TWI555642B - The manufacturing method of the layered body - Google Patents

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Description

積層體之製造方法
本發明係關於一種積層體之製造方法。
液晶顯示器(LCD，Liquid Crystal Display)或電漿顯示器(PDP，Plasma Display Panel)、有機EL顯示器(Electro Luminescence，場致發光顯示器)(OLED，Organic Light-Emitting Diode，有機發光二極體)等顯示面板、太陽電池、薄膜2次電池等電子器件始終被期望能薄型化、輕量化，該等電子器件中所使用之基板之薄板化不斷推進。若由於薄板化而使得基板之剛性變低，則基板之操作性變差。此外，若由於薄板化而使得基板之厚度改變，則難以使用現有之設備製造電子器件。
因此，提出有如下方法：即於基板上黏貼加強板而形成積層體塊體，於積層體塊體之基板上形成特定之功能層(例如導電層)，其後，自積層體塊體之基板剝離加強板(例如，參照專利文獻1)。根據該方法，可確保基板之操作性，且可使用現有之設備製造薄型電子器件。
加強板具有可剝離地結合於基板之樹脂層、及經由樹脂層支撐基板之支撐板。樹脂層係將具有流動性之樹脂組成物塗佈於支撐板上並使其硬化而形成。樹脂組成物例如為矽樹脂組成物，包含具有乙烯基之直鏈狀聚有機矽氧烷、及具有矽氫基之甲基氫化聚矽氧烷，於鉑觸媒之存在下加熱硬化。包含該樹脂組成物之硬化物之樹脂層於耐熱性或 易剝離性方面優異。
先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1：日本專利特開2007-326358號公報
圖6係先前之積層體塊體之側視圖。積層體塊體111具有基板112、及加強基板112之加強板113。加強板113具有可剝離地結合於基板112之樹脂層114、及經由樹脂層114支撐基板112之支撐板115。以提昇積層體塊體111之耐衝擊性為目的，而對積層體塊體111之側緣部進行倒角加工。
圖7係表示對圖6所示之積層體塊體之側緣部進行倒角加工之方法之平面圖。圖8係表示對圖6所示之積層體塊體之側緣部進行倒角加工之方法之側視圖。
積層體塊體111之側緣部111a以磨石121進行磨削。磨石121係圓板狀之旋轉磨石，於其外周面121a遍及全周而形成有磨削槽122(圖8)。於磨削槽122之壁面122a與積層體塊體111之側緣部111a抵接之狀態下，磨石121一面沿磨石121之圓周方向(圖7之X方向)旋轉一面相對於積層體塊體111而相對地移動(圖7之Y方向)，藉此將積層體塊體111之側緣部111a磨削成與磨削槽122之形狀相同之形狀。
作為磨削面之壁面122a相對於樹脂層114及基板112之界面116、以及樹脂層114及支撐板115之界面117而垂直地抵接。於該情形時，有時於界面116及界面117之至少一者附 近基板112及支撐板115之至少一者之角部缺損。
其原因在於：因壁面122a所含之研磨粒而導致於積層體塊體111之側面產生微裂縫118，該微裂縫118到達界面116及界面117之至少一者。微裂縫118如圖8所示，存在相對於壁面122a而傾斜地伸展之傾向。
圖9係藉由對圖7所示之積層體塊體之側緣部進行倒角加工而獲得之積層體之側視圖。於圖9中，以2點劃線表示磨削前之積層體塊體之狀態。
藉由對積層體塊體111之側緣部111a進行磨削而獲得之積層體131與積層體塊體111同樣地，具有基板132及加強板133，加強板133具有樹脂層134及支撐板135。於積層體131之側面，因磨削中所產生之微裂縫118(圖8)而形成有凹陷139。
本發明係鑒於上述課題而完成者，其目的在於提供一種可減少因磨削而造成之缺口之產生之積層體之製造方法。
