TWI655089B - Method for manufacturing electronic device, method for manufacturing glass laminate - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種電子裝置之製造方法，其具備：步驟(1)，其係於暫時支持體上形成與上述暫時支持體側為相反側之表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層；步驟(2)，其係於上述聚醯亞胺樹脂層上配置厚度0.2mm以下之玻璃基板，而獲得玻璃積層體；步驟(3)，其係於上述玻璃基板之表面上配置電子裝置用構件，而獲得附有構件之玻璃積層體；及步驟(4)，其係自上述附有構件之玻璃積層體去除上述暫時支持體，而獲得包括上述聚醯亞胺樹脂層、上述玻璃基板及上述電子裝置用構件之電子裝置。

Description

電子裝置之製造方法、玻璃積層體之製造方法
本發明係關於一種電子裝置之製造方法、及玻璃積層體之製造方法。
近年來，太陽電池(PV)、液晶面板(LCD)、有機EL面板(OLED)等裝置(電子設備)之薄型化、輕量化不斷進行，而用於該等裝置之玻璃基板之薄板化推進。若因薄板化而導致玻璃基板之強度不足，則於裝置之製造步驟中，玻璃基板之處理性降低。
因此，揭示有將樹脂層等配置於玻璃基板上而補強玻璃基板之技術(例如專利文獻1)。然而，近來，經薄膜化之玻璃基板之尺寸進一步擴大，而難以於此種玻璃基板上形成性狀優異之樹脂層。例如，若對玻璃基板上賦予樹脂層形成用組合物，則玻璃基板彎曲，而難以形成厚度均勻之塗膜。
另一方面，作為於玻璃基板上形成樹脂層之方法之一，提出有轉印法(專利文獻2)。更具體而言，於專利文獻2之實施例欄中，揭示有如下態樣：於剝離性輔助基板之顯示易剝離性之表面上形成依序具有未硬化之硬化性樹脂組合物層及玻璃基板之硬化前積層體，其後，使硬化前積層體中之未硬化之硬化性樹脂組合物層硬化，而獲得具有樹脂層之硬化後積層體，進而，由硬化後積層體獲得具有玻璃基板及與其表面接觸之樹脂層的附有樹脂層之玻璃基板。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特表2002-542971號
[專利文獻2]國際公開第2013/054792號
近年來，就耐熱性優異方面而言，聚醯亞胺樹脂層備受矚目。
本發明者等人參照專利文獻2中所記載之轉印法，使用包含相當於聚醯亞胺樹脂之前驅物之聚醯胺酸的組合物作為硬化性樹脂組合物，嘗試製造上述附有樹脂層之玻璃基板。更具體而言，於剝離性輔助基板上塗佈包含聚醯胺酸之組合物，而形成未硬化之硬化性樹脂組合物層，於其上積層玻璃基板，並實施加熱處理，結果於所獲得之樹脂層(聚醯亞胺樹脂層)與玻璃基板之界面產生發泡。推測發泡係因所謂之醯亞胺化時產生之水之揮發所導致者。因此，產生發泡之部分之玻璃基板表面隆起，而玻璃基板表面之平坦性受損。如此，若玻璃基板表面上之平坦性變差，則於將各種電子裝置用構件配置於玻璃基板表面上時容易產生位置偏移，結果導致電子裝置之生產性較差。
又，若於樹脂層(聚醯亞胺樹脂層)與玻璃基板之界面產生發泡，則亦成為樹脂層與玻璃基板之密接性受損之原因。
本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種電子裝置之製造方法，該方法可簡便地製造包括電子裝置用構件、玻璃基板、及用以補強上述玻璃基板之聚醯亞胺樹脂層之電子裝置，且於所獲得之電子裝置中玻璃基板與聚醯亞胺樹脂層之間產生發泡受到抑制，而兩者之密接性優異。
又，本發明之目的亦在於提供一種可較佳地用於上述電子裝置之製造、且包括暫時支持體、聚醯亞胺樹脂層、及玻璃基板的玻璃積層體之製造方法。
本發明者等人為了解決上述問題而進行努力研究，結果完成本發明。
即，本發明之第1態樣係一種電子裝置之製造方法，其具備：步驟(1)，其係於暫時支持體上形成與暫時支持體側為相反側之表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層；步驟(2)，其係於聚醯亞胺樹脂層上配置厚度0.2mm以下之玻璃基板，而獲得玻璃積層體；步驟(3)，其係於玻璃基板之表面上配置電子裝置用構件，而獲得附有構件之玻璃積層體；及步驟(4)，其係自附有構件之玻璃積層體去除暫時支持體，而獲得包括聚醯亞胺樹脂層、玻璃基板及電子裝置用構件之電子裝置。
於第1態樣中，較佳為步驟(1)具備：步驟(A)，其係於暫時支持體上塗佈包含聚醯胺酸之組合物，而形成包含聚醯胺酸之塗膜；步驟(B)，其係於塗膜表面上賦予矽烷偶合劑；及步驟(C)，其係對塗膜實施加熱處理，而獲得與暫時支持體側為相反側之表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層。
於第1態樣中，較佳為步驟(1)具備：步驟(D)，其係於暫時支持體上形成聚醯亞胺樹脂層；及步驟(E)，其係對聚醯亞胺樹脂層表面上賦予矽烷偶合劑，而獲得與暫時支持體側為相反側之表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層。
於第1態樣中，較佳為步驟(2)係如下步驟(2')，該步驟(2')係將具有較聚醯亞胺樹脂層之外形尺寸小之外形尺寸的玻璃基板以於聚醯亞胺樹脂層上留有不與玻璃基板接觸之周緣區域之方式積層於聚醯亞胺樹脂層上，且於步驟(2)與步驟(3)之間進而具備如下步驟(5)，該步驟(5)係沿玻璃基板之外周緣，將玻璃積層體中之聚醯亞胺樹脂層及暫時支持體切斷。
本發明之第2態樣係一種玻璃積層體之製造方法，該玻璃積層體依序具有暫時支持體、與暫時支持體側為相反側之表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層、及玻璃基板，且用於在玻璃基板之表面上配置電子裝置用構件，其後，將暫時支持體去除，而獲得包括聚醯亞胺樹脂層、玻璃基板及電子裝置用構件之電子裝置，並且該玻璃積層體之製造方法具備：步驟(1)，其係於暫時支持體上形成與暫時支持體側為相反側之表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層；及步驟(2)，其係於聚醯亞胺樹脂層上配置厚度0.2mm以下之玻璃基板，而獲得玻璃積層體。
於第2態樣中，較佳為步驟(1)具備：步驟(A)，其係於暫時支持體上塗佈包含聚醯胺酸之組合物，而形成包含聚醯胺酸之塗膜；步驟(B)，其係對塗膜表面上賦予矽烷偶合劑；及步驟(C)，其係對塗膜實施加熱處理，而獲得與暫時支持體側為相反側之表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層。
於第2態樣中，較佳為步驟(1)具備：步驟(D)，其係於暫時支持體上形成聚醯亞胺樹脂層；及步驟(E)，其係對聚醯亞胺樹脂層表面上賦予矽烷偶合劑，而獲得與暫時支持體側為相反側之表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層。
於第2態樣中，較佳為步驟(2)係如下步驟(2')，該步驟(2')係將具有較聚醯亞胺樹脂層之外形尺寸小之外形尺寸的玻璃基板以於聚醯亞胺樹脂層上留有不與玻璃基板接觸之周緣區域之方式積層於聚醯亞胺樹脂層上，且於步驟(2)後進而具備如下步驟(5)，該步驟(5)係沿玻璃基板之外周緣，將玻璃積層體中之聚醯亞胺樹脂層及暫時支持體切斷。
根據本發明，可提供一種電子裝置之製造方法，其可簡便地製 造包括電子裝置用構件、玻璃基板、及用以補強上述玻璃基板之聚醯亞胺樹脂層的電子裝置，且於所獲得之電子裝置中玻璃基板與聚醯亞胺樹脂層之間之產生發泡受到抑制，而兩者之密接性優異。
又，根據本發明，亦可提供一種可較佳地用於上述電子裝置之製造、且包括暫時支持體、聚醯亞胺樹脂層、及玻璃基板的玻璃積層體之製造方法。
10‧‧‧暫時支持體
12‧‧‧聚醯亞胺樹脂層
12a‧‧‧表面
12b‧‧‧周緣區域
14‧‧‧玻璃基板
14a‧‧‧第1主面
14b‧‧‧第2主面
16‧‧‧電子裝置用構件
100‧‧‧玻璃積層體
110‧‧‧附有構件之玻璃積層體
120‧‧‧電子裝置
200‧‧‧玻璃積層體
300‧‧‧切斷後積層體
圖1係表示本發明之電子裝置之製造方法之第1實施形態之製造步驟的流程圖。
圖2(A)~(D)係按步驟順序表示本發明之電子裝置之製造方法之第1實施形態的模式剖視圖。
圖3係表示本發明之電子裝置之製造方法之第2實施形態之製造步驟的流程圖。
圖4(A)~(E)係按步驟順序表示本發明之電子裝置之製造方法之第2實施形態的模式剖視圖。
圖5(A)係步驟(2')中所獲得之玻璃積層體之俯視圖。圖5(B)係聚醯亞胺樹脂層之周緣部附近之放大剖視圖。圖5(C)係於圖5(B)中之聚醯亞胺樹脂層上積層有玻璃基板時之放大剖視圖。
