TW201418855A - 顯示面板之陣列基板及其製作方法 - Google Patents

Abstract

一種製作顯示面板之陣列基板的方法，包含以下步驟。提供基板，基板上形成薄膜電晶體與連接電極。於基板上形成第一保護層與平坦層，平坦層具有第一開口與第二開口，對應薄膜電晶體的汲極電極與連接電極。形成共通電極、第二保護層與光阻圖案層，光阻圖案層暴露第一開口內與第二開口內以及對應共通電極的第二保護層。蝕刻光阻圖案層暴露的第二保護層，形成第三開口、第四開口與第五開口，蝕刻第三開口與第四開口暴露的第一保護層形成第六開口與第七開口，暴露汲極電極與連接電極。移除光阻圖案層，於第二保護層上形成橋接電極與畫素電極。

Description

顯示面板之陣列基板及其製作方法

本發明係關於一種顯示面板之陣列基板及其製作方法，尤指一種可減省一道微影暨蝕刻製程(photolithography and etching process，以下簡稱為PEP)的顯示面板之陣列基板及其製作方法。

平面顯示器，例如液晶顯示器，由於具有輕薄短小、低輻射與低耗電等特性，已取代傳統的陰極射線管(cathode ray tube，CRT)顯示器，並成為顯示器的主流。在顯示器的發展上，係不斷朝著高解析度要求的方向發展。然而，隨著解析度的提升，面板上薄膜電晶體(thin film transistor，TFT)的數量也隨之提升，使得面板上的可利用空間不斷縮小。同時，為了改善開口率與薄膜電晶體的效能，在製程設計上更增加了PEP的次數。然而，可利用空間的縮小以及PEP次數的提升，係導致製程控制的困難度與成本持續升高，而不利於顯示面板的製作與發展，也因此現今顯示器的製作方法莫不以減少PEP次數為重要的發展目標。

由此可知，目前仍需要一種可降低製程困難度與製程成本，同時可有效改善平坦層前後膜層電性連接的畫素結構及 其製作方法。

本發明之一目的在於提供一種顯示面板之陣列基板及其製作方法，以降低製程困難度與製程成本，同時提升顯示面板的良率。

為達上述目的，本發明係提供製作顯示面板之陣列基板之方法。上述方法包括下列步驟。首先提供基板，基板具有畫素區與周邊區，基板之畫素區內形成有至少一薄膜電晶體，且薄膜電晶體包含閘極電極、源極電極與汲極電極，基板之周邊區內則形成有至少一連接電極。接下來於基板上依序形成第一保護層與平坦層，第一保護層覆蓋薄膜電晶體與連接電極，平坦層覆蓋第一保護層。平坦層具有第一開口與第二開口，第一開口係對應於汲極電極並暴露出汲極電極上的部分第一保護層，第二開口則對應於連接電極並暴露出連接電極上的部分第一保護層。隨後，於平坦層上形成第一圖案化透明導電層，且第一圖案化透明導電層包括共通電極。在形成第一圖案化透明導電層之後，係於第一圖案化透明導電層與平坦層上形成第二保護層，並於第二保護層上形成光阻圖案層。光阻圖案層暴露出第一開口內與第二開口內之部分第二保護層，以及暴露出對應於共通電極的部分第二保護層。接下來，蝕刻光阻圖案層所暴露出之第二保護層，以於 第二保護層內形成第三開口、第四開口與第五開口，第三開口暴露第一開口內之部分第一保護層，第四開口暴露出第二開口內之部分第一保護層，第五開口則暴露出部分共通電極。而在形成第三開口、第四開口與第五開口後，係蝕刻第三開口與第四開口所暴露出之第一保護層，以於第一保護層中形成第六開口與第七開口，第六開口暴露出部分汲極電極，而第七開口則暴露出部分連接電極。接下來，移除光阻圖案層，隨後於第二保護層上形成第二圖案化透明導電層。第二圖案化透明導電層包含橋接電極位於基板之周邊區內，以及畫素電極位於基板之畫素區內，橋接電極經由第五開口與第七開口電性連接共通電極與連接電極，畫素電極則經由第六開口電性連接汲極電極，且畫素電極與橋接電極電性分離。

