JP2004022291A - El素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板、並びにel素子 - Google Patents
El素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板、並びにel素子 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004022291A JP2004022291A JP2002174480A JP2002174480A JP2004022291A JP 2004022291 A JP2004022291 A JP 2004022291A JP 2002174480 A JP2002174480 A JP 2002174480A JP 2002174480 A JP2002174480 A JP 2002174480A JP 2004022291 A JP2004022291 A JP 2004022291A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- sealing plate
- substrate
- peripheral
- width
- plate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000007789 sealing Methods 0.000 title claims abstract description 149
- 239000011521 glass Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims abstract description 63
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 57
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 32
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 11
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 7
- 239000007779 soft material Substances 0.000 claims description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 abstract description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 abstract description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 abstract description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 abstract 4
- 238000005192 partition Methods 0.000 abstract 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 22
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 12
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 12
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 10
- 239000002585 base Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000005488 sandblasting Methods 0.000 description 8
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 6
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 5
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 239000002808 molecular sieve Substances 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N sodium aluminosilicate Chemical compound [Na+].[Al+3].[O-][Si]([O-])=O.[O-][Si]([O-])=O URGAHOPLAPQHLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 2
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 base acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 2
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- 229910019015 Mg-Ag Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000002745 absorbent Effects 0.000 description 1
- 239000002250 absorbent Substances 0.000 description 1
- 239000003463 adsorbent Substances 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 1
- 150000001991 dicarboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 1
- GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N dodecyl benzenesulfonate;sodium Chemical compound [Na].CCCCCCCCCCCCOS(=O)(=O)C1=CC=CC=C1 GVGUFUZHNYFZLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 1
- DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N n,n-diphenyl-4-[4-(n-phenylanilino)phenyl]aniline Chemical compound C1=CC=CC=C1N(C=1C=CC(=CC=1)C=1C=CC(=CC=1)N(C=1C=CC=CC=1)C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 DCZNSJVFOQPSRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 1
- WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N oxadiazole Chemical compound C1=CON=N1 WCPAKWJPBJAGKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 229940080264 sodium dodecylbenzenesulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 150000003852 triazoles Chemical class 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/842—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/02—Details
- H05B33/04—Sealing arrangements, e.g. against humidity
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
- H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/851—Division of substrate
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】封止板多面取り用マザーガラス基板100は、ウェットエッチング法を用いて5×6のマトリックス状に形成されたEL素子用封止板を有する。ウェットエッチング法では、厚さ0.7mmのガラス素板に5×6のマトリックス状に幅が2.0mmのテープ状のレジストによりマスキング処理し、ガラス素板を調製したエッチング液中に浸漬して、ガラス素板に突状部101を残して凹状に取り除いて凹部102を形成し、ガラス素板を純水で洗浄した後にレジストを剥離し、5×6のマトリックス状に凹部102が形成された封止板多面取り用マザーガラス基板100を突状部101の部位で切断する。そして周辺突条部の幅が厚さ0.7mm以上のEL素子用封止板を30(5×6)個取得する。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、EL(Electroluminescence:エレクトロ・ルミネッセンス)素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板に関し、特に、EL素子用の基板上に形成されたEL積層膜を覆う周辺突状部を有するノーフランジ型のEL素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板、並びにEL素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
EL素子は、一般的には、透明な基板と、該基板の上に形成されたEL積層膜と、このEL素子積層膜を気密的に覆うように基板に接合材料等により接合されたEL素子用封止板とで構成されている。
【0003】
例えば、特開2000−156287号公報、特開2000−195662号公報、特開2000−260562号公報、特開2001−167875号公報、及び特開2001−176655号公報で提案されている第1の従来技術のEL素子では、EL積層膜を封止した空間に外部から恒常的に侵入する水分や酸素を吸着するために、EL積層膜を封止した空間に水分や酸素を吸着する吸着剤が配されている。
【0004】
また、特開平11−40354号公報で提案されている第2の従来技術のEL素子では、EL積層膜自体に保護膜を設けている。
【0005】
さらに、特開平10−172757号公報で提案されている第3の従来技術のEL素子では、接合すべき部分の外周に低融点金属を配し、この低融点金属を溶融してEL積層膜を封止したり、特開2001−92376号公報で提案されている第4の従来技術のEL素子では、接合すべき部分の外周にCr等の金属を配し、これをレーザー光により瞬時に加熱し、接合すべき部分を融着させることにより接合してEL積層膜を封止したりしている。また、接合すべき部分にスペーサー等を介在させ、スペーサーも含めて接合してEL積層膜を封止するEL素子も提案されている。
【0006】
このように、上記第1乃至4の従来技術は、EL素子の外部から侵入してくる水分や酸素によりEL積層膜が劣化する問題を解決する技術である。
【0007】
また、このEL素子用封止板としては、金属、ガラス、又は樹脂等が用いられる。これらのうち、ガラス製の封止板の加工方法としては、ガラス素板自体を曲げ加工するプレス法の他に、ガラス素板の中央部を取り除くサンドブラスト法やエッチング法等がある。サンドブラスト法やエッチング法は、ガラス素板の周辺部にマスキングを施した上で中央部に凹部を規定すべく中央部にサンドブラストやエッチングを施すものである。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記第1乃至4の従来技術は、EL素子内部への水分や酸素の侵入を防止することができる技術であるが、封止板の接合すべき部分の面積を考慮しておらず、その程度が十分ではない。
【0009】
また、上記プレス法では、封止板の基板と接する部分、即ち、接合される部分がフランジ型であるのでその面積を広くすることができるが、その平坦度が低く、該封止板を備えるEL素子において接合された部分は、接着剤の厚さが一定にならず接合部分から水分や酸素が侵入し易い。
【0010】
さらに、上記サンドブラスト法では、封止板にサンドブラスト法特有の微小なクラックを多く発生し、封止板の強度が低下する。また、上記EL素子が、特にトップエミッション型のEL素子として携帯電話等に用いられる場合、外部圧力が加わるEL素子用封止板には外部圧力に対して十分な強度を有することが要求される。
【0011】
本発明の目的は、接合面積を確保することができると共に、外部圧力に対して強度を増大させることができるEL素子用封止板及び多面取り用マザーガラス基板を提供することにある。
