KR20140031328A - 적층체의 제조 방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은, 기판과, 보강판을 갖고, 상기 보강판이 수지층 및 지지판을 갖는 적층체 블록의 측연부를 모따기 가공함으로써 적층체를 얻는, 적층체의 제조 방법으로서, 상기 적층체 블록의 측연부를 원판 형상 또는 원통 형상의 회전하는 지석으로 연삭하는 연삭 공정을 갖고, 상기 연삭 공정에 있어서, 상기 지석의 연삭면은, 상기 수지층과 상기 기판의 계면, 및 상기 수지층과 상기 지지판의 계면에 대하여 비스듬히 접촉되는 적층체의 제조 방법에 관한 것이다.

Description

적층체의 제조 방법{METHOD FOR MANUFACTURING LAMINATED BODY}

본 발명은 적층체의 제조 방법에 관한 것이다.

액정 디스플레이(LCD)나 플라즈마 디스플레이(PDP), 유기 EL 디스플레이(OLED) 등의 표시 패널, 태양 전지, 박막 2차 전지 등의 전자 디바이스는 박형화, 경량화가 요망되고 있고, 이들 전자 디바이스에 사용되는 기판의 박판화가 진행되고 있다. 박판화에 의해 기판의 강성이 낮아지면, 기판의 핸들링성이 나빠진다. 더하여, 박판화에 의해 기판의 두께가 바뀌면, 기존 설비를 사용한 전자 디바이스의 제조가 곤란해진다.

따라서, 기판에 보강판을 부착하여 적층체 블록으로 하고, 적층체 블록의 기판 위에, 소정의 기능층(예를 들어, 도전층)을 형성하고, 그 후 적층체 블록의 기판으로부터 보강판을 박리하는 방법이 제안되고 있다(예를 들어, 특허문헌 1 참조). 상기 방법에 따르면, 기판의 핸들링성을 확보할 수 있으며, 또한 기존의 설비를 사용한 박형의 전자 디바이스의 제조가 가능하다.

보강판은 기판에 박리 가능하게 결합하는 수지층과, 수지층을 개재해서 기판을 지지하는 지지판을 갖는다. 수지층은 유동성을 갖는 수지 조성물을 지지판 위에 도포하고, 경화시켜서 형성된다. 수지 조성물은, 예를 들어 실리콘 수지 조성물이며, 비닐기를 갖는 직쇄상 폴리오르가노실록산과, 히드로실릴기를 갖는 메틸히드로겐폴리실록산을 포함하고, 백금 촉매의 존재 하에서 가열 경화된다. 이 수지 조성물이 경화물을 포함해서 이루어지는 수지층은, 내열성이나 박리 용이성이 우수하다.

일본 특허 공개 2007-326358호 공보

도 6은 종래의 적층체 블록의 측면도이다. 적층체 블록(111)은 기판(112)과, 기판(112)을 보강하는 보강판(113)을 갖는다. 보강판(113)은 기판(112)에 박리 가능하게 결합하는 수지층(114)과, 수지층(114)을 개재해서 기판(112)을 지지하는 지지판(115)을 갖는다. 적층체 블록(111)의 내충격성의 향상을 목적으로 해서, 적층체 블록(111)의 측연부는 모따기 가공된다.

도 7은 도 6에 나타내는 적층체 블록의 측연부를 모따기 가공하는 방법을 도시하는 평면도이다. 도 8은 도 6에 나타내는 적층체 블록의 측연부를 모따기 가공하는 방법을 도시하는 측면도이다.

적층체 블록(111)의 측연부(111a)는 지석(121)으로 연삭된다. 지석(121)은 원판 형상의 회전 지석이며, 그 외주면(121a)에는 전체 둘레에 걸쳐서 연삭홈(122)(도 8)이 형성되어 있다. 연삭홈(122)의 벽면(122a)과 적층체 블록(111)의 측연부(111a)가 접촉된 상태에서, 지석(121)이 지석(121)의 둘레 방향(도 7의 X 방향)으로 회전되면서, 적층체 블록(111)에 대하여 상대적으로 이동(도 7의 Y 방향)됨으로써, 적층체 블록(111)의 측연부(111a)가 연삭홈(122)의 형상과 동일한 형상으로 연삭된다.

연삭면인 벽면(122a)은 수지층(114) 및 기판(112)의 계면(116), 및 수지층(114) 및 지지판(115)의 계면(117)에 대하여 수직으로 접촉된다. 이 경우, 계면(116) 및 계면(117) 중 적어도 한쪽 근방에 있어서, 기판(112) 및 지지판(115) 중 적어도 한쪽 코너부가 부족한 경우가 있었다.

벽면(122a)에 포함되는 지립에 의해, 적층체 블록(111)의 측면에 마이크로 균열(118)이 발생하고, 이 마이크로 균열(118)이 계면(116) 및 계면(117) 중 적어도 한쪽에 도달하기 때문이다. 마이크로 균열(118)은, 도 8에 도시한 바와 같이, 벽면(122a)에 대하여 비스듬히 신전하는 경향이 있다.

도 9는 도 7에 나타내는 적층체 블록의 측연부를 모따기 가공함으로써 얻어지는 적층체의 측면도이다. 도 9에 있어서, 연삭 전의 적층체 블록의 상태를 이점쇄선으로 나타낸다.

적층체 블록(111)의 측연부(111a)를 연삭함으로써 얻어지는 적층체(131)는 적층체 블록(111)과 마찬가지로, 기판(132)과 보강판(133)을 갖고, 보강판(133)은 수지층(134)과 지지판(135)을 갖는다. 적층체(131)의 측면에는, 연삭 중에 발생하는 마이크로 균열(118)(도 8)에 의해, 오목부(139)가 형성되어 있다.

