JP3409762B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents
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Description
ミネッセンス(EL)素子に関し、特にその封止構造の
改善された有機EL素子に関する。
る為の手段として、陰極にアルカリ金属類などの電子注
入に優れている材料が使用され、また有機EL化合物層
の材料においても発光効率の高い材料が使用されている
が、大気中の水分により有機EL化合物層の変質や陰極
の剥れ等に起因した非発光部(ダークスポット)が生成
し、有機EL素子の輝度、色度などの発光特性が低下す
る問題があった。そこで、これら素子劣化を防止するた
め、様々な対策がとられている。
は、封止部材で封止した有機EL素子の封止空間部に陰
極から隔離して吸湿剤(乾燥手段)を配置させ、封止空
間部内の湿度をこの吸湿剤で吸収して低下させる方法が
開示されている。
断面図である。図5において有機EL素子は、ガラス基
板1上にITO(インジウム―スズ酸化物)からなる透
明電極(陽極)2を形成し、この上に正孔注入輸送層,
発光層,電子注入輸送層などの有機EL層3,陰極4を
順次形成することにより構成されている。ここで、素子
劣化を抑制するために、封止部材で封止される内部の空
間部8に乾燥手段として吸湿剤6を封止部材7に固着し
て封入している。
極、有機EL層および陰極からなる構造体の外側に、酸
素を吸着、消費する材料あるいは脱水剤を含有する保護
層を積層し有機EL素子への湿度の侵入を防止する技術
が開示されている。
は、有機EL素子の陰極上にフッ素系高分子または酸化
物絶縁体からなる保護層を形成させ、更に封止部内を吸
湿剤入りの不活性媒体で満たし、有機EL素子表面への
外部からの水分浸透を遮断する方法が開示されている。
6号公報の陰極から隔離して吸湿剤を配置させる構成に
おいては、粘着剤を用いて封止部材に固定するために、
吸湿剤を損なわない注意が必要等、作業が複雑になる問
題があり、また封止部材7とガラス基板の接着界面から
侵入した水分が陰極表面に吸着して素子を劣化する問
題、まだなお存在していた。
機発光材料および陰極からなる構造体の外側に、酸素を
吸着、消費する材料あるいは脱水剤を含有する保護層を
積層した構成においては、陰極表面に保護層が設けられ
ているが、保護層中の脱水剤が吸水して、徐々にリーク
電流が増加し、発光特性の低下を招く問題があった。
にフッ素系高分子または酸化物絶縁体からなる保護層を
形成させ、更に外部からの水分を遮断するために封止部
内を吸湿剤入りの不活性媒体で満たした構成において
は、充填剤の作製および注入の際の取り扱いがむずかし
く、また陰極と保護層との密着が十分でなく、陰極と保
護層との界面から湿度が徐々に侵入して素子が劣化する
問題があった。
した封止作業性のすぐれた有機EL素子を提供すること
にある。
極,正孔注入輸送層,発光層,電子輸送層等の有機EL
層、陰極を順次成膜した積層体から構成される有機EL
素子において、前記陰極上に保護膜が形成され、該保護
膜上に吸湿剤が設けられ、前記基体と封止部材により全
体が封止されていることを特徴とする。
は、前記保護膜として上層および下層の2層の複合膜と
することができ、該下層の膜材料としては前記電子輸送
層と同じ化合物またはその誘導体の材料で構成し、前記
陰極との密着性を向上することができる。また、前記複
合膜の上層の膜材料としては、フッ素系潤滑剤またはD
LC(ダイヤモンド・ライク・カーボン)を使用するこ
とができる。
は、前記2層の複合膜の間にバリア金属膜が設け、保護
膜中において素子表面への水分の浸透抑制効果を向上で
きる。
しては、吸湿しても固体状態を維持できる化合物又はゲ
ル化する化合物を粉状あるいは膜状にしたものが使用で
きる。この吸湿剤の前記保護膜や前記複合膜への固定
は、該吸湿剤に多孔質シートを覆い被せ、該シートの端
部に設けられた粘着剤で該シートを前記保護膜表面また
は前記複合膜の表面に接着するか、または前記吸湿剤を
多孔質ケースに内蔵して該ケースをその端部に設けられ
た粘着剤を介して前記保護膜表面または前記複合膜の表
面に接着して固定してもよい。
を設け、この保護膜上に吸湿剤を多孔質シート等で容易
に固定できるために有機EL素子の封止作業工程が簡略
となる。また、これらの保護膜により素子表面への湿度
の浸透が抑制され、有機EL素子の長期信頼性が向上す
る。
EL素子について図面を参照して詳細に説明する。
L素子の概略断面図である。図1において、この有機E
L素子は、ガラス基板1上にITO(インジウム―スズ
酸化物)からなる透明電極(陽極)2を形成し、この上
に正孔注入輸送層、発光層、電子輸送層などの有機EL
層3及び陰極4等を形成することにより構成されてい
る。この素子の上に保護膜5を被覆し、さらに保護膜5
上には粉状あるいは膜状の吸湿剤6を直接固定させてい
る。
送層の有機化合物やその誘導体の材料や、パーフロロポ
