CN105206616B - 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种薄膜晶体管阵列基板、其制作方法及使用该基板的液晶显示装置。基板的第一绝缘保护层形成在基板上并覆盖第一金属层；半导体层形成在第一绝缘保护层上并位于第一金属层上方；第二金属层形成在第一绝缘保护层上，包括源极、漏极和数据线；第二绝缘保护层形成在第一绝缘保护层上，第二绝缘保护层在对应源极和漏极的位置上具有第一通孔，第二绝缘保护层覆盖第一通孔外的第二金属层；第一电极形成在第二绝缘保护层上并覆盖第一通孔内的源极和漏极；第三绝缘保护层形成在第一电极上并同时覆盖第二绝缘保护层、第一电极、源极和漏极之间露出的半导体层；第二电极形成在第三绝缘保护层上。本发明可以提高液晶显示装置的开口率和穿透率。

Description

薄膜晶体管阵列基板及其制作方法、液晶显示装置

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，且特别是涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，以及使用该薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置。

背景技术

目前，液晶显示装置(LCD，Liquid Crystal Display)的显示屏幕越来越大，而在大尺寸的显示屏幕中，每英寸所拥有的像素数目(PPI，Pixels Per Inch)数值越高，即代表显示屏幕能够以越高的密度显示图像，图像的细节就会越丰富。但在相同尺寸的显示区域内，像素数目越高，所形成的像素区域的面积也会越小，每个像素区域内的透光区域的面积也会变小，因此，现有的高PPI的液晶显示装置的开口率和穿透率依然较低。为了提高液晶显示装置的开口率和穿透率，一般的方法是使用新材料或者使用新技术如低温多晶硅技术(LTPS，Low Temperature Poly-silicon)、有机发光二极管技术(OLED，Organic LightEmitting Diode)等，而新材料和新技术的制程条件苛刻且良率较低。

图1是现有一种液晶显示装置的薄膜晶体管阵列基板的平面结构示意图，图2是图1所示的薄膜晶体管阵列基板的沿Ⅱ-Ⅱ线的剖面结构示意图，请参阅图1和图2，薄膜晶体管阵列基板1包括多条扫描线和多条数据线，且多条扫描线和多条数据线相互交叉限定出多个像素区域，扫描线和数据线交叉位置处设置有薄膜晶体管，图1中所示的是薄膜晶体管阵列基板中的一个像素区域内的示意图。现有的薄膜晶体管阵列基板1包括基板10、栅极11、第一绝缘保护层12、半导体层13、源极14a和漏极14b、第二绝缘保护层15、第一电极16、第三绝缘保护层17和第二电极18。栅极11形成在基板10上。第一绝缘保护层12形成在基板10上并覆盖栅极11。半导体层13形成在第一绝缘保护层12上并位于栅极11上方。源极14a和漏极14b形成在第一绝缘保护层12上，源极14a和漏极14b彼此分隔并分别与半导体层13接触，以使部分的半导体层13从源极14a和漏极14b之间露出。第二绝缘保护层15形成在第一绝缘保护层12上，并覆盖源极14a和漏极14b以及从源极14a和漏极14b之间露出部分的半导体层13，在第二绝缘保护层15上形成通孔15a，以导通漏极14b和第一电极16。第一电极16形成在第二绝缘保护层15上，并填入通孔15a中与漏极14b接触实现电连接。第三绝缘保护层17覆盖第一电极16以及第一电极16未盖住的第二绝缘保护层15的部分。第二电极18形成在第三绝缘保护层17上。

为了使第一电极16与漏极14b电连接更可靠，用于导通第一电极16与漏极14b的通孔15a要设计得较大，因此，需将漏极14b设计为方形且面积相对通孔15a更大才不会在形成通孔15a时影响到漏极14b下方的其它层结构如半导体层13等，而漏极14b的材料是不透光材料，遮挡住了薄膜晶体管阵列基板1中的像素区域内的部分透光区域，因此，漏极14b的面积较大会导致薄膜晶体管阵列基板1的像素区域内的开口(即透光区域)面积相应变小，薄膜晶体管阵列基板1的开口率较低。液晶显示装置包括对置的薄膜晶体管阵列基板1和彩色滤光基板，彩色滤光基板上设置有用于遮挡两块基板中所有不透光材料的黑矩阵层(图未绘示)，若漏极14b的面积过大，则黑矩阵层也要相应制作成与漏极14b面积匹配的大小将漏极14b遮挡住，最终所形成的液晶显示装置的开口率和穿透率依然较低。因此，提高液晶显示装置的开口率和穿透率成为当下急待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于，提供了一种薄膜晶体管阵列基板，其有助于提高液晶显示装置开口率，进而提高液晶显示装置的穿透率。

