WO2004014109A1 - エレクトロ・ルミネッセンス素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板 - Google Patents

エレクトロ・ルミネッセンス素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板 Download PDF

Info

Publication number
WO2004014109A1
WO2004014109A1 PCT/JP2003/008819 JP0308819W WO2004014109A1 WO 2004014109 A1 WO2004014109 A1 WO 2004014109A1 JP 0308819 W JP0308819 W JP 0308819W WO 2004014109 A1 WO2004014109 A1 WO 2004014109A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
sealing plate
sealing
glass
substrate
organic
Prior art date
Application number
PCT/JP2003/008819
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Tetsuro Yoshii
Hiroshi Nishikawa
Original Assignee
Nippon Sheet Glass Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2002223015A external-priority patent/JP2004063395A/ja
Priority claimed from JP2002241766A external-priority patent/JP2004079467A/ja
Application filed by Nippon Sheet Glass Co., Ltd. filed Critical Nippon Sheet Glass Co., Ltd.
Publication of WO2004014109A1 publication Critical patent/WO2004014109A1/ja

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/04—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of carbon-silicon compounds, carbon or silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/841—Self-supporting sealing arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/846—Passivation; Containers; Encapsulations comprising getter material or desiccants

Definitions

  • the present invention relates to a sealing plate for an luminescent element, and a mother-glass substrate for multi-segmenting the sealing plate, and more particularly, to covering an EL laminated body laminated on the substrate.
  • the present invention relates to a sealing plate for an EL element in which a central portion is defined in a concave shape, and a mother-glass substrate for forming a plurality of sealing plates.
  • the luminescence element (hereinafter referred to as “EL”) is preferably used as a display portion of an electronic device such as a mobile phone or a car navigation system.
  • a central part is provided to define a peripheral ridge having a top surface adhered to the substrate via an adhesive so as to cover the substrate on which the laminated film is formed and the EL laminated film formed on the substrate.
  • an EL element sealing plate processed into a concave shape. The substrate and the sealing plate are bonded to each other via an adhesive layer made of an adhesive disposed at a sealing portion between the substrate and the peripheral ridge.
  • the sealing plate As a material of the sealing plate, metal, glass, resin, or the like is used.
  • the sealing plate between the substrate and the peripheral ridge is provided for the purpose of maintaining the electrical insulation of the lead electrode portion formed on the substrate. Since it is necessary to mix an insulating spacer with the adhesive to be distributed, the gap between the substrate and the peripheral ridge becomes large by the size of the spacer. The possibility of intrusion increases. Also, the light emitting layer In a top emission structure in which the light is extracted from the sealing plate side, a sealing plate made of metal cannot be used because the sealing plate requires transparency.
  • plastic or glass having insulating properties and transparency is used for the sealing plate.
  • plastic is rarely used as a material for sealing plates due to its own water absorption, whereas glass is excellent in insulation, transparency, and water resistance. Therefore, it is often used as a material for sealing plates.
  • a top emission type EL element having the EL element sealing plate manufactured as described above is used as a display element in an information display device such as a mobile phone or an electronic organizer. It is used indoors as well as outdoors.
  • the display devices of the electronic devices described above often receive external pressure, and it is necessary for the EL element sealing plate to have an ability to stake against external pressure.
  • glass which is generally used as a material for the sealing plate, is particularly vulnerable to tensile stress, and therefore hard enough to withstand the tensile stress that can be applied even when used indoors. There was a first problem that was required.
  • a first object of the present invention is to provide a sealing plate for an EL element, which can improve the durability against an external pressure, and a mother-glass substrate for forming a plurality of sealing plates.
  • a second object of the present invention is to provide a sealing plate for an EL element which can prevent breakage, and a mother glass substrate for forming a plurality of EL element sealing plates. And. Disclosure of the invention
  • an EL element sealing plate is a glass EL element sealing plate that covers an EL laminate stacked on a substrate. , Characterized in that the surface has been subjected to a strengthening treatment.
  • the sealing plate is made of alkali-containing glass, and the tempering treatment is a chemical tempering treatment.
  • the chemical strengthening treatment is preferably performed by an ion exchange method.o
  • the strengthening treatment is performed by an air-cooling strengthening method.
  • a sealing glass multi-paneling mother-glass substrate is configured such that the EL element sealing plate is formed in a substantially matrix shape. It is characterized by being done.
  • the masking process is performed after the sealing plates are subjected to the strengthening process, and that the sealing plates are cut after the strengthening process.
  • an EL element sealing plate has a concave central portion so as to cover an EL laminated body laminated on a substrate.
  • the sealing plate for an EL element defined in a shape having a curved portion at a corner of the concave portion.
  • a radius of curvature of the curved portion is 50 ⁇ m or more.
  • the recess is preferably formed by an etching method.
  • the etching method is preferably a wet etching method.
  • the mother-glass substrate for multi-paneling of the EL element sealing plate according to the second aspect is characterized in that the EL element sealing plate is formed in a substantially matrix shape.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of an organic EL device including an EL device sealing plate according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a plan view of a mother-glass substrate for forming a plurality of sealing plates, in which a sealing plate for an EL element used in the EL element of FIG. 1 is formed in a substantially matrix shape.
  • FIG. 3 is a cross-sectional view of an organic EL device including a sealing plate for an EL device of Comparative Example 1.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of an EL element including an EL element sealing plate according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 is an explanatory diagram of a method for evaluating the presence or absence of damage to the concave portions of the EL element sealing plates of the example and the comparative example.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view of an EL element including the EL element sealing plate of Comparative Example 2.
  • the present inventor has conducted intensive studies to achieve the first object, and as a result, the surface of the glass EL element sealing plate covering the EL laminate laminated on the substrate has been subjected to a strengthening treatment. When applied, the durability of the EL element sealing plate against external pressure can be improved, and it has been found that sufficient strength for practical use can be obtained.
  • the present inventor has found that an EL element having a concave central portion so as to cover an EL laminate stacked on a substrate is provided. If the sealing plate has a curved portion at the corner of the recess, preferably a curved portion having a radius of curvature of 50 m or more, it is possible to prevent the EL element sealing plate from being damaged. I found this.
  • the present inventor has conducted intensive studies to achieve the second object, and as a result, when the concave portion is formed by the etching method, the radius of curvature of the curved portion is set to a desired value. I found that I could do it.
  • the present invention has been made based on the results of the above research.
  • FIG. 1 is a cross-sectional view of an EL element including an EL element sealing plate according to the first embodiment of the present invention.
  • the bottom emission type organic EL device 100 has a structure shown in FIG.
  • the substrate is made of a transparent, non-alkali glass substrate with a size of 7,0 cm and a thickness of 1.0 mm, and an organic EL formed on the substrate. It comprises a laminate 20 and a sealing plate 30 formed so as to cover the organic EL laminate 20.
  • the sealing plate 30 has a size of 5.0 cm by, for example, a wet etching method. It is formed from a plate-like transparent alkali glass (for example, NA-35: N. Techno Glass Co., Ltd.) with a corner and a thickness of 0.7 mm. In order to define a peripheral ridge 31 with a width of 2.0 mm, the center is machined into a concave shape, and the bottom of the concave portion 32 has a thickness of 0.4 mm. The sealing plate 30 has been subjected to a strengthening treatment. The substrate 10 and the peripheral ridge 31 are bonded to a sealing portion formed between the substrate 10 and the top of the peripheral ridge 31, for example, an adhesive made of an ultraviolet curing epoxy resin. It is adhered via an adhesive layer 40 made of an agent.
  • a plate-like transparent alkali glass for example, NA-35: N. Techno Glass Co., Ltd.
  • NA-35 N. Techno Glass Co., Ltd.
  • the sealing plate 30 has been subjected to a
  • the adhesion of the sealing plate 30 to the substrate 10 is performed by first applying a fixed amount of an adhesive to the peripheral ridge 31, placing the sealing plate 30 on the substrate 10, This is performed by irradiating the adhesive with ultraviolet rays while pressing the sealing plate 30 against the substrate 10.
  • the concave portion 32 is formed in the glass base plate by first forming a central portion of the glass base plate in a concave shape by a wet etching method described later. It is performed by performing chemical strengthening treatment by the exchange method (indicated by reference numeral 311 in FIG. 1).
  • the thickness of the bottom of the recess 32 of the sealing plate 30 is preferably from 0.3 to 2.0 mm. If the thickness is less than 0.3 mm, the strength of the bottom of the recess 32 of the sealing plate 30 is too small, and if it is larger than 2.0 mm, the strength of the sealing plate 30 is sufficiently obtained, but the EL element is obtained. It becomes impossible to reduce the thickness of 100.
  • Molecular sieve 50 (manufactured by Union Carbide Co., Ltd.) is applied to the bottom surface 33 of the recess 32 of the sealing plate 30 to adsorb moisture.
  • the most suitable molecular sieve 50 is used as the moisture absorbent.
  • silica gel may be used. (S i 0 2), Deshikai bets (h Ray desiccant), mosquito chloride calcium, calcium oxide, may be a calcium silicate and the like.
  • the organic EL laminate 20 includes a transparent conductive film 21 formed of an IT0 film having a thickness of 300 nm and a light-emitting layer described later, and is formed on the substrate 10.
  • the surface of the transparent conductive film 21 is The organic EL multilayer film 2 2, the back electrode 2 3 formed on the surface of the organic EL multilayer film 2, and having a thickness of 300 nm and made of a Mg—Ag alloy, and the back electrode 2 3 And an extraction electrode 24 made of an ITO film having a thickness of 300 nm.
  • the organic EL laminated film 22 is, in order from the transparent conductive film 21 side, a 70-nm-high hole transport layer made of triphenyldiamine, and a 70-nm-high hole transport layer made of a quinolinol aluminum complex.
  • a light emitting layer is laminated.
  • a transparent electron transporting layer made of triazoleoxazole may be disposed between the upper electrode 23 and the light emitting layer.
  • the etching solution used in the above wet etching method was selected from the group consisting of inorganic acids consisting of sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, and phosphoric acid in 5 to 50% by mass of hydrofluoric acid. It is preferred that at least one acid be contained in an appropriate amount. As a result, the etching power can be increased.
  • the strong acid selected from the group of inorganic acids may be a single substance or a mixture of two or more types.o