為了解決上述目的，本發明提供一種積層體之製造方法，其係藉由對具有基板、及加強該基板之加強板且該加強板具有可剝離地結合於上述基板之樹脂層及經由該樹脂層支撐上述基板之支撐板之積層體塊體之側緣部進行倒角加工而獲得積層體之積層體之製造方法；且包括：以磨石對上述積層體塊體之側緣部進行磨削之磨削步驟，於該磨削步驟中，上述磨石之磨削面相對於上述樹脂 層與上述基板之界面、及上述樹脂層與上述支撐板之界面傾斜地抵接。
根據本發明，可提供一種能夠減少因磨削而造成之缺口之產生之積層體之製造方法。
以下，參照圖式對用以實施本發明之形態進行說明，於各圖中，對相同或對應之構成標註相同或對應之符號，並省略說明。
(積層體塊體)
圖1係本發明之一實施形態之積層體之製造方法中所使用之積層體塊體之側視圖。
如圖1所示，積層體塊體11具有基板12、及加強基板12之加強板13。加強板13包括可剝離地結合於基板12之樹脂層14、及經由樹脂層14支撐基板12之支撐板15。基板12之側面、樹脂層14之側面、及支撐板15之側面成為同一平面。
積層體塊體11係於以下述之加工方法加工之後具有基板12作為產品構造之一部分之產品之製造中使用。加強板13於產品之製造步驟之中途自基板12剝離，並不成為產品構造之一部分。作為產品，可列舉例如顯示面板、太陽電池、薄膜2次電池等電子器件。
由於係使用處理先前之基板(未藉由加強板加強之基板)之處理設備製造電子器件，故而積層體塊體11可具有與先 前之基板大致相同之厚度。例如，現行之電子器件之製造步驟係以處理厚度為0.5 mm之基板之方式而設計者，於基板12之厚度與樹脂層14之厚度之和為0.1 mm之情形時，將支撐板15之厚度設定為0.4 mm。以下，根據圖1對各構成進行說明。
(基板)
基板12係電子器件用之基板。於基板12之表面，在電子器件之製造步驟中形成特定之功能層(例如導電層)。功能層之種類係依據電子器件之種類而選擇，亦可於基板12上依序積層複數個功能層。
基板12之種類並不特別限定，可列舉例如玻璃基板、陶瓷基板、樹脂基板、金屬基板、半導體基板等。該等之中，較佳為玻璃基板。其原因在於：玻璃基板之耐化學品性、耐透濕性優異且線膨脹係數較小。若線膨脹係數較大，則電子器件之製造步驟多伴有熱處理，故而易於發生各種不良狀況。例如，若於加熱情形下對形成有TFT(薄膜電晶體，Thin Film Transistor)之基板12進行冷卻，則有因基板12之熱縮而使TFT之位置偏移變得過大之虞。
玻璃基板係將玻璃原料熔融並將熔融玻璃成形為板狀而獲得。此種成形方法可為常用者，例如可使用浮式法、熔融法、流孔下引法、富可法、魯伯法等。又，尤其是厚度較薄之玻璃基板能夠以如下方法(再伸延法)成形而獲得，即，將暫時成形為板狀之玻璃加熱至可成形溫度，並藉由以延伸等方法將其拉伸變薄。
作為玻璃基板之玻璃並不特別限定，可列舉例如無鹼玻璃、硼矽玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、及其他之以氧化矽為主要成分之氧化物系玻璃等。作為氧化物系玻璃，較佳為氧化物換算所得之氧化矽之含量為40~90質量%之玻璃。
作為玻璃基板之玻璃，較佳為採用適於電子器件之種類或其製造步驟之玻璃。例如，液晶顯示器用之玻璃基板較佳為包含實質上不含鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)。從而，玻璃基板之玻璃係根據所要適用之電子器件之種類及其製造步驟而適當選擇。
樹脂基板之樹脂既可為結晶性樹脂，亦可為非晶性樹脂，並不特別限定。
作為上述結晶性樹脂，可列舉例如熱塑性樹脂之聚醯胺、聚縮醛、聚對苯二甲酸丁二酯、聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、或間規聚苯乙烯等，於熱硬化性樹脂中可列舉聚苯硫醚、聚醚醚酮、液晶聚合物、氟碳樹脂、者聚醚腈等。
