JP2012093665A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2012093665A
JP2012093665A JP2010242986A JP2010242986A JP2012093665A JP 2012093665 A JP2012093665 A JP 2012093665A JP 2010242986 A JP2010242986 A JP 2010242986A JP 2010242986 A JP2010242986 A JP 2010242986A JP 2012093665 A JP2012093665 A JP 2012093665A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
liquid crystal
insulating film
color filter
crystal display
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2010242986A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5437971B2 (ja
JP2012093665A5 (ja
Inventor
Jun Fujiyoshi
純 藤吉
Taiichi Kimura
泰一 木村
Hideo Tanabe
英夫 田辺
Masataka Okamoto
正高 岡本
Hidekazu Miyake
秀和 三宅
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd
Japan Display Inc
Original Assignee
Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd
Hitachi Displays Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd, Hitachi Displays Ltd filed Critical Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd
Priority to JP2010242986A priority Critical patent/JP5437971B2/ja
Priority to US13/277,262 priority patent/US8908116B2/en
Publication of JP2012093665A publication Critical patent/JP2012093665A/ja
Publication of JP2012093665A5 publication Critical patent/JP2012093665A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5437971B2 publication Critical patent/JP5437971B2/ja
Priority to US14/533,561 priority patent/US20150055046A1/en
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133305Flexible substrates, e.g. plastics, organic film
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/133345Insulating layers
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/133509Filters, e.g. light shielding masks
    • G02F1/133514Colour filters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1343Electrodes
    • G02F1/134309Electrodes characterised by their geometrical arrangement
    • G02F1/134363Electrodes characterised by their geometrical arrangement for applying an electric field parallel to the substrate, i.e. in-plane switching [IPS]
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Geometry (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)

Abstract

【課題】露光量を大きく増大させることなく、コンタクトホールのテーパー角を大きくした有機絶縁膜を提供する。
【解決手段】Y方向に延在しX方向に並設されるドレイン線と、X方向に延在しY方向に並設されるゲート線と、前記ゲート線からの走査信号に同期して前記ドレイン線からの映像信号を出力する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと画素電極との間に形成される有機膜とを有する第1基板と、液晶層を介して前記第1基板に対向配置される第2基板と、を備える液晶表示装置であって、前記有機膜は、前記薄膜トランジスタのソース電極と前記画素電極とを電気的に接続するコンタクトホールを有し、前記有機膜の下層に段差が形成されており、前記有機膜のコンタクトホールを形成する前記薄膜トランジスタ側の辺縁部が前記段差の下段側に形成され、前記有機膜に形成されるコンタクトホールの側壁部分が、テーパー角60°以上で形成される。
【選択図】図2

