JP2014016638A - 液晶表示装置および電子機器 - Google Patents
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Abstract
【課題】有機膜が剥離することに起因して、電極が腐食するのを抑制することが可能な液晶表示装置を提供する。
【解決手段】この液晶表示装置100は、基板1と、基板1の表面上に形成される薄膜トランジスタ16と、薄膜トランジスタ16の表面を覆うように形成される平坦化膜17と、平坦化膜17の側端面の下端部17bと平坦化膜17が設けられるゲート絶縁膜12の上面との境界領域を少なくとも覆うように設けられる導電層19と、導電層19の基板1の端部側の端部とゲート絶縁膜12の上面との境界領域を少なくとも覆うように設けられる低温パッシベーション膜20aとを備える。
【選択図】図3
【解決手段】この液晶表示装置100は、基板1と、基板1の表面上に形成される薄膜トランジスタ16と、薄膜トランジスタ16の表面を覆うように形成される平坦化膜17と、平坦化膜17の側端面の下端部17bと平坦化膜17が設けられるゲート絶縁膜12の上面との境界領域を少なくとも覆うように設けられる導電層19と、導電層19の基板1の端部側の端部とゲート絶縁膜12の上面との境界領域を少なくとも覆うように設けられる低温パッシベーション膜20aとを備える。
【選択図】図3
Description
本発明は、液晶表示装置および電子機器に関し、特に、薄膜トランジスタの表面を覆うように形成される有機膜を備える液晶表示装置および電子機器に関する。
従来、薄膜トランジスタの表面を覆うように形成される有機膜を備える液晶表示装置が知られている(たとえば、特許文献1参照)。上記特許文献1に記載の液晶表示装置では、薄膜トランジスタの表面を直接覆うとともに、基板の略全面に形成されるゲート絶縁膜を覆うように層間樹脂膜(有機膜)が形成されている。また、層間樹脂膜の表面上には、画素電極、電極間絶縁膜および共通電極がこの順で積層されている。
しかしながら、上記特許文献1に記載の液晶表示装置では、薄膜トランジスタの表面を直接覆う層間樹脂膜が剥離して電極間絶縁膜が剥離する可能性があり、薄膜トランジスタが露出すること、もしくは、層間樹脂膜との界面より薄膜トランジスタに水分が侵入することにより、薄膜トランジスタを構成する電極が腐食するという問題点がある。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の1つの目的は、有機膜が剥離することに起因して、電極が腐食するのを抑制することが可能な液晶表示装置および電子機器を提供することである。
上記目的を達成するために、この発明の第1の局面における液晶表示装置は、基板と、基板の表面上に形成される薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの表面を覆うように形成される有機膜と、有機膜の側端面の下端部と有機膜が設けられる下層の上面との境界領域を少なくとも覆うように設けられる導電層と、導電層の基板の端部側の端部と下層の上面との境界領域を少なくとも覆うように設けられる第1絶縁膜とを備える。
この第1の局面による液晶表示装置では、上記のように、有機膜の側端面の下端部と有機膜が設けられる下層の上面との境界領域を少なくとも覆う導電層を設けることによって、有機膜が剥離するのを導電層によって抑制することができる。また、導電層の基板の端部側の端部と下層の上面との境界領域を少なくとも覆う第1絶縁膜を設けることによって、導電層が有機膜から剥離するのを第1絶縁膜によって抑制することができる。その結果、有機膜が剥離するのをより抑制することができるので、有機膜が剥離することに起因して、薄膜トランジスタを構成する電極が腐食するのを抑制することができる。
上記第1の局面による液晶表示装置において、好ましくは、第1絶縁膜は、基板の端部まで延びるように形成されるとともに、導電層は、基板の端部よりも内側に形成されており、第1絶縁膜は、導電層の上面と側面とを覆うように形成されている。このように構成すれば、導電層が露出するのを第1絶縁膜によって抑制することができるので、導電層が水分などにより腐食するのを抑制することができる。その結果、導電層が有機膜から剥離するのをより抑制することができる。
上記第1の局面による液晶表示装置において、好ましくは、第1絶縁膜は、導電層の基板の端部と反対側の端部と、有機膜の表面との境界領域を覆うように設けられている。このように構成すれば、導電層の基板の端部側が有機膜の表面から剥離するのを第1絶縁膜により抑制できるとともに、導電層の基板の端部と反対側の端部が有機膜の表面から剥離するのを第1絶縁膜により抑制することができる。その結果、導電層が有機膜から剥離するのをより抑制することができる。
上記第1の局面による液晶表示装置において、好ましくは、下層は、基板の端部まで延びるように形成され、薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜を含み、有機膜は、薄膜トランジスタを構成するソース電極およびドレイン電極の表面を直接覆うとともに、ゲート絶縁膜を覆うように形成され、導電層は、有機膜の側端面の下端部とゲート絶縁膜の上面との境界領域を少なくとも覆うように設けられ、第1絶縁膜は、導電層の基板の端部側の端部とゲート絶縁膜の上面との境界領域を少なくとも覆うように設けられている。このように構成すれば、第1絶縁膜が剥離しても、有機膜の側端面の下端部と有機膜が設けられるゲート絶縁膜の上面との境界領域が導電層によって覆われているので、有機膜の剥離による第1絶縁膜の剥離を抑制できる。このことで有機膜界面からの水分浸入によるソース電極およびドレイン電極が腐食するのを抑制することができる。
上記第1の局面による液晶表示装置において、好ましくは、有機膜は、薄膜トランジスタが形成される基板の表面を略平坦にするための平坦化膜を含み、導電層は、平坦化膜の側端面と、平坦化膜の側端面に接続される平坦化膜の略平坦な上面の一部とを覆うように形成されている。このように構成すれば、導電層と有機膜との接触面積が大きくなるので、導電層が有機膜から剥離するのをさらに抑制することができる。
上記第1の局面による液晶表示装置において、好ましくは、有機膜の表面上に設けられ、画素電極または共通電極のうちの一方を構成する第1透明電極をさらに備え、導電層は、第1透明電極と同一の層から形成されている。このように構成すれば、導電層と、画素電極または共通電極のうちの一方を構成する第1透明電極とを同一の製造工程によって形成することができるので、容易に、有機膜の剥離を抑制するための導電層を形成することができる。