作為上述非晶性樹脂，可列舉例如熱塑性樹脂之聚碳酸酯、變性聚苯醚、聚環己烷、或聚降冰片烯系樹脂等，於熱硬化性樹脂中可列舉聚碸、聚醚碸、聚芳酯、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、者熱塑性聚醯亞胺。
作為樹脂基板之樹脂，尤佳為非晶性且熱塑性之樹脂。
基板12之厚度係依據基板12之種類而設定。例如，於玻璃基板之情形時，為了電子器件之輕量化、薄板化，較佳 為0.7 mm以下，更佳為0.3 mm以下，進而佳為0.1 mm以下。於超過0.7 mm之情形時，無法滿足玻璃基板之薄型化及/或輕量化之要求。於0.3 mm以下之情形時，可對玻璃基板賦予良好之可撓性。於0.1 mm以下之情形時，可呈卷狀捲繞玻璃基板。又，自玻璃基板易於製造、玻璃基板易於處理等理由而言，玻璃基板之厚度較佳為0.03 mm以上。
(樹脂層)
樹脂層14若密接於基板12，則在進行剝離操作之前可防止基板12之位置偏移。樹脂層14藉由剝離操作而容易地自基板12剝離。藉由使基板12易於剝離，可防止基板12之破損，又，可防止於意料外之位置(樹脂層14與支撐板15之間)之剝離。於本說明書中，所謂密接係指可剝離地結合。此處，所謂可剝離地結合係指於將基板12自樹脂層14剝離時，可不使支撐板15自樹脂層14剝離地將基板12自樹脂層14剝離。即，意味著支撐板15與樹脂層14之結合力大於基板12與樹脂層14之結合力。
樹脂層14係以與支撐板15之結合力相對高於與基板12之結合力之方式形成(形成方法之詳細內容將於下文敍述)。藉此，於進行剝離操作時，可防止積層體塊體11於意料外之位置(樹脂層14與支撐板15之間)剝離。
於樹脂層14與基板12之間之初始剝離強度係依據電子器件之製造步驟而設定。例如當基板12使用板厚為0.05 mm之聚醯亞胺膜(Toray‧Dupont公司製造，Kapton 200 HV) 之情形時，於下述剝除試驗中，初始剝離強度之下限值為0.3 N/25 mm，較佳為0.5 N/25 mm，更佳為1 N/25 mm。又，初始剝離強度之上限值為10 N/25 mm，較佳為5 N/25 mm。此處，所謂「初始剝離強度」係指積層體塊體11之剛製成後之剝離強度，且係指於室溫下測定之剝離強度。
若初始剝離強度為0.3 N/25 mm以上，則可充分地限制意料外之分離。另一方面，若初始剝離強度為10 N/25 mm以下，則於修正樹脂層14與基板12之位置關係之情形等時，易於自基板12剝離樹脂層14。
再者，剝除試驗係藉由以下測定方法而表示。
於縱25 mm×橫75 mm之支撐板15上之整個面形成樹脂層14，將以支撐板15與基板12之一方之縱面對齊之方式積層縱25 mm×橫50 mm之基板12所得者作為評價試樣。然後，以雙面膠帶將該評價試樣之與基板12之樹脂層14側之面對向之面固定於檢查台之端，並且使用數顯測力計將露出之支撐板(縱25×橫25 mm)之中央部垂直地頂起而測定剝離強度。
樹脂層14與基板12之間之加熱後之剝離強度要依據電子器件之製造步驟，於上述剝除試驗中，例如較佳為8.5 N/25 mm以下，更佳為7.8 N/25 mm以下，進而佳為4.5 N/25 mm以下。此處，所謂「加熱後之剝離強度」係指在將樹脂層14以350℃(相當於構成薄膜電晶體之非晶矽層之形成溫度)進行加熱之後，於室溫下測定之剝離強度。
若加熱後之剝離強度為0.3 N/25 mm以上，則可充分地 限制意料外之分離。另一方面，若加熱後之剝離強度為10 N/25 mm以下，則易於自基板12剝離樹脂層14。
樹脂層14之樹脂並不特別限定。例如作為樹脂層14之樹脂，可列舉丙烯酸樹脂、聚烯烴樹脂、聚胺基甲酸酯樹脂、聚醯亞胺樹脂、矽樹脂、聚醯亞胺矽樹脂等。亦可將若干種類之樹脂混合使用。其中，自耐熱性或剝離性之觀點而言，較佳為矽樹脂、聚醯亞胺矽樹脂。