Description

本発明は、液晶表示装置に係わり、特に、基板上に形成された膜をテーパー状に成形する技術に関する。例えば、薄膜トランジスタのソース電極と画素電極とを電気的に接続するコンタクトホールを形成する際に、該コンタクトホールを形成する膜をテーパー状に成形する技術に関する。
液晶表示装置は、液晶を挟持して対向配置される一対の基板のうち、第1基板の液晶側の面に、X方向に延在しY方向に並設されるゲート線と、Y方向に延在しX方向に並設されるドレイン線が形成され、これらの配線で囲まれた矩形状の領域を画素の領域として構成している。表示領域はこれら各画素の集合体によって形成される。
それぞれの画素には、ゲート線からの走査信号によってオンする薄膜トランジスタと、このオンされた薄膜トランジスタのソース電極を通してドレイン線からの映像信号が供給される画素電極を備えている。
そして、このような液晶表示装置においては、薄膜トランジスタの表面に無機絶縁膜が薄膜トランジスタを含む第1基板の液晶側面を覆うようにして形成され、この無機絶縁膜の液晶側面に平坦化膜として機能する有機絶縁膜が形成されている。このとき、有機絶縁膜の液晶側面には画素電極が配置され、薄膜トランジスタとのソース電極から延在するパッド部と画素電極の一部とが重畳して形成され、この重畳領域に有機絶縁膜と無機絶縁膜を貫通してパッド部に至るコンタクトホールが形成され、画素電極とソース電極とが電気的に接続される構成となっている。
一方、近年の液晶表示装置の適用領域の拡大に伴い、さらなる高画質化、高精細化が要望されている。高精細化を実現するためには、液晶表示パネルの開口率、換言すると各画素の開口率の向上が必要となる。開口率を向上した液晶表示装置として、パット部と画素電極とを電気的に接続するコンタクトホールを形成する膜のテーパー角を大きく形成し、画素領域においてコンタクトホールが占める面積を減少させ、開口率を向上させることが考えられる。
コンタクトホールのテーパー角を大きく形成した液晶表示装置は、例えば、特許文献1に記載の液晶表示装置がある。この特許文献1に記載の技術では、層間絶縁膜の上層にパッド部が形成され、該パッドを覆うように形成される有機絶縁膜にテーパー角60°のコンタクトホールが形成されている。この構成により、有機絶縁膜の表面に形成される画素電極とパット部とが電気的に接続される構成となっている。
特開2008−64954号公報
しかしながら、コンタクトホールを有する有機絶縁膜を形成する場合、特に、ネガ型有機材料でコンタクトホールを有する有機絶縁膜を形成する場合、他の無機絶縁膜を形成する場合に比較して2〜3倍程度の露光時間が必要なことが知られている。特に、特許文献1に示すように、テーパー角60°のコンタクトホールを有する有機絶縁膜を形成するためには、さらに多くの露光量が必要となるので、製造に要する時間が大きくなってしまい、液晶表示装置の製造のスループットが大きく低下してしまうことが懸念される。また、使用する有機絶縁膜の材料(レジスト材料)によっては、テーパー角が60°を超えるコンタクトホールを形成できない材料もある。
本発明はこれらの問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の目的は、露光量を大きく増大させることなく、コンタクトホールのテーパー角を大きくした有機絶縁膜を形成することが可能な技術を提供することにある。
前記課題を解決すべく、本願発明の液晶表示装置は、Y方向に延在しX方向に並設されるドレイン線と、X方向に延在しY方向に並設されるゲート線と、前記ゲート線からの走査信号に同期して前記ドレイン線からの映像信号を画素電極に出力する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間に形成される有機膜とを有する第1基板と、液晶層を介して前記第1基板に対向配置される第2基板と、を備える液晶表示装置であって、前記有機膜は、前記薄膜トランジスタのソース電極と前記画素電極とを電気的に接続するコンタクトホールを有し、前記有機膜の下層に段差が形成されており、前記有機膜のコンタクトホールを形成する前記薄膜トランジスタ側の辺縁部が前記段差の下段側に形成され、前記有機膜に形成されるコンタクトホールの側壁部分が、テーパー角60°以上で形成される液晶表示装置である。
また、本願発明の液晶表示装置は、薄膜トランジスタと画素電極とを有する複数の画素と、前記薄膜トランジスタの一方の電極と前記画素電極との間に形成された有機絶縁膜とを有する液晶表示装置であって、前記一方の電極と前記画素電極とは、前記有機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続され、前記有機絶縁膜のから成る前記コンタクトホールの側壁は、テーパー状に形成され、前記有機絶縁膜と接している前記有機絶縁膜の下層は、前記側壁と平面的に見て重畳する第1の面と、前記第1の面よりも前記画素電極側に位置する第2の面とを有し、且つ前記第1の面と前記第2の面によって段差を形成し、前記側壁と前記第1の面が交わる位置から、前記第2の面側の前記第1の面の端部までの距離が、1μm以下であることを特徴とする。
また、本願発明の液晶表示装置は、対向配置される一対の基板と、前記一対の基板の内の一方の基板に形成された薄膜トランジスタと画素電極とを有する複数の画素と、前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間に形成され、且つ互いに隣接して形成された第1のカラーフィルタと第2のカラーフィルタと第3のカラーフィルタから成るカラーフィルタ層とを有する液晶表示装置であって、前記薄膜トランジスタの一方の電極と前記画素電極とは、前記カラーフィルタ層に形成されたコンタクトホールを介して接続され、前記カラーフィルタ層から成る前記コンタクトホールの側壁は、テーパー状に形成され、前記カラーフィルタ層と接している前記カラーフィルタ層の下層は、前記側壁と平面的に見て重畳する第1の面と、前記第1の面よりも前記画素電極側に位置する第2の面とを有し、且つ前記第1の面と前記第2の面によって第1の段差を形成し、前記側壁と前記第1の面が交わる位置から、前記第2の面側の前記第1の面の端部までの距離が、1μm以下であり、前記第1のカラーフィルタ、前記第2のカラーフィルタ、前記第3のカラーフィルタは、前記第1のカラーフィルタの一方の端部の上層に前記第2のカラーフィルタの端部を重ね合わせ、且つ前記第1のカラーフィルタの前記一方の端部とは異なる他方の端部の上層に前記第3のカラーフィルタの端部を重ね合わせて形成され、前記第1のカラーフィルタの一方の端部と他方の端部とはテーパー状に形成され、前記下層の内、前記第1のカラーフィルタと接している領域は、前記一方の端部又は前記他方の端部と平面的に見て重畳する第3の面と、前記第3の面よりも前記一方の電極側に位置する第4の面とを有し、且つ前記第3の面と前記第4の面によって段差を形成し、前記前記一方の端部又は前記他方の端部と前記第3の面とが交わる位置から、前記第4の面側の前記第3の面の端部までの距離が、1μm以下であることを特徴とする。