以下，參照圖式對用以實施本發明之形態進行說明，但本發明並不限制於以下之實施形態，可不脫離本發明之範圍而對以下之實施形態施加各種變化及置換。
作為本發明之電子裝置及玻璃積層體之製造方法之特徵點之一，可列舉如下方面：於暫時支持體上配置表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層，並轉印至玻璃基板上。
如上所述，於欲於經薄膜化之玻璃基板表面設置某些層而對其 表面賦予各種材料之情形時，難以形成均勻之塗膜，即便形成有塗膜，若為了實施其後之處理(例如乾燥處理)而欲搬送玻璃基板，則玻璃基板亦會彎曲，塗膜之厚度產生不均，而導致設置於玻璃基板表面之層(例如樹脂層)產生破裂。又，於對玻璃基板表面上直接賦予各種材料之情形時，通常玻璃基板之與賦予材料之側為相反側之表面與用以支持玻璃基板之構件接觸。若上述構件接觸，則亦有成為於玻璃基板表面發生損傷等表面性狀變差之主要原因，而於其後之電子裝置用構件之製造時產生不良影響之虞。又，多數情況下於玻璃基板上塗佈時固定於真空吸附台，但若玻璃基板之板厚較薄，則容易因吸附孔與接觸部之溫度差而產生塗膜之偏液、乾燥不均。
對此，於本發明中，於暫時支持體上暫時設置聚醯亞胺樹脂層並轉印至玻璃基板，故而對玻璃基板進行操作之次數變少，可降低對玻璃基板表面之損傷。又，先於暫時支持體上形成聚醯亞胺樹脂層，故而更容易控制聚醯亞胺樹脂層之厚度。進而，聚醯亞胺樹脂層表面經矽烷偶合劑處理，故而對玻璃基板之密接性優異。因此，可如下所述般，於玻璃積層體中之玻璃基板上形成電子裝置用構件，此後，以暫時支持體與聚醯亞胺樹脂層之界面作為剝離面，將暫時支持體容易地去除。
如此，根據本發明，可簡便地製造特定之電子裝置。又，本發明之玻璃積層體亦可謂可較佳地用於簡便地製造包括作為薄玻璃基板之補強層而發揮功能之聚醯亞胺樹脂層及玻璃基板之電子裝置。
[第1實施形態]
圖1係表示本發明之電子裝置之製造方法之第1實施形態之製造步驟的流程圖。如圖1所示，電子裝置之製造方法具備：聚醯亞胺樹脂層形成步驟S102(相當於步驟(1))，其係於暫時支持體上配置特定之聚醯亞胺樹脂層；玻璃基板積層步驟S104(相當於步驟(2))，其係於聚 醯亞胺樹脂層上配置玻璃基板；構件形成步驟S106(相當於步驟(3))，其係於玻璃基板上配置電子裝置用構件；及分離步驟S108(步驟(4))，其係分離而獲得電子裝置。
又，圖2(A)~(D)係依序表示本發明之電子裝置之製造方法之第1實施形態之各製造步驟的模式剖視圖。
以下，一面參照圖1及圖2(A)~(D)，一面對各步驟中所使用之材料及其順序進行詳述。首先，對聚醯亞胺樹脂層形成步驟S102進行詳述。
<步驟(1)：聚醯亞胺樹脂層形成步驟S102>
步驟(1)係於暫時支持體上形成與暫時支持體側為相反側之表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層的步驟。如圖2(A)所示，藉由實施本步驟，而獲得於暫時支持體10上配置有表面12a經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層12之積層體。
以下，首先對本步驟中所使用之構件、材料進行詳述，其後對步驟之順序進行詳述。
(暫時支持體)
暫時支持體10係於下述步驟(4)之前支持聚醯亞胺樹脂層之基板，於步驟(4)時與聚醯亞胺樹脂層12分離。即，暫時支持體10係與聚醯亞胺樹脂層12可剝離地密接。
作為暫時支持體10，只要可與聚醯亞胺樹脂層12剝離，則其種類並無特別限制，可使用公知之基板。例如，作為暫時支持體，可使用玻璃板、塑膠板(例如聚矽氧基板)、SUS板等金屬板、或將該等積層而成之基板等。
再者，如下所述，於製造聚醯亞胺樹脂層12時使用調平劑(表面調整劑)之情形時(換言之，於聚醯亞胺樹脂層中含有調平劑之情形時)，藉由調平劑之效果，無論暫時支持體之材料之種類為何，暫時 支持體10與聚醯亞胺樹脂層12之兩者均容易剝離。
暫時支持體10之厚度並無特別限制，可厚於所積層之聚醯亞胺樹脂層12，亦可薄於所積層之聚醯亞胺樹脂層12。關於暫時支持體10之厚度，就可使用現行之製造裝置方面、及操作性方面而言，較佳為0.3~3.0mm，更佳為0.5~1.0mm。
再者，視需要亦可將暫時支持體10之表面利用聚矽氧系脫模劑(例如二甲基聚矽氧烷之類的聚矽氧油)或其他脫模劑進行處理，而提高與聚醯亞胺樹脂層12之剝離性。作為如上所述之脫模處理之具體方法，可列舉使上述聚矽氧系脫模劑接觸暫時支持體10之表面上並進行燒接處理(例如350℃左右)之方法。
(聚醯亞胺樹脂層)
聚醯亞胺樹脂層12係配置於上述暫時支持體10上之層，且表面12a(與暫時支持體10側為相反側之表面)經矽烷偶合劑處理。聚醯亞胺樹脂層12係如下所述般於玻璃基板積層步驟S104中藉由表面12a與玻璃基板14接觸而轉印至玻璃基板14上。
聚醯亞胺樹脂層12之厚度並無特別限制，就於步驟(4)時容易使刀侵入至暫時支持體10與聚醯亞胺樹脂層12之間而產生剝離起點方面而言，較佳為1μm以上，就剝離性方面而言，更佳為2μm以上，進而較佳為4μm以上。再者，上限並無特別限制，就薄膜化方面而言，較佳為100μm以下，更佳為50μm以下。
再者，上述厚度意指平均厚度，係測定聚醯亞胺樹脂層12之任意5點之厚度並將其等進行算術平均所得者。
聚醯亞胺樹脂層12係包含聚醯亞胺樹脂之層，聚醯亞胺樹脂之結構並無特別限制，可使用公知之聚醯亞胺樹脂。就耐熱性或操作性方面而言，較佳為包含下述式(1)所表示之具有四羧酸類之殘基(X)及二胺類之殘基(A)之重複單元。再者，聚醯亞胺樹脂係含有式(1)所表 示之重複單元作為主成分(相對於全部重複單元較佳為95莫耳%以上)，但亦可含有除此以外之其他重複單元(例如下述式(2-1)或(2-2)所表示之重複單元)。
再者，所謂四羧酸類之殘基(X)，意指自四羧酸類去除羧基所得之四羧酸殘基，所謂二胺類之殘基(A)，意指自二胺類去除胺基所得之二胺殘基。
式(1)中，X表示自四羧酸類去除羧基所得之四羧酸殘基，A表示自二胺類去除胺基所得之二胺殘基。
式(1)中，X表示自四羧酸類去除羧基所得之四羧酸殘基，較佳為包含選自由以下之式(X1)~(X4)所表示之基所組成之群中之至少1種基。其中，就聚醯亞胺樹脂層12之耐熱性更優異方面而言，更佳為X之總數之50莫耳%以上(較佳為80~100莫耳%)包含選自由以下之式(X1)~(X4)所表示之基所組成之群中之至少1種基。進而較佳為X之總數之實質上全部(100莫耳%)包含選自由以下之式(X1)~(X4)所表示之基所組成之群中之至少1種基。又，A表示自二胺類去除胺基所得之二胺殘基，較佳為包含選自由以下之式(A1)~(A8)所表示之基所組成之群中之至少1種基。其中，就聚醯亞胺樹脂層12之耐熱性更優異方面而言，更佳為A之總數之50莫耳%以上(較佳為80~100莫耳%)包含選自由以下之式(A1)~(A8)所表示之基所組成之群中之至少1種基。進而較佳為A之總數之實質上全部(100莫耳%)包含選自由以下之式(A1)~(A8)所表示之基所組成之群中之至少1種基。
再者，就聚醯亞胺樹脂層12之耐熱性更優異方面而言，較佳為X之總數之80~100莫耳%包含選自由以下之式(X1)~(X4)所表示之基所組成之群中之至少1種基，且A之總數之80~100莫耳%包含選自由以下之式(A1)~(A8)所表示之基所組成之群中之至少1種基，更佳為X之總數之實質上全部(100莫耳%)包含選自由以下之式(X1)~(X4)所表示之基所組成之群中之至少1種基，且A之總數之實質上全部(100莫耳%)包含選自由以下之式(A1)~(A8)所表示之基所組成之群中之至少1種基。
其中，就聚醯亞胺樹脂層12之耐熱性更優異方面而言，作為X，較佳為式(X1)所表示之基及式(X4)所表示之基，更佳為式(X1)所表示之基。
又，就聚醯亞胺樹脂層12之耐熱性更優異方面而言，作為A，較佳為式(A1)所表示之基及式(A6)所表示之基，更佳為式(A1)所表示之基。
作為包含式(X1)~(X4)所表示之基與式(A1)~(A8)所表示之基的較佳組合之聚醯亞胺樹脂，可較佳地列舉：X為式(X1)所表示之基且A為式(A1)所表示之基的聚醯亞胺樹脂1、及X為式(X4)所表示之基且A為式(A6)所表示之基的聚醯亞胺樹脂2。於聚醯亞胺樹脂1之情形時，耐熱性更優異。又，於聚醯亞胺樹脂2之情形時，於無色透明性方面較佳。
聚醯亞胺樹脂中之上述式(1)所表示之重複單元之重複數(n)並無特別限制，較佳為2以上之整數，就聚醯亞胺樹脂層12之耐熱性及塗膜之成膜性方面而言，較佳為10~10000，更佳為15~1000。
上述聚醯亞胺樹脂亦可於無損耐熱性之範圍內包含選自由下述所例示之基所組成之群中之1種以上作為四羧酸類之殘基(X)。又，亦可包含2種以上之下述所例示之基。
[化3]
又，上述聚醯亞胺樹脂亦可於無損耐熱性之範圍內包含選自由下述所例示之基所組成之群中之1種以上作為二胺類之殘基(A)。又，亦可包含2種以上之下述所例示之基。
[化4]