본 발명은 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 연삭에 의한 절결의 발생을 저감 가능한 적층체의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 해결하기 위해서, 본 발명은,

기판과, 상기 기판을 보강하는 보강판을 갖고, 상기 보강판이 상기 기판에 박리 가능하게 결합하는 수지층 및 상기 수지층을 개재해서 상기 기판을 지지하는 지지판을 갖는 적층체 블록의 측연부를 모따기 가공함으로써 적층체를 얻는, 적층체의 제조 방법으로서,

상기 적층체 블록의 측연부를 지석으로 연삭하는 연삭 공정을 갖고, 상기 연삭 공정에 있어서, 상기 지석의 연삭면은, 상기 수지층과 상기 기판의 계면, 및 상기 수지층과 상기 지지판의 계면에 대하여 비스듬히 접촉되는 적층체의 제조 방법을 제공한다.

본 발명에 따르면, 연삭에 의한 절결의 발생을 저감 가능한 적층체의 제조 방법을 제공할 수 있다.

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법에서 사용되는 적층체 블록의 측면도.
도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법을 도시하는 평면도.
도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법을 도시하는 측면도.
도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법에 의해 얻어지는 적층체의 측면도.
도 5a는 연삭면인 벽면과 계면의 이루는 각과, 오프셋양의 관계의 일례를 나타내는 측면도 1.
도 5b는 연삭면인 벽면과 계면의 이루는 각과, 오프셋양의 관계의 일례를 나타내는 측면도 2.
도 5c는 연삭면인 벽면과 계면의 이루는 각과, 오프셋양의 관계의 일례를 나타내는 측면도 3.
도 6은 종래의 적층체 블록의 측면도.
도 7은 도 7에 나타내는 적층체 블록의 측연부를 모따기 가공하는 방법을 도시하는 평면도.
도 8은 도 7에 나타내는 적층체 블록의 측연부를 모따기 가공하는 방법을 도시하는 측면도.
도 9는 도 7에 나타내는 적층체 블록의 측연부를 모따기 가공함으로써 얻어지는 적층체의 측면도.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명하지만, 각 도면에 있어서, 동일하거나 또는 대응하는 구성에는 동일하거나 또는 대응하는 부호를 붙이고, 설명을 생략한다.

(적층체 블록)

도 1은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법에서 사용되는 적층체 블록의 측면도이다.

도 1에 도시한 바와 같이, 적층체 블록(11)은 기판(12)과, 기판(12)을 보강하는 보강판(13)을 갖는다. 보강판(13)은 기판(12)에 박리 가능하게 결합하는 수지층(14)과, 수지층(14)을 개재해서 기판(12)을 지지하는 지지판(15)으로 구성된다. 기판(12)의 측면, 수지층(14)의 측면 및 지지판(15)의 측면은, 동일 평면으로 되어 있다.

적층체 블록(11)은 후술하는 가공 방법으로 가공된 후, 기판(12)을 제품 구조의 일부로서 갖는 제품의 제조에 사용된다. 보강판(13)은 제품의 제조 공정 도중에, 기판(12)으로부터 박리되어, 제품 구조의 일부로는 되지 않는다. 제품으로서는, 예를 들어 표시 패널, 태양 전지, 박막 2차 전지 등의 전자 디바이스를 들 수 있다.

적층체 블록(11)은 종래의 기판(보강판에 의해 보강되어 있지 않은 기판)을 처리하는 처리 설비를 사용하여 전자 디바이스를 제조하기 위해서, 종래의 기판과 대략 동일한 두께를 가져도 된다. 예를 들어, 현행의 전자 디바이스의 제조 공정이 두께 0.5㎜의 기판을 처리하도록 설계된 것으로서, 기판(12)의 두께와 수지층(14)의 두께의 합이 0.1㎜인 경우, 지지판(15)의 두께를 0.4㎜로 한다. 이하, 도 1에 기초하여, 각 구성에 대하여 설명한다.

(기판)

기판(12)은 전자 디바이스용 기판이다. 기판(12)의 표면에는, 전자 디바이스의 제조 공정에 있어서, 소정의 기능층(예를 들어, 도전층)이 형성된다. 기능층의 종류는, 전자 디바이스의 종류에 따라 선택되고, 복수의 기능층이 기판(12) 위에 순차 적층되어도 된다.

기판(12)의 종류는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 유리 기판, 세라믹스 기판, 수지 기판, 금속 기판, 반도체 기판 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 유리 기판이 바람직하다. 유리 기판은 내약품성, 내투습성이 우수하고, 또한 선팽창 계수가 작기 때문이다. 선팽창 계수가 크면, 전자 디바이스의 제조 공정은 가열 처리를 수반하는 경우가 많으므로, 여러가지 문제가 발생하기 쉽다. 예를 들어, 가열 하에서 TFT(박막 트랜지스터)가 형성된 기판(12)을 냉각하면, 기판(12)의 열수축에 의해, TFT의 위치 어긋남이 과대해질 우려가 있다.

유리 기판은, 유리 원료를 용융하고, 용융 유리를 판 형상으로 성형하여 얻어진다. 이러한 성형 방법은, 일반적인 것이어도 되고, 예를 들어 플로트법, 퓨전법, 슬롯 다운드로법, 푸르콜법, 러버스법 등이 사용된다. 또한, 특히 두께가 얇은 유리 기판은, 일단 판 형상으로 성형한 유리를 성형 가능 온도로 가열하고, 연신 등의 수단에 의해 잡아늘여서 얇게 하는 방법(리드로우법)으로 성형하여 얻어진다.

유리 기판의 유리로서는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 무알칼리 유리, 붕규산 유리, 소다석회 유리, 고실리카 유리, 그 밖의 산화 규소를 주된 성분으로 하는 산화물계 유리 등을 들 수 있다. 산화물계 유리로서는, 산화물 환산에 의한 산화 규소의 함유량이 40 내지 90질량%의 유리가 바람직하다.

유리 기판의 유리로서는, 전자 디바이스의 종류나 그 제조 공정에 적합한 유리가 채용되는 것이 바람직하다. 예를 들어, 액정 디스플레이용 유리 기판은, 알칼리 금속 성분을 실질적으로 포함하지 않는 유리(무알칼리 유리)를 포함해서 이루어지는 것이 바람직하다. 이와 같이, 유리 기판의 유리는, 적용되는 전자 디바이스의 종류 및 그 제조 공정에 기초하여 적절히 선택된다.