本発明によれば、露光量を増大させることなく、コンタクトホールのテーパー角を大きくした有機絶縁膜を備える液晶表示装置を製造できる。
本発明のその他の効果については、明細書全体の記載から明らかにされる。
本発明の実施形態1の液晶表示装置の概略構成を説明するための図である。 本発明の実施形態1の液晶表示装置における画素の概略構成を説明するための上面図である。 図2に示すB−B’線での断面図である。 図2に示すC−C’線での断面図である。 本発明の原理を説明するための断面図である。 従来の液晶表示装置における図4に対応するコンタクトホール部分の断面図である。 本発明の実施形態2の液晶表示装置における画素の概略構成を説明するための上面図である。 図7に示すE−E’線での断面図である。 図7に示すF−F’線での断面図である。
以下、本発明が適用された実施形態について、図面を用いて説明する。ただし、以下の説明において、同一構成要素には同一符号を付し繰り返しの説明は省略する。
〈実施形態1〉
〈全体構成〉
図1は本発明の実施形態1の液晶表示装置の概略構成を説明するための図であり、以下、図1に基づいて、実施形態1の液晶表示装置の全体構成を説明する。ただし、図1に示すX,YはそれぞれX軸、Y軸を示す。また、以下の説明では、平板状の共通電極の液晶層側に線状の画素電極が絶縁膜を介して配置される場合について説明するが、これに限定されることはなく、例えば、ドレイン線と平板状の画素電極とが同層に形成され、該画素電極の液晶層側に線状の共通電極が絶縁膜を介して配置される場合にも適用可能である。さらには、これらIPS方式の液晶表示装置に限らず、TN方式やVA方式等のいわゆる縦電解方式の液晶表示装置にも適用可能である。
図1に示すように、実施形態1の液晶表示装置は、画素電極(第2電極)PX及び薄膜トランジスタTFTが形成される第1基板SUB1と、第1基板SUB1に対向して配置されカラーフィルタ(着色層)等が形成される第2基板SUB2と、第1基板SUB1と第2基板SUB2とで挟持される図示しない液晶層とで構成される液晶表示パネルPNLを有する。該液晶表示パネルPNLと該液晶表示パネルPNLの光源となる図示しないバックライトユニット(バックライト装置)とを組み合わせることにより、液晶表示装置が構成されている。第1基板SUB1と第2基板SUB2との固定及び液晶の封止は、第2基板の周辺部に環状に塗布されたシール材SLで固定され、液晶も封止される構成となっている。ただし、実施形態1の液晶表示装置では、液晶が封入された領域の内で表示画素(以下、画素と略記する)の形成される領域が表示領域ARとなる。従って、液晶が封入されている領域内であっても、画素が形成されておらず表示に係わらない領域は表示領域ARとはならない。
また、第2基板SUB2は、第1基板SUB1よりも小さな面積となっており、第1基板SUB1の図中下側の辺部を露出させるようになっている。この第1基板SUB1の辺部には、半導体チップで構成される駆動回路DRが搭載されている。この駆動回路DRは、表示領域ARに配置される各画素を駆動する。なお、以下の説明では、液晶表示パネルPNLの説明においても、液晶表示装置と記すことがある。
第1基板SUB1及び第2基板SUB2としては、例えば周知のガラス基板が基材として用いられるのが一般的であるが、樹脂性の透明絶縁基板であってもよい。
実施形態1の液晶表示装置では第1基板SUB1の液晶側の面であって表示領域AR内には、図1中X方向に延在しY方向に並設され、駆動回路DRからの走査信号が供給される走査信号線(ゲート線)GLが形成されている。また、図1中Y方向に延在しX方向に並設され、駆動回路からの映像信号(階調信号)が供給される映像信号線(ドレイン線)DLが形成されている。隣接する2本のドレイン線DLと隣接する2本のゲート線GLとで囲まれる領域が画素を構成し、複数の画素が、ドレイン線DL及びゲート線GLに沿って、表示領域AR内においてマトリックス状に配置されている。
各画素は、例えば図1中丸印Aの等価回路図A’に示すように、ゲート線GLからの走査信号によってオン/オフ駆動される薄膜トランジスタTFTと、このオンされた薄膜トランジスタTFTを介してドレイン線DLからの映像信号が供給される画素電極PXと、コモン線CLを介して映像信号の電位に対して基準となる電位を有する共通信号が供給される共通電極CTとを備えている。図1中丸印Aの等価回路図A’においては、模式的に共通電極CTを線状に記しているが、実施形態1においては、上述の通り平板状に共通電極CTが形成されている。尚、実施形態1の薄膜トランジスタTFTは、そのバイアスの印加によってドレイン電極とソース電極が入れ替わるように駆動するが、本明細書中においては、便宜上、ドレイン線DLと接続される側をドレイン電極DT、画素電極PXと接続される側をソース電極STと記す。
画素電極PXと共通電極CTとの間には、第1基板SUB1の主面に平行な成分を有する電界が生じ、この電界によって液晶の分子を駆動させるようになっている。このような液晶表示装置は、いわゆる広視野角表示ができるものとして知られ、液晶への電界の印加の特異性から、IPS方式あるいは横電界方式と称される。また、このような構成の液晶表示装置において、液晶に電界が印加されていない場合に光透過率を最小(黒表示)とし、電界を印加することにより光透過率を向上させていくノーマリブラック表示形態で表示を行うようになっている。
各ドレイン線DL及び各ゲート線GLはその端部においてシール材SLを越えてそれぞれ延在され、外部システムからフレキシブルプリント基板FPCを介して入力される入力信号に基づいて、映像信号や走査信号等の駆動信号を生成する駆動回路DRに接続される。ただし、実施形態1の液晶表示装置では、駆動回路DRを半導体チップで形成し第1基板SUB1に搭載する構成としているが、映像信号を出力する映像信号駆動回路と走査信号を出力する走査信号駆動回路との何れか一方又はその両方の駆動回路をフレキシブルプリント基板FPCにテープキャリア方式やCOF(Chip On Film)方式で搭載し、第1基板SUB1に接続させる構成であってもよい。