為達上述目的，本發明另提供一種顯示面板之陣列基板。上述顯示面板之陣列基板包括具有畫素區與周邊區之基板、至少一設置於基板之畫素區內的薄膜電晶體、至少一設置於基板之周邊區內的連接電極、設置於基板上並覆蓋薄膜電晶體與連接電極之第一保護層、設置於第一保護層上的平坦層、設置於平坦層上的共通電極、設置於共通電極與平坦層上的第二保護層、設置於第二保護層上並位於基板之周邊區內的橋接電極以及設置於第二保護層上並位於基板之畫素區內的畫素電極。薄膜電晶體包含閘極電極、源極電極與 汲極電極。第一保護層具有第六開口與第七開口，第六開口暴露部分汲極電極而第七開口暴露部分連接電極。平坦層包含第一開口與第二開口，第一開口對應於第六開口並暴露出部分汲極電極，第二開口對應於第七開口並暴露出部分連接電極。第二保護層具有第三開口、第四開口與第五開口，第三開口對應於第一開口並暴露出部分汲極電極，第四開口對應於第二開口並暴露出部分連接電極，第五開口則暴露出部分共通電極。橋接電極經由第五開口與第七開口電性連接共通電極與連接電極；而畫素電極經由第六開口電性連接汲極電極。

為使熟習本發明所屬技術領域之一般技藝者能更進一步了解本發明，下文特刊舉本發明之較佳實施例，並配合所附圖式，詳細說明本發明的構成內容及所欲達成之功效。

請參考第1圖至第8圖，第1圖至第8圖繪示了本發明之一實施例所提供之製作顯示面板之陣列基板的方法之示意圖，其中第1圖為本實施例提供的顯示面板之陣列基板的上視示意圖，而第2圖至第8圖則繪示了第1圖中沿A-A’剖線與B-B’剖線所得之剖面示意圖。如第1圖與第2圖所示，首先提供基板110。基板110可為硬式基板例如玻璃基板，或可撓式基板例如塑膠基板，但不以此為限，此外基板 110上定義有畫素區102與周邊區104。接下來於基板110上形成圖案化第一金屬層M1，其中圖案化第一金屬層M1包括閘極電極112，設置於畫素區102內。且圖案化第一金屬層M1更可包括與閘極電極112電性連接的閘極線GL(如第1圖所示)等元件。圖案化第一金屬層M1可為單層金屬層或多層金屬層，其材料可為各式具有良好導電性之金屬、合金或其組合，但不以此為限。在形成圖案化第一金屬層M1之後，形成覆蓋閘極電極112的絕緣層114。絕緣層114係作為閘極絕緣層之用，其材質可為氧化矽、氮化矽或氮氧化矽等，但亦不以此為限。

請繼續參閱第2圖。隨後，於絕緣層114上形成圖案化第二金屬層M2，圖案化第二金屬層M2可為單層金屬層或多層金屬層，且圖案化第二金屬層M2的材料可為各式具有良好導電性之金屬、合金或其組合。圖案化第二金屬層M2包含源極電極116a、汲極電極116b與連接電極118。源極電極116a1與汲極電極116b係形成於畫素區102內，且對應於閘極電極112。連接電極118係形成於周邊區104內，且連接電極118係與閘極電極112、源極電極116a與汲極電極116b等元件皆電性分離。圖案化第二金屬層M2更可包含與源極電極116a電性連接的資料線DL(如第1圖所示)。另外需注意的是，為符合周邊區104內的電路設計需要，在形成圖案化第一金屬層M1時，亦可在周邊區104內形成共通線 (圖未示)，絕緣層114亦可覆蓋在周邊區104內的共通線上(圖未示)。並且，在形成圖案化第二金屬層M2之前，先於周邊區104內之共通線上的絕緣層114內形成一暴露部分共通線的開口(圖未示)，故連接電極118可透過該開口與共通線電性連接。

