JP2010008444A - 液晶表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】寄生容量を発生させることなく、配向膜ストッパを形成することのできる液晶表示装置の提供。
【解決手段】液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の固定を兼ねて前記液晶を封入するシール材とを備える液晶表示装置であって、
前記第１基板は、少なくとも、前記シール材で囲まれる領域に形成される複数の画素を駆動させるための信号線と、該信号線をも被って形成される絶縁膜を介して前記シール材との間に間隙を有して配置される配向膜と、前記配向膜と前記シール材との間の間隙に前記配向膜を囲んで形成される線状の導電膜を有し、
前記導電膜は、平面的に観て、前記信号線のうち前記配向膜と前記シール材との間の間隙に配置される信号線と重畳されて形成されているとともに、該信号線と同電位に保持されている。
【選択図】図１

Description

本発明は液晶表示装置に係り、たとえば携帯電話機等に組み込まれる液晶表示装置に関する。

たとえば携帯電話機等に組み込まれる液晶表示装置は、他の液晶表示装置と同様に、液晶を挟持する一対の基板を外囲器とし、該液晶は前記一対の基板の固定を兼ねるシール材によって封入されている。

前記シール材によって囲まれた領域は、液晶を一構成要素とする画素がマトリックス状に配置されて表示領域を構成するようになっている。

これら各画素は、それぞれ薄膜トランジスタを備え、アクティブ・マトリックス駆動方式によって独立に駆動され、前記表示領域に画像を表示できるようになっている。

そして、このように構成される液晶表示装置には、前記一対の基板のそれぞれにおいて、液晶と直接に接触する面に配向膜が形成されている。この配向膜は、液晶の分子を一定方向（初期配向方向）に規定するための膜で、塗布によって形成した樹脂膜に配向処理をすることによって形成される。

この場合、前記配向膜は、その周辺端において前記シール材との間に一定の距離を保持するようにして形成することが要求される。配向膜が前記シール材の形成領域にまで及んで形成されてしまった場合に、前記シール材としてのシール機能の信頼性が乏しくなってしまうからである。

一方、携帯電話機等に組み込まれる液晶表示装置は、小さい外形サイズで表示領域をできるだけ大きくする（いわゆる額縁を小さくする）ことが要求され、前記シール材と配向膜との離間距離を充分に大きくできない事情がある。

それ故、シール材と配向膜の間の領域に該配向膜を囲むようにした線状のたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）からなる透明導電膜層を設けた構成のものが知られている。前記透明導電膜層は、ストッパとして機能し（以下、配向膜ストッパと称する場合がある）、配向膜形成の際において、硬化前の樹脂膜の前記シール材の形成領域に及ぶ流動を阻止するようになっている。

ここで、前記配向膜ストッパが透明導電膜で形成されているのは、該配向膜ストッパが透明電極からなる画素電極と同層で形成され、該配向膜ストッパを該画素電極の形成と同時に形成するからである。

しかし、上記従来の液晶表示装置は、その配向膜ストッパの下層において、回路が組み込まれている場合、あるいは他の信号線が走行している場合に、前記配向膜ストッパと回路との間、あるいは前記配向膜ストッパと他の信号線との間に、寄生容量が発生することになる。

そして、この寄生容量が大きい場合には、液晶表示装置の表示特性に悪影響を及ぼす可能性を有する。

本発明の目的は、寄生容量を発生させることなく、配向膜ストッパを形成することのできる液晶表示装置を提供することにある。

本発明の液晶表示装置は、配向膜ストッパの形成領域に、該配向膜ストッパとの間に寄生容量を発生させる信号線がある場合に、該配向膜ストッパを前記信号線と重なるように形成するとともに、該信号線と同電位の保持させるようにしたものである。

本発明の構成は、たとえば、以下のようなものとすることができる。

（１）本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の固定を兼ねて前記液晶を封入するシール材とを備える液晶表示装置であって、
前記第１基板は、少なくとも、前記シール材で囲まれる領域に形成される複数の画素を駆動させるための信号線と、該信号線をも被って形成される絶縁膜を介して前記シール材との間に間隙を有して配置される配向膜と、前記配向膜と前記シール材との間の間隙に前記配向膜を囲んで形成される線状の導電膜を有し、
前記導電膜は、平面的に観て、前記信号線のうち前記配向膜と前記シール材との間の間隙に配置される信号線と重畳されて形成されているとともに、該信号線と同電位に保持されていることを特徴とする。