  • the above-mentioned etching solution contains an appropriate amount of one or more organic acids and bases selected from the group consisting of carboxylic acids, dicarboxylic acids, amines, and amino acids. Is preferred. Further, a surfactant may be appropriately added to the etching solution, and the added surfactant may be appropriately changed.
  • the components and concentrations of the etching solution as described above are appropriately changed depending on the temperature of the etching solution, the composition and type of the glass to be etched, and the like. Is done. It is also effective to oscillate the glass to be etched or to apply low-power ultrasonic waves during the etching process. Thereby, the etching solution can be made a uniform solution. Furthermore, at least one of water and at least one selected from the group of inorganic acids consisting of sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, and phosphoric acid during the etching treatment is taken out of the etching solution. It is also effective to soak in two acids or one or more organic acids or bases selected from the group consisting of carboxylic acids, dicarboxylic acids, amines, and amino acids. . Thereby, the etching process can be performed uniformly.
  • the sealing plate 30 is subjected to a concave processing by a wet etching method or the like, and further subjected to a strengthening treatment. As a result, a sealing plate 30 having practically sufficient strength can be obtained.
  • the strengthening treatment the monovalent ions contained in the glass of the sealing plate 30 are replaced with ions having a larger ion radius, and the surface of the sealing plate 30 A chemical strengthening method for increasing the strength of the sealing plate 30 itself by increasing the compressive stress, and a wind cooling method for enhancing the strength of the sealing plate 30 itself are used.
  • the sealing plate 30 that has been subjected to the concave processing by the hot etching method is sufficiently washed and dried, and then the monovalent ion contained in the sealing plate 30 is removed.
  • the sealing plate 30 is placed in a molten salt of a nitrate, a sulfate, a chloride or a mixture of at least one of the ions having a radius larger than that of the ions.
  • the ion exchange of the monovalent ions in the sealing plate 30 is performed by allowing the ions to stand still. Thereby, the compressive stress on the surface of the sealing plate 30 increases, and the strength of the sealing plate 30 itself increases.
  • the sealing plate 30 that has been subjected to the concave processing by the hot-etching method is sufficiently washed and dried, then heated to near the softening temperature, rapidly cooled, and rapidly cooled. Increase the compressive stress on the surface of the 30 and the sealing plate 30 itself The strength of the steel can be increased.
  • the surface is subjected to the chemical strengthening treatment or the air cooling strengthening treatment, it is possible to improve the durability of the sealing plate 30 against external pressure.
  • the wet etching method is used as the method of forming the concave portion 32 in the glass base plate.
  • the dry etching method may be used, and the dry etching method and the wet etching method may be used.
  • the notch treatment can be performed by selecting the components of the etching liquid and the etching temperature, and thus the productivity of the sealing plate 30 can be improved. it can.
  • the dry etching method although the etching process can be performed precisely, the notch process cannot be performed, and the single-wafer process is forced. Low productivity of plate 30
  • the sealing plate 30 is made of glass containing aluminum, but any glass containing 5% by mass or more of monovalent ions can be used as a substrate for chemical strengthening. You. Further, the sealing plate 30 may be made of non-alkali glass. In the case of such a base material which cannot be subjected to the chemical strengthening treatment by ion exchange, the surface strengthening treatment is not performed. This can be done by strengthening the air cooling (rapid cooling).
  • the organic EL laminated film 22 has a passive structure, but may have an active structure. Further, in the present embodiment, the organic EL element 100 is of a bottom emission type, but may be of a top emission type.
  • the organic EL laminated film 22 used the one composed of the hole transport layer and the light-emitting layer
  • the organic EL laminated film 22 used the one composed of the hole transport layer, the light-emitting layer, and the electron transport layer composed of triazole and dioxazole. Is also good.
  • the EL laminated film is replaced with an inorganic EL laminated film. It may be a membrane. In this case, a layer composed of an insulating layer, a light emitting layer, and an insulating layer, and a layer composed of an electron barrier layer, a light emitting layer, and a current limiting layer are used in this order from the transparent conductive film side.
  • the sealing plate 30 used for the EL element 100 in FIG. 1 is manufactured by a mother-glass substrate for multi-face sealing as shown in FIG. 2 in addition to the fabrication by single-wafer processing as described above. It can be cut out.
  • FIG. 2 is a plan view of a sealing-substrate multi-face mother-glass substrate in which a sealing plate 30 used for the EL element 100 in FIG. 1 is formed in a substantially matrix shape.
  • a mother glass substrate 200 for obtaining a plurality of sealing plates having a height of 30 cm and a width of 40 cm is a sealing plate 30 formed in a 5 ⁇ 6 matrix shape.
  • a predetermined portion of the glass base plate is concaved by an etching method including a jet etching method. There is a way to remove it. It is preferable to use a glass substrate having a thickness of 0.5 mm or more in handling and 1.1 mm or less from the viewpoint of making the EL element 100 thinner.
  • a masking process is performed on a glass base plate using a 2.5 mm wide tape-shaped resist to form an exposed portion in a 5 ⁇ 6 matrix shape, and the masking process is performed.
  • the glass plate thus immersed is immersed in the above-mentioned etching solution for about 10 to 180 minutes, and removed from the glass plate in a concave shape except for the ridge portion 101 to form a concave portion 102. It is what you do. After thoroughly cleaning the glass substrate with pure water, the resist is peeled off.
  • the predetermined portion of the glass base plate is removed in a concave shape by the hot etching method, so that the bottom surface of the concave portion 32 of the sealing plate 30 can be surely flattened, and the external pressure can be reduced.
  • the strength of the sealing plate 30 can be increased. Wear.
  • a mother-glass substrate 200 for forming a plurality of sealing plates on which a concave portion 102 is formed in a matrix of 5 ⁇ 6 as described above, and a concave portion 102 are defined. Cut at the ridge i01. Thereby, for example, 30 (5 ⁇ 6) sealing plates 30 used for the EL element 100 in FIG. 2 described later can be obtained.
  • the wet etching method is used as the method for forming the concave portion 102 in the glass base plate.
  • the dry etching method may be used, and the dry etching method and the wet etching method may be used. And may be used in combination.
  • the arrangement of the sealing plate 30 is made into a matrix shape.
  • the matrix shape becomes the same. ⁇ ⁇ ⁇ ⁇ may be used.
  • the width of the resist is not limited to 2.5 mm, and the width of the peripheral ridge 31 of the obtained sealing plate 30 is determined by the thickness of the peripheral ridge 31.
  • the length may be about 1 cm or more so as to secure a space for the sealing plate 30.
  • each sealing plate 30 can be obtained by cutting and separating, and the strength against external pressure during cutting can be increased.
  • a sealing plate having a long life can be provided, and the productivity of the sealing plate 30 can be improved by eliminating single-wafer processing.
  • the sealing plate 30 processed into a concave shape by the etching process can be subjected to a strengthening process after being individually cut from the mother glass substrate 200.
  • the EL element according to the present embodiment has basically the same configuration as the EL element according to the first embodiment. Therefore, the same components are denoted by the same reference numerals. Description is omitted.
  • FIG. 4 is a cross-sectional view of an EL element including an EL element sealing plate according to the second embodiment of the present invention.
  • the top-emission-type organic EL element 104 is a semiconductor element.
  • the substrate is a transparent soda lime glass substrate 10a of 7. O cm square and 1. O mm thick with an active structure, and an organic EL formed on the substrate 10 a. It comprises a laminate 20 and a sealing plate 30 a formed so as to cover the organic EL laminate 20.
  • the sealing plate 30a is made of a transparent, non-alkali glass plate having a size of 5. O cm square and a thickness of 0.7 mm, and has a width of 2. O around the recess 32a. The center is machined into a concave shape to define the peripheral ridge 31a of mm, and the thickness of the bottom of the concave portion 32a is 0.4 mm.
  • the sealing plate 30a has a curved portion 35 having a radius of curvature of 300 m at a corner portion 34 of the concave portion 32a.
  • the substrate 10a and the peripheral ridge 31a are connected via an adhesive layer 40 disposed on a sealing portion formed between the substrate 10a and the top of the peripheral ridge 31a. Glued.
  • the sealing plate 30a To adhere the sealing plate 30a to the substrate 10a, first apply a fixed amount of an adhesive to the peripheral ridge 31a, and then place the sealing plate 30a on the substrate 10a. Then, the adhesive is irradiated with ultraviolet rays while pressing the sealing plate 30a against the substrate 10a.
  • the concave portion 32a is formed in the sealing plate 30a by forming the central portion of the glass blank into a concave shape in the same manner as the sealing plate 30 according to the first embodiment. Done.
  • the thickness of the bottom of the recess 32a of the sealing plate 30a is preferably 0.3 to 2.0 mm. If the thickness is less than 0.3 mm, the strength at the bottom of the sealing plate 30a is too small.If the thickness is more than 2.0 mm, the strength of the sealing plate 30 is sufficiently obtained, but the EL element 10 4 cannot be made thinner.
  • a conductive film 21 is formed on a substrate 10
  • an organic EL laminated film 22 including a light-emitting layer described later is laminated on the upper surface of the conductive film 21.
  • An upper transparent electrode 23 is formed on the upper surface of 22, and an extraction electrode 24 is connected to the upper transparent electrode 23.
  • the organic EL laminated film 22 is composed of, in order from the conductive film 21 side, a 70-nm-high hole transport layer composed of triphenyldiamine, and a ⁇ ⁇ 0-nm-high light-emitting layer composed of a quinolinol aluminum complex. Are arranged. Further, a transparent electron transporting layer made of triazoleoxazole may be arranged between the upper transparent electrode 23 and the light emitting layer.
  • a mixed solution of 20 wt% hydrofluoric acid and 1 wt% sodium dodecylbenzene sulfonic acid was used as the etching solution in the above-described etching, but the present invention is not limited to this.
  • At least one selected from the group of inorganic acids consisting of sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid and phosphoric acid is added to the hydrofluoric acid in an amount of 5 to 50% by mass to increase the etching force. It may contain an appropriate amount of acid.
  • the strong acid selected from the group of inorganic acids may be a single substance or a mixture of two or more kinds.
  • the etching solution may contain an appropriate amount of one or more organic acids and bases selected from the group consisting of carboxylic acids, dicarboxylic acids, amines, and amino acids. I like it.
  • a surfactant may be appropriately added to the etching solution, and the added surfactant may be appropriately changed.
  • the components and concentrations of the etching solution as described above are appropriately changed depending on the temperature of the etching solution, the composition and type of the glass to be etched, and the like. It is also effective to shake the glass to be etched or to apply a weak ultrasonic wave when performing the etching process. Thereby, the etching solution can be made a uniform solution.
  • water or at least one acid or carboxylic acid selected from the group of inorganic acids consisting of sulfuric acid, hydrochloric acid, nitric acid, and phosphoric acid once removed from the etching solution. It is also effective that the group consisting of acids, dicarboxylic acids, amines, and amino acids is immersed in one or more selected organic acids or bases. This makes it possible to uniformly perform the etching process.