請參閱第3圖。在形成圖案化第二金屬層M2之後，於絕緣層114上依序形成圖案化半導體層120a與圖案化保護層120b。如第3圖所示，圖案化半導體層120a與圖案化保護層120b係對應於閘極電極112且覆蓋部分源極電極116a與部分汲極電極116b。在本實施例中，圖案化半導體層120a可包含圖案化氧化物半導體層，例如氧化銦鎵鋅(indium gallium zinc oxide，IGZO)層；而圖案化保護層120b則可包含無機保護層例如氧化矽層，但皆不限於此。圖案化半導體層120a之材料亦可包括其它半導體材料，而圖案化保護層120b之材料亦可為其它無機或有機材料。如第3圖所示，本實施例至此係於基板110上的畫素區102內形成至少一薄膜電晶體130。由於形成薄膜電晶體130之各組成膜層之步驟係為本技術領域中之一般技藝者所熟知，故該等細節於此係不再贅述。

請繼續參閱第3圖。在完成薄膜電晶體130之製作後，本實施例係於基板110上依序形成第一保護層140與平坦層 150，第一保護層140覆蓋薄膜電晶體130與連接電極118；而平坦層150則覆蓋第一保護層140。第一保護層140可包含無機保護層例如氮化矽；平坦層150則可包含有機絕緣層例如壓克力層，但皆不限於此。值得注意的是，如第3圖所示，平坦層150具有第一開口152與第二開口154，第一開口152係對應於汲極電極116b並暴露出汲極電極116b上的部分第一保護層140，而第二開口154則對應於連接電極118並暴露出連接電極118上的部分第一保護層140。平坦層150較佳可使用感光性材料，藉此第一開口152與第二開口154可利用曝光顯影製程加以定義。如第3圖所示，平坦層150具有較厚的厚度，以使基板110上可獲得一較為平坦的表面，而有利於液晶分子的旋轉。

請參閱第4圖。在形成具有第一開口152與第二開口154的平坦層150之後，接著於基底110上，即於平坦層150上形成第一圖案化透明導電層。在本實施例中，第一圖案化透明導電層包括共通電極160。第一圖案化透明導電層可包含透明導電層，例如氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)層，但不限於此。共通電極160係形成於周邊區104與畫素區102內的平坦層150上，且為一連續性的膜層，但共通電極160與薄膜電晶體130以及連接電極118等元件皆電性分離。

請參閱第5圖。在形成第一圖案化透明導電層之後，即 形成共通電極160之後，係於第一圖案化透明導電層(即共通電極160)與平坦層150上形成第二保護層170，並於第二保護層170上形成光阻圖案層180。第二保護層170可與第一保護層140具有相同的無機材料例如氮化矽，但亦可以包含其他的材料而不限於此。光阻圖案層180暴露出第一開口152與第二開口154內之部分第二保護層170。更重要的是，光阻圖案層180係如第5圖所示於周邊區104內暴露出對應於共通電極160的部分第二保護層170。

請參閱第6圖。在形成光阻圖案層180之後，利用蝕刻製程蝕刻光阻圖案層180所暴露出之第二保護層170，以於第二保護層170內形成第三開口172、第四開口174與第五開口176。如第6圖所示，第三開口172暴露第一開口152內之部分第一保護層140、第四開口174暴露出第二開口154內之部分第一保護層140，而第五開口176則暴露出周邊區104內的部分共通電極160。

請參閱第7圖。在形成第三開口172、第四開口174與第五開口176後，係繼續利用光阻圖案層180作為蝕刻遮罩，蝕刻第三開口172與第四開口174暴露出的第一保護層140，而於第一保護層140內形成第六開口142與第七開口144。如第7圖所示，第六開口142小於第一開口152，同理第七開口144小於第二開口154。更重要的是，第六開口142 暴露出部分汲極電極166b；而第七開口144暴露出部分連接電極118。是以，在完成第一保護層140之蝕刻製程後，周邊區104內的部分共通電極160係暴露於第五開口176內、部分汲極電極166b係暴露於第六開口142內、而部分連接電極118則暴露於第七開口144內。