リエーテルのようなフッ素系潤滑剤やCVD法あるいは
スパッタ法により低温で形成したDLC(ダイヤモンド
・ライク・カーボン)膜を使用することができる。
持できる化合物又はゲル化する化合物を粉状あるいは膜
状に構成したものを使用でき、酸化バリウム(Ba
O),酸化カルシウム(CaO),アルミナ(Al2O
3),シリカ(SiO2),硫酸カリシウム(CaSO
4),硫酸マグネシウム(MgSO4),塩素酸マグネ
シウム(Mg(ClO4)2)等の化合物が使用でき
る。
(a)に示した通気性が極めて高いポリエチレン樹脂あ
るいは4フッ化エチレン等の多孔質シート10を保護膜
5上の吸湿剤6aに覆い被せ、該シートの端部に設けた
耐熱性の粘着剤11で該シートを保護膜上に接着して固
定されるか、または、図2(b)のように、吸湿剤6a
を多孔質ケース10aに内蔵して、該ケースを耐熱性の
粘着剤11aで保護膜上に接着して固定される。これら
の固定作業は、窒素、アルゴンなどの不活性ガス雰囲気
中で行われる。
雰囲気中でUV硬化型のエポキシ樹脂系接着剤を用いて
ガラス基板1と封止部材7が接着され封止されている。
空間部8aには不活性ガスが充填される。なお、透明電
極(陽極)2と封止部材7の接触部はUV硬化型のエポ
キシ樹脂系接着剤を介して接着され封止されている。
素子の製造方法について図1を参照して詳細に説明す
る。まず、十分に洗浄した5cm角のガラス基板1に、
陽極としてITO(インジウム−スズ酸化物)からなる
透明電極2を形成し、この上に正孔注入輸送層、発光
層、電子輸送層などの有機EL層3及び陰極4等を形成
して有機EL素子を形成した。
て、陰極4上に電子輸送層と同一の有機膜をスパッタ法
で連続的に厚さ約100nm形成した。
酸化バリウム20mgを保護膜5上に配置し、ポリエチ
レン樹脂の多孔質シート10(図2(a)参照)を用い
て固定した。
でUV硬化型のエポキシ樹脂系接着剤を用いてガラス基
板1と封止部材7を接着・保持させ、加重をかけた状態
でUV照射を行い硬化させ、有機EL素子を封止した。
し、温度50℃、相対湿度90%環境下で耐湿性試験を
行った。その結果、1000時間経過後も有機EL素子
には非発光部(ダークスポット)の発生・成長は見られ
なかった。また、引き続きこの素子に対し定電流駆動に
よる寿命試験を行ったところ、初期輝度:200cd/
m2のスタートで輝度半減時間は約3000時間であっ
た。
1の保護膜5aおよび第2の保護膜5bを形成せず、陰
極4上の封止部材に吸湿剤6をエポキシ樹脂で接着して
固定後、封止して有機EL素子を製作した。
し、温度50℃、相対湿度90%環境下の耐湿性試験を
行った。その結果、1000時間経過後には非発光部
(ダークスポット)の発生・成長が見られ始めた。ま
た、引き続きこの素子に対し定電流駆動による寿命試験
を行ったところ、初期輝度:200cd/m2のスター
トで輝度半減時間は約1500時間しか得られておら
ず、実用化は困難であった。
素子について、図面を参照して説明する。
L素子の概略断面図である。図3(a)においてこの有
機EL素子は、上記の第1の実施の形態と同様に、ガラ
ス基板1上にITO(インジウム―スズ酸化物)からな
る透明電極(陽極)2を形成し、この上に正孔注入輸送
層、発光層、電子輸送層などの有機EL層3及び陰極4
等を形成することにより構成されている。この素子の上
に有機EL層3の電子輸送層の有機化合物と同じ材料か
らなる第1の保護膜5aを被覆し、さらに第1の保護膜
5a上には第2の保護膜5bが形成されている。そし
て、第2の保護膜5b上には粉状あるいは膜状の吸湿剤
6を直接固定させている。
電子輸送層の有機化合物の種類に合わせて自由に選択で
きる。第2の保護膜5bとしては、パーフロロポリエー
テルのようなフッ素系潤滑剤やCVD法あるいはスパッ
タ法により低温で形成したDLC(ダイヤモンド・ライ
ク・カーボン)膜を使用することができる。
bへの固定方法は、上記の第1の実施の形態と同様であ
る。
び第2の保護膜で被覆しているために、上記の第1の実
施の形態の有機EL素子よりもさらに耐湿性を向上でき
る。
L層3および陰極4の側面を第2の保護膜5bで被覆
し、さらに耐湿性を向上させた場合である。
素子の製造方法について図3(a)を参照して詳細に説
明する。まず、十分に洗浄した5cm角のガラス基板1
に、陽極としてITO(インジウム−スズ酸化物)から
なる透明電極2を形成し、この上に正孔注入輸送層、発
光層、電子輸送層などの有機EL層3及び陰極4等を形
成して有機EL素子を形成した。
aとして陰極4上に前記電子輸送層と同一の厚さ約10
0nmの有機膜をスッパタ法で連続的に形成した後、第
1の保護膜5a上に第2の保護膜5bとしてパーフロロ
ポリエーテルを厚さ約10nmスピンコート法で被覆し
た。なお、パーフロロポリエーテル塗布液は、完全フッ
素化物のフロリナートFC−77(住友スリーエム社
製)に、パーフロロポリエーテルを加え、1wt%溶液
を調製して使用した。
酸化バリウム20mgを第2の保護膜5b上に配置し、
ポリエチレン樹脂の多孔質シート10(図2(a)参