聚醯亞胺樹脂層12中之聚醯亞胺樹脂之含量並無特別限制，就聚醯亞胺樹脂層12之耐熱性更優異方面而言，相對於樹脂層總質量，較佳為50~100質量%，更佳為75~100質量%，進而較佳為90~100質量%。
於聚醯亞胺樹脂層12中，視需要亦可含有除上述聚醯亞胺樹脂以外之其他成分(例如不妨礙耐熱性之填料等)。
作為不妨礙耐熱性之填料，可列舉纖維狀之填充劑、或板狀、 鱗片狀、粒狀、不定形狀、破碎品等非纖維狀之填充劑，具體而言，例如可列舉：玻璃纖維、PAN系或瀝青系之碳纖維、不鏽鋼纖維、鋁纖維或黃銅纖維等金屬纖維、石膏纖維、陶瓷纖維、石棉纖維、氧化鋯纖維、氧化鋁纖維、二氧化矽纖維、氧化鈦纖維、碳化矽纖維、岩絨、鈦酸鉀晶須、鈦酸鋇晶須、硼酸鋁晶須、氮化矽晶須、雲母、滑石、高嶺土、二氧化矽、碳酸鈣、玻璃珠、玻璃薄片、玻璃微球、黏土、二硫化鉬、矽灰石、氧化鈦、氧化鋅、多磷酸鈣、石墨(graphite)、金屬粉、金屬薄片、金屬帶、金屬氧化物、碳粉末、石墨(black lead)、碳薄片、鱗片狀碳、奈米碳管等。作為金屬粉、金屬薄片、金屬帶之金屬種類之具體例，可例示：銀、鎳、銅、鋅、鋁、不鏽鋼、鐵、黃銅、鉻、錫等。
再者，就藉由下述矽烷偶合劑與側鏈之羧酸進行化學鍵結而使密接力之控制變得容易方面而言，聚醯亞胺樹脂層12較佳為由包含聚醯胺酸(藉由熱硬化而成為聚醯亞胺樹脂之硬化性樹脂)之層所形成。即，聚醯亞胺樹脂層12較佳為藉由對包含聚醯胺酸之層實施加熱處理而形成之層，進而，更佳為藉由如下方式而形成之層：對藉由熱硬化而成為包含上述式(1)所表示之具有四羧酸類之殘基(X)及二胺類之殘基(A)之重複單元之聚醯亞胺樹脂的硬化性樹脂(聚醯胺酸)之層實施加熱處理。再者，加熱處理亦可改變溫度而階段性地實施。
又，聚醯亞胺樹脂層12之表面12a(與暫時支持體10側為相反側之表面)經矽烷偶合劑處理。換言之，於聚醯亞胺樹脂層12之表面上配置矽烷偶合劑之層。再者，利用矽烷偶合劑所進行之處理可對聚醯亞胺樹脂層12之整個表面12a進行，亦可對一部分進行。
所使用之矽烷偶合劑之種類並無特別限制，較佳為具有可與形成聚醯亞胺樹脂層時所使用之聚醯胺酸進行反應之反應性基。若矽烷偶合劑具有該反應性基，則矽烷偶合劑經由該反應性基而與聚醯亞胺 樹脂層12形成鍵，並且經由矽烷偶合劑中所含有之矽烷醇基而與玻璃基板14形成鍵，而兩者之密接性進一步提高。
作為上述反應性基，只要可與聚醯胺酸中之官能基進行反應，則無特別限制，例如可列舉可與聚醯胺酸中之羧酸基或二級胺基(-NH-)進行反應之基，更具體而言，可列舉：一級胺基、二級胺基、羥基、羧酸基、環氧基等。
作為矽烷偶合劑之較佳態樣，可列舉以下之式(3)所表示之化合物。
式(3) X-L-Si(Y)3
X表示反應性基，L表示單鍵或2價連結基，Y分別獨立地表示羥基或水解性基。
反應性基之定義如上所述。
作為2價連結基，例如可列舉：-O-、-CO-、-NH-、-CO-NH-、-COO-、-O-COO-、伸烷基、伸芳基、雜環基(雜伸芳基)、及將該等組合而成之基。
水解性基表示可生成矽烷醇基之基、或可形成矽氧烷縮合物之基，具體而言，可列舉：鹵基、烷氧基、醯氧基、異氰酸酯基等。其中，可較佳地列舉烷氧基(較佳為碳數1~2)。
(步驟之順序)
步驟(1)之順序只要可於暫時支持體上形成與暫時支持體側為相反側之表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層，則無特別限制，可採用公知之方法。
其中，就聚醯亞胺樹脂層與玻璃基板之密接性更優異方面而言，較佳為以下之2種態樣，更佳為態樣X。
(態樣X)具備如下步驟之態樣：步驟(A)，其係於暫時支持體上塗佈包含聚醯胺酸之組合物，而形成包含聚醯胺酸之塗膜；步驟(B)， 其係對塗膜表面上賦予矽烷偶合劑；及步驟(C)，其係對塗膜實施加熱處理，而獲得與暫時支持體側為相反側之表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層
(態樣Y)具備如下步驟之態樣：步驟(D)，其係於暫時支持體上形成聚醯亞胺樹脂層；及步驟(E)，其係對聚醯亞胺樹脂層表面上賦予矽烷偶合劑，而獲得與暫時支持體側為相反側之表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層
態樣X與態樣Y之不同在於賦予矽烷偶合劑之時期不同。態樣X係如下態樣：對包含聚醯胺酸之塗膜上賦予矽烷偶合劑，其後，實施加熱處理(閉環處理(醯亞胺化處理))使塗膜硬化，而獲得表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層。另一方面，態樣Y係如下態樣：暫時製造聚醯亞胺樹脂層後，對該聚醯亞胺樹脂層上賦予矽烷偶合劑，而獲得表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層。
於比較上述兩種態樣時，態樣X使矽烷偶合劑之層與包含聚醯胺酸之塗膜之間之界面容易混合，而兩者之密接性優異，結果聚醯亞胺樹脂層與玻璃基板之密接性更優異。又，於矽烷偶合劑具有可與聚醯胺酸進行反應之反應性基之情形時，尤其於態樣X中聚醯亞胺樹脂層與玻璃基板之密接性更優異。
以下，對上述態樣X及Y之順序分別進行詳述。
(態樣X)
於態樣X中，首先，實施步驟(A)：於暫時支持體上塗佈包含聚醯胺酸之組合物，而形成包含聚醯胺酸之塗膜。
以下，首先，對本步驟中所使用之材料(聚醯胺酸等)進行詳述。
所謂聚醯胺酸，係藉由熱硬化而成為聚醯亞胺樹脂之硬化性樹脂，較佳為使四羧酸二酐與二胺類反應而獲得之聚醯胺酸，更佳為四羧酸二酐之至少一部分包含選自由下述式(Y1)~(Y4)所表示之化合物 所組成之群中之至少1種四羧酸二酐，且二胺類之至少一部分包含選自由下述式(B1)~(B8)所表示之化合物所組成之群中之至少1種二胺類。
再者，聚醯胺酸通常作為包含以下式(2-1)及/或式(2-2)所表示之重複單元的結構式而表示。再者，式(2-1)及/或式(2-2)中，X、A之定義如上所述。
四羧酸二酐與二胺類之反應條件並無特別限制，就可高效率地合成聚醯胺酸方面而言，較佳為於-30~70℃(較佳為-20~40℃)下進行反應。
四羧酸二酐與二胺類之混合比率並無特別限制，可列舉：相對於二胺類1莫耳，使較佳為0.66~1.5莫耳、更佳為0.9~1.1莫耳、進而較佳為0.97~1.03莫耳之四羧酸二酐進行反應。
於四羧酸二酐與二胺類之反應時，視需要可使用有機溶劑。所使用之有機溶劑之種類並無特別限制，例如可使用N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二乙基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N,N-二乙基甲醯胺、N-甲基己內醯胺、六甲基磷醯胺、四亞甲基碸、二甲基亞碸、間甲酚、苯酚、對氯苯酚、2-氯-4-羥基甲苯、二乙二醇二甲醚、三乙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚、二烷、γ-丁內酯、二氧雜環戊烷、環己酮、環戊酮等，亦可並用2種以上。
於上述反應時，視需要亦可一併使用除選自由上述式(Y1)~(Y4)所表示之化合物所組成之群中之四羧酸二酐以外之其他四羧酸二酐。
又，於上述反應時，視需要亦可一併使用除選自由上述式(B1)~(B8)所表示之化合物所組成之群中之二胺類以外之其他二胺類。
於包含聚醯胺酸之組合物中，視需要亦可含有除聚醯胺酸以外之成分。
例如，於組合物中可含有溶劑。作為溶劑，尤其就聚醯胺酸之溶解性方面而言，較佳為有機溶劑。作為所使用之有機溶劑，可列舉於上述聚醯胺酸之反應時所使用之有機溶劑。
再者，於組合物中含有有機溶劑之情形時，只要為可使塗膜之厚度之調整、塗佈性變得良好之量，則有機溶劑之含量並無特別限制，一般相對於組合物總質量，較佳為5~95質量%，更佳為10~90質量%。
又，視需要亦可一併使用用以促進聚醯胺酸之脫水閉環之脫水劑或脫水閉環觸媒。作為脫水劑，例如可使用乙酸酐、丙酸酐、三氟乙酸酐等酸酐。又，作為脫水閉環觸媒，例如可使用吡啶、三甲基吡啶、二甲基吡啶、三乙基胺等三級胺。
進而，視需要亦可於組合物中含有調平劑。所謂調平劑，係使塗佈物之表面張力降低而改良對被塗佈物之濕潤之化合物。作為調平劑，可使用一般之調平劑，例如可列舉氟系調平劑(例如氟系界面活性劑)、丙烯酸系調平劑、聚矽氧系調平劑(例如聚矽氧系界面活性劑)等，可使用該等中之1種或2種以上。
於暫時支持體表面上塗佈組合物之方法並無特別限定，可使用公知之方法。例如可列舉：噴塗法、模嘴塗佈法、旋轉塗佈法、浸漬塗佈法、輥式塗佈法、棒式塗佈法、網版印刷法、凹版塗佈法等。
藉由上述處理所獲得之塗膜之厚度並無特別限制，以可獲得上述較佳厚度之聚醯亞胺樹脂層之方式進行適當調整。