請參閱第8圖。在形成第六開口142與第七開口144之後，即移除光阻圖案層180。隨後，於第二保護層170上以及第五開口176、第六開口142與第七開口144內形成第二圖案化透明導電層。在本實施例中，第二圖案化透明導電層包含橋接電極190與畫素電極192，橋接電極190較佳為包含孤島形狀，而與畫素電極192電性分離。由於第二圖案化透明導電層包含畫素電極192，故較佳為一透明導電層，例如一ITO層，但不限於此。換句話說，橋接電極190與畫素電極192係由同一層圖案化透明導電層所構成。如第8圖所示，畫素電極192係電性連接至暴露於第六開口142內的汲極電極116b。更重要的是，在本實施例中，第二圖案化透明導電層的橋接電極190係如第8圖所示，電性連接暴露於第五開口176內的第一圖案化透明導電層(即共通電極160)與暴露於第七開口144內的連接電極118。換句話說，連接電極118與共通電極160係藉由橋接電極190電性連接。此外，本實施例中，在畫素區102內的畫素電極192可如第1圖所示具有複數個狹縫(slit)194，但熟習該項技藝之人士應 知第1圖中狹縫194之樣態僅為例示，而不限於此。

請重新參閱第1圖與第8圖。根據本實施例所提供之製作顯示面板之陣列基板的方法，係提供陣列基板100，陣列基板100包含基板110，且基板110上定義有畫素區102與周邊區104。陣列基板100更包含至少一連接電極118與至少一薄膜電晶體130，連接電極118係設置於基板110的周邊區104內，而薄膜電晶體130係設置於基板110的畫素區102內，且薄膜電晶體130包含閘極電極112、源極電極116a與汲極電極116b。陣列基板100尚包含設置於基板110上並覆蓋連接電極118與薄膜電晶體110的第一保護層140、設置於第一保護層140上的平坦層150、設置於平坦層150上且自周邊區104延伸進入畫素區102的共通電極160、設置於共通電極160與平坦層150上的第二保護層170、以及設置於第二保護層170上的橋接電極190與畫素電極192。如第8圖所示，第一保護層140具有第六開口142與第七開口144，第六開口142暴露部分汲極電極116b，而第七開口144則暴露部分連接電極118。平坦層150包含第一開口152與第二開口154，第一開口152係對應於第六開口142而暴露出部分汲極電極116b，第二開口154係對應於第七開口144而暴露出部分連接電極118。第二保護層170具有第三開口172、第四開口174與第五開口176，第三開口172對應於第一開口152與第六開口142而暴露出汲極電極116b，第四開 口174對應於第二開口154與第七開口144而暴露出連接電極118，第五開口176則暴露出周邊區104內的部分共通電極160。陣列基板100更包含橋接電極190與畫素電極192。橋接電極190係設置於周邊區104內，且透過第二開口154、第四開口174與第七開口144電性連接至連接電極118，同時更透過第五開口176電性連接至周邊區104內的共通電極160，是以此一島狀的橋接電極190成功地電性連接周邊區104內的共通電極160與連接電極118，確保周邊區104內的共通電極160與連接電極118的電性關係的建立。是以共通訊號可由周邊區104的連接電極118通過橋接電極190傳遞至周邊區104內的共通電極160，而進入畫素區102。畫素電極192則透過第一開口152、第三開口172與第六開口142電性連接至汲極電極116b，確保畫素電極192與汲極電極116b電性關係的建立。

根據本實施例所提供的顯示面板之陣列基板及其製作方法，係利用用來在第二保護層170中蝕刻第三開口172、第四開口174與第五開口176的光阻圖案層180作為蝕刻遮罩，因此在蝕刻第一保護層140形成第六開口142與第七開口144時，不再需要額外的PEP步驟，其係使用相同的光罩(mask)以減少製程成本，也就是說，蝕刻第一保護層140以及第二保護層170是在同一道微影暨蝕刻製程中完成。換句話說，本實施例所提供之陣列基板之製作方法係可減省一次 的PEP步驟，有效地達到降低製程成本的目的。此外，由於可免去用以形成第六開口142與第七開口144的PEP步驟，故本發明所提供之顯示面板之陣列基板及其製作方法亦可免除PEP步驟衍生的問題，例如對準問題等。由於高解析度與高畫素結構密度的要求，面板上的可利用空間受到越來越多的限制，減去一次的PEP步驟不僅可達到縮短製程時間、降低成本的目的，更可避免在此越發狹小的空間內發生PEP步驟衍生的問題，進而降低製程複雜度。更值得注意的是，由於本實施例在周邊區104內更提供了橋接電極190，故可藉由橋接電極190電性連接周邊區104內的共通電極160與連接電極118。換句話說，本實施例可在確保成功建立各組成元件的電性關係的前提下，減去一次的PEP步驟及其衍生的問題。簡單地說，本實施例所提供的顯示面板之陣列基板及其製作方法，係可達到確保產品良率、簡化製程、降低製程成本與製程複雜度等目的。