  • the radius of curvature corners 3 4 recesses 3 2 a has a curved portion 35 of the 3 0 0 ⁇ ⁇ , to prevent the sealing plate 3 .0 a corruption You can do it.
  • the radius of curvature of the curved portion 35 is not limited to 300 m, but is preferably 50 m or more.
  • a wet etching method is used as a method for forming the concave portion 32a in the glass base plate, but a dry etching method may be used. Alternatively, a dry etching method and a wet etching method may be used in combination.
  • the wet etching method batch processing can be performed by selecting a component of an etching solution and an etching temperature, thereby improving the productivity of the sealing plate 30. be able to.
  • the dry etching method can perform the etching process precisely, but cannot perform the batch process, and the single-wafer process is inevitable. 30 low productivity.
  • the radius of curvature of the curved portion 35 can be easily adjusted to a desired value.
  • non-alkali glass is used as the glass base plate of the sealing plate 30a, but low alkali glass is used depending on the configuration of the organic EL element 100104. It is possible to use soda lime glass or quartz glass which has been subjected to an anti-elution dissolution treatment after lath or etching.
  • the organic EL laminated film 22 has a passive structure, but may have an active structure. Further, in the present embodiment, the organic EL element 1001 104 has a top emission structure. However, the organic EL element 100 4 may have a bottom emission structure. Good. Further, the EL laminated film may be an inorganic EL laminated film instead of the organic EL laminated film 22 in the same manner as in the first embodiment. In this case, a layer composed of an insulating layer, a light emitting layer, and an insulating layer and a layer composed of an electron barrier layer, a light emitting layer, and a current limiting layer are used in this order from the transparent conductive film side.
  • the sealing plate 30a used in the EL device 1004 of FIG. 14 is manufactured by the single-wafer processing as described above.
  • the sealing plate can be cut out from the mother-glass substrate 200 for multi-face sealing.
  • FIG. 2 is a plan view of a sealing-substrate multi-paneling mother-glass substrate in which a sealing plate 30 used in the EL element 100 of FIG. 1 is formed in a substantially matrix shape.
  • a mother glass substrate 200 for obtaining a plurality of sealing plates having a length of 30 cm and a width of 40 cm has a sealing plate 30 formed in a 5 ⁇ 6 matrix shape.
  • a predetermined portion of the glass base plate is removed in a concave shape by a wet etching method.
  • a glass substrate having a thickness of 0.5 mm or more in handling and 1.1 mm or less from the viewpoint of reducing the thickness of the EL element 100.
  • the exposed part is exposed to a 5 ⁇ 6 matrix on a glass substrate.
  • Masking is performed with a 2.5 mm wide tape-shaped resist to form the mask, and the masked glass plate is immersed in the above-mentioned etching solution for about 10 to 180 minutes. It is crushed and removed from the glass base plate in a concave shape except for the protruding ridge portion 101 to form a concave portion 102. After thoroughly cleaning the glass substrate with pure water, the resist is peeled off.
  • the predetermined portion of the glass base plate is removed in a concave shape by the wet etching method, so that the bottom surface of the concave portion 32 of the sealing plate 30 can be reliably flattened. It is possible to increase the strength of the sealing plate 30 with respect to the pressure.
  • the motherboard for sealing plate multi-paneling glass substrate 200 has a matrix-like arrangement of the sealing plate 30. However, if the arrangement is suitable for multi-paneling, it is not matrix-like. It may be.
  • the width of the resist is not limited to 2.5 mm, and the width of the obtained peripheral ridge 31 of the sealing plate 30 is the same as the thickness of the peripheral ridge 31. If it is larger than this, it may be about 1 cm in order to secure a clearance for the sealing plate 30.
  • the shape after cutting the sealing plate multi-faced mother-glass substrate 200 is the same as the shape of the sealing plate 30a.
  • each sealing plate 30 can be obtained by cutting and separating, thereby increasing the strength against external pressure during cutting.
  • productivity of the sealing plate 30 can be improved by eliminating single-wafer processing.
  • the inventor of the present invention defined a peripheral ridge at the peripheral portion, and after the central portion was processed into a concave shape by a wet etching method, a chemical strengthening process was performed by ion exchange.
  • the test piece of the sealing plate is referred to as Example 1, and the one not subjected to the chemical strengthening treatment is referred to as Comparative Example 1 (the sealing plate 301 of the organic EL element 103 in FIG. 3).
  • Comparative Example 1 the same components as those of the organic EL device 100 according to the first embodiment are denoted by the same reference numerals.
  • an etching solution composed of a mixture of 20% by mass of hydrofluoric acid and 1% by mass of sodium dodecylbenzenesulfonate was prepared for the test piece of the sealing plate. Then, a masking treatment was performed with an acid-resistant tape covering the outer surface, the peripheral surface, and the peripheral ridges of the glass blanks of Example 1 and Comparative Example 1, and these test pieces were kept at 25 ° C. After immersion in the etching solution for 60 minutes, take it out of the etching solution, wash it thoroughly with pure water, and peel off the acid-resistant tape to obtain a depth of 300 m. And a peripheral ridge having a width of 2.0 mm were formed.
  • Example 1 the required glass plate made of soda lime glass with a size of 5.0 cm square and a thickness of 1.1 mm was added to a liquid of 20 mass% of HF and 1 mass% of a surfactant. Immersion in potassium nitrate for 1 hour, then thoroughly washed and dried, and further immersed in potassium nitrate at 420 ° C for 8 hours, followed by a chemical strengthening treatment to wash thoroughly. Example 1 was adopted. In addition, Comparative Example 1 was not subjected to the chemical strengthening treatment.
  • an appropriate amount of an ultraviolet ray-curable epoxy resin adhesive was applied to the peripheral ridges of the test pieces of the sealing plate of Example 1 and Comparative Example 1, respectively.
  • the adhesive is irradiated with ultraviolet rays while applying a force of about 98 N / m 2 (100 kg / m 2 ) to the sealing portion formed between the substrate and the peripheral ridge from both sides of the adhesive.
  • a force of about 98 N / m 2 (100 kg / m 2 ) to the sealing portion formed between the substrate and the peripheral ridge from both sides of the adhesive.
  • an adhesive layer is formed on the sealing portion between the substrate and the peripheral ridge.
  • the organic EL device was formed.
  • Example 1 With respect to the surfaces of the glass blanks of Example 1 and Comparative Example 1 obtained in the above process, the respective bending strengths were measured according to JISR-164 and compared.
  • the bending strength was as large as 392 N / mm 2 (40 kg / mm 2 ), and it was able to sufficiently withstand external stress in the normal use environment of the display section of the electronic device.
  • the bending strength was as large as 392 N / mm 2 (40 kg / mm 2 ), and it was able to sufficiently withstand external stress in the normal use environment of the display section of the electronic device.
  • the bending strength was as large as 392 N / mm 2 (40 kg / mm 2 ), and it was able to sufficiently withstand external stress in the normal use environment of the display section of the electronic device.
  • the bending strength was as large as 392 N / mm 2 (40 kg / mm 2 ), and it was able to sufficiently withstand external stress in the normal use environment of the display section of the electronic
  • the bending strength was as small as 49 N mm 2 (5 kg mm 2 ), which is not a problem under the normal use environment of the display section of the electronic device, but lacks reliability against external stress. That was it.
  • the surface of the glass EL element sealing plate that covers the EL laminated body laminated on the substrate is subjected to a strengthening treatment, the EL element sealing plate that is exposed to external pressure It was found that the durability of the steel could be improved.
  • the inventor of the present invention made a concave portion at the center by a wet etching method (Examples 2 to 4 and Comparative Example 3) or a sand blast method (Comparative Example 2) from a glass substrate made of non-alkali glass.
  • An experimental piece of the sealing plate 30 in which a peripheral ridge was formed in the periphery of the central concave portion as specified in (1) was prepared.
  • an etching solution composed of a mixture of 20% by mass hydrofluoric acid and 1% by mass of sodium dodecylbenzenesulfonate was prepared, and an aluminum-free glass substrate was prepared.
  • an acid-resistant tape covering the outer surface, the peripheral surface, and the peripheral ridge, these test pieces were immersed in the above-mentioned etching solution maintained at 25 ° C for 60 minutes, and then removed from the etching solution.
  • the acid-resistant tape is peeled off, so that the corners 34 have a radius of curvature of 300 m (Example 2) and 100 m (Example 2).
  • Example 4 5 A 0.3 mm deep concave portion having a curved portion of 0 ⁇ m (Example 4) and a 30 m (Comparative Example 3) and a peripheral ridge portion of 2.0 mm in width are formed on the glass base plate. Then, an experimental piece of the sealing plate was obtained.
  • Example 3 the curvature radii at the corners were 100 ⁇ m (Example 3), 50 ⁇ m (Example 4), and 30 ⁇ m (Comparative Example 3), respectively. ) was used until the depth was changed.
  • the dry etching method which allows anisotropic etching, was used for the subsequent adjustment of the depth of the recess.
  • a reactive ion etching method of performing an etching process in CHF 3 gas was used as a dry etching method.
  • the test piece of the sealing plate manufactured by the above sandblasting method (Comparative Example 2: the sealing plate 30b of the organic EL element 105) had a concave shape. Many small cracks 36 peculiar to the sand blast method occur on the bottom of the part 32a.
  • the same components as those of the organic EL element 104 according to the second embodiment are denoted by the same reference numerals.
  • an appropriate amount of an ultraviolet-curable epoxy resin adhesive was applied to the peripheral ridges of the test pieces of the sealing plates of Examples 2 to 4 and Comparative Examples 2 and 3, respectively. Applying a force of about 980 N / m 2 (100 kg / m 2 ) to the adhesive formed between the substrate and the peripheral ridge from both sides of the test piece By irradiating ultraviolet rays, an adhesive layer was formed in a sealing portion between the substrate and the peripheral ridge portion, to produce an organic EL device.
  • the radius of curvature of the curved portion can be set to a desired value.
  • a glass EL element sealing plate that covers an EL laminated body laminated on a substrate, When the surface is reinforced, the durability of the EL element sealing plate against external pressure can be improved.
  • the sealing plate according to the second aspect of the present invention since the concave portion has the curved portion at the corner, the sealing plate for the EL element is formed. Damage can be prevented.
  • the sealing plate of the second aspect since the radius of curvature of the curved portion is not less than 50 m, the effect of the sealing plate can be more reliably achieved. According to the sealing plate of the second aspect, since the concave portion is formed by the etching method, the radius of curvature of the curved portion can be set to a desired value. According to the mother-glass substrate for multi-panel production of the EL element sealing plate according to the second aspect, since the sealing plate is formed in a substantially matrix shape, each sealing is performed by cutting and separating. It is possible to obtain a plate, increase the strength against external pressure during cutting, provide a sealing plate with a long life, and eliminate the need for single-wafer processing. The productivity of the stop plate can be improved.