수지 기판의 수지는, 결정성 수지여도 되고, 비결정성 수지여도 되며, 특별히 한정되지 않는다.

상기 결정성 수지로서는, 예를 들어 열가소성 수지인 폴리아미드, 폴리아세탈, 폴리부틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에틸렌나프탈레이트, 혹은 신디오택틱폴리스티렌 등을 들 수 있고, 열경화성 수지에서는 폴리페닐렌술피드, 폴리에테르에테르케톤, 액정 중합체, 불소 수지, 혹은 폴리에테르니트릴 등을 들 수 있다.

상기 비결정성 수지로서, 예를 들어 열가소성 수지인 폴리카르보네이트, 변성 폴리페닐렌에테르, 폴리시클로헥센, 혹은 폴리노르보르넨계 수지 등을 들 수 있고, 열경화성 수지에서는 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리아릴레이트, 폴리아미드이미드, 폴리에테르이미드, 혹은 열가소성 폴리이미드를 들 수 있다.

수지 기판의 수지로서는, 비결정성에서 열가소성의 수지가 특히 바람직하다.

기판(12)의 두께는, 기판(12)의 종류에 따라 설정된다. 예를 들어, 유리 기판의 경우, 전자 디바이스의 경량화, 박판화를 위해, 바람직하게는 0.7㎜ 이하이고, 보다 바람직하게는 0.3㎜ 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.1㎜ 이하이다. 0.7㎜ 초과인 경우, 유리 기판의 박형화 및/또는 경량화의 요구를 만족시킬 수 없다. 0.3㎜ 이하인 경우, 유리 기판에 양호한 가요성을 부여하는 것이 가능하다. 0.1㎜ 이하인 경우, 유리 기판을 롤 형상으로 권취하는 것이 가능하다. 또한, 유리 기판의 두께는, 유리 기판의 제조가 용이한 것, 유리 기판의 취급이 용이한 것 등의 이유로, 0.03㎜ 이상인 것이 바람직하다.

(수지층)

수지층(14)은 기판(12)에 밀착되면, 박리 조작이 행해질 때까지, 기판(12)의 위치 어긋남을 방지한다. 수지층(14)은 박리 조작에 의해 기판(12)으로부터 용이하게 박리한다. 기판(12)을 용이하게 박리함으로써, 기판(12)의 파손을 방지할 수 있고, 또한 의도하지 않은 위치(수지층(14)과 지지판(15) 사이)에서의 박리를 방지할 수 있다. 본 명세서에 있어서, 밀착이란 박리 가능하게 결합하는 것을 의미한다. 여기서, 박리 가능하게 결합한다란, 기판(12)을 수지층(14)으로부터 박리할 때, 지지판(15)을 수지층(14)으로부터 박리시키지 않고, 기판(12)을 수지층(14)으로부터 박리할 수 있는 것을 의미한다. 즉, 지지판(15)과 수지층(14)의 결합력이, 기판(12)과 수지층(14)의 결합력보다 큰 것을 의미한다.

수지층(14)은 지지판(15)의 결합력이, 기판(12)의 결합력보다 상대적으로 높아지도록 형성된다(형성 방법의 상세한 것은 후술). 이에 의해, 박리 조작이 행해질 때, 적층체 블록(11)이 의도하지 않은 위치(수지층(14)과 지지판(15) 사이)에서 박리하는 것을 방지할 수 있다.

수지층(14)과 기판(12) 사이에서의 초기 박리 강도는, 전자 디바이스의 제조 공정에 따라서 설정된다. 예를 들어 기판(12)에 판 두께 0.05㎜의 폴리이미드 필름(도레이 듀퐁사 제조, 캡톤 200HV)을 사용한 경우, 하기의 박리 시험에서, 초기 박리 강도의 하한값은 0.3N/25㎜, 바람직하게는 0.5N/25㎜, 보다 바람직하게는 1N/25㎜이다. 또한, 초기 박리 강도의 상한값은 10N/25㎜, 바람직하게는 5N/25㎜이다. 여기서, 「초기 박리 강도」란, 적층체 블록(11)의 제작 직후의 박리 강도를 말하고, 실온에서 측정한 박리 강도를 말한다.

초기 박리 강도가 0.3N/25㎜ 이상이면 의도하지 않은 분리를 충분히 제한할 수 있다. 한편, 초기 박리 강도가 10N/25㎜ 이하이면, 수지층(14)과 기판(12)의 위치 관계를 수정하는 경우 등에, 기판(12)으로부터 수지층(14)을 박리하는 것이 용이해진다.

또한, 박리 시험은, 다음의 측정 방법에 의해 나타낸다.

세로 25㎜×가로 75㎜의 지지판(15) 위의 전체면에 수지층(14)을 형성하고, 세로 25㎜×가로 50㎜의 기판(12)을, 지지판(15)과 기판(12) 중 한쪽 세로의 면이 일치되도록 적층한 것을 평가 샘플로 한다. 그리고, 이 평가 샘플의 기판(12)의 수지층(14)측의 면에 대향하는 면을 양면 테이프로 검사대의 끝에 고정한 다음, 비어져 나와 있는 지지판(세로 25×가로 25㎜)의 중앙부를, 디지털 포스 게이지를 사용하여 수직으로 들어 올려, 박리 강도를 측정한다.

수지층(14)과 기판(12) 사이에서의 가열 후의 박리 강도는, 전자 디바이스의 제조 공정에 의하지만, 상기 박리 시험에서, 예를 들어 8.5N/25㎜ 이하인 것이 바람직하고, 7.8N/25㎜ 이하가 보다 바람직하고, 4.5N/25㎜ 이하인 것이 더 바람직하다. 여기서, 「가열 후의 박리 강도」란, 수지층(14)이 350℃(박막 트랜지스터를 구성하는 아몰퍼스 실리콘층의 형성 온도에 상당)에서 가열된 후에, 실온에서 측정한 박리 강도를 말한다.