【0012】
本発明の他の目的は、外部圧力に対して十分な強度を有すると共に、内部への水分や酸素の侵入を効果的に防止することができ長寿命のEL素子を提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、請求項1記載のEL素子用封止板は、EL素子用の基板上に形成されたEL積層膜を覆うべく中央部に凹部が規定された周辺突状部を有し、当該周辺突条部が前記基板に接合材料により接合されるノーフランジ型のEL素子用封止板において、前記周辺突状部の幅が当該周辺突状部の厚さ以上であり、前記周辺突条部の幅が0.7mm以上であることを特徴とする。
【0014】
請求項2記載のEL素子用封止板は、請求項1記載のEL素子用封止板において、前記周辺突条部の幅が1.1mm以上であることを特徴とする。
【0015】
請求項3記載のEL素子用封止板は、請求項1又は2記載のEL素子用封止板において、ガラス製であることを特徴とする。
【0016】
請求項4記載のEL素子用封止板は、請求項3記載のEL素子用封止板において、前記凹部はエッチング法を用いて形成されたことを特徴とする。
【0017】
上記目的を達成するために、請求項5記載の封止板多面取り用マザーガラス基板は、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のEL素子用封止板がほぼマトリックス状に形成されたことを特徴とする。
【0018】
上記他の目的を達成するために、請求項6記載のEL素子は、EL素子用の基板と、前記基板上に形成されたEL積層膜と、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のEL素子用封止板と、前記EL素子用封止板が有する周辺突条部と前記基板とを接合する接合部とを備えるEL素子において、前記接合部は、その幅が0.7mm以上であることを特徴とする。
【0019】
請求項7記載のEL素子は、請求項6記載のEL素子において、前記接合部は、その幅が1.1mm以上であることを特徴とする。
【0020】
請求項8記載のEL素子は、請求項6又は7記載のEL素子において、前記接合部は、硬化性軟質材料から成り、前記周辺突条部と前記基板とを接合する際に押圧されたことを特徴とする。
【0021】
【発明の実施の形態】
本発明者は、上記目的を達成すべく鋭意研究を行った結果、EL素子用の基板上に形成されたEL積層膜を覆うべく中央部に凹部が規定された周辺突状部を有し、当該周辺突条部が基板に接合材料により接合されるノーフランジ型のEL素子用封止板において、周辺突状部の幅が当該周辺突状部の厚さ以上であり、周辺突条部の幅が0.7mm以上であると、接合面積を確保することができると共に、外部圧力に対して強度を増大させることができるのを見出した。
【0022】
また、本発明者は、EL素子用の基板と、基板上に形成されたEL積層膜と、EL積層膜を覆うべく中央部に凹部が規定された周辺突状部を有するノーフランジ型のEL素子用封止板と、周辺突条部と基板とを接合する接合部とを備えるEL素子において、EL素子用封止板が少なくとも周辺突状部の幅が当該周辺突状部の厚さ以上であり、周辺突条部の幅が0.7mm以上であって、接合部の幅が0.7mm以上であると、外部圧力に対して十分な強度を有すると共に、内部への水分や酸素の侵入を効果的に防止することができ長寿命のものを提供することができるのを見出した。
【0023】
本発明は、上記研究の結果に基づいてなされたものである。
【0024】
以下、本発明の実施の形態に係るEL素子用封止板を、図面を参照しながら説明する。
【0025】
図1は、本発明の実施の形態に係るEL素子用封止板がほぼマトリックス状に形成された封止板多面取り用マザーガラス基板の平面図である。
【0026】
図1において、縦30cm、横40cmの封止板多面取り用マザーガラス基板100は、5×6のマトリックス状に形成されたガラス製のEL素子用封止板を有する。
【0027】
ガラス素板にEL素子用封止板を5×6のマトリックス状に形成する方法としては、サンドブラスト法、又はウェットエッチング法を含むエッチング法等によりガラス素板の所定部分を凹状に取り除く方法がある。
【0028】
例えば、ウェットエッチング法は、まず、無アルカリガラス製のガラス素板に、露出部を5×6のマトリックス状に形成すべく幅が2.0mmのテープ状のレジストによりマスキング処理し、このマスキング処理されたガラス素板を、硫酸、塩酸、硝酸、及びリン酸からなる無機酸の群から選択された少なくとも1つの酸を適量含有するフッ化水素酸5〜50質量%からなるエッチング液中に10〜180分間程度浸漬して、ガラス素板から突状部101を残して凹状に取り除いて凹部102を形成するものである。このガラス素板を純水で十分洗浄した後にレジストを剥離する。なお、上記エッチング液に界面活性剤を適宜添加してもよい。さらに、上記エッチング液は、カルボン酸類、ジカルボン酸類、アミン類、及びアミノ酸類からなる群から選択された1種又は2種以上の有機の酸や塩基の酸を適宜含有することが好ましい。
【0029】
このようにガラス素板の所定部分をウェットエッチング法により凹状に取り除くので、EL素子用封止板の凹部102の底部表面を確実に平坦にすることができ、外部圧力に対してEL素子用封止板の強度を増大させることができる。
【0030】
次いで、上記のように5×6のマトリックス状に凹部102が形成された封止板多面取り用マザーガラス基板100を、凹部を規定する突状部101の部位で切断する。これによりEL素子用封止板を30(5×6)個取得することができる。
【0031】
封止板多面取り用マザーガラス基板100は、EL素子用封止板の配列をマトリックス状としたが、多面取りに適した配列であればマトリックス状以外のものであってもよい。
【0032】
また、レジストの幅は、2.0mmに限定されることはなく、取得されたEL素子用封止板の周辺突状部の幅が当該周辺突状部の厚さ以上であればよく、EL素子用封止板の取りしろとして確保すべく1cm程度であってもよい。
【0033】
図1の封止板多面取り用マザーガラス基板100によれば、切断分離により各EL素子用封止板を取得することができ、切断時に、外部圧力に対して強度を増大させること、及び枚葉処理を行うことをなくしてEL素子用封止板の生産性を向上させることができる。
【0034】
図2は、本発明の実施の形態に係るEL素子用封止板を備えるEL素子の断面図である。
【0035】
