JP2005078946A - 電子機器、半導体装置およびその作製方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 本発明は、高耐熱性平坦化膜16、代表的にはシリコン(Si)と酸素(O)との結合で骨格構造が構成されるTFTの層間絶縁膜(後に発光素子の下地膜となる膜)の形成方法として塗布法を用い、成膜後に端部または開口部をテーパー形状とする。その後、比較的原子半径の大きい不活性元素を添加することによって歪みを与え、表面(側壁を含む)を改質、または高密度化して水分や酸素の侵入を防止する。
【選択図】 図2
Description
一対の基板間に発光素子を配列して形成された表示部を有する発光装置であって、
前記発光素子は、一方の基板に形成した高耐熱性平坦化膜上に形成され、
前記一対の基板は、前記表示部の外周を囲むシール材により固着され、
前記高耐熱性平坦化膜の端部は、テーパー形状であり、且つ、不活性元素が添加されていることを特徴とする発光装置である。
一対の基板間に発光素子を配列して形成された表示部を有する発光装置であって、
前記発光素子は、一方の基板に形成した薄膜トランジスタと接続され、
前記薄膜トランジスタは、不活性元素が添加された高耐熱性平坦化膜を層間絶縁膜として有し、
前記発光素子は、前記高耐熱性平坦化膜上に形成されていることを特徴とする発光装置である。
一対の基板間に発光素子を配列して形成された表示部を有する発光装置であって、
前記発光素子は、一方の基板に形成した薄膜トランジスタと接続され、
前記薄膜トランジスタは、不活性元素が添加された高耐熱性平坦化膜を層間絶縁膜として有し、
前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極は、前記高耐熱性平坦化膜に設けられた開口部を介して活性層に接続され、
前記開口部は、テーパー形状であり、且つ、不活性元素が添加され、
前記発光素子は、前記高耐熱性平坦化膜上に形成されていることを特徴とする発光装置である。
前記高耐熱性平坦化膜の端部は、テーパー形状であり、且つ、不活性元素が添加されていることを特徴としている。
絶縁表面を有する基板上に薄膜トランジスタおよび発光素子を有する発光装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する第1の基板上にソース領域、ドレイン領域、およびその間のチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタにより反映する凸凹形状の上に高耐熱性平坦化膜を形成する工程と、
前記高耐熱性平坦化膜を選択的に除去して、側面がテーパー形状を有し、且つ、前記ソース領域または前記ドレイン領域上方に位置する開口部と、テーパー形状を有する周縁部とを形成する工程と、
前記高耐熱性平坦化膜に不活性元素を添加する工程と、
前記ゲート絶縁膜を選択的に除去して前記ソース領域または前記ドレイン領域に達するコンタクトホールを形成する工程と、
前記ソース領域または前記ドレイン領域に達する電極または陽極を形成する工程と、
前記陽極上に有機化合物を含む層を形成する工程と、
前記有機化合物を含む層上に陰極を形成する工程と、
前記発光素子の外周を囲むシール材で第2の基板を前記第1の基板に貼り合せて前記発光素子を封止する工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法である。
絶縁表面を有する基板上に薄膜トランジスタおよび発光素子を有する発光装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する第1の基板上にソース領域、ドレイン領域、およびその間のチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタにより反映する凸凹形状の上に高耐熱性平坦化膜を形成する工程と、
前記高耐熱性平坦化膜を選択的に除去して、側面がテーパー形状を有し、且つ、前記ソース領域または前記ドレイン領域に達するコンタクトホールと、テーパー形状を有する周縁部とを形成する工程と、
前記高耐熱性平坦化膜に不活性元素を添加する工程と、
前記ソース領域または前記ドレイン領域に達する電極または陽極を形成する工程と、
前記陽極上に有機化合物を含む層を形成する工程と、
前記有機化合物を含む層上に陰極を形成する工程と、
前記発光素子の外周を囲むシール材で第2の基板を前記第1の基板に貼り合せて前記発光素子を封止する工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法である。
一対の基板間に薄膜トランジスタを配列して形成された表示部を備えた半導体装置であって、
前記薄膜トランジスタは、不活性元素が添加された高耐熱性平坦化膜を層間絶縁膜として有し、
前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極は、前記高耐熱性平坦化膜に設けられた開口部を介して活性層に接続され、
前記開口部は、テーパー形状であり、且つ、不活性元素が添加されていることを特徴とする半導体装置である。
前記高耐熱性平坦化膜の端部は、テーパー形状であり、且つ、不活性元素が添加されていることを特徴としている。
一対の基板間に薄膜トランジスタを配列して形成された表示部を備えた半導体装置であって、
前記薄膜トランジスタは、表面が不活性元素により改質された高耐熱性平坦化膜を層間絶縁膜として有し、
前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極は、前記高耐熱性平坦化膜に設けられた開口部を介して活性層に接続されていることを特徴とする半導体装置である。
11:下地絶縁膜
12:ゲート絶縁膜
16:高耐熱性平坦化膜
28:シール材
33:封止基板
Claims (21)
- 一対の基板間に発光素子を配列して形成された表示部を有する発光装置であって、
前記発光素子は、一方の基板に形成した高耐熱性平坦化膜上に形成され、
前記一対の基板は、前記表示部の外周を囲むシール材により固着され、
前記高耐熱性平坦化膜の端部は、テーパー形状であり、且つ、不活性元素が添加されていることを特徴とする発光装置。 - 一対の基板間に発光素子を配列して形成された表示部を有する発光装置であって、
前記発光素子は、一方の基板に形成した薄膜トランジスタと接続され、
前記薄膜トランジスタは、不活性元素が添加された高耐熱性平坦化膜を層間絶縁膜として有し、
前記発光素子は、前記高耐熱性平坦化膜上に形成されていることを特徴とする発光装置。 - 一対の基板間に発光素子を配列して形成された表示部を有する発光装置であって、
前記発光素子は、一方の基板に形成した薄膜トランジスタと接続され、
前記薄膜トランジスタは、不活性元素が添加された高耐熱性平坦化膜を層間絶縁膜として有し、
前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極は、前記高耐熱性平坦化膜に設けられた開口部を介して活性層に接続され、
前記開口部は、テーパー形状であり、且つ、不活性元素が添加され、
前記発光素子は、前記高耐熱性平坦化膜上に形成されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項2または請求項3において、前記一対の基板は、前記表示部の外周を囲むシール材により固着され、
