TW200403948A - Sealing plate for electroluminecense element and mother glass substrate for taking a large number of sealing plates - Google Patents

Description

200403948 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明與一種電激發光元件用密封板、以及該密封板多 · 個削取用母玻璃基板有關，尤與一種電激發光元件用密封 · 搴 板、以及該密封板多個削取用母玻璃基板，其係中央部形 成凹狀俾覆盖積層在基板上之EL積層體者有關。 【先前技術】 電激發光（以下稱「EL」）元件適用於行動電話及汽車導籲 航；^統等之黾卞機器顯示邵分，一般包括：基板，其係於 表面开< 成EL積層膜者；及el元件用密封板，其係為了頂面 藉黏接劑黏接於基板之周邊突條部形成於周邊部，而將中 央部加工成凹狀，俾覆蓋形成在基板上之队積層膜者。基 板與密封板係藉配置於基板與周邊突條部間密封部分之黏 接劑而成之黏接層予以黏接。 該密封板之材料使用金屬、玻璃、或樹脂等。其中密封 板為金屬製時， Q以保持形成於基板之引出電極部分之電 ·

故無法使用金屬製密封板。

使用於密封板材料， 而玻璃因絕緣性 但塑膠因其本身具有吸水性故甚少 玻璃因絕緣性、透明性、及耐水性 H6752 200403948 佳故常用於密封板材料。 玻塥製密封板之加工方法有去除破璃坯板中央部分之噴 砂法，此外亦有蝕刻法。依此種蝕刻法，周邊突條部頂面 平坦度高，且因中央凹部表面不產生微小裂紋，故即使為 了黏接基板與密封板加壓，亦可進行均勾之黏接。 又具有如上述製作之EL元件用密封板之頂部發射型EL 凡件係使用於彳于m及筆記型電腾之資錢示機器之 顯示元件，不僅於室内亦使用於室外。 然而，上述電子機器之顯示機器常受外部壓力，EL元件 用密封板需具有抵抗外部壓力之能力。一方面，通常使用 於密封板材料之玻璃因對牽引應力特別脆弱，故即使在室 内使用下有要求能充分耐可施加牽引應力之硬度之第1個 問題。 此W使用之屋外等，比使用於室内下所受外部壓力更 大（外邵壓力日•，在密封板内壁，尤其密封板凹部之角隅 邯文到罕引應力，而有易招致密封板破損之第2個問題。 本發明之第1目的在於提供一種EL元件用密封板、以及該 密封板多個削取用母玻璃基板，其係能提高對外部壓力之 耐久性者。 此外二本發明之第2目的在於提供-種EL元件用密封板、 以及該密封板多個削取用母玻璃基板，其係能防止破損者。 【發明内容】 發明之揭示 為達成上述第〗.目的，本發明之第T態樣有關之队元件用

86752 200403948 ' ”係復盍積層於基板上之E L積層體之玻璃製品， 其彳政為表面施行強化處理。 如第I態樣有關之EL元件用密封板，其中最好上述密封板 係由含有鹼性 < 破璃而成，上述強化處理係化學強化處理。 此夕丨’最好化學強化處理係以離子交換法進行。 如吊]態樣有關之EL元件用密封板，其中最好上述強化處 理係以冷風強化法進行。 為達成上述第1目的，本發明之第丨態樣有關之密封板多 個削取用母玻璃基板，其特徵為將上述EL元件用密封板形 成大致矩陣狀。 如第1怨樣有關之母玻璃基板，其中最好將上述密封板間 掩蔽處理後施行上述強化處理，該強化處理後切斷上述密 封板間。 為達成上述第2目的，本發明之第2態樣有關之EL元件用 密封板，其係將中央部形成凹狀以覆蓋積層於基板上之EL 積層體，其特徵為上述凹部角隅部具有彎曲部位。 