JP2003186035A

JP2003186035A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP2003186035A
Application number: JP2001385741A
Authority: JP
Inventors: Masato Shimura; 正人志村; Junji Tanno; 淳二丹野; Takeshi Tanaka; 武田中; Kenji Okishiro; 賢次沖代
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2001-12-19
Filing date: 2001-12-19
Publication date: 2003-07-03

Abstract

(57)【要約】【課題】画素領域の開口率を低減させることなく対向
電極の電気抵抗値を小さく形成する。【解決手段】液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれら各ゲート信号線に交差して並設された複
数のドレイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域と
し、該画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によっ
て作動する薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタ
を介してドレイン信号線からの映像信号が供給される画
素電極と、この画素電極との間に電界を発生せしめる対
向電極とを備え、前記対向電極は、前記ドレイン信号線
をも被って形成される絶縁膜の上面に形成されていると
ともに、該ドレイン信号線とその中心軸をほぼ一致させ
該ドレイン信号線の幅よりも大きな幅を有して該ドレイ
ン信号線に沿って形成され、かつ、金属導電層とこの金
属導電層より幅の大きな透光性の導電層を含む多層構造
によって形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に係
り、特に、いわゆる横電界方式と称される液晶表示装置
に関する。

【０００２】

【従来の技術】横電界方式と称される液晶表示装置は、
液晶を介して対向配置される各基板の一方の基板の液晶
側の面の画素領域に画素電極とこの画素電極との間に電
界を発生せしめる対向電極とを備え、該電界のうち基板
とほぼ平行な成分によって液晶を挙動させる構成となっ
ている。

【０００３】そして、このような構成をアクティブマト
リクス型のものに適用させたものは、まず、前記一方の
基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線と
これら各ゲート信号線と交差するようにして並設された
複数のドレイン信号線とで囲まれた各領域を前記画素領
域としている。

【０００４】そして、これら各画素領域に、ゲート信号
線からの走査信号によって作動する薄膜トランジスタ
と、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号線から
の映像信号が供給される前記画素電極と、該映像信号に
対して基準となる信号が供給される前記対向電極とが備
えられている。

【０００５】ここで、画素電極と対向電極はそれぞれ一
方向に延在する帯状のパターンとして形成され、それら
各電極は２個あるいはそれ以上の個数で形成して交互に
配置させるのが通常である。

【０００６】また、このような構成において、対向電極
をドレイン信号線をも被って形成される絶縁膜の上面に
形成させるとともに、該ドレイン信号線とその中心軸を
ほぼ一致させ該ドレイン信号線の幅よりも大きな幅を有
して該ドレイン信号線に沿って形成された構成のものも
知られている。

【０００７】ドレイン信号線からの電気力線がその上方
の対向電極に終端させやすくし、画素電極に終端させる
のを防止するためである。画素電極に該電気力線が終端
するとそれがノイズとなってしまうからである。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかし、このような構
成からなる液晶表示装置は、前記対向電極を透光性の材
料で構成して画素領域の開口率を向上させた場合、該対
向電極の電気抵抗値が大きくなり基準信号の波形歪が生
じるということが指摘されるに至った。

【０００９】本発明は、このような事情に基づいてなさ
れたもので、その目的は画素領域の開口率を低減させる
ことなく対向電極の電気抵抗値を小さく形成できる液晶
表示装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。手段１．本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶
を介して対向配置される各基板のうち一方の基板の液晶
側の面に、並設された複数のゲート信号線とこれら各ゲ
ート信号線に交差して並設された複数のドレイン信号線
とで囲まれた各領域を画素領域とし、該画素領域に、ゲ
ート信号線からの走査信号によって作動する薄膜トラン
ジスタと、この薄膜トランジスタを介してドレイン信号
線からの映像信号が供給される画素電極と、この画素電
極との間に電界を発生せしめる対向電極とを備え、前記
対向電極は、前記ドレイン信号線をも被って形成される
絶縁膜の上面に形成されているとともに、該ドレイン信
号線とその中心軸をほぼ一致させ該ドレイン信号線の幅
よりも大きな幅を有して該ドレイン信号線に沿って形成
されるものを有し、かつ、金属導電層とこの金属導電層
より幅の大きな透光性の導電層を含む多層構造によって
形成されていることを特徴とするものである。

【００１１】手段２．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれら各ゲート信号線に交差して並設された複数のド
レイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域とし、該画
素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動す
る薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介して
ドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極
と、この画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極
とを備え、前記対向電極は、前記ドレイン信号線をも被
って形成される絶縁膜の上面に形成されているととも
に、該ドレイン信号線とその中心軸をほぼ一致させ該ド
レイン信号線の幅よりも大きな幅を有して該ドレイン信
号線に沿って形成されるものを有し、該ドレイン信号線
に沿って形成される部分が金属導電層とこの金属導電層
より幅の大きな透光性の導電層を含む多層構造によって
形成され、該対向電極に供給される対向電圧信号線は前
記金属導電層を介してなされることを特徴とするもので
ある。

【００１２】手段３．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれら各ゲート信号線に交差して並設された複数のド
レイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域とし、該画
素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動す
る薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介して
ドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極
と、対向電圧信号線に接続されて前記画素電極との間に
電界を発生せしめる対向電極とを備え、前記対向電極
は、前記ドレイン信号線をも被って形成される絶縁膜の
上面に形成されているとともに、該ドレイン信号線とそ
の中心軸をほぼ一致させ該ドレイン信号線の幅よりも大
きな幅を有して該ドレイン信号線に沿って形成されるも
のを有し、該ドレイン信号線に沿って形成される部分が
金属導電層とこの金属導電層より幅の大きな透光性の導
電層を含む多層構造によって形成され、前記対向電圧信
号線は前記ゲート信号線と同層に形成されて、前記絶縁
膜を含む他の絶縁膜に貫通して形成されるスルーホール
を通して前記対向電極に接続されていることを特徴とす
るものである。

【００１３】手段４．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれら各ゲート信号線に交差して並設された複数のド
レイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域とし、該画
素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動す
る薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介して
ドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極
と、この画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極
とを備え、前記対向電極は、前記ドレイン信号線をも被
って形成される絶縁膜の上面に形成されているととも
に、該ドレイン信号線とその中心軸をほぼ一致させ該ド
レイン信号線の幅よりも大きな幅を有して該ドレイン信
号線に沿って形成されるものを有し、かつ、この対向電
極の上面にはこの対向電極をも被って平坦化膜が形成さ
れていることを特徴とするものである。