なお、図1中丸印Aの等価回路図A’においては、画素毎に独立して形成される共通電極CTに対して、コモン線CLを介して共通信号を入力する構成としたが、実施形態1の液晶表示装置でこれに限定されることはなく、例えば、少なくとも表示領域ARの全面に共通電極CTを形成する構成であってもよい。
〈画素構成〉
図2は本発明の実施形態1の液晶表示装置における画素の概略構成を説明するための上面図であり、図3は図2に示すB−B’線での断面図であり、図4は図2に示すC−C’線での断面図である。以下、図2〜図4に基づいて、実施形態1の液晶表示装置における画素構成を説明する。また、コンタクトホールが形成される有機絶縁膜を除く他の薄膜は公知のフォトリソグラフィ技術により形成可能であるので、形成方法の詳細な説明は省略する。
図2に示すように、ゲート線GLとドレイン線DLとで囲まれる領域には、たとえばITO(Indium Tin Oxide)等の透明導電材料からなり、共通電極となる図示しない透明導電膜が形成されている。該透明導電膜は、例えば、コモン線側の辺部において該コモン線に重畳されて形成され、コンタクトホールを介してコモン線と電気的に接続されて形成されている。なお、透明導電膜としてITOを用いた場合について説明するが、ITOに限定されることはなく、公知のZnO系透明導電膜を用いてもよい。
また、ゲート線GLとドレイン線DLで囲まれる領域には、ITO等の透明導電材料からなる矩形状の透明導電膜に該透明導電膜よりも小さい開口が形成されており、共通電極と重畳される領域において線状(櫛歯状)の画素電極PXを構成している。この画素電極PXの一端は、その側壁面の傾斜角すなわちテーパー角が約60°に形成されるコンタクトホールTH1を介して、画素の辺部に形成される薄膜トランジスタTFTのソース電極STに接続される構成となっている。
図3にゲート線GLに沿った領域の断面構造を示す。図3に示すように、第1基板SUB1の表面に、第1基板SUB1から薄膜トランジスタTFTへのNa(ナトリウム)やK(カリウム)などのイオンの混入をブロックするために、絶縁膜である下地膜UCが形成されている。下地膜UCとしては、例えば第1基板SUB1側から順に窒化シリコン(SiN)などからなる層と、酸化シリコン(SiO)などからなる層を積層した構造の薄膜を用いるが、これに限定されるものではない。
この下地膜UCの上層には、例えばアモルファスシリコンからなる半導体層ASが形成されている。この半導体層ASは薄膜トランジスタTFTの半導体層となるものであり、ポリシリコンや微結晶シリコン等であってもよい。
半導体層ASの上層には、当該半導体層ASを被うようにして、酸化シリコン(SiO)系の薄膜であるゲート絶縁膜GIが形成されている。このゲート絶縁膜GIは、薄膜トランジスタTFTの形成領域において該薄膜トランジスタTFTのゲート絶縁膜として機能するもので、それに応じて膜厚等が設定されるようになっている。また、ゲート絶縁膜GIの上層には、ゲート線GLが形成され、半導体層ASと重畳する個所においてゲート線GLがゲート電極GTを兼ねる構成となっており、このゲート線GLの上層には無機絶縁膜(層間絶縁膜)IN1が形成される構成となっている。なお、無機絶縁膜IN1としては、例えば酸化シリコン(SiO)が好適である。
また、無機絶縁膜IN1の上層には、図2中のY方向に伸延するドレイン線DLが形成されている。該ドレイン線DLの一部は、ゲート絶縁膜GI及び無機絶縁膜IN1に形成されたコンタクトホールCH2を介して半導体層ASと接続される個所において、当該ドレイン線DLがドレイン電極を兼ねている。また、ドレイン線DLと共に半導体層ASの他端側に形成されるソース電極STが、ゲート絶縁膜GI及び無機絶縁膜IN1に形成されたコンタクトホールCH1を介して、半導体層ASと接続される構成となっている。なお、ゲート線GLとドレイン線DLとが交差する領域においては、前述の層間絶縁膜IN1がゲート線GLとドレイン線DLとの間に配置される構成になっており、ゲート線GLとドレイン線DLとが短絡することを防いでいる。
ドレイン線DL及びソース電極STの上層すなわち薄膜トランジスタTFTの上層には、当該薄膜トランジスタTFTを被う無機化合物からなる保護膜として無機絶縁膜IN2が形成される構成となっている。この無機絶縁膜IN2は有機絶縁膜PASの成分などから薄膜トランジスタTFTを保護する役割を持っており、例えば無機質材料である窒化シリコン(SiN)膜、酸化シリコン膜(SiO,SiO)、等からなり、薄膜トランジスタTFTの上層の全面に当該無機絶縁膜IN2が形成されている。
無機絶縁膜IN2の上層には、平坦化膜と機能する有機絶縁膜PASが形成される構成となっている。実施形態1では、後に詳述するように、コンタクトホールTH1の形成領域ではテーパー角が約60°で形成される。
有機絶縁膜PASの上層には、共通電極CTとなるITOからなる透明導電膜が形成されており、その上層に容量絶縁膜としても機能する無機絶縁膜IN3が形成される構成となっている。無機絶縁膜IN3、有機絶縁膜PAS、無機絶縁膜IN2にはソース電極STとなる薄膜に至るコンタクトホールTH1が形成されており、無機絶縁膜IN3の上層に形成され、ITOからなる透明導電膜で形成される画素電極PXとソース電極STとが電気的に接続されている。
この有機絶縁膜PASに形成されるコンタクトホールTH1の部分では、図4に示すように、無機絶縁膜IN2の液晶側面と有機絶縁膜PASの側壁面とのなす角度であるテーパー角(図4にθで示す)が約60°に形成されている。ただし、テーパー角は60°に限定されることはなく、60°以上のテーパー角ならば、他の角度であってもよい。また、図4に示すように、無機絶縁膜IN2の液晶側面には、段差(凸部、無機絶縁膜IN1とゲート絶縁膜GIに無機絶縁膜IN2が乗り上げている部分)が形成されている。このとき、後述する原理説明の項で詳細に説明するように、コンタクトホールTH1を形成する有機絶縁膜PASの液晶側面から下層の無機絶縁膜IN2に到達する貫通孔では、この無機絶縁膜IN2の段差(凸部)近傍に有機絶縁膜PASの側壁面が形成される構成となっている。