Abstract

外部圧力に対する耐性を向上することができ、且つ外部圧力を受けても破損を防止することができるEL素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板を提供する。有機EL素子100,104は夫々、板状の透明な基板と、有機EL積層体と、封止板とを備える。封止板は、周辺部に周辺突条部を規定すべく中央部が凹状に加工されている凹部を有する。有機EL素子100の有する封止板30は、イオン交換により化学強化処理が施されている。また、有機EL素子104の有する封止板30aは、その凹部32aの隅角部34に曲率半径300μmの湾曲部位35を有する。

Description

明 細 書 エレク ト 口 * ルミ ネ ッ センス素子用封止板、 及ぴ該封止板多面取り用 マザ一ガラス基板 技術分野
本発明は、 エレク ト 口 ' ルミ ネ ッ セ ンス素子用封止板、 及ぴ該封止板 多面取り用マザ一ガラス基板に関し、 特に、 基板上に積層された E L積 層体を覆う よ う に中央部が凹状に規定された E L素子用封止板、 及び該 封止板多面取り用マザ一ガラス基板に関する。 背景技術
エレク ト 口 ' ルミ ネ ッ センス （以下 「 E L」 という 。 ） 素子は、 携带 電話やカ ーナビゲーシ ヨ ンシステム等の電子機器の表示部分と して好適 に用いられ、 一般的には、 表面に E L積層膜が形成された基板と、 基板 上に形成された E L積層膜を覆う よ う に、 頂面が接着剤を介して基板に 接着される周辺突条部を周辺部に規定すべく 中央部が凹状に加工された E L素子用封止板とから構成される。 基板と封止板とは、 基板と周辺突 条部の間の封止部分に配された接着剤から成る接着層を介して接着され る。
この封止板の材料と しては、 金属、 ガラス、 又は樹脂等が用いられる。 これらのう ち封止板が金属から成る場合は、 基板に形成された引出 し電 極部分の電気的絶縁性の保持を目的と して、 基板と周辺突条部の間の封 止部分に配される接着剤に絶縁性のスぺーサーを混ぜる必要があるため、 基板と周辺突条部との隙間がスぺ一サ一の分だけ大き く なって しまい、 この部分から外部の水分が侵入する可能性が高く なる。 また、 発光層か らの光を封止板側から取出す ト ッ プエミ ッ シ ョ ン構造では、 封止板に透 明性が要求されるため、 金属から成る封止板は使用できない。
従って、 E L素子が ト ッ プェミ ッ シ ョ ン構造を と る場合は、 封止板は 絶縁性と透明性を有するプラスチッ ク又はガラスが用いられる。しかし、 プラスチ ッ ク は、 それ自体がもつ吸水性のために封止板の材料と して用 いられる こ と は少ないのに対して、 ガラスは絶縁性、 透明性、 及ぴ耐水 性に優れているため封止板の材料と してよ く 用いられる。
ガラス製の封止板の加工方法と しては、 ガラス素板自体を曲げて加工 する プレス法や、 ガラス素板の中央部分を取り 除く サン ドブラス ト法が あ り 、 これら以外にも、 エッチング法がある。 このエッチング法によれ ば、 周辺突条部の頂面の平坦度が高 く 、 また、 中央凹部の表面に微小な ク ラ ッ クが発生しないので、 基板と封止板の接着のために圧力をかけて も封止部分において均一な接着を行う こ とでき る。
また、 上記のよ う に して作製された E L素子用封止板を備える ト ッ プ エミ ッ シ ョ ン型 E L素子は、 携帯電話や電子手帳などの情報表示機器に おける表示素子と して用いられ、 室内のみならず屋外でも使用される。
しかしながら、 上述の電子機器の表示機器は外部から圧力を受ける こ とが多く 、 E L素子用封止板は外部からの圧力に杭する能力を有する こ とが必要である。 その一方で、 封止板の材料と して通常用いられる ガラ スは、 特に引張応力に対して脆弱であるので、 室内での使用下において も印加され得る引張応力に対して充分に耐え得る硬さが要求されている という 第 1 の問題があった。
さ らに、 屋外での使用等、 室内での使用下において受ける外部圧力よ り さ らに大き な外部圧力を受ける と、 封止板の内壁、 特に、 封止板の凹 部の隅角部に引張応力がかかり、 封止板の破損が起こ り 易いという 第 2 の問題がある。 本発明の第 1 の目的は、 外部圧力に対する耐久性を向上する こ とがで き る E L素子用封止板、 及び該封止板多面取り用マザ—ガラス基板を提 供するこ と にある。
さ らに、 本発明の第 2 の目的は、 破損を防止する こ とができ る E L素 子用封止板、 及ぴ該 E L素子用封止板多面取り用マザ—ガラス基板を提 供するこ と にある。 発明の開示
上述の第 1 の目的を達成するために、 本発明の第 1 の態様に係る E L 素子用封止板は、 基板上に積層された E L積層体を覆う ガラス製の E L 素子用封止板において、 表面に強化処理が施されたこ と を特徴とする。 第 1 の態様に係る E L素子用封止板において、 前記封止板はアルカ リ 含有ガラスから成り 、 前記強化処理は化学強化処理から成るのが好ま し い o
さ らに、 前記化学強化処理はイ オン交換法によ り行われるのが好ま し い o
第 1 の態様に係る E L素子用封止板において、 前記強化処理は風冷強 化法によ り行われるのが好ま しい。
上述の第 1 の目的を達成するために、 本発明の第 1 の態様に係る封止 板多面取り用マザ一ガラス基板は、 上記 E L素子用封止板がほぼマ ト リ ッ クス状に形成されたこ と を特徴とする。
第 1 の態様に係るマザ一ガラス基板において、 前記封止板の間をマス キング処理した上で前記強化処理が施され、 当該強化処理後に前記封止 板の間が切断されるのが好ま しい。
上述の第 2 の目的を達成するために、 本発明の第 2 の態様に係る E L 素子用封止板は基板上に積層された E L積層体を覆う よ う に中央部が凹 状に規定された E L素子用封止板において、 前記凹部の隅角部に湾曲部 位を有する こ と を特徴とする。
第 2 の態様に係る E L素子封止板において、 前記湾曲部位の曲率半径 が 5 0 μ m以上であるのが好ま しい。
第 2 の態様に係る E L素子用封止板において、 前記凹部はエッチング 法によ り形成されたのが好ま しい。
さ らに、 前記エッチング法はゥエ ツ トエッチング法であるのが好ま し い o
さ ら に、 第 2 の態様に係る E L素子用封止板多面取り用マザ一ガラス 基板は、 上記 E L素子用封止板がほぼマ ト リ ッ クス状に形成されたこ と を特徴とする。 図面の簡単な説明
図 1 は、 本発明の第 1の実施の形態に係る E L素子用封止板を備える 有機 E L素子の断面図である。
図 2 は、 図 1 の E L素子に用いられる E L素子用封止板がほぼマ ト リ ッ クス状に形成された封止板多面取り 用マザ一ガラス基板の平面図であ る。
図 3 は、 比較例 1 の E L素子用封止板を備える有機 E L素子の断面図 である。
図 4 は、 本発明の第 2 の実施の形態に係る E L素子用封止板を備える E L素子の断面図である。
図 5 は、 実施例及び比較例の E L素子用封止板の凹部の破損の有無の 評価方法の説明図である。
図 6 は、 比較例 2 の E L素子用封止板を備える E L素子の断面図であ る。 発明を実施するための最良の形態
本発明者は、 上記第 1 の目的を達成すべく 鋭意研究を行った結果、 基 板上に積層された E L積層体を覆う ガラス製の E L素子用封止板におい て、 表面に強化処理が施される と、 外部圧力に対する E L素子用封止板 の耐久性を向上させる こ とができ、 実用に耐えう る充分な強度が得られ る こ と を見出 した。
また、 本発明者は、 上記第 2 の目的を達成すべく 鋭意研究を行った結 果、 基板上に積層された E L積層体を覆う よ う に中央部が凹状に規定さ れた E L素子用封止板において、 凹部の隅角部に湾曲部位、 好ま し く は 曲率半径が 5 0 ; m以上の湾曲部位を有する と、 E L素子用封止板の破 損を防止する こ とができ る こ と を見出した。
さ ら にまた、 本発明者は、 上記第 2 の目的を達成すべく鋭意研究を行 つた結果、 凹部がエッチング法によ り形成されている と、 湾曲部位の曲 率半径を所望の値にする こ とができ るこ と を見出 した。
本発明は、 上記研究の結果に基づいてなされたものである。
以下、 本発明の第 1 の実施の形態にかかる E L素子用封止板を図面を 参照しながら説明する。
図 1 は、 本発明の第 1 の実施の形態に係る E L素子用封止板を備える E L素子の断面図である。
図 1 において、 ボト ムェミ ッ シ ョ ン型有機 E L素子 1 0 0 は、 ノ、。ッ シ ブ構造を と り 、 大き さ 7 , 0 c m角、 厚さ 1 . 0 m mの板状の透明な無 アルカ リ ガラス製の基板 1 0 と、 基板 1 0 の上に形成された有機 E L積 層体 2 0 と、 この有機 E L積層体 2 0 を覆う よ う に形成された封止板 3 0 とから成る。
封止板 3 0 は、 例えばウエ ッ トエッチング法によ り大き さ 5 . 0 c m 角、 厚さ 0 . 7 0 m mの板状の透明なアルカ リ ガラス （例えば N A— 3 5 ： ェヌエッチ . テク ノ グラス株式会社製） 製のガラス素板から形成さ れ、 凹部 3 2 の周辺部に幅 2 . O m mの周辺突条部 3 1 を規定すべく 中 央が凹状に加工され、 凹部 3 2 の底部の厚さが 0 . 4 m mである。 また、 該封止板 3 0 は強化処理が施されている。 基板 1 0 と周辺突条部 3 1 と は.、 基板 1 0 と周辺突条部 3 1 の頂部との間に形成された封止部分に配 された、 例えば紫外線硬化型エポキシ樹脂製の接着剤から成る接着層 4 0 を介して接着される。
封止板 3 0 の基板 1 0への接着は、 まず、 周辺突条部 3 1 に接着剤を 一定量塗布した後、 封止板 3 0 を基板 1 0上に載置し、 次に、 封止板 3 0 を基板 1 0 に押圧しつつ接着剤に紫外線を照射する こ とによ り行う 。 ガラ ス素板への凹部 3 2 の形成は、 まず、 ガラス素板の中央部を、 後 述する ウ エ ッ ト エッチング法によ り 凹状に形成し、 次いで、 このガラス 素板に、 例えばイオン交換法によ り化学強化処理を施す （図 1 で参照符 号 3 1 1 で示す） こ とによ り行われる。
封止板 3 0 の凹部 3 2底部の厚さは、 0 . 3 〜 2 . 0 m mが好ま しい。 厚さが、 0 . 3 m m未満では封止板 3 0 の凹部 3 2底部の強度が小さす ぎ、 2 . 0 m mよ り大きい と封止板 3 0 の強度は充分得られるが E L素 子 1 0 0 の薄型化を図る こ とができ な く なる。
封止板 3 0 の凹部 3 2 の底部表面 3 3 には、 水分を吸着させるために モレキュラシーヴ 5 0 (ユニオンカーバイ ド社製） が塗布されている。 なお、 モレキユラシーヴ 5 0 の塗布時及ぴ封止板 3 0 の基板 1 0への接 着時には、 水分や酸素の影響をな く すために乾燥雰囲気や減圧下で行う のが好ま しい。
また、 本実施の形態では、 吸湿剤と して最も好適なモレキュラシーブ 5 0 を用いたが、 これに限定される ものではな く 、 例えば、 シ リ カゲル ( S i 0 2 ) 、 デシカイ ト （ク レイ系乾燥剤） 、 塩化カ ルシウム、 酸化 カルシウム、 珪酸カルシウム等であっても よい。
有機 E L積層体 2 0 は、 基板 1 0上に形成され、 厚さ 3 0 0 n mの I T 0膜から成る透明導電膜 2 1 と、 後述する発光層を含み、 該透明導電 膜 2 1 の表面に積層された有機 E L積層膜 2 2 と、 有機 E L積層膜 2 2 の表面に形成され、 厚さ 3 0 0 n mの M g— A g合金から成る背面電極 2 3 と、 背面電極 2 3 に接続され、 厚さ 3 0 0 n mの I T O膜から成る 引出 し電極 2 4 とから成る。
有機 E L積層膜 2 2 は、 透明導電膜 2 1 側から順に、 ト リ フヱニルジ ア ミ ンから成る高さ 7 0 n mの正孔輸送層、 次いでキノ リ ノールアルミ 錯体から成る高さ 7 0 n mの発光層が積層されたものである。さ らには、 上部電極 2 3 と発光層との間に、 ト リ ァゾ一ルゃォキサジァゾ一ルから 成る透明な電子輸送層が配されていても よい。
さ ら に、 上記ウエ ッ トエッチング法で用いられるエッチング液は、 フ ッ化水素酸 5 〜 5 0質量％に、 硫酸、 塩酸、 硝酸、 及びリ ン酸から成る 無機酸の群から選択された少な く と も 1 つの酸を適量含有させる こ とが 好ま しい。 これによ り、 エッチング力を大き くする こ とができ る。 なお、 無機酸の群から選択される強酸は、 単体でも 2種類以上の混合物でも よ い o
また、 上記エッチング液は、 力ルボン酸類、 ジカルボン酸類、 ア ミ ン 類、 及びァミ ノ酸類からなる群から選択された 1種又は 2種以上の有機 の酸や塩基の類を適量含有する こ とが好ま しい。 また、 上記エッチング 液に界面活性剤を適宜添加しても よ く 、 添加される界面活性剤を適宜変 更しても よい。