前記高耐熱性平坦化膜の端部は、テーパー形状であり、且つ、不活性元素が添加されていることを特徴とする発光装置。 - 請求項1乃至4のいずれか一において、前記高耐熱性平坦化膜中に含まれる不活性元素は、1×1019〜5×1021/cm3、代表的には2×1019〜2×1021/cm3の濃度範囲であることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至5のいずれか一において、前記不活性元素はHe、Ne、Ar、Kr、Xeから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至6のいずれか一において、前記高耐熱性平坦化膜の端部におけるテーパー角は、30°を越え75°未満であることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至7のいずれか一において、前記高耐熱性平坦化膜は、アルキル基を含むSiOx膜であることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至8のいずれか一において、前記シール材は、前記高耐熱性平坦化膜の端部側面を覆っていることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至8のいずれか一において、前記シール材は、前記高耐熱性平坦化膜の外周を囲んでいることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至10のいずれか一において、前記発光装置は、アクティブマトリクス型、或いはパッシブマトリクス型であることを特徴とする発光装置。
- 請求項1乃至11のいずれか一において、前記発光装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、または携帯情報端末であることを特徴とする電子機器。
- 一対の基板間に薄膜トランジスタを配列して形成された表示部を備えた半導体装置であって、
前記薄膜トランジスタは、不活性元素が添加された高耐熱性平坦化膜を層間絶縁膜として有し、
前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極は、前記高耐熱性平坦化膜に設けられた開口部を介して活性層に接続され、
前記開口部は、テーパー形状であり、且つ、不活性元素が添加されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項13において、前記一対の基板は、前記表示部の外周を囲むシール材により固着され、
前記高耐熱性平坦化膜の端部は、テーパー形状であり、且つ、不活性元素が添加されていることを特徴とする半導体装置。 - 一対の基板間に薄膜トランジスタを配列して形成された表示部を備えた半導体装置であって、
前記薄膜トランジスタは、表面が不活性元素により改質された高耐熱性平坦化膜を層間絶縁膜として有し、
前記薄膜トランジスタのソース電極またはドレイン電極は、前記高耐熱性平坦化膜に設けられた開口部を介して活性層に接続されていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項13乃至15のいずれか一において、前記半導体装置は、ビデオカメラ、デジタルカメラ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュータ、または携帯情報端末であることを特徴とする電子機器。
- 絶縁表面を有する基板上に薄膜トランジスタおよび発光素子を有する発光装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する第1の基板上にソース領域、ドレイン領域、およびその間のチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタにより反映する凸凹形状の上に高耐熱性平坦化膜を形成する工程と、
前記高耐熱性平坦化膜を選択的に除去して、側面がテーパー形状を有し、且つ、前記ソース領域または前記ドレイン領域上方に位置する開口部と、テーパー形状を有する周縁部とを形成する工程と、
前記高耐熱性平坦化膜に不活性元素を添加する工程と、
前記ゲート絶縁膜を選択的に除去して前記ソース領域または前記ドレイン領域に達するコンタクトホールを形成する工程と、
前記ソース領域または前記ドレイン領域に達する電極または陽極を形成する工程と、
前記陽極上に有機化合物を含む層を形成する工程と、
前記有機化合物を含む層上に陰極を形成する工程と、
前記発光素子の外周を囲むシール材で第2の基板を前記第1の基板に貼り合せて前記発光素子を封止する工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 絶縁表面を有する基板上に薄膜トランジスタおよび発光素子を有する発光装置の作製方法であって、
絶縁表面を有する第1の基板上にソース領域、ドレイン領域、およびその間のチャネル形成領域を有する半導体層と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを有する薄膜トランジスタを形成する工程と、
前記薄膜トランジスタにより反映する凸凹形状の上に高耐熱性平坦化膜を形成する工程と、
前記高耐熱性平坦化膜を選択的に除去して、側面がテーパー形状を有し、且つ、前記ソース領域または前記ドレイン領域に達するコンタクトホールと、テーパー形状を有する周縁部とを形成する工程と、
前記高耐熱性平坦化膜に不活性元素を添加する工程と、
前記ソース領域または前記ドレイン領域に達する電極または陽極を形成する工程と、
前記陽極上に有機化合物を含む層を形成する工程と、
前記有機化合物を含む層上に陰極を形成する工程と、
前記発光素子の外周を囲むシール材で第2の基板を前記第1の基板に貼り合せて前記発光素子を封止する工程と、を有することを特徴とする発光装置の作製方法。 - 請求項17または請求項18において、前記不活性元素はHe、Ne、Ar、Kr、Xeから選ばれた一種または複数種であることを特徴とする発光装置の作製方法。
- 請求項17乃至19のいずれか一において、前記高耐熱性平坦化膜の端部または開口部におけるテーパー角は、30°を越え75°未満であることを特徴とする発光装置の作製方法。
- 請求項17乃至20のいずれか一において、前記高耐熱性平坦化膜は、塗布法により形成されるアルキル基を含むSiOx膜であることを特徴とする発光装置の作製方法。
Priority Applications (6)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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US10/925,992 US7446336B2 (en) | 2003-08-29 | 2004-08-26 | Electronics device, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
CNB2004100769778A CN100392876C (zh) | 2003-08-29 | 2004-08-30 | 电子设备,半导体器件,以及适用于制造此类器件的方法 |
US12/007,293 US7465593B2 (en) | 2003-08-29 | 2008-01-09 | Electronics device, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
US12/251,753 US7960733B2 (en) | 2003-08-29 | 2008-10-15 | Electronics device, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
US13/150,614 US8455873B2 (en) | 2003-08-29 | 2011-06-01 | Electronics device, semiconductor device, and method for manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003308135A JP4741177B2 (ja) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | 表示装置の作製方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005078946A true JP2005078946A (ja) | 2005-03-24 |
JP2005078946A5 JP2005078946A5 (ja) | 2006-10-19 |