すなわち、実施形態1では、コンタクトホールTH1の形成領域では、有機絶縁膜PASの側壁面は、丸印Dで示す下層に形成される無機絶縁膜IN2に接する有機絶縁膜PASの下層側端部と、無機絶縁膜IN2の液晶側面に形成される段差(凸部)の端部(有機絶縁膜PASの側壁面側の段差端部)との距離Lが1μm以下に形成されている。換言すれば、無機絶縁膜IN2の液晶面側に形成される段差(凸部)の下端から距離L=1μm以下の位置に、有機絶縁膜PASの下層側端部が位置する構成となっている。上記構成とすることにより、実施形態1では、有機絶縁膜PASを露光する際の露光量を大幅に増加させることなく、有機絶縁膜PASの傾斜角を大きく形成する構成としている。なお、露光には、例えばGHI線が用いられる。このとき、露光量の増加は露光時間に比例するので、液晶表示装置の製造スループットを低下させることなく、有機絶縁膜PASの傾斜角を大きく形成することが可能となる。従って、液晶表示装置の製造スループットを低下させることなく、画素領域においてコンタクトホールが占める面積を減少させ、開口率を向上させることができる。
このとき、無機絶縁膜IN2の表面に形成される段差(凸部)は、半導体層ASの上層に形成されるゲート絶縁膜GI及び無機絶縁膜IN1の端部に、無機絶縁膜IN2を積層することによって形成された段差である。このような段差を形成するために、実施形態1においては、無機絶縁膜IN2に形成される開口幅よりも有機絶縁膜PASの開口幅を大きく形成すると共に、有機絶縁膜PASの開口幅よりもゲート絶縁膜GI及び無機絶縁膜IN1の開口幅を大きく形成する構成としている。これにより、薄膜トランジスタTFTのソース電極STとなる薄膜の表面に画素電極PXの一部端部が形成され、ソース電極STと画素電極PXが電気的に接続される。
〈原理説明〉
図5は本発明の原理を説明するための断面図であり、図5(a)は段差の上面側に有機絶縁膜PASの下端部を形成する場合の断面図であり、図5(b)は平板状の上面に有機絶縁膜PASの下端部を形成する場合の断面図であり、図5(c)は段差の下面側に有機絶縁膜PASの下端部を形成する場合の断面図である。ただし、図5(a)〜図5(c)の開口部は同じ露光量で有機絶縁膜を形成した場合を示している。
本願発明者らは、平板状の無機絶縁膜IN2と、段差が形成される無機絶縁膜IN2の表面に、有機絶縁膜PASを形成し、更に有機絶縁膜PASに側壁面がテーパー状に形成される開口を露光量で形成した際のテーパー角を比較し、以下のことを発見した。
図5(a)に示すように、無機絶縁膜IN2の段差部の上段側(の平坦面)に、該段差部を覆うように有機絶縁膜PASを形成した場合の有機絶縁膜PASのテーパー角をθ1とする。また、図5(b)に示すように、平板状の無機絶縁膜IN2の上面に有機絶縁膜PASを形成した場合の有機絶縁膜PASのテーパー角をθ2とする。さらには、図5(c)に示すように、無機絶縁膜IN2の段差部の下段側(の平坦面)に、該段差部を覆うように有機絶縁膜PASを形成した場合の有機絶縁膜PASのテーパー角をθ3とする。尚、有機絶縁膜PASの側壁面と段差端部との距離は1μm以下である。
この場合に形成される有機絶縁膜PASに開口部すなわち端部のテーパー角は、θ3>θθ2>θ1となり、平板状のテーパー角θ2を基準とした場合、より大きなテーパー角θ3の端部を形成するためには、図5(c)に示すように、無機絶縁膜IN2の段差部の下段側に、該段差部を覆うように有機絶縁膜PASを形成することにより、同じ露光量であってもより大きなテーパー角θ3を得られることが判明した。また、同じ露光量で平板状のテーパー角θ2よりも小さなテーパー角θ1の端部を形成するためには、図5(c)に示すように、無機絶縁膜IN2の段差部の上段側に、該段差部を覆うように有機絶縁膜PASを形成することにより、同じ露光量であってもより小さなテーパー角θ1を得られることが判明した。
従って、実施形態1の液晶表示装置においては、無機絶縁膜IN2の段差の下段側に有機絶縁膜PASの下側端部を形成すると共に、該有機絶縁膜PASで段差を覆う構成とすることにより、有機絶縁膜PASを形成する際の露光量を増加させることなく、図4のテーパー角θが約60°になるように、有機絶縁膜PASの側壁すなわちコンタクトホールTH1の側壁を形成する構成としている。これにより、図6に示す図4に対応する従来の液晶表示装置(無機絶縁膜IN2の段差部の形状が図4と異なる)のコンタクトホールの側壁のテーパー角よりも、図4に示す実施形態1の液晶表示装置のコンタクトホールTH1の側壁のテーパー角を大きく形成することができる。ただし、図6に示す従来の液晶表示装置の画素構成は、無機絶縁膜IN2の段差部の上段側に、該段差部を覆うように有機絶縁膜PASを形成した構成、すなわち図5(a)に示す構成に非常に類似する構成となるので、この構成を有する従来の液晶表示装置でθ=60°以上のテーパー角を有する有機絶縁膜PASを形成するためには、非常に大きな露光量が必要であると推定できる。
〈実施形態2〉
図7は本発明の実施形態2の液晶表示装置における画素の概略構成を説明するための上面図であり、図8は図7に示すE−E’線での断面図であり、図9は図7に示すF−F’線での断面図である。ただし、実施形態2の液晶表示装置は、実施形態1の液晶表示装置における有機絶縁膜PASの形成位置に、有機膜である赤色(R)、緑色(G)、青色(B)のカラーフィルタ(着色層)を順次形成する構成としており、カラーフィルタを除く他の構成は実施形態1と同様となる。従って、以下の説明では、カラーフィルタの構成及び該カラーフィルタに形成されるコンタクトホールTH1について詳細に説明する。
図7に示すように、実施形態2の液晶表示装置における第1基板SUB1の液晶側の面(表面、上面)には、ゲート線GL及びドレイン線DLがそれぞれ所定の距離を有して並設されている。隣接する2本のドレイン線DLと隣接する2本のゲート線GLとで囲まれる領域の画素には、赤色(R)、緑色(G)、青色(B)のいずれかの色のカラーフィルタが形成されている。特に、実施形態2の液晶表示装置では、各カラーフィルタはドレイン線DLの延在方向であるY方向に沿って、ストライプ状に形成される構成となっている。例えば、図中中央の画素には、緑色(G)のカラーフィルタCF(G)が形成され、Y方向に隣接する各画素にも緑色(G)のカラーフィルタCF(G)が形成されている。一方、X方向には、ストライプ状に形成される各カラーフィルタ(赤色(R)のカラーフィルタCF(R)(図中左側)、緑色(G)のカラーフィルタCF(G)(図中中央)、青色(B)のカラーフィルタCF(B)(図中右側))が隣接して形成されている。また、実施形態2の液晶表示装置においては、隣接配置されるカラーフィルタの端部(隣接側の端部)がテーパー状に形成されると共に重ねて配置され、この重なり部分がドレイン線DLに重畳する構成となっている。