가열 후의 박리 강도가 0.3N/25㎜ 이상이면 의도하지 않은 분리를 충분히 제한할 수 있다. 한편, 가열 후의 박리 강도가 10N/25㎜ 이하이면, 기판(12)으로부터 수지층(14)을 박리하는 것이 용이해진다.

수지층(14)의 수지는, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 수지층(14)의 수지로서는, 아크릴 수지, 폴리올레핀 수지, 폴리우레탄 수지, 폴리이미드 수지, 실리콘 수지, 폴리이미드실리콘 수지 등을 들 수 있다. 몇몇 종류의 수지를 혼합하여 사용할 수도 있다. 그 중에서도, 내열성이나 박리성의 관점에서, 실리콘 수지, 폴리이미드실리콘 수지가 바람직하다.

수지층(14)의 두께는, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 1 내지 50㎛, 보다 바람직하게는 5 내지 30㎛, 더욱 바람직하게는 7 내지 20㎛이다. 수지층(14)의 두께를 1㎛ 이상으로 함으로써 수지층(14)과 기판(12) 사이에 기포나 이물이 혼입된 경우에, 기판(12)의 변형을 억제할 수 있다. 한편, 수지층(14)의 두께가 50㎛ 이하이면, 수지층(14)의 형성 시간을 단축할 수 있고, 또한 수지층(14)의 수지를 필요 이상으로 사용하지 않기 때문에 경제적이다.

또한, 수지층(14)은 2층 이상을 포함해서 이루어져 있어도 된다. 이 경우 「수지층의 두께」는 모든 수지층의 합계의 두께를 의미하는 것으로 한다.

또한, 수지층(14)이 2층 이상을 포함해서 이루어지는 경우에는, 각각의 층을 형성하는 수지의 종류가 달라도 된다.

(지지판)

지지판(15)은 수지층(14)을 개재하여, 기판(12)을 지지하여 보강한다. 지지판(15)은 전자 디바이스의 제조 공정에 있어서의 기판(12)의 변형, 흠집 발생, 파손 등을 방지한다.

지지판(15)의 종류는, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 유리판, 세라믹스판, 수지판, 반도체판, 금속판, 유리/수지 복합판 등이 사용된다. 지지판(15)의 종류는, 전자 디바이스의 종류나 기판(12)의 종류 등에 따라 선정되고, 기판(12)과 동일 종류이면, 지지판(15)과 기판(12)의 열팽창차가 작으므로, 가열에 의한 휨의 발생을 억제할 수 있다.

지지판(15)과 기판(12)의 평균 선팽창 계수의 차(절댓값)는 기판(12)의 외형 등에 따라 적절히 설정되지만, 예를 들어 35×10^-7/℃ 이하인 것이 바람직하다. 여기서, 「평균 선팽창 계수」란, 50 내지 300℃의 온도 범위에 있어서의 평균 선팽창 계수(JIS R 3102 : 1995년)를 말한다.

지지판(15)의 두께는, 특별히 한정되지 않고 적층체 블록(11)을 기존의 처리 설비에 적합하게 하기 위해서, 0.7㎜ 이하인 것이 바람직하다. 또한, 지지판(15)의 두께는, 기판(12)을 보강하기 위해서, 0.4㎜ 이상인 것이 바람직하다. 지지판(15)의 두께는, 기판(12)보다 두꺼워도 되고, 얇아도 된다.

(적층체 블록의 제조 방법)

적층체 블록(11)을 제조하는 방법으로서는, (1) 지지판(15) 위에 유동성을 갖는 수지 조성물을 도포하고, 경화시켜서, 수지층(14)을 형성한 후, 수지층(14) 위에 기판(12)을 압착하는 방법, (2) 소정의 기재 위에 유동성을 갖는 수지 조성물을 도포하고, 경화시켜서 수지층(14)을 형성한 후, 수지층(14)을 소정의 기재로부터 박리하고, 필름의 형태로, 기판(12)과 지지판(15) 사이에 끼워서 압착하는 방법, (3) 기판(12)과 지지판(15) 사이에 수지 조성물을 끼우고, 경화시켜서 수지층(14)을 형성하는 방법 등이 있다.

상기 (1)의 방법에서는, 수지 조성물이 경화할 때, 수지 조성물이 지지판(15)과 상호 작용하므로, 지지판(15)과 수지층(14)의 결합력이, 수지층(14)과 기판(12)의 결합력보다 높아지기 쉽다.

상기 (2)의 방법은, 수지층(14)의 압착 후의 결합력이, 기판(12)에 대하여 낮고, 지지판(15)에 대하여 높은 경우에 유효하다. 수지층(14)과의 접촉 전에, 기판(12) 또는 지지판(15)의 표면을 표면 처리하여, 수지층(14)과의 압착 후의 결합력에 차를 생기게 해도 된다.

상기 (3)의 방법은, 수지 조성물의 경화 후의 결합력이, 기판(12)에 대하여 낮고, 지지판(15)에 대하여 높은 경우에 유효하다. 수지 조성물과의 접촉 전에, 기판(12) 또는 지지판(15)의 표면을 표면 처리하여, 수지 조성물의 경화 후의 결합력에 차를 생기게 해도 된다.

상기 (1) 내지 (3)의 방법에 있어서, 수지 조성물의 종류는, 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 수지 조성물은, 경화 기구에 따라, 축합 반응형, 부가 반응형, 자외선 경화형, 전자선 경화형으로 분류되지만, 모두 사용할 수 있다. 이들 중에서도 부가 반응형이 바람직하다. 경화 반응이 용이하고, 수지층(14)을 형성했을 때 박리성의 정도가 양호하고, 내열성도 높기 때문이다.