【００１４】手段５．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれら各ゲート信号線に交差して並設された複数のド
レイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域とし、該画
素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動す
る薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介して
ドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極
と、この画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極
とを備え、前記対向電極は、前記ドレイン信号線をも被
って形成される絶縁膜の上面に形成され、該ドレイン信
号線とその中心軸をほぼ一致させ該ドレイン信号線の幅
よりも大きな幅を有して該ドレイン信号線に沿って形成
されているものを有するとともに、金属導電層とこの金
属導電層より幅の大きな透光性の導電層を含む多層構造
によって形成されかつ、この対向電極の上面にはこの対
向電極をも被って平坦化膜が形成されていることを特徴
とするものである。

【００１５】手段６．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれら各ゲート信号線に交差して並設された複数のド
レイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域とし、該画
素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動す
る薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介して
ドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極
と、この画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極
とを備え、前記対向電極は、前記ドレイン信号線をも被
って形成される保護膜および平坦化膜の順次積層体の上
面に形成されているとともに、該ドレイン信号線とその
中心軸をほぼ一致させ該ドレイン信号線の幅よりも大き
な幅を有して該ドレイン信号線に沿って形成されるもの
を有し、かつ、金属導電層とこの金属導電層より幅の大
きな透光性の導電層を含む多層構造によって形成され、
画素電極は前記保護膜と平坦化膜の間に形成され、該平
坦化膜の厚さは前記保護膜の厚さよりも小さく設定され
ていることを特徴とするものである。

【００１６】手段７．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、手段６に記載の構成を前提として、保護膜は無
機材料層と有機材料層の順次積層体からなり、平坦化膜
の厚さは前記保護膜のうち有機材料層の厚さよりも小さ
く設定されていることを特徴とするものである。

【００１７】手段８．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれら各ゲート信号線に交差して並設された複数のド
レイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域とし、該画
素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動す
る薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介して
ドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極
と、この画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極
とを備え、前記対向電極は、前記ドレイン信号線をも被
って形成される絶縁膜の上面に形成されているととも
に、該ドレイン信号線とその中心軸をほぼ一致させ該ド
レイン信号線の幅よりも大きな幅を有して該ドレイン信
号線に沿って形成されるものを有し、かつ、この対向電
極の上面にはこの対向電極をも被って平坦化膜が形成さ
れ、この平坦化膜の一部にて一体に形成される突起部を
柱状のスペーサとして構成していることを特徴とするも
のである。

【００１８】手段９．本発明による液晶表示装置は、た
とえば、液晶を介して対向配置される各基板のうち一方
の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート信号線
とこれら各ゲート信号線に交差して並設された複数のド
レイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域とし、該画
素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作動す
る薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介して
ドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電極
と、この画素電極との間に電界を発生せしめる対向電極
と、前記各ゲート信号線の少なくとも一端側に、互いに
隣接する複数のゲート信号線どおしがグループ化され、
これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれて
接続される複数の半導体装置からなる走査信号駆動回路
と、前記各ドレイン信号線の少なくとも一端側に、互い
に隣接する複数のドレイン信号線どおしがグループ化さ
れ、これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわ
れて接続される複数の半導体装置からなる映像信号駆動
回路とを備え、前記対向電極は、前記ドレイン信号線を
も被って形成される絶縁膜の上面に形成されているとと
もに、該ドレイン信号線とその中心軸をほぼ一致させ該
ドレイン信号線の幅よりも大きな幅を有して該ドレイン
信号線に沿って形成されるものを有し、かつ、金属導電
層とこの金属導電層より幅の大きな透光性の導電層を含
む多層構造によって形成され、前記走査信号駆動回路お
よび映像信号駆動回路のうち少なくとも一方の回路を構
成する各半導体装置を接続するデータ転送配線が少なく
とも前記絶縁膜を含む絶縁層の下層に形成され、この絶
縁層の上面には前記データ転送配線を被うようにして前
記透光性の導電層の形成と同時に形成される他の透光性
の導電層が形成されていることを特徴とするものであ
る。

【００１９】手段１０．本発明による液晶表示装置は、
たとえば、手段９に記載の構成を前提として、各半導体
装置を接続するデータ転送配線は該各半導体装置の搭載
領域内を走行するように形成されていることを特徴とす
るものである。

【００２０】

【発明の実施の形態】以下、本発明による液晶表示装置
の実施例を図面を用いて説明をする。実施例１．《全体構成》図１３は本発明による液晶表示装置の一実
施例を示す全体構成図であり、等価回路図である。

【００２１】同図において、液晶を介して互いに対向配
置される一対の透明基板ＳＵＢ１、ＳＵＢ２があり、該
液晶は一方の透明基板ＳＵＢ１に対する他方の透明基板
ＳＵＢ２の固定を兼ねるシール材ＳＬによって封入され
ている。

【００２２】シール材ＳＬによって囲まれた前記一方の
透明基板ＳＵＢ１の液晶側の面には、そのｘ方向に延在
しｙ方向に並設されたゲート信号線ＧＬとｙ方向に延在
しｘ方向に並設されたドレイン信号線ＤＬとが形成され
ている。

【００２３】各ゲート信号線ＧＬと各ドレイン信号線Ｄ
Ｌとで囲まれた領域は画素領域を構成するとともに、こ
れら各画素領域のマトリクス状の集合体は液晶表示部Ａ
Ｒを構成するようになっている。

【００２４】各画素領域の後述する対向電極ＣＴに映像
信号に対して基準となる電圧を供給する対向電圧信号線
ＣＬが形成されている。

【００２５】各画素領域には、その片側のゲート信号線
ＧＬからの走査信号によって作動される薄膜トランジス
タＴＦＴと、この薄膜トランジスタＴＦＴを介して片側
のドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素
電極ＰＸが形成されている。

【００２６】この画素電極ＰＸは、前記対向電圧信号線
ＣＬと電気的に接続された対向電極ＣＴとの間に電界を
発生させ、この電界によって液晶の光透過率を制御させ
るようになっている。

【００２７】前記ゲート信号線ＧＬのそれぞれの一端は
前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延在端は垂直
走査駆動回路Ｖの出力端子が接続される端子を構成する
ようになっている。また、前記垂直走査駆動回路Ｖの入
力端子は液晶表示パネルの外部に配置されたプリント基
板からの信号が入力されるようになっている。

【００２８】垂直走査駆動回路Ｖは複数個の半導体装置
からなり、互いに隣接する複数のゲート信号線どおしが
グループ化され、これら各グループ毎に一個の半導体装
置があてがわれるようになっている。

【００２９】同様に、前記ドレイン信号線ＤＬのそれぞ
れの一端は前記シール材ＳＬを超えて延在され、その延
在端は映像信号駆動回路Ｈｅの出力端子が接続される端
子を構成するようになっている。また、前記映像信号駆
動回路Ｈｅの入力端子は液晶表示パネルの外部に配置さ
れたプリント基板からの信号が入力されるようになって
いる。