樹脂層14之厚度並不特別限定，較佳為1~50 μm，更佳為5~30 μm，進而佳為7~20 μm。藉由將樹脂層14之厚度設定為1 μm以上，當於樹脂層14與基板12之間混入有氣泡或異物之情形時，可抑制基板12之變形。另一方面，若樹脂層14之厚度為50 μm以下，則可縮短樹脂層14之形成時間，進而不會超過必要地使用樹脂層14之樹脂故而較經濟。
再者，樹脂層14亦可包含2層以上。該情形時，「樹脂層之厚度」係指所有樹脂層之合計厚度。
又，於樹脂層14包含2層以上之情形時，形成各層之樹脂之種類亦可不同。
(支撐板)
支撐板15經由樹脂層14支撐並加強基板12。支撐板15防止電子器件之製造步驟中之基板12之變形、受創、破損等。
支撐板15之種類並不特別限定，可使用例如玻璃板、陶瓷板、樹脂板、半導體板、金屬板、玻璃/樹脂複合板 等。支撐板15之種類係依據電子器件之種類或基板12之種類等而選定，若與基板12為同種，則支撐板15與基板12之熱膨脹差較小，故而可抑制因加熱造成之翹曲之產生。
支撐板15與基板12之平均線膨脹係數之差(絕對值)係依據基板12之外形等而適當設定，例如較佳為35×10-7/℃以下。此處，所謂「平均線膨脹係數」係指50~300℃之溫度範圍內之平均線膨脹係數(JIS R 3102：1995年)。
支撐板15之厚度並不特別限定，為了使積層體塊體11適合於現有之處理設備，較佳為0.7 mm以下。又，為了加強基板12，支撐板15之厚度較佳為0.4 mm以上。支撐板15之厚度既可厚於基板12，亦可薄於基板12。
(積層體塊體之製造方法)
作為製造積層體塊體11之方法，有(1)於支撐板15上塗佈具有流動性之樹脂組成物並使其硬化而形成樹脂層14，之後將基板12壓接於樹脂層14上之方法；(2)於特定之基材上塗佈具有流動性之樹脂組成物並使其硬化而形成樹脂層14，之後將樹脂層14自特定之基材剝離，並以膜之形態夾持於基板12與支撐板15之間而壓接之方法；(3)於基板12與支撐板15之間夾持樹脂組成物，並使其硬化而形成樹脂層14之方法等。
上述(1)之方法中，於樹脂組成物硬化時，樹脂組成物與支撐板15相互作用，故而支撐板15與樹脂層14之結合力易於變得高於樹脂層14與基板12之結合力。
上述(2)之方法於樹脂層14之壓接後之結合力相對於基 板12較低而相對於支撐板15較高之情形時有效。於與樹脂層14之接觸前，亦可對基板12或支撐板15之表面進行表面處理，而使得於與樹脂層14之壓接後之結合力上存在差值。
上述(3)之方法於樹脂組成物之硬化後之結合力相對於基板12較低而相對於支撐板15較高之情形時有效。於與樹脂組成物之接觸前，亦可對基板12或支撐板15之表面進行表面處理，而使得於與樹脂組成物之硬化後之結合力上存在階值。
於上述(1)~(3)之方法中，樹脂組成物之種類並不特別限定。例如，樹脂組成物依據硬化機構，分類成縮合反應型、附加反應型、紫外線硬化型、電子線硬化型，可使用任一者。於該等之中較佳為附加反應型。其原因在於：硬化反應易於操作，於形成樹脂層14時剝離性之程度良好，且耐熱性亦高。
又，樹脂組成物依據形態，分類成溶劑型、乳膠型、無溶劑型，可使用任一者。於該等之中較佳為無溶劑型。其理由在於：生產性、環境特性方面優異。又，其理由在於：不含於形成樹脂層14時之硬化時即加熱硬化、紫外線硬化或電子線硬化時會產生發泡之溶劑，故而樹脂層14中不易殘留氣泡。
作為附加反應型且無溶劑型之矽樹脂組成物，有包含具有乙烯基之直鏈狀聚有機矽氧烷、及具有矽氫基之甲基氫化聚矽氧烷者。該矽樹脂組成物於鉑觸媒之存在下加熱硬 化而成為矽樹脂層。
樹脂組成物之塗佈方法例如有噴塗法、模塗法、旋塗法、浸漬塗佈法、輥塗法、棒塗法、網版印刷法、凹版印刷塗佈法等。該等塗佈方法係依據樹脂組成物之種類而適當選擇。
樹脂組成物之塗工量係依據樹脂組成物之種類等而適當選擇。例如，於上述矽樹脂組成物之情形時，較佳為1~100 g/m2，更佳為5~20 g/m2。