図2において、有機EL素子200は、透明な厚さ0.7mm、板状の無アルカリガラス製の基板1と、基板1の上に形成された有機EL積層膜2と、この有機EL積層膜2を覆うように、基板1に後述する接着剤により接着された無アルカリガラス製の封止板31とから成る。上記接着剤は、例えば紫外線硬化型エポキシ樹脂4から成る。無アルカリガラス製の封止板31は、図1の封止板多面取り用マザーガラス基板100から切断分離されたものであり、上述したウェットエッチング法を用いることにより、例えば、底部の厚さが0.4mm、及び一辺の長さが40mm(図5のA,B)、並びに周辺突条部の各幅(図5のXA1,XA2,XB1,XB2)が少なくとも0.7mm、及び厚さ(図6のT)が0.7mmに形成されている。封止板31の底部表面には、水分を吸着させるためにモレキュラー・シーヴス(ユニオンカーバイド社製)の粉末5が塗布されている。なお、モレキュラー・シーヴスの粉末5の塗布時及び封止板31の基板1への接着時には、水分や酸素の影響を無くすために乾燥雰囲気や減圧下で行うのが好ましい。
【0036】
有機EL積層膜2は、基板1の上に形成されたITO膜から成る高さ300nmの透明導電膜21と、透明導電膜21の上面に形成された有機EL膜22と、有機EL膜22の上面に形成されたMg−Ag合金製の高さ300nmの背面電極23と、基板1上に形成され、背面電極23に接続されると共に、ITO膜から成る高さ300nmの背面電極用の引出し電極24で構成されている。
【0037】
有機EL膜22は、透明導電膜21側から順に、トリフェニルジアミンから成る高さ70nmの正孔輸送層、次いでキノリノールアルミ錯体から成る高さ70nmの発光層で構成されている。
【0038】
本実施の形態では、有機EL膜22は、正孔輸送層と発光層とで構成されているが、背面電極23と発光層との間に、さらにトリアゾールやオキサジアゾールから成る電子輸送層が配されて構成されていてもよい。
【0039】
さらに、封止板31が中央部に凹部を規定する周辺突状部を有するノーフランジ型であるので、有機EL積層膜2との接触を防止することができる。なお、封止板31の凹部のエッチング深さは、有機EL積層膜2の種類や厚さに応じて適宜変更される。これにより、有機EL素子200内部に侵入した水分を吸着するモレキュラー・シーヴス等の吸湿剤や侵入した酸素を吸着する還元剤を配することが可能となる。
【0040】
上記実施の形態では、凹部が形成された無アルカリガラス製の封止板31にウェットエッチング法を用いて加工するとしたが、このようなガラス製の封止板の加工方法としては、ガラス製の素板自体を曲げ加工するプレス法の他に、サンドブラスト法、又はウェットエッチング法を含むエッチング法等がある。
【0041】
サンドブラスト法では、封止板33の底部表面にサンドブラスト法特有の微小なクラックを多く発生し、封止板33の底部の強度が低下する。その点、エッチング法では、底部表面に微小なクラックが発生しないので、封止板31の底部及び周辺突状部の強度が優れるので好ましい。また、封止板31の周辺突状部及び底部の強度が優れていると、輝度半減寿命の長いEL素子200を提供することができる。
【0042】
また、エッチング方法としては、ドライエッチング法やウェットエッチング法等の方法がある。ドライエッチング法では、封止板31に対して枚葉処理を行うので、エッチングを精密に施すことができるものの封止板31の生産性が低い。これに対してウェットエッチング法では、エッチング液の成分とエッチング温度とを選択することでバッチ処理を行うことが可能となり封止板31の生産性が高い。
【0043】
さらに、上記ウェットエッチング法で用いられるエッチング液は、硫酸、塩酸、硝酸、及びリン酸からなる無機の強酸の群から選択された少なくとも1つの強酸を適量含有するフッ化水素酸5〜50質量%からなることが好ましい。これにより、エッチング力を大きくすることができる。なお、強酸の群から選択される強酸は、単体でも2種類以上の混合物でもよい。また、上記エッチング液に界面活性剤を適宜添加してもよく、添加される界面活性剤を適宜変更することが好ましい。
【0044】
上述したエッチングが液の成分と濃度は、エッチング液の温度、並びにエッチングされるガラスの組成及び種類に応じて適宜選択される。
【0045】
上記実施の形態では、底部の厚さを0.4mm、周辺突条部の幅を少なくとも0.7mmの凹状に形成された無アルカリガラス製の封止板31としたが、有機EL素子300の構成に応じて無アルカリガラス製、低アルカリガラス製、石英ガラス製、又はソーダライムガラス製等の封止板31としてもよい。封止板31の底部の厚さは、0.3〜1.1mmが好ましい。厚さが、0.3mm未満であるとは封止板31の底部の強度は小さすぎ、1.1mmであると封止板31の強度は十分大きい。封止板31の周辺突条部の幅は、当該周辺突条部の厚さ1.1mm以上であることが好ましい。幅が、当該周辺突条部の厚さ1.1mm未満であると封止板31の周辺突条部の強度は小さく、当該周辺突条部の厚さ1.1mm以上であると封止板31の周辺突条部の強度はガラス本来の強度を維持することができる程度に十分大きい。また、幅が当該周辺突条部の厚さ0.7mm以上であると、上記接着剤の接着面積を十分に確保することができる。
【0046】
本実施の形態では、EL素子用封止板としては、ガラス製であるとしたが、金属、樹脂製等であってもよい。
【0047】
また、本実施の形態では、EL膜を有機EL積層膜2としたが、EL膜を無機EL積層膜としてもよい。この場合の無機EL積層膜は、透明導電膜側から順に、絶縁層、発光層、絶縁層又は電子障壁層、発光層、次いで電流制限層で構成されている。
【0048】
さらに、本発明の形態では、EL素子は、パッシブ構造をとる有機EL素子300としたが、アクティブ構造をとるものであってもよい。
【0049】
【実施例】
以下、本発明の第1の実施例を説明する。
【0050】
本発明者は、表1の凹部形成方法としてレジストの幅が異なるウェットエッチング法を用いて、厚さ1.1mmのガラス素板から、中央部に一辺40mmの正方形で深さ300μmの凹部を有する無アルカリガラス製の封止板31を作製し、この封止板31を備える有機EL素子200の試験片を上記実施の形態における図2を用いて説明した方法により作製した(表1の実施例1〜3及び比較例1,2)。なお、上記エッチング法におけるエッチング液の温度を25℃に保った。さらになお、上記実施の形態における図2を用いて説明した方法において、接着剤押圧力を980N/m2(100kg/m2)としたが、試験片の封止板31は破損しなかった。
【0051】
そして、作製した試験片の封止板31の周辺突状部及び底部の強度を評価した。具体的には、表1に示すように、作製した試験片の封止板に1960N/m2(200kg/m2)の外部押圧力を印加し、試験片の封止板31の周辺突状部及び底部の強度を「優」又は「劣」により評価した。
【0052】
評価した結果を表1に示す。
【0053】
【表1】
【0054】