第2態樣有關之EL元件用密封板，其中最好上述彎曲部位 之曲率半徑為50 μπι以上。 如第2悲、樣有關之E l元件用密封板，其中最好上述凹部係 以I虫刻法形成。 此外，最好上述蝕刻法為濕蝕刻法。 此外’第2態樣有關之E L元件用密封板多個削取用母玻璃 基板，其特徵為上述EL元件用密封板形成大致矩陣狀。 【實施方式】 86752 200403948 之最佳 本發明人為達成上述第1 a沾 λ 、 ^ t 牙目的’銳意進行研究結果，發現 復盖积層於基板上$ F T # 周“ f豆之玻璃製EL·元件用密封板 ’表面她行硬化處理，即古 、 」兀件用密封板對外部壓 久性，而可獲得實用上能収充分強度。 =t &明人4達成上述第2目的，銳意進行研究結果，發 現覆蓋，層於基板上之EL#層體將中央部形成凹狀之队 :件用^'封板，相部角隅部具有彎曲耗，最好具有曲 + h5〇 μιη以上之彎曲部位，即可防止此元件用密封板之 破損。 匕夕丨又本發明人為達成上述第2目的，銳意進行研究結 果，發現以蝕刻法形成凹部時，即可使彎曲部位之曲率半 挺為所希望之值。 本發明係依上述研究結果完成。 以下’邊茶考圖邊說明本發明之第1實施形態有關之eL 元件用密封板。 圖1係具有本發明之第1實施形態有關之EL元件用密封板 < EL元件剖面圖。 圖1中’底部發射型有機EL元件100採從動構造，包括： 丄板1 〇 ’其係大小7 ·0 cm角狀、厚度1. 〇 mm之板狀透明無 4会破璃製品；有機EL積層體20，其係形成於基板1 0上者； 及密封板30，其係覆蓋有機EL積層體20形成者。 在、封板3 0例如由濕敍刻法大小5.0 cm角狀、厚度0.70 mm \板狀透明驗性玻璃（例如NA-3 5 : NH · Techno glass株式會 200403948 社製）形成，將中央加工成凹狀俾於凹部32之周邊部形成寬 度2.0 mm之周邊突條部31，凹部32之底部厚度為〇 4 mm。 又該密封板3 0係施行強化處理。基板1 〇與周邊突條部3 ]， 藉配置在形成於基板10與周邊突條部3 1頂部間之密封部分 之例如由糸外線硬化型ί幕氧樹脂製黏接劑而成之黏接層4 〇 ，加以黏接。 密封板30與基板1〇之黏接係先於周邊突條部31塗布一定 量黏接劑後，將密封板30置於基板10上，其次，邊將密封 板3 0壓緊於基板1 〇邊將紫外線照射於黏接劑進行。 在玻璃坯板形成凹部32時，先將玻璃坯板中央部以後述 /然刻法形成凹狀，接著，於該玻璃链板例如以離子交換 法施行化學強化處理（如圖1參考符號3丨丨所示）進行。 密封板30之凹部32底部厚度以〇 3〜2 〇 為佳。厚度不 滿0.3 mm時密封板30之凹部32底部之強度過小，而大於2〇 mm時密封板30之強度雖足，惟無法達成el元件1〇〇之薄型 化。 於密封板30之凹部32底部表面33，為了能吸收水分塗布 分子篩50 (UnioncarbUe社製）。又塗布分子篩5〇時及將密封 板30黏接於基板丨〇時，為了消除水分及氧氣乏影響，以在 乾燥氣氛及減壓下進行為宜。 又本實施形態，乾燥劑使用最佳之分子篩50，惟並不受 此限制，亦可用矽膠（Sl〇2)、乾燥器（Desiccat〇r)(黏土類乾 燥劑）、氯化鈣、氧化鈣、矽酸鈣等。 有機EL積層體20係形成於基板1〇上，包括：透明導電膜 86752 -10 - 200403948 2丨’其係形成於基板10上，厚度300 111Ώ之IT〇膜而成者；有 核E L積層膜2 2，其係含後述發光層，積層於該透明導電膜 21表面者；背面電極23，其係形成於有機队積層膜22表面 ，由厚度300 nm之Mg_Ag合金而成者；及引出電極24，其 係連接於背面電極23，由厚度3〇〇 1111：1之IT〇膜而成者。 