この場合、好ましくは、第1透明電極の表面上に設けられる第2絶縁膜と、第2絶縁膜の表面上に設けられ、画素電極または共通電極のうちの他方を構成する第2透明電極とをさらに備え、導電層の表面上に設けられる第1絶縁膜は、第1透明電極と第2透明電極との間に設けられる第2絶縁膜と同一の層から形成されている。このように構成すれば、第1絶縁膜と、第1透明電極と第2透明電極との間に設けられる第2絶縁膜とを同一の製造工程によって形成することができるので、容易に、有機膜および導電層の剥離を抑制するための第1絶縁膜を形成することができる。
上記第1の局面による液晶表示装置において、好ましくは、基板は、平面的に見て、略矩形形状に形成され、導電層は、少なくとも基板の集積回路が設けられない3辺のうちの少なくとも1辺に沿って延びるように設けられている。このように構成すれば、有機膜の外周部のうち、少なくとも集積回路が設けられない3辺のうちの少なくとも1辺が剥離するのを導電層によって抑制することができる。
この発明の第2の局面による電子機器は、上記いずれかの構成を有する液晶表示装置を備える。このように構成すれば、有機膜が剥離することに起因して、電極が腐食するのを抑制することが可能な液晶表示装置を備える電子機器を得ることができる。
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
図1〜図4を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置100の構成について説明する。
本実施形態による液晶表示装置100は、図1に示すように、ガラス等の透明材料からなる基板1と、基板1と対向するようにガラス等の透明材料からなる基板2とが設けられている。なお、基板1と基板2とは、平面的に見て、略矩形形状に形成されている。また、液晶表示装置100には、マトリクス状に配置される複数の画素3が設けられている。また、基板1の表面上には、駆動IC4が設けられている。なお、駆動IC4は、本発明の「集積回路」の一例である。また、液晶表示装置100は、複数の画素3が設けられる表示領域5と、表示領域5を取り囲む非表示領域6とを有する。また、基板1と対向するように、バックライト7(図3参照)が設けられている。
画素3の断面構造としては、図3に示すように、基板1の表面上には、ゲート電極11が形成されている。ゲート電極11および基板1の表面上には、SiNなどからなるゲート絶縁膜12が形成されている。ゲート絶縁膜12は、基板1の矢印X1方向(矢印X2方向)側の端部まで形成されている。なお、ゲート絶縁膜12は、本発明の「下層」の一例である。また、ゲート絶縁膜12の表面上には、半導体層13が形成されている。なお、半導体層13は、アモルファスシリコン(a−Si)から形成されている。また、半導体層13は、たとえばn型不純物が導入されたアモルファスシリコン(n+a−Si)からなるソース領域とドレイン領域とを含んでいる。また、半導体層13の上部には、ソース電極14とドレイン電極15とが形成されている。そして、ゲート電極11、ゲート絶縁膜12、半導体層13、ソース電極14およびドレイン電極15によりボトムゲート型の薄膜トランジスタ16が構成されている。なお、ソース電極14は、信号線14a(図2参照)に接続されている。
また、ソース電極14およびドレイン電極15と、ゲート絶縁膜12とを直接覆うように、感光性のアクリル樹脂からなる平坦化膜17が形成されている。なお、平坦化膜17は、本発明の「有機膜」の一例である。また、平坦化膜17は、約2μm以上約3μm以下の厚みt1を有する。また、平坦化膜17は、基板1の表面上を略平坦にするために設けられている。また、平坦化膜17には、ドレイン電極15を露出するようにコンタクトホール17aが形成されている。
また、基板1の端部近傍(液晶表示装置100の非表示領域6)では、平坦化膜17が除去されており、平坦化膜17の側端面は、基板1に向かって広がるテーパ形状に形成されている。また、平坦化膜17の側端面は、平面的に見て、基板1の端部と間隔を隔てて内側に離間するように形成されている。
また、液晶表示装置100の表示領域5では、平坦化膜17を覆うように、ITO(Indium Tin Oxide)や、IZO(Induim Zinc Oxide)などの透明電極からなる画素電極18が形成されている。なお、画素電極18は、約50nm以上約150nm以下の厚みを有する。また、平坦化膜17のコンタクトホール17aを介して、画素電極18とドレイン電極15とが接続されている。なお、画素電極18は、本発明の「第1透明電極」の一例である。
ここで、第1実施形態では、基板1の端部近傍(液晶表示装置100の非表示領域6)では、平坦化膜17の側端面の下端部17bとゲート絶縁膜12の上面との境界領域(平面的に見て、平坦化膜17とゲート絶縁膜12との境界A、図4参照)を覆うように導電層19が形成されている。具体的には、導電層19は、平坦化膜17の側端面と、平坦化膜17の側端面に接続される平坦化膜17の略平坦な上面と、平坦化膜17の側端面に接続されるゲート絶縁膜12の上面とを覆うように形成されている。これにより、導電層19は、平面的に見て、約5μm以上約50μm以下の幅W1を有する。また、導電層19は、画素電極18と同一の層(ITOまたはIZOなどの透明電極)から形成されている。なお、導電層19は、画素電極18と電気的に分離されている。また、図1に示すように、導電層19は、平坦化膜17の外周部のうち、平面的に見て、基板1の駆動IC4が設けられない3つの辺に沿って延びるように設けられている。なお、後述するように、導電層19は、スパッタ法によって形成されており、CVD法によって形成される低温パッシベーション膜20と比べて、導電層19は、平坦化膜17と密着性がより高く、平坦化膜17からより剥がれ難く形成されている。
また、画素電極18の表面上には、SiNなどからなる低温パッシベーション膜20が形成されている。なお、低温パッシベーション膜20は、本発明の「第2絶縁膜」の一例である。ここで、第1実施形態では、基板1の端部近傍(非表示領域6)においても、導電層19の基板1の端部側(矢印X1方向側)の端部とゲート絶縁膜12の上面との境界領域(平面的に見て、導電層19とゲート絶縁膜12との境界B、図4参照)を覆うように低温パッシベーション膜20aが形成されている。なお、低温パッシベーション膜20aは、本発明の「第1絶縁膜」の一例である。また、低温パッシベーション膜20aは、画素電極18の表面上に形成される低温パッシベーション膜20と同一の層からなる。また、低温パッシベーション膜20aは、低温パッシベーション膜20と連続した状態で形成されている。また、低温パッシベーション膜20aは、導電層19の基板1の端部と反対側(矢印X2方向側)の端部と平坦化膜17の表面との境界領域と、導電層19の上面とを覆うように形成されている。