또한, 수지 조성물은, 형태에 따라, 용제형, 에멀전형, 무용제형으로 분류되지만, 모두 사용 가능하다. 이들 중에서도 무용제형이 바람직하다. 그 이유는, 생산성, 환경 특성의 면이 우수하기 때문이다. 또한, 그 이유는, 수지층(14)을 형성할 때의 경화 시, 즉 가열 경화, 자외선 경화 또는 전자선 경화 시에 발포를 발생하는 용제를 포함하지 않기 때문에, 수지층(14) 중에 기포가 잔류하기 어렵기 때문이다.

부가 반응형이며, 또한 무용제형인 실리콘 수지 조성물로서는, 비닐기를 갖는 직쇄상 폴리오르가노실록산과, 히드로실릴기를 갖는 메틸히드로겐폴리실록산을 포함하는 것이 있다. 이 실리콘 수지 조성물은, 백금 촉매의 존재 하에서 가열 경화되어, 실리콘 수지층으로 된다.

수지 조성물의 도포 방법은, 예를 들어 스프레이 코트법, 다이 코트법, 스핀 코트법, 딥 코트법, 롤 코트법, 바 코트법, 스크린 인쇄법, 그라비아 코트법 등이 있다. 이들 도포 방법은, 수지 조성물의 종류에 따라 적절히 선택된다.

수지 조성물의 도포 시공량은, 수지 조성물의 종류 등에 따라 적절히 선택된다. 예를 들어, 상기 실리콘 수지 조성물의 경우, 바람직하게는 1 내지 100g/㎡, 보다 바람직하게는 5 내지 20g/㎡이다.

수지 조성물의 경화 조건은, 수지 조성물의 종류 등에 따라 적절히 선택된다. 예를 들어, 상기 실리콘 수지 조성물로서, 직쇄상 폴리오르가노실록산과 메틸히드로겐폴리실록산의 합계량 100질량부에 대하여, 백금계 촉매를 2질량부 배합한 경우, 대기 중에서 가열하는 온도는, 50℃ 내지 250℃, 바람직하게는 100℃ 내지 200℃이다. 또한, 이 경우의 반응 시간은 5 내지 60분간, 바람직하게는 10 내지 30분간으로 한다. 수지 조성물의 경화 조건이 상기 반응 시간의 범위 및 반응 온도의 범위이면, 실리콘 수지의 산화 분해가 동시에 일어나지 않고, 저분자량의 실리콘 성분이 생성되지 않아, 실리콘 이행성이 높아지지 않는다.

상기 (1) 및 (2)의 방법에 있어서, 압착은, 클린도가 높은 환경 하에서 실시되는 것이 바람직하다. 압착의 방식으로서는, 롤식, 프레스식 등이 있다. 압착을 실시하는 분위기는, 대기압 분위기여도 되지만, 기포의 혼입을 억제하기 위해서, 감압 분위기인 것이 바람직하다. 압착을 실시하는 온도는, 실온보다 높은 온도여도 되지만, 수지층(14)의 열화를 방지하기 위해서, 실온인 것이 바람직하다.

(적층체의 제조 방법)

도 2는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법을 도시하는 평면도이다. 도 3은 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법을 도시하는 측면도이다. 도 4는 본 발명의 일 실시 형태에 따른 적층체의 제조 방법에 의해 얻어지는 적층체의 측면도이다. 또한, 도 4에 있어서, 가공 전의 적층체 블록의 상태를 이점쇄선으로 나타낸다.

적층체의 제조 방법은, 내충격성을 향상시키기 위해서, 적층체 블록(11)의 측연부(11a)를 모따기 가공함으로써, 적층체를 얻는 방법이다. 적층체 블록(11)의 측연부(11a)는, 예를 들어 둥그스름한 형상으로 가공되어도 되고, 구체적으로는, 가공 후 중 적어도 일부의 단면 형상이, 예를 들어 원호 형상 부분, 타원호 형상 부분 또는 포물선 형상 부분을 포함하는 곡면 형상이어도 된다. 또한, 적층체 블록(11)의 측연부(11a)의 가공 후의 단면 형상은 다각 형상이어도 된다.

적층체의 제조 방법은, 적층체 블록(11)의 측연부(11a)를 지석(21)으로 연삭하는 공정을 갖는다. 지석(21)은 원판 형상으로 형성된 회전하는 지석이며, 지석(21)의 외주면(21a)에는 전체 둘레에 걸쳐서 연삭홈(22)(도 3)이 형성되어 있다. 연삭홈(22)의 벽면(22a)이 연삭면이며, 적층체 블록(11)의 측연부(11a)의 가공 후의 단면 형상은, 연삭홈(22)의 단면 형상과 동일한 형상으로 된다. 지석(21)의 형상은 원판 형상으로 한정되지 않고, 원통 형상이어도 된다.

연삭홈(22)은, 예를 들어 연삭홈(22)의 폭 방향 양단부(22b, 22c)로부터 연삭홈(22)의 폭 방향 내측을 향함에 따라 깊어지도록 형성되어 있다. 예를 들어, 연삭홈(22)은 폭 방향 양단부(22b, 22c)로부터 연삭홈(22)의 폭 방향 중앙부(22d)를 향함에 따라 깊어지도록 형성되어 있다.

연삭홈(22)의 벽면(22a)은, 예를 들어 단면 원호 형상의 저면(22a-1)과, 저면(22a-1)의 양 단부 가장자리로부터 외주면(21a)까지 연장하는 2개의 측면(22a-2, 22a-3)으로 구성된다. 2개의 측면(22a-2, 22a-3)은 저면(22a-1)과 원활하게 연결된다.

연삭 공정에 있어서, 연삭홈(22)의 벽면(22a)과 적층체 블록(11)의 측연부(11a)가 접촉된 상태에서, 지석(21)이 지석(21)의 둘레 방향으로 회전(도 2의 X 방향)함으로써, 적층체 블록(11)의 측연부(11a)가 연삭된다. 그 결과, 도 1에 도시하는 기판(12), 수지층(14) 및 지지판(15)은, 각각 도 3에 도시하는 측연부(12a, 14a, 15a)가 삭감되고, 도 4에 도시하는 기판(32), 수지층(34) 및 지지판(35)으로 된다. 따라서, 도 1에 도시하는 적층체 블록(11)의 측연부(11a)를 모따기 가공함으로써 얻어지는 적층체(31)는 적층체 블록(11)과 마찬가지로, 기판(32)과, 기판(32)을 보강하는 보강판(33)을 갖는다. 보강판(33)은 기판(32)에 박리 가능하게 결합하는 수지층(34)과, 수지층(34)을 개재해서 기판(32)을 지지하는 지지판(35)을 갖는다.