（２）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）に記載の構成を前提とし、前記第１基板には走査信号駆動回路が形成され、前記信号線は、前記走査信号駆動回路内を走行する電源信号線であることを特徴とする。

（３）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（２）に記載の構成を前提とし、前記走査信号駆動回路は、複数の画素の形成領域の両脇にそれぞれ形成されていることを特徴とする。

（４）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（３）に記載の構成を前提とし、前記電源信号線は、複数の画素の形成領域の両脇にそれぞれ形成された走査信号駆動回路内を走行し、前記複数の画素の形成領域を囲んで形成されていることを特徴とする。

（５）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）に記載の構成を前提とし、前記第１基板にはＲＧＢスイッチング回路が形成され、前記信号線は、前記ＲＧＢスイッチング回路内を走行する電源信号線であることを特徴とする。

（６）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（５）に記載の構成を前提とし、ＲＧＢスイッチング回路は、走査信号駆動回路とともに形成され、前記ＲＧＢスイッチング回路の電源信号線は前記走査信号駆動回路の電源信号線と共通となっていることを特徴とする。

（７）本発明よる液晶表示装置は、たとえば、（６）に記載の構成を前提とし、前記電源信号線は、複数の画素の形成領域を囲んで形成されていることを特徴とする。

（８）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（２）ないし（７）のいずれかの構成を前提とし、前記電源信号線は、第１基板に形成された回路の中で、最も高い電位が印加される信号線であることを特徴とする。

（９）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（２）ないし（７）のいずれかの構成を前提とし、前記電源信号線は、第１基板に形成された回路の中で、最も低い電位が印加される信号線であることを特徴とする。

（１０）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、前記信号線は、複数の画素の形成領域の外方に該複数の画素の形成領域の辺に沿って走行する走査信号線の引出配線であることを特徴とする。

（１１）本発明による液晶表示装置は、たとえば、（１）の構成を前提とし、 前記画素の画素電極は透明導電膜で形成され、前記線状の導電膜は、前記画素の画素電極と同層であって透明導電膜で形成されていることを特徴とする。

（１２）本発明による液晶表示装置は、たとえば、液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の固定を兼ねて前記液晶を封入するシール材とを備える液晶表示装置であって、
前記第１基板は、少なくとも、前記シール材で囲まれる領域に形成される複数の画素を駆動させるための信号線と、該信号線をも被って形成される絶縁膜を介して前記シール材との間に間隙を有して配置される配向膜と、前記配向膜と前記シール材との間の間隙に前記配向膜を囲んで形成される溝が形成されていることを特徴とする。

なお、上述した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、上記した構成以外の本発明の構成の例は、本願明細書全体の記載または図面から明らかにされる。

このような構成からなる液晶表示装置は、寄生容量を発生させることなく、配向膜ストッパを信頼性よく形成することができる。本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。

本発明の実施例を、図面を参照しながら説明する。なお、各図および各実施例において、同一または類似の構成要素には同じ符号を付し、説明を省略する。

〈実施例１〉
（全体の構成）
図２は、本発明の液晶表示装置の実施例１を示す平面図である。図２は、たとえば携帯電話器に組み込まれる液晶表示装置の全体構成を示している。

図２において、液晶表示装置は、たとえばガラスからなる矩形状の基板ＳＵＢ１および基板ＳＵＢ２によって外囲器を構成するようになっている。基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２との間には液晶（図示せず）が挟持され、この液晶は、基板ＳＵＢ１と基板ＳＵＢ２を固定するシール材ＳＬによって封入されている。該シール材ＳＬによって液晶が封入された領域は、その僅かな周辺を除いた中央部において液晶表示領域ＡＲを構成するようになっている。この液晶表示領域ＡＲは複数の画素がマトリックス状に配置された領域となっており、液晶と接触する面には該液晶の分子を一定方向（初期配向方向）に規定するための配向膜ＯＲＩ１が形成されるようになっている。

前記基板ＳＵＢ１の下側辺部は、基板ＳＵＢ２から露出する部分を有し、この部分には、外部から信号を入力させるフレキシブル基板ＦＰＣの一端が接続されるようになっている。また、前記基板ＳＵＢ１上において、前記フレキシブル基板ＦＰＣと前記基板ＳＵＢ２の間の領域には半導体装置ＳＣＮが搭載されている。この半導体装置ＳＣＮは、基板ＳＵＢ１の面に形成された配線ＷＬを介して前記フレキシブル基板ＦＰＣからの各信号が入力されるようになっている。