本发明的另一目的在于，提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其所制作的薄膜晶体管阵列基板有助于提高液晶显示装置的开口率，进而提高液晶显示装置的穿透率。

本发明的又一目的在于，提供了一种液晶显示装置，其具有较高的开口率和穿透率。

本发明解决其技术问题是采用以下的技术方案来实现的。

一种薄膜晶体管阵列基板，包括基板、第一金属层、第一绝缘保护层、半导体层、第二金属层、第二绝缘保护层、第一电极、第三绝缘保护层和第二电极。第一金属层形成在基板上；第一绝缘保护层形成在基板上并覆盖第一金属层；半导体层形成在第一绝缘保护层上并位于第一金属层上方；第二金属层形成在第一绝缘保护层上，包括源极、漏极和数据线，源极和漏极彼此分隔并分别与半导体层接触，部分的半导体层从源极和漏极之间露出；第二绝缘保护层形成在第一绝缘保护层上，第二绝缘保护层在对应源极和漏极的位置上具有第一通孔，第一通孔内露出源极、漏极、源极和漏极之间的半导体层，第二绝缘保护层覆盖第一通孔外的第二金属层；第一电极形成在第二绝缘保护层上并覆盖第一通孔内的源极和漏极；第三绝缘保护层形成在第一电极上并同时覆盖第二绝缘保护层、第一电极、源极和漏极之间露出的半导体层；第二电极形成在第三绝缘保护层上。

在本发明较佳实施例中，上述源极与数据线电连接，漏极与第一电极电连接。

在本发明较佳实施例中，上述在本发明较佳实施例中，上述漏极呈长条状并靠近源极，漏极的长度方向垂直于数据线的长度方向。

一种液晶显示装置，包括上述的薄膜晶体管阵列基板。

一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，包括在基板上形成第一金属层；形成第一绝缘保护层，并覆盖第一金属层，在第一绝缘保护层形成半导体层，使半导体层位于第一金属层上方；在第一绝缘保护层上形成源漏极金属层以及与源漏极金属层连接的数据线，使源漏极金属层位于半导体层的上方，源漏极金属层将半导体层覆盖住；在第一绝缘保护层上形成第二绝缘保护层，且第二绝缘保护层在对应源漏极金属层的位置上形成第一通孔以露出源漏极金属层；在第二绝缘保护层上形成第一电极，并使源漏极金属层形成彼此分隔的源极和漏极并使部分半导体层从源极和漏极之间暴露出来，第一电极覆盖第一通孔内的源极和漏极，由源极、漏极和数据线组成的第二金属层；在第一电极上形成第三绝缘保护层，第三绝缘保护层同时覆盖第二绝缘保护层、第一电极、源极和漏极之间的半导体层；在第三绝缘保护层上形成第二电极。

在本发明较佳实施例中，上述形成第一电极并使源漏极金属层形成彼此分隔的源极和漏极的具体方法包括在第二绝缘保护层上沉积一层透明导电材料薄膜层，透明导电材料薄膜层同时覆盖住位于第一通孔内的源漏极金属层，对覆盖在源漏极金属层上的透明导电材料薄膜层进行蚀刻形成缺口，对缺口下方的源漏极金属层进行蚀刻以形成彼此分隔的源极和漏极。