於上述塗佈後，視需要可為了去除塗膜中所含有之揮發成分(例如溶劑)而實施乾燥處理。乾燥處理之方法只要為聚醯胺酸之閉環反應(醯亞胺化反應)不進行之方法，則無特別限制。例如，可列舉實施 加熱處理之方法、或實施風乾處理之方法等。
加熱處理之條件係根據所使用之聚醯胺酸之結構而異，作為加熱溫度，通常較佳為40~200℃，就抑制樹脂層之發泡方面而言，較佳為40~150℃。尤佳為於上述加熱溫度之範圍內，於未達溶劑之沸點下進行加熱。作為加熱時間，根據所使用之聚醯胺酸之結構而適當選擇最佳之時間，就可進一步防止聚醯胺酸之解聚合方面而言，較佳為5~60分鐘，更佳為10~30分鐘。
加熱之環境並無特別限制，例如於大氣中、真空下或惰性氣體下實施。若於真空下實施，則即便於較低之溫度下加熱亦可於更短之時間內去除揮發成分，又，可進一步控制聚醯胺酸之解聚合，故而較佳。
再者，乾燥處理亦可於不同之溫度條件下階段性地實施。
繼而，實施步驟(B)：對上述步驟(A)中所獲得之包含聚醯胺酸之塗膜表面上賦予矽烷偶合劑。
賦予矽烷偶合劑之方法並無特別限制，可採用公知之方法。例如可列舉：將包含矽烷偶合劑之組合物賦予至塗膜表面上之方法(塗佈方法)、或將上述附有塗膜之支持體浸漬於包含矽烷偶合劑之組合物中之方法(浸漬方法)。其中，就容易調整矽烷偶合劑之賦予量方面而言，較佳為塗佈方法。於塗佈方法中，塗佈包含矽烷偶合劑之組合物之方法並無特別限制，可列舉上述塗佈包含聚醯胺酸之組合物之方法。
於包含矽烷偶合劑之組合物中含有上述矽烷偶合劑。
又，於包含矽烷偶合劑之組合物中，視需要亦可含有溶劑。關於溶劑之種類，可列舉可含有於上述包含聚醯胺酸之組合物中之溶劑。
再者，於賦予上述矽烷偶合劑後，視需要亦可為了去除塗膜中 所含有之揮發成分(例如溶劑)而實施乾燥處理。乾燥處理之方法只要為聚醯胺酸之閉環反應(醯亞胺化反應)不迅速進行之方法，則無特別限制。例如，可列舉實施加熱處理之方法、或實施風乾處理之方法等。作為加熱處理之條件，可列舉可於上述步驟(A)中實施之加熱處理之條件(加熱溫度、加熱時間、環境)。
繼而，實施步驟(C)：對步驟(B)中所獲得之表面賦予有矽烷偶合劑之包含聚醯胺酸之塗膜實施加熱處理，而獲得表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層。於本步驟(C)中，進行所謂閉環反應(醯亞胺化反應)。
本步驟(C)中之加熱溫度並無特別限制，較佳為250~500℃，就殘留溶劑率變低並且醯亞胺化率進一步上升而本發明之效果更優異方面而言，更佳為300~450℃。
加熱時間並無特別限制，根據所使用之聚醯胺酸之結構而適當選擇最佳之時間，就殘留溶劑率變低並且醯亞胺化率進一步上升而本發明之效果更優異方面而言，較佳為15~120分鐘，更佳為30~60分鐘。
加熱之環境並無特別限制，例如於大氣中、真空下或惰性氣體下實施。
再者，加熱處理亦可於不同之溫度下階段性地實施。
藉由經過上述步驟(C)，而形成包含聚醯亞胺樹脂之聚醯亞胺樹脂層。
聚醯亞胺樹脂之醯亞胺化率並無特別限制，就聚醯亞胺樹脂層之耐熱性更優異方面而言，較佳為99.0%以上，更佳為99.5%以上。
醯亞胺化率之測定方法係將於氮氣環境下將聚醯胺酸以350℃加熱2小時之情形設為100%之醯亞胺化率，並根據於聚醯胺酸之IR之光譜中源自醯亞胺羰基之峰：約1780cm-1之峰強度相對於加熱處理前後 不變之峰強度(例如源自苯環之峰：約1500cm-1)之強度比而求出。
(態樣Y)
於態樣Y中，首先，實施步驟(D)：於暫時支持體上形成聚醯亞胺樹脂層。
形成聚醯亞胺樹脂層之方法並無特別限制，可採用公知之方法。例如可列舉：將上述包含聚醯胺酸之組合物塗佈於暫時支持體上而形成塗膜，其後實施加熱處理而獲得聚醯亞胺樹脂層的方法(方法1)；或將包含聚醯亞胺樹脂層之組合物塗佈於暫時支持體上，視需要實施乾燥處理，而獲得聚醯亞胺樹脂層的方法(方法2)等。其中，就更容易調整聚醯亞胺樹脂層之厚度方面而言，較佳為上述方法1。再者，方法1相當於實施上述態樣X中之步驟(A)及步驟(C)之態樣，各者之順序、條件與上述步驟(A)及步驟(C)相同。
繼而，實施步驟(E)：對步驟(D)中所獲得之聚醯亞胺樹脂層表面上賦予矽烷偶合劑，而獲得表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層。
賦予矽烷偶合劑之方法並無特別限制，例如可列舉與上述態樣X中之步驟(B)相同之順序。
<步驟(2)：玻璃基板積層步驟S104>
步驟(2)係於上述步驟(1)中所獲得之聚醯亞胺樹脂層上配置厚度0.2mm以下之玻璃基板而獲得玻璃積層體的步驟。如圖2(B)所示，藉由實施本步驟，而於聚醯亞胺樹脂層12之經矽烷偶合劑處理之表面12a上配置玻璃基板14，獲得依序具有暫時支持體10、聚醯亞胺樹脂層12及玻璃基板14之玻璃積層體100。再者，聚醯亞胺樹脂層12與玻璃基板14經由矽烷偶合劑而密接。
以下，首先對本步驟中所使用之構件、材料進行詳述，其後對步驟之順序進行詳述。
(玻璃基板)
玻璃基板14係第1主面14a與聚醯亞胺樹脂層12接觸，於與聚醯亞胺樹脂層12側為相反側之第2主面14b設置電子裝置用構件。即，玻璃基板14係用於形成下述電子裝置之基板。
玻璃基板14之種類可為一般者，例如可列舉LCD、OLED等顯示裝置用之玻璃基板等。玻璃基板14之耐化學品性、耐透濕性優異，且熱收縮率較低。作為熱收縮率之指標，可使用JIS R 3102(1995年修訂)中所規定之線膨脹係數。
若玻璃基板14之線膨脹係數較大，則多數情況下下述構件形成步驟伴有加熱處理，因此容易產生各種不良情況。例如，於在玻璃基板14上形成TFT(薄膜電晶體)之情形時，若將於加熱下形成有TFT之玻璃基板14冷卻，則有因玻璃基板14之熱收縮而導致TFT之位置偏移過大之虞。
玻璃基板14係使玻璃原料熔融並將熔融玻璃成形為板狀而獲得。此種成形方法可為一般者，例如可使用浮式法、熔融法、流孔下引法、富可法、魯伯法等。又，尤其是厚度較薄之玻璃基板14可藉由將暫時成形為板狀之玻璃加熱至可成形之溫度，並利用延伸等方法拉伸使其變薄的方法(再曳引法)進行成形而獲得。
玻璃基板14之玻璃之種類並無特別限定，較佳為無鹼硼矽酸玻璃、硼矽酸玻璃、鈉鈣玻璃、高二氧化矽玻璃、其他以氧化矽為主要成分之氧化物系玻璃。作為氧化物系玻璃，較佳為利用氧化物換算所得之氧化矽之含量為40~90質量%之玻璃。
作為玻璃基板14之玻璃，採用適合於電子裝置用構件之種類或其製造步驟之玻璃。例如，液晶面板用之玻璃基板由於鹼金屬成分之溶出容易對液晶造成影響，故而包含實質上不含有鹼金屬成分之玻璃(無鹼玻璃)(但通常含有鹼土金屬成分)。如此，玻璃基板14之玻璃係 根據所應用之裝置之種類及其製造步驟而適當選擇。
玻璃基板14之厚度為0.2mm以下，就玻璃基板14之薄型化及/或輕量化之觀點而言，較佳為0.15mm以下，更佳為0.10mm以下。於0.2mm以下之情形時，可對玻璃基板14賦予良好之可撓性。於0.15mm以下之情形時，可將玻璃基板14捲取為捲筒狀。
又，就容易製造玻璃基板14、玻璃基板14之操作較容易等理由而言，玻璃基板14之厚度較佳為0.03mm以上。
再者，玻璃基板14亦可包含2層以上，於該情形時，形成各層之材料可為同種材料，亦可為不同種材料。又，於該情形時，「玻璃基板14之厚度」意指所有層之合計厚度。
(步驟之順序)
將玻璃基板14積層於聚醯亞胺樹脂層12之表面上(聚醯亞胺樹脂層12之與暫時支持體10側為相反側之表面上)之方法並無特別限制，可採用公知之方法。
例如，可列舉於常壓環境下將玻璃基板14重疊於聚醯亞胺樹脂層12之表面上之方法。再者，視需要亦可於將玻璃基板14重疊於聚醯亞胺樹脂層12之表面上之後，使用輥或加壓機使玻璃基板14壓接於聚醯亞胺樹脂層12。藉由利用輥或加壓機之壓接，可相對較容易地去除混入至聚醯亞胺樹脂層12與玻璃基板14之層之間之氣泡，故而較佳。
若藉由真空層壓法或真空加壓法進行壓接，則可抑制氣泡之混入或確保良好之密接，故而更佳。藉由於真空下進行壓接，即便於殘留有微小氣泡之情形時，亦有氣泡不因加熱而成長，而不易導致玻璃基板14之變形缺陷的優勢。又，藉由於真空加熱下進行壓接，而更不易殘留氣泡。
於積層玻璃基板14時，較佳為，將與聚醯亞胺樹脂層12接觸之玻璃基板14之表面充分地清洗，並於潔淨度較高之環境下進行積層。 潔淨度越高，玻璃基板14之平坦性越良好，故而較佳。
再者，於積層玻璃基板14後，視需要可進行預退火處理(加熱處理)。藉由進行該預退火處理，所積層之玻璃基板14之對聚醯亞胺樹脂層12之密接性提高，於下述步驟(4)時不易產生電子裝置用構件之位置偏移等，而電子裝置之生產性提高。
預退火處理之條件係根據所使用之聚醯亞胺樹脂層12之種類而適當選擇最佳之條件，就使玻璃基板14與聚醯亞胺樹脂層12之間之剝離強度更適當方面而言，較佳為於200℃以上(較佳為200~400℃)進行5分鐘以上(較佳為5~30分鐘)加熱處理。
(玻璃積層體)