また、第1実施形態では、図3に示すように、低温パッシベーション膜20(20a)は、基板1の端部(基板1の駆動IC4が設けられない3辺)まで延びるように形成されている一方、導電層19は、基板1の端部よりも内側に形成されている。そして、低温パッシベーション膜20aは、導電層19の上面を覆うとともに、側面も覆っている。つまり、導電層19の上面および側面は露出しないように構成されている。
また、低温パッシベーション膜20の表面上には、複数の画素3に跨るように、ITOなどの透明電極からなる共通電極21が形成されている。なお、共通電極21は、本発明の「第2透明電極」の一例である。また、共通電極21は、約50nm以上約150nm以下の厚みを有する。また、図2に示すように、共通電極21には、複数のスリット21aが設けられており、スリット21aを介して画素電極18と共通電極21との間で電界が発生するように構成されている。これにより、画素電極18と共通電極21との間の横方向の電界によって液晶が駆動されるFFS(Fringe Field Switching)方式の液晶表示装置100が構成される。また、共通電極21の表面上には、図示しないポリイミドなどの有機膜からなる配向膜が形成されている。
また、図3に示すように、基板2の基板1側の表面上には、樹脂などから形成されるブラックマトリクス31が形成されている。ブラックマトリクス31は、平面的に見て、画素3の境界上に形成されるとともに、マトリクス状に形成されている。また、基板2およびブラックマトリクス31の表面上には、カラーフィルター32が形成されている。また、ブラックマトリクス31およびカラーフィルター32の表面上には、保護膜としてのオーバーコート33が形成されている。オーバーコート33の表面上には、ポリイミドなどの有機膜からなる図示しない配向膜が形成されている。そして、基板1側の配向膜と基板2側の配向膜との間にシール材34が設けられており、基板1と基板2とが貼り合わされている。そして、基板1側の配向膜と基板2側の配向膜との間には、液晶層35が封入されている。
次に、図3および図5〜図10を参照して、本実施形態における液晶表示装置100の製造プロセスについて説明する。
まず、図5に示すように、大板状態の基板1aの表面上にゲート電極11を形成する。次に、ゲート電極11と基板1aとの表面上に、CVD(Chemical Vapor
Deposition)法により、SiNなどからなるゲート絶縁膜12を形成する。なお、ゲート絶縁膜12は、基板1aの略全面に形成される。そして、ゲート絶縁膜12を介してゲート電極11と平面的に見て重なるように半導体層13を形成する。次に、半導体層13上に、ゲート電極11および半導体層13と平面的に見て重なるようにソース電極14およびドレイン電極15を形成する。これにより、薄膜トランジスタ16が形成される。
Deposition)法により、SiNなどからなるゲート絶縁膜12を形成する。なお、ゲート絶縁膜12は、基板1aの略全面に形成される。そして、ゲート絶縁膜12を介してゲート電極11と平面的に見て重なるように半導体層13を形成する。次に、半導体層13上に、ゲート電極11および半導体層13と平面的に見て重なるようにソース電極14およびドレイン電極15を形成する。これにより、薄膜トランジスタ16が形成される。
次に、薄膜トランジスタ16とゲート絶縁膜12との表面上に、塗布法により、アクリル系の感光性樹脂からなる保護膜としての平坦化膜17を形成する。なお、平坦化膜17は、基板1aの略全面に形成される。そして、たとえばフォトリソグラフィー技術により、非表示領域6の端部(大判状態の基板1aを分断する際の分断線近傍)側の平坦化膜17を除去する。また、平坦化膜17の端部を除去するのと同時に、薄膜トランジスタ16のドレイン電極15を露出するように、平坦化膜17にコンタクトホール17aを形成する。
次に、図6に示すように、平坦化膜17の表面上、露出したドレイン電極15の表面上、および、露出したゲート絶縁膜12の表面上に、スパッタ法により、ITOやIZOなどからなる透明導電膜41を形成する。なお、透明導電膜41の一部は、コンタクトホール17aを介して、ドレイン電極15と電気的に接続される。
次に、透明導電膜41の表面上に図示しないレジストを形成した後、透明導電膜41の一部をエッチングにより除去することによって、図7に示すように、表示領域5に画素電極18を形成するとともに、非表示領域6に画素電極18とは電気的に分離された導電層19を形成する。つまり、本実施形態では、画素電極18と導電層19とは、同一の層から形成される。なお、導電層19は、平坦化膜17の側端面の下端部17bと、ゲート絶縁膜12の上面との境界領域を覆うように形成される。具体的には、導電層19は、平坦化膜17の側端面と、側端面に接続される平坦化膜17の略平坦な上面と、側端面に接続されるゲート絶縁膜12の上面とに形成される。また、導電層19は、平面的に見て、平坦化膜17の外周部のうち、基板1の駆動IC4が設けられない3つの辺(図1参照)に沿って延びるように形成される。その後、レジストを除去する。
次に、図8に示すように、画素電極18および導電層19の表面上に、CVD法により、SiNなどからなる低温パッシベーション膜20(20a)を形成する。これにより、本実施形態では、低温パッシベーション膜20aは、導電層19の分断線側(矢印X1方向側)の端部とゲート絶縁膜12の上面との境界領域を覆うように形成されるとともに、導電層19の分断線と反対側(矢印X2方向側)の端部と平坦化膜17の表面との境界領域も覆うように形成される。また、低温パッシベーション膜20aは、互いに隣接する液晶表示装置100の非表示領域6に跨るように形成される。
そして、図9に示すように、低温パッシベーション膜20(20a)の表面上に、スパッタ法とエッチングとを用いて、ITOやIZOなどからなり、複数のスリット21aを有する共通電極21を形成する。次に、共通電極21の表面上に、塗布法により、ポリイミドなどからなる図示しない配向膜を形成する。
次に、大板状態の基板2aの表面上に、たとえば黒色の樹脂材料からなる膜を形成し、エッチングすることにより、ブラックマトリクス31を形成する。その後、フォトリソグラフィー技術により、画素3(図1参照)毎に赤(R)、緑(G)および青(B)のカラーフィルター32を形成する。次に、ブラックマトリクス31およびカラーフィルター32の表面上に、塗布法により、アクリル系の感光性樹脂からなるオーバーコート33を形成する。その後、オーバーコート33の表面上にポリイミドなどからなる図示しない配向膜を形成する。
次に、たとえばディスペンサ方式により、図示しない配向膜の表面上にシール材34を塗布するとともに、基板1aと基板2aとの貼り合わせを行う。
最後に、基板1aおよび基板2aを分断線に沿って分断するとともに、基板1aと基板2aとの間に液晶層35を注入する。ここで、分断の際には、導電層19の上面と側面とが低温パッシベーション膜20(20a)に覆われるように、低温パッシベーション膜20(20a)を分断する。そして、駆動IC4およびバックライト7を取り付けることによって、横電界モードの液晶表示装置100(図1参照)が完成する。