照)を用いて固定した。更に、窒素を封入するため窒素
雰囲気中でUV硬化型のエポキシ樹脂系接着剤を用いて
ガラス基板1と封止部材7を接着・保持させ、加重をか
けた状態でUV照射を行い硬化させ、有機EL素子を封
止した。
3(a)の構造)に対し、温度50℃、相対湿度90%
環境下の耐湿性試験を行った。その結果、1000時間
経過後も非発光部(ダークスポット)の発生・成長は見
られなかった。また、引き続きこの素子に対し定電流駆
動による寿命試験を行ったところ、初期輝度:200c
d/m2のスタートで輝度半減時間は約3200時間で
あった。
素子について、図面を参照して説明する。
L素子の概略断面図である。図4(a)においてこの有
機EL素子は、上記の第1および第2の実施の形態と同
様に、ガラス基板1上にITO(インジウム―スズ酸化
物)からなる透明電極(陽極)2を形成し、この上に正
孔注入輸送層、発光層、電子輸送層などの有機EL層3
及び陰極4等を形成することにより構成されている。こ
の素子の上に有機EL層3の電子輸送層の有機化合物と
同じ材料からなる第1の保護膜5aを被覆し、第1の保
護膜5a上にバリア金属膜5cを真空蒸着している。さ
らにバリア金属膜5c上には第2の保護膜5bを被覆し
ている。そして、第2の保護膜5b上には粉状あるいは
膜状の吸湿剤6を直接固定させている。
び吸湿剤6としては上記の第2の実施の形態と同様な材
料が使用できる。また、バリア金属膜5cとしてはAl
またはAl合金膜が使用でき、第2の保護膜5b中から
浸透してくる水分をこのバリア金属膜5cが捕捉してさ
らに該水分の下層への浸透を防止する。
てUV硬化型のエポキシ樹脂系接着剤を用いてガラス基
板1と封止部材7が接着され封止されている。なお、透
明電極(陽極)2と封止部材7の接触部はUV硬化型の
エポキシ樹脂系接着剤を介して接着され封止される。
び第2の保護膜とさらにその間にバリア金属膜5cを配
置することにより、上記の第1および第2の実施の形態
の有機EL素子よりもさらに耐湿性を向上できる。
素子の製造方法について図4(a)を参照して詳細に説
明する。まず、上記の第1および第2の実施の形態と同
様に、十分に洗浄した5cm角のガラス基板1に、陽極
としてITO(インジウム−スズ酸化物)からなる透明
電極2を形成し、この上に正孔注入輸送層、発光層、電
子輸送層などの有機EL層3及び陰極4等を形成して有
機EL素子を形成した。
aとして、電子輸送層と同一の厚さ約100nmの有機
膜をスッパタ法で連続的に陰極4上に形成した後、第1
の保護膜5a上にバリア金属膜5cとしてAlを約20
nm真空蒸着した。さらにバリア金属膜5c表面に第2
の保護膜5bとしてパーフロロポリエーテルを厚さ約1
0nmスピンコート法で被覆した。
酸化バリウム20mgを第2の保護膜5b上に配置し、
ポリエチレン樹脂多孔質膜シートを用いて固定した。更
に、窒素を封入するため窒素雰囲気中でUV硬化型のエ
ポキシ樹脂系接着剤を用いてガラス基板1と封止部材7
を接着・保持させ、加重をかけた状態でUV照射を行い
硬化させ、有機EL素子を封止した。
有機EL層3,陰極4,第1の保護膜5aおよびバリア金
属膜5cの側面を第2の保護膜5bでさらに被覆して耐
湿性を向上したものである。
4(a)の構造)に対し、温度50℃、相対湿度90%
環境下の耐湿性試験を行った。その結果、1000時間
経過後も非発光部(ダークスポット)の発生・成長は見
られなかった。また、引き続きこの素子に対し定電流駆
動による寿命試験を行ったところ、初期輝度:200c
d/m2のスタートで輝度半減時間は約3500時間で
あり、上記の第1および第2の実施の形態の有機EL素
子の封止構造より耐湿性が優れていることが確認され
た。
止構造では、次のような効果が得られる。 (1)陰極電極上に保護膜を被覆し、吸湿剤を多孔質シ
ート等を使用して保護膜上に直接固定でき、封止作業が
容易となる。 (2)また、該保護膜として有機EL層の電子輸送層と
同じ材料からなる下層膜とフッ素系潤滑剤等の上層膜の
複合膜を使用することにより陰極と該保護膜の密着性が
向上でき、耐湿性が向上された高信頼性の有機EL素子
の封止構造が提供できる。 (3)さらに、上記複合膜の上層膜と下層膜の間にバリ
ア金属膜を配置することにより、さらに高耐湿性の有機
EL素子の封止構造が提供できる。
略断面図である。
スを使用して固定する方法を説明するための断面図であ
る。
略断面図である。
略断面図である。
Claims (12)
- 【請求項1】 基体上に陽極,正孔注入輸送層,発光
層,電子輸送層等の有機エレクトロルミネッセンス(以
下有機ELという)層、陰極を順次成膜した積層体から
構成される有機EL素子において、前記陰極上に保護膜
が形成され、該保護膜上に吸湿剤が設けられ、前記基体
と封止部材により全体が封止された構成を有し、前記吸
湿剤に多孔質シートを覆い被せ、該シートの端部に設け
られた粘着剤で該シートを前記保護膜表面に接着するこ
とで該吸湿剤が前記保護膜表面に固定されていることを