在本发明较佳实施例中，上述具体方法在同一道光罩制程中完成。

在本发明较佳实施例中，上述形成第三绝缘保护层之后形成第二电极之前，制作方法还包括在薄膜晶体管阵列基板的显示区域外围形成第二通孔。

在本发明较佳实施例中，上述源极与数据线电连接，漏极与第一电极电连接。

在本发明较佳实施例中，上述漏极呈长条状并靠近源极，漏极的长度方向垂直于数据数的长度方向。

本发明的有益效果是，薄膜晶体管阵列基板的第二绝缘保护层的第一通孔形成在对应源极和漏极的位置上，即也同时与半导体层所在的位置相对应，因此，在薄膜晶体管阵列基板的制作过程中，在蚀刻第二绝缘保护层形成第一通孔时为了避免同时蚀刻掉半导体层，先形成源漏极金属层覆盖住半导体层，之后在形成第一电极时源漏极金属层进行蚀刻形成彼此分隔的源极和漏极并使部分的半导体层从源极和漏极之间暴露出来。由于第一电极直接在第一通孔内覆盖漏极与漏极接触实现电连接，漏极无需设计成较大的面积，因此，薄膜晶体管阵列基板中的像素区域内的透光区域面积增大，也即薄膜晶体管阵列基板的像素区域内的开口面积增大，有效地提高了液晶显示装置的开口率进而提高了穿透率。

上述说明仅是本发明技术方案的概述，为了能够更清楚了解本发明的技术手段，而可依照说明书的内容予以实施，并且为了让本发明的上述液晶显示装置及其制作方法和其他目的、特征和优点能够更明显易懂，以下特举较佳实施例，并配合附图，详细说明。

附图说明

图1是现有一种液晶显示装置的薄膜晶体管阵列基板的平面结构示意图。

图2是图1所示的薄膜晶体管阵列基板的沿Ⅱ-Ⅱ线的剖面结构示意图。

图3是本发明较佳实施例的液晶显示装置的薄膜晶体管阵列基板的平面结构示意图。

图4A至图4F是图3所示的薄膜晶体管阵列基板的制作流程的平面结构示意图。

图5A至图5F是图3所示的薄膜晶体管阵列基板的沿Ⅴ-Ⅴ线的剖面制作流程示意图。

图6是具有本发明较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置与具有现有的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置的穿透率-电压的效果对比图。

具体实施方式

为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效，以下结合附图及较佳实施例，对依据本发明提出的薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，以及具有此薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置的具体实施方式、结构、特征及其功效，详细说明如下：

有关本发明的前述及其它技术内容、特点及功效，在以下配合参考图的较佳实施例的详细说明中将可清楚呈现。通过具体实施方式的说明，当可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效得以更加深入且具体的了解，然而所附图仅是提供参考与说明之用，并非用来对本发明加以限制。

图3是本发明较佳实施例的液晶显示装置的薄膜晶体管阵列基板的平面结构示意图。图4A至图4F是图3所示的薄膜晶体管阵列基板的制作流程的平面结构示意图。图5A至图5F是图3所示的薄膜晶体管阵列基板的沿Ⅴ-Ⅴ线的剖面制作流程示意图。请一并参阅图3、图4A至图4F和图5A至图5F，需要说明的是，薄膜晶体管阵列基板200包括多条扫描线(图未绘示)和多条数据线14c，且多条扫描线和多条数据线14c相互交叉限定出多个像素区域，扫描线和数据线14c交叉位置处设置有薄膜晶体管，此为本领域技术人员所熟知技术，在此不再赘述。为了图示简洁，图3、图4A至图4F、图5A至图5F仅绘示对应薄膜晶体管阵列基板200的一个像素区域的局部结构示意图，并且为了更方便直观地体现像素区域内由不透光材料形成的各元件之间的位置关系，图3、图4A至图4F未绘示出由透明材料形成的基板100、第一绝缘保护层120、第二绝缘保护层150和第三绝缘保护层170，有关基板100、第一绝缘保护层120、第二绝缘保护层150和第三绝缘保护层170的位置关系可参考图5A至图5F。以下将对本实施例的薄膜晶体管阵列基板200的制作方法做进一步的详细说明。

步骤S11：请参照图4A和图5A，利用第一道光罩制程在基板100上形成第一金属层110。基板100例如是透明玻璃基板，第一金属层110例如是栅极。在形成第一金属层110时还在基板100上同时形成与栅极相连接的扫描线，此为本领域技术人员所熟知技术，在此不再详细描述，并且下文所提及的第一金属层110仅指代在扫描线和数据线14c交叉位置处设置的薄膜晶体管的栅极。