また、シール材ＳＬと前記液晶表示領域ＡＲの間の領域であって、該液晶表示領域ＡＲの左側の領域には走査信号駆動回路Ｖ１、右側の領域には走査信号駆動回路Ｖ２、下側の領域にはＲＧＢスイッチング回路ＲＧＢＳが形成されている。これら走査信号駆動回路Ｖ１、走査信号駆動回路Ｖ２、およびＲＧＢスイッチング回路ＲＧＢＳには前記半導体装置ＳＣＮから信号が供給されるようになっている。走査信号駆動回路Ｖ１、走査信号駆動回路Ｖ２は後述する複数のゲート信号線ＧＬに走査信号を順次供給するための回路からなり、ＲＧＢスイッチング回路ＲＧＢＳは後述する複数のドレイン信号線ＤＬに供給する映像信号を赤色用、緑色用、および青色用ごとに時系列的に切り替える回路からなっている。

ここで、この実施例では、たとえば、シール材ＳＬと液晶表示領域ＡＲの間の領域に、該液晶表示領域ＡＲを囲むようにして、信号線ＭＬｍａ、信号線ＭＬｍｉが同心的に形成されている。信号線ＭＬｍａは基板ＳＵＢ１に形成される回路内において最も高い電位が印加される信号線となっており、信号線ＭＬｍｉは最も低い電位が印加される信号線となっている。そして、これら信号線ＭＬｍａ、信号線ＭＬｍｉは、前記走査信号駆動回路Ｖ１、走査信号駆動回路Ｖ２、およびＲＧＢスイッチング回路ＲＧＢＳの形成領域内を走行し、電源供給線としての機能を有するようになっている。前記信号線ＭＬｍａ、信号線ＭＬｍｉはたとえば前記半導体装置ＳＣＮに接続されて、電源が供給されるようになっている。なお、図２において図示していないが、後述の説明で明らかとなるように、前記信号線ＭＬｍａ、信号線ＭＬｍｉの上方には絶縁膜を介して配向膜ストッパが重畳されて形成されるようになっている。

前記液晶表示領域ＡＲには、ゲート信号線ＧＬ、ドレイン信号線ＤＬ、および対向電圧信号線ＣＬが形成されている。前記ゲート信号線ＧＬは、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設され、それらの両端は、それぞれ、前記走査信号駆動回路Ｖ１、走査信号駆動回路Ｖ２に接続されている。前記ドレイン信号線ＤＬは、図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設され、それらの下端は、前記ＲＧＢスイッチング回路ＲＧＢＳに接続されている。前記対向電圧信号線ＣＬは、隣接するゲート信号線ＧＬの間に該ゲート信号線ＧＬと並行に形成され、その一端（たとえば図中左側端）は共通に接続され、前記半導体装置ＳＣＮから基準信号（映像信号に対して基準となる信号）が供給されるようになっている。

隣接する一対のゲート信号線ＧＬと隣接する一対のドレイン信号線ＤＬとで囲まれる領域（たとえば図中点線楕円枠内）は画素ＰＩＸの領域に相当するようになっている。画素ＰＩＸは、図中実線楕円枠Ａ内の拡大された図に示すように、ゲート信号線ＧＬからの走査信号によってオンされる薄膜トランジスタＴＦＴと、このオンされた薄膜トランジスタＴＦＴを介してドレイン信号線ＤＬからの映像信号が供給される画素電極ＰＸと、前記対向電圧信号線ＣＬに接続され基準信号が供給される対向電極ＣＴを備えて構成されている。画素電極ＰＸと対向電極ＣＴの間には電圧差に応じた電界が生じ、この電界によって液晶が駆動されるようになっている。

図２では、携帯電話器に組み込まれる液晶表示装置を例に揚げて説明したが、本発明は、この種の液晶表示装置に限定されることはない。

（画素の構成）
図３（ａ）は、前記画素の構成の一実施例を示す平面図である。また、図３（ｂ）は、図３（ａ）のｂ−ｂ線における断面図を示している。

まず、基板ＳＵＢ１（図３（ｂ）参照）の表面（液晶側の面）にたとえばポリシリコン（Poly-Si）からなる半導体層ＰＳが形成されている。この半導体層ＰＳは、後述の薄膜トランジスタＴＦＴの半導体層となるもので、後述のゲート信号線ＧＬと交差し、かつ、直角に屈曲されたパターンとして形成されている。また、該半導体層ＰＳは、その両端において比較的面積の大きな部分を有し、一端側は後述のドレイン信号線ＤＬ、他端側は後述のソース電極ＳＴに接続されるようになっている。

