにパッシベー
ション膜２９が設けられている。パッシベーション膜２
９としては

【課題を解決するための手段】に記載された保護膜３５
と同様の絶縁膜を用いることができる。

【００８４】ここで図１０（Ａ）に示す画素の回路構成
を図１０（Ｂ）に示す。なお、図１０（Ｂ）において、
１００３はスイッチングＴＦＴ１００１のゲート電極１
５a〜１５cにゲート電圧を加えるためのゲート配線であ
り、１００４はＥＬ素子３０に流れる電流を供給する電
流供給線である。また、１００５はコンデンサであり、
電流制御ＴＦＴ１００２のゲート電極２２に加わるゲー
ト電圧を保持するために設けられる。

【００８５】なお、本実施例の発光装置は、

【課題を解決するための手段】、

【００８６】〔実施例７〕本実施例では、画素の構成を
図１０（Ｂ）に示した回路構成と異なる回路構成とした
場合について図１１に示す。図１１に示した回路構成の
場合、電流供給線１００４と電流制御ＴＦＴ１００２と
の間にＥＬ素子３１が形成される。

【００８７】なお、本実施例の発光装置は、

【課題を解決するための手段】、

【００８８】〔実施例８〕本実施例では、画素部と、そ
の画素部に信号を伝達するための駆動回路とを同一基板
上に形成したアクティブマトリクス型の発光装置に本発
明を実施した例を図１２に示す。なお、画素部の回路構
成は図１０（Ｂ）を参考にすれば良い。

【００８９】図１２において、ガラス基板４１上には窒
化酸化珪素膜からなる下地膜４２が設けられ、その上に
はスイッチングＴＦＴ１２０１、電流制御ＴＦＴ１２０
２、ｎチャネル型ＴＦＴ１２０３およびｎチャネル型Ｔ
ＦＴ１２０４が設けられている。ここでは画素部に設け
られるＴＦＴの例としてスイッチングＴＦＴ１２０１お
よび電流制御ＴＦＴ１２０２を示し、駆動回路に設けら
れるＴＦＴの例としてｎチャネル型ＴＦＴ１２０３およ
びｎチャネル型ＴＦＴ１２０４を示す。

【００９０】まず、画素部について説明する。スイッチ
ングＴＦＴ１２０１はｎチャネル型ＴＦＴであり、ソー
ス領域４３、分離領域（チャネル形成領域間に存在する
不純物領域）４４、分離領域４５、ドレイン領域４６お
よびチャネル形成領域４７〜４９を含む活性層、窒化酸
化珪素膜からなるゲート絶縁膜５０、タングステン膜か
らなるゲート電極５１a〜５１c、窒化珪素膜からなる第
１層間絶縁膜５２、カーボン粒子を分散させたアクリル
樹脂膜からなる遮光膜５３、アルミニウム合金膜からな
るソース配線５４並びにドレイン配線５５を含む。この
とき遮光膜５３には比抵抗が１×１０⁸〜１×１０¹⁰Ω
ｍとなるようにカーボン粒子が含有されている。

【００９１】なお、遮光膜５３の内部に吸湿性物質もし
くは脱酸素物質を含有させることもできる。こういった
ものを設けることでＥＬ素子に到達する水分や酸素を捕
獲することが可能となる。

【００９２】次に、電流制御ＴＦＴ１２０２はｎチャネ
ル型ＴＦＴであり、ソース領域５６、ドレイン領域５７
およびチャネル形成領域５８を含む活性層、窒化酸化珪
素膜からなるゲート絶縁膜５０、タングステン膜からな
るゲート電極５９、窒化珪素膜からなる第１層間絶縁膜
５２、カーボン粒子を分散させたアクリル樹脂膜からな
る遮光膜５３、アルミニウム合金膜からなるソース配線
６０並びにドレイン配線６１を含む。

【００９３】このとき、スイッチングＴＦＴ１２０１の
ドレイン配線５５は電流制御ＴＦＴ１２０２のゲート電
極５９に接続されている。また、電流制御ＴＦＴ１２０
２のドレイン配線６１は画素電極６２に接続されてい
る。この画素電極６２はＥＬ素子７０の陰極として機能
する。従って、本実施例のＥＬ素子７０は、図４、図５
（Ｂ）、図６（Ｂ）もしくは図７（Ｂ）の構成となる。