なお、表1に示す試験片の封止板31の強度は、有機EL素子200の封止板31が破損しなかった場合に封止板31の強度が優れているものとして「優」とし、破損した場合に封止板31の強度が劣っているものとして「劣」として評価した。
【0055】
表1から、封止板31の厚さが1.1mmである場合において、封止板31の周辺突状部の幅が1.1mm以上であると、外部押圧力1960N/m2に対して封止板31の強度が優れていることが分かった。
【0056】
以下、本発明の第2の実施例を説明する。
【0057】
本発明者は、表2の凹部形成方法として上記実施の形態において説明したサンドブラスト法を用いて、実施例1と同様に、厚さ1.1mmのガラス素板から、中央部に一辺40mmの正方形で深さ300μmの凹部を有する封止板33を作製し、この封止板33を備える有機EL素子400の試験片を作製した(図4)(表2の実施例4〜6及び比較例3,4)。また、同様に、表2の凹部形成方法として上記実施の形態において説明したプレス法を用いて封止板32を作製し、この封止板32を備える有機EL素子300の試験片を第1の実施例と同様に作製した(図3)(表2の比較例5)。そして、第1の実施例と同様に試験片の封止板32又は試験片の封止板33の強度を「優」又は「劣」により評価した。
【0058】
評価した結果を表2に示す。
【0059】
【表2】
【0060】
表2から、封止板33の厚さが1.1mmである場合において、封止板33の周辺突状部の幅が1.1mm以上であると、外部押圧力1960N/m2に対して封止板33の強度が優れていることが分かった。
【0061】
また、表2から、プレス法を用いたときは、封止部分が不均一なため、外部押圧力1960N/m2に対して封止板32の強度が劣っていることが分かった。
【0062】
表1と表2との比較から、比較例3,4では、封止板33の底部表面にサンドブラスト法特有の微小なクラック6等が発生しているものであり、封止板33の底部から破損したのに対して、比較例1,2では、封止板31の周辺突状部から破損したので、ウェットエッチング法を用いて凹部を形成するとより好ましいことが分かった。
【0063】
また、表1及び表2から、周辺突状部の幅が1.1mm以上であると、接着剤である紫外線硬化型エポキシ樹脂4による接着強度を増大させることができることが分かった。
【0064】
以下、本発明の第3の実施例を説明する。
【0065】
本発明者は、表3の凹部形成方法を用いて、厚さ0.7mmのガラス素板から、中央部に一辺40mmの正方形で深さ300μmの凹部を有し、幅が厚さに対して0.5〜1.3倍程度の長さの周辺突状部を有する無アルカリガラス製の封止板を作製し、この封止板の周辺突条部に紫外線硬化型のエポキシ樹脂からなる接着剤を塗布し、基板1側と封止板側とからの接着剤押圧力980N/m2(100kg/m2)を夫々加えて紫外線を照射することにより封止板と基板1とを接着することにより有機EL素子200,300,400の試験片を作製した(表3の実施例1,2及び比較例1〜6)。
【0066】
具体的には、表3の凹部形成方法としてウェットエッチング法を用いた場合には、エッチングによるサイドエッチを考慮して0.6,0.7,0.83,0.9,1.0,又は1.4mmのテープ状のレジストによりマスキング処理し、このマスキング処理されたガラス素板を、ドデシルベンゼンスルホン酸ナトリウム1.0質量%を含有するフッ化水素酸20質量%からなる25℃に保たれたエッチング液中に約60分間浸漬して、ガラス素板から突状部101を残して凹状に取り除いて凹部102を形成した。このガラス素板を純水で十分洗浄した後にレジストを剥離し、幅がガラス素板の厚さに対して0.5〜1.3倍程度の長さの周辺突状部を有する封止板31及び有機EL素子200の試験片を作製した。なお、上記エッチング法におけるエッチング液の温度を25℃に保った。また、封止板31の周辺突条部の幅は、エッチングによるサイドエッチにより、夫々0.3,0.4,0.53,0.6,0.7,1.1mmとなった(実施例1,2及び比較例1〜4)。また、接着剤押圧力を980N/m2としても、試験片の封止板31は破損しなかった。
【0067】
また、表3の凹部形成方法としてプレス法を用いた場合には、接着押圧力をかけずに封止板32で封止された有機EL素子300の試験片を作製した。
【0068】
また、表3の凹部形成方法としてサンドブラスト法を用いた場合には、接着剤押圧力を980N/m2とすると封止板33は破損してしまったので、接着押圧力を490N/m2として封止板33で封止された有機EL素子400の試験片を作製した。
【0069】
そして、作製した有機EL素子200,300,400の試験片の封止板の強度や寿命を評価した。具体的には、表3に示すように、作製した試験片の封止板の中央部2cm×2cmの領域に490N/m2の外部押圧力を印加しながら、試験片である有機EL素子200,300,400を初期の駆動電圧8V、駆動電流10mA/cm2で連続駆動して有機EL素子200,300,400の試験片の駆動電圧上昇を評価すると共に、実施例1,2、及び比較例2,5,6については輝度半減寿命を測定した。
【0070】
なお、表3に示す駆動電圧上昇は、有機EL素子200,300,400の試験片の輝度を維持するために上昇させた駆動電圧が20V以上であった場合を「大きい」、上昇させた駆動電圧が20V未満であった場合を「小さい」として評価した。
【0071】
その結果を表3に示す。
【0072】
【表3】
【0073】
表3から、封止板31の厚さが0.7mmである場合において、封止板31の周辺突状部の幅が0.7mm以上、即ち厚さに対して1.0倍以上の長さであると、該封止板31を備える有機EL素子200の輝度を長時間維持させることができることが分かった。
【0074】
以下、本発明の第4の実施例を説明する。
【0075】
本発明者は、第3の実施例と同様に、厚さ1.1mmのガラス素板から、中央部に一辺40mmの正方形で深さ300μmの凹部を有し、幅が厚さに対して0.5〜1.6倍程度の長さの周辺突状部を有する無アルカリガラス製の封止板及び封止板を備える有機EL素子200,300,400の試験片を作製した(表4の実施例1,2及び比較例1〜6)。
【0076】
そして、第3の実施例と同様に、表4に示すように、有機EL素子200,300,400の試験片の駆動電圧上昇を評価すると共に、実施例1,2、及び比較例2,5,6については輝度半減寿命を測定した。
【0077】
その結果を表4に示す。
【0078】
【表4】
【0079】
表4から、封止板31の厚さが1.1mmである場合において、封止板31の周辺突状部の幅が1.1mm以上、即ち厚さに対して1.0倍以上の長さであると、該封止板31を備える有機EL素子200の輝度を長時間維持させることができることが分かった。