本実施形態では、上記のように、平坦化膜17の側端面の下端部17bと平坦化膜17が設けられるゲート絶縁膜12の上面との境界領域を覆う導電層19を設けることによって、平坦化膜17が剥離するのを導電層19によって抑制することができる。また、導電層19の基板1の端部側の端部とゲート絶縁膜12の上面との境界領域を覆う低温パッシベーション膜20aを設けることによって、導電層19が平坦化膜17から剥離するのを低温パッシベーション膜20aによって抑制することができる。その結果、平坦化膜17が剥離するのをより抑制することができるので、平坦化膜17が剥離することに起因して、薄膜トランジスタ16を構成するソース電極14およびドレイン電極15が腐食するのを抑制することができる。
また、本実施形態では、上記のように、低温パッシベーション膜20aを、基板1の端部まで延びるように形成するとともに、導電層19を、基板1の端部よりも内側に形成して、低温パッシベーション膜20aを、導電層19の上面と側面とを覆うように形成した。これにより、導電層19が露出するのを低温パッシベーション膜20aによって抑制することができるので、導電層19が水分などにより腐食するのを抑制することができる。その結果、導電層19が平坦化膜17から剥離するのをより抑制することができる。
また、本実施形態では、上記のように、低温パッシベーション膜20aを、導電層19の基板1の端部側の端部とゲート絶縁膜12の上面との境界領域のみならず、導電層19の基板1の端部と反対側の端部と平坦化膜17の表面との境界領域も覆うように設けた。これにより、導電層19の基板1の端部側が平坦化膜17の表面から剥離するのを低温パッシベーション膜20aにより抑制できるとともに、導電層19の基板1の端部と反対側の端部が平坦化膜17の表面から剥離するのを低温パッシベーション膜20aにより抑制することができる。その結果、導電層19が平坦化膜17から剥離するのをより抑制することができる。
また、本実施形態では、上記のように、平坦化膜17を、薄膜トランジスタ16を構成するソース電極14およびドレイン電極15の表面を直接覆うように形成して、導電層19を、平坦化膜17の側端面の下端部17bとゲート絶縁膜12の上面との境界領域を覆うように設けて、低温パッシベーション膜20aを、導電層19の基板1の端部側の端部とゲート絶縁膜12の上面との境界領域を覆うように設けた。これにより、低温パッシベーション膜20aが剥離した場合にも、平坦化膜17の側端面の下端部17bと平坦化膜17が設けられるゲート絶縁膜12の上面との境界領域が導電層19によって覆われているので、平坦化膜17が剥離してソース電極14およびドレイン電極15が露出するのを抑制することができる。
また、本実施形態では、上記のように、導電層19を、平坦化膜17の側端面と、平坦化膜17の側端面に接続される平坦化膜17の略平坦な上面とを覆うように形成した。これにより、導電層19と平坦化膜17との接触面積が大きくなるので、導電層19が平坦化膜17から剥離するのをさらに抑制することができる。
また、本実施形態では、上記のように、導電層19を、画素電極18と同一の層から形成した。これにより、導電層19と、画素電極18とを同一の製造工程によって形成することができるので、容易に、平坦化膜17の剥離を抑制するための導電層19を形成することができる。
また、本実施形態では、上記のように、導電層19の表面上に設けられる低温パッシベーション膜20aを、画素電極18と共通電極21との間に設けられる低温パッシベーション膜20と同一の層から形成した。これにより、導電層19の表面上に設けられる低温パッシベーション膜20aと、画素電極18と共通電極21との間に設けられる低温パッシベーション膜20とを同一の製造工程によって形成することができるので、容易に、平坦化膜17および導電層19の剥離を抑制するための低温パッシベーション膜20aを形成することができる。
また、本実施形態では、上記のように、導電層19を、基板1の駆動IC4が設けられない3辺に沿って延びるように設けた。これにより、平坦化膜17の外周部のうち、少なくとも駆動IC4が設けられない3辺が剥離するのを導電層19によって抑制することができる。
図10〜図12は、それぞれ、上記した本実施形態による液晶表示装置100を用いた電子機器の第1の例〜第3の例を説明するための図である。図10〜図12を参照して、本実施形態による液晶表示装置100を用いた電子機器について説明する。
本実施形態による液晶表示装置100は、図10〜図12に示すように、第1の例としてのPC(Personal Computer)300、第2の例としての携帯電話400、および、第3の例としての情報携帯端末500(PDA:Personal Digital Assistants)などに用いることが可能である。
図10の第1の例によるPC300においては、表示画面310などに本実施形態による液晶表示装置100を用いることが可能である。図11の第2の例による携帯電話400においては、表示画面410に本実施形態による液晶表示装置100を用いることが可能である。図12の第3の例による情報携帯端末500においては、表示画面510に本実施形態による液晶表示装置100を用いることが可能である。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
たとえば、上記実施形態では、導電層が、平坦化膜の側端面と、側端面に接続される平坦化膜の平坦な上面と、平坦化膜の側端面に接続されるゲート絶縁膜の上面とに形成される例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、導電層は、平坦化膜の側端面の下端部と平坦化膜の下層絶縁膜の上面との境界領域を少なくとも覆うように形成されていればよい。
また、上記実施形態では、低温パッシベーション膜が、導電層の上面および側面を覆うように形成される例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、低温パッシベーション膜は、少なくとも導電層の基板の端部側の端部と平坦化膜の下層絶縁膜の上面との境界領域を覆うように形成されていればよい。
また、上記実施形態では、導電層が、基板の駆動ICが設けられない3辺に沿って延びるように設けられている例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、導電層が、基板の駆動ICが設けられない3辺のうちの1辺または2辺に沿って延びるように設けられていてもよい。また、導電層を、基板の駆動ICが設けられない辺のみならず、基板の駆動ICが設けられる辺に沿って延びるように設けてもよい。