步骤S12：请参照图4B和图5B，在基板100上形成第一绝缘保护层120，并覆盖第一金属层110和扫描线，第一绝缘保护层120例如是栅极绝缘层。接着利用第二道光罩制程在第一绝缘保护层120上形成半导体层130，使半导体层130位于第一金属层110的上方。半导体层130例如是非晶硅(a-Si)半导体层，但并不以此为限。

步骤S13：请参照图4C和图5C，在半导体层130形成之后，利用第三道光罩制程在第一绝缘保护层120上形成源漏极金属层140以及与源漏极金属层140连接的数据线140c，使源漏极金属层140位于半导体层130的上方，源漏极金属层140将半导体层130覆盖住。

步骤S14：请参照图4D和图5D，在源漏极金属层140和数据线140c形成之后，利用第四道光罩制程在第一绝缘保护层120上形成第二绝缘保护层150，且第二绝缘保护层150在对应源漏极金属层140的位置上形成第一通孔150a以露出源漏极金属层140。第二绝缘保护层150例如是由氮化硅(SiNx)形成的钝化层(PV，Passivation)或者是由有机树脂形成的保护层(OC，Overcoat)。由于第一通孔150a也同时与半导体层130所在的位置相对应，在蚀刻第二绝缘保护层150形成第一通孔150a时为了避免同时蚀刻掉半导体层130，源漏极金属层140需要覆盖住半导体层130。

步骤S15：请参照图4E和图5E，利用第五道光罩制程在第二绝缘保护层150上形成第一电极160，并使源漏极金属层140形成彼此分隔的源极140a和漏极140b。第一电极160例如是像素电极，例如是由氧化铟锡(ITO，Indium Tin Oxide)等透明导电材料制成，但并不以此为限。具体地，先在第二绝缘保护层150上沉积一层用于形成第一电极160的透明导电材料薄膜层，该透明导电材料薄膜层同时覆盖住位于第一通孔150a内的源漏极金属层140，接着对该透明导电材料薄膜层进行图案化以形成第一电极160，在形成第一电极160时，先对覆盖在源漏极金属层140上的透明导电材料薄膜层进行蚀刻形成缺口160a，再继续对缺口160a下方的源漏极金属层140进行蚀刻以形成彼此分隔的源极140a和漏极140b，使部分半导体层130从源极140a和漏极140b之间暴露出来，最终形成由源极140a、漏极140b和数据线140c组成的第二金属层(图未标号)，也即第二金属层包括源极140a、漏极140b和数据线140c，源极140a和漏极140b彼此分隔并分别与半导体层130接触，部分半导体层130从源极140a和漏极140b之间露出。对透明导电材料薄膜层进行蚀刻形成第一电极160和对源漏极金属层140进行蚀刻形成彼此分隔的源极140a和漏极140b是在同一道光罩制程中完成的。本实施例中，源极140a与数据线140c电连接，第一电极160填入第一通孔150a内与漏极140b接触实现电连接，但并不以此为限。值得一提的是，位于源极140a上方的透明导电材料薄膜层并不会与最终形成的第一电极160连接成一个整体，仅仅是为了能在同一道光罩制程中形成源极140a而保留了下来。最终形成的漏极140b呈长条状位于相邻两条数据线140c之间并靠近源极140a，漏极140b的长度方向与扫描线的长度方向一致，且漏极140b的面积相较现有技术减小了大部分。

步骤S16：在第一电极160上形成第三绝缘保护层170，第三绝缘保护层170同时覆盖第二绝缘保护层150、第一电极160以及源极140a和漏极140b之间的半导体层130。接着利用第六道光罩制程在薄膜晶体管阵列基板200的显示区域外围形成第二通孔(图未绘示)用于制作周边连线，此为本领域技术人员所熟知技术，在此不再赘述。

步骤S17：请参照图4F和图5F，利用第七道光罩制程在第三绝缘保护层170上形成第二电极180。第二电极180例如是公共电极，例如是由氧化铟锡(ITO，Indium Tin Oxide)等透明导电材料制成，但并不以此为限。