【００９４】また、６３はカーボン粒子を分散させたア
クリル樹脂からなるバンクであり、遮光膜５３と同様に
比抵抗が１×１０⁸〜１×１０¹⁰Ωｍとなるようにカー
ボン粒子を含有している。なお、バンク６３の内部に吸
湿性物質もしくは脱酸素物質を含有させることもでき
る。こういったものを設けることでＥＬ素子に到達する
水分や酸素を捕獲することが可能となる。

【００９５】また、６４は陰極６２に接する側から酸化
リチウム（ＬｉＯ）膜およびポリビニルカルバゾール
（ＰＶＫ）膜を積層してなるＥＬ層、６５は酸化物導電
膜からなる陽極である。

【００９６】さらに、画素電極（陰極）６２、ＥＬ層６
４および陽極６５からなるＥＬ素子７０を覆うように炭
素膜（具体的にはダイヤモンドライクカーボン膜）から
なるパッシベーション膜６６が設けられている。

【００９７】次に、駆動回路について説明する。ｎチャ
ネル型ＴＦＴ１２０３は、ソース領域７１、ドレイン領
域７２およびチャネル形成領域７３を含む活性層、窒化
酸化珪素膜からなるゲート絶縁膜５０、タングステン膜
からなるゲート電極７４、窒化珪素膜からなる第１層間
絶縁膜５２、カーボン粒子を分散させたアクリル樹脂膜
からなる遮光膜５３、アルミニウム合金膜からなるソー
ス配線７５並びにドレイン配線７６を含む。

【００９８】また、ｎチャネル型ＴＦＴ１２０４は、ソ
ース領域７７、ドレイン領域７８およびチャネル形成領
域７９を含む活性層、窒化酸化珪素膜からなるゲート絶
縁膜５０、タングステン膜からなるゲート電極８０、窒
化珪素膜からなる第１層間絶縁膜５２、カーボン粒子を
分散させたアクリル樹脂膜からなる遮光膜５３、アルミ
ニウム合金膜からなるソース配線８１並びにｎチャネル
型ＴＦＴ１２０３と共通のドレイン配線７６を含む。

【００９９】なお、画素部において設けたバンク６３を
駆動回路上にも設けておくことは有効である。駆動回路
上は、画像表示には影響を与えない領域であるため、広
い面積で吸湿性物質もしくは脱酸素物質を含有した絶縁
膜を設けておくことが可能である。そのため、ＥＬ素子
に到達する水分や酸素を効果的に捕獲することが可能と
なる。

【０１００】なお、本実施例に示すＴＦＴはすべてエン
ハンスメント型のｎチャネル型ＴＦＴで形成されている
が、ｎチャネル型ＴＦＴ１２０３もしくはｎチャネル型
ＴＦＴ１２０４のいずれか一方をデプレッション型とす
ることもできる。その場合、チャネル形成領域となる半
導体にリンもしくはボロンを添加することによりエンハ
ンスメント型とデプレッション型とを作り分けることが
できる。

【０１０１】また、ｎチャネル型ＴＦＴ１２０３および
ｎチャネル型ＴＦＴ１２０４を組み合わせてＮＭＯＳを
形成する場合、エンハンスメント型ＴＦＴ同士で形成す
る場合（以下、ＥＥＭＯＳという）と、エンハンスメン
ト型とデプレッション型を組み合わせて形成する場合
（以下、ＥＤＭＯＳという）がある。

【０１０２】ここでＥＥＭＯＳの例を図１３（Ａ）に、
ＥＤＭＯＳの例を図１３（Ｂ）に示す。図１３（Ａ）に
おいて、１３０１、１３０２はどちらもエンハンスメン
ト型のｎチャネル型ＴＦＴである。また、図１３（Ｂ）
において、１３０３はエンハンスメント型のｎチャネル
型ＴＦＴ、１３０４はデプレッション型のｎチャネル型
ＴＦＴである。

【０１０３】さらに、図１３（Ａ）に示したＥＥＭＯＳ
もしくは図１３（Ｂ）に示したＥＤＭＯＳを用いてシフ
トレジスタを作製した例を図１４に示す。図１４におい
て、１４０１、１４０２はエンハンスメント型のｎチャ
ネル型ＴＦＴであり、極性の異なるクロック信号が入力
される。また、１４０３で示される記号はＮＭＯＳで形
成されたインバータであり、図１３（Ａ）に示したＥＥ
ＭＯＳもしくは図１３（Ｂ）に示したＥＤＭＯＳが用い
られる。