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Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003308135A Expired - Fee Related JP4741177B2 (ja) | 2003-08-29 | 2003-08-29 | 表示装置の作製方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (4) | US7446336B2 (ja) |
JP (1) | JP4741177B2 (ja) |
CN (1) | CN100392876C (ja) |
Cited By (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007087640A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Casio Comput Co Ltd | 表示パネル及び表示パネルの製造方法 |
JP2009128893A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Sony Corp | 表示装置 |
US7741135B2 (en) | 2005-03-30 | 2010-06-22 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of manufacturing light emitting display |
JP2011113969A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
JP2011154242A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Sony Corp | 液晶表示装置および電子機器 |
US8278818B2 (en) | 2004-06-04 | 2012-10-02 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Electroluminescent display device and method of fabricating the same |
JP2014016638A (ja) * | 2013-09-18 | 2014-01-30 | Japan Display Inc | 液晶表示装置および電子機器 |
JP2014186321A (ja) * | 2013-02-21 | 2014-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置及び電子機器 |
US8982306B2 (en) | 2011-06-07 | 2015-03-17 | Japan Display West Inc. | Display device and electronic apparatus |
US9147718B2 (en) | 2013-10-22 | 2015-09-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
JP2016527692A (ja) * | 2013-08-19 | 2016-09-08 | 深▲せん▼市華星光電技術有限公司Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | 有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法 |
KR101730609B1 (ko) * | 2010-10-12 | 2017-04-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 |
US9882163B2 (en) | 2014-10-10 | 2018-01-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device having a groove that partially accommodates sealing material and manufacturing method thereof |
JP2020030419A (ja) * | 2012-08-23 | 2020-02-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
Families Citing this family (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
SG142140A1 (en) * | 2003-06-27 | 2008-05-28 | Semiconductor Energy Lab | Display device and method of manufacturing thereof |
US7928654B2 (en) | 2003-08-29 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
JP4741177B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2011-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US7520790B2 (en) | 2003-09-19 | 2009-04-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of display device |
JP4823478B2 (ja) * | 2003-09-19 | 2011-11-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
KR101100625B1 (ko) * | 2003-10-02 | 2012-01-03 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 배선 기판 및 그 제조방법, 및 박막트랜지스터 및 그제조방법 |
CN100499035C (zh) * | 2003-10-03 | 2009-06-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件的制造方法 |
TWI362231B (en) * | 2003-11-21 | 2012-04-11 | Semiconductor Energy Lab | Display device |
US7619258B2 (en) * | 2004-03-16 | 2009-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US7259110B2 (en) * | 2004-04-28 | 2007-08-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of display device and semiconductor device |
US8148895B2 (en) | 2004-10-01 | 2012-04-03 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method of the same |
KR100645533B1 (ko) * | 2005-05-27 | 2006-11-14 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기전계발광표시소자 및 그의 제조 방법 |
JP2007026970A (ja) * | 2005-07-20 | 2007-02-01 | Hitachi Displays Ltd | 有機発光表示装置 |
US7863188B2 (en) * | 2005-07-29 | 2011-01-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