特徴とする有機EL素子。 - 【請求項2】 基体上に陽極,正孔注入輸送層,発光
層,電子輸送層等の有機エレクトロルミネッセンス(以
下有機ELという)層、陰極を順次成膜した積層体から
構成される有機EL素子において、前記陰極上に保護膜
が形成され、該保護膜上に吸湿剤が設けられ、前記基体
と封止部材により全体が封止された構成を有し、前記吸
湿剤が多孔質ケースに内蔵され、該ケースの端部に設け
られた粘着剤を介して前記保護膜表面に固定されている
ことを特徴とする有機EL素子。 - 【請求項3】 前記保護膜が上層および下層の2層の複
合膜からなり、前記多孔質シートを前記複合膜の上層表
面に接着することで該吸湿剤が前記複合膜の上層表面に
固定されていることを特徴とする請求項1記載の有機E
L素子。 - 【請求項4】 前記保護膜が上層および下層の2層の複
合膜からなり、前記吸湿剤が前記多孔質ケースの端部に
設けられた粘着剤を介して前記複合膜の上層表面に固定
されていることを特徴とする請求項2記載の有機EL素
子。 - 【請求項5】 前記複合膜の下層が前記電子輸送層と同
じ化合物またはその誘導体の材料で構成されることを特
徴とする請求項3または4記載の有機EL素子。 - 【請求項6】 前記複合膜の上層がフッ素系潤滑剤また
はDLC(ダイヤモンド・ライク・カーボン)から構成
されていることを特徴とする請求項3〜5のいずれかに
記載の有機EL素子。 - 【請求項7】 請求項3〜6のいずれかに記載の有機E
L素子において、前記複合膜の上層と下層の間にさらに
バリア金属膜が設けられていることを特徴とする有機E
L素子。 - 【請求項8】 請求項3〜6のいずれかに記載の有機E
L素子において、前記陰極および前記有機EL層の側面
が前記複合膜の上層と同じ材料で被覆されていることを
特徴とする有機EL素子。 - 【請求項9】 請求項7記載の有機EL素子において、
前記陰極、前記バリア金属膜および前記有機EL層の側
面が前記複合膜の上層と同じ材料で被覆されていること
を特徴とする有機EL素子。 - 【請求項10】 前記吸湿剤が吸湿しても固体状態を維
持できる化合物又はゲル化する化合物を粉状あるいは膜
状に構成されていることを特徴とする請求項1〜9のい
ずれかに記載の有機EL素子。 - 【請求項11】 前記バリア金属膜がアルミニウム(A
l)膜またはその合金膜であることを特徴とする請求項
7記載の有機EL素子。 - 【請求項12】 前記基体と前記封止部材で封止された
内部が不活性ガスで充填されていることを特徴とする請
求項1〜11のいずれかに記載の有機EL素子。
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JP2001185347A (ja) * | 1999-12-27 | 2001-07-06 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機el素子 |
JP2001267063A (ja) * | 2000-03-16 | 2001-09-28 | Nitto Denko Corp | エレクトロルミネッセンス素子用部材およびそれを内蔵したエレクトロルミネッセンス素子 |
TW587396B (en) * | 2000-03-31 | 2004-05-11 | Nitto Denko Corp | Gas component treated sheet and electroluminescent element containing the same |
US6465953B1 (en) * | 2000-06-12 | 2002-10-15 | General Electric Company | Plastic substrates with improved barrier properties for devices sensitive to water and/or oxygen, such as organic electroluminescent devices |
IT1318936B1 (it) * | 2000-09-27 | 2003-09-19 | Getters Spa | Dispositivo assorbitore di umidita' per schermi comprendenti diodiorganici emettitori di luce e processo per la sua produzione. |
US6924594B2 (en) * | 2000-10-03 | 2005-08-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device |
US7178927B2 (en) * | 2000-11-14 | 2007-02-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Electroluminescent device having drying agent |