樹脂組成物之硬化條件係依據樹脂組成物之種類等而適當選擇。例如，當作為上述矽樹脂組成物係相對於直鏈狀聚有機矽氧烷與甲基氫化聚矽氧烷之合計量100質量而調配有白金系觸媒2質量份之情形時，於大氣中進行加熱之溫度為50℃~250℃，較佳為100℃~200℃。又，該情形時之反應時間設定為5~60分鐘，較佳為10~30分鐘。只要樹脂組成物之硬化條件為上述反應時間之範圍及反應溫度之範圍內，便不會同時發生矽樹脂之氧化分解，不會生成低分子量之矽酮成分，矽酮移動性不會變高。
於上述(1)及(2)之方法中，壓接較佳為於潔淨度較高之環境下實施。作為壓接之方式有輥壓式、擠壓式等。實施壓接之環境氣體亦可為大氣壓環境氣體，但為了抑制氣泡之混入，較佳為減壓環境氣體。實施壓接之溫度亦可為高於室溫之溫度，但為了防止樹脂層14之劣化，較佳為室溫。
(積層體之製造方法)
圖2係表示本發明之一實施形態之積層體之製造方法之平面圖。圖3係表示本發明之一實施形態之積層體之製造方法之側視圖。圖4係藉由本發明之一實施形態之積層體之製造方法而獲得之積層體之側視圖。再者，於圖4中，以2點劃線表示加工前之積層體塊體之狀態。
積層體之製造方法係為了提昇耐衝擊性而藉由對積層體塊體11之側緣部11a進行倒角加工獲得積層體之方法。積層體塊體11之側緣部11a例如可加工成帶有弧度之形狀，具體而言，加工後之至少一部分之剖面形狀可為包含例如圓弧狀部分、橢圓弧狀部分、或拋物線狀部分之曲面形狀。再者，積層體塊體11之側緣部11a之加工後之剖面形狀亦可為多邊形狀。
積層體之製造方法包括以磨石21對積層體塊體11之側緣部11a進行磨削之步驟。磨石21係形成為圓板狀之旋轉之磨石，於磨石21之外周面21a遍及全周而形成有磨削槽22(圖3)。磨削槽22之壁面22a為磨削面，積層體塊體11之側緣部11a之加工後之剖面形狀形成為與磨削槽22之剖面形狀相同之形狀。磨石21之形狀並不限定於圓板狀，亦可為圓筒狀。
磨削槽22例如以隨著自磨削槽22之寬度方向兩端部22b、22c朝向磨削槽22之寬度方向內方而變深之方式形成。例如，磨削槽22以隨著自寬度方向兩端部22b、22c朝向磨削槽22之寬度方向中央部22d而變深之方式形成。
磨削槽22之壁面22a例如包含剖面圓弧狀之底面22a-1、 及自底面22a-1之兩端緣延伸至外周面21a之2個側面22a-2、22a-3。2個側面22a-2、22a-3與底面22a-1平滑地連接。
於磨削步驟中，在磨削槽22之壁面22a與積層體塊體11之側緣部11a抵接之狀態下，磨石21沿磨石21之圓周方向旋轉(圖2之X方向)，藉此對積層體塊體11之側緣部11a進行磨削。其結果，圖1所示之基板12、樹脂層14及支撐板15各自之圖3所示之側緣部12a、14a、15a分別被削去而形成圖4所示之基板32、樹脂層34及支撐板35。從而，藉由對圖1所示之積層體塊體11之側緣部11a進行倒角加工而獲得之積層體31與積層體塊體11同樣地，具有基板32、及加強基板32之加強板33。加強板33具有可剝離地結合於基板32之樹脂層34、及經由樹脂層34支撐基板32之支撐板35。
於磨削步驟中，較佳為積層體塊體11之積層方向與磨石21之旋轉軸方向大致平行地配置，磨石21沿積層體塊體11之側緣部11a之圓周方向相對地移動(圖2之Y方向)。藉此，遍及圓周方向全周而對積層體塊體11之側緣部11a進行磨削。再者，亦可僅對側緣部11a之圓周方向一部分進行磨削。再者，既可為磨石21側移動，亦可為積層體塊體11側移動，還可為兩側移動。
於磨削步驟中，樹脂層14與基板12之界面16、及樹脂層14與支撐板15之界面17分別相對於磨削槽22之最深部(於本實施形態中為寬度方向中央部22d)沿磨削槽22之寬度方向偏移。因此，界面16、17分別相對於磨石21之磨削面即 壁面22a，不垂直而傾斜地抵接。再者，界面16、17係相對於磨削槽22之最深部向磨削槽22之寬度方向一方偏移。