利用以上七道光罩制程制作的如图3、图4F和图5F所示的薄膜晶体管阵列基板200包括基板100、第一金属层110、第一绝缘保护层120、半导体层130、第二金属层、第二绝缘保护层150、第一电极160、第三绝缘保护层170和第二电极180。第一金属层110形成基板100上，基板100例如是透明玻璃基板，第一金属层110例如是栅极。第一绝缘保护层120形成在基板100上并覆盖第一金属层110，第一绝缘保护层120例如是栅极绝缘层。半导体层130形成在第一绝缘保护层120上并位于第一金属层110的上方。第二金属层形成在第一绝缘保护层120上，包括源极140a、漏极140b和数据线140c，源极140a和漏极140b彼此分隔并分别与半导体层130接触，部分的半导体层130从源极140a和漏极140b之间露出，本实施例中，源极140a与数据线140c电连接，漏极140b呈长条状位于相邻两条数据线140c之间并靠近源极140a，漏极140b的长度方向与扫描线的长度方向一致，但并不以此为限。第二绝缘保护层150形成在第一绝缘保护层120上，且第二绝缘保护层150在对应源极140a和漏极140b的位置上具有第一通孔150a，第一通孔150a内露出源极140a、漏极140b以及源极140a和漏极140b之间的半导体层130，第二绝缘保护层150覆盖第一通孔150a外的第二金属层。第一电极160形成在第二绝缘保护层150上并覆盖第一通孔150a内的源极140a和漏极140b，并与漏极140b接触实现电连接。第三绝缘保护层170形成在第一电极160上并同时覆盖第二绝缘保护层150、第一电极160以及源极140a和漏极140b之间的半导体层130。第二电极180形成在第三绝缘保护层170上。

薄膜晶体管阵列基板200的第二绝缘保护层150的第一通孔150a形成在对应源极140a和漏极140b的位置上，即也同时与半导体层130所在的位置相对应，因此，在薄膜晶体管阵列基板200的制作过程中，在蚀刻第二绝缘保护层150形成第一通孔150a时为了避免同时蚀刻掉半导体层130，先形成源漏极金属层140覆盖住半导体层130，之后在形成第一电极160时用同一道光罩制程对源漏极金属层140进行蚀刻形成彼此分隔的源极140a和漏极140b并使部分的半导体层130从源极140a和漏极140b之间暴露出来。由于第一电极160直接在第一通孔150a内覆盖漏极140b与漏极140b接触实现电连接，漏极140b无需设计成较大的面积，因此，薄膜晶体管阵列基板200中的像素区域内的透光区域面积增大，也即薄膜晶体管阵列基板200的像素区域内的开口面积增大，有效地提高了薄膜晶体管阵列基板200的开口率。

可以理解的是，薄膜晶体管阵列基板200可作为液晶显示装置的下基板，例如液晶显示装置包括薄膜晶体管阵列基板200和与薄膜晶体管阵列基板200相对设置的上基板(例如彩色滤光基板等)、以及夹设于薄膜晶体管阵列基板200与上基板之间的液晶层，在此不再赘述。液晶显示装置的薄膜晶体管阵列基板200中用于连接第一电极160和漏极140b的第一通孔150a形成在对应源极140a和漏极140b的位置上，因此，漏极140b只需设计成较小面积的长条形即可。液晶显示装置的上基板设置有用于遮挡液晶显示装置中不透光材料的黑矩阵层190，如图3中所示，由于漏极140b的面积较小，黑矩阵层190的所占用的面积也相对减小，液晶显示装置的薄膜晶体管阵列基板200的像素区域内的透光区域面积相对增大，因此有效地提高了液晶显示装置的开口率进而提高了穿透率。

图6是具有本发明较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置与具有现有的薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置的穿透率-电压的效果对比图。请参阅图6，曲线①为具有现有的薄膜晶体管阵列基板1的液晶显示装置的穿透率与电压的关系曲线，而曲线②为具有本发明较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板200的液晶显示装置的穿透率与电压的关系曲线，通过图6可以看出，在相同像素区域尺寸(如26μm×78μm)、相同的盒厚(如3.2μm)、相同的液晶和相同的电压(如5V)下，即在相同的制程能力下具有本发明较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板200的液晶显示装置与具有现有的薄膜晶体管阵列基板1的液晶显示装置相比开口率提升了4.2％、穿透率提升了3.8％。因此，具有本发明较佳实施例的薄膜晶体管阵列基板200的液晶显示装置的开口率和穿透率均得到了较好的提升，液晶显示装置具有更加完美的显示效果。