また、上記実施形態では、導電層が、画素電極と同一の層からなる例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、平坦化膜の表面上に共通電極を設けて、導電層が、共通電極と同一の層からなるようにしてもよい。
また、上記実施形態では、半導体層が、アモルファスシリコン(a−Si)から形成されている例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、半導体層をポリシリコン(p−Si)から形成してもよい。
1 基板 4 駆動IC(集積回路) 12 ゲート絶縁膜(下層) 16 薄膜トランジスタ 17 平坦化膜(有機膜) 17b 下端部 18
画素電極(第1透明電極) 19 導電層 20 低温パッシベーション膜(第2絶縁膜) 20a 低温パッシベーション膜(第1絶縁膜) 21 共通電極(第2透明電極)
画素電極(第1透明電極) 19 導電層 20 低温パッシベーション膜(第2絶縁膜) 20a 低温パッシベーション膜(第1絶縁膜) 21 共通電極(第2透明電極)
本発明は、液晶表示装置および電子機器に関し、特に、薄膜トランジスタの表面を覆うように形成される有機膜を備える液晶表示装置および電子機器に関する。
従来、薄膜トランジスタの表面を覆うように形成される有機膜を備える液晶表示装置が知られている(たとえば、特許文献1参照)。上記特許文献1に記載の液晶表示装置では、薄膜トランジスタの表面を直接覆うとともに、基板の略全面に形成されるゲート絶縁膜を覆うように層間樹脂膜(有機膜)が形成されている。また、層間樹脂膜の表面上には、画素電極、電極間絶縁膜および共通電極がこの順で積層されている。
しかしながら、上記特許文献1に記載の液晶表示装置では、薄膜トランジスタの表面を直接覆う層間樹脂膜が剥離して電極間絶縁膜が剥離する可能性があり、薄膜トランジスタが露出すること、もしくは、層間樹脂膜との界面より薄膜トランジスタに水分が侵入することにより、薄膜トランジスタを構成する電極が腐食するという問題点がある。
この発明は、上記のような課題を解決するためになされたものであり、この発明の1つの目的は、有機膜が剥離することに起因して、電極が腐食するのを抑制することが可能な液晶表示装置および電子機器を提供することである。
上記目的を達成するために、この発明の第1の局面における液晶表示装置は、基板と、基板の表面上に形成される薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタの表面を覆うように形成される有機膜と、有機膜の側端面の下端部と有機膜が設けられる下層の上面との境界領域を少なくとも覆うように設けられる第1絶縁膜とを備える。
本発明の液晶表示装置および電子機器によれば、有機膜が剥離することに起因して、電極が腐食するのを抑止できる。
以下、本発明の一実施形態を図面に基づいて説明する。
図1〜図4を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置100の構成について説明する。
図1〜図4を参照して、本発明の一実施形態による液晶表示装置100の構成について説明する。
本実施形態による液晶表示装置100は、図1に示すように、ガラス等の透明材料からなる基板1と、基板1と対向するようにガラス等の透明材料からなる基板2とが設けられている。なお、基板1と基板2とは、平面的に見て、略矩形形状に形成されている。また、液晶表示装置100には、マトリクス状に配置される複数の画素3が設けられている。また、基板1の表面上には、駆動IC4が設けられている。なお、駆動IC4は、本発明の「集積回路」の一例である。また、液晶表示装置100は、複数の画素3が設けられる表示領域5と、表示領域5を取り囲む非表示領域6とを有する。また、基板1と対向するように、バックライト7(図3参照)が設けられている。
画素3の断面構造としては、図3に示すように、基板1の表面上には、ゲート電極11が形成されている。ゲート電極11および基板1の表面上には、SiNなどからなるゲート絶縁膜12が形成されている。ゲート絶縁膜12は、基板1の矢印X1方向(矢印X2方向)側の端部まで形成されている。なお、ゲート絶縁膜12は、本発明の「下層」の一例である。また、ゲート絶縁膜12の表面上には、半導体層13が形成されている。なお、半導体層13は、アモルファスシリコン(a−Si)から形成されている。また、半導体層13は、たとえばn型不純物が導入されたアモルファスシリコン(n+a−Si)からなるソース領域とドレイン領域とを含んでいる。また、半導体層13の上部には、ソース電極14とドレイン電極15とが形成されている。そして、ゲート電極11、ゲート絶縁膜12、半導体層13、ソース電極14およびドレイン電極15によりボトムゲート型の薄膜トランジスタ16が構成されている。なお、ソース電極14は、信号線14a(図2参照)に接続されている。
また、ソース電極14およびドレイン電極15と、ゲート絶縁膜12とを直接覆うように、感光性のアクリル樹脂からなる平坦化膜17が形成されている。なお、平坦化膜17は、本発明の「有機膜」の一例である。また、平坦化膜17は、約2μm以上約3μm以下の厚みt1を有する。また、平坦化膜17は、基板1の表面上を略平坦にするために設けられている。また、平坦化膜17には、ドレイン電極15を露出するようにコンタクトホール17aが形成されている。
また、基板1の端部近傍(液晶表示装置100の非表示領域6)では、平坦化膜17が除去されており、平坦化膜17の側端面は、基板1に向かって広がるテーパ形状に形成されている。また、平坦化膜17の側端面は、平面的に見て、基板1の端部と間隔を隔てて内側に離間するように形成されている。
また、液晶表示装置100の表示領域5では、平坦化膜17を覆うように、ITO(Indium Tin Oxide)や、IZO(Induim Zinc Oxide)などの透明電極からなる画素電極18が形成されている。なお、画素電極18は、約50nm以上約150nm以下の厚みを有する。また、平坦化膜17のコンタクトホール17aを介して、画素電極18とドレイン電極15とが接続されている。なお、画素電極18は、本発明の「第1透明電極」の一例である。