【０１０４】本実施例のように、全てのＴＦＴをｎチャ
ネル型ＴＦＴで作製することにより発光装置の作製工程
を簡略化することができ、発光装置の製造コストを下げ
ることができる。また、プラスチック基板（プラスチッ
クフィルムも含む）上にＴＦＴを形成する場合、ｐチャ
ネル型ＴＦＴよりもｎチャネル型ＴＦＴの方が電気特性
は良好であるため、発光装置の性能を向上させることが
できる。

【０１０５】なお、本実施例の発光装置は、

【課題を解決するための手段】、

【０１０６】〔実施例９〕本実施例では、実施例８に示
したアクティブマトリクス型の発光装置の構成について
説明する。なお、実施例８と同じ符号を引用している部
分については実施例８の記載を参考にすれば良い。

【０１０７】図１５（Ａ）において、１５０１はゲート
側駆動回路、１５０２はソース側（データ側）駆動回
路、１５０３は画素部である。ゲート側駆動回路１５０
１およびソース側駆動回路１５０２に伝達される信号は
入力配線１５０４を伝ってＦＰＣ（フレキシブルプリン
トサーキット）１５０５から供給される。

【０１０８】また、１５０６はＥＬ素子７０を封止する
ための封止材（本実施例ではプラスチックフィルム）で
あり、１５０７は封止材１５０６の端部を封止する封止
用樹脂である。

【０１０９】ここで図１５（Ａ）をＡ−Ａ’で切断した
断面図を図１５（Ｂ）に示す。図１５（Ｂ）において、
封止材１５０６の表面および裏面は炭素膜（具体的には
ダイヤモンドライクカーボン膜）１５０８aおよび１５
０８bで被覆されている。また、これらの一体物は樹脂
からなる接着材１５０９によってＴＦＴおよびＥＬ素子
の形成された基板４１に接着され、さらに封止用樹脂１
５０７を用いて端部が封止される。このとき、封止用樹
脂１５０７でＦＰＣ１５０５の一部を被覆してしまうこ
とも可能である。

【０１１０】本実施例の場合、ＥＬ素子７０はパッシベ
ーション膜６６、接着材１５０９およびプラスチックフ
ィルム（炭素膜１５０８aおよび１５０８bを含む）１５
０６により酸素および水から保護されるため、信頼性の
高い発光装置とすることが可能である。

【０１１１】〔実施例１０〕本実施例では、ＥＬから発
した光（ＥＬ光）を吸収する遮光膜をＥＬ素子の上方に
形成した例を図１８に示す。なお、本実施例の構成は、
実施例６に示したアクティブマトリクス型発光装置の構
成の一部を変更したものであり、本実施例では図１０
（Ａ）に示した構造からの変更点のみを説明する。

【０１１２】本実施例では、まず基板１１として可視光
に対して透明な材質のものを用いる。従って、ガラス基
板、石英基板もしくはプラスチック基板（プラスチック
フィルムを含む）を用いることができる。

【０１１３】また、図１０（Ａ）の遮光膜１７の代わり
に可視光に対して透明な樹脂膜１８０１を層間絶縁膜と
して用いる。

【０１１４】そして、最も特徴的な点は、パッシベーシ
ョン膜２９の上に遮光膜１８０２を形成する点である。
遮光膜１８０２は、実施例６の遮光膜１７と同じ材料を
用いても良いし、エポキシ系樹脂に金属粒子もしくはカ
ーボン粒子を含有させて遮光膜として用いても良い。

【０１１５】さらに、本実施例では遮光膜１８０２の上
にプラスチックフィルム１８０３を貼り合わせる。な
お、本実施例では、プラスチックフィルム１８０３を水
分や酸素が透過しないように、炭素膜（具体的にはダイ
ヤモンドライクカーボン膜）１８０４a、１８０４bで保
護している。

【０１１６】本実施例の構成とした場合、層間絶縁膜と
して高抵抗な絶縁性の高い樹脂膜１８０１を用いること
ができるため、素子間分離の効果が上がる。ただし、Ｅ
Ｌ素子３０の上方に向けて放射された光は遮光膜１８０
２によって吸収されるため、ＥＬ素子３０の下方に向け
て放射された光が画像を形成することになる。

【０１１７】なお、本実施例の構成は、実施例１〜４、
７〜９の構成と組み合わせて実施することが可能であ
る。

【０１１８】〔実施例１１〕本発明を実施して形成され
た発光装置は、自発光型であるため液晶表示装置に比べ
て明るい場所での視認性に優れ、しかも視野角が広い。
従って、様々な電気器具の表示部として用いることがで
きる。