このような構成からなる実施形態2の画素では、図8に示すように、無機絶縁膜IN2を含めた下層の各薄膜の構成は実施形態1と同様の構成となり、該無機絶縁膜IN2の上層にカラーフィルタCF(R)、CF(G)、CF(B)が形成されている。このとき、無機絶縁膜IN2は有機絶縁物であるカラーフィルタの顔料に含まれる金属成分などから薄膜トランジスタTFTを保護する役割を有する。実施形態2では、赤色(R)のカラーフィルタCF(R)、緑色(G)のカラーフィルタCF(G)、青色(B)のカラーフィルタCF(B)が順番に無機絶縁膜IN2の上層に形成される。尚、各色のカラーフィルタを形成する順番は、上記順番に限定されるものではない。このときのカラーフィルタの形成では、ドレイン線DLと重畳され、隣接する2色のカラーフィルタが重なる領域を遮光領域(遮光膜)として利用する構成となっている。即ち、隣接する2色のカラーフィルタを当該ドレイン線DLの上方で重ね合わせる構成となっている。
このような重ね合わせる構成を採る場合、重ね合わせ部の下層のカラーフィルタのテーパー角(図8のCF(G)のテーパー角)がある程度大きい場合には、通常、下層のカラーフィルタの上層に、上層のカラーフィルタが乗り上げて、重ね合せ部に凸部が形成される。図8の左側の重ね合せ部においては、カラーフィルタCF(G)の上層にカラーフィルタCF(R)が乗り上げて、凸部が形成される。同様に、図8の右側の重ね合せ部においては、カラーフィルタCF(G)の上層にカラーフィルタCF(B)が乗り上げて、凸部が形成される。その結果、カラーフィルタの上層に形成される共通電極CT及び画素電極PXにも凹凸が生じ、液晶表示装置における画質低下の原因となってしまう。従って、図8に示す、重ね合わせ部のカラーフィルタのテーパー角は、比較的小さい角度に形成する必要がある。
一方、カラーフィルタCF(R)、カラーフィルタCF(G)、カラーフィルタCF(B)の形成時においては、順次、各画素領域のコンタクトホールTH1の形成も行われることとなる。例えばカラーフィルタCF(G)の形成では、第1基板SUB1の全面への緑色(G)用のレジスト材料を塗布した後に、フォトリソグラフィ技術によって、所定の形状にパターニングする。この際、カラーフィルタ端部(重ね合せ部)のテーパー形状の形成、コンタクトホールTH1の形成も同時に行われる。しかしながら、ガラス基板への露光光の照射量は、コンタクトホールTH1形成領域とカラーフィルタ重ね合せ部とで、所定の同じ照射量となるので、従来においては、重ね合せ部のテーパー角とコンタクトホールTH1のテーパー角とが同じとなってしまい、それぞれの領域における互いに異なる最適なテーパー角での膜の形成が困難であった。例えば、ハーフトーンマスク等を用いて異なる露光量を実現することは可能であるが、この場合であっても露光量の大きい部分であるコンタクトホールTH1のテーパー角を基準とした露光量での露光を行う必要があるので、露光時間が非常に大きくなり、製造スループットは低下してしまう。
これに対して、実施形態2の液晶表示装置では、図8に示すように、ドレイン線DLに重畳される重ね合せ部のカラーフィルタの形成においては、例えばカラーフィルタの下側端部がドレイン線DLにより形成される段差の上段部と一致する用に形成し、カラーフィルタがその段差部を覆うように形成する(図5(a)に示す構成)ことによって、比較的小さいテーパー角で、カラーフィルタ端部のテーパー形状を形成する構成としている。例えば、カラーフィルタCF(G)では、当該カラーフィルタCF(G)の下層に形成される無機絶縁膜IN2の凸部の上側領域にカラーフィルタCF(G)と無機絶縁膜IN2とが接する端部を形成し、カラーフィルタCF(G)の上面側(液晶側面)を凸部の下側領域の側に形成する構成としている。尚、このときテーパー形状のカラーフィルタ端部と凸部の端部との距離が1μm以下にしている。図5(a)から図5(c)で説明した効果がより顕著に得られるからである。
さらには、コンタクトホールTH1の形成部分においては、図9に示すように、カラーフィルタCF(G)の側壁面は、下層に形成される無機絶縁膜IN2に接するカラーフィルタCF(G)の下層側端部と、無機絶縁膜IN2の液晶側面に形成される段差の第1基板SUB1側との距離Lが1μm以下に形成する。すなわち、無機絶縁膜IN2の液晶面側に形成される凸部の下端から距離L=1μm以下の位置に、カラーフィルタCF(G)の下層側端部が位置する構成(図5(c)に示す構成)となっていので、実施形態1と同様の効果を得ることができる。さらには、カラーフィルタCFの下層に形成される無機絶縁膜IN2の凸部の上側領域にカラーフィルタCFと無機絶縁膜IN2とが接する端部を形成し、カラーフィルタCFの上面側(液晶側面)を凸部の下側領域の側に形成する構成としているので、同じ露光量でカラーフィルタCFのテーパー角は大きく形成できる。
このように、実施形態2の液晶表示装置は、コンタクトホールTH1部分とカラーフィルタの重ね合せ部という、最適なテーパー角が異なる領域が存在しても、無機絶縁膜IN2の段差とテーパー部分の端部の形成位置を調整するのみで、露光回数を増やさず、且つ露光量を増加させることなくそれぞれに最適なテーパー角が形成できる。
以上、本発明者によってなされた発明を、前記発明の実施形態に基づき具体的に説明したが、本発明は、前記発明の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種々変更可能である。
PNL……液晶表示パネル、FPC……フレキシブルプリント基板、AR……表示領域
CT……共通電極、PX……画素電極、SL……シール材、DL……ドレイン線
CL……コモン線、GL……ゲート線、ST……ソース電極、GT……ゲート電極
TFT……薄膜トランジスタ、TH1,TH2……コンタクトホール
SUB1……第1基板、SUB2……第2基板、DR……駆動回路、AS……半導体層
IN1〜IN3……無機絶縁膜、PAS……有機絶縁膜、UC……下地膜
GI……ゲート絶縁膜、CF(R)……赤色のカラーフィルタ、CF(G)……緑色のカラーフィルタ、CF(B)……青色のカラーフィルタ