【００３０】この映像信号駆動回路Ｈｅも複数個の半導
体装置からなり、互いに隣接する複数のドレイン信号線
どおしがグループ化され、これら各グループ毎に一個の
半導体装置があてがわれるようになっている。

【００３１】また、ｘ方向に併設された各画素領域に共
通な前記対向電圧信号線ＣＬは図中右側の端部で共通に
接続され、その接続線はシール材ＳＬを超えて延在さ
れ、その延在端において端子を構成している。この端子
からは映像信号に対して基準となる電圧が供給されるよ
うになっている。

【００３２】前記各ゲート信号線ＧＬは、垂直走査回路
Ｖからの走査信号によって、その一つが順次選択される
ようになっている。

【００３３】また、前記各ドレイン信号線ＤＬのそれぞ
れには、映像信号駆動回路Ｈｅによって、前記ゲート信
号線ＧＬの選択のタイミングに合わせて映像信号が供給
されるようになっている。

【００３４】なお、上述した実施例では、垂直走査駆動
回路Ｖおよび映像信号駆動回路Ｈｅは透明基板ＳＵＢ１
に搭載された半導体装置を示したものであるが、たとえ
ば透明基板ＳＵＢ１とプリント基板との間を跨って接続
されるいわゆるテープキャリア方式の半導体装置であっ
てもよく、さらに、前記薄膜トランジスタＴＦＴの半導
体層が多結晶シリコン（ｐ−Ｓｉ）から構成されるにと
もない、透明基板ＳＵＢ１面に前記多結晶シリコンから
なる半導体素子を配線層とともに形成されたものであっ
てもよい。

【００３５】《画素の構成》図１（ａ）は前記画素領域
の一実施例を示す平面図を示している。また、図１
（ｂ）は図１（ａ）のｂ−ｂ線における断面図を、図１
（ｃ）は図１（ａ）のｃ−ｃ線における断面図を、図１
（ｄ）は図１（ａ）のｄ−ｄ線における断面図を示して
いる。

【００３６】各図において、透明基板ＳＵＢ１の液晶側
の面に、まず、ｘ方向に延在しｙ方向に並設される一対
のゲート信号線ＧＬが形成されている。

【００３７】これらゲート信号線ＧＬは後述の一対のド
レイン信号線ＤＬとともに矩形状の領域を囲むようにな
っており、この領域を画素領域として構成するようにな
っている。

【００３８】また、前記各ゲート信号線ＧＬの間には該
ゲート信号線ＧＬと平行に対向電圧信号線ＣＬが形成さ
れている。この対向電圧信号線ＣＬはたとえば前記ゲー
ト信号線ＧＬの形成の際に同時に形成されるようになっ
ている。

【００３９】このようにゲート信号線ＧＬが形成された
透明基板ＳＵＢ１の表面にはたとえばＳｉＮからなる絶
縁膜ＧＩが該ゲート信号線ＧＬをも被って形成されてい
る。

【００４０】この絶縁膜ＧＩは、後述のドレイン信号線
ＤＬの形成領域においては前記ゲート信号線ＧＬに対す
る層間絶縁膜としての機能を、後述の薄膜トランジスタ
ＴＦＴの形成領域においてはそのゲート絶縁膜としての
機能を有するようになっている。

【００４１】そして、この絶縁膜ＧＩの表面であって、
前記ゲート信号線ＧＬの一部に重畳するようにしてたと
えばアモルファスＳｉからなる半導体層ＡＳが形成され
ている。

【００４２】この半導体層ＡＳは、薄膜トランジスタＴ
ＦＴのそれであって、その上面にドレイン電極ＳＤ１お
よびソース電極ＳＤ２を形成することにより、ゲート信
号線の一部をゲート電極とする逆スタガ構造のMIS型ト
ランジスタを構成することができる。

【００４３】ここで、前記ドレイン電極ＳＤ１およびソ
ース電極ＳＤ２はドレイン信号線ＤＬの形成の際に同時
に形成されるようになっている。

【００４４】すなわち、ｙ方向に延在されｘ方向に並設
されるドレイン信号線ＤＬが形成され、その一部が前記
半導体層ＡＳの上面にまで延在されてドレイン電極ＳＤ
１が形成され、また、このドレイン電極ＳＤ１と薄膜ト
ランジスタＴＦＴのチャネル長分だけ離間されてソース
電極ＳＤ２が形成されている。

【００４５】また、このソース電極ＳＤ２は画素領域内
に形成される画素電極ＰＸと一体に形成されている。

【００４６】すなわち、画素電極ＰＸは画素領域内をそ
のｙ方向に延在しｘ方向に並設された複数（図では３
本）の電極群から構成されている。このうちの一つの画
素電極ＰＸの一方の端部は前記ソース電極ＳＤ２を兼
ね、他方の端部では他の画素電極ＰＸの対応する個所に
て互いに電気的接続が図れるようになっている。

【００４７】なお図示していないが、半導体層ＡＳとド
レイン電極ＳＤ１およびソース電極ＳＤ２との界面には
高濃度の不純物がドープされた薄い層が形成され、この
層はコンタクト層として機能するようになっている。

【００４８】このコンタクト層は、たとえば半導体層Ｓ
Ｄの形成時に、その表面にすでに高濃度の不純物層が形
成されており、その上面に形成したドレイン電極ＳＤ１
およびソース電極ＳＤ２のパターンをマスクとしてそれ
から露出された前記不純物層をエッチングすることによ
って形成することができる。

【００４９】このように薄膜トランジスタＴＦＴ、ドイ
レン信号線ＤＬ、ドレイン電極ＳＤ１、ソース電極ＳＤ
２、および画素電極ＰＸが形成された透明基板ＳＵＢ１
の表面には保護膜ＰＳＶが形成されている。この保護膜
ＰＳＶは前記薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の
接触を回避する膜で、該薄膜トランジスタＴＦＴの特性
劣化を防止せんとするようになっている。

【００５０】なお、この保護膜ＰＳＶは樹脂等の有機材
料層、あるいはＳｉＮのような無機材料層と樹脂等の有
機材料層の順次積層体から構成されている。このように
保護膜ＰＳＶとして少なくとも有機材料層を用いている
のは保護膜自体の誘電率を低減させることにある。この
実施例では、前記保護膜ＰＳＶとして無機材料層からな
る保護膜ＰＳＶ１と有機材料層からなる保護膜ＰＳＶ２
との順次積層体からなっている。