有機EL積層膜22係從透明導電膜2丨側依序積層三苯基二 胺而成之高度70 nm之空穴輸送層，接著喳啉酚鋁配位而成 <鬲度70發光層者。此外，亦可於上部電極μ與發光 層之間配置由三唑及噁二唑而成之透明電子輸送層。又 此外，上述濕蝕刻法所用蝕刻液以氟化含氫酸5〜50皙量 % ’含有適量從疏酸、鹽酸、硝酸、及鱗酸而成之無機酸 &中選择 < 至少一種酸為宜。由此可加大飯刻力。又從機 酸群中選擇之強酸以單體或二種以上之混合物均可。 又上耗刻液以適量含有㈣酸n酸類、胺類、 及氨基酸類而成之群中堅 _, 美头：、 k擇（一種或一種以上有機酸或鹽 …宜。又亦可於上述餘刻液適宜添加表面活化劑，亦 可週宜變更添加之表面活化劑。 =述触刻液之成分及其濃度錢刻液之溫度、以及蚀 刻 < 破塥組成；5插耜！、々、 動钱 及種#寺通宜變更。又施行I虫刻處理時，搖 ,,y 7塥，或供給弱輸出之超音波亦有效。由此，可

使敍刻液成A κ a、、、 ^ ® ^ J 刻液取出一、、、、3勻（落液。此外，施行蝕刻處理時，從蝕 類、胺類、 及氨基酸類而成之群中選擇3 成之無機酸;從硫酸、鹽酸、硝酸、及磷酸而 中堤择<至少一種酸、或從羧酸類、二羧酸 又—種或二種以上 H6752 -Π - 200403948 有機酸或鹽基類亦有效。由此，可均勾施行蝕刻處理。 又岔封板3 0係以濕蝕刻法等施行凹狀加工，此外施行強 化處理。由此’可得具有實用上充分強度之密封板3〇。強 化處理使用·化學強化法，其係將密封板3〇之玻璃中所含 一價離卞，更換為比其離子半徑大之離子，增加密封板3 〇 表面足壓縮應力，以增強密封板30本身之強度者；及冷風 強化，其係增強密封板3〇本身之強度者。 化孥化處理係將以濕蝕刻法施行凹狀加工之密封板％ 无分清洗、乾燥後，將該密封板30靜置於比該密封板3〇所 含一價之離子中至少一種離子之離子半徑大之離子而成之 硝酸鹽、硫酸鹽、氯化物及此等混合物之溶解鹽中，俾進 行密封板3Q中—價之㈣之料交換。由Λ，密封板30表 面之壓縮應力增加，密封板30本身之強度增加。 又冷風強化處理讀以祕職施行喊加X之密封板 30无分清洗、乾燥後，加熱至軟化溫度附近，+以急；人辦 加密封板3Q表面之義應力，而可增域餘30本身之^ 度。 、 依本實施形態因於表面施行化學強化處理或冷風強化7 理，故可提高密封板30對外部壓力之耐久性。 〜 於上述實施形態，玻璃坯板形成凹部32之方法，使用、、 触刻法’惟亦可用乾輪’亦可併用乾触刻法與濕餘:

法。濕蝕刻法以選擇蝕釗、'启&八A 、辉❹成分與㈣溫度即可進行分; 處理，故可提高密封板3 〇之生 、 / 心玍座性。針對此，乾蝕刻法〗 能精密進行蝕刻處理，惟因I、、夫 呢u…去進行分批處理，而不得 86752 -12- 200403948 進行逐/處理，故密封板30之生產性低。 又密封板30係由含有鹼性之玻璃而成，惟含有$質量％以 上之/價離子之破璃，可做為化學強化用基材。此外，密 封板30吓可為無鹼玻璃，如此無法施行離子交換之化學強 化處理之基材時，表面強化處理能以冷風強化（急冷）進行 於本貫施形態，有機EL積層膜22採從動構造者，惟亦可 採主動構造者。又於本實施形態’有機£]1元件1〇〇為底部發 射型，惟亦可為頂部發射型。 又有機el積層膜22使用由空穴輸送層與發光層而成者， 惟亦可用由空穴輸送層、發光層、及三唑及噁二唑而成之 電子輸送層者。 