Claims (14)

  1. Y方向に延在しX方向に並設されるドレイン線と、X方向に延在しY方向に並設されるゲート線と、前記ゲート線からの走査信号に同期して前記ドレイン線からの映像信号を画素電極に出力する薄膜トランジスタと、前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間に形成される有機膜とを有する第1基板と、液晶層を介して前記第1基板に対向配置される第2基板と、を備える液晶表示装置であって、
    前記有機膜は、前記薄膜トランジスタのソース電極と前記画素電極とを電気的に接続するコンタクトホールを有し、
    前記有機膜の下層に段差が形成されており、前記有機膜のコンタクトホールを形成する前記薄膜トランジスタ側の辺縁部が前記段差の下段側に形成され、
    前記有機膜に形成されるコンタクトホールの側壁部分が、テーパー角60°以上で形成されることを特徴とする液晶表示装置。
  2. 前記有機膜は、前記段差を含むようにして、前記段差の上層に形成されることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
  3. 前記有機膜は、無機絶縁膜の上層に形成される有機絶縁膜からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。
  4. 前記有機膜は、無機絶縁膜の上層に形成される赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の着色層からなることを特徴とする請求項1又は2に記載の液晶表示装置。
  5. 前記着色層は、隣接端部がテーパー状に形成され、前記赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の着色層の内の2つの着色層の該隣接端部が重畳するようにして形成され、
    前記2つの着色層の該隣接端部が重畳する領域は、前記ドレイン線の上層に位置すると共に、前記ドレイン線と重畳していることを特徴とする請求項4に記載の液晶表示装置。
  6. 前記段差は、前記無機絶縁膜の段差であることを特徴とする請求項3乃至5の内の何れかに記載の液晶表示装置。
  7. 前記段差は、当該無機絶縁膜の下層に形成される薄膜層の積層数の違いにより形成されることを特徴とする請求項1乃至6の内の何れかに記載の液晶表示装置。
  8. 薄膜トランジスタと画素電極とを有する複数の画素と、前記薄膜トランジスタの一方の電極と前記画素電極との間に形成された有機絶縁膜とを有する液晶表示装置であって、
    前記一方の電極と前記画素電極とは、前記有機絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して接続され、
    前記有機絶縁膜のから成る前記コンタクトホールの側壁は、テーパー状に形成され、
    前記有機絶縁膜と接している前記有機絶縁膜の下層は、前記側壁と平面的に見て重畳する第1の面と、前記第1の面よりも前記画素電極側に位置する第2の面とを有し、且つ前記第1の面と前記第2の面によって段差を形成し、
    前記側壁と前記第1の面が交わる位置から、前記第2の面側の前記第1の面の端部までの距離が、1μm以下であることを特徴とする液晶表示装置。
  9. 前記下層は、窒化シリコン又は酸化シリコンを含む無機絶縁膜であることを特徴とする請求項8に記載の液晶表示装置。
  10. 前記薄膜トランジスタはゲート絶縁膜を有し、
    前記第2の面の下層には、前記ゲート絶縁膜の端部が位置していることを特徴とする請求項8又は請求項9に記載の液晶表示装置。
  11. 対向配置される一対の基板と、
    前記一対の基板の内の一方の基板に形成された薄膜トランジスタと画素電極とを有する複数の画素と、
    前記薄膜トランジスタと前記画素電極との間に形成され、且つ互いに隣接して形成された第1のカラーフィルタと第2のカラーフィルタと第3のカラーフィルタから成るカラーフィルタ層とを有する液晶表示装置であって、
    前記薄膜トランジスタの一方の電極と前記画素電極とは、前記カラーフィルタ層に形成されたコンタクトホールを介して接続され、
    前記カラーフィルタ層から成る前記コンタクトホールの側壁は、テーパー状に形成され、
    前記カラーフィルタ層と接している前記カラーフィルタ層の下層は、前記側壁と平面的に見て重畳する第1の面と、前記第1の面よりも前記画素電極側に位置する第2の面とを有し、且つ前記第1の面と前記第2の面によって第1の段差を形成し、
    前記側壁と前記第1の面が交わる位置から、前記第2の面側の前記第1の面の端部までの距離が、1μm以下であり、
    前記第1のカラーフィルタ、前記第2のカラーフィルタ、前記第3のカラーフィルタは、前記第1のカラーフィルタの一方の端部の上層に前記第2のカラーフィルタの端部を重ね合わせ、且つ前記第1のカラーフィルタの前記一方の端部とは異なる他方の端部の上層に前記第3のカラーフィルタの端部を重ね合わせて形成され、
    前記第1のカラーフィルタの一方の端部と他方の端部とはテーパー状に形成され、
    前記下層の内、前記第1のカラーフィルタと接している領域は、前記一方の端部又は前記他方の端部と平面的に見て重畳する第3の面と、前記第3の面よりも前記一方の電極側に位置する第4の面とを有し、且つ前記第3の面と前記第4の面によって段差を形成し、
    前記前記一方の端部又は前記他方の端部と前記第3の面とが交わる位置から、前記第4の面側の前記第3の面の端部までの距離が、1μm以下であることを特徴とする液晶表示装置。
  12. 前記下層は、窒化シリコン又は酸化シリコンを含む無機絶縁膜であることを特徴とする請求項11に記載の液晶表示装置。
  13. 前記薄膜トランジスタはゲート絶縁膜を有し、
    前記第2の面の下層には、前記ゲート絶縁膜の端部が位置していることを特徴とする請求項11又は請求項12に記載の液晶表示装置。
  14. 前記一方の基板は、前記薄膜トランジスタを介して前記画素電極に映像信号を供給する複数のドレイン線を有し、
    前記第3の面の下層には、前記ドレイン線が位置していることを特徴とする請求項11から請求項13の何れか1項に記載の液晶表示装置。
JP2010242986A 2010-10-29 2010-10-29 液晶表示装置 Active JP5437971B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010242986A JP5437971B2 (ja) 2010-10-29 2010-10-29 液晶表示装置
US13/277,262 US8908116B2 (en) 2010-10-29 2011-10-20 Liquid crystal display device
US14/533,561 US20150055046A1 (en) 2010-10-29 2014-11-05 Liquid Crystal Display Device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2010242986A JP5437971B2 (ja) 2010-10-29 2010-10-29 液晶表示装置