【００５１】保護膜ＰＳＶ２の上面には、たとえばITO
(Indium Tin Oxide)、ITZO(Indium Tin Zinc Oxide)、
あるいは IZO (Indium Zinc Oxide)等の光透過性の導電
材料からなる対向電極ＣＴが形成されている。この対向
電極ＣＴは前述の画素電極ＰＸと同様にｙ方向に延在さ
れｘ方向に並設された複数（図では４本）の電極群から
構成され、かつ、それら各電極は、平面的に観た場合、前
記画素電極ＰＸの間に位置付けられるようになってい
る。

【００５２】すなわち、対向電極ＣＴと画素電極ＰＸ
は、一方の側のドレイン信号線ＤＬから他方の側のドレ
イン信号線ＤＬにかけて、対向電極、画素電極、対向電
極、画素電極、……、対向電極の順にそれぞれ等間隔に
配置されている。

【００５３】ここで、画素領域の両側に位置づけられる
対向電極ＣＴは、その一部がドレイン信号線ＤＬに重畳
されて形成されているとともに、隣接する画素領域の対
応する対向電極ＣＴと共通に形成されている。

【００５４】換言すれは、ドレイン信号線ＤＬ上には対
向電極ＣＴがその中心軸をほぼ一致づけて重畳され、該
対向電極ＣＴの幅はドレイン信号線ＤＬのそれよりも大
きく形成されている。ドレイン信号線ＤＬに対して左側
の対向電極ＣＴは左側の画素領域の各対向電極ＣＴの一
つを構成し、右側の対向電極ＣＴは右側の画素領域の各
対向電極ＣＴの一つを構成するようになっている。

【００５５】このようにドレイン信号線ＤＬの上方にて
該ドレイン信号線ＤＬよりも幅の広い対向電極ＣＴを形
成することにより、該ドレイン信号線ＤＬからの電気力
線が該対向電極ＣＴに終端し画素電極ＰＸに終端するこ
とを回避できるという効果を奏する。ドレイン信号線Ｄ
Ｌからの電気力線が画素電極ＰＸに終端した場合、それ
がノイズとなってしまうからである。

【００５６】電極群からなる各対向電極ＣＴは、ゲート
信号線ＧＬを充分に被って形成される同一の材料によっ
て共通に接続されているとともに、保護膜ＰＳＶ２、保
護膜ＰＳＶ１および絶縁膜ＧＩのそれぞれに順次貫通し
て設けられたスルーホールＴＨを通して前記対向電圧信
号線ＣＬと接続され、この対向電圧信号線ＣＬを介して
基準電圧が供給されるようになっている。

【００５７】対向電極ＣＴは光透過性の導電材料からな
り、これは電気抵抗が比較的大きいことから、前記対向
電圧信号線ＣＬを介して基準電圧を供給することによ
り、信号の波形歪みの発生を抑制させている。

【００５８】ゲート信号線ＧＬを充分に被って形成され
る対向電圧信号線ＣＬは、そのゲート信号線ＧＬからは
み出した部分において、その下層に前記各画素電極ＰＸ
の接続部が位置づけられ、これにより、画素電極ＰＸと
対向電圧信号線ＣＬとの間に保護膜ＰＳＶを誘電体膜と
する容量素子Ｃｓｔｇが形成されている。

【００５９】この容量素子Ｃｓｔｇは、たとえば画素電
極ＰＸに供給された映像信号を比較的長く蓄積させる等
の機能をもたせるようになっている。

【００６０】そして、このように対向電極ＣＴが形成さ
れた透明基板ＳＵＢ１の上面には該対向電極ＣＴをも被
ってたとえば樹脂で形成された平坦化膜ＯＣ１が形成さ
れている。この平坦化膜ＯＣ１は前記対向電極ＣＴによ
る段差等が液晶側の面にて顕在化されないように形成さ
れるもので、後述する配向膜ＯＲＩ１のラビング処理を
均一化できるようになる。

【００６１】該平坦化膜ＯＣの表面には配向膜ＯＲＩ１
（図示せず）が形成されている。この配向膜ＯＲＩ１は
液晶と直接に当接する膜で、その表面に形成されたラビ
ングによって該液晶の分子の初期配向方向を決定づける
ようになっている。上述したように、この配向膜ＯＲＩ
は前記平坦化膜ＯＣ１の表面に形成されることから、そ
の表面は平坦化され均一なラビング処理ができ、輝度む
らを回避した表示を達成することができる。

【００６２】また、このように構成された透明基板ＳＵ
Ｂ１に対向して配置される透明基板ＳＵＢ２の液晶側の
面には、その各画素領域を画するようにしてブラックマ
トリクスＢＭが形成されている。すなわち、少なくとも
液晶表示部に形成されたブラックマトリクスＢＭは各画
素領域の周辺部を残す領域に開口が形成されたパターン
をなし、これにより表示のコントラストの向上を図って
いる。

【００６３】また、このブラックマトリクスＢＭは透明
基板ＳＵＢ１側の薄膜トランジスタＴＦＴを充分被うよ
うにして形成され、該薄膜トランジスタＴＦＴへの外来
光の照射を妨げることによって該薄膜トランジスタＴＦ
Ｔの特性劣化を回避するようになっている。

【００６４】ブラックマトリクスＢＭが形成された透明
基板ＳＵＢ２の面には該ブラックマトリクスＢＭの開口
を被ってカラーフィルタＦＩＬが形成されている。この
カラーフィルタＦＩＬはたとえば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青
(Ｂ)の各色のフィルタからなり、ｙ方向に並設される各
画素領域群にたとえば赤色のフィルタが共通に形成さ
れ、該画素領域群にｘ方向に順次隣接する画素領域群に
共通に赤（Ｒ）色、緑（Ｇ）色、青(Ｂ)色、赤（Ｒ）色、…
…、というような配列で形成されている。

【００６５】ブラックマトリクスＢＭおよびカラーフィ
ルタＦＩＬが形成された透明基板ＳＵＢ２の表面にはこ
れらブラックマトリクスＢＭおよびカラーフィルタＦＩ
Ｌをも被って平坦化膜ＯＣ２が形成されている。この平
坦化膜ＯＣ２は塗布によって形成できる樹脂膜からな
り、前記ブラックマトリクスおよびカラーフィルタの形
成によって顕在化する段差をなくすために設けられる。

【００６６】この平坦化膜ＯＣ２の表面には配向膜ＯＲ
Ｉ２（図示せず）が形成され、この配向膜ＯＲＩ２は液
晶と直接に当接する膜で、その表面に形成されたラビン
グによって該液晶の分子の初期配向方向を決定づけるよ
うになっている。

【００６７】実施例２．図２（ａ）は前記画素領域の他
の実施例を示す平面図で、図１（ａ）と対応した図とな
っている。また、図２（ｂ）は図２（ａ）のｂ−ｂ線に
おける断面図を、図２（ｃ）は図２（ａ）のｃ−ｃ線に
おける断面図を、図２（ｄ）は図２（ａ）のｄ−ｄ線に
おける断面図を示している。