US6724150B2 (en) | 2001-02-01 | 2004-04-20 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and manufacturing method thereof |
US20020155320A1 (en) * | 2001-04-20 | 2002-10-24 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Organic electroluminescent device |
JP2002329576A (ja) * | 2001-04-27 | 2002-11-15 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
TWI264244B (en) * | 2001-06-18 | 2006-10-11 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of fabricating the same |
US7211828B2 (en) * | 2001-06-20 | 2007-05-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and electronic apparatus |
TW548860B (en) | 2001-06-20 | 2003-08-21 | Semiconductor Energy Lab | Light emitting device and method of manufacturing the same |
DE10137712A1 (de) * | 2001-08-06 | 2003-02-20 | Philips Corp Intellectual Pty | Organische elektrolumineszente Anzeigevorrichtung mit Schutzschicht |
JP2003142262A (ja) | 2001-11-06 | 2003-05-16 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、膜状部材、積層膜、低屈折率膜、多層積層膜、電子機器 |
TW200305119A (en) * | 2002-03-15 | 2003-10-16 | Sanyo Electric Co | Electroluminescence display device and method for making the same |
CN1653852A (zh) * | 2002-05-10 | 2005-08-10 | 皇家飞利浦电子股份有限公司 | 电致发光控制板 |
US7230271B2 (en) | 2002-06-11 | 2007-06-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof |
JP2004022291A (ja) | 2002-06-14 | 2004-01-22 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | El素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板、並びにel素子 |
US6734625B2 (en) * | 2002-07-30 | 2004-05-11 | Xerox Corporation | Organic light emitting device (OLED) with multiple capping layers passivation region on an electrode |
ITRM20020513A1 (it) * | 2002-10-10 | 2004-04-11 | Enea Ente Nuove Tec | Metodo di preparazione di materiali organici luminescenti stabilizzati per trattamento termico e materiali cosi' ottenuti. |
JP2004304009A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Canon Inc | 有機薄膜トランジスタ |
CN100413085C (zh) * | 2003-04-24 | 2008-08-20 | 统宝光电股份有限公司 | 上发光型全彩有机发光显示器结构 |
JP4218450B2 (ja) * | 2003-07-29 | 2009-02-04 | 株式会社豊田自動織機 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP2005056587A (ja) * | 2003-08-01 | 2005-03-03 | Toyota Industries Corp | El装置及びその製造方法 |