前記基板ＳＵＢ１の表面には、前記半導体層ＰＳをも被って絶縁膜ＧＩ（図３（ｂ）参照）が形成されている。この絶縁膜ＧＩは前記薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域においてゲート絶縁膜として機能するようになっている。

前記絶縁膜ＧＩの上面には、図中ｘ方向に延在しｙ方向に並設されるゲート信号線ＧＬが形成されている。このゲート信号線ＧＬは、その一部において画素領域側に指向する突出部を備え、この突出部は前記薄膜トランジスタＴＦＴのゲート電極ＧＴとして機能するようになっている。前記ゲート信号線ＧＬは前記半導体層ＰＳの一部を跨ぎ、そのゲート電極ＧＴは前記半導体層ＰＳの他の部分を跨ぐようにして形成されるようになっている。これにより、前記半導体層ＰＳは、前記ゲート電極ＧＴおよびゲート信号線ＧＬが重畳された部分において、薄膜トランジスタＴＦＴのチャネル領域として機能させるようになっている。なお、前記半導体層ＰＳは、前記ゲート信号線ＧＬ（ゲート電極ＧＴ）の形成の後において、該ゲート信号線ＧＬ（ゲート電極ＧＴ）をマスクとして不純物がイオン注入され、前記チャネル領域を除く領域を低抵抗化するようになっている。

前記基板ＳＵＢ１の表面には、前記ゲート信号線ＧＬ（ゲート電極ＧＴ）をも被って第１層間絶縁膜ＩＮ１（図３（ｂ）参照）が形成されている。該第１層間絶縁膜ＩＮ１は、前記ゲート信号線ＧＬ（ゲート電極ＧＴ）と後述のドレイン信号線ＤＬとの層間絶縁を図るようになっている。

前記第１層間絶縁膜ＩＮ１の上面には、図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設されるドレイン信号線ＤＬが形成されている。このドレイン信号線ＤＬは、前記半導体層ＰＳの一端側に重畳し、前記第１層間絶縁膜ＩＮ１に形成されているスルーホールＴＨ１を通して、前記半導体層ＰＳの一端側に接続されている。前記ドレイン信号線ＤＬの前記半導体層ＰＳとの接続部は前記薄膜トランジスタＴＦＴのドレイン電極として機能するようになっている。

また、前記ドレイン信号線ＤＬの形成の際に、前記薄膜トランジスタＴＦＴのソース電極ＳＴが形成されるようになっている。前記ソース電極ＳＴは、前記第１層間絶縁膜ＩＮ１に形成されているスルーホールＴＨ２を通して、前記半導体層ＰＳの他端側に接続されるようになっている。このソース電極ＳＴは後述の画素電極ＰＸと接続されるようになっている
前記基板ＳＵＢ１の主面には、前記薄膜トランジスタＴＦＴをも被って保護膜ＰＡＳが形成されている。該保護膜ＰＡＳは前記薄膜トランジスタＴＦＴの液晶との直接の接触を回避させ、該薄膜トランジスタの特性劣化を防止するために設けられる。前記保護膜ＰＡＳは、たとえば２層で構成され、その下層には無機絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳｉが、上層には有機絶縁膜からなる保護膜ＰＡＳｏが形成されている。保護膜ＰＡＳの上層に有機絶縁膜を用いているのは、保護膜ＰＡＳの表面を平坦化させるためである。

保護膜ＰＡＳの表面には、たとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜からなる対向電極ＣＴが形成されている。この対向電極ＣＴは、図中ｘ方向に隣接する他の画素における対向電極と共通に形成され、ドレイン信号線ＤＬを被って形成されている。これにより、前記対向電極ＣＴは、図２に示した対向電圧信号線ＣＬを兼ね備えた構成となっている。前記対向電極ＣＴの図中上端の辺部はゲート信号線ＧＬと重なって形成され、下端の辺部はゲート信号線ＧＬと距離を隔てて形成されているとともに、前記ソース電極ＳＴとの重なりを回避するようにして切り欠きＣｔが設けられている。この切り欠きＣｔによって、後述する画素電極ＰＸの前記ソース電極ＳＴとの接続部において前記対向電極ＣＴと電気的な接続がなされないようにするためである。

前記基板ＳＵＢ１の表面には、前記対向電極ＣＴをも被って第２層間絶縁膜ＩＮ２が形成されている。該第２層間絶縁膜ＩＮ２は、前記対向電極ＣＴと後述の画素電極ＰＸとの層間絶縁を図るために設けられている。また、この第２層間絶縁膜ＩＮ２は、前記対向電極ＣＴと画素電極ＰＸの間に容量を形成するための誘電膜としての機能をも有している。