【００６８】図１の場合と比較して異なる構成は、ま
ず、ドレイン信号線ＤＬと画素電極ＰＸは保護膜ＰＳＶ
１および保護膜ＰＳＶ２を介して異なる層で形成されて
いる。このようにすることにより、ドレイン信号線ＤＬ
とそれに隣接する画素電極ＰＸとの距離を大幅に狭める
ことができ、画素領域のいわゆる開口率を向上させるこ
とができる。

【００６９】このため、薄膜トランジスタＴＦＴのソー
ス電極ＳＤ２と画素電極ＰＸとの電気的接続は保護膜Ｐ
ＳＶ１および保護膜ＰＳＶ２に順次貫通させたスルーホ
ールＣＨ２によってなされている。

【００７０】また、画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとは平
坦化膜ＯＣを介して異なる層で形成されている。この平
坦化膜ＯＣは実施例１とは異なり対向電極ＣＴによる段
差は吸収できないが、該平坦化膜ＯＣよりも下層におけ
る凹凸の段差を吸収できることから依然としてその機能
を発揮していることはいうまでもない。

【００７１】また、このようにした場合、ドレイン信号
線ＤＬとその上方の対向電極ＣＴとの間には保護膜ＰＳ
Ｖ１、保護膜ＰＳＶ２および平坦化膜ＯＣ１とが介在さ
れていることからその容量が小さくできるという効果も
奏する。

【００７２】この場合、平坦化膜ＯＣ１の膜厚を保護膜
ＰＳＶ２のそれよりも小さくすることにより、画素電極
ＰＸと対向電極ＣＴとの間の電界の強度の減衰を低減さ
せることもできる。

【００７３】実施例３．図３（ａ）は前記画素領域の他
の実施例を示す平面図で、図１（ａ）と対応した図とな
っている。また、図３（ｂ）は図３（ａ）のｂ−ｂ線に
おける断面図を、図３（ｃ）は図３（ａ）のｃ−ｃ線に
おける断面図を示している。

【００７４】図１の場合と比較して異なる構成は、ま
ず、たとえばＩＴＯ膜からなる対向電極ＣＴの形成領域
において、ドレイン信号線ＤＬの上方の領域において該
ドレイン信号線ＤＬに沿ってたとえばＡｌおよびＣｒの
順次積層体からなる金属層ＭＬが該対向電極ＣＴの下層
に形成されている。

【００７５】ＩＴＯ膜等からなる対向電極ＣＴそれ自体
は比較的電気抵抗が大きいことから、前記金属層ＭＬで
抵抗の低減を図らんがためである。前記金属層ＭＬの幅
は該金属層ＭＬの上面に形成されている対向電極ＣＴの
それよりも小さいことが好ましい。画素領域の開口率の
低下を回避するためである。

【００７６】このように対向電極ＣＴの全体の抵抗値を
低減できることにともない、この実施例では実施例１で
示した対向電圧信号線ＣＬを特に設けない構成としてい
る。この実施例では対向電極ＣＴに直接に対向電圧信号
を供給すればよい構成となるからである。

【００７７】すなわち、図３（ｃ）は、前記金属層ＭＬ
および対向電極ＣＴをシール材を越えて延在させ、この
延在部に対向電圧信号端子ＣＬＴを形成した断面図であ
る。なお、この実施例において、平坦化膜ＯＣ１は必ず
しも形成しなくてもよいことはもちろんである。

【００７８】また、金属層ＭＬにより、ブラックマトリ
クスＢＭを廃止することも可能であり、この場合、上下
基板の合わせ裕度の向上が実現する。

【００７９】実施例４．図４（ａ）は前記画素領域の他
の実施例を示す平面図で、図２（ａ）と対応した図とな
っている。また、図４（ｂ）は図４（ａ）のｂ−ｂ線に
おける断面図を、図４（ｃ）は図４（ａ）のｃ−ｃ線に
おける断面図を示している。

【００８０】図２の場合と比較して異なる構成は、たと
えばＩＴＯ膜からなる対向電極ＣＴの形成領域におい
て、ドレイン信号線ＤＬの上方の領域において該ドレイ
ン信号線ＤＬに沿ってたとえばＡｌおよびＣｒの順次積
層体からなる金属層ＭＬが該対向電極ＣＴの下層に形成
されている。

【００８１】これにより、対向電極ＣＴには該金属層Ｍ
Ｌを介して対向電圧信号を供給できる構成となることか
ら、特に対向電圧信号線ＣＬは形成されていない構成と
なっている。

【００８２】なお、図４（ｃ）は前記金属層ＭＬをその
上面にたとえばＩＴＯ膜が被覆されたままシール材ＳＬ
を超えて延在されて対向電圧信号を供給するための端子
を形成している断面図を示している。

【００８３】また、金属層ＭＬにより、ブラックマトリ
クスＢＭを廃止することも可能であり、この場合、上下
基板の合わせ裕度の向上が実現する。

【００８４】実施例５．図５（ａ）は本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す平面図で、図４（ａ）に対
応した図となっている。また、図５（ｂ）は図５（ａ）
のｂ−ｂ線における断面図を、図５（ｃ）は図５（ａ）
のｃ−ｃ線における断面図を示している。

【００８５】図４（ａ）の場合と比較して異なる構成
は、まず保護膜ＰＳＶ２の上面に金属層ＭＬからなる対
向電極ＣＴが形成されている。この対向電極ＣＴはドレ
イン信号線ＤＬおよびゲート信号線ＧＬをも被って形成
されている。

【００８６】そして、対向電極ＣＴをも被って形成され
る平坦化膜ＯＣ１の上面に画素電極ＰＸが形成されてい
る。この画素電極ＰＸはたとえばＩＴＯ膜等の光透過性
の材料から構成されている。

【００８７】このため、この画素電極ＰＸは平坦化膜Ｏ
Ｃ１、保護膜ＰＳＶ２、および保護膜ＰＳＶ１を貫通す
るスルーホールを通して薄膜トランジスタＴＦＴのソー
ス電極と電気的に接続された構成となっている。

【００８８】また、この場合の平坦化膜ＯＣ１は保護膜
ＰＳＶ２よりもその膜厚が小さく形成され、画素電極Ｐ
Ｘと対向電極ＣＴとの間に生じる電界の該平坦化膜ＯＣ
１への吸収を低減させている。

【００８９】図５（ｄ）は金属層で形成された対向電圧
信号線ＣＬがシール材ＳＬを越えて延在され、その延在
部に端子を形成している断面図を示している。

【００９０】この場合、該延在部には平坦化膜ＯＣ１が
除去され、画素電極ＰＸを構成するためのたとえばＩＴ
Ｏ膜等の透光性の材料が前記端子に被覆されている。端
子を構成する金属層ＭＬの電蝕を該透光性の材料によっ
て防止する構成となっている。