JP4741177B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2011-08-03 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置の作製方法 |
KR100542771B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2006-01-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 유기 전계발광소자 및 그 제조방법 |
JP2005277065A (ja) * | 2004-03-24 | 2005-10-06 | Pioneer Electronic Corp | 回路素子およびその製造方法 |
US7202504B2 (en) | 2004-05-20 | 2007-04-10 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and display device |
US7019886B2 (en) * | 2004-05-27 | 2006-03-28 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Light modulator |
JP4717670B2 (ja) * | 2005-03-24 | 2011-07-06 | 双葉電子工業株式会社 | 乾燥剤及びこれを用いた電界発光素子。 |
JP5111789B2 (ja) * | 2006-06-08 | 2013-01-09 | オリンパスイメージング株式会社 | ズームレンズ及びそれを備えた電子撮像装置 |
KR101098859B1 (ko) | 2007-02-21 | 2011-12-26 | 울박, 인크 | 표시 장치, 표시 장치용 제조 장치 및 표시 장치의 제조 방법 |
JP2008311059A (ja) * | 2007-06-14 | 2008-12-25 | Rohm Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 |
JP5208591B2 (ja) * | 2007-06-28 | 2013-06-12 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置、及び照明装置 |
JP5185598B2 (ja) | 2007-11-06 | 2013-04-17 | 株式会社ジャパンディスプレイイースト | 有機el表示装置およびその製造方法 |
JP2009181849A (ja) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Pioneer Electronic Corp | 有機elパネル及びその製造方法 |
JP2010103082A (ja) | 2008-09-26 | 2010-05-06 | Toppan Printing Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
JP2010232806A (ja) * | 2009-03-26 | 2010-10-14 | Seiko Epson Corp | 圧電振動子、圧電発振器、電子機器、及び圧電振動子の製造方法 |
JP2011119233A (ja) * | 2009-11-04 | 2011-06-16 | Canon Inc | 有機el素子とそれを用いた表示装置 |
CN102326448B (zh) * | 2010-03-01 | 2015-03-25 | 松下电器产业株式会社 | 有机el装置及其制造方法 |
CN102280558B (zh) * | 2011-05-13 | 2014-05-14 | 严为民 | 一种搪瓷电致发光元件电极结构 |
WO2013118462A1 (ja) * | 2012-02-06 | 2013-08-15 | パナソニック株式会社 | El表示装置およびその製造方法 |
KR101382601B1 (ko) | 2012-07-02 | 2014-04-17 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치의 제조 장치 및 그 방법 |
JP6684564B2 (ja) * | 2015-10-14 | 2020-04-22 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 有機el表示装置 |
WO2020208774A1 (ja) * | 2019-04-11 | 2020-10-15 | シャープ株式会社 | 発光素子および表示装置 |
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---|---|---|---|---|
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