上述したよ う なエツチング液の成分とその濃度は、 エツチング液の温 度、 並びにエッチングされるガラスの組成及び種類等によつて適宜変更 される。 また、 エッチング処理を施す際に、 エッチングされる ガラスを 揺動させたり、 弱い出力の超音波を付与した り する こ と も有効である。 これによ り、 エッチング液を均一な溶液にする こ とができ る。 さ ら に、 エッチング処理を施している と き に、エッチング液から取出 して一旦水、 又は硫酸、 塩酸、 硝酸、 及ぴリ ン酸から成る無機酸の群から選択された 少な く と も 1 つの酸、 又はカルボン酸類、 ジカルボン酸類、 ア ミ ン類、 及ぴア ミ ノ酸類から成る群から選択された 1 種又は 2種以上の有機酸や 塩基の類に浸漬する こ と も有効である。 これによ り 、 エッチング処理を 均一に施すこ とができ る。
また、 封止板 3 0 は、 ゥエ ツ トエッチング法等によ り 凹状加工が施さ れ、 さ らに強化処理が施される。 これによ り 、 実用上充分な強度を有す る封止板 3 0が得られる。 強化処理と しては、 封止板 3 0 のガラス 中に 含まれる一価のイ オンを、 それよ り も イ オン半径の大き なイ オ ンに置換 させ、 封止板 3 0 の表面の圧縮応力を増加させる こ と によ り封止板 3 0 自体の強度を増強させる化学強化法や、 封止板 3 0 自体の強度を増強さ せる風冷強化が用いられる。
化学強化処理は、 ゥ ヱ ッ トエツチング法に よ り 凹状加工が施された封 止板 3 0 を充分に洗浄、 乾燥し、 その後、 該封止板 3 0 に含まれている 一価のイ オンの中の少な く と も 1種類のイ オ ンよ り も イ オン半径の大き なイ オンから成る硝酸塩、 硫酸塩、 塩化物及ぴこれらの混合物の溶融塩 中に該封止板 3 0 を静置する こ と によ り封止板 3 0 中の 1価のィ オンの イ オン交換を行う 。 これによ り、 封止板 3 0 の表面の圧縮応力が増加し、 封止板 3 0 自体の強度が増すこ と になる。
また、 風冷強化処理は、 ゥ ヱ ッ トエツチング法によ り 凹状加工が施さ れた封止板 3 0 を充分に洗浄、 乾燥し、 その後、 軟化温度付近まで加熱 し、 急冷して封止板 3 0 の表面の圧縮応力を増加させ、 封止板 3 0 自体 の強度を増すこ とができ る。
本実施の形態によれば、 表面に化学強化処理又は風冷強化処理が施さ れているので、 外部圧力に対する封止板 3 0 の耐久性を向上させる こ と ができ る。
上記実施の形態では、 ガラス素板に凹部 3 2 を形成する方法と して、 ゥエ ツ トエッチング法を用いているが、 ドラ イエ ッチング法でも よ く 、 ドライエッチング法と ゥエ ツ トエッチング法と を併用 しても よい。 ゥェ ッ トエツ チング法では、 エツチング液の成分とエツチング温度と を選択 する こ と によ り ノ ツチ処理を行う こ とができ、 も つて封止板 3 0 の生産 性を向上させる こ とができ る。 これに対して、 ドラ イエッ チング法では、 エッチング処理を精密に行う こ とができ る も のの、 ノ ツチ処理を行う こ とができず、 枚葉処理を余儀な く されるので、 封止板 3 0 の生産性が低 い
また、 封止板 3 0 は、 アル力 リ含有ガラスから成るが、 5質量％以上 の 1価のイ オンを含有する ガラスであれば、 化学強化用基材と して用い る こ とができ る。 さ ら に、 封止板 3 0 は、 無アルカ リ ガラスから成って も よ く 、 このよ う にィ ォン交換による化学強化処理が施せない基材の場 合は、 表面の強化処理は、 風冷強化 （急冷） によ り行う こ とができ る。 本実施の形態では、 有機 E L積層膜 2 2 はパッ シブ構造を と る もので あつたが、 アク ティ ブ構造を とる ものであっても よい。 また、 本実施の 形態では、 有機 E L素子 1 0 0 はボト ムエミ ッ シ ョ ン型と したが、 ト ツ プエミ ッ シ ョ ン型であっても よい。
また、 有機 E L積層膜 2 2 は正孔輸送層 と発光層からなる も のを用い たが、 正孔輸送層、 発光層、 及びト リ ァゾールゃォキサジァゾールから なる電子輸送層からなる ものを用いても よい。
さ らに、 E L積層膜は、 有機 E L積層膜 2 2 に代えて、 無機 E L積層 膜であつても よい。 この場合、 透明導電膜側から順に、 絶縁層、 発光層、 絶縁層からなる ものや、 電子障壁層、 発光層、 電流制限層からなる もの が用いられる。
図 1 の E L素子 1 0 0 に用いられる封止板 3 0 は、 上記のよ う に枚葉 処理によ る作製に加えて、 下記図 2 の封止板多面取り用マザ一ガラス基 板から切 り 出すこ とができ る。
図 2 は、 図 1 の E L素子 1 0 0 に用いられる封止板 3 0 がほぼマ ト リ ッ クス状に形成された封止板多面取り用マザ一ガラス基板の平面図であ る。
図 2 において、 縦 3 0 c m、 横 4 0 c mの封止板多面取り用マザ一ガ ラス基板 2 0 0 は、 5 X 6 のマ ト リ ッ クス状に形成された封止板 3 0 を 有する。
ガラス素板に封止板 3 0 を 5 X 6 のマ ト リ ッ クス状に形成する方法と しては、 ゥエ ツ トエッチング法を含むエッチング法によ り ガラス素板の 所定部分を凹状に取り 除く 方法がある。 使用されるガラス素板は、 その 取り扱い上厚さ 0 . 5 m m以上、 E L素子 1 0 0 の薄型化の観点から 1 . 1 m m以下のものが好適に用いられる。
この方法では、 まず、 ガラス素板に、 露出部を 5 X 6 のマ ト リ ッ クス 状に形成すべく 幅が 2 . 5 m mのテープ状のレジス ト によ り マスキング 処理し、 このマスキング処理されたガラス素板を、 上述のエッチング液 中に 1 0〜 1 8 0分間程度浸潰して、 ガラス素板から突条部 1 0 1 を残 して凹状に取り 除いて凹部 1 0 2 を形成する ものである。 このガラス素 板を純水で充分洗浄した後にレジス ト を剥離する。
このよ う にガラス素板の所定部分をゥヱ ッ トエツチング法によ り 凹状 に取り 除く ので、 封止板 3 0 の凹部 3 2 の底部表面を確実に平坦にする こ とができ、 外部圧力に対して封止板 3 0 の強度を増大させる こ とがで き る。
次いで、 上記のよ う に 5 X 6 のマ ト リ ッ クス状に凹部 1 0 2 が形成さ れた封止板多面取り用マザ一ガラス基板 2 0 0 を、 凹部 1 0 2 を規定す る突条部 i 0 1 の部位で切断する。 これによ り 、 例えば後述する図 2 の E L素子 1 0 0 に用いられる封止板 3 0 を 3 0 ( 5 X 6 ) 個取得する こ とができ る。
上記実施の形態では、ガラス素板に凹部 1 0 2 を形成する方法と して、 ゥエ ツ トエッチング法を用いているが、 ドラ イエッチング法でも よ く 、 ドライエッチング法と ゥエツ トエッチング法と を併用 しても よい。
封止板多面取り用マザ一ガラス基板 2 0 0 は、 封止板 3 0 の配列をマ ト リ ッ クス状と したが、 多面取り に適した配列であればマ ト リ ッ クス状 以夕 ί·のものであっても よい。
また、 レジス ト の幅は、 2 . 5 m mに限定される こ とはな く 、 取得さ れた封止板 3 0 の周辺突条部 3 1 の幅が当該周辺突条部 3 1 の厚さ以上 であればよ く 、 封止板 3 0の取り しろ と して確保すべく 1 c m程度であ つても よい。
図 2 の封止板多面取り用マザ一ガラス基板 2 0 0 によれば、 切断分離 によ り各封止板 3 0 を取得する こ とができ、 切断時に外部圧力に対して 強度を増大させて寿命が長い封止板を提供する こ とができ、 且つ枚葉処 理を行う こ と をな く して封止板 3 0 の生産性を向上させるこ とができ る。 エツ チング処理によ り 凹状に加工された封止板 3 0 は、 マザ一ガラス 基板 2 0 0から個別に切断された後に各々強化処理を施すこ とができ る。 以下、 本発明の第 2 の実施の形態にかかる E L素子用封止板を図面を 参照しながら説明する。
本実施の形態に係る E L素子は基本的に第 1 の実施の形態に係る E L 素子と同様の構成を有する。 従って、 同一の構成には同一の符号を付し 説明を省略する。
図 4 は、 本発明の第 2の実施の形態に係る E L素子用封止板を備える E L素子の断面図である。
図 4 において、 ト ッ プェミ ッ シ ョ ン型有機 E L素子 1 0 4は、 ノ、。 ッ シ ブ構造を と り 、 大き さ 7. O c m角、 厚さ 1 . O mmの板状の透明なソ ーダライ ムガラスの基板 1 0 a と、 基板 1 0 aの上に形成された有機 E L積層体 2 0 と、 この有機 E L積層体 2 0 を覆う よ う に形成された封止 板 3 0 a とから成る。
封止板 3 0 aは、 大き さ 5. O c m角、 厚さ 0. 7 mmの板'状の透明 な無アルカ リ ガラス製であ り 、 凹部 3 2 aの周辺部に幅 2. O mmの周 辺突条部 3 1 a を規定すベ く 中央が凹状に加工され、 凹部 3 2 aの底部 の厚さが 0. 4 mmである。 また、 該封止板 3 0 aは、 凹部 3 2 aの隅 角部 3 4 に曲率半径 3 0 0 mの湾曲部位 3 5 を有する。 基板 1 0 a と 周辺突条部 3 1 a とは、 基板 1 0 a と周辺突条部 3 1 aの頂部との間に 形成された封止部分に配された接着層 4 0 を介して接着される。
封止板 3 0 aの基板 1 0 aへの接着は、 まず、 周辺突条部 3 1 a に接 着剤を一定量塗布した後、 封止板 3 0 aを基板 1 0 a上に載置し、 次に、 封止板 3 0 aを基板 1 0 aに押圧しつつ接着剤に紫外線を照射する こ と によ り行う。
封止板 3 0 aへの凹部 3 2 aの形成は、 第 1の実施の形態に係る封止 板 3 0 と同様の方法でガラス素板の中央部を凹状に形成する こ と によ り 行われる。
封止板 3 0 aの凹部 3 2 a底部の厚さは、 0. 3 〜 2. O mmが好ま しい。 厚さが、 0. 3 mm未満では封止板 3 0 a底部のの強度が小さす ぎ、 2. 0 mmよ り大きいと封止板 3 0の強度は十分得られるが E L素 子 1 0 4の薄型化を図る こ とができ な く なる。 有機 E L積層体 2 0 は、 基板 1 0上に導電膜 2 1 が形成され、 該導電 膜 2 1 の上面には後述する発光層を含む有機 E L積層膜 2 2 が積層され. 有機 E L積層膜 2 2 の上面には上部透明電極 2 3 が形成され、 さ ら に引 出 し電極 2 4が上部透明電極 2 3 に接続されて構成されている。
有機 E L積層膜 2 2 は、 導電膜 2 1 側から順に、 ト リ フエニルジア ミ ンから成る高さ 7 0 n mの正孔輸送層、 次いでキノ リ ノ ールアルミ錯体 から成る高さ Ί 0 n mの発光層が配されて構成されている。 さ らには、 上部透明電極 2 3 と発光層 との間に、 さ らに ト リ ァゾ一ルゃォキサジァ ゾ一ルから成る透明な電子輸送層が配されて構成されていて も よい。
上記エッチング形成に 2 0 w t %フ ッ化水素酸、 1 w t % ドデシルべ ンゼンスルホン酸ナ ト リ ゥムの混合液をエッチング液と して用いたが、 これに限定される ものではな く 、 エッ チング力を大き く するためにフ ッ 化水素酸 5 〜 5 0質量％に、 硫酸、 塩酸、 硝酸、 及ぴリ ン酸から成る無 機酸の群から選択された少な く と も 1 つの酸を適量含有させたものであ つても よ い。 なお、 無機酸の群から選択される強酸は、 単体でも 2種類 以上の混合物でも よい。
また、 上記エッチング液は、 カルボン酸類、 ジカルボン酸類、 ァ ミ ン 類、 及びアミ ノ酸類からなる群から選択された 1 種又は 2種以上の有機 の酸や塩基の類を適量含有する こ とが好ま しい。
また、 上記エッチング液に界面活性剤を適宜添加しても よ く 、 添加さ れる界面活性剤を適宜変更しても よい。
上述したよ う なエッチング液の成分とその濃度は、 エッチング液の温 度、 並びにエッチングされるガラスの組成及び種類等によつて適宜変更 される。 また、 エッチング処理を施す際に、 エッチングされるガラスを 揺動させた り、 弱い出力の超音波を付与した りする こ と も有効である。 これによ り、 エッチング液を均一な溶液にするこ とができる。 さ らに、 エツチング処理を施している と き に、エツチング液から取出して一旦水、 又は、 硫酸、 塩酸、 硝酸、 及びリ ン酸から成る無機酸の群から選択され た少な く と も 1 つの酸、 又はカルボン酸類、 ジカルボン酸類、 ア ミ ン類、 及びア ミ ノ酸類から成る群が選択された 1種又は 2種以上の有機酸や塩 基の類に浸潰する こ と も有効である。 これによ り 、 エッ チング処理を均 一に施すこ.とができ る。
本実施の形態によれば、 凹部 3 2 aの隅角部 3 4 に曲率半径が 3 0 0 Λ πιの湾曲部位 3 5 を有するので、 封止板 3 .0 aが破損するのを防止す る こ とができる。
上記実施の形態において、 湾曲部位 3 5の曲率半径が 3 0 0 mに限 定される ものではないが、 5 0 m以上である こ とが好ま しい。