연삭 공정에 있어서, 적층체 블록(11)의 적층 방향과 지석(21)의 회전축 방향은 대략 평행하게 배치되어 있는 것이 바람직하고, 적층체 블록(11)의 측연부(11a)의 둘레 방향을 따라 지석(21)이 상대적으로 이동(도 2의 Y 방향)된다. 따라서, 적층체 블록(11)의 측연부(11a)가 둘레 방향 전체 둘레에 걸쳐 연삭된다. 또한, 측연부(11a)의 둘레 방향 일부만이 연삭되어도 된다. 또한, 지석(21)측이 이동해도 되고, 적층체 블록(11)측이 이동해도 되고, 양측이 이동해도 된다.

연삭 공정에 있어서, 수지층(14)과 기판(12)의 계면(16), 및 수지층(14)과 지지판(15)의 계면(17)은, 각각 연삭홈(22)의 최심부(본 실시 형태에서는, 폭 방향 중앙부(22d))에 대하여, 연삭홈(22)의 폭 방향으로 오프셋되어 있다. 그로 인해, 계면(16, 17)은 각각 지석(21)의 연삭면인 벽면(22a)에 대하여, 수직이 아닌, 비스듬히 접촉된다. 또한, 계면(16, 17)은 연삭홈(22)의 최심부에 대하여, 연삭홈(22)의 폭 방향 한쪽에 오프셋되어 있다.

그런데, 벽면(22a)에 포함되는 지립에 의해, 적층체 블록(11)의 측면에 마이크로 균열이 발생하는 경우, 마이크로 균열은 벽면(22a)에 대하여 비스듬히 신전하는 경향이 있다.

본 실시 형태에서는, 계면(16, 17)이 지석(21)의 벽면(22a)에 대하여 비스듬히 접촉되므로, 계면(16, 17)을 향하여 적층체 블록(11)의 측면으로부터 비스듬히 마이크로 균열이 신전하는 것을 억제할 수 있다. 따라서, 연삭에 의한 기판(12) 및 지지판(15) 중 적어도 한쪽 코너부 절결의 발생을 저감할 수 있고, 측면에 오목부가 거의 없는 적층체(31)가 얻어진다. 이 효과는 기판(12) 및 지지판(15) 중 적어도 한쪽이 취성 재료로 구성되는 경우에 현저하다. 취성 재료로서는, 유리, 세라믹스, 금속 실리콘 등을 들 수 있다.

또한, 본 실시 형태의 지석(21)은 외주면(21a)에 연삭홈(22)을 갖지만, 갖고 있지 않아도 되고, 이 경우, 지석(21)의 외주면(21a)이 연삭면이며, 지석(21)의 회전축을 계면(16, 17)에 대하여 비스듬히 접촉된다.

연삭 공정에 있어서, 연삭홈(22)의 최심부(본 실시 형태에서는, 폭 방향 중앙부(22d))는, 도 3에 도시한 바와 같이, 지지판(15)의 측연부(15a)와 접촉된다. 따라서, 연삭 후에, 도 4에 도시한 바와 같이, 지지판(35)이 기판(32)보다 외측으로 돌출되게 되므로, 제품으로 되는 기판(32)의 손상을 저감할 수 있다.

또한, 연삭 공정에 있어서, 계면(16, 17)은 도 3에 도시한 바와 같이, 단면 원호 형상의 저면(22a-1)과 접촉된다. 따라서, 연삭 전에, 상기 오프셋의 양을 조절함으로써, 연삭면인 벽면(22a)과 계면(16, 17)의 이루는 각을 조절할 수 있다.

도 5a 내지 도 5c는 연삭면인 벽면과 계면의 이루는 각과, 오프셋양의 관계의 일례를 나타내는 측면도로, 도 5a는 오프셋양이 작을 때의 측면도, 도 5b는 오프셋양이 중간일 때의 측면도, 도 5c는 오프셋양이 클 때의 측면도이다.

도 5a 내지 도 5c에 있어서, T1은 기판(12)의 두께, T2는 지지판(15)의 두께를 나타낸다. 또한, 수지층(14)의 두께는, 기판(12)의 두께나 지지판(15)의 두께에 비해, 무시할 수 있을만큼 작으므로, 수지층(14)을 개재하지 않고, 기판(12)과 지지판(15)이 접합되어 있는 것으로 했다. 덧붙이면, 수지층(14)의 유무에 따라, 후술하는 계산 결과(θ와 D의 관계)는 거의 변동되지 않는다. θ는 기판(12)과 지지판(15)의 접합면(18)(계면(16, 17)에 상당)과, 연삭홈(22)의 기판(12)측의 벽면(22a)을 이루는 각을 나타낸다. D는 연삭홈(22)의 최심부(본 실시 형태에서는, 폭 방향 중앙부(22d))에 대한 접합면(18)의 오프셋양을 나타낸다. R은 저면(22a-1)의 곡률 반경을 나타낸다.

예를 들어, T1=0.3㎜, T2=0.4㎜, R=0.4㎜인 경우에, D가 0.05㎜(도 5a), 0.15㎜(도 5b), 0.25㎜(도 5c)로 단계적으로 증가하면, θ는 81.9°(도 5a), 65.1°(도 5b), 45.4°(도 5c)로 단계적으로 작아진다.

또한, 본 실시 형태에서는, 연삭홈(22)의 저면(22a-1)만이 단면 원호 형상으로 형성되어 있지만, 예를 들어 연삭홈(22)의 벽면(22a)이 전체적으로 단면 원호 형상으로 형성되어 있어도 되고, 단면 원호 형상의 부분의 위치는 특별히 한정되지 않는다.