以上对本发明所提供的薄膜晶体管阵列基板及其制作方法，以及具有此薄膜晶体管阵列基板的液晶显示装置进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：

基板；

第一金属层，形成在所述基板上；

第一绝缘保护层，形成在所述基板上并覆盖所述第一金属层；

半导体层，形成在所述第一绝缘保护层上并位于所述第一金属层上方；

第二金属层，形成在所述第一绝缘保护层上，包括源极、漏极和数据线，所述源极和所述漏极彼此分隔并分别与所述半导体层接触，部分的所述半导体层从所述源极和所述漏极之间露出；

第二绝缘保护层，形成在所述第一绝缘保护层上，所述第二绝缘保护层在对应所述源极和所述漏极的位置上具有第一通孔，所述第一通孔内露出所述源极、所述漏极、所述源极和所述漏极之间的所述半导体层，所述第二绝缘保护层覆盖所述第一通孔外的所述第二金属层；

第一电极，形成在所述第二绝缘保护层上并覆盖所述第一通孔内的所述源极和所述漏极，所述第一电极与所述漏极直接接触电连接，且所述第一通孔内的所述源极、所述漏极与所述第一电极同步形成；

第三绝缘保护层，形成在所述第一电极上并同时覆盖所述第二绝缘保护层、所述第一电极、所述源极和所述漏极之间露出的所述半导体层；以及第二电极，形成在所述第三绝缘保护层上。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述源极与所述数据线电连接。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述漏极呈长条状并靠近所述源极，所述漏极的长度方向垂直于所述数据线的长度方向。

4.一种液晶显示装置，其特征在于，包括如权利要求1至3任一项所述的薄膜晶体管阵列基板。

5.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在基板上形成第一金属层；

形成第一绝缘保护层，并覆盖所述第一金属层，在所述第一绝缘保护层形成半导体层，使所述半导体层位于所述第一金属层上方；

在所述第一绝缘保护层上形成源漏极金属层以及与所述源漏极金属层连接的数据线，使所述源漏极金属层位于所述半导体层的上方，所述源漏极金属层将所述半导体层覆盖住；

在所述第一绝缘保护层上形成第二绝缘保护层，且所述第二绝缘保护层在对应所述源漏极金属层的位置上形成第一通孔以露出所述源漏极金属层；

在所述第二绝缘保护层上形成第一电极，在形成所述第一电极时同步将所述第一通孔内的所述源漏极金属层形成彼此分隔的源极和漏极并使部分所述半导体层从所述源极和所述漏极之间暴露出来，所述第一电极覆盖所述第一通孔内的所述源极和所述漏极并与所述漏极直接接触电连接，由所述源极、所述漏极和所述数据线组成的第二金属层；

在所述第一电极上形成第三绝缘保护层，所述第三绝缘保护层同时覆盖所述第二绝缘保护层、所述第一电极、所述源极和所述漏极之间的所述半导体层；以及在所述第三绝缘保护层上形成第二电极。

6.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，形成所述第一电极并使所述源漏极金属层形成彼此分隔的所述源极和所述漏极的具体方法包括：

在所述第二绝缘保护层上沉积一层透明导电材料薄膜层，所述透明导电材料薄膜层同时覆盖住位于所述第一通孔内的所述源漏极金属层；

对覆盖在所述源漏极金属层上的所述透明导电材料薄膜层进行蚀刻形成缺口；以及对所述缺口下方的所述源漏极金属层进行蚀刻以形成彼此分隔的所述源极和所述漏极。

7.如权利要求6所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述具体方法在同一道光罩制程中完成。

8.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，形成所述第三绝缘保护层之后形成所述第二电极之前，所述制作方法还包括在所述薄膜晶体管阵列基板的显示区域外围形成第二通孔。

9.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述源极与所述数据线电连接。

10.如权利要求5所述的薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，所述漏极呈长条状并靠近所述源极，所述漏极的长度方向垂直于所述数据线的长度方向。

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