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2012093665A true JP2012093665A (ja) 2012-05-17
JP2012093665A5 JP2012093665A5 (ja) 2013-03-07
JP5437971B2 JP5437971B2 (ja) 2014-03-12

Family

ID=45996355

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2010242986A Active JP5437971B2 (ja) 2010-10-29 2010-10-29 液晶表示装置

Country Status (2)

Country Link
US (2) US8908116B2 (ja)
JP (1) JP5437971B2 (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016085366A (ja) * 2014-10-27 2016-05-19 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
WO2020194525A1 (ja) * 2019-03-26 2020-10-01 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008164787A (ja) 2006-12-27 2008-07-17 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置
JP5246782B2 (ja) 2008-03-06 2013-07-24 株式会社ジャパンディスプレイウェスト 液晶装置および電子機器
TWI518915B (zh) * 2012-03-30 2016-01-21 群康科技(深圳)有限公司 陣列基板結構與顯示面板及其製造方法
KR102081468B1 (ko) * 2012-07-20 2020-02-25 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치, 및 표시 장치를 포함하는 전자 장치
KR102074424B1 (ko) * 2013-03-04 2020-02-07 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
EP2790058B1 (en) * 2013-04-10 2019-06-12 Samsung Display Co., Ltd. Horizontal-electric-field type active matrix liquid crystal display with reduced parasitic pixel capacitance
CN103676354B (zh) * 2013-12-06 2016-03-23 合肥京东方光电科技有限公司 电极结构及制备方法、阵列基板及制备方法和显示装置
KR102248240B1 (ko) * 2014-02-11 2021-05-06 삼성디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 제조방법
CN105259678B (zh) * 2014-07-17 2019-08-06 群创光电股份有限公司 液晶显示装置及其元件基板
CN105467626B (zh) * 2014-09-11 2019-03-26 群创光电股份有限公司 液晶显示装置及其元件基板
KR102262431B1 (ko) * 2015-02-03 2021-06-08 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치
JP7096718B2 (ja) * 2018-07-09 2022-07-06 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
KR102666532B1 (ko) * 2018-09-27 2024-05-14 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
CN110109279B (zh) * 2019-04-22 2021-04-02 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板
CN110534550A (zh) * 2019-08-22 2019-12-03 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法和终端
US10969623B2 (en) 2019-08-22 2021-04-06 Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel, method of manufacturing same, and terminal
CN110941126B (zh) * 2019-12-27 2021-04-27 Tcl华星光电技术有限公司 阵列基板及其制作方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009139394A (ja) * 2007-12-03 2009-06-25 Mitsubishi Electric Corp 半透過型液晶表示装置、及びその製造方法
JP2010210732A (ja) * 2009-03-09 2010-09-24 Sony Corp 液晶表示パネル及びその製造方法

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4917471A (en) * 1986-08-30 1990-04-17 Canon Kabushiki Kaisha Liquid crystal device
JPH1020331A (ja) * 1996-06-28 1998-01-23 Sharp Corp 液晶表示装置
KR100905409B1 (ko) * 2002-12-26 2009-07-02 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그 제조방법
KR20040080778A (ko) * 2003-03-13 2004-09-20 삼성전자주식회사 4색 구동 액정 표시 장치 및 이에 사용하는 표시판
KR101295113B1 (ko) * 2005-07-29 2013-08-09 삼성디스플레이 주식회사 표시기판 및 이의 제조 방법
JP5170985B2 (ja) * 2006-06-09 2013-03-27 株式会社ジャパンディスプレイイースト 液晶表示装置
US7746444B2 (en) * 2006-06-26 2010-06-29 Lg Display Co., Ltd. Array substrate, liquid crystal display device having the same, and manufacturing method thereof
JP2008064954A (ja) 2006-09-06 2008-03-21 Epson Imaging Devices Corp 液晶表示装置及びその製造方法
JP4485559B2 (ja) * 2007-09-26 2010-06-23 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
KR20100006678A (ko) * 2008-07-10 2010-01-21 삼성전자주식회사 박막의 미세 패터닝 방법 및 이를 이용한 표시 기판의 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009139394A (ja) * 2007-12-03 2009-06-25 Mitsubishi Electric Corp 半透過型液晶表示装置、及びその製造方法
JP2010210732A (ja) * 2009-03-09 2010-09-24 Sony Corp 液晶表示パネル及びその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016085366A (ja) * 2014-10-27 2016-05-19 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置
US10054832B2 (en) 2014-10-27 2018-08-21 Japan Display Inc. Liquid crystal display device
WO2020194525A1 (ja) * 2019-03-26 2020-10-01 シャープ株式会社 表示装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20150055046A1 (en) 2015-02-26
US20120105778A1 (en) 2012-05-03
JP5437971B2 (ja) 2014-03-12
US8908116B2 (en) 2014-12-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5437971B2 (ja) 液晶表示装置
US8368864B2 (en) Liquid crystal display device with spacer in the sealant
US10459301B2 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US8994908B2 (en) Liquid crystal display device
KR101320494B1 (ko) 수평전계방식 액정표시장치 및 그 제조방법
JP5285280B2 (ja) 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法
KR102334140B1 (ko) 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101522241B1 (ko) 시야각 제어가 가능한 액정표시장치 및 그 제조방법
JP2005222067A (ja) 薄膜トランジスタ表示板及びこれを含む液晶表示装置
US9341901B2 (en) Display device
KR20080026404A (ko) 어레이 기판, 이를 갖는 표시패널 및 그 제조 방법
JP2010054980A (ja) 液晶表示装置
JP5623230B2 (ja) 表示装置の製造方法
US11294216B2 (en) Display substrate and display device
JP6690671B2 (ja) 電気光学装置および電子機器
TW201812408A (zh) 顯示裝置及其製造方法
KR102168874B1 (ko) 액정 표시 장치
JP2009151285A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
JP2011013450A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
US8477269B2 (en) Liquid crystal display device
JP2022139567A (ja) 電気光学装置および電子機器
US9029072B2 (en) Liquid crystal display manufacturing method
KR101356618B1 (ko) 컬러필터기판, 그 제조 방법 및 이를 포함하는 액정표시장치
JP5275650B2 (ja) 液晶表示装置
JP2017156701A (ja) 液晶表示装置及び液晶表示装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130121

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20130121

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20130625

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20130626

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20130826

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131203

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131212

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5437971

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313117

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250