또한, 적층체 블록(11)은 연삭 공정 전에, 적층체 블록(11)을 소정 치수로 절단하는 공정에 제공되어도 된다.

(전자 디바이스의 제조 방법)

전자 디바이스를 제조하는 방법은, 적층체(31)의 기판(32) 위 중 적어도 일부 영역에, 소정의 기능층(예를 들어, 도전층)을 형성하는 형성 공정과, 소정의 기능층을 형성한 기판(32)으로부터 보강판(33)을 박리하는 박리 공정을 갖는다. 또한, 적층체(31)는 전자 디바이스의 제조 공정에 제공되기 전에, 기판(32)을 연마하는 공정에 제공되어도 된다.

형성 공정에서는, 소정의 기능층을 기판(32) 위에 형성하는 방법으로서, 예를 들어 포토리소그래피법이나 에칭법, 증착법 등이 사용된다. 또한, 기능층을 패턴 형성하기 위해서, 레지스트액 등의 코팅액이 사용된다.

본 실시 형태의 적층체(31)는, 도 9에 나타내는 종래의 적층체(131)와 달리, 연삭에 의한 기판(12) 및 지지판(15) 중 적어도 한쪽 코너부 절결의 발생을 저감할 수 있고, 적층체(31)의 측면에 오목부가 거의 없으므로, 기판(32) 위에 코팅액을 도포했을 때 적층체(31)의 측면에 부착된 코팅액의 제거가 용이하다. 따라서, 전자 디바이스의 제조 공정의 열처리를 수반하는 공정에 있어서, 코팅액의 잔사가 발진원으로 되는 것을 방지할 수 있어, 전자 디바이스의 수율을 향상시킬 수 있다.

박리 공정에서는, 기판(32)으로부터 보강판(33)을 박리하는 방법으로서, 예를 들어 보강판(33)을 구성하는 수지층(34)과 기판(32) 사이에 면도칼 등을 자입해서 간극을 만든 후, 기판(32)측과 지지판(35)측을 떼어내는 방법이 사용된다.

전자 디바이스를 제조하는 방법은, 박리 공정 후, 기판(32) 위 중, 기능층 미형성 영역이나 이미 형성된 기능층 위에 다른 기능층을 적층하는 공정을 더 가져도 된다.

또한, 전자 디바이스를 제조하는 방법은, 소정의 기능층을 형성한 2조의 적층체(31)를 사용하여, 전자 디바이스를 조립하고, 그 후 2조의 적층체(31)의 기판(32)으로부터 각각 보강판(33)을 박리하는 방법이어도 된다.

이어서, 전자 디바이스의 제조 방법의 구체예에 대하여 설명한다.

액정 디스플레이(LCD)의 제조 방법은, 예를 들어 적층체의 기판 위에 박막 트랜지스터(TFT) 등을 형성하여 TFT 기판을 제작하는 TFT 기판 제작 공정과, 다른 적층체의 기판 위에 컬러 필터(CF) 등을 형성하여, CF 기판을 제작하는 CF 기판 제작 공정을 갖는다. 또한, 액정 디스플레이의 제조 방법은, TFT 기판과 CF 기판 사이에 액정재를 밀봉하는 조립 공정과, 각 적층체의 기판으로부터 보강판을 박리하는 박리 공정을 갖는다.

TFT 기판 제작 공정이나 CF 기판 제작 공정에서는, TFT나 CF를 형성하는 방법으로서, 예를 들어 포토리소그래피법이나 에칭법 등이 사용된다. 또한, TFT나 CF 등을 패턴 형성하기 위해서, 코팅액으로서 레지스트액이 사용된다.

또한, TFT 기판 제작 공정이나 CF 기판 제작 공정 전에, 적층체의 기판 표면이 세정되어도 된다. 세정 방법으로서는, 주지의 드라이 세정이나 웨트 세정이 사용된다.

조립 공정에서는, TFT 기판과 CF 기판 사이에, 액정재가 주입된다. 액정재를 주입하는 방법으로서는, 감압 주입법 또는 적하 주입법이 있다.

감압 주입법에서는, 예를 들어 우선, 시일재 및 스페이서재를 개재하여, TFT 기판과 CF 기판이 접합되어, 대형 패널이 제작된다. 이때, TFT나 CF가 대향하여 배치되도록, 대형 패널이 제작되고, 복수의 셀로 절단된다. 계속해서, 각 셀의 내부가 감압 분위기로 되고, 각 셀의 측면에 설치된 주입 구멍으로부터 각 셀의 내부에 액정재가 주입된 후, 주입 구멍이 밀봉된다. 계속해서, 각 셀에, 편광판이 부착되고, 백라이트 등이 부착됨으로써, 액정 디스플레이가 제조된다.

적하 주입법에서는, 예를 들어 우선, TFT 기판의 TFT 형성면 및 CF 기판의 CF 형성면 중 어느 한쪽에 액정재가 적하되고, 그 후 시일재 및 스페이서재를 개재하여, TFT 기판과 CF 기판이 접합되어, 대형 패널이 제작된다. 이때, TFT나 CF가 대향하여 배치되도록, 대형 패널이 제작된다. 그 후, 대형 패널은, 복수의 셀로 절단된다. 계속해서, 셀에 편광판이 부착되고, 백라이트 등이 부착됨으로써, 액정 디스플레이가 제조된다.

박리 공정은 TFT 기판 제작 공정이나 CF 기판 제작 공정 후이며, 조립 공정 전에 행해져도 되고, 조립 공정 도중에 행해져도 된다. 박리 공정은 감압 주입법에 의한 조립 공정 도중에 행해지는 경우, 대형 패널을 제작한 후이며, 대형 패널을 복수의 셀로 절단하기 전에 행해져도 되고, 각 셀에 액정재를 밀봉한 후이며, 각 셀에 편광판을 부착하기 전에 행해져도 된다. 또한, 박리 공정은 적하 주입법에 의한 조립 공정 도중에 행해지는 경우, 대형 패널을 제작한 후이며, 대형 패널을 복수의 셀로 절단하기 전에 행해져도 되고, 대형 패널을 복수의 셀로 절단한 후이며, 각 셀에 편광판을 부착하기 전에 행해져도 된다.