此外，當因壁面22a所含之研磨粒而於積層體塊體11之側面產生微裂縫之情形時，微裂縫有相對於壁面22a傾斜地伸展之傾向。
於本實施形態中，界面16、17相對於磨石21之壁面22a傾斜地抵接，故而可抑制微裂縫自積層體塊體11之側面朝向界面16、17傾斜地伸展。藉此，可減少因磨削造成之基板12及支撐板15之至少一者之角部缺口之產生，從而可獲得側面幾乎不存在凹陷之積層體31。該效果於基板12及支撐板15之至少一者包含脆性材料之情形時較顯著。作為脆性材料，可列舉玻璃、陶瓷、金屬矽等。
再者，本實施形態之磨石21於周面21a具有磨削槽22，但亦可不具有，於該情形時，磨石21之外周面21a為磨削面，使磨石21之旋轉軸相對於界面16、17傾斜而抵接。
於磨削步驟中，磨削槽22之最深部(於本實施形態中為寬度方向中央部22d)如圖3所示，與支撐板15之側緣部15a抵接。因而，於磨削後，如圖4所示，支撐板35較基板32向外側突出，故而可減少成為產品之基板32之損傷。
又，於磨削步驟中，界面16、17如圖3所示，與剖面圓弧狀之底面22a-1抵接。因而於磨削前，藉由調節上述偏移之量，可調節磨削面即壁面22a與界面16、17所成之角。
圖5A~圖5C係表示磨削面即壁面與界面所成之角與偏移 量之關係之一例之側視圖，圖5A為偏移量較小時之側視圖，圖5B為偏移量適中時之側視圖，圖5C為偏移量較大時之側視圖。
於圖5A~圖5C中，T1表示基板12之厚度，T2表示支撐板15之厚度。再者，樹脂層14之厚度與基板12之厚度或支撐板15之厚度相比小得可忽略，故而設定基板12與支撐板15不經由樹脂層14而貼合。另外，無論有無樹脂層14，下述計算結果(θ與D之關係)幾乎不變動。θ表示基板12與支撐板15之貼合面18(相當於界面16、17)與磨削槽22之基板12側之壁面22a所成之角。D表示貼合面18相對於磨削槽22之最深部(於本實施形態中為寬度方向中央部22d)之偏移量。R表示底面22a-1之曲率半徑。
例如，於T1=0.3 mm、T2=0.4 mm、R=0.4 mm之情形時，D階段性地增加為0.05 mm(圖5A)、0.15 mm(圖5B)、0.25 mm(圖5C)，則θ階段性地變小為81.9°(圖5A)、65.1°(圖5B)、45.4°(圖5C)。
再者，於本實施形態中，僅磨削槽22之底面22a-1形成為剖面圓弧狀，但例如磨削槽22之壁面22a作為整體亦可不形成為剖面圓弧狀，剖面圓弧狀之部分之位置並不特別限定。
進而，積層體塊體11亦可於磨削步驟之前，供給至將積層體塊體11切斷成特定尺寸之步驟中。
(電子器件之製造方法)
製造電子器件之方法包括於積層體31之基板32上之至少 一部分區域內形成特定之功能層(例如導電層)之形成步驟、及自形成有特定之功能層之基板32剝離加強板33之剝離步驟。再者，積層體31亦可在供給至電子器件之製造步驟中之前，供給至對基板32進行研磨之步驟中。
於形成步驟中，作為將特定之功能層形成於基板32上之方法，例如可使用光微影法或蝕刻法、蒸鍍法等。又，為了圖案形成功能層，可使用抗蝕液等塗敷液。
本實施形態之積層體31與圖9所示之先前之積層體131不同，可減少因磨削造成之基板12及支撐板15之至少一者之角部缺口之產生，使得於積層體31之側面幾乎不存在凹陷，故而當於基板32上塗佈有塗敷液時易於除去附著在積層體31之側面之塗敷液。藉此，於電子器件之製造步驟之伴有熱處理之步驟中，可防止塗敷液之殘渣成為塵源，從而可提高電子器件之良率。
於剝離步驟中，作為自基板32剝離加強板33之方法，例如可使用在於構成加強板33之樹脂層34與基板32之間刺入剃刀等而形成間隙之後，將基板32側與支撐板35側分離之方法。
製造電子器件之方法亦可進而包括於剝離步驟之後，在基板32上之中之功能層未形成區域或已形成之功能層上積層另一功能層之步驟。