請參閱第9圖至第10圖，第9圖至第10圖繪示了本發明之另一實施例所提供之製作顯示面板之陣列基板的方法之示意圖。另外需注意的是，本實施例中與前述實施例相同的構成元件係使用相同的符號說明。如第9圖所示，本實施例所提供之陣列基板之製作方法，首先提供基板110，接下來於基板110上的畫素區102內依序形成作為閘極電極112的圖案化第一金屬層M1與覆蓋閘極電極112之絕緣層 114。接下來，於絕緣層114上形成圖案化半導體層120，在本實施例中，圖案化半導體層120包括圖案化非晶矽半導體層，但該領域中具通常知識者應知圖案化半導體層120之材料亦可包括其它半導體材料。

請繼續參閱第9圖。在形成圖案化半導體層118之後，係於基板102上形成圖案化第二金屬層M2，圖案化第二金屬層M2包含源極電極116a與汲極電極116b，且源極電極116a與汲極電極116b對應於閘極電極112與圖案化半導體層120。是以，本實施例係於基板110的畫素區102內形成至少一薄膜電晶體130。如前所述，由於形成薄膜電晶體130之各組成膜層之步驟係為本技術領域中之一般技藝者所熟知，故該等細節於此係不再贅述。請參閱第10圖。而在完成薄膜電晶體130之製作後，係於基板110上依序形成第一保護層140、具有一對應汲極電極116b的第一開口152與一對應連接電極118的第二開口154之平坦層150、包含共通電極160的第一圖案化透明導電層、第二保護層170、與光阻圖案層180，接下來利用光阻圖案層180作為遮罩蝕刻第二保護層170而形成對應第一開口152的第三開口172、對應第二開口154的第四開口174與暴露周邊區104內部分共通電極160的第五開口176。隨後利用同一光阻圖案層180作為蝕刻遮罩蝕刻第一保護層140，形成暴露出部分汲極電極116b的第六開口142與暴露出部分連接電極118的第七 開口144。也就是說，蝕刻第一保護層140以及第二保護層170是在同一道微影暨蝕刻製程中完成，不再需要額外的PEP步驟，其係使用相同的光罩(mask)，所以不需要使用新的光罩(mask)以減少製程成本。接下來於基板110上形成第二圖案化透明導電層，且第二圖案化透明導電層包含形成於第一開口152、第三開口172與第六開口142內，且與汲極電極116b電性連接的畫素電極192，以及形成於第二開口154、第四開口174、第七開口144與第五開口176內，且電性連接共通電極160與連接電極118的橋接電極190。上述步驟係與前述較佳實施例中所例示之步驟相同，因此本技術領域中具通常知識者應可根據前述實施例與第1圖至第8圖輕易得知，故該等細節係不再贅述。

根據本發明所提供的顯示面板之陣列基板及其製作方法，係可成功地整合於現有的薄膜電晶體製程中，並可減少一道PEP步驟，故可降低成本與製程複雜度。此外，由於本發明所提供之陣列基板之製作方法中，係藉由島狀的橋接電極確保共通電極與連接電極的電性連接關係。換句話說，本發明所提供之陣列基板及其製作方法係可在確保成功建立陣列基板內各組成元件之電性關係的前提下，有效地簡化製程、縮短製程時間、並降低製程成本與製程複雜度。

以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專 利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。