經過上述步驟而獲得之本發明之玻璃積層體100可用於各種用途，例如可列舉製造下述顯示裝置用面板、PV、薄膜二次電池、表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件之用途等。再者，於該用途中，多數情況下將玻璃積層體100曝露於高溫條件下(例如400℃以上)(例如1小時以上)。
此處，所謂顯示裝置用面板，包括LCD、OLED、電子紙、電漿顯示面板、場發射面板、量子點LED面板、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems，微機電系統)快門面板等。
該玻璃積層體100係使用至步驟(4)。即，該玻璃積層體100係使用至在其玻璃基板14之第2主面14b表面上形成液晶顯示裝置等電子裝置用構件。其後，形成有電子裝置用構件之玻璃積層體分離為暫時支持體10與電子裝置，暫時支持體10不成為構成電子裝置之部分。
再者，於玻璃積層體100中，聚醯亞胺樹脂層12固定於玻璃基板14上，暫時支持體10可剝離地密接於聚醯亞胺樹脂層12。於本發明中，該固定與可剝離之密接於剝離強度(即剝離所需之應力)存在差異，固定意指相對於密接而剝離強度較大。即，聚醯亞胺樹脂層12與 玻璃基板14之界面之剝離強度大於聚醯亞胺樹脂層12與暫時支持體10之界面之剝離強度。換言之，所謂可剝離之密接，意指在可剝離之同時，可不產生固定之面之剝離而進行剝離。
更具體而言，玻璃基板14與聚醯亞胺樹脂層12之界面具有剝離強度(x)，若對玻璃基板14與聚醯亞胺樹脂層12之界面施加超過剝離強度(x)之剝離方向之應力，則玻璃基板14與聚醯亞胺樹脂層12之界面發生剝離。聚醯亞胺樹脂層12與暫時支持體10之界面具有剝離強度(y)，若對聚醯亞胺樹脂層12與暫時支持體10之界面施加超過剝離強度(y)之剝離方向之應力，則聚醯亞胺樹脂層12與暫時支持體10之界面發生剝離。
於玻璃積層體100(亦意指下述附有構件之玻璃積層體)中，上述剝離強度(x)高於上述剝離強度(y)。因此，若對玻璃積層體100施加將暫時支持體10與玻璃基板14剝離之方向之應力，則本發明之玻璃積層體100於暫時支持體10與聚醯亞胺樹脂層12之界面發生剝離，而分離為暫時支持體10、及包括聚醯亞胺樹脂層12及玻璃基板14之積層體。
再者，聚醯亞胺樹脂層12與玻璃基板14之密接性可藉由上述矽烷偶合劑而提高。
<步驟(3)：構件形成步驟S106>
步驟(3)係於步驟(2)中所獲得之玻璃積層體中之玻璃基板之表面上配置電子裝置用構件而獲得附有構件之玻璃積層體的步驟。如圖2(C)所示，藉由實施本步驟，而於玻璃基板之第2表面14b上(與聚醯亞胺樹脂層12為相反側之表面上)配置電子裝置用構件16，獲得依序具有暫時支持體10、聚醯亞胺樹脂層12、玻璃基板14及電子裝置用構件16的附有構件之玻璃積層體110。
以下，首先對本步驟中所使用之電子裝置用構件16進行詳述，其後對步驟之順序進行詳述。
(電子裝置用構件(功能性元件))
電子裝置用構件16係形成於玻璃積層體100中之玻璃基板14上而構成電子裝置之至少一部分之構件。更具體而言，作為電子裝置用構件16，可列舉用於顯示裝置用面板、太陽電池、薄膜二次電池、或表面形成有電路之半導體晶圓等電子零件等之構件(例如，顯示裝置用構件、太陽電池用構件、薄膜二次電池用構件、電子零件用電路)。
例如，作為太陽電池用構件，對於矽型，可列舉正極之氧化錫等透明電極、p層/i層/n層所表示之矽層、及負極之金屬等，此外，亦可列舉與化合物型、色素增感型、量子點型等對應之各種構件等。
又，作為薄膜二次電池用構件，對於鋰離子型，可列舉正極及負極之金屬或金屬氧化物等之透明電極、電解質層之鋰化合物、集電層之金屬、作為密封層之樹脂等，此外，亦可列舉與鎳氫型、聚合物型、陶瓷電解質型等對應之各種構件等。
又，作為電子零件用電路，對於CCD(Charge Coupled Device，電荷耦合元件)或CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor，互補性金屬氧化物半導體)，可列舉導電部之金屬、絕緣部之氧化矽或氮化矽等，此外，亦可列舉與壓力感測器、加速度感測器等各種感測器或剛性印刷基板、軟性印刷基板、剛性軟性印刷基板等對應之各種構件等。
(步驟之順序)
上述附有構件之玻璃積層體110之製造方法並無特別限定，可根據電子裝置用構件之構成構件之種類而利用先前公知之方法，於玻璃積層體100之玻璃基板14之第2主面14b表面上形成電子裝置用構件16。
再者，電子裝置用構件16亦可並非最終形成於玻璃基板14之第2主面14b之構件之全部(以下稱為「全部構件」)而為全部構件之一部 分(以下稱為「部分構件」)。亦可將剝離暫時支持體10而獲得之附有部分構件之玻璃基板於之後之步驟中製成附有全部構件之玻璃基板(相當於下述電子裝置)。
又，亦可組裝附有全部構件之積層體，其後，自附有全部構件之積層體剝離暫時支持體10，而製造電子裝置。進而，亦可使用2片附有全部構件之積層體而組裝電子裝置，其後，自附有全部構件之積層體剝離2片暫時支持體10，而製造具有2片玻璃基板之電子裝置。
例如，以製造OLED之情形為例，為了於玻璃積層體100之玻璃基板14之與聚醯亞胺樹脂層12側為相反側之表面上(相當於玻璃基板14之第2主面14b)形成有機EL構造體，而進行以下等各種層形成或處理：形成透明電極，進而於形成有透明電極之面上蒸鍍電洞注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層等，形成背面電極，使用密封板進行密封。作為該等層形成或處理，具體而言，例如可列舉成膜處理、蒸鍍處理、密封板之接著處理等。
又，例如於製造TFT-LCD之情形時，具有如下等各種步驟：TFT形成步驟，其係於玻璃積層體100之玻璃基板14之第2主面14b上，使用抗蝕液於藉由CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法及濺鍍法等一般之成膜法而形成之金屬膜及金屬氧化膜等形成圖案，而形成薄膜電晶體(TFT)；CF形成步驟，其係於另一個玻璃積層體100之玻璃基板14之第2主面14b上，使用抗蝕液形成圖案，而形成彩色濾光片(CF)；及貼合步驟，其係將TFT形成步驟中所獲得之附有TFT之積層體與CF形成步驟中所獲得之附有CF之積層體進行積層。
於TFT形成步驟或CF形成步驟中，使用周知之光微影技術或蝕刻技術等，於玻璃基板14之第2主面14b上形成TFT或CF。此時，使用抗蝕液作為圖案形成用之塗佈液。
再者，亦可於形成TFT或CF前，視需要將玻璃基板14之第2主面 14b進行清洗。作為清洗方法，可使用周知之乾式清洗或濕式清洗。
於貼合步驟中，使附有TFT之積層體之薄膜電晶體形成面與附有CF之積層體之彩色濾光片形成面相對向，並使用密封劑(例如單元形成用紫外線硬化型密封劑)進行貼合。其後，向由附有TFT之積層體與附有CF之積層體所形成之單元內注入液晶材料。作為注入液晶材料之方法，例如有減壓注入法、滴加注入法。
<步驟(4)：分離步驟S108>
步驟(4)係自步驟(3)中所獲得之附有構件之玻璃積層體去除暫時支持體而獲得包括聚醯亞胺樹脂層、玻璃基板及電子裝置用構件之電子裝置的步驟。如圖2(D)所示，係如下步驟：自上述步驟(3)中所獲得之附有構件之玻璃積層體110，將暫時支持體10與聚醯亞胺樹脂層12之界面作為剝離面而分離去除暫時支持體10，從而獲得包括聚醯亞胺樹脂層12、玻璃基板14及電子裝置用構件16之電子裝置120。
於剝離時之玻璃基板14上之電子裝置用構件16為形成所需之全部構成構件之一部分之情形時，於分離後，亦可於玻璃基板14上形成剩餘之構成構件。
將暫時支持體10與電子裝置120分離之方法並無特別限定。具體而言，例如可於暫時支持體10與聚醯亞胺樹脂層12之界面插入銳利之刀具狀者，而賦予剝離之開端，此後，吹送水與壓縮空氣之混合流體而進行剝離。較佳為，以附有構件之玻璃積層體110之暫時支持體10成為上側、電子裝置用構件16側成為下側之方式設置於壓盤上，並使電子裝置用構件16側真空吸附於壓盤上，於該狀態下首先使刀具進入至暫時支持體10-聚醯亞胺樹脂層12界面。然後，其後利用複數個真空吸附墊吸附暫時支持體10側，使真空吸附墊自插入有刀具之部位附近逐漸上升。若如此操作，則可於暫時支持體10與聚醯亞胺樹脂層12之界面形成空氣層，該空氣層擴散至整個界面，而將暫時支持體10容 易地剝離。
再者，於將暫時支持體10與電子裝置120分離時，較佳為一面向暫時支持體10與聚醯亞胺樹脂層12之界面吹送剝離助劑一面進行剝離。所謂剝離助劑，意指上述水等溶劑。作為所使用之剝離助劑，可列舉水或有機溶劑(例如乙醇)或其等之混合物等。
再者，於自附有構件之玻璃積層體110分離暫時支持體10時，可藉由控制利用離子化器之吹送或濕度，而進一步抑制聚醯亞胺樹脂層12之碎片靜電吸附於暫時支持體10。