【００９１】また、金属層ＭＬにより、ブラックマトリ
クスＢＭを廃止することも可能であり、この場合、上下
基板の合わせ裕度の向上が実現する。

【００９２】実施例６．図６（ａ）は本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す平面図で、図２（ａ）に対
応した図となっている。また、図６（ｂ）は図６（ａ）
のｂ−ｂ線における断面図を、図６（ｃ）は図６（ａ）
のｃ−ｃ線における断面図を、図６（ｄ）は図６（ａ）
のｄ−ｄ線における断面図を示している。

【００９３】図２（ａ）と比較して異なる構成は、ま
ず、ドレイン信号線ＤＬと同層に画素電極ＰＸが形成さ
れ、これら上面に形成される保護膜ＰＳＶ１、保護膜Ｐ
ＳＶ２の上面に対向電極ＣＴが形成された構成となって
いる。

【００９４】このため、平坦化膜ＯＣ１が形成されてい
ない構成となっている。そして、たとえば該平坦化膜Ｏ
Ｃ１と同じ材料からなる柱状のスペーサＳＰがたとえば
ゲート信号線ＧＬの重畳領域の一部に形成された構成と
なっている。

【００９５】実施例７．図７（ａ）は本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す平面図で、図６（ａ）に対
応した図となっている。また、図７（ｂ）は図７（ａ）
のｂ−ｂ線における断面図を、図７（ｃ）は図７（ａ）
のｃ−ｃ線における断面図を、図７（ｄ）は図７（ａ）
のｄ−ｄ線における断面図を示している。

【００９６】図６（ａ）の場合と比較して異なる構成
は、対向電極ＣＴをも被って透明基板ＳＵＢ１の表面に
は平坦化膜ＯＣ１が形成され、しかもこの平坦化膜ＯＣ
１の一部が突出され、その突出部にて柱状のスペーサＳ
Ｐを構成していることにある。

【００９７】このように同一の材料層において部分的に
高さの異なる領域を形成する場合、周知のいわゆるハー
フ露光による選択エッチングを用いることによって、工
程の増加をもたらすことなく所定の形状にすることがで
きる。

【００９８】実施例８．図８（ａ）ないし（ｃ）はそれ
ぞれ本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成
図で、図３（ｄ）に対応する図となっている。

【００９９】図８（ａ）において、図３（ｄ）の場合と
比較して異なる構成は、保護膜ＰＳＶ２および平坦化膜
ＯＣ１がシール材ＳＬを越えて延在されていることにあ
る。この場合、平坦化膜ＯＣ１はその下層の配線層を充
分に保護する機能を有するようになる。

【０１００】また、図８（ｂ）は、端子部を構成する配
線層の上面にたとえばＩＴＯ膜等の光透過性の材料を被
覆した構成としている。該配線層の電蝕を防止するため
である。

【０１０１】図８（ｃ）は、シール材ＳＬを越えて延在
される配線層はシール材ＳＬの内側から外側にかけてに
たとえばＩＴＯ膜等の光透過性の材料を被覆し、該シー
ル材ＳＬの近傍における電蝕をも防止する構成としてい
る。

【０１０２】実施例９．図９（ａ）および（ｂ）は本発
明による液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、そ
れぞれ図１３のａ−ａ線における断面図、ｂ−ｂ線にお
ける断面図を示している。

【０１０３】映像信号駆動回路Ｈｅを構成する半導体装
置（チップ）は、その各バンプが透明基板ＳＵＢ１面に
形成された各端子と異方性導電膜ＡＣＦを介して電気的
な接続がなされている。

【０１０４】ここで、異方性導電膜ＡＣＦは導電性の微
粒子ＰＣＬが散在された樹脂シートから構成され、熱圧
着によって両側の各導電層同士が該微粒子ＰＣＬを介し
て電気的接続がされるようになっている。

【０１０５】この場合、該微粒子ＰＣＬは熱圧着の際に
それまでの位置からずれて移動してしまい各導電層同士
の接続が充分でなくなる場合もあることに鑑みて、図９
では、映像信号駆動回路Ｈｅの搭載領域である透明基板
ＳＵＢ１の面に前記微粒子の移動を規制する突起部ＰＲ
を形成していることにある。

【０１０６】この突起部ＰＲは信頼性ある接続を図る部
分を一部囲むようにして形成されたパターンとして形成
することが好ましい。

【０１０７】この場合、該突起部ＰＲは、平坦化膜ＯＣ
１の形成と同時に形成してもよく、また、保護膜ＰＳＶ
２の形成と同時に形成してもよく、さらには、該保護膜
ＰＳＶ２と平坦化膜ＯＣ１との積層体で形成してもよ
い。

【０１０８】なお、この説明では、映像信号駆動回路Ｈ
ｅについて説明したものであるが、走査信号駆動回路Ｖ
においても適用できることはもちろんである。

【０１０９】実施例１０．図１０（ａ）および（ｂ）は
それぞれ本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
構成図で、図１３のａ−ａ線における断面図を示してい
る。

【０１１０】この実施例は、複数の半導体装置からなる
映像信号駆動回路Ｈｅにおいて、各半導体装置の間をデ
ータ転送する配線層が各半導体装置の搭載領域を走行す
る構成を前提にしたものである。

【０１１１】図１０（ａ）において、データ転送配線Ｄ
ＴＬの上面には保護膜ＰＳＶ１、保護膜ＰＳＶ２が順次
形成され、該保護膜ＰＳＶ２の上面に前記データ転送配
線ＤＴＬを充分に被ってたとえばＩＴＯ膜からなる導電
膜が形成され、該データ転送配線ＤＴＬから照射される
電磁波のシールド効果をもたらすようにしている。

【０１１２】図１０（ｂ）は、他の実施例を示し、デー
タ転送配線ＤＴＬの上面に保護膜ＰＳＶ１、保護膜ＰＳ
Ｖ２、および平坦化膜ＯＣが順次形成され、該平坦化膜
ＯＣの上面に前記データ転送配線ＤＴＬを充分に被うた
とえばＩＴＯ膜からなる導電膜が形成された構成となっ
ている。

【０１１３】なお、この説明では、映像信号駆動回路Ｈ
ｅについて説明したものであるが、走査信号駆動回路Ｖ
においても適用できることはもちろんである。

【０１１４】実施例１１．図１１（ａ）は、本発明によ
る液晶表示装置の他の実施例を示す構成図で、図１
（ａ）に対応した図となっている。また、図１１（ｂ）
は図１１（ａ）のｂ−ｂ線における断面図を、図１１
（ｃ）は図１１（ａ）のｃ−ｃ線における断面図を示し
ている。