ここで、第1実施形態では、基板1の端部近傍(液晶表示装置100の非表示領域6)では、平坦化膜17の側端面の下端部17bとゲート絶縁膜12の上面との境界領域(平面的に見て、平坦化膜17とゲート絶縁膜12との境界A、図4参照)を覆うように導電層19が形成されている。具体的には、導電層19は、平坦化膜17の側端面と、平坦化膜17の側端面に接続される平坦化膜17の略平坦な上面と、平坦化膜17の側端面に接続されるゲート絶縁膜12の上面とを覆うように形成されている。これにより、導電層19は、平面的に見て、約5μm以上約50μm以下の幅W1を有する。また、導電層19は、画素電極18と同一の層(ITOまたはIZOなどの透明電極)から形成されている。なお、導電層19は、画素電極18と電気的に分離されている。また、図1に示すように、導電層19は、平坦化膜17の外周部のうち、平面的に見て、基板1の駆動IC4が設けられない3つの辺に沿って延びるように設けられている。なお、後述するように、導電層19は、スパッタ法によって形成されており、CVD(Chemical Vapor Deposition)法によって形成される低温パッシベーション膜20と比べて、導電層19は、平坦化膜17と密着性がより高く、平坦化膜17からより剥がれ難く形成されている。
また、画素電極18の表面上には、SiNなどからなる低温パッシベーション膜20が形成されている。なお、低温パッシベーション膜20は、本発明の「第2絶縁膜」の一例である。ここで、第1実施形態では、基板1の端部近傍(非表示領域6)においても、導電層19の基板1の端部側(矢印X1方向側)の端部とゲート絶縁膜12の上面との境界領域(平面的に見て、導電層19とゲート絶縁膜12との境界B、図4参照)を覆うように低温パッシベーション膜20aが形成されている。なお、低温パッシベーション膜20aは、本発明の「第1絶縁膜」の一例である。また、低温パッシベーション膜20aは、画素電極18の表面上に形成される低温パッシベーション膜20と同一の層からなる。また、低温パッシベーション膜20aは、低温パッシベーション膜20と連続した状態で形成されている。また、低温パッシベーション膜20aは、導電層19の基板1の端部と反対側(矢印X2方向側)の端部と平坦化膜17の表面との境界領域と、導電層19の上面とを覆うように形成されている。
また、第1実施形態では、図3に示すように、低温パッシベーション膜20(20a)は、基板1の端部(基板1の駆動IC4が設けられない3辺)まで延びるように形成されている一方、導電層19は、基板1の端部よりも内側に形成されている。そして、低温パッシベーション膜20aは、導電層19の上面を覆うとともに、側面も覆っている。つまり、導電層19の上面および側面は露出しないように構成されている。
また、低温パッシベーション膜20の表面上には、複数の画素3に跨るように、ITOなどの透明電極からなる共通電極21が形成されている。なお、共通電極21は、本発明の「第2透明電極」の一例である。また、共通電極21は、約50nm以上約150nm以下の厚みを有する。また、図2に示すように、共通電極21には、複数のスリット21aが設けられており、スリット21aを介して画素電極18と共通電極21との間で電界が発生するように構成されている。これにより、画素電極18と共通電極21との間の横方向の電界によって液晶が駆動されるFFS(Fringe Field Switching)方式の液晶表示装置100が構成される。また、共通電極21の表面上には、図示しないポリイミドなどの有機膜からなる配向膜が形成されている。
また、図3に示すように、基板2の基板1側の表面上には、樹脂などから形成されるブラックマトリクス31が形成されている。ブラックマトリクス31は、平面的に見て、画素3の境界上に形成されるとともに、マトリクス状に形成されている。また、基板2およびブラックマトリクス31の表面上には、カラーフィルター32が形成されている。また、ブラックマトリクス31およびカラーフィルター32の表面上には、保護膜としてのオーバーコート33が形成されている。オーバーコート33の表面上には、ポリイミドなどの有機膜からなる図示しない配向膜が形成されている。そして、基板1側の配向膜と基板2側の配向膜との間にシール材34が設けられており、基板1と基板2とが貼り合わされている。そして、基板1側の配向膜と基板2側の配向膜との間には、液晶層35が封入されている。
次に、図3および図5〜図10を参照して、本実施形態における液晶表示装置100の製造プロセスについて説明する。
まず、図5に示すように、大板状態の基板1aの表面上にゲート電極11を形成する。次に、ゲート電極11と基板1aとの表面上に、CVD法により、SiNなどからなるゲート絶縁膜12を形成する。なお、ゲート絶縁膜12は、基板1aの略全面に形成される。そして、ゲート絶縁膜12を介してゲート電極11と平面的に見て重なるように半導体層13を形成する。次に、半導体層13上に、ゲート電極11および半導体層13と平面的に見て重なるようにソース電極14およびドレイン電極15を形成する。これにより、薄膜トランジスタ16が形成される。
まず、図5に示すように、大板状態の基板1aの表面上にゲート電極11を形成する。次に、ゲート電極11と基板1aとの表面上に、CVD法により、SiNなどからなるゲート絶縁膜12を形成する。なお、ゲート絶縁膜12は、基板1aの略全面に形成される。そして、ゲート絶縁膜12を介してゲート電極11と平面的に見て重なるように半導体層13を形成する。次に、半導体層13上に、ゲート電極11および半導体層13と平面的に見て重なるようにソース電極14およびドレイン電極15を形成する。これにより、薄膜トランジスタ16が形成される。
次に、薄膜トランジスタ16とゲート絶縁膜12との表面上に、塗布法により、アクリル系の感光性樹脂からなる保護膜としての平坦化膜17を形成する。なお、平坦化膜17は、基板1aの略全面に形成される。そして、たとえばフォトリソグラフィー技術により、非表示領域6の端部(大判状態の基板1aを分断する際の分断線近傍)側の平坦化膜17を除去する。また、平坦化膜17の端部を除去するのと同時に、薄膜トランジスタ16のドレイン電極15を露出するように、平坦化膜17にコンタクトホール17aを形成する。
次に、図6に示すように、平坦化膜17の表面上、露出したドレイン電極15の表面上、および、露出したゲート絶縁膜12の表面上に、スパッタ法により、ITOやIZOなどからなる透明導電膜41を形成する。なお、透明導電膜41の一部は、コンタクトホール17aを介して、ドレイン電極15と電気的に接続される。
次に、透明導電膜41の表面上に図示しないレジストを形成した後、透明導電膜41の一部をエッチングにより除去することによって、図7に示すように、表示領域5に画素電極18を形成するとともに、非表示領域6に画素電極18とは電気的に分離された導電層19を形成する。つまり、本実施形態では、画素電極18と導電層19とは、同一の層から形成される。なお、導電層19は、平坦化膜17の側端面の下端部17bと、ゲート絶縁膜12の上面との境界領域を覆うように形成される。具体的には、導電層19は、平坦化膜17の側端面と、側端面に接続される平坦化膜17の略平坦な上面と、側端面に接続されるゲート絶縁膜12の上面とに形成される。また、導電層19は、平面的に見て、平坦化膜17の外周部のうち、基板1の駆動IC4が設けられない3つの辺(図1参照)に沿って延びるように形成される。その後、レジストを除去する。