上述電子裝置120之製造方法適合於製造行動電話或PDA之類的移動終端所使用之小型顯示裝置。顯示裝置主要為LCD或OLED，作為LCD，包括TN(Twisted Nematic，扭轉向列)型、STN(Super Twisted Nematic，超扭轉向列)型、FE(Field Effect，場效應)型、TFT型、MIM(Metal-Insulator-Metal，金屬-絕緣體-金屬)型、IPS(In-Plane Switching，橫向電場切換)型、VA(Vertical Alignment，垂直配向)型等。基本上於被動驅動型、主動驅動型之任一者之顯示裝置之情形均可應用。
作為藉由上述方法所製造之電子裝置120，可列舉：具有玻璃基板及顯示裝置用構件之顯示裝置用面板、具有玻璃基板及太陽電池用構件之太陽電池、具有玻璃基板及薄膜二次電池用構件之薄膜二次電池、具有玻璃基板及電子裝置用構件之電子零件等。作為顯示裝置用面板，包括液晶面板、有機EL面板、電漿顯示面板、場發射面板等。
[第2實施形態]
圖3係表示本發明之電子裝置之製造方法之第2實施形態之製造步驟的流程圖。如圖3所示，電子裝置之製造方法具備：聚醯亞胺樹脂層形成步驟S102(相當於步驟(1))，其係於暫時支持體上配置特定之 聚醯亞胺樹脂層；玻璃基板積層步驟S110(相當於步驟(2'))，其係將具有較聚醯亞胺樹脂層之外形尺寸小之外形尺寸的玻璃基板以於聚醯亞胺樹脂層上留有不與玻璃基板接觸之周緣區域之方式積層於聚醯亞胺樹脂層上；切斷步驟S112(相當於步驟(5))，其係沿玻璃基板之外周緣，將聚醯亞胺樹脂層及暫時支持體切斷；構件形成步驟S106(相當於步驟(3))，其係於玻璃基板上配置電子裝置用構件；分離步驟S108(步驟(4))，其係分離而獲得電子裝置。
又，圖4(A)~(E)係依序表示本發明之電子裝置之製造方法之第2實施形態之各製造步驟的模式剖視圖。
圖3所示之各步驟除玻璃基板積層步驟S110及切斷步驟S112方面以外，係與圖1所示之步驟相同之順序，對相同之步驟標註相同之參照符號，並省略其說明，主要對玻璃基板積層步驟S110及切斷步驟S112進行說明。
<步驟(2')：玻璃基板積層步驟S110>
步驟(2')係將具有較聚醯亞胺樹脂層之外形尺寸小之外形尺寸的玻璃基板以於聚醯亞胺樹脂層上留有不與玻璃基板接觸之周緣區域之方式積層於聚醯亞胺樹脂層上而獲得玻璃積層體的步驟。如圖4(A)所示，於聚醯亞胺樹脂層形成步驟S102中於暫時支持體10上配置聚醯亞胺樹脂層12，其次，如圖4(B)所示，藉由實施本步驟S110，而於聚醯亞胺樹脂層12上配置具有較聚醯亞胺樹脂層12之外形尺寸小之外形尺寸的玻璃基板14。玻璃基板14係以於聚醯亞胺樹脂層12上留有不與玻璃基板14接觸之周緣區域之方式積層於聚醯亞胺樹脂層上。換言之，玻璃基板14係以於玻璃基板14之外周露出聚醯亞胺樹脂層12之方式積層於聚醯亞胺樹脂層12上。
更具體而言，如圖5(A)所示，以於聚醯亞胺樹脂層12上留有不與玻璃基板14接觸之周緣區域12b之方式，將玻璃基板14積層於聚醯亞 胺樹脂層12上。即，以玻璃基板14之外周緣之所有邊不與聚醯亞胺樹脂層12之外周緣接觸之方式，將玻璃基板14積層於聚醯亞胺樹脂層12上。
一般而言，於聚醯亞胺樹脂層12之露出表面，容易因其表面張力之影響而於周緣部附近產生凸部(參照圖5(B))。於積層玻璃基板14時，若與此種凸部接觸，則有玻璃基板14之中央部以凹陷之方式彎曲，而損害玻璃基板14之平坦性之情形(參照圖5(C))。因玻璃基板14之平坦性受到損害，而有配置於玻璃基板14上之電子裝置用構件產生位置偏移等之虞，結果有引起電子裝置之良率降低之虞。
因此，藉由使用具有較聚醯亞胺樹脂層12之外形小之外形的玻璃基板14，可不與該凸部接觸而使玻璃基板14與聚醯亞胺樹脂層12接觸。結果抑制玻璃基板14產生彎曲，而抑制電子裝置之良率降低。
於該態樣中，聚醯亞胺樹脂層12之外形大於玻璃基板14之外形。聚醯亞胺樹脂層12之與玻璃基板14接觸之區域之面積A與聚醯亞胺樹脂層12之總面積B之比(面積A/總面積B)較佳為0.98以下，更佳為0.95以下。若為上述範圍內，則進一步抑制玻璃基板14產生彎曲。下限並無特別限制，就生產性等方面而言，較佳為0.75以上，更佳為0.80以上。
又，自玻璃基板14之外周緣至聚醯亞胺樹脂層12之外周緣為止之長度較佳為10mm以上，更佳為15mm以上。若為上述範圍內，則進一步抑制聚醯亞胺樹脂層12產生厚度不均。上限並無特別限制，就生產性等方面而言，較佳為100mm以下。
再者，作為玻璃基板14之積層方法，可列舉上述第1實施形態之步驟(2)之方法。
藉由實施本步驟，而獲得具備暫時支持體10、聚醯亞胺樹脂層12及玻璃基板14之玻璃積層體200。
<步驟(5)：切斷步驟S112>
步驟(5)係沿玻璃基板之外周緣將上述步驟(2')中所獲得之玻璃積層體中之聚醯亞胺樹脂層及暫時支持體切斷的步驟。換言之，係如下步驟：將玻璃積層體中之暫時支持體及聚醯亞胺樹脂層各者之外周部切斷，而使暫時支持體、聚醯亞胺樹脂層、及玻璃基板各者之外周緣之全周對齊。更具體而言，如圖4(C)所示，藉由本步驟S112，沿玻璃基板14之外周緣將暫時支持體10及聚醯亞胺樹脂層12切斷，而獲得切斷後積層體300(實施切斷處理後之積層體)。
將暫時支持體10及聚醯亞胺樹脂層12切斷之方法並無特別限制，可採用公知之方法(利用切割器之切斷、利用雷射之切斷等)。例如，可列舉日本專利特開2013-82182號公報之段落0079~0095中所記載之方法。
於上述步驟(5)後，藉由實施上述步驟(3)，如圖4(D)所示，於玻璃基板14上配置電子裝置用構件16而形成附有構件之玻璃積層體110。進而，藉由實施上述步驟(4)，如圖4(E)所示，自附有構件之玻璃積層體110去除暫時支持體10，而獲得具備聚醯亞胺樹脂層12、玻璃基板14及電子裝置用構件16之電子裝置120。
[實施例]
以下，藉由實施例等具體地說明本發明，但本發明並不受該等例限定。
於以下之實施例及比較例中，作為玻璃基板，使用包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃板(縱150mm、橫150mm、板厚0.1mm，線膨脹係數38×10-7/℃，旭硝子公司製造之商品名「AN100」)。又，作為暫時支持體，使用同樣之包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃板(縱200mm、橫200mm、板厚0.5mm，線膨脹係數38×10-7/℃，旭硝子公司製造之商品名「AN100」)。
(聚醯胺酸溶液(A)之製造)
使對苯二胺(10.8g，0.1mol)溶解於1-甲基-2-吡咯啶酮(226.0g)中，並於室溫下進行攪拌。歷時1分鐘向其中添加3,3',4,4'-聯苯四羧酸二酐(29.4g，0.1mol)，並於室溫下攪拌2小時，而獲得包含具有上述式(2-1)及/或式(2-2)所表示之重複單元之聚醯胺酸的固形物成分濃度20質量%之聚醯胺酸溶液(A)。測定該溶液之黏度，結果於20℃下為3000厘泊。
黏度係使用東機美公司(股)製造之DVL-BII型數位黏度計(B型黏度計)測定20℃下之旋轉黏度所得者。
再者，聚醯胺酸中所包含之式(2-1)及/或式(2-2)所表示之重複單元中之X為式(X1)所表示之基，A為式(A1)所表示之基。
(矽烷偶合劑溶液(B)之製造)
將矽烷偶合劑(信越化學工業股份有限公司製造，3-胺基丙基三甲氧基矽烷，商標KBM903)添加至異丙醇(IPA)中之後，利用旋轉混合器實施約1小時溶液之攪拌，而製作溶液B。再者，矽烷偶合劑之含量係以相對於異丙醇總質量成為0.1質量%之方式添加。
<實施例1>
利用模嘴塗佈機於實施過清洗之暫時支持體上塗佈上述溶液A，其後於90℃下實施10分鐘乾燥處理，進而於150℃下實施10分鐘乾燥處理，而於暫時支持體上形成包含聚醯胺酸之塗膜。
其次，利用模嘴塗佈機於塗膜表面上塗佈上述溶液B，其後於120℃下實施10分鐘乾燥處理，而獲得賦予有矽烷偶合劑之塗膜。
其次，對塗膜於氮氣下以350℃實施1小時加熱處理，進行聚醯胺酸之閉環反應，而獲得表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層。
其次，將具有較聚醯亞胺樹脂層之外形尺寸小之外形尺寸的玻璃基板以於聚醯亞胺樹脂層上留有不與玻璃基板接觸之周緣區域之方 式，將基板彼此之中心位置對準而積層，從而獲得玻璃積層體S1。再者，於玻璃積層體S1中，玻璃基板與聚醯亞胺樹脂層之界面之剝離強度(x)高於聚醯亞胺樹脂層與暫時支持體之界面之剝離強度(y)。
繼而，將玻璃積層體S1之玻璃基板固定於安裝有定位治具之壓盤上，以自壓盤之上表面起與玻璃基板之外周緣中之一邊重疊之方式，於暫時支持體之第2主面(與聚醯亞胺樹脂層側為相反側之主面)上利用金剛石磨輪切割器刻畫切割線後，利用夾持治具夾住暫時支持體之切割線之外側並進行割斷。同樣地亦對與玻璃基板之外周緣之剩餘3邊重疊之暫時支持體之外側進行割斷後，利用具有曲面之磨石研磨暫時支持體之割斷面而實施倒角，從而獲得實施切斷處理後之玻璃積層體SA。