又，製造電子器件之方法亦可為使用形成有特定之功能層之2組積層體31，組裝電子器件，其後，自2組積層體31之基板32上分別剝離加強板33之方法。
其次，對電子器件之製造方法之具體例進行說明。
液晶顯示器(LCD)之製造方法例如包括於積層體之基板上形成薄膜電晶體(TFT)等而製作TFT基板之TFT基板製作步驟、及於另一積層體之基板上形成濾色器(CF，color filter)等而製作CF基板之CF基板製作步驟。又，液晶顯示器之製造方法包括於TFT基板與CF基板之間密封液晶材料之組裝步驟、及自各積層體之基板剝離加強板之剝離步驟。
於TFT基板製作步驟或CF基板製作步驟中，作為形成TFT或CF之方法，例如可使用光微影法或蝕刻法等。又，為了圖案形成TFT或CF等，可使用抗蝕液作為塗敷液。
再者，於TFT基板製作步驟或CF基板製作步驟之前，亦可清洗積層體之基板表面。作為清洗方法，可使用眾所周知之乾式清洗或濕式清洗。
於組裝步驟中，在TFT基板與CF基板之間，注入液晶材料。作為注入液晶材料之方法，有減壓注入法或滴下注入法。
於減壓注入法中，例如，首先，經由密封材料材及間隔材料將TFT基板與CF基板貼合，製作大型面板。此時，以TFT或CF相對向而配置之方式製作大型面板，並切斷成複數個單元。其次，將各單元之內部設定為減壓環境氣體，自設置於各單元之側面之注入孔向各單元之內部注入液晶材料，之後密封注入孔。繼而，於各單元上，黏貼偏光板，組裝背光裝置等，藉此製造液晶顯示器。
於滴下注入法中，例如首先，在TFT基板之TFT形成面及CF基板之CF形成面之任一者上滴下液晶材料，其後，經由密封材料材及間隔材料，將TFT基板與CF基板貼合製作大型面板。此時，以TFT或CF相對向而配置之方式，製作大型面板。其後，將大型面板切斷成複數個單元。繼而，於單元上黏貼偏光板，組裝背光裝置等，藉此製造液晶顯示器。
剝離步驟既可於TFT基板製作步驟或CF基板製作步驟之後且組裝步驟之前進行，亦可於組裝步驟之中途進行。剝離步驟當係於藉由減壓注入法進行之組裝步驟之中途進行之情形時，既可於製作大型面板之後且將大型面板切斷成複數個單元之前進行，亦可於將液晶材料密封在各單元中之後且將偏光板黏貼在各單元上之前進行。又，剝離步驟當係於藉由滴下注入法進行之組裝步驟之中途進行之情形時，既可於製作大型面板之後且將大型面板切斷成複數個單元之前進行，亦可於將大型面板切斷成複數個單元之後且將偏光板黏貼於各單元上之前進行。
有機EL顯示器(OLED)之製造方法例如包括於積層體之基板上形成有機EL元件之有機EL元件形成步驟、使形成有有機EL元件之基板與對向基板貼合之貼合步驟、及自積層體之基板剝離加強板之剝離步驟。
於有機EL元件形成步驟中，作為形成有機EL元件之方法，例如可使用光微影法或蒸鍍法等。又，為了圖案形成有機EL元件，可使用抗蝕液作為塗敷液。有機EL元件例 如包含透明電極層、電洞輸送層、發光層、電子輸送層等。
再者，於有機EL元件形成步驟之前，根據需要，亦可清洗積層體之基板表面。作為清洗方法，可使用眾所周知之乾式清洗或濕式清洗。
於貼合步驟中，將形成有有機EL元件之基板切斷成複數個單元，於各單元上黏貼對向基板，藉此製作有機EL顯示器。
剝離步驟例如既可於有機EL元件形成步驟之後且貼合步驟之前進行，亦可於貼合步驟之中途或之後進行。
太陽電池之製造方法例如包括於積層體之基板上形成太陽電池元件之太陽電池元件形成步驟、及自積層體之基板剝離加強板之剝離步驟。
於太陽電池元件形成步驟中，作為形成太陽電池元件之方法，例如可使用光微影法或蒸鍍法等。又，為了圖案形成太陽電池元件，可使用抗蝕液作為塗敷液。太陽電池元件例如包含透明電極層、半導體層等。
剝離步驟例如可於太陽電池元件形成步驟之後進行。
以上，對本發明之一實施形態進行了說明，但本發明並不限制於上述實施形態。只要不脫離本發明之範圍，便可於上述實施形態中添加各種變形及置換。