JP4142064B2 (ja) * | 2005-08-05 | 2008-08-27 | セイコーエプソン株式会社 | 液晶装置、電気光学装置、プロジェクタ、及びマイクロデバイス |
US7723842B2 (en) * | 2005-09-02 | 2010-05-25 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd | Integrated circuit device |
GB2432256B (en) * | 2005-11-14 | 2009-12-23 | Cambridge Display Tech Ltd | Organic optoelectrical device |
JP4916715B2 (ja) * | 2005-12-21 | 2012-04-18 | 富士通株式会社 | 電子部品 |
KR100774950B1 (ko) * | 2006-01-19 | 2007-11-09 | 엘지전자 주식회사 | 전계발광소자 |
JP4640221B2 (ja) | 2006-03-10 | 2011-03-02 | セイコーエプソン株式会社 | インクカートリッジ及びプリンタ |
JP4661643B2 (ja) * | 2006-03-13 | 2011-03-30 | セイコーエプソン株式会社 | 半導体装置、インクカートリッジ及び電子機器 |
KR100705834B1 (ko) * | 2006-03-20 | 2007-04-09 | 엘지전자 주식회사 | 전계발광소자 |
JP2007287354A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Hitachi Displays Ltd | 有機el表示装置 |
US20080206997A1 (en) * | 2007-02-26 | 2008-08-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for Manufacturing Insulating Film and Method for Manufacturing Semiconductor Device |
JP4370339B2 (ja) * | 2007-03-23 | 2009-11-25 | Okiセミコンダクタ株式会社 | Mems振動子の製造方法及びmems振動子 |
JP5505757B2 (ja) * | 2008-03-25 | 2014-05-28 | Nltテクノロジー株式会社 | 液晶表示装置の製造方法および液晶表示装置 |
BE1018074A3 (fr) * | 2008-03-31 | 2010-04-06 | Mactac Europ Sa | Structure adhesive a cristaux liquides. |
JP2010263182A (ja) * | 2009-04-10 | 2010-11-18 | Toppan Printing Co Ltd | 薄膜トランジスタおよび画像表示装置 |
US8766269B2 (en) | 2009-07-02 | 2014-07-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, lighting device, and electronic device |
KR20110008918A (ko) * | 2009-07-21 | 2011-01-27 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 평판표시장치 및 그의 제조 방법 |
EP2284891B1 (en) * | 2009-08-07 | 2019-07-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
WO2011033911A1 (en) * | 2009-09-16 | 2011-03-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
US9000442B2 (en) | 2010-01-20 | 2015-04-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device |
TWI589042B (zh) | 2010-01-20 | 2017-06-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光裝置,撓性發光裝置,電子裝置,照明設備,以及發光裝置和撓性發光裝置的製造方法 |
CN101847694B (zh) * | 2010-04-20 | 2013-05-22 | 友达光电股份有限公司 | 显示面板封装结构及其制造方法 |
US8791463B2 (en) * | 2010-04-21 | 2014-07-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Thin-film transistor substrate |
JP2012181445A (ja) * | 2011-03-02 | 2012-09-20 | Seiko Epson Corp | 電気装置 |
JP5479391B2 (ja) * | 2011-03-08 | 2014-04-23 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
JP5825812B2 (ja) * | 2011-03-24 | 2015-12-02 | 株式会社Joled | 表示装置の製造方法 |
TWI578842B (zh) * | 2012-03-19 | 2017-04-11 | 群康科技(深圳)有限公司 | 顯示裝置及其製造方法 |
CN102707484B (zh) * | 2012-04-24 | 2014-07-09 | 京东方科技集团股份有限公司 | 半透射半反射彩膜基板及其制作方法,以及液晶显示装置 |
KR20150071318A (ko) * | 2013-12-18 | 2015-06-26 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 |
KR102214476B1 (ko) * | 2014-03-17 | 2021-02-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
DE102014112696B4 (de) * | 2014-09-03 | 2023-09-07 | Pictiva Displays International Limited | Organisches Bauelement |
KR102360783B1 (ko) * | 2014-09-16 | 2022-02-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102284756B1 (ko) | 2014-09-23 | 2021-08-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 디스플레이 장치 |
KR102006505B1 (ko) * | 2014-09-24 | 2019-08-02 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
JP2016072127A (ja) * | 2014-09-30 | 2016-05-09 | ソニー株式会社 | 有機el表示装置およびその製造方法、並びに電子機器 |
KR102324764B1 (ko) * | 2014-11-21 | 2021-11-10 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
KR102357269B1 (ko) * | 2014-12-12 | 2022-02-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