其次，對玻璃積層體SA實施於將電子裝置用構件配置於玻璃基板上時所實施之加熱處理、即450℃、1小時之加熱處理。於加熱處理後，冷卻至室溫，結果於玻璃積層體SA中未見玻璃基板及暫時支持體之分離、或聚醯亞胺樹脂層之發泡或白化等外觀上之變化。
然後，於玻璃積層體SA之4處角部中1處之暫時支持體與聚醯亞胺樹脂層之界面插入厚度0.1mm之不鏽鋼製刀具而形成剝離之切口部，並且使真空吸附墊吸附於玻璃基板與暫時支持體各自之並非剝離面之面，一面向暫時支持體與聚醯亞胺樹脂層之界面吹送水，一面沿玻璃基板與暫時支持體相互分離之方向施加外力，而將暫時支持體不破損地自玻璃積層體SA分離。此處，刀具之插入係一面自離子化器(Keyence公司製造)向該界面吹送去靜電流體一面進行。
再者，聚醯亞胺樹脂層係與玻璃基板一併自暫時支持體分離。根據上述結果確認，玻璃基板與聚醯亞胺樹脂層之界面之剝離強度(x)高於聚醯亞胺樹脂層與暫時支持體之界面之剝離強度(y)。
<實施例2>
利用模嘴塗佈機於實施過清洗之暫時支持體上塗佈上述溶液A，其後於90℃下實施10分鐘乾燥處理，進而於150℃下實施10分鐘乾燥處理，而於暫時支持體上形成包含聚醯胺酸之塗膜。
其次，對塗膜於氮氣下以350℃實施1小時加熱處理，進行聚醯胺酸之閉環反應，而獲得聚醯亞胺樹脂層。
其次，利用模嘴塗佈機於聚醯亞胺樹脂層表面上塗佈上述溶液B，其後於120℃下實施10分鐘乾燥處理，而獲得表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層。
其次，將具有較聚醯亞胺樹脂層之外形尺寸小之外形尺寸的玻璃基板以於聚醯亞胺樹脂層上留有不與玻璃基板接觸之周緣區域之方式，將基板彼此之中心位置對準而積層，從而獲得玻璃積層體S2。再者，於玻璃積層體S2中，玻璃基板與聚醯亞胺樹脂層之界面之剝離強度(x)高於聚醯亞胺樹脂層與暫時支持體之界面之剝離強度(y)。
繼而，將玻璃積層體S2之玻璃基板固定於安裝有定位治具之壓盤上，以自壓盤之上表面起與玻璃基板之外周緣中之一邊重疊之方式，於暫時支持體之第2主面上利用金剛石磨輪切割器刻畫切割線後，利用夾持治具夾住暫時支持體之切割線之外側並進行割斷。同樣地，亦對與玻璃基板之外周緣之剩餘3邊重疊之暫時支持體之外側進行割斷後，利用具有曲面之磨石研磨暫時支持體之割斷面而實施倒角，從而獲得經實施切斷處理之玻璃積層體SB。
其次，對玻璃積層體SB實施於將電子裝置用構件配置於玻璃基板上時所實施之加熱處理、即450℃、1小時之加熱處理。於加熱處理後，將其冷卻至室溫，結果於玻璃積層體SB中未見玻璃基板及暫時支持體之分離、或聚醯亞胺樹脂層之發泡或白化等外觀上之變化。
其後，使用玻璃積層體SB代替玻璃積層體SA，除此以外，按照與實施例1相同之順序去除暫時支持體。
根據上述結果確認，玻璃基板與聚醯亞胺樹脂層之界面之剝離強度(x)高於聚醯亞胺樹脂層與暫時支持體之界面之剝離強度(y)。
如上述實施例1及2所示，根據本發明之方法，可不於聚醯亞胺樹脂層與玻璃基板之間產生發泡而製造包含表面之平坦性優異之玻璃基板的玻璃積層體。又，於對玻璃積層體實施作為製造電子裝置用構件之條件之450℃、1小時之加熱處理後，可於暫時支持體與聚醯亞胺樹脂層之界面進行剝離，而可將包含聚醯亞胺樹脂層及玻璃基板之積層體自暫時支持體分離。根據該等結果確認，聚醯亞胺樹脂層與玻璃基板之間之密接性優異。又，明確，即便於藉由特定之加熱處理而於玻璃基板上製造電子裝置後，亦可自附有構件之玻璃積層體分離暫時支持體。
(密接性評價)
於實施例1及2中，藉由比較剝離暫時支持體時所產生之隆起缺陷(聚醯亞胺樹脂層之密接不良)之有無，而評價聚醯亞胺樹脂層對於玻璃基板之密接性。再者，所謂「隆起缺陷」，意指於剝離暫時支持體時聚醯亞胺樹脂層之一部分被暫時支持體拉伸而聚醯亞胺樹脂層自玻璃基板局部地剝離之缺陷。
作為密接性評價之方法，於實施例1及2中分別準備5個玻璃積層體，對於各樣品剝離暫時支持體，進行隆起缺陷之觀察。再者，作為隆起缺陷之觀察方法，於螢光燈下以目視確認有無1mmΦ以上之大小之缺陷，將有缺陷之情形設為「×」，將無缺陷之情形設為「○」。
於實施例1之5個樣品均無「隆起缺陷」。另一方面，關於實施例2之5個樣品中之2個，雖然可剝離暫時支持體，但亦發現隆起缺陷。
根據該等結果確認，實施例1之態樣(相當於上述態樣X)與實施例2之態樣(相當於上述態樣Y)相比，玻璃基板與聚醯亞胺樹脂層之密接性更優異。
再者，確認，於使用藉由以下之順序而獲得之實施過脫模處理之暫時支持體作為實施例1及2中所使用之暫時支持體之情形時，亦可獲得所需之效果。
(脫模處理)
使二甲基聚矽氧烷與包含無鹼硼矽酸玻璃之玻璃板之表面接觸，並實施350℃下之燒接處理。
<比較例1>
利用模嘴塗佈機於實施過清洗之暫時支持體上塗佈上述溶液A，其後於90℃下實施10分鐘乾燥處理，進而於150℃下實施10分鐘乾燥處理，而於暫時支持體上形成包含聚醯胺酸之塗膜。
其次，利用模嘴塗佈機於塗膜表面上塗佈上述溶液B，其後於120℃下實施10分鐘乾燥處理，而獲得賦予有矽烷偶合劑之塗膜。
其次，將具有較塗膜之外形尺寸小之外形尺寸的玻璃基板以於塗膜上留有不與玻璃基板接觸之周緣區域之方式，將基板彼此之中心位置對準而積層。
其後，對塗膜於氮氣下以350℃實施1小時加熱處理，而進行聚醯胺酸之閉環反應。
於加熱處理後，於聚醯亞胺樹脂層與玻璃基板之間產生無數個發泡，而玻璃基板表面之平坦性受到損害。
上述比較例1之形態相當於專利文獻2之形態，利用該方法無法製造特定之玻璃積層體及電子裝置。
<實施例4>
於本例中，使用實施例1中所獲得之玻璃積層體SA而製造OLED。
首先，於玻璃積層體SA中之玻璃基板之第2主面上，藉由電漿CVD法使氮化矽、氧化矽、非晶矽依序成膜。繼而，藉由離子摻雜裝 置將低濃度之硼注入至非晶矽層中，並於氮氣環境下進行加熱處理而進行脫氫處理。繼而，利用雷射退火裝置進行非晶矽層之結晶化處理。繼而，藉由使用光微影法之蝕刻及離子摻雜裝置，將低濃度之磷注入至非晶矽層中，而形成N型及P型之TFT區域。繼而，於玻璃基板之第2主面側，利用電漿CVD法成膜氧化矽膜而形成閘極絕緣膜，此後，利用濺鍍法使鉬成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻而形成閘極電極。繼而，藉由光微影法及離子摻雜裝置，將高濃度之硼與磷注入至N型、P型各自之所需之區域中，而形成源極區域及汲極區域。繼而，於玻璃基板之第2主面側，藉由利用電漿CVD法所進行之氧化矽之成膜而形成層間絕緣膜，藉由濺鍍法使鋁成膜並藉由使用光微影法之蝕刻而形成TFT電極。繼而，於氫氣環境下進行加熱處理而進行氫化處理，此後，藉由利用電漿CVD法所進行之氮矽之成膜而形成鈍化層。繼而，於玻璃基板之第2主面側塗佈紫外線硬化性樹脂，藉由光微影法而形成平坦化層及接觸孔。繼而，藉由濺鍍法使氧化銦錫成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻而形成像素電極。
繼而，利用蒸鍍法於玻璃基板之第2主面側依序成膜作為電洞注入層之4,4',4"-三(3-甲基苯基苯基胺基)三苯基胺、作為電洞傳輸層之雙[(N-萘基)-N-苯基]聯苯胺、作為發光層之於8-羥基喹啉鋁錯合物(Alq3)中混合有40體積%之2,6-雙[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]胺基苯乙烯基]萘-1,5-二腈(BSN-BCN)而成者、及作為電子傳輸層之Alq3。繼而，利用濺鍍法使鋁成膜，並藉由使用光微影法之蝕刻而形成對向電極。繼而，於玻璃基板之第2主面側，經由紫外線硬化型之接著層而貼合另一片玻璃基板進行密封。藉由上述順序而於玻璃基板上形成有機EL構造體。於玻璃基板上具有有機EL構造體之玻璃積層體S1(以下稱為面板A)係本發明之附有構件之玻璃積層體。
繼而，使面板A之密封體側真空吸附於壓盤之後，將厚度0.1mm 之不鏽鋼製刀具插入至面板A之角部之暫時支持體與聚醯亞胺樹脂層之界面，而對暫時支持體與聚醯亞胺樹脂層之界面賦予剝離之開端。然後，利用真空吸附墊吸附面板A之暫時支持體表面後，使吸附墊上升。此處，刀具之插入係一面自離子化器(Keyence公司製造)向該界面吹送去靜電流體一面進行。繼而，一面自離子化器繼續向所形成之空隙吹送去靜電流體，且一面將水注入剝離前沿，一面提拉真空吸附墊。其結果為，可剝離暫時支持體，而獲得電子裝置。
繼而，使用雷射切割或劃線-斷裂法將分離之玻璃基板切斷，而分割為複數個單元，此後，組裝形成有有機EL構造體之玻璃基板與對向基板，實施模組形成步驟而製作OLED。如此獲得之OLED於特性上未產生問題。
再者，製造上述電子裝置時之加熱處理之溫度最大為450℃。
已參照特定之實施態樣而詳細地說明本發明，但從業者明瞭可不脫離本發明之精神及範圍而施加各種變更或修正。