【0080】
【発明の効果】
以上詳細に説明したように、請求項1記載のEL素子用封止板によれば、ノーフランジ型のEL素子用封止板が有する周辺突状部の幅が当該周辺突状部の厚さ以上であるので、外部圧力に対して強度増大させることができ、接合材料の厚さを小さくすることができ、周辺突条部の幅が0.7mm以上であるので、接合面積を確保することができる。
【0081】
請求項2記載のEL素子用封止板によれば、周辺突条部の幅が1.1mm以上であるので、外部圧力に対してより強度を増大させることができると共に、接合面積をより大きく確保することができる。
【0082】
請求項3記載のEL素子用封止板によれば、ガラス製であるので、容易にエッチング法等を用いることにより凹部を形成することができる。
【0083】
請求項4記載のEL素子用封止板によれば、凹部がエッチング法を用いて形成されたので、サンドブラスト法よりも凹部を確実に平坦にすることができ、外部圧力に対して強度を増大させることができ、もって接合材料の厚さをより小さくすることができると共に、プレス法よりも周辺突条部を確実に平坦にすることができ、接合材料の厚さを均一にすることができる。
【0084】
以上詳細に説明したように、請求項5記載の封止板多面取り用マザーガラス基板によれば、請求項1乃至4のいずれか1項に記載のEL素子用封止板がほぼマトリックス状に形成されたので、請求項1記載のEL素子用封止板による効果と同等の効果を奏することができる。
【0085】
以上詳細に説明したように、請求項6記載のEL素子によれば、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のEL素子用封止板を備えるので、外部圧力に対して十分な強度を有するEL素子を提供することができると共に、接合面積が確保され、EL素子用封止板が有する周辺突条部と基板とを接合する接合部の幅が0.7mm以上であるので、内部への水分や酸素の侵入を効果的に防止することができ長寿命のEL素子を提供することができる。
【0086】
請求項7記載のEL素子によれば、接合部の幅が1.1mm以上であるので、接着強度を高くすることができる。
【0087】
請求項8記載のEL素子によれば、接合部が硬化性軟質材料から成るので、周辺突条部と基板とを接合する際に押圧することができ、周辺突条部と基板とを接合する際に押圧されたので、接合部の厚さをより小さくすることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態に係るEL素子用封止板がほぼマトリックス状に形成された封止板多面取り用マザーガラス基板の平面図である。
【図2】本発明の実施の形態に係るEL素子用封止板を備えるEL素子の断面図である。
【図3】プレス法を用いて作製された用封止板32を備えるEL素子300の断面図である。
【図4】サンドブラスト法を用いて作製された封止板33を備えるEL素子400の断面図である。
【図5】本発明の実施の形態に係るEL素子用封止板の周辺突条部の平面図である。
【図6】本発明の実施の形態に係るEL素子用封止板の周辺突条部の断面図である。
【符号の説明】
1 基板
2 有機EL積層膜
4 紫外線硬化型エポキシ樹脂
5 モレキュラー・シーヴスの粉末
6 クラック
21 透明導電膜
22 有機EL膜
23 背面電極
24 引出し電極
31,32,33 封止板
100 封止板多面取り用マザーガラス基板
200,300,400 有機EL素子
Claims (8)
- EL素子用の基板上に形成されたEL積層膜を覆うべく中央部に凹部が規定された周辺突状部を有し、当該周辺突条部が前記基板に接合材料により接合されるノーフランジ型のEL素子用封止板において、前記周辺突状部の幅が当該周辺突状部の厚さ以上であり、前記周辺突条部の幅が0.7mm以上であることを特徴とするEL素子用封止板。
- 前記周辺突条部の幅が1.1mm以上であることを特徴とする請求項1記載のEL素子用封止板。
- ガラス製であることを特徴とする請求項1又は2記載のEL素子用封止板。
- 前記凹部はエッチング法を用いて形成されたことを特徴とする請求項3記載のEL素子用封止板。
- 請求項1乃至4のいずれか1項に記載のEL素子用封止板がほぼマトリックス状に形成されたことを特徴とする封止板多面取り用マザーガラス基板。
- EL素子用の基板と、前記基板上に形成されたEL積層膜と、請求項1乃至5のいずれか1項に記載のEL素子用封止板と、前記EL素子用封止板が有する周辺突条部と前記基板とを接合する接合部とを備えるEL素子において、前記接合部は、その幅が0.7mm以上であることを特徴とするEL素子。
- 前記接合部は、その幅が1.1mm以上であることを特徴とする請求項6記載のEL素子。
- 前記接合部は、硬化性軟質材料から成り、前記周辺突条部と前記基板とを接合する際に押圧されたことを特徴とする請求項6又は7記載のEL素子。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002174480A JP2004022291A (ja) | 2002-06-14 | 2002-06-14 | El素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板、並びにel素子 |
US10/460,828 US6909175B2 (en) | 2002-06-14 | 2003-06-12 | EL device sealing plate, multiple sealing plate-producing mother glass substrate, and EL device |
KR10-2003-0037888A KR20030096058A (ko) | 2002-06-14 | 2003-06-12 | 전계발광 소자용 밀봉판, 다면 밀봉판 제조용 마더 유리기판, 및 전계발광 소자 |
CNA031425348A CN1469689A (zh) | 2002-06-14 | 2003-06-13 | El器件密封板、多密封板—制造母玻璃基板及el器件 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002174480A JP2004022291A (ja) | 2002-06-14 | 2002-06-14 | El素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板、並びにel素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004022291A true JP2004022291A (ja) | 2004-01-22 |