本申請書基於2011年6月23日申請之日本專利申請書2011-139630，其內容作為參照錄入於此。
11‧‧‧積層體塊體
11a‧‧‧側緣部
12‧‧‧基板
12a‧‧‧側緣部
13‧‧‧加強板
14‧‧‧樹脂層
14a‧‧‧側緣部
15‧‧‧支撐板
15a‧‧‧側緣部
16‧‧‧樹脂層與基板之界面
17‧‧‧樹脂層與支撐板之界面
21‧‧‧磨石
21a‧‧‧外周面
22‧‧‧磨削槽
22a‧‧‧壁面
22a-1‧‧‧底面
22a-2‧‧‧側面
22a-3‧‧‧側面
22b‧‧‧端面
22c‧‧‧端面
22d‧‧‧最深部
31‧‧‧積層體
圖1係本發明之一實施形態之積層體之製造方法中所使用之積層體塊體之側視圖。
圖2係表示本發明之一實施形態之積層體之製造方法之平面圖。
圖3係表示本發明之一實施形態之積層體之製造方法之側視圖。
圖4係藉由本發明之一實施形態之積層體之製造方法而獲得之積層體之側視圖。
圖5A係表示磨削面即壁面與界面所成之角與偏移量之關係之一例之側視圖(1)。
圖5B係表示磨削面即壁面與界面所成之角與偏移量之關係之一例之側視圖(2)。
圖5C係表示磨削面即壁面與界面所成之角與偏移量之關係之一例之側視圖(3)。
圖6係先前之積層體塊體之側視圖。
圖7係表示對圖6所示之積層體塊體之側緣部進行倒角加工之方法之平面圖。
圖8係表示對圖7所示之積層體塊體之側緣部進行倒角加工之方法之側視圖。
圖9係藉由對圖7所示之積層體塊體之側緣部進行倒角加工而獲得之積層體之側視圖。
11‧‧‧積層體塊體
11a‧‧‧側緣部
12‧‧‧基板
12a‧‧‧側緣部
13‧‧‧加強板
14‧‧‧樹脂層
14a‧‧‧側緣部
15‧‧‧支撐板
15a‧‧‧側緣部
16‧‧‧樹脂層與基板之界面
17‧‧‧樹脂層與支撐板之界面
21‧‧‧磨石
21a‧‧‧外周面
22‧‧‧磨削槽
22a-1‧‧‧底面
22a-2‧‧‧側面
22a-3‧‧‧側面
22b‧‧‧端部
22c‧‧‧端部
22d‧‧‧最深部

Claims (7)

  1. 一種積層體之製造方法，其係藉由對具有基板、及加強該基板之加強板且該加強板具有可剝離地結合於上述基板之樹脂層及經由該樹脂層支撐上述基板之支撐板之積層體塊體之側緣部進行倒角加工而獲得積層體者；且包括：以圓板狀或圓筒狀之旋轉之磨石對上述積層體塊體之側緣部進行磨削之磨削步驟；於該磨削步驟中，上述磨石之磨削面相對於上述樹脂層與上述基板之界面、及上述樹脂層與上述支撐板之界面傾斜地抵接。
  2. 如請求項1之積層體之製造方法，其中於上述磨石之外周面形成有磨削槽，且於上述磨削步驟中，於作為上述磨削面之上述磨削槽之壁面與上述積層體塊體之側緣部抵接之狀態下，上述磨石沿上述磨石之圓周方向旋轉，藉此對上述積層體塊體之側緣部進行磨削，且上述樹脂層與上述基板之界面、及上述樹脂層與上述支撐板之界面分別地相對於上述磨削槽之最深部向上述磨削槽之寬度方向偏移，且相對於上述磨削槽之壁面傾斜地抵接。
  3. 如請求項2之積層體之製造方法，其中於上述磨削步驟中， 上述磨削槽之最深部與上述支撐板之側緣部抵接。
  4. 如請求項2或3之積層體之製造方法，其中上述磨削槽之壁面具有剖面圓弧狀之部分，且於上述磨削步驟中，上述樹脂層與上述基板之界面、及上述樹脂層與上述支撐板之界面分別與上述剖面圓弧狀之部分抵接。
  5. 如請求項1至3中任一項之積層體之製造方法，其中上述基板及上述支撐板之至少一者包含脆性材料。
  6. 如請求項4之積層體之製造方法，其中上述基板及上述支撐板之至少一者包含脆性材料。
  7. 一種積層體，其係具有基板、及加強該基板之加強板且該加強板具有可剝離地結合於上述基板之樹脂層及經由該樹脂層支撐上述基板之支撐板者，且上述積層體之側面相對於上述樹脂層與上述基板之界面、及上述樹脂層與上述支撐板之界面而傾斜。
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