次に、図8に示すように、画素電極18および導電層19の表面上に、CVD法により、SiNなどからなる低温パッシベーション膜20(20a)を形成する。これにより、本実施形態では、低温パッシベーション膜20aは、導電層19の分断線側(矢印X1方向側)の端部とゲート絶縁膜12の上面との境界領域を覆うように形成されるとともに、導電層19の分断線と反対側(矢印X2方向側)の端部と平坦化膜17の表面との境界領域も覆うように形成される。また、低温パッシベーション膜20aは、互いに隣接する液晶表示装置100の非表示領域6に跨るように形成される。
そして、図9に示すように、低温パッシベーション膜20(20a)の表面上に、スパッタ法とエッチングとを用いて、ITOやIZOなどからなり、複数のスリット21aを有する共通電極21を形成する。次に、共通電極21の表面上に、塗布法により、ポリイミドなどからなる図示しない配向膜を形成する。
次に、大板状態の基板2aの表面上に、たとえば黒色の樹脂材料からなる膜を形成し、エッチングすることにより、ブラックマトリクス31を形成する。その後、フォトリソグラフィー技術により、画素3(図1参照)毎に赤(R)、緑(G)および青(B)のカラーフィルター32を形成する。次に、ブラックマトリクス31およびカラーフィルター32の表面上に、塗布法により、アクリル系の感光性樹脂からなるオーバーコート33を形成する。その後、オーバーコート33の表面上にポリイミドなどからなる図示しない配向膜を形成する。
次に、たとえばディスペンサ方式により、図示しない配向膜の表面上にシール材34を塗布するとともに、基板1aと基板2aとの貼り合わせを行う。
最後に、基板1aおよび基板2aを分断線に沿って分断するとともに、基板1aと基板2aとの間に液晶層35を注入する。ここで、分断の際には、導電層19の上面と側面とが低温パッシベーション膜20(20a)に覆われるように、低温パッシベーション膜20(20a)を分断する。そして、駆動IC4およびバックライト7を取り付けることによって、横電界モードの液晶表示装置100(図1参照)が完成する。
最後に、基板1aおよび基板2aを分断線に沿って分断するとともに、基板1aと基板2aとの間に液晶層35を注入する。ここで、分断の際には、導電層19の上面と側面とが低温パッシベーション膜20(20a)に覆われるように、低温パッシベーション膜20(20a)を分断する。そして、駆動IC4およびバックライト7を取り付けることによって、横電界モードの液晶表示装置100(図1参照)が完成する。
本実施形態では、上記のように、平坦化膜17の側端面の下端部17bと平坦化膜17が設けられるゲート絶縁膜12の上面との境界領域を覆う導電層19を設けることによって、平坦化膜17が剥離するのを導電層19によって抑制することができる。また、導電層19の基板1の端部側の端部とゲート絶縁膜12の上面との境界領域を覆う低温パッシベーション膜20aを設けることによって、導電層19が平坦化膜17から剥離するのを低温パッシベーション膜20aによって抑制することができる。その結果、平坦化膜17が剥離するのをより抑制することができるので、平坦化膜17が剥離することに起因して、薄膜トランジスタ16を構成するソース電極14およびドレイン電極15が腐食するのを抑制することができる。
また、本実施形態では、上記のように、低温パッシベーション膜20aを、基板1の端部まで延びるように形成するとともに、導電層19を、基板1の端部よりも内側に形成して、低温パッシベーション膜20aを、導電層19の上面と側面とを覆うように形成した。これにより、導電層19が露出するのを低温パッシベーション膜20aによって抑制することができるので、導電層19が水分などにより腐食するのを抑制することができる。その結果、導電層19が平坦化膜17から剥離するのをより抑制することができる。
また、本実施形態では、上記のように、低温パッシベーション膜20aを、導電層19の基板1の端部側の端部とゲート絶縁膜12の上面との境界領域のみならず、導電層19の基板1の端部と反対側の端部と平坦化膜17の表面との境界領域も覆うように設けた。これにより、導電層19の基板1の端部側が平坦化膜17の表面から剥離するのを低温パッシベーション膜20aにより抑制できるとともに、導電層19の基板1の端部と反対側の端部が平坦化膜17の表面から剥離するのを低温パッシベーション膜20aにより抑制することができる。その結果、導電層19が平坦化膜17から剥離するのをより抑制することができる。
また、本実施形態では、上記のように、平坦化膜17を、薄膜トランジスタ16を構成するソース電極14およびドレイン電極15の表面を直接覆うように形成して、導電層19を、平坦化膜17の側端面の下端部17bとゲート絶縁膜12の上面との境界領域を覆うように設けて、低温パッシベーション膜20aを、導電層19の基板1の端部側の端部とゲート絶縁膜12の上面との境界領域を覆うように設けた。これにより、低温パッシベーション膜20aが剥離した場合にも、平坦化膜17の側端面の下端部17bと平坦化膜17が設けられるゲート絶縁膜12の上面との境界領域が導電層19によって覆われているので、平坦化膜17が剥離してソース電極14およびドレイン電極15が露出するのを抑制することができる。
また、本実施形態では、上記のように、導電層19を、平坦化膜17の側端面と、平坦化膜17の側端面に接続される平坦化膜17の略平坦な上面とを覆うように形成した。これにより、導電層19と平坦化膜17との接触面積が大きくなるので、導電層19が平坦化膜17から剥離するのをさらに抑制することができる。
また、本実施形態では、上記のように、導電層19を、画素電極18と同一の層から形成した。これにより、導電層19と、画素電極18とを同一の製造工程によって形成することができるので、容易に、平坦化膜17の剥離を抑制するための導電層19を形成することができる。
また、本実施形態では、上記のように、導電層19の表面上に設けられる低温パッシベーション膜20aを、画素電極18と共通電極21との間に設けられる低温パッシベーション膜20と同一の層から形成した。これにより、導電層19の表面上に設けられる低温パッシベーション膜20aと、画素電極18と共通電極21との間に設けられる低温パッシベーション膜20とを同一の製造工程によって形成することができるので、容易に、平坦化膜17および導電層19の剥離を抑制するための低温パッシベーション膜20aを形成することができる。
また、本実施形態では、上記のように、導電層19を、基板1の駆動IC4が設けられない3辺に沿って延びるように設けた。これにより、平坦化膜17の外周部のうち、少なくとも駆動IC4が設けられない3辺が剥離するのを導電層19によって抑制することができる。