此外，EL積層膜亦可用錢EL積層膜代替有機EL積層膜 22。此時，使用從透明導電膜側依序由絕緣層、發光層、 絕緣層而成者’或由電子障壁層、發光層、電流限制：而 成者。 圖1之EL元件1〇0所用密封板3〇，除上述逐一處理之製作 外，加上可從下述圖2之密封板多個削取用母破璃基板切 出。 圖2係圖1<EL兀件丨〇〇所用密封板3〇形成為大致矩陣狀 之密封板多個削取用母破璃基板平面圖。 7 於圖2中，、縱30 cm、橫4〇cm之密封板多個削取用母玻璃 基板—〇〇 ’具有5 X 6之形成矩陣狀之密封板30。 万、坡㈣坯板形成5 X 6矩陣狀密封板3〇之方法，有以含濕 蝕幻去〈蝕刻〉去’將破璃坯板之一定部分去除為凹狀之方 86752 -13 - 200403948 法。使用之玻璃坯板從其操作上以厚度0.5 mm以上，EL元 件100之薄型化觀點最妤使用U mm以下者。 此方法係首先於玻璃坯板，將露出部形成5 X 6矩陣狀， 以寬度2.5 mm之帶狀抗蝕劑施予掩蔽處理，將經此掩蔽處 理之玻璃坯板，浸入上述蝕刻液中約1 〇〜丨80分鐘，將玻璃 坯板保留突條部1 〇 1去除為凹狀，形成凹部1 〇2者。以純水 充分清洗该破璃堪板後，剝離抗餘劑。 因以濕蝕刻法將玻璃坯板之一定部分去除為凹狀，故能 確實使密封板3 0之凹部3 2底部表面平坦，而可增加密封板 30對外部壓力之強度。 其次，將如上述凹部1 〇2形成5 X 6矩陣狀之密封板多個削 取用母玻璃基板200，於形成凹部1 〇2之突條部1 〇〗部位切斷 。由此可取得30 (5X6)個例如後述之圖2之EL元件100所用 之密封板3 0。 於上述貫施形態，在玻璃素板形成凹部】〇2之方法使用濕 I虫刻法，惟乾I虫刻法亦可，併用乾姓刻法與濕|虫刻法亦可。 岔封板多個削取用母玻璃基板2〇〇，密封板3 〇之排列為矩 陣狀，惟只要適於多個削取之排列，亦可為矩陣狀以外者。 又抗蝕劑之寬度並不限於2.5 mm，只要取得之密封板3〇 之周邊突條部31之寬度為該周邊突條部31之厚度以上即可 ，為確保密封板30之加工餘量約1 cm亦可。 依圖2之密封板多個削取用母玻璃基板2〇〇，可以切斷分 離取得各密封板30，可提供切斷時加大對外部壓力之強度 ’斧命長（密封板’且無需逐—處理即可提高密封板:，〇之

86752 -14- 、、、二餘刻處理加工為凹狀之金封板3 Ο，從母玻璃基板2 ο ο 個別切斷後，可分別施行強化處理。 以下，邊參考圖邊說明本發明之第2實施形態有關之EL 元件用密封板。 本實施形態有關之EL元件係基本上具有與第1實施形態 有關之EL元件同樣之結構。故對同一結構附予同一符號， 而省略說明。 圖4係具有本發明之第2實施形態有關之el元件用密封板 之EL元件剖面圖。 圖4中，頂部發射型有機EL元件104採從動構造，包括： 透明鹼石灰玻璃基板l〇a，其係大小7.0 cm角狀、厚度1 〇 mm 之板狀者；有機EL積層體20，其係形成於基板10a上者；及 金封板30a ’其係覆蓋有機EL積層體20形成者。 密封板30a為大小5.0 cm角狀、厚度0 7 mm之板狀無鹼玻 璃製，將中央加工為凹狀，俾於凹部3 2 a之周邊部形成寬度 2.0 mm之周邊突條部31a，凹部32a之底部厚度為〇,4 mm。 又該密封板30a於凹部32a之角隅部34具有曲率半徑3〇〇 μπι 之彎曲邵位35。基板i〇a與周邊突條部31a係藉配置於形成 在基板1 Oa與周邊突條部3 1 a頂部間之密封部分之黏接層4〇 ，予以黏接。 