前記第２層間絶縁膜ＩＮ２の表面にはたとえばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）等の透明導電膜からなる画素電極ＰＸが形成されている。この画素電極ＰＸは、前記対向電極ＣＴと重ねられるようにして配置され、たとえば図中ｙ方向に延在しｘ方向に並設される複数（図では２本）の線状の電極から構成されている。画素電極ＰＸの各電極はその上下端のそれぞれにおいて互いに接続されている。また、画素電極ＰＸの下端において、比較的広い面積を有し、前記第２層間絶縁膜ＩＮ２および保護膜ＰＡＳに形成されているスルーホールＴＨ３を通して、前記ソース電極ＳＴと電気的に接続されている。

また、液晶と接触する基板ＳＵＢ１の表面には画素電極ＰＸをも被って配向膜ＯＲＩ１が形成されている。

（シール材ＳＬの近傍の構成）
図１は、図２のI−I線における断面図を示した図である。図１は、基板ＳＵＢ２を省略して示している。

図１において、後述するシール材ＳＬと液晶表示領域ＡＲの間の領域に、走査信号駆動回路Ｖ１が形成され、図中、この走査信号駆動回路Ｖ１は、矩形点線枠によって簡略化して示している。この走査信号駆動回路Ｖ１は、複数の薄膜トランジスタを有して構成され、これら薄膜トランジスタは、画素領域内の前記薄膜トランジスタＴＦＴと並行して製造されるようになっている。このため、前記走査信号駆動回路Ｖ１は、通常、基板ＳＵＢ１の上層であって前記保護膜ＰＡＳの下層に形成されるようになっている。上述したように、保護膜ＰＡＳは、薄膜トランジスタと液晶との直接の接触を回避させ、該薄膜トランジスタの特性劣化を防止する機能を有するからである。

そして、この走査信号駆動回路Ｖ１内には、前記信号線ＭＬｍａおよび信号線ＭＬｍｉが走行されて形成されている。これら信号線ＭＬｍａおよび信号線ＭＬｍｉは、図中基板ＳＵＢ１面に形成されて示しているが、これに限定されることはなく、絶縁膜ＧＬの上層、あるいは第１層間絶縁膜ＩＮ１の上層に形成されていてもよい。

上述したように、たとえば、前記信号線ＭＬｍａは、基板ＳＵＢ１に形成される回路中最も高い電位が印加される信号線であり、前記信号線ＭＬｍｉは最も低い電位が印加される信号線となっている。前記走査信号駆動回路Ｖ１を構成する複数の薄膜トランジスタは、通常、前記信号線ＭＬｍａと前記信号線ＭＬｍｉとの間に接続されて前記走査信号駆動回路Ｖ１を構成するようになっている。

前記走査信号駆動回路Ｖ１をも被って形成される保護膜ＰＡＳの上面の液晶表示領域ＡＲには、前記対向電極ＣＴが形成され、基板ＳＵＢ１の上面には該対向電極ＣＴをも被って第２層間絶縁膜ＩＮ２が形成されている。

前記第２層間絶縁膜ＩＮ２の液晶表示領域ＡＲには、画素電極ＰＸが形成され、この画素電極ＰＸの形成と同時に配向膜ストッパＳＴＬが形成されている。この実施例の場合、前記画素電極ＰＸは透明導電膜によって形成され、このことから、前記配向膜ストッパＳＴＬも透明導電膜によって形成されている。

また、前記配向膜ストッパＳＴＬは、平面的に観た場合、前記液晶表示領域ＡＲを囲むようにして（図４参照）、たとえば２個設けられ、それぞれの配向膜ストッパ（図中ＳＴＬ１、ＳＴＬ２で示す）は同心状に配置されている。

そして、配向膜ストッパＳＴＬ１は、平面的に観た場合、前記信号線ＭＬｍａに重畳するようにして形成され、該信号線ＭＬｍａと同電位に保持されるように構成されている。同様に、配向膜ストッパＳＴＬ２は、平面的に観た場合、前記信号線ＭＬｍｉに重畳するようにして形成され、該信号線ＭＬｍｉと同電位に保持されるように構成されている。

このように、画素電極ＰＸ、配向膜ストッパＳＴＬが形成された第２層間絶縁膜ＩＮ２の面には、その液晶表示領域ＡＲにおいて配向膜ＯＲＩ１が形成され、該配向膜ＯＰＩ１を囲んで形成される前記配向膜ストッパＳＴＬの形成領域の外方にシール材ＳＬが形成されるようになっている。