本実施の形態では、 第 1 の実施の形態と同様に、 ガラス素板に凹部 3 2 a を形成する方法と して、 ウエ ッ トエッチング法を用いているが、 ド ライエッ チング法でも よ く 、 ドライエッチング法と ゥエ ツ トエッチング 法と を併用 しても よい。 ウ エ ッ トエッチング法では、 エッチング液の成 分とエツ チング温度と を選択する こ と によ り バッチ処理を行う こ とがで き、 も っ て封止板 3 0 の生産性を向上させる こ とができ る。 これに対し て、 ドラ イエッチング法では、 エッチング処理を精密に行う こ とができ る も のの、 バッチ処理を行う こ とができず、 枚葉処理を余儀な く される ので、 封止板 3 0の生産性が低い。 また、 ゥヱ ッ トエッ チング法と ドラ ィエッチング法を併用する こ とによ り 、 ゥエ ツ トエッチング法の等方的 なエッチングと ドライエッチング法の異方的なエッチングを組み合わせ る こ とが可能とな り 、 これによ り 湾曲部位 3 5 の曲率半径を所望の値に 容易に調整するこ とができる。
本実施の形態では、 封止板 3 0 aのガラス素板と して無アルカ リ ガラ スを用いたが、 有機 E L素子 1 0 0 1 0 4の構成に応じて低アルカ リ ガ ラス、 又はエッ チング後にアル力 リ溶出防止処理を施したソーダラ イム ガラス又は石英ガラス を用いる こ とができ る。
本実施の形態では、 有機 E L積層膜 2 2 はパッ シブ構造をと る も ので あつたが、 アク ティ ブ構造を と る ものであって も よい。 また、 本実施の 形態では、 有機 E L素子 1 0 0 1 0 4 は ト ッ プェミ ッ シ ョ ン構造を と る もの と したが、 ボ ト ムェミ ッ シ ョ ン構造を と る ものであっても よい。 ま た、 E L積層膜は、 有機 E L積層膜 2 2 に代えて、 第 1の実施の形態と 同様に、 無機 E L積層膜であっても よい。 この場合、 透明導電膜側から 順に、 絶縁層、 発光層、 絶縁層からなる ものや、 電子障壁層、 発光層、 電流制限層からなる ものが用いられる。
図 1 4の E L素子 1 0 0 1 0 4 に用いられる封止板 3 0 a は、 上記の よ う に枚葉処理によ る作製に加えて、 第 1 の実施の形態と同様に下記図 2 の封止板多面取り用マザ一ガラス基板 2 0 0 から切 り 出すこ とができ る。
図 2 は、 図 1 の E L素子 1 0 0 に用いられる封止板 3 0がほぼマ ト リ ッ クス状に形成された封止板多面取り用マザ一ガラス基板の平面図であ る。
図 2 において、 縦 3 0 c m、 横 4 0 c mの封止板多面取り用マザーガ ラス基板 2 0 0 は、 5 X 6 のマ ト リ ッ クス状に形成された封止板 3 0 を 有する。
ガラス素板に封止板 3 0 を 5 X 6 のマ ト リ ッ クス状に形成する方法と しては、 ゥヱ ッ トエッチング法によ り ガラス素板の所定部分を凹状に取 り 除く方法がある。 使用されるガラス素板は、 その取り扱い上厚さ 0 . 5 m m以上、 E L素子 1 0 0 の薄型化の観点から 1 . 1 m m以下のもの が好適に用いられる。
この方法では、 まず、 ガラス素板に、 露出部を 5 X 6 のマ ト リ ッ クス 状に形成すべく 幅が 2 . 5 m mのテープ状の レジス ト によ り マスキ ング 処理し、 このマスキング処理されたガラス素板を、 上述のエッチング液 中に 1 0〜 1 8 0分間程度浸潰して、 ガラス素板から突条部 1 0 1 を残 して凹状に取り 除いて凹部 1 0 2 を形成する ものである。 このガラス素 板を純水で十分洗浄した後にレジス ト を剥離する。
このよ う にガラス素板の所定部分をゥ エ ツ トエッチング法によ り 凹状 に取り 除く ので、 封止板 3 0の凹部 3 2 の底部表面を確実に平坦にする こ とができ、 外部圧力に対して封止板 3 0 の強度を増大させる こ とがで き る。
次いで、 上記のよ う に 5 X 6 のマ ト リ ッ ク ス状に凹部 1 0 2 が形成さ れた封止板多面取り用マザ一ガラス基板 2 0 0 を、 凹部 1 0 2 を規定す る突条部 1 0 1 の部位で切断する。 これによ り 、 封止板 3 0 を 3 0 ( 5 X 6 ) 個取得する こ とができ る。
封止板多面取り用マザ—ガラス基板 2 0 0 は、 封止板 3 0 の.配列をマ ト リ ッ クス状と したが、 多面取り に適した配列であればマ ト リ ッ クス状 以外のものであっても よい。
また、 レジス トの幅は、 2 . 5 m mに限定される こ と はな く 、 取得さ れた封止板 3 0 の周辺突条部 3 1 の幅が当該周辺突条部 3 1 の厚さ以上 であればよ く 、 封止板 3 0 の取り しろ と して確保すべく 1 c m程度であ つても よレ、。
また、 封止板多面取り マザ一ガラス基板 2 0 0 を切断した後の形状が 上記封止板 3 0 a と同様の形状である こ とが望ま しい。
図 2 の封止板多面取り用マザ一ガラス基板 2 0 0 によれば、 切断分離 によ り各封止板 3 0 を取得するこ とができ、 切断時に外部圧力に対して 強度を増大させ、 且つ枚葉処理を行う こ と をな く して封止板 3 0 の生産 性を向上させる こ とができる。 以下、 本発明の第 1 の実施の形態に係る実施例を説明する。
本発明者は、 周辺部に周辺突条部を規定すベく 中央部がゥ エ ツ トエツ チング法によ り 凹状に加工された後、 ィ ォン交換によ り化学強化処理を 施された封止板の実験片を実施例 1 と し、 上記化学強化処理を施さ ない も のを比較例 1 (図 3 の有機 E L素子 1 0 3 の封止板 3 0 1 ) とする。 尚、 図 3 において、 第 1 の実施の.形態に係る有機 E L素子 1 0 0 と同一 の構成要素に同一の符号を付してある。
封止板の実験片には、 まず、 2 0 質量％フ ッ化水素酸、 1 質量％ ドデ シルベンゼンスルホ ン酸ナ ト リ ゥ ムの混合液から成るエ ッチ ン グ液を調 製し、 実施例 1 及び比較例 1 のガラス素板の外面、 周辺面、 及ぴ周辺突 条部を覆う耐酸性テープでマスキ ング処理を施し、 これらの実験片を 2 5 °Cに保った上記エ ッ チング液中に 6 0分間浸積した後、 エツ チ ング液 中から取り 出 して、 純水で充分洗浄した後に耐酸性テープを剥離する こ とによ り 、 深さ 3 0 0 mの凹部と幅 2 . 0 m mの周辺突条部と を形成 した。
次いで、 大き さ 5 . 0 c m角、 厚さ 1 . 1 m mの大き さのソーダライ ムガラスから成るガラス板の所要のものに、 2 0 質量％の H F及ぴ 1 質 量％の界面活性剤の液中に 1時間浸漬した後充分に洗浄、乾燥させた後、 さ ら に 4 2 0 °Cの硝酸カ リ ウム中に 8 時間浸漬した後充分に洗浄する化 学強化処理を施すこ と によ り実施例 1 と した。 また、 化学強化処理を施 さないものを比較例 1 と した。
次いで、実施例 1 及び比較例 1 の封止板の実験片の周辺突条部に、夫々、 紫外線硕化型のエポキシ樹脂製の接着剤を適量塗布し、 基板と封止板の 実験片との両側から基板と周辺突条部の間に形成された封止部分に対し て 9 8 0 N / m 2 ( 1 0 0 k g / m 2) 程度の力を加えつつ接着剤に紫外 線を照射するこ とによ り、 基板と周辺突条部の間の封止部分に接着層を 形成して、 有機 E L素子を作製した。
上記過程で得られた実施例 1 及び比較例 1 のガラス素板の表面につい て、 各々の曲げ強さ を J I S R— 1 6 0 4 によ り測定して比較した。 実施例 1 で.は、 曲げ強度が 3 9 2 N / m m 2 ( 4 0 k g / m m 2 ) と大 き く 、 電子機器の表示部の通常使用環境下における外部応力に充分耐え 得る ものであった。 その結果、 充分な破壊強度を有する封止板付き の E L素子が得られたこ とが分かつた。
比較例 1 では、 曲げ強度が 4 9 N m m 2 ( 5 k gノ m m 2) と小さ く 、 電子機器の表示部の通常使用環境下においては問題ない程度ではあるが- 外部応力に対する信頼性に欠ける こ とがわかつた。
本実施例によれば、 基板上に積層された E L積層体を覆う ガラス製の E L素子用封止板において、 表面に強化処理が施されるので、 外部圧力 に对する E L素子用封止板の耐久性を向上させる こ とができ る こ とが分 かった。
以下、 本発明の第 2の実施の形態に係る実施例を説明する。
本発明者は、 無アルカ リ ガラス製のガラス素板からゥヱ ッ トエツ チン グ法 （実施例 2 〜 4、 比較例 3 ) 又はサン ドブラス ト法 （比較例 2 ) に よ り 中央部を凹状に規定すべく 中央の凹部の周辺部に周辺突条部が形成 された封止板 3 0の実験片を準備した。
具体的には、 2 0質量％フ ッ化水素酸、 1 質量％ ドデシルベンゼンス ルホン酸ナ ト リ ゥムの混合液から成るエッチング液を調製し、 無アル力 リ ガラス製のガラス素板の外面、 周辺面、 及び周辺突条部を覆う耐酸性 テープでマスキング処理を施し、 これらの実験片を 2 5 °Cに保った上記 エッチング液中に 6 0分間浸積した後、エッチング液中から取り 出 して、 純水で充分洗浄した後に耐酸性テープを剥離する こ とによ り、 隅角部 3 4 に曲率半径が 3 0 0 m (実施例 2 ) 、 1 0 0 m (実施例 3 ) 、 5 0 ^ m (実施例 4 ) 、 3 0 m (比較例 3 ) の湾曲部位を有する深さ 0 . 3 m mの凹部と、 幅 2 . 0 m mの周辺突条部と、 をガラス素板に形成し、 封止板の実験片を取得した。
なお、 実施例 3 , 4及び比較例 3 では、 隅角部の曲率半径が夫々 1 0 0 μ m (実施例 3 ) 、 5 0 ^ m (実施例 4 ) 、 3 0 ^ m (比較例 3 ) に なる までは等方的にエッチングされる ゥエ ツ トエッチング法を用い、 そ れ以降の凹部の深さ調整には異方的なェッチングが可能な ドラ イエッチ ング法を用いた。 ドライ エッチング法と しては、 C H F 3ガス中でエツ チング処理を施す反応性イ オンエッチング法を用いた。
さ ら に、 図 6 に示すよ う に、 上記サン ドブラス ト法によ り作製した封 止板の実験片 （比較例 2 ： 有機 E L素子 1 0 5 の封止板 3 0 b ) は、 凹 部 3 2 a の底面にサン ドブラス ト法特有の微小なク ラ ッ ク 3 6 が多 く発 生している。 尚、 図 6 において、 第 2 の実施の形態に係る有機 E L素子 1 0 4 と同一の構成要素に同一の符号を付してある。
次いで、 実施例 2〜 4及び比較例 2， 3 の封止板の実験片の周辺突条 部に、 夫々、 紫外線硬化型のエポキシ樹脂製の接着剤を適量塗布し、 基 板と封止板の実験片との両側から基板と周辺突条部の間に形成された封 止部分に対して 9 8 0 N /m2 ( 1 0 0 k g /m2) 程度の力を加えつつ 接着剤に紫外線を照射する こ とによ り 、 基板と周辺突条部の間の封止部 分に接着層を形成して、 有機 E L素子を作製した。
このよ う に して作製した有機 E L素子に 2 4 . 5 N / c m2 ( 2 . 5 k g / c m 2) 又は 4 9 N Z c m2 ( 5 k g / c m2) の外部圧力を、 封止 板のエッ ジコーナー 4点のいずれか 1 点から縦横方向に各々 1 5 m mの 地点、 例えば、 エッジコーナ一 A (図 5 ) から縦横方向に各々 1 5 mm の地点 'Β (図 5 ) を中心とする直径約 1 0 m mの円の範囲に付加した場 合における封止板の凹部の破損の有無を調べた。 その結果を表 1 に示し た
Figure imgf000022_0001
表 1から、 封止板が凹部の隅角部に湾曲部位を有する と、 封止板の破 損を防止することができることが分かつた。
また、 湾曲部位の曲率半径が 5 0 m以上である と、 封止板の破損を 確実に防止することができることが分かった。
さ らに、 凹部がエッチング法によ り形成されている と、 湾曲部位の曲 率半径を所望の値にすることができることが分かつた。 産業上の利用可能性
以上詳細に説明したよう に、 本発明の第 1の態様に係る E L素子用封 止板によれば、 基板上に積層された E L積層体を覆う ガラス製の E L素 子用封止板において、 表面に強化処理が施される と、 外部圧力に対する E L素子用封止板の耐久性を向上させることができる。
また、 以上詳細に説明したよう に、 本発明の第 2·の態様に係る封止板 によれば、 凹部の隅角部に湾曲部位を有するので、 E L素子用封止板の 破損を防止する こ とができ る。
第 2 の態様に係る封止板によれば、 湾曲部位の曲率半径が 5 0 m以 上であるので、 上記封止板の効果をさ らに確実に奏する こ とができ る。 第 2 の態様に係る封止板によれば、 凹部がェッチング法によ り形成さ れているので、 湾曲部位の曲率半径を所望の値にする こ とができる。 第 2 の態様に係る E L素子用封止板多面取り用マザ一ガラス基板によ れば、 上記封止板がほぼマ ト リ ッ クス状に形成されたので、 切断分離に よ り各封止板を取得する こ とができ、 切断時に外部圧力に対して強度を 増大させて寿命が長い封止板を提供するこ とができ、 且つ枚葉処理を行 う こ と をな く して封止板の生産性を向上させる こ とができ る。