密封板30a對基板i〇a之黏接係先將一定量黏接劑塗於周 邊笑條邰3 1 a後’將密封板3〇&置於基板1〇&上，接著邊將密 封板30a壓緊於基板1 〇a，將紫外線照射於黏接劑進行。 86752 -15 - 200403948 万；治封板j〇a形成凹邵32a時，以與第}實施形態有關之密 封板〕0同彳永之方法將玻璃述板中央部形成凹狀進行。 密封板30a之凹部32a底部厚度以〇 3〜2.〇 mm為宜。厚度 未州mm時密封板30a底部之強度過小，大於2 〇 mm時雖 山封板j 〇<強度足夠，惟無法達成EL元件1 之薄型化。 有機EL積層體20係於基板10上形成導電膜21，於該導電 2 1上面堆積含後述發光層之有機el積層膜22，於有機肛 積層膜22上面形成上部透明電極23，此外將引出電極以連 接於上部透明電極23構成。 有機EL積層膜22係由導電膜21側，依序配置三苯基二胺 叫成 < 丨弓度70 nm之空穴輸送層，接著喳啉酚鋁配位而成之 高度70 nm之發光層構成。此外，亦可於上部透明電極& 與發光層之間配置由三唑及噁二唑而成之透明電子輸送層 構成。 於上逑蝕刻形成之蝕刻液使用20 wt%氟化氫酸、1 wt% 十二烷基苯磺酸鈉之混合液，惟並不受此限制，為了增強 敍4力亦可於氟化氫酸5〜5 0質量％，含有適量從硫酸、鹽 I、硝fe、及磷酸而成之無機酸群中選擇之至少一種酸。又 k機酸群中選擇之強酸以單體或二種以上之混合物均可。 又上述敍刻液以適量含有從幾酸類、二複酸類、胺類、 及氨基酸類而成之群中選擇之一種或二種以上有機酸或鹽 基類為宜。 又亦可於上述蝕刻液適宜添加表面活化劑，亦可適宜變 更添加之表面活化劑。 86752 200403948 如上述敍刻液之成分及其濃度依蝕刻液之溫度、以及蝕 刻足玻璃組成及種類等適宜變更。又施行蝕刻處理時，榣 動蝕刻之破璃，或供給弱輸出之超音波亦有效。由此，玎 使触刻液成為均勾之溶液。此外，施行蝕刻處理時，從蝕 J液取出旦浸於水、或從硫酸、鹽酸、硝酸、及瑪酸而 成 < 播機酸群中選擇之至少一種酸、或從羧酸類、二羧酸 類、胺類、及氨基酸類而成之群中選擇之一種或二種以上 有機酸或鹽基類亦有效。由此，可均勻施行蝕刻處理。 依本貫施形態，因於凹部32a之角隅部34具有曲率半徑 3〇〇 μη]之彎曲部位35，故可防止密封板3〇&之破損。 於上述實施形態，彎曲部位35之曲率半徑並不限於3〇〇 μπι ’惟以5〇 μ1Ώ以上為宜。 。本實施形態係與第〗實施㈣同樣，於玻璃&板形成… 32a之方法使用濕蝕刻&，惟亦可用乾蝕刻法，亦可併用· 蝕刻法與濕蝕刻法。濕蝕刻法以選擇蝕刻液成分與蝕刻公 度料進行分批處理，故可提高㈣板3G之生產性。^ 此’乾則法雖能精密進㈣刻處理，惟因無法進行分承 處理’而不得已進行逐-處理，故密封板3q之生產性低 又由併用濕餘刻法與乾敍刻法’可組合濕餘刻法之各❼ =崎乾敍刻法之各向異之餘刻，由此容易將-曲^ ^ 51曲率半徑1周整為所希望之值。 =售形態’密封板3〇a之破璃拓板用無驗玻璃，惟; 因應有機EL元件100、1〇4之結構 准 低知破璃，或蝕刻个 她订fe落出防止處理之碱石灰破璃或石英破璃。 ： 86752 -17 - 、於本實施形態，有機EL積層膜22採從動構造者，惟亦可 =王動構造者。又於本實施形態，有機EL元件100、1〇4為 =:發射構造，惟亦可為底部發射構造。又EL積層膜亦可 =弟1貫施形態同樣使用無機EL積層膜代替有機EL積層膜 =:此時，使用從透明導電膜側依序由絕緣層、發光層、 蛤緣層而成者，或由電子障壁層、發光層、電流限制層而 成者。 、=14又EL兀件1〇〇、1〇4所用密封板3〇a，除上述逐一處理 ^衣作外，加上與第1實施形態同樣可從下述圖2之密封板 夕個削取用母玻璃基板200切出。 、^2係圖！之此元件1〇〇所用密封板卿成為大致矩陣狀 又密封板多個削取用母破璃基板平面圖。 •、圖〜中、敗30 cm、橫40 cm之密封板多個削取用母玻璃 土板200具有形成5 X 6之矩陣狀之密封板3〇。