【０１１９】本発明の電気器具としては、ビデオカメ
ラ、デジタルカメラ、ゴーグル型ディスプレイ（ヘッド
マウントディスプレイ）、カーナビゲーションシステ
ム、カーオーディオ、ノート型パーソナルコンピュー
タ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュー
タ、携帯電話、携帯型ゲーム機または電子書籍）、記録
媒体を備えた画像再生装置（具体的にはコンパクトディ
スク（ＣＤ）、レーザーディスク（登録商標）（ＬＤ）
又はデジタルバーサタイルディスク（ＤＶＤ）等の記録
媒体を再生し、その画像を表示しうるディスプレイを備
えた装置）などが挙げられる。それら電気器具の具体例
を図１６、図１７に示す。

【０１２０】図１６（Ａ）はＥＬディスプレイであり、
筐体２００１、支持台２００２、表示部２００３を含
む。本発明の発光装置は表示部２００３に用いることが
できる。ＥＬディスプレイは自発光型であるためバック
ライトが必要なく、液晶ディスプレイよりも薄い表示部
とすることができる。

【０１２１】図１６（Ｂ）はビデオカメラであり、本体
２１０１、表示部２１０２、音声入力部２１０３、操作
スイッチ２１０４、バッテリー２１０５、受像部２１０
６を含む。本発明の発光装置は表示部２１０２に用いる
ことができる。

【０１２２】図１６（Ｃ）はデジタルカメラであり、本
体２２０１、表示部２２０２、接眼部部２２０３、操作
スイッチ２２０４を含む。本発明の発光装置は表示部２
２０２に用いることができる。

【０１２３】図１６（Ｄ）は記録媒体を備えた画像再生
装置（具体的にはＤＶＤ再生装置）であり、本体２３０
１、記録媒体（ＣＤ、ＬＤまたはＤＶＤ等）２３０２、
操作スイッチ２３０３、表示部（ａ）２３０４、表示部
（ｂ）２３０５を含む。表示部（ａ）は主として画像情
報を表示し、表示部（ｂ）は主として文字情報を表示す
るが、本発明の発光装置はこれら表示部（ａ）、（ｂ）
に用いることができる。なお、記録媒体を備えた画像再
生装置には、ＣＤ再生装置、ゲーム機器なども含まれう
る。

【０１２４】図１６（Ｅ）は携帯型（モバイル）コンピ
ュータであり、本体２４０１、表示部２４０２、受像部
２４０３、操作スイッチ２４０４、メモリスロット２４
０５を含む。本発明の電気光学装置は表示部２４０２に
用いることができる。この携帯型コンピュータはフラッ
シュメモリや不揮発性メモリを集積化した記録媒体に情
報を記録したり、それを再生したりすることができる。

【０１２５】図１６（Ｆ）はパーソナルコンピュータで
あり、本体２５０１、筐体２５０２、表示部２５０３、
キーボード２５０４を含む。本発明の発光装置は表示部
２５０３に用いることができる。

【０１２６】なお、将来的にＥＬ材料の発光輝度が高く
なれば、出力した画像情報を含む光をレンズ等で拡大投
影してフロント型若しくはリア型のプロジェクターに用
いることも可能となる。

【０１２７】また、上記電子装置はインターネットやＣ
ＡＴＶ（ケーブルテレビ）などの電子通信回線を通じて
配信された情報を表示することが多くなり、特に動画情
報を表示する機会が増してきている。ＥＬ材料の応答速
度は非常に高いため、そのような動画表示を行うに適し
ている。

【０１２８】また、発光装置は発光している部分が電力
を消費するため、発光部分が極力少なくなるように情報
を表示することが望ましい。従って、携帯情報端末、特
に携帯電話やカーオーディオのような文字情報を主とす
る表示部に発光装置を用いる場合には、非発光部分を背
景として文字情報を発光部分で形成するように駆動する
ことが望ましい。

【０１２９】ここで図１７（Ａ）は携帯電話であり、本
体２６０１、音声出力部２６０２、音声入力部２６０
３、表示部２６０４、操作スイッチ２６０５、アンテナ
２６０６を含む。本発明の発光装置は表示部２６０４に
用いることができる。なお、表示部２６０４は黒色の背
景に白色の文字を表示することで携帯電話の消費電力を
抑えることができる。

【０１３０】また、図１７（Ｂ）はカーオーディオであ
り、本体２７０１、表示部２７０２、操作スイッチ２７
０３、２７０４を含む。本発明の発光装置は表示部２７
０２に用いることができる。また、本実施例では車載用
カーオーディオを示すが、据え置き型のカーオーディオ
に用いても良い。なお、表示部２７０４は黒色の背景に
白色の文字を表示することで消費電力を抑えられる。