この場合、前記配向膜ＯＲＩ１は、樹脂膜を塗布して形成し、該樹脂膜の表面を配向処理して形成するが、該樹脂膜の硬化前において、その流動によって前記シール材ＳＬの形成領域に及んでしまうのを、前記配向膜ストッパＳＬＴによって防止できるようになる。そして、前記配向膜ストッパＳＴＬは、それと重なる信号線（信号線ＭＬｍａ、ＭＬｍｉ）と同電位に保持されていることから、該信号線との間に寄生容量が発生することはなく、この寄生容量によって液晶表示装置の表示特性に悪影響を及ぼす可能性を回避することができる。

図４は、図２に示した液晶表示装置において、基板ＳＵＢ２を取り外した場合に目視される基板ＳＵＢ１の液晶側の面を示している。配向膜ＯＲＩ１の外側であって、シール材ＳＬの内側の領域に、前記配向膜ＯＲＩ１を囲むようにして、配向膜ストッパＳＬＴ１、ＳＬＴ２が同心状に配置されている。

ここで、前記配向膜ストッパＳＬＴ１は、たとえば、走査信号駆動回路Ｖ１とＲＧＢスイッチング回路ＲＧＢＳとの間の領域、走査信号駆動州回路Ｖ２とＲＧＢスイッチング回路ＲＧＢＳとの間の領域において、それぞれ、下層に重畳して存在する前記信号線ＭＬｍａと、前記保護膜ＰＡＳ、第１層間絶縁膜ＩＮ１、絶縁膜ＧＩ等に形成されたスルーホールＴＨ４を通して電気的に接続されている。同様に、前記配向膜ストッパＳＬＴ２も、たとえば、走査信号駆動回路Ｖ１とＲＧＢスイッチング回路ＲＧＢＳとの間の領域、走査信号駆動州回路Ｖ２とＲＧＢスイッチング回路ＲＧＢＳとの間の領域において、それぞれ、下層に重畳して存在する前記信号線ＭＬｍｉと、前記保護膜ＰＡＳ、第１層間絶縁膜ＩＮ１、絶縁膜ＧＩ等に形成されたスルーホールＴＨ５を通して電気的に接続されている。これにより、配向膜ストッパＳＬＴ１を信号線ＭＬｍａと同電位に保持し、配向膜ストッパＳＬＴ２を信号線ＭＬｍｉと同電位に保持するようにしている。スルーホールＴＨ４、ＴＨ５の形成領域を上述のようにしたのは、該領域が比較的スペース的に余裕がある領域であるからである。しかし、これに限定されず、他の領域において接続させる構成としてもよい。

上述した実施例では、配向膜ストッパＳＴＬは２個設けるようにしたものであるが、これに限定されることはやく、たとえば１個であってもよい。この場合、信号線ＭＬｍａ、信号線ＭＬｍｉのうちいずれかの信号線に重畳させて形成することができる。

なお、図１においては、走査信号駆動回路Ｖ１を横断する断面図を示したものであるが、走査信号駆動回路Ｖ２を横断する断面図、およびＲＧＢスイッチング回路ＲＧＢＳを横断する断面図もほぼ同様となっている。

〈実施例２〉
実施例１は、液晶表示領域ＡＲの両脇に走査信号駆動回路Ｖ１、走査信号駆動回路Ｖ２を設けた構成となっている。しかし、これに限定されることはなく、前記走査信号駆動回路Ｖ１、走査信号駆動回路Ｖ２のうちいずれか一方を備えるものであってよい。そして、この場合にあって、前記信号線ＭＬｍａ、信号線ＭＬｍｉは必ずしも液晶表示領域ＡＲを囲むように形成されることは必要なく、たとえば、前記走査信号駆動回路Ｖ１、走査信号駆動回路Ｖ２のうちいずれか一方の走査信号駆動回路、およびＲＧＢスイッチング回路ＲＧＢＳの形成領域のみを走行するように形成するようにしてもよい。

〈実施例３〉
実施例１は、ＲＧＢスイッチング回路ＲＧＢＳを設けた構成となっている。しかし、これに限定されることはなく、該ＲＧＢスイッチング回路ＲＧＢＳは備えられていなくてもよい。実施例２と同趣旨である。