Family
ID=29727974
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002174480A Pending JP2004022291A (ja) | 2002-06-14 | 2002-06-14 | El素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板、並びにel素子 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6909175B2 (ja) |
JP (1) | JP2004022291A (ja) |
KR (1) | KR20030096058A (ja) |
CN (1) | CN1469689A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007258005A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Pioneer Electronic Corp | 光デバイス用の封止部材の製造方法、光デバイスの製造方法、光デバイス、および光デバイス用の封止部材 |
JP2009518779A (ja) * | 2005-12-05 | 2009-05-07 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 発光装置のための穴ガラスおよびその製造方法 |
US9281498B2 (en) | 2010-11-30 | 2016-03-08 | Kaneka Corporation | Organic EL device |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005322464A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Canon Inc | 有機el素子 |
WO2016084256A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | パイオニア株式会社 | 発光装置 |
CN105152540B (zh) * | 2015-08-28 | 2018-09-11 | 深圳市汇隆源科技有限公司 | 3d玻璃板的制造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1126156A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el多色発光表示装置 |
JP2001297878A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネルの製造方法 |
JP2003100446A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5130531A (en) * | 1989-06-09 | 1992-07-14 | Omron Corporation | Reflective photosensor and semiconductor light emitting apparatus each using micro Fresnel lens |
US5535231A (en) * | 1994-11-08 | 1996-07-09 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optoelectronic circuit including heterojunction bipolar transistor laser and photodetector |
JPH10172757A (ja) | 1996-12-13 | 1998-06-26 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el発光装置 |
JP3846819B2 (ja) | 1997-07-18 | 2006-11-15 | カシオ計算機株式会社 | 発光素子 |
JP2000156287A (ja) | 1998-11-20 | 2000-06-06 | Hokuriku Electric Ind Co Ltd | 有機el素子とその製造方法 |
JP2000195662A (ja) | 1998-12-28 | 2000-07-14 | Futaba Corp | 有機el素子及びその製造方法 |
JP4342023B2 (ja) | 1999-03-11 | 2009-10-14 | トヨタ自動車株式会社 | 吸湿膜及び有機el表示装置 |
JP2001092376A (ja) | 1999-09-20 | 2001-04-06 | Denso Corp | 表示素子およびその製造方法 |
JP2001167875A (ja) | 1999-12-07 | 2001-06-22 | Toyota Motor Corp | 有機el素子の吸着剤保持構造 |
JP3409762B2 (ja) | 1999-12-16 | 2003-05-26 | 日本電気株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4944301B2 (ja) * | 2000-02-01 | 2012-05-30 | パナソニック株式会社 | 光電子装置およびその製造方法 |
-
2002
- 2002-06-14 JP JP2002174480A patent/JP2004022291A/ja active Pending
-
2003
- 2003-06-12 KR KR10-2003-0037888A patent/KR20030096058A/ko not_active Application Discontinuation
- 2003-06-12 US US10/460,828 patent/US6909175B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-06-13 CN CNA031425348A patent/CN1469689A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH1126156A (ja) * | 1997-06-30 | 1999-01-29 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機el多色発光表示装置 |