【０１１５】図１の場合と比較して異なる構成は、まず
ドレイン信号線ＤＬにあり、このドレイン信号線ＤＬは
保護膜ＰＳＶ１の下層に形成される正規のドレイン信号
線ＤＬ（映像信号駆動回路Ｈｅに直接接続されるドレイ
ン信号線）と、このドレイン信号線ＤＬに該保護膜ＰＳ
Ｖ１および保護膜ＰＳＶ２を介して重畳される補助用の
ドレイン信号線ＤＬａｓとから構成されている。一方の
ドイレン信号線が断線した場合に、他方のドレイン信号
線で信号経路を確保するためである。

【０１１６】このため、補助用のドレイン信号線ＤＬａ
ｓは、正規のドレイン信号線ＤＬの走行方向に沿って形
成されているとともに、その両端部にて保護膜ＰＳＶ２
および保護膜ＰＳＶ１に貫通して設けられるスルーホー
ルを通して該正規のドレイン信号線ＤＬに接続されるよ
うになっている。

【０１１７】図１１（ｄ）は補助用のドレイン信号線Ｄ
Ｌａｓと正規のドレイン信号線ＤＬとの電気的接続部を
示す断面図を示している。なお、図１１において、平坦
化膜ＯＣ１は画素電極ＰＸと対向電極ＣＴとの間の介在
層として形成されている。

【０１１８】実施例１２．図１２は、本発明による液晶
表示装置の他の実施例を示す平面図で、図２に対応した
図となっている。また、図１２（ｂ）は図１２（ａ）の
ｂ−ｂ線における断面図を、図１２（ｃ）は図１２
（ａ）のｃ−ｃ線における断面図を、図１２（ｄ）は図
１２（ａ）のｄ−ｄ線における断面図を示している。

【０１１９】図２の場合と比較して異なる構成は、まず
ゲート信号線ＧＬにある。すなわち、２つのゲート信号
線ＧＬが隣接して形成され、そのうちの上段のゲート信
号線ＧＬは上段に配置される各画素領域の薄膜トランジ
スタＴＦＴを作動させるように構成され、下段のゲート
信号線ＧＬは下段に配置される画素領域の薄膜トランジ
スタＴＦＴを作動させるように構成されている。

【０１２０】そして、ドレイン信号線ＤＬは前記隣接さ
れる各ゲート信号線ＧＬの間の領域に延在部を有し、該
各ゲート信号線ＧＬの一部をゲート電極とする薄膜トラ
ンジスタＴＦＴのドレイン電極ＳＤ２に接続されるよう
になっている。

【０１２１】また、対向電圧信号線ＣＬは当該画素領域
のゲート信号線ＧＬとは反対側の辺部に配置され、この
対向電圧信号線ＣＬはさらに上段の画素領域のそれと共
通に形成されている。

【０１２２】このような構成の画素構成においても、上
述した各実施例に示した構成を適用することができる。

【０１２３】また、ここに示す実施例では、図１２
（ｄ）に示すように、ゲート信号線ＧＬは絶縁膜ＧＩの
下層に形成される正規のゲート信号線ＧＬ（走査信号駆
動回路Ｖに直接接続されるゲート信号線）と、このゲー
ト信号線ＧＬに該絶縁膜ＧＩ、保護膜ＰＳＶ１および保
護膜ＰＳＶ２を介して重畳される補助用のゲート信号線
ＧＬａｓとから構成され、該補助用のゲート信号線ＧＬ
ａｓは、正規のゲート信号線ＧＬの走行方向に沿って形
成されているとともに、その両端部にて保護膜ＰＳＶ
２、保護膜ＰＳＶ１および絶縁膜ＧＩに貫通して設けら
れるスルーホールを通して該正規のゲート信号線ＧＬに
接続されるようになっている。

【０１２４】

【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明による液晶表示装置によれば、画素領域の開口率
を低減させることなく対向電極の電気抵抗値を小さく形
成することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す構
成図である。

【図２】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
構成図である。

【図３】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
構成図である。

【図４】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
構成図である。

【図５】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
構成図である。

【図６】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
構成図である。

【図７】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
構成図である。

【図８】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
構成図である。

【図９】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示す
構成図である。

【図１０】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す構成図である。

【図１１】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す構成図である。

【図１２】本発明による液晶表示装置の他の実施例を示
す構成図である。

【図１３】本発明による液晶表示装置の一実施例を示す
全体構成図である。

【符号の説明】

ＳＵＢ１、ＳＵＢ２…透明基板、ＧＬ…ゲート信号線、
ＤＬ…ドレイン信号線、ＣＬ…対向電圧信号線、ＴＦＴ
…薄膜トランジスタ、ＰＸ…画素電極、ＣＴ…対向電
極、ＧＩ…絶縁膜、ＰＳＶ１…保護膜（無機絶縁膜）、
ＰＳＶ２…保護膜（有機絶縁膜）、ＯＣ１…平坦化膜、
ＳＰ…柱状のスペーサ、ＡＣＦ…異方性導電膜、ＤＴＬ
…データ転送配線。

─────────────────────────────────────────────────────

【手続補正書】

【提出日】平成１４年１月９日（２００２．１．９）

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１】

【手続補正２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図２

【補正方法】変更

【補正内容】

【図２】

【手続補正３】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図４

【補正方法】変更

【補正内容】

【図４】

【手続補正４】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図６

【補正方法】変更

【補正内容】

【図６】

【手続補正５】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図７

【補正方法】変更

【補正内容】

【図７】

【手続補正６】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図１０

【補正方法】変更

【補正内容】

【図１０】

フロントページの続き (72)発明者田中武千葉県茂原市早野3300番地株式会社日立製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者沖代賢次茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式会社日立製作所日立研究所内Ｆターム(参考） 2H092 GA13 GA14 GA15 GA17 GA21 GA25 GA26 HA03 HA04 JB04 JB05 JB06 JB11 JB16 JB23 JB24 JB26 JB32 JB33 JB34 JB35 JB58 KB13 KB14 NA01 NA07 NA28 PA03