유기 EL 디스플레이(OLED)의 제조 방법은, 예를 들어 적층체의 기판 위에, 유기 EL 소자를 형성하는 유기 EL 소자 형성 공정과, 유기 EL 소자가 형성된 기판과 대향 기판을 접합하는 접합 공정과, 적층체의 기판으로부터 보강판을 박리하는 박리 공정을 갖는다.

유기 EL 소자 형성 공정에서는, 유기 EL 소자를 형성하는 방법으로서, 예를 들어 포토리소그래피법이나 증착법 등이 사용된다. 또한, 유기 EL 소자를 패턴 형성하기 위해서, 코팅액으로서 레지스트액이 사용된다. 유기 EL 소자는, 예를 들어 투명 전극층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층 등을 포함해서 이루어진다.

또한, 유기 EL 소자 형성 공정 전에, 필요에 따라, 적층체의 기판 표면이 세정되어도 된다. 세정 방법으로서는, 주지의 드라이 세정이나 웨트 세정이 사용된다.

접합 공정에서는, 유기 EL 소자가 형성된 기판이 복수의 셀로 절단되고, 각 셀에 대향 기판이 부착됨으로써, 유기 EL 디스플레이가 제작된다.

박리 공정은, 예를 들어 유기 EL 소자 형성 공정 후이며, 접합 공정 전에 행해져도 되고, 접합 공정 도중이나 후에 행해져도 된다.

태양 전지의 제조 방법은, 예를 들어 적층체의 기판 위에, 태양 전지 소자를 형성하는 태양 전지 소자 형성 공정과, 적층체의 기판으로부터 보강판을 박리하는 박리 공정을 갖는다.

태양 전지 소자 형성 공정에서는, 태양 전지 소자를 형성하는 방법으로서, 예를 들어 포토리소그래피법이나 증착법 등이 사용된다. 또한, 태양 전지 소자를 패턴 형성하기 위해서, 코팅액으로서 레지스트액이 사용된다. 태양 전지 소자는, 예를 들어 투명 전극층, 반도체층 등을 포함해서 이루어진다.

박리 공정은, 예를 들어 태양 전지 소자 형성 공정 후에 행해진다.

이상, 본 발명의 일 실시 형태에 대하여 설명했지만, 본 발명은 상기 실시 형태에 제한되지 않는다. 본 발명의 범위를 일탈하지 않고, 상기 실시 형태에 다양한 변형 및 치환을 더할 수 있다.

본 출원은, 2011년 6월 23일 출원의 일본 특허 출원 2011-139630에 기초하는 것으로, 그 내용은 여기에 참조로서 받아들여진다.

11 : 적층체 블록
12 : 기판
13 : 보강판
14 : 수지층
15 : 지지판
16 : 수지층과 기판의 계면
17 : 수지층과 지지판의 계면
21 : 지석
21a : 외주면
22 : 연삭홈
22a : 벽면
22a-1 : 저면
22a-2 : 측면
22a-3 : 측면
22d : 최심부
31 : 적층체

Claims (6)

1. 기판과, 상기 기판을 보강하는 보강판을 갖고, 상기 보강판이 상기 기판에 박리 가능하게 결합하는 수지층 및 상기 수지층을 개재해서 상기 기판을 지지하는 지지판을 갖는 적층체 블록의 측연부를 모따기 가공함으로써 적층체를 얻는, 적층체의 제조 방법으로서,
   상기 적층체 블록의 측연부를 원판 형상 또는 원통 형상의 회전하는 지석으로 연삭하는 연삭 공정을 갖고,
   상기 연삭 공정에 있어서, 상기 지석의 연삭면은, 상기 수지층과 상기 기판의 계면, 및 상기 수지층과 상기 지지판의 계면에 대하여 비스듬히 접촉되는 적층체의 제조 방법.
2. 제1항에 있어서,
   상기 지석의 외주면에는 연삭홈이 형성되어 있고,
   상기 연삭 공정에 있어서,
   상기 연삭면인 상기 연삭홈의 벽면과 상기 적층체 블록의 측연부가 접촉된 상태에서, 상기 지석이 상기 지석의 둘레 방향으로 회전됨으로써, 상기 적층체 블록의 측연부가 연삭되고,
   상기 수지층과 상기 기판의 계면, 및 상기 수지층과 상기 지지판의 계면은, 각각 상기 연삭홈의 최심부에 대하여, 상기 연삭홈의 폭 방향으로 오프셋되어, 상기 연삭홈의 벽면에 대하여 비스듬히 접촉되는 적층체의 제조 방법.
3. 제2항에 있어서,
   상기 연삭 공정에 있어서,
   상기 연삭홈의 최심부는 상기 지지판의 측연부와 접촉되는 적층체의 제조 방법.
4. 제2항 또는 제3항에 있어서,
   상기 연삭홈의 벽면은 단면 원호 형상의 부분을 갖고,
   상기 연삭 공정에 있어서,
   상기 수지층과 상기 기판의 계면, 및 상기 수지층과 상기 지지판의 계면은, 각각 상기 단면 원호 형상의 부분과 접촉되는 적층체의 제조 방법.
5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
   상기 기판 및 상기 지지판 중 적어도 한쪽이 취성 재료로 구성되는 적층체의 제조 방법.
6. 기판과, 상기 기판을 보강하는 보강판을 갖고, 상기 보강판이 상기 기판에 박리 가능하게 결합하는 수지층 및 상기 수지층을 개재해서 상기 기판을 지지하는 지지판을 갖는 적층체로서,
   상기 적층체의 측면이, 상기 수지층과 상기 기판의 계면, 및 상기 수지층과 상기 지지판의 계면에 대하여 비스듬한 적층체.

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