Claims

請 求 の 範 囲
1 . 基板上に積層された E L積層体を覆う ガラス製の E L素子用封止 板において、 表面に強化処理が施されたこ と を特徴とする E L素子用封 止板。
2 . 前記封止板はアルカ リ含有ガラスから成り 、 前記強化処理は化学 強化処理から成る こ と を特徴とする請求の範囲第 1 項記載の E L素子用 封止板。
3 . 前記化学強化処理はィ ォン交換法によ り行われる こと を特徴とす る請求の範囲第 2項記載の E L素子用封止板。
4 . 前記強化処理は風冷強化法によ り行われる こ と を特徴とする請求 の範囲第 1 項記載の E L素子用封止板。
5 . 請求の範囲第 1 項記載の E L素子用封止板がほぼマ ト リ ッ クス状 に形成されたこ と を特徴とする封止板多面取り用マザ一ガラス基板。
6 . 前記封止板の間をマスキング処理した上で前記強化処理が施され、 当該強化処理後に前記封止板の間が切断されるこ と を特徴とする請求の 範囲第 5項記載の封止板多面取り用マザ一ガラス基板。
7 . 基板上に積層された E L積層体を覆う よ う に中央部が凹状に規定 された E L素子用封止板において、 前記凹部の隅角部に湾曲部位を有す る こ とを特徴とする E L素子用封止板。
8 . 前記湾曲部位の曲率半径が 5 0 m以上である こ とを特徴とする の範囲第 7項記載の E L素子封止板。
9 . 前記凹部はエッチング法によ り形成されたこ と を特徴とする請求 の範囲第 7項記載の E L素子用封止板。
1 0 . 前記エッチング法はゥヱ ッ トエッチング法であるこ と を特徴と する請求の範囲第 9項記載の E L素子用封止板。
1 1 . 請求の範囲第 7項記載の E L素子用封止板がほぼマ ト リ ッ クス 状に形成されたこ と を特徴とする E L素子用封止板多面取り 用マザ一ガ ラス基板。
PCT/JP2003/008819 2002-07-31 2003-07-11 エレクトロ・ルミネッセンス素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板 WO2004014109A1 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2002-223015 2002-07-31
JP2002223015A JP2004063395A (ja) 2002-07-31 2002-07-31 Ｅｌ素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板
JP2002241766A JP2004079467A (ja) 2002-08-22 2002-08-22 Ｅｌ素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板
JP2003-241766 2002-08-22

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2004014109A1 true WO2004014109A1 (ja) 2004-02-12

Family

ID=34395561

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/JP2003/008819 WO2004014109A1 (ja) 2002-07-31 2003-07-11 エレクトロ・ルミネッセンス素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板

Country Status (3)

Country Link
CN (1) CN1672468A (ja)
TW (1) TW200403948A (ja)
WO (1) WO2004014109A1 (ja)

Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014534146A (ja) * 2011-09-16 2014-12-18 アマゾン・テクノロジーズ、インコーポレイテッド 電子デバイス用のカバーガラス
JP2015512057A (ja) * 2012-01-25 2015-04-23 アップル インコーポレイテッド 融着ガラスのデバイス筐体
US9439305B2 (en) 2010-09-17 2016-09-06 Apple Inc. Glass enclosure
US9459661B2 (en) 2013-06-19 2016-10-04 Apple Inc. Camouflaged openings in electronic device housings
US9513664B2 (en) 2011-05-04 2016-12-06 Apple Inc. Housing for portable electronic device with reduced border region
US9516149B2 (en) 2011-09-29 2016-12-06 Apple Inc. Multi-layer transparent structures for electronic device housings
US9615448B2 (en) 2008-06-27 2017-04-04 Apple Inc. Method for fabricating thin sheets of glass
US9725359B2 (en) 2011-03-16 2017-08-08 Apple Inc. Electronic device having selectively strengthened glass
US9778685B2 (en) 2011-05-04 2017-10-03 Apple Inc. Housing for portable electronic device with reduced border region
US9886062B2 (en) 2014-02-28 2018-02-06 Apple Inc. Exposed glass article with enhanced stiffness for portable electronic device housing
US9944554B2 (en) 2011-09-15 2018-04-17 Apple Inc. Perforated mother sheet for partial edge chemical strengthening and method therefor
US9946302B2 (en) 2012-09-19 2018-04-17 Apple Inc. Exposed glass article with inner recessed area for portable electronic device housing
US10133156B2 (en) 2012-01-10 2018-11-20 Apple Inc. Fused opaque and clear glass for camera or display window
US10144669B2 (en) 2011-11-21 2018-12-04 Apple Inc. Self-optimizing chemical strengthening bath for glass
US10185113B2 (en) 2009-03-02 2019-01-22 Apple Inc. Techniques for strengthening glass covers for portable electronic devices
US10189743B2 (en) 2010-08-18 2019-01-29 Apple Inc. Enhanced strengthening of glass
US10781135B2 (en) 2011-03-16 2020-09-22 Apple Inc. Strengthening variable thickness glass