〈実施例４〉
実施例１では、配向膜ストッパＳＴＬは、電源供給線からなる信号線ＭＬｍａ、信号線ＭＬｍｉに重ねるようにして構成した。しかし、本発明は、このような信号線ＭＬｍａ、信号線ＭＬｍｉに限定されることはなく、他の信号線であってもよい。しかし、配向膜ストッパＳＴＬは配向膜ＯＲＩ１を囲むようにして形成される必要から、該配向膜ＯＲＩ１の各辺のいずれかに沿ってある程度の長さで走行する信号線を選択することが望ましい。

図５（ａ）は、本発明の液晶表示装置の実施例４の構成を示した図で、図２と対応した図となっている。図２の場合と比較して異なる構成は、まず、走査信号駆動回路Ｖ１、走査信号駆動回路Ｖ２、およびＲＧＢスイッチング回路ＲＧＢＳが基板ＳＵＢ１上に形成されていない点にある。前記走査信号駆動回路Ｖ１、走査信号駆動回路Ｖ２の機能を有する回路は半導体装置ＳＣＮに組み込まれて構成されている。

このことから、液晶表示領域ＡＲに形成される各ゲート信号線ＧＬは、引出配線ＢＷを介して前記半導体装置ＳＣＮに直接に電気的接続されている。この場合、たとえば、液晶表示領域ＡＲの下半分の領域に形成されるゲート信号線ＧＬは図中左側において引出配線ＢＷ（図中ＢＷ１で示す）によって引き出され、液晶表示領域ＡＲの上半分の領域に形成されるゲート信号線ＧＬは図中右側において引出配線ＢＷ（図中ＢＷ２で示す）によって引き出されるようになっている。前記引出配線ＢＷ１、引出配線ＢＷ２は、それぞれ、液晶表示領域ＡＲに近接し、該液晶表示領域ＡＲの辺に沿って走行し、前記半導体装置ＳＣＮに導かれるようになっている。

一方、図５（ｂ）は、図５（ａ）に示した液晶表示装置において、基板ＳＵＢ２を取り外した場合に目視される基板ＳＵＢ１の液晶側の面を示している。

図５（ｂ）において、液晶表示領域ＡＲを被って形成される配向膜ＯＲＩ１の外側であって、シール材ＳＬの内側の領域に、該配向膜ＯＲＩ１を囲むようにして配向膜ストッパＳＴＬ１、ＳＴＬ２が形成されている。

この場合、前記配向膜ストッパＳＴＬ１は前記引出配線ＢＷ１のいずれかに重畳するように形成され、前記配向膜ストッパＳＴＬ２は前記引出配線ＢＷ２のいずれかに重畳するように形成されている。

そして、前記配向膜ストッパＳＴＬ１は、前記引出配線ＢＷ１の重畳個所において絶縁膜ＰＡＳ、第１層間絶縁膜ＩＮ１、および絶縁膜ＧＩに形成されたスルーホールＴＨ６を通して、前記引出配線ＢＷ１に電気的に接続されている。同様に、前記配向膜ストッパＳＴＬ２は、前記引出配線ＢＷ２の重畳個所において絶縁膜ＰＡＳ、第１層間絶縁膜ＩＮ１、および絶縁膜ＧＩに形成されたスルーホールＴＨ７を通して、前記引出配線ＢＷ２に電気的に接続されている。

〈実施例５〉
図６は、本発明の液晶表示装置の実施例５の構成を示す図で、図１に対応した図となっている。

図１の場合と比較して異なる構成は、配向膜ストッパＳＴＬを、導電層で形成しているのではなく、第２層間絶縁膜ＩＮ２および保護膜ＰＳＡ等に形成した溝で形成した点にある。すなわち、前記溝からなる配向膜ストッパＳＴＬは、配向膜ＯＲＩ１を囲むように形成され、同心状に配置されたたとえば４個のストッパから構成されている。

この実施例の場合、前記保護膜ＰＡＳを形成した後に、この保護膜ＰＡＳの表面に選択エッチングにより溝を形成し、前記第２層間絶縁膜ＩＮ２を形成する際には、前記溝を完全に埋めることなく、該第２層間絶縁膜ＩＮ２を形成するようにして、前記配向膜ストッパＳＲＴＬを形成するようにする。しかし、このような方法に限定されることなく、溝からなる配向膜ストッパを形成するようにしてもよい。

以上、本発明を実施例を用いて説明してきたが、これまでの各実施例で説明した構成はあくまで一例であり、本発明は、技術思想を逸脱しない範囲内で適宜変更が可能である。また、それぞれの実施例で説明した構成は、互いに矛盾しない限り、組み合わせて用いても良い。