、万、破璃iS㈣成5 X 6矩陣狀冑封板3()之方法，有以濕独 刻法將玻璃i不板之—佘立 Y ' θ 一报足疋砟分去除為凹狀之方法。使用之玻 璃趣板從其操作上以Μ # π 木仆上以/卞度〇 5 mm以上，EL元件ι〇〇之薄型化 觀點取好使用1 1 lnrn以下者。 此方法係目先於破璃坯板，將露出部形成5 X 6矩陣狀， 以兄度2.’ mm又帶狀抗蝕劑施予掩蔽處理，將經此掩蔽處 里〜坂璃坯板，反入上述蝕刻液中約1 〇〜1 8〇分鐘，將玻璃 趣板保留突條部ιοί去除為凹狀，形成凹部ι〇2者。以純水 充分清洗該玻璃坯板後，剥離抗蝕劑。 Q以说触刻法將破璃枉板之—定部分去除為凹狀，故能 86752 -18 - 200403948 而可增加密封板 確實使密封板3 0之凹部3 2底部表面平坦 30對外部壓力之強度。 其次，將如上述凹部1 02形成 丨平狀又密封板多個削 取用母破璃基板200,於形成凹部1〇2之突妗^1Λι、 大1巾。卩1 〇 1部位切斷 。由此可取得30 (5X6)個密封板30。 密封板多個削取用母玻璃基板200,密封板3〇之排列為矩 陣狀’惟只要適於多個削取之排列，亦可為矩陣狀以外者。 又抗餘劑之寬度並不限於2.5 _，只要取得之密封㈣ <周邊哭條部31之寬度為該周邊突條部31之厚度以上即可 ’為確保密封板30之加工餘量約！ cm亦可。 又最好切斷密封板多個削取用母破璃基板200後之形狀 ’為與上述密封板30a相同之形狀。 —依圖2之密封板多個削取用母玻璃基板200，可以切斷分 冰取得各密封板30，可增加切斷時對外部壓力之強度，且 典焉逐一處理即可提高密封板3〇之生產性。 乂下，況明本發明之第丨實施形態有關之實施例。 轳本^明人將為了於周邊部形成周邊突絛部·，以濕蝕刻法 贫中央卩加工成凹狀後，以離子交換施行化學強化處理之 / +子板〜貝馭片為貫施例1，而將不施行化學強化處理者為 =例圖3之有機EL元件103之密封板301卜又於圖3中， 一 1 ’、地开/恶有關之EL元件1 00同一之構成要素附予同一 付號。 '贫封板之實驗片係先補肩量％氟化氫酸、1質量％十 气基苯、敎鈉之混合液而成之蝕刻液，覆蓋實施例1及比 86752 -19 - 200403948 較例1之破璃坯板外面、周邊面、及周邊突條部之耐酸性帶 施行掩蔽處理，將此等實驗片浸入保持25t之上述蝕刻I ^ 60分ά里後’從餘刻液中取出’以純水充分清洗後剥離耐· 奴性帶，形成深300 μηι之凹部與寬2 〇 112111之周邊突條部。 其次，對大小5.0 cm角狀、厚度hl _大小之碱石灰玻 璃而成之玻璃板之所需者，施行化學強化處理，其係浸入 ·· -〇 P'里/。又H F及1賀f %又表面活化劑液中丨小時後充分清 洗二乾燥後，浸於420°C之硝酸鉀中8小時後充分清洗，做 # 為貫施例1。又將不施行化學強化處理者為比較例i。 其次，於實施例1及比較例1之密封板之實驗片，分別塗 2適量紫外線硬化型環氧樹脂製黏接劑，對形成於基板與 密封板之實驗片之兩側，至基板與周邊突條部間之密封部 分邊加约980 N/m2(100 kg/m2)之力，邊將紫外線照射於黏 接浏，俾於基板與周邊哭條邵間之密封部分形成黏接層， 製作有機EL元件。 