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012125857A1 (en) * 2011-03-16 2012-09-20 Apple Inc. Controlled chemical strengthening of thin glass
WO2013021854A1 (ja) * 2011-08-05 2013-02-14 Hoya株式会社 携帯機器用カバーガラス及びその製造方法
CN106277812A (zh) * 2016-08-30 2017-01-04 凯盛科技股份有限公司 一种曲面盖板玻璃蚀刻液

Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61177395U (ja) * 1985-04-22 1986-11-05
JP2002008853A (ja) * 2000-06-16 2002-01-11 Nippon Seiki Co Ltd 有機ｅｌパネル
JP2002008855A (ja) * 2000-06-20 2002-01-11 Nippon Seiki Co Ltd 有機ｅｌパネル
JP2002160932A (ja) * 2000-11-17 2002-06-04 Sony Corp ガラス基板の製造方法、ガラス基板、およびガラス基板を有する電子機器
JP2002196691A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Nhk Spring Co Ltd 表示体密封カバーとその製造方法
JP2003142254A (ja) * 2001-11-02 2003-05-16 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、電子機器
JP2003217828A (ja) * 2002-01-22 2003-07-31 Seiko Epson Corp 封止用基板及びその製造方法、表示装置並びに電子機器
JP2003217833A (ja) * 2002-01-28 2003-07-31 Nippon Sheet Glass Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ用背面封止缶、及び該封止缶の製造方法
JP2003260394A (ja) * 2002-03-07 2003-09-16 Ricoh Co Ltd 機能性素子基板、画像表示装置およびその製造装置

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61177395U (ja) * 1985-04-22 1986-11-05
JP2002008853A (ja) * 2000-06-16 2002-01-11 Nippon Seiki Co Ltd 有機ｅｌパネル
JP2002008855A (ja) * 2000-06-20 2002-01-11 Nippon Seiki Co Ltd 有機ｅｌパネル
JP2002160932A (ja) * 2000-11-17 2002-06-04 Sony Corp ガラス基板の製造方法、ガラス基板、およびガラス基板を有する電子機器
JP2002196691A (ja) * 2000-12-26 2002-07-12 Nhk Spring Co Ltd 表示体密封カバーとその製造方法
JP2003142254A (ja) * 2001-11-02 2003-05-16 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置及びその製造方法、電子機器
JP2003217828A (ja) * 2002-01-22 2003-07-31 Seiko Epson Corp 封止用基板及びその製造方法、表示装置並びに電子機器
JP2003217833A (ja) * 2002-01-28 2003-07-31 Nippon Sheet Glass Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ用背面封止缶、及び該封止缶の製造方法
JP2003260394A (ja) * 2002-03-07 2003-09-16 Ricoh Co Ltd 機能性素子基板、画像表示装置およびその製造装置

Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9615448B2 (en) 2008-06-27 2017-04-04 Apple Inc. Method for fabricating thin sheets of glass
US10185113B2 (en) 2009-03-02 2019-01-22 Apple Inc. Techniques for strengthening glass covers for portable electronic devices
US10189743B2 (en) 2010-08-18 2019-01-29 Apple Inc. Enhanced strengthening of glass
US10765020B2 (en) 2010-09-17 2020-09-01 Apple Inc. Glass enclosure
US10021798B2 (en) 2010-09-17 2018-07-10 Apple Inc. Glass enclosure
US11785729B2 (en) 2010-09-17 2023-10-10 Apple Inc. Glass enclosure
US10398043B2 (en) 2010-09-17 2019-08-27 Apple Inc. Glass enclosure
US9439305B2 (en) 2010-09-17 2016-09-06 Apple Inc. Glass enclosure
US10781135B2 (en) 2011-03-16 2020-09-22 Apple Inc. Strengthening variable thickness glass
US11518708B2 (en) 2011-03-16 2022-12-06 Apple Inc. Electronic device having selectively strengthened glass
US9725359B2 (en) 2011-03-16 2017-08-08 Apple Inc. Electronic device having selectively strengthened glass
US10676393B2 (en) 2011-03-16 2020-06-09 Apple Inc. Electronic device having selectively strengthened glass
US10401904B2 (en) 2011-05-04 2019-09-03 Apple Inc. Housing for portable electronic device with reduced border region
US10983557B2 (en) 2011-05-04 2021-04-20 Apple Inc. Housing for portable electronic device with reduced border region
US9513664B2 (en) 2011-05-04 2016-12-06 Apple Inc. Housing for portable electronic device with reduced border region
US9778685B2 (en) 2011-05-04 2017-10-03 Apple Inc. Housing for portable electronic device with reduced border region
US10761563B2 (en) 2011-05-04 2020-09-01 Apple Inc. Housing for portable electronic device with reduced border region
US10656674B2 (en) 2011-05-04 2020-05-19 Apple Inc. Housing for portable electronic device with reduced border region
US11681326B2 (en) 2011-05-04 2023-06-20 Apple Inc. Housing for portable electronic device with reduced border region
US9944554B2 (en) 2011-09-15 2018-04-17 Apple Inc. Perforated mother sheet for partial edge chemical strengthening and method therefor
JP2014534146A (ja) * 2011-09-16 2014-12-18 アマゾン・テクノロジーズ、インコーポレイテッド 電子デバイス用のカバーガラス
US10574800B2 (en) 2011-09-29 2020-02-25 Apple Inc. Multi-layer transparent structures for electronic device housings
US10320959B2 (en) 2011-09-29 2019-06-11 Apple Inc. Multi-layer transparent structures for electronic device housings
US9516149B2 (en) 2011-09-29 2016-12-06 Apple Inc. Multi-layer transparent structures for electronic device housings
US11368566B2 (en) 2011-09-29 2022-06-21 Apple Inc. Multi-layer transparent structures for electronic device housings
US10144669B2 (en) 2011-11-21 2018-12-04 Apple Inc. Self-optimizing chemical strengthening bath for glass
US10133156B2 (en) 2012-01-10 2018-11-20 Apple Inc. Fused opaque and clear glass for camera or display window
US10551722B2 (en) 2012-01-10 2020-02-04 Apple Inc. Fused opaque and clear glass for camera or display window
US10512176B2 (en) 2012-01-25 2019-12-17 Apple Inc. Glass device housings
JP2015512057A (ja) * 2012-01-25 2015-04-23 アップル インコーポレイテッド 融着ガラスのデバイス筐体
US9756739B2 (en) 2012-01-25 2017-09-05 Apple Inc. Glass device housing
US10842031B2 (en) 2012-01-25 2020-11-17 Apple Inc. Glass device housings
US11260489B2 (en) 2012-01-25 2022-03-01 Apple Inc. Glass device housings
US11612975B2 (en) 2012-01-25 2023-03-28 Apple Inc. Glass device housings
US10278294B2 (en) 2012-01-25 2019-04-30 Apple Inc. Glass device housings
US9946302B2 (en) 2012-09-19 2018-04-17 Apple Inc. Exposed glass article with inner recessed area for portable electronic device housing
US9459661B2 (en) 2013-06-19 2016-10-04 Apple Inc. Camouflaged openings in electronic device housings
US10579101B2 (en) 2014-02-28 2020-03-03 Apple Inc. Exposed glass article with enhanced stiffness for portable electronic device housing
US9886062B2 (en) 2014-02-28 2018-02-06 Apple Inc. Exposed glass article with enhanced stiffness for portable electronic device housing
US10496135B2 (en) 2014-02-28 2019-12-03 Apple Inc. Exposed glass article with enhanced stiffness for portable electronic device housing

Also Published As

Publication number Publication date
TW200403948A (en) 2004-03-01
CN1672468A (zh) 2005-09-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2004014109A1 (ja) エレクトロ・ルミネッセンス素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板
CN102695685B (zh) 玻璃膜层叠体及其制造方法以及玻璃膜的制造方法
US7026758B2 (en) Reinforcement of glass substrates in flexible devices
US7851241B2 (en) Method for severing brittle material substrate and severing apparatus using the method
KR20130135842A (ko) 유리 제품의 엣지를 강화하는 방법
KR20120037367A (ko) 유리 필름 적층체
KR20010024129A (ko) 휘기 쉬운 기판
JP2003059664A (ja) 基板の補強方法
US8425713B2 (en) Bonding apparatus, method for preventing dissolving of adhesive agent, and bonding method
JP2004079467A (ja) Ｅｌ素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板
CN103619773A (zh) 电子设备用覆盖玻璃的制造方法、电子设备用覆盖玻璃、用于电子设备的覆盖玻璃用玻璃基板、以及触摸传感器模块的制造方法
US6894316B2 (en) EL device sealing plate, and multiple sealing plate-producing mother glass substrate
WO2004008810A1 (ja) エレクトロ・ルミネッセンス素子用封止板及びその製造方法、並びに該封止板多面取り用マザーガラス基板
JP2004063395A (ja) Ｅｌ素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板
TWI555642B (zh) The manufacturing method of the layered body
KR101585731B1 (ko) 유기전자소자용 봉지재, 상기 봉지재의 제조방법, 상기 봉지재를 이용한 유기전자소자의 봉지방법 및 봉지된 유기전자소자
US6909175B2 (en) EL device sealing plate, multiple sealing plate-producing mother glass substrate, and EL device
JP2004047309A (ja) Ｅｌ素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板
KR20050021585A (ko) 일렉트로·루미네슨스 소자용 봉지판 및 상기 봉지판다면취 용 마더 글래스 기판
JP2004087369A (ja) Ｅｌ素子用封止板及びその製造方法、並びに該封止板多面取り用マザーガラス基板
JP2004111233A (ja) ガラス製ｅｌ素子用封止板、及び該封止板多面取り用マザーガラス基板
JP2003007453A (ja) 有機ｅｌ素子
JP2004317981A (ja) 薄型表示素子、及び薄型表示素子の製造方法
KR100511797B1 (ko) 유기전계발광소자 보호용 커버플레이트의 제조방법
US20060186795A1 (en) Organic electroluminescent display and fabricating method thereof

Legal Events

Date Code Title Description
AK Designated states

Kind code of ref document: A1

Designated state(s): CN KR

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 1020057001790

Country of ref document: KR

Ref document number: 20038183331

Country of ref document: CN

WWP Wipo information: published in national office

Ref document number: 1020057001790

Country of ref document: KR