CN104821376A (zh) * | 2015-04-24 | 2015-08-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled面板及其制造方法、显示装置 |
CN106653816A (zh) * | 2016-12-29 | 2017-05-10 | 西安邮电大学 | 一种oled阴极隔离柱的制备方法 |
CN107731872B (zh) * | 2017-09-30 | 2021-11-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种基板及其制备方法、显示面板、显示装置 |
CN109637353B (zh) * | 2019-01-02 | 2021-11-23 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制作方法、显示面板及其制作方法、装置 |
CN110879493B (zh) * | 2019-12-10 | 2023-05-30 | 厦门天马微电子有限公司 | 显示面板和显示装置 |
CN113130561A (zh) * | 2019-12-31 | 2021-07-16 | 乐金显示有限公司 | 发光显示装置 |
KR20210086897A (ko) * | 2019-12-31 | 2021-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 패널 |
CN113745300B (zh) * | 2021-09-02 | 2023-12-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 有机发光显示面板及其制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000353811A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-12-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置およびその作製方法 |
JP2002033185A (ja) * | 2000-05-06 | 2002-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置および電気器具 |
JP2002305076A (ja) * | 2001-02-01 | 2002-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
JP2002324666A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
Family Cites Families (48)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US184652A (en) * | 1876-11-21 | Improvement in pipe-cutters | ||
JPH05299177A (ja) | 1992-04-22 | 1993-11-12 | Sharp Corp | 薄膜エレクトロ・ルミネッセンス素子 |
US6559256B2 (en) * | 1994-12-28 | 2003-05-06 | Cambridge Display Technology Ltd. | Polymers for use in optical devices |
JPH09148066A (ja) * | 1995-11-24 | 1997-06-06 | Pioneer Electron Corp | 有機el素子 |
JP3774897B2 (ja) | 1997-06-03 | 2006-05-17 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子 |
JPH11202349A (ja) * | 1998-01-12 | 1999-07-30 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置 |
JP3646510B2 (ja) | 1998-03-18 | 2005-05-11 | セイコーエプソン株式会社 | 薄膜形成方法、表示装置およびカラーフィルタ |
US7122835B1 (en) * | 1999-04-07 | 2006-10-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electrooptical device and a method of manufacturing the same |
US7288420B1 (en) * | 1999-06-04 | 2007-10-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing an electro-optical device |
JP4363723B2 (ja) * | 1999-09-02 | 2009-11-11 | 東芝モバイルディスプレイ株式会社 | 液晶表示装置 |
US6876145B1 (en) * | 1999-09-30 | 2005-04-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Organic electroluminescent display device |
KR100720066B1 (ko) * | 1999-11-09 | 2007-05-18 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 발광장치 제작방법 |
JP3409762B2 (ja) * | 1999-12-16 | 2003-05-26 | 日本電気株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US6633121B2 (en) * | 2000-01-31 | 2003-10-14 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Organic electroluminescence display device and method of manufacturing same |
TW525305B (en) * | 2000-02-22 | 2003-03-21 | Semiconductor Energy Lab | Self-light-emitting device and method of manufacturing the same |
US6515310B2 (en) * | 2000-05-06 | 2003-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and electric apparatus |
JP2001357973A (ja) | 2000-06-15 | 2001-12-26 | Sony Corp | 表示装置 |
US7019718B2 (en) * | 2000-07-25 | 2006-03-28 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
US7223643B2 (en) * | 2000-08-11 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method of manufacturing a semiconductor device |
JP4678933B2 (ja) * | 2000-11-07 | 2011-04-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置の作製方法 |