就上述過程所得實施例丨及比較例丨之玻璃坯板表面，以 _ JIS R -丨604測定比較各彎曲強度。 實施例卜彎曲強度大至392 N/mm2(40kg/mm2)，足以耐 受電子機器顯示部在通常使用環境下之外部應力。結果， J解可獲得附有具充分耐破壞強度之密封板之EL元件。 由比較例〗可以了解彎曲強度小至49 N/mra2 (5 kg/mra2) ，雖在電子機器顯示部通常使用環境下大致無問題，但缺 少對外部應力之信賴性。 依本實施形態，得知覆蓋積層於基板上之EL積層體之玻 86752 -20- 200403948 璃製EL.元件用密封板，因於表面施行強化處理，故可提高 E! L元件用密封板之耐久性。 以下，說明本發明之第2實施形態有關之實施例。 本發明人準備密封板30之實驗片，其係為了中央部形 凹狀，以濕蝕刻法（實施例2〜4、比較例3)或噴砂法（比較例 2)，於無驗製破璃坏板之中央凹部周邊部形成周邊突條部 者。 具體而言，調製20質量％氟化氫酸、}質量％十二烷基笨 磺酸鈉之混合液而成之蝕刻液，覆蓋無鹼玻璃製破璃坯板 外面、周邊面、及周邊突條邵之耐酸性帶施行掩蔽處理， 將此等實驗片浸入保持25 〇c之上述蝕刻液中6〇分鐘後，從 蝕刻液中取出，以純水充分清洗後剝離耐酸性帶，於破璃 坯板角隅部34形成具有曲率半徑3〇〇 μπι(實施例2) m 〇〇卜_ (實施例3)、5〇 μΐΏ(實施例4)、30 μηι(比較例3)之彎曲部位 足深0.3 mm凹部，與寬度2 〇 mm之周邊突條部，取得密封 板之實驗片。 ^ 又於實施例3、4使用一種濕飯刻法，其係各向同性Μ 至角隅部之曲率半徑分別達1〇〇_實施例3)、5〇㈣眚施 例4)、30㈣比較例3)者，其後之凹部深度調整使用—種乾 触刻法，其係可各向異性触刻者。乾餘刻法使用-種反庫 性離子蝕刻法，其係於⑽'氣體中施行蝕刻處理者。、 一’丨如圖6所不，以上述喷砂法製作之密封板實驗片（比 較例2··有機EL元件1〇5之密封板鳩），於凹部仏底面產生 甚多喷砂法特有之微小裂紋36。又圖6中，對於與第2實施 86752 -21 - 200403948 形態有關之有機EL元件1 〇4相 號。 同之構成要素附予相同之符 其次，於實施例2〜4及比較例2、3之密封板實驗片周邊突 條部，分別塗布適量紫外線硬化型環氧樹脂製黏接劑，從 “與密封板實驗片兩側，對形成於基板與周邊突條部間 又密封部分，邊加約980 N/m2 (1〇〇 kg/m2)之力，將紫外線 照射於黏接劑，俾於基板與周邊突條部間之密封部分，形 成黏接層，製作有機EL元件。 表] 口周旦 | 24.5 N/cm (2.5 kg/cm2)或 49 N/cm2 (5 kg/cm2)之外 邓壓力’從密封板之邊角4點中任一點向縱橫方向各〗5 mni 〜也占例如徒邊用A(圖5)向縱橫方向各1 5 mm之地點B (圖5)為中心之直徑約1 〇 nmi之圓範圍，附加於如上述製作 (有機EL元件時密封板凹部有無破損。結果如表1所示。 曲率半徑 破損觀察結果 製造方法 (μιη) 外部應力24.5N/cm2 外部應力49 N/cm2 實施例2 300 無破損 無破損 濕蚀刻法 實施例3 100 無破損 典破才貝 濕蚀刻法 +乾姓刻法 實施例4 50 無破損 無破損 濕蚀刻法 +乾蚀刻法 比較例2 一 破損 破損 噴砂法 比較例3 30 無破損 破損 濕蚀刻法 +乾蚀刻法 86752 -22 - 200403948 由表1可知密封板於凹部角隅部具有彎曲部位時，可 密封板之之破損。 