本申請案係基於2014年8月1日提出申請之日本專利申請案2014-158116者，其內容作為參照而併入本文。

Claims (8)

  1. 一種電子裝置之製造方法，其具備：步驟(1)，其係於暫時支持體上形成與上述暫時支持體側為相反側之表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層；步驟(2)，其係於上述聚醯亞胺樹脂層上配置厚度0.2mm以下之玻璃基板，而獲得玻璃積層體；步驟(3)，其係於上述玻璃基板之表面上配置電子裝置用構件，而獲得附有構件之玻璃積層體；及步驟(4)，其係自上述附有構件之玻璃積層體去除上述暫時支持體，而獲得包括上述聚醯亞胺樹脂層、上述玻璃基板及上述電子裝置用構件之電子裝置。
  2. 如請求項1之電子裝置之製造方法，其中上述步驟(1)具備：步驟(A)，其係於暫時支持體上塗佈包含聚醯胺酸之組合物，而形成包含聚醯胺酸之塗膜；步驟(B)，其係對上述塗膜表面上賦予矽烷偶合劑；及步驟(C)，其係對上述塗膜實施加熱處理，而獲得與上述暫時支持體側為相反側之表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層。
  3. 如請求項1之電子裝置之製造方法，其中上述步驟(1)具備：步驟(D)，其係於暫時支持體上形成聚醯亞胺樹脂層；及步驟(E)，其係對上述聚醯亞胺樹脂層表面上賦予矽烷偶合劑，而獲得與上述暫時支持體側為相反側之表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層。
  4. 如請求項1至3中任一項之電子裝置之製造方法，其中上述步驟(2)係如下步驟(2')，該步驟(2')係將具有較上述聚醯亞胺樹脂層之外形尺寸小之外形尺寸的玻璃基板以於上述聚醯亞胺樹脂層 上留有不與上述玻璃基板接觸之周緣區域之方式積層於上述聚醯亞胺樹脂層上，且於上述步驟(2)與上述步驟(3)之間進而具備如下步驟(5)，該步驟(5)係沿上述玻璃基板之外周緣，將上述玻璃積層體中之上述聚醯亞胺樹脂層及上述暫時支持體切斷。
  5. 一種玻璃積層體之製造方法，該玻璃積層體依序具有暫時支持體、與上述暫時支持體側為相反側之表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層、及玻璃基板，且用於在上述玻璃基板之表面上配置電子裝置用構件，其後，將上述暫時支持體去除，而獲得包括上述聚醯亞胺樹脂層、上述玻璃基板及上述電子裝置用構件之電子裝置，並且該玻璃積層體之製造方法具備：步驟(1)，其係於暫時支持體上形成與上述暫時支持體側為相反側之表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層；及步驟(2)，其係於上述聚醯亞胺樹脂層上配置厚度0.2mm以下之玻璃基板，而獲得上述玻璃積層體。
  6. 如請求項5之玻璃積層體之製造方法，其中上述步驟(1)具備：步驟(A)，其係於暫時支持體上塗佈包含聚醯胺酸之組合物，而形成包含聚醯胺酸之塗膜；步驟(B)，其係對上述塗膜表面上賦予矽烷偶合劑；及步驟(C)，其係對上述塗膜實施加熱處理，而獲得與上述暫時支持體側為相反側之表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞胺樹脂層。
  7. 如請求項5之玻璃積層體之製造方法，其中上述步驟(1)具備：步驟(D)，其係於暫時支持體上形成聚醯亞胺樹脂層；及步驟(E)，其係對上述聚醯亞胺樹脂層表面上賦予矽烷偶合劑，而獲得與上述暫時支持體側為相反側之表面經矽烷偶合劑處理之聚醯亞 胺樹脂層。
  8. 如請求項5至7中任一項之玻璃積層體之製造方法，其中上述步驟(2)係如下步驟(2')，該步驟(2')係將具有較上述聚醯亞胺樹脂層之外形尺寸小之外形尺寸的玻璃基板以於上述聚醯亞胺樹脂層上留有不與上述玻璃基板接觸之周緣區域之方式積層於上述聚醯亞胺樹脂層上，且於上述步驟(2)後進而具備如下步驟(5)，該步驟(5)係沿上述玻璃基板之外周緣，將上述玻璃積層體中之上述聚醯亞胺樹脂層及上述暫時支持體切斷。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2016210023A (ja) * 2015-04-30 2016-12-15 日本電気硝子株式会社 可撓性積層体の製造方法
CA3078296A1 (en) * 2017-10-04 2019-04-11 Saint-Gobain Glass France Composite glass pane having chamfered through-hole
KR102025724B1 (ko) * 2017-11-06 2019-09-26 한국표준과학연구원 2차원 박리층을 이용하여 대상층을 기판에서 박리하는 방법
US11603328B2 (en) 2017-11-20 2023-03-14 Corning Incorporated Method for increasing fracture toughness of glass ribbons
WO2019163575A1 (ja) * 2018-02-23 2019-08-29 富士フイルム株式会社 接合体の製造方法、仮固定部材、および積層体
JP2020027830A (ja) * 2018-08-09 2020-02-20 Tdk株式会社 電子部品の製造方法、及び、導体層の形成方法
WO2020044405A1 (ja) * 2018-08-27 2020-03-05 シャープ株式会社 表示デバイスの製造方法、表示デバイスの製造装置
JP7103163B2 (ja) * 2018-10-31 2022-07-20 Ａｇｃ株式会社 積層体、導通チェック方法、および、電子デバイスの製造方法
JP7115511B2 (ja) * 2019-06-06 2022-08-09 Ａｇｃ株式会社 積層基板、電子デバイスの製造方法、および積層基板の製造方法
FR3099152B1 (fr) * 2019-07-26 2021-07-23 Saint Gobain Procédé et système de génération d’un plan de découpe d’un produit verrier complexe

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201033005A (en) * 2008-12-19 2010-09-16 Toyo Boseki Laminate, method for producing the same and laminate circuit board
TW201127620A (en) * 2009-09-08 2011-08-16 Asahi Glass Co Ltd Glass/resin laminate, and electronic device using same
TW201330123A (zh) * 2011-10-12 2013-07-16 Asahi Glass Co Ltd 附接著性樹脂層之電子裝置之製造方法

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2342801C3 (de) * 1973-08-24 1979-10-04 Ibm Deutschland Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zum Beschichten von oxidierten, anorganischen Substraten mit Polyimid
JPS5855489B2 (ja) * 1977-10-07 1983-12-09 株式会社日立製作所 液晶表示セルの製造方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW201033005A (en) * 2008-12-19 2010-09-16 Toyo Boseki Laminate, method for producing the same and laminate circuit board
TW201127620A (en) * 2009-09-08 2011-08-16 Asahi Glass Co Ltd Glass/resin laminate, and electronic device using same
TW201330123A (zh) * 2011-10-12 2013-07-16 Asahi Glass Co Ltd 附接著性樹脂層之電子裝置之製造方法

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