本発明の液晶表示装置の一実施例を示す構成図で、図２のI−I線における断面図である。 本発明の液晶表示装置の一実施例を示す平面図である。 本発明の液晶表示装置の画素の構成を示す構成図である。 本発明の液晶表示装置で基板ＳＵＢ２を取り除いて示した平面図である。 本発明の液晶表示装置の他の実施例を示す構成図である。 本発明の液晶表示装置の他の実施例を示す構成図である。

符号の説明

ＳＵＢ１、ＳＵＢ２……基板、ＳＬ……シール材、Ｖ１、Ｖ２……走査信号駆動回路、ＲＧＢＳ……ＲＧＢスイッチング回路、ＧＬ……ゲート信号線、ＤＬ……ドレイン信号線、ＣＬ……対向電圧信号線、ＰＩＸ……画素、ＴＦＴ……薄膜トランジスタ、ＰＸ……画素電極、ＣＴ……対向電極、ＭＬｍａ、ＭＬｍｉ……信号線、ＰＳ……半導体層、ＧＩ……絶縁膜、ＩＮ１……第１層間絶縁膜、ＰＡＳ……保護膜、ＩＮ２……第２層間絶縁膜、ＢＷ１、ＢＷ２……引出配線、ＳＴＬ、ＳＴＬ１、ＳＴＬ２……配向膜ストッパ。

Claims (12)

1. 液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の固定を兼ねて前記液晶を封入するシール材とを備える液晶表示装置であって、
   前記第１基板は、少なくとも、前記シール材で囲まれる領域に形成される複数の画素を駆動させるための信号線と、該信号線をも被って形成される絶縁膜を介して前記シール材との間に間隙を有して配置される配向膜と、前記配向膜と前記シール材との間の間隙に前記配向膜を囲んで形成される線状の導電膜を有し、
   前記導電膜は、平面的に観て、前記信号線のうち前記配向膜と前記シール材との間の間隙に配置される信号線と重畳されて形成されているとともに、該信号線と同電位に保持されていることを特徴とする液晶表示装置。
2. 前記第１基板には走査信号駆動回路が形成され、前記信号線は、前記走査信号駆動回路内を走行する電源信号線であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
3. 前記走査信号駆動回路は、複数の画素の形成領域の両脇にそれぞれ形成されていることを特徴とする請求項２に記載の液晶表示装置。
4. 前記電源信号線は、複数の画素の形成領域の両脇にそれぞれ形成された走査信号駆動回路内を走行し、前記複数の画素の形成領域を囲んで形成されていることを特徴とする請求項３に記載の液晶表示装置。
5. 前記第１基板にはＲＧＢスイッチング回路が形成され、前記信号線は、前記ＲＧＢスイッチング回路内を走行する電源信号線であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
6. ＲＧＢスイッチング回路は、走査信号駆動回路とともに形成され、前記ＲＧＢスイッチング回路の電源信号線は前記走査信号駆動回路の電源信号線と共通となっていることを特徴とする請求項５に記載の液晶表示装置。
7. 前記電源信号線は、複数の画素の形成領域を囲んで形成されていることを特徴とする請求項６に記載の液晶表示装置。
8. 前記電源信号線は、第１基板に形成された回路の中で、最も高い電位が印加される信号線であることを特徴とする請求項２ないし７の何れかに記載の液晶表示装置。
9. 前記電源信号線は、第１基板に形成された回路の中で、最も低い電位が印加される信号線であることを特徴とする請求項２ないし７の何れかに記載の液晶表示装置。
10. 前記信号線は、複数の画素の形成領域の外方に該複数の画素の形成領域の辺に沿って走行する走査信号線の引出配線であることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
11. 前記画素の画素電極は透明導電膜で形成され、前記線状の導電膜は、前記画素の画素電極と同層であって透明導電膜で形成されていることを特徴とする請求項１に記載の液晶表示装置。
12. 液晶を挟持して対向配置される第１基板と第２基板と、前記第１基板と前記第２基板の固定を兼ねて前記液晶を封入するシール材とを備える液晶表示装置であって、
    前記第１基板は、少なくとも、前記シール材で囲まれる領域に形成される複数の画素を駆動させるための信号線と、該信号線をも被って形成される絶縁膜を介して前記シール材との間に間隙を有して配置される配向膜と、前記配向膜と前記シール材との間の間隙に前記配向膜を囲んで形成される溝が形成されていることを特徴とする液晶表示装置。

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