US6724150B2 (en) | 2001-02-01 | 2004-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US7226806B2 (en) * | 2001-02-16 | 2007-06-05 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Wet etched insulator and electronic circuit component |
SG143942A1 (en) * | 2001-02-19 | 2008-07-29 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
US6822391B2 (en) | 2001-02-21 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device, electronic equipment, and method of manufacturing thereof |
US6992439B2 (en) * | 2001-02-22 | 2006-01-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device with sealing structure for protecting organic light emitting element |
US6717181B2 (en) * | 2001-02-22 | 2004-04-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Luminescent device having thin film transistor |
JP4801278B2 (ja) * | 2001-04-23 | 2011-10-26 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
KR100421480B1 (ko) | 2001-06-01 | 2004-03-12 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기절연막의 표면처리 방법 및 그를 이용한박막트랜지스터 기판 제조방법 |
US6952023B2 (en) * | 2001-07-17 | 2005-10-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP4865165B2 (ja) * | 2001-08-29 | 2012-02-01 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置の作製方法 |
US6903377B2 (en) * | 2001-11-09 | 2005-06-07 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
JP4202012B2 (ja) * | 2001-11-09 | 2008-12-24 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及び電流記憶回路 |
US7042024B2 (en) * | 2001-11-09 | 2006-05-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus and method for manufacturing the same |
US6822264B2 (en) * | 2001-11-16 | 2004-11-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
JP4101511B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2008-06-18 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置及びその作製方法 |
EP1343206B1 (en) * | 2002-03-07 | 2016-10-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting apparatus, electronic apparatus, illuminating device and method of fabricating the light emitting apparatus |
JP2003297552A (ja) | 2002-03-29 | 2003-10-17 | Pioneer Electronic Corp | 有機エレクトロルミネッセンス表示パネル |
WO2003084290A1 (fr) * | 2002-03-29 | 2003-10-09 | Pioneer Corporation | Ecran d'affichage organique electroluminescent |
US7221093B2 (en) * | 2002-06-10 | 2007-05-22 | Institute Of Materials Research And Engineering | Patterning of electrodes in OLED devices |
AU2003288999A1 (en) * | 2002-12-19 | 2004-07-14 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display unit and method of fabricating display unit |
JP4417027B2 (ja) * | 2003-05-21 | 2010-02-17 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置 |
SG142140A1 (en) * | 2003-06-27 | 2008-05-28 | Semiconductor Energy Lab | Display device and method of manufacturing thereof |
JP4741177B2 (ja) | 2003-08-29 | 2011-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US7928654B2 (en) * | 2003-08-29 | 2011-04-19 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and method for manufacturing the same |
CN100499035C (zh) * | 2003-10-03 | 2009-06-10 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体器件的制造方法 |
US7314785B2 (en) * | 2003-10-24 | 2008-01-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
JP4785339B2 (ja) | 2003-10-24 | 2011-10-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
US7619258B2 (en) * | 2004-03-16 | 2009-11-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device |
-
2003
- 2003-08-29 JP JP2003308135A patent/JP4741177B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-08-26 US US10/925,992 patent/US7446336B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-08-30 CN CNB2004100769778A patent/CN100392876C/zh not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-01-09 US US12/007,293 patent/US7465593B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-10-15 US US12/251,753 patent/US7960733B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2011