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれら各ゲート信号線に交差して並設された複
数のドレイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域と
し、該画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作
動する薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介
してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電
極と、この画素電極との間に電界を発生せしめる対向電
極とを備え、前記対向電極は、前記ドレイン信号線をも被って形成さ
れる絶縁膜の上面に形成されているとともに、該ドレイ
ン信号線とその中心軸をほぼ一致させ該ドレイン信号線
の幅よりも大きな幅を有して該ドレイン信号線に沿って
形成されるものを有し、かつ、金属導電層とこの金属導
電層より幅の大きな透光性の導電層を含む多層構造によ
って形成されていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれら各ゲート信号線に交差して並設された複
数のドレイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域と
し、該画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作
動する薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介
してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電
極と、この画素電極との間に電界を発生せしめる対向電
極とを備え、前記対向電極は、前記ドレイン信号線をも被って形成さ
れる絶縁膜の上面に形成されているとともに、該ドレイ
ン信号線とその中心軸をほぼ一致させ該ドレイン信号線
の幅よりも大きな幅を有して該ドレイン信号線に沿って
形成されるものを有し、該ドレイン信号線に沿って形成
される部分が金属導電層とこの金属導電層より幅の大き
な透光性の導電層を含む多層構造によって形成され、該
対向電極に供給される対向電圧信号線は前記金属導電層
を介してなされることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれら各ゲート信号線に交差して並設された複
数のドレイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域と
し、該画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作
動する薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介
してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電
極と、対向電圧信号線に接続されて前記画素電極との間
に電界を発生せしめる対向電極とを備え、前記対向電極は、前記ドレイン信号線をも被って形成さ
れる絶縁膜の上面に形成されているとともに、該ドレイ
ン信号線とその中心軸をほぼ一致させ該ドレイン信号線
の幅よりも大きな幅を有して該ドレイン信号線に沿って
形成されるものを有し、該ドレイン信号線に沿って形成
される部分が金属導電層とこの金属導電層より幅の大き
な透光性の導電層を含む多層構造によって形成され、前記対向電圧信号線は前記ゲート信号線と同層に形成さ
れて、前記絶縁膜を含む他の絶縁膜に貫通して形成され
るスルーホールを通して前記対向電極に接続されている
ことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項４】液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれら各ゲート信号線に交差して並設された複
数のドレイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域と
し、該画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作
動する薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介
してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電
極と、この画素電極との間に電界を発生せしめる対向電
極とを備え、前記対向電極は、前記ドレイン信号線をも被って形成さ
れる絶縁膜の上面に形成されているとともに、該ドレイ
ン信号線とその中心軸をほぼ一致させ該ドレイン信号線
の幅よりも大きな幅を有して該ドレイン信号線に沿って
形成されるものを有し、かつ、この対向電極の上面にはこの対向電極をも被って
平坦化膜が形成されていることを特徴とする液晶表示装
置。
【請求項５】液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれら各ゲート信号線に交差して並設された複
数のドレイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域と
し、該画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作
動する薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介
してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電
極と、この画素電極との間に電界を発生せしめる対向電
極とを備え、前記対向電極は、前記ドレイン信号線をも被って形成さ
れる絶縁膜の上面に形成され、該ドレイン信号線とその
中心軸をほぼ一致させ該ドレイン信号線の幅よりも大き
な幅を有して該ドレイン信号線に沿って形成されている
ものを有するとともに、金属導電層とこの金属導電層よ
り幅の大きな透光性の導電層を含む多層構造によって形
成され、かつ、この対向電極の上面にはこの対向電極をも被って
平坦化膜が形成されていることを特徴とする液晶表示装
置。
【請求項６】液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれら各ゲート信号線に交差して並設された複
数のドレイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域と
し、該画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作
動する薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介
してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電
極と、この画素電極との間に電界を発生せしめる対向電
極とを備え、前記対向電極は、前記ドレイン信号線をも被って形成さ
れる保護膜および平坦化膜の順次積層体の上面に形成さ
れているとともに、該ドレイン信号線とその中心軸をほ
ぼ一致させ該ドレイン信号線の幅よりも大きな幅を有し
て該ドレイン信号線に沿って形成されるものを有し、か
つ、金属導電層とこの金属導電層より幅の大きな透光性
の導電層を含む多層構造によって形成され、画素電極は前記保護膜と平坦化膜の間に形成され、該平
坦化膜の厚さは前記保護膜の厚さよりも小さく設定され
ていることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項７】保護膜は無機材料層と有機材料層の順次
積層体からなり、平坦化膜の厚さは前記保護膜のうち有
機材料層の厚さよりも小さく設定されていることを特徴
とする請求項６に記載の液晶表示装置。
【請求項８】液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれら各ゲート信号線に交差して並設された複
数のドレイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域と
し、該画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作
動する薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介
してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電
極と、この画素電極との間に電界を発生せしめる対向電
極とを備え、前記対向電極は、前記ドレイン信号線をも被って形成さ
れる絶縁膜の上面に形成されているとともに、該ドレイ
ン信号線とその中心軸をほぼ一致させ該ドレイン信号線
の幅よりも大きな幅を有して該ドレイン信号線に沿って
形成されるものを有し、かつ、この対向電極の上面にはこの対向電極をも被って
平坦化膜が形成され、この平坦化膜の一部にて一体に形
成される突起部を柱状のスペーサとして構成しているこ
とを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】液晶を介して対向配置される各基板のう
ち一方の基板の液晶側の面に、並設された複数のゲート
信号線とこれら各ゲート信号線に交差して並設された複
数のドレイン信号線とで囲まれた各領域を画素領域と
し、該画素領域に、ゲート信号線からの走査信号によって作
動する薄膜トランジスタと、この薄膜トランジスタを介
してドレイン信号線からの映像信号が供給される画素電
極と、この画素電極との間に電界を発生せしめる対向電
極と、前記各ゲート信号線の少なくとも一端側に、互いに隣接
する複数のゲート信号線どおしがグループ化され、これ
ら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれて接続
される複数の半導体装置からなる走査信号駆動回路と、前記各ドレイン信号線の少なくとも一端側に、互いに隣
接する複数のドレイン信号線どおしがグループ化され、
これら各グループ毎に一個の半導体装置があてがわれて
接続される複数の半導体装置からなる映像信号駆動回路
とを備え、前記対向電極は、前記ドレイン信号線をも被って形成さ
れる絶縁膜の上面に形成されているとともに、該ドレイ
ン信号線とその中心軸をほぼ一致させ該ドレイン信号線
の幅よりも大きな幅を有して該ドレイン信号線に沿って
形成されるものを有し、かつ、金属導電層とこの金属導
電層より幅の大きな透光性の導電層を含む多層構造によ
って形成され、前記走査信号駆動回路および映像信号駆動回路のうち少
なくとも一方の回路を構成する各半導体装置を接続する
データ転送配線が少なくとも前記絶縁膜を含む絶縁層の
下層に形成され、この絶縁層の上面には前記データ転送
配線を被うようにして前記透光性の導電層の形成と同時
に形成される他の透光性の導電層が形成されていること
を特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】各半導体装置を接続するデータ転送配
線は該各半導体装置の搭載領域内を走行するように形成
されていることを特徴とする請求項９に記載の液晶表示
装置。