100‧‧‧陣列基板

102‧‧‧畫素區

104‧‧‧周邊區

110‧‧‧基板

112‧‧‧閘極電極

114‧‧‧絕緣層

116a‧‧‧源極電極

116b‧‧‧汲極電極

118‧‧‧連接電極

120‧‧‧圖案化半導體層

120a‧‧‧圖案化半導體層

120b‧‧‧圖案化保護層

130‧‧‧薄膜電晶體

140‧‧‧第一保護層

142‧‧‧第六開口

144‧‧‧第七開口

150‧‧‧平坦層

152‧‧‧第一開口

154‧‧‧第二開口

160‧‧‧共通電極

170‧‧‧第二保護層

172‧‧‧第三開口

174‧‧‧第四開口

176‧‧‧第五開口

180‧‧‧光阻圖案層

190‧‧‧橋接電極

192‧‧‧畫素電極

194‧‧‧狹縫

GL‧‧‧閘極線

DL‧‧‧資料線

M1‧‧‧圖案化第一金屬層

M2‧‧‧圖案化第二金屬層

A-A’‧‧‧剖線

B-B’‧‧‧剖線

第1圖至第8圖係為本發明之一實施例所提供的製作顯示面板之陣列基板的方法之示意圖，其中第1圖為本實施例提供之陣列基板之上視示意圖，而第2圖至第8圖則繪示了第1圖中沿A-A’剖線與B-B’剖線所得之剖面示意圖。

第9圖至第10圖係為本發明之另一實施例所提供的製作顯示面板之陣列基板的方法之示意圖。

102‧‧‧畫素區

104‧‧‧周邊區

110‧‧‧基板

112‧‧‧閘極電極

114‧‧‧絕緣層

116a‧‧‧源極電極

116b‧‧‧汲極電極

118‧‧‧連接電極

120a‧‧‧圖案化半導體層

120b‧‧‧圖案化保護層

130‧‧‧薄膜電晶體

140‧‧‧第一保護層

142‧‧‧第六開口

144‧‧‧第七開口

150‧‧‧平坦層

152‧‧‧第一開口

154‧‧‧第二開口

160‧‧‧共通電極

170‧‧‧第二保護層

172‧‧‧第三開口

174‧‧‧第四開口

176‧‧‧第五開口

180‧‧‧光阻圖案層

M1‧‧‧圖案化第一金屬層

M2‧‧‧圖案化第二金屬層

A-A’‧‧‧剖線

B-B’‧‧‧剖線

Claims (16)