- 2011-06-01 US US13/150,614 patent/US8455873B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000353811A (ja) * | 1999-04-07 | 2000-12-19 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 電気光学装置およびその作製方法 |
JP2002033185A (ja) * | 2000-05-06 | 2002-01-31 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置および電気器具 |
JP2002305076A (ja) * | 2001-02-01 | 2002-10-18 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
JP2002324666A (ja) * | 2001-02-22 | 2002-11-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 表示装置及びその作製方法 |
Cited By (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8278818B2 (en) | 2004-06-04 | 2012-10-02 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Electroluminescent display device and method of fabricating the same |
US7741135B2 (en) | 2005-03-30 | 2010-06-22 | Samsung Mobile Display Co., Ltd. | Method of manufacturing light emitting display |
JP4687351B2 (ja) * | 2005-09-20 | 2011-05-25 | カシオ計算機株式会社 | 表示パネルの製造方法 |
JP2007087640A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Casio Comput Co Ltd | 表示パネル及び表示パネルの製造方法 |
US8064023B2 (en) | 2007-11-28 | 2011-11-22 | Sony Corporation | Display apparatus |
JP2009128893A (ja) * | 2007-11-28 | 2009-06-11 | Sony Corp | 表示装置 |
JP4544293B2 (ja) * | 2007-11-28 | 2010-09-15 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
JP2011113969A (ja) * | 2009-11-25 | 2011-06-09 | Samsung Mobile Display Co Ltd | 有機発光素子及びその製造方法 |
JP2011154242A (ja) * | 2010-01-28 | 2011-08-11 | Sony Corp | 液晶表示装置および電子機器 |
KR101730609B1 (ko) * | 2010-10-12 | 2017-04-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계 발광소자 |
US10690968B2 (en) | 2011-06-07 | 2020-06-23 | Japan Display Inc. | Display device and electronic apparatus |
US8982306B2 (en) | 2011-06-07 | 2015-03-17 | Japan Display West Inc. | Display device and electronic apparatus |
US10191333B2 (en) | 2011-06-07 | 2019-01-29 | Japan Display Inc. | Display device and electronic apparatus |
US9323109B2 (en) | 2011-06-07 | 2016-04-26 | Japan Display Inc. | Display device and electronic apparatus |
US9835905B2 (en) | 2011-06-07 | 2017-12-05 | Japan Display Inc. | Display device and electronic apparatus |
JP2020030419A (ja) * | 2012-08-23 | 2020-02-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置 |
JP2018063440A (ja) * | 2013-02-21 | 2018-04-19 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
US10365514B2 (en) | 2013-02-21 | 2019-07-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device and electronic device |
JP2019152889A (ja) * | 2013-02-21 | 2019-09-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP2014186321A (ja) * | 2013-02-21 | 2014-10-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 液晶表示装置及び電子機器 |
JP2021036336A (ja) * | 2013-02-21 | 2021-03-04 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 液晶表示装置 |
JP2016527692A (ja) * | 2013-08-19 | 2016-09-08 | 深▲せん▼市華星光電技術有限公司Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | 有機発光ダイオード表示装置における金属配線のショートを回避する方法 |
JP2014016638A (ja) * | 2013-09-18 | 2014-01-30 | Japan Display Inc | 液晶表示装置および電子機器 |
US9147718B2 (en) | 2013-10-22 | 2015-09-29 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus |
US9882163B2 (en) | 2014-10-10 | 2018-01-30 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device having a groove that partially accommodates sealing material and manufacturing method thereof |
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