図10〜図12は、それぞれ、上記した本実施形態による液晶表示装置100を用いた電子機器の第1の例〜第3の例を説明するための図である。図10〜図12を参照して、本実施形態による液晶表示装置100を用いた電子機器について説明する。
本実施形態による液晶表示装置100は、図10〜図12に示すように、第1の例としてのPC(Personal Computer)300、第2の例としての携帯電話400、および、第3の例としての情報携帯端末500(PDA:Personal Digital Assistants)などに用いることが可能である。
図10の第1の例によるPC300においては、表示画面310などに本実施形態による液晶表示装置100を用いることが可能である。図11の第2の例による携帯電話400においては、表示画面410に本実施形態による液晶表示装置100を用いることが可能である。図12の第3の例による情報携帯端末500においては、表示画面510に本実施形態による液晶表示装置100を用いることが可能である。
なお、今回開示された実施形態は、すべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は、上記した実施形態の説明ではなく特許請求の範囲によって示され、さらに特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれる。
たとえば、上記実施形態では、導電層が、平坦化膜の側端面と、側端面に接続される平坦化膜の平坦な上面と、平坦化膜の側端面に接続されるゲート絶縁膜の上面とに形成される例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、導電層は、平坦化膜の側端面の下端部と平坦化膜の下層絶縁膜の上面との境界領域を少なくとも覆うように形成されていればよい。
また、上記実施形態では、低温パッシベーション膜が、導電層の上面および側面を覆うように形成される例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、低温パッシベーション膜は、少なくとも導電層の基板の端部側の端部と平坦化膜の下層絶縁膜の上面との境界領域を覆うように形成されていればよい。
また、上記実施形態では、導電層が、基板の駆動ICが設けられない3辺に沿って延びるように設けられている例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、導電層が、基板の駆動ICが設けられない3辺のうちの1辺または2辺に沿って延びるように設けられていてもよい。また、導電層を、基板の駆動ICが設けられない辺のみならず、基板の駆動ICが設けられる辺に沿って延びるように設けてもよい。
また、上記実施形態では、導電層が、画素電極と同一の層からなる例を示したが、本発明はこれに限らない。本発明では、平坦化膜の表面上に共通電極を設けて、導電層が、共通電極と同一の層からなるようにしてもよい。
また、上記実施形態では、半導体層が、アモルファスシリコン(a−Si)から形成されている例を示したが、本発明はこれに限らない。たとえば、半導体層をポリシリコン(p−Si)から形成してもよい。
1 基板 4 駆動IC(集積回路) 12 ゲート絶縁膜(下層) 16 薄膜トランジスタ 17 平坦化膜(有機膜) 17b 下端部 18
画素電極(第1透明電極) 19 導電層 20 低温パッシベーション膜(第2絶縁膜) 20a 低温パッシベーション膜(第1絶縁膜) 21 共通電極(第2透明電極)
画素電極(第1透明電極) 19 導電層 20 低温パッシベーション膜(第2絶縁膜) 20a 低温パッシベーション膜(第1絶縁膜) 21 共通電極(第2透明電極)
Claims (9)
- 基板と、
前記基板の表面上に形成される薄膜トランジスタと、
前記薄膜トランジスタの表面を覆うように形成される有機膜と、
前記有機膜の側端面の下端部と前記有機膜が設けられる下層の上面との境界領域を少なくとも覆うように設けられる導電層と、
前記導電層の前記基板の端部側の端部と前記下層の上面との境界領域を少なくとも覆うように設けられる第1絶縁膜とを備える、液晶表示装置。 - 前記第1絶縁膜は、前記基板の端部まで延びるように形成されるとともに、前記導電層は、前記基板の端部よりも内側に形成されており、
前記第1絶縁膜は、前記導電層の上面と側面とを覆うように形成されている、請求項1に記載の液晶表示装置。 - 前記第1絶縁膜は、前記導電層の前記基板の端部と反対側の端部と、前記有機膜の表面との境界領域を覆うように設けられている、請求項1または2に記載の液晶表示装置。
- 前記下層は、前記基板の端部まで延びるように形成され、前記薄膜トランジスタを構成するゲート絶縁膜を含み、
前記有機膜は、前記薄膜トランジスタを構成するソース電極およびドレイン電極の表面を直接覆うとともに、前記ゲート絶縁膜を覆うように形成され、
前記導電層は、前記有機膜の側端面の下端部と前記ゲート絶縁膜の上面との境界領域を少なくとも覆うように設けられ、
前記第1絶縁膜は、前記導電層の前記基板の端部側の端部と前記ゲート絶縁膜の上面との境界領域を少なくとも覆うように設けられている、請求項1〜3のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 - 前記有機膜は、前記薄膜トランジスタが形成される前記基板の表面を略平坦にするための平坦化膜を含み、
前記導電層は、前記平坦化膜の側端面と、前記平坦化膜の側端面に接続される前記平坦化膜の略平坦な上面の一部とを覆うように形成されている、請求項1〜4のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 - 前記有機膜の表面上に設けられ、画素電極または共通電極のうちの一方を構成する第1透明電極をさらに備え、
前記導電層は、前記第1透明電極と同一の層から形成されている、請求項1〜5のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 - 前記第1透明電極の表面上に設けられる第2絶縁膜と、
前記第2絶縁膜の表面上に設けられ、前記画素電極または前記共通電極のうちの他方を構成する第2透明電極とをさらに備え、
前記導電層の表面上に設けられる前記第1絶縁膜は、前記第1透明電極と前記第2透明電極との間に設けられる前記第2絶縁膜と同一の層から形成されている、請求項6に記載の液晶表示装置。 - 前記基板は、平面的に見て、略矩形形状に形成され、
前記導電層は、少なくとも前記基板の集積回路が設けられない3辺のうちの少なくとも1辺に沿って延びるように設けられている、請求項1〜7のいずれか1項に記載の液晶表示装置。 - 請求項1〜8のいずれか1項に記載の液晶表示装置を備える、電子機器。
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