又了解彎曲部位之由率半徑為50μπι以上時，可確實防止 密封板之之破損。 此外，知曉以蝕刻法形成凹部時，可使彎曲部位之曲率 半徑為所希望之值。 產_業_上之了利用性 :以上詳細說明，依本發明之第丨實施形態有關之EL元件 用密封板，覆蓋積層於基板上之EL積層體之玻璃製£[元件 用密封板，表面施行強化處理時，可提高：£[^元件用密封板 對外部壓力之耐久性。 1如以上If細說明，依本發明之第2實施形態有關之密封 板’因凹邵角隅部具有彎曲部位，故可防止EL元件用密封 板之之破損。 依第2恶樣有關之密封板，因彎曲部位之由率半徑為5〇 Pm以上，故更能確實發揮上述密封板之效果。 依第2態樣有關之密封板，因以敍刻法形成凹部，故可使 %’曲邰位之曲丰半徑為所希望之值。 依第2悲樣有關之EL元件用密封板多個削取用母玻璃基 板，因上述密封板形成大致矩陣狀，故能以切斷分離取得 各密封板，可提供切斷時對外部壓力加大強度、壽命長之 密封板，且不必進行逐一處理可提高密封板之生產性。 【圖式簡單說明】 圖〗係具有本發明足第1實施形態有關之EL元件用密封板

-23 - ^52 200403948 之有機EL元件剖面圖。 圖2係圖1之EL元件所用队元件用密封板形成為大致矩 陣狀之密封板多個削取用母玻璃基板平面圖。 圖3係具有比較例1之EL元件用密封板之有機EL元件剖 IE7 圖。 又有機EL元件剖面圖。 固5係具她例及比較例之元件用密封板之凹部有無破 損之評估方法說明圖。 ， 之E L元件剖面圖 圖6係具有比較例2之EL元件用密封板 【圖式代表符號說明】 10 20 21 22 23 24 3 0 31 32 、 1〇2 3 3 34 3 5 36 基板 有機EL積層體 透明導電膜 有機EL積層膜 背面電極（上部電極 引出電極 密封板 周邊突條部 凹部 底部表面 角隅部 彎曲部位 裂紋 24 200403948 40 黏接層 50 分子篩 100 、 104 、 105 有機EL元件 101 突條部 200 母玻璃基板 3 11 化學強化處理 86752 -25 -

Claims (1)

1. 200403948 拾、申請專利範圍： 丨一種EL元件用密封板，其係覆蓋層疊於基板上之此積 層體之破璃製者，其特徵為表面施行強化處理。 . 2.如申請專利範圍第i項之EL元件用密封板，其中上述密 封板係由含鹼之玻璃構成，上述強化處理包含化學強化' 處理。 · j ‘如申明專利範圍第2項之EL元件用密封板，其中上述化 學強化處理係以離子交換法進行。 鲁 4.如申請專利範圍第丨項之EL元件用密封板，其中上述強 化處理係以冷風強化法進行。 5 一種密封板多個削取用母玻璃基板，其特徵為將申請專 利範圍第1項之EL元件用密封板形成大致矩陣狀。 6.如申請專利範圍第5項之密封板多個削取用母玻璃基板 ’其中將上述密封板之間掩蔽處理後施行上述強化處理 ，該強化處理後切斷上述密封板之間。 7 ' 一種E L元件用密封板，其係將中央部規定成凹狀以覆 參 盖層疊於基板上之E L積層體者，其特徵為上述凹部之 角隅部具有彎曲部位。 8.如申請專利範圍第7項之EL元件用密封板，其中上述彎 曲部位之曲率半徑為50 μ1η以上。 9 ·如申請專利範圍第7項之E L元件用密封板，其中上述凹 部係以蝕刻法形成。 1 〇 ·如申請專利範圍第9項之E L元件用密封板，其中上述蝕 刻法為濕蝕刻法。 Η6752 200403948 Π . —種EL元件用密封板多個削取用母玻璃基板，其特徵 為將申請專利範圍第7項之EL元件用密封板形成大致 矩陣狀。 86752