【０１３１】さらに、光センサを内蔵させ、使用環境の
明るさを検知する手段を設けることで使用環境の明るさ
に応じて発光輝度を変調させるような機能を持たせるこ
とは有効である。使用者は使用環境の明るさに比べてコ
ントラスト比で１００〜１５０の明るさを確保できれば
問題なく画像もしくは文字情報を認識できる。即ち、使
用環境が明るい場合は画像の輝度を上げて見やすくし、
使用環境が暗い場合は画像の輝度を抑えて消費電力を抑
えるといったことが可能である。

【０１３２】以上の様に、本発明の適用範囲は極めて広
く、あらゆる分野の電気器具に用いることが可能であ
る。また、本実施例の電気器具は実施例１〜１０の構成
を自由に組み合わせた発光装置を用いることで得ること
ができる。

【０１３３】

【発明の効果】本発明を実施することにより高価な円偏
光フィルムを用いることなく、外部の景色が観測面に映
る不具合を解消することができる。そのため、安価で、
且つ、画質が良好な発光装置を得ることができる。ま
た、安価な発光装置を表示部に用いる安価な電気器具を
得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の発光装置における画素部の構成を
示す図。

【図２】従来の発光装置における画素部の構成を示
す図。

【図３】本発明の発光装置における画素部の構成を
示す図。

【図４】本発明の発光装置における画素部の構成を
示す図。

【図５】本発明の発光装置における画素部の構成を
示す図。

【図６】本発明の発光装置における画素部の構成を
示す図。

【図７】本発明の発光装置における画素部の構成を
示す図。

【図８】本発明の発光装置におけるＥＬ素子の構成
を示す図。

【図９】本発明の発光装置の断面構造を示す図。

【図１０】本発明の発光装置の断面構造および回路構
成を示す図。

【図１１】本発明の発光装置の回路構成を示す図。

【図１２】本発明の発光装置の断面構造を示す図。

【図１３】ＮＭＯＳの回路構成を示す図。

【図１４】ＮＭＯＳを用いたシフトレジスタの回路構
成を示す図。

【図１５】本発明の発光装置の断面構造および上面構
造を示す図。

【図１６】電気器具の具体例を示す図。

【図１７】電気器具の具体例を示す図。

【図１８】本発明の発光装置の断面構造を示す図。

フロントページの続きＦターム(参考） 3K007 AB17 AB18 BA06 BB01 BB04 BB05 CB01 CB03 DA01 DB03 EB00 5C094 AA01 AA11 AA44 AA45 BA03 BA27 CA19 DA09 DA13 EA04 EA05 EA10 ED15 FA02 FB01 FB02 FB12 FB15 JA05 JA08

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ＥＬ素子の陽極および陰極が可視光に対し
て透明もしくは半透明な導電膜からなり、前記ＥＬ素子
に接して遮光膜が設けられたことを特徴とする発光装
置。
【請求項２】ＥＬ素子の陽極および陰極が可視光に対し
て透明もしくは半透明な導電膜からなり、前記ＥＬ素子
の下方もしくは上方に遮光膜が設けられたことを特徴と
する発光装置。
【請求項３】ＥＬ素子の陽極および陰極が可視光に対し
て透明もしくは半透明な導電膜からなり、前記ＥＬ素子
の下方もしくは上方に絶縁膜を介して遮光膜が設けられ
たことを特徴とする発光装置。
【請求項４】請求項１乃至請求項３のいずれか一におい
て、前記陽極は酸化物導電膜からなることを特徴とする
発光装置。
【請求項５】請求項１乃至請求項４のいずれか一におい
て、前記陰極は周期表の１族もしくは２族に属する元素
を含む金属膜および酸化物導電膜からなることを特徴と
する発光装置。
【請求項６】請求項５において、前記金属膜の膜厚は５
〜７０ｎｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項７】請求項１乃至請求項６のいずれか一におい
て、前記遮光膜は金属粒子もしくはカーボン粒子を分散
させた絶縁膜、チタン膜、窒化チタン膜、クロム膜、モ
リブデン膜、タングステン膜、タンタル膜、窒化タンタ
ル膜または半導体膜であることを特徴とする発光装置。
【請求項８】請求項７において、前記金属粒子もしくは
カーボン粒子を分散させた絶縁膜の比抵抗が１×１０⁶
〜１×１０¹²Ωｍであることを特徴とする発光装置。
【請求項９】請求項１乃至請求項８のいずれか一に記載
された発光装置を用いたことを特徴とする電気器具。