JP2001297878A (ja) * | 2000-04-13 | 2001-10-26 | Nippon Seiki Co Ltd | 有機elパネルの製造方法 |
JP2003100446A (ja) * | 2001-09-21 | 2003-04-04 | Sanyo Electric Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンスパネルおよびその製造方法 |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009518779A (ja) * | 2005-12-05 | 2009-05-07 | ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド | 発光装置のための穴ガラスおよびその製造方法 |
JP2007258005A (ja) * | 2006-03-23 | 2007-10-04 | Pioneer Electronic Corp | 光デバイス用の封止部材の製造方法、光デバイスの製造方法、光デバイス、および光デバイス用の封止部材 |
US9281498B2 (en) | 2010-11-30 | 2016-03-08 | Kaneka Corporation | Organic EL device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20030096058A (ko) | 2003-12-24 |
US6909175B2 (en) | 2005-06-21 |
US20030230795A1 (en) | 2003-12-18 |
CN1469689A (zh) | 2004-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100484109B1 (ko) | 기판 제조방법, 이 기판제조방법을 이용한 유기 전계발광표시장치의 제조방법 및 유기 전계 발광 표시장치 | |
WO2004014109A1 (ja) | エレクトロ・ルミネッセンス素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板 | |
JP2003208975A (ja) | 有機el素子の製造方法 | |
JP2004022291A (ja) | El素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板、並びにel素子 | |
JP2001189191A (ja) | 有機el表示素子の封止板および封止方法 | |
CN114388668B (zh) | 微发光二极管及其制备方法、微发光元件和显示器 | |
US20170373350A1 (en) | Method for reversible bonding between two elements | |
KR20030095261A (ko) | 전계발광 소자용 밀봉판 및 다면 밀봉판 제조용 마더 유리기판 | |
JP2004079467A (ja) | El素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板 | |
JP3646120B1 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ(以下、有機eld)パネルの製造方法、および、有機eldパネル用ガラス基板の薄型化方法 | |
TWI276365B (en) | Sealing plate for electroluminescent device, manufacturing method thereof, and multiple paring mother glass plates thereof | |
JP2005209756A (ja) | 薄膜デバイスの製造方法、薄膜デバイス、液晶表示装置およびエレクトロルミネッセンス表示装置 | |
JP2004047309A (ja) | El素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板 | |
JP6748976B2 (ja) | ピラー供給用シートの製造方法、ガラスパネルユニットの製造方法及びガラス窓の製造方法 | |
KR100500269B1 (ko) | 유기전계발광소자 보호용 커버플레이트 및 그 제조방법 | |
JP2004087369A (ja) | El素子用封止板及びその製造方法、並びに該封止板多面取り用マザーガラス基板 | |
JP2002107704A (ja) | 樹脂基板を用いた液晶表示パネルの切断方法 | |
CN1618255A (zh) | 有机电致发光元件用背面密封部件、有机电致发光元件用玻璃基板、有机电致发光元件以及该密封部件和玻璃基板的制造方法 | |
JP2005222930A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの製造方法、および、有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネル用ガラス基板の薄型化方法 | |
JP2004063395A (ja) | El素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板 | |
JP2004152663A (ja) | 表示パネル及びその表示パネルを備えた電子機器並びに表示パネルの製造方法 | |
JP2017024947A (ja) | 積層体及びその製造方法並びに電子デバイス及びその製造方法 | |
KR100511797B1 (ko) | 유기전계발광소자 보호용 커버플레이트의 제조방법 | |
JP2004111233A (ja) | ガラス製el素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板 | |
JP2005190838A (ja) | 有機el表示装置及び有機el表示装置の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041201 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20060427 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060913 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060919 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20070206 |