1. 一種製作顯示面板之陣列基板之方法，包括：提供一基板，該基板具有一畫素區與一周邊區，該基板之該畫素區內形成有至少一薄膜電晶體，且該薄膜電晶體包含一閘極電極、一源極電極與一汲極電極，該基板之該周邊區內形成有至少一連接電極；於該基板上依序形成一第一保護層與一平坦層，該第一保護層覆蓋該薄膜電晶體與該連接電極，該平坦層覆蓋該第一保護層，該平坦層具有一第一開口與一第二開口，該第一開口係對應於該汲極電極並暴露出該汲極電極上的部分該第一保護層，該第二開口係對應於該連接電極並暴露出該連接電極上的部分該第一保護層；於該平坦層上形成一第一圖案化透明導電層，其中該第一圖案化透明導電層包括一共通電極；於該第一圖案化透明導電層與該平坦層上形成一第二保護層；於該第二保護層上形成一光阻圖案層，該光阻圖案層暴露出該第一開口內與該第二開口內之部分該第二保護層，以及暴露出對應於該第一圖案化透明導電層的部分該第二保護層；蝕刻該光阻圖案層所暴露出之該第二保護層，以於該第二 保護層內形成一第三開口、一第四開口與一第五開口，該第三開口暴露該第一開口內之部分該第一保護層、該第四開口暴露出第二開口內之部分該第一保護層，該第五開口暴露出部分該共通電極；蝕刻該第三開口與第四開口所暴露出之該第一保護層，以於該第一保護層中形成一第六開口與一第七開口，該第六開口暴露出部分該汲極電極，且該第七開口暴露出部分該連接電極；移除該光阻圖案層；以及於該第二保護層上形成一第二圖案化透明導電層，該第二圖案化透明導電層包含一橋接電極位於該基板之該周邊區內，以及一畫素電極位於該基板之該畫素區內，該橋接電極經由該第五開口與該第七開口電性連接該共通電極與該連接電極，該畫素電極經由該第六開口電性連接該汲極電極，且該畫素電極與該橋接電極電性分離。
2. 如請求項1所述之製作顯示面板之陣列基板之方式，其中蝕刻該第一保護層以及蝕刻該第二保護層係使用同一該光阻圖案層。
3. 如請求項1所述之製作顯示面板之陣列基板之方式，其中蝕刻該第一保護層以及蝕刻該第二保護層係是在同一 道微影蝕刻製程中完成。
4. 如請求項1所述之製作顯示面板之陣列基板之方式，其中蝕刻該第一保護層以及蝕刻該第二保護層係使用相同光罩。
5. 如請求項1所述之製作顯示面板之陣列基板之方法，其中形成該薄膜電晶體之步驟更包括：於該基板上形成該閘極電極與一覆蓋該閘極電極之絕緣層；於該絕緣層上形成該源極電極與該汲極電極；以及於該絕緣層上形成一圖案化半導體層與一圖案化保護層。
6. 如請求項5所述之製作顯示面板之陣列基板之方法，其中該圖案化半導體層包含一圖案化氧化物半導體層。
7. 如請求項1所述之製作顯示面板之陣列基板之方法，其中形成該薄膜電晶體之步驟包括：於該基板上形成該閘極電極與一覆蓋該閘極電極之絕緣層；於該絕緣層上形成一圖案化半導體層；以及於該絕緣層與該圖案化半導體層上形成該源極電極與該汲極電極。
8. 如請求項7所述之製作顯示面板之陣列基板之方法，其中該圖案化半導體層包括一圖案化非晶矽半導體層。
9. 一種顯示面板之陣列基板，包括：一基板，該基板具有一畫素區與一周邊區；至少一薄膜電晶體，設置於該基板之該畫素區內，該薄膜電晶體包含一閘極電極、一源極電極與一汲極電極；至少一連接電極，設置於該基板之該周邊區內；一第一保護層，設置於該基板上並覆蓋該薄膜電晶體與該連接電極，該第一保護層具有一第六開口與一第七開口，該第六開口暴露部分該汲極電極且該第七開口暴露部分該連接電極；一平坦層，設置於該第一保護層上，該平坦層包含一第一開口與一第二開口，該第一開口對應於該第六開口且暴露出部分該汲極電極，該第二開口對應於該第七開口且暴露出部分該連接電極；一共通電極，設置於該平坦層上；一第二保護層，設置於該共通電極與該平坦層上，該第二保護層具有一第三開口、一第四開口與一第五開口，該第三開口對應於該第一開口且暴露出部分該汲極電極，該第四開口對應於該第二開口且暴露出部分該連接電極，該第五開口暴露出部分該共通電極；以及 一橋接電極，設置於該第二保護層上並位於該基板之該周邊區內，該橋接電極經由該第五開口與該第七開口電性連接該共通電極與該連接電極；以及一畫素電極，設置於該第二保護層上並位於該基板之該畫素區內，該畫素電極經由該第六開口電性連接該汲極電極。
10. 如請求項9所述之顯示面板之陣列基板，其中該橋接電極與該畫素電極係為同一層圖案化透明導電層，且該畫素電極與該橋接電極彼此電性分離。
11. 如請求項9所述之顯示面板之陣列基板，其中該第一開口係大於該第三開口與該第六開口，該第二開口係大於該第四開口與該第七開口。
12. 如請求項9所述之顯示面板之陣列基板，其中該薄膜電晶體更包括一圖案化半導體層，對應於該閘極電極設置。
13. 如請求項12所述之顯示面板之陣列基板，其中該源極電極與該汲極電極係設置於該圖案化半導體層與該閘極電極之間。
14. 如請求項13所述之顯示面板之陣列基板，其中該圖案 化半導體層包括一圖案化氧化物半導體層。
15. 如請求項12所述之畫素結構，其中該圖案化半導體層係設置於該源極電極與汲極電極以及該閘極電極之間。
16. 如請求項15所述之顯示面板之陣列基板，其中該圖案化半導